CN1503602A - 有机电致发光显示面板装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种有机电致发光装置包括具有象素区和外围区的第一和第二基板，设在第一基板上的外围区上的第一公共电极，设在第一基板上的各个象素区上的驱动薄膜晶体管(TFT)，连接到TFT的漏极的第一连接电极，连接到第一公共电极的第二连接电极，第二基板上的第一电极，在第一电极上对应着象素区之间各自边界的隔离图形，在第一电极上对应着第二连接电极的第一绝缘图形，隔离图形上的间隔壁，第一电极上的有机发光层，有机发光层上在各个象素区处连接到第一连接电极的第二电极，以及在第一绝缘图形上接触到第一电极的第一接触电极。

Description

有机电致发光显示面板装置及其制造方法
本申请要求享有2002年11月26日在韩国递交的韩国专利申请P2002-074012号的权益，该申请可供参考。
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示面板装置及其制造方法，具体涉及一种具有高孔径比和分辨率图像的有机电致发光显示面板装置及其制造方法。
背景技术
通常，有机电致发光装置的发光机理都是从阴极向发射层注入电子，并从阳极向发射层注入空穴，组合电子和空穴产生一个电子-空穴对，并使电子-空穴对从激发态转变到基态。由于有机电致发光装置是自身发光的，并且不需要额外的光源，与液晶显示装置相比，有机电致发光装置尺寸小而且重量轻。有机电致发光装置还具有功耗低、亮度高和响应时间短的优点。因此，有许多消费类电子产品都采用了有机电致发光装置，例如有蜂窝电话、汽车导航系统(CNSs)、个人数字助理(PDAs)、便携式摄像机和掌上PCs。另外，有机电致发光装置还因其制造工艺简单而能够降低制造成本。
按照装置的驱动方式可以将有机电致发光装置划分成无源矩阵型和有源矩阵型。与有源矩阵型相比，无源矩阵型有机电致发光装置具有更加简单的结构，并且其制造工艺进一步简化。然而，无源矩阵型有机电致发光装置的功耗较高，不宜在大面积显示器中的使用。此外，在无源矩阵型有机电致发光装置中，孔径比随电线数量的增多而降低。因此，无源矩阵型有机电致发光装置一般是用在小尺寸显示装置中。与此相反，有源矩阵型有机电致发光装置被普遍用于大尺寸显示装置，这是因为它的发光效率高，并能提供高分辨率图像。
图1是按照现有技术的一种有机电致发光显示面板装置的截面图。在图1中，有机电致发光装置10包括彼此面对并间隔一预定空间的第一基板12和第二基板28。在第一基板12的内表面上形成多个薄膜晶体管T和多个第一电极16，其中每个第一电极16分别连接到各个薄膜晶体管T。而且，在第一电极16和薄膜晶体管T上形成有机发光层18，并在有机发光层18上形成一个第二电极20。一个象素区P内的有机发光层18按三色即红(R)、绿(G)、蓝(B)之一发光，并且一般是通过对有机材料构图而形成的。
在第二基板28的内表面上形成一种干燥剂22，用来消除可能会渗入第一和第二基板12和28之间的外界潮湿空气。对第二基板28的内表面构图形成沟槽，将干燥剂22设置在沟槽内并且用胶带25固定。
在第一和第二基板12和28之间形成一种密封剂26，包围诸如薄膜晶体管T、第一电极16、有机发光层18和第二电极20等阵列元件。密封剂26将第一和第二基板12和28粘结一起并形成一密封空间，保护元件与外界潮湿空气隔绝。
图2是图1中有机电致发光显示面板装置的一个象素的平面图。图2中的象素包括一个开关薄膜晶体管(TFT)TS、一个驱动薄膜晶体管(TFT)TD和一个存储电容CST。另外，在用透明材料例如是玻璃和塑料形成的第一基板12上形成栅极线32和数据线34，栅极线32和数据线34彼此交叉来限定该象素区P。电源线35与数据线34平行地形成。
开关TFT TS包括栅极36、有源层40、源极46和漏极50。驱动TFT TD包括栅极38、有源层42、源极48和漏极52。具体来说，开关TFT TS的栅极36连接到栅极线32，而开关TFT TS的源极46连接到数据线34。开关TFT TS的漏极50通过第一接触孔54连接到驱动TFT TD的栅极38，而驱动TFT TD的的源极48通过第二接触孔56连接到电源线35。驱动TFT TD的漏极52连接到象素区P内的第一电极16。电容电极15与电源线35重叠而构成一个存储电容CST，它是由搀杂的多晶硅制成的，并且连接到开关TFT TS的漏极50。
图3是图1中有机电致发光显示面板的布局图。在图3中，显示区被限定在第一基板12的中心区。数据焊盘部分E形成在第一基板12的上边，而第一栅极焊盘部分F1和第二栅极焊盘部分F2分别形成在第一基板12的左、右两侧。在基板12的下边形成一个公共电极39。公共电极39对形成在显示区上方并作为阴极的第二电极20施加一个公共电压并维持该公共电压。
图4A是沿着图2中IVA-IVA线提取的截面图。在图4A中，驱动TFT TD形成在第一基板12上，并且包括栅极38、有源层42、以及源极和漏极48和52。存储电容CST形成在基板12上方，并且并联连接到驱动TFT TD。存储电容CST包括分别作为第一电容电极和第二电容电极的电容电极15和电源线35。电容电极15是用多晶硅制成的。一个绝缘层57覆盖驱动TFT TD和存储电容CST，并在绝缘层57上形成与漏极52电连接的第一电极16。在第一电极16上形成发射一种颜色光的有机发光层18，并在有机层18上形成第二电极20。
图4B是沿图3中IVB-IVB线提取的截面图。在图4B中，公共电极39形成在基板12的一边，对第二电极20(图4A)施加一公共电压。这一公共电极39可以用与驱动TFT TD的栅极38相同的材料制造。用穿透绝缘层的第一公共接触孔60和第二公共接触孔62暴露出公共电极39。第二电极20连接到公共电极39。来自外部的输入线(未表示)可以通过第二公共接触孔62连接到公共电极39。
有机电致发光装置的产量取决于薄膜晶体管和有机层的产量。特别是有机电致发光装置的产量会因形成厚度约为1000的有机层的步骤中有杂质而改变。因此，现有技术中有机电致发光装置的产量会因杂质而降低，导致薄膜晶体管制造成本和原材料的损失。
再有，现有技术的有机电致发光装置是一种具有稳定性并且制造工艺灵活的底部发光型装置。然而，底部发光型装置具有小的孔径比。因此，底部发光型有机电致发光装置难以被用做高孔径比的装置。
而另一方面，顶部发光型有机电致发光装置具有高孔径比，并且易于制造。然而，在顶部发光型有机电致发光装置中，由于阴极一般是设置在有机层上面，可供选择用来制造阴极的材料受到限制。因此，光透射比受到限制，并且发光效率降低。另外，为了改善光透射比需要将钝化层制成薄膜，不能完全阻挡外界潮湿空气。
发明内容
为此，本发明旨在提出一种有机电致发光显示面板装置及其制造方法，能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的这些问题。
本发明的一个目的是提供一种具有高孔径比和高分辨率图像的有机电致发光显示面板装置及其制造方法。
本发明的另一目的是提供一种有机电致发光显示面板装置及其制造方法，能够提高产量和生产率。
本发明的再一目的是提供一种可靠的有机电致发光显示面板装置及其制造方法。
以下要说明本发明的附加特征和优点，有些内容可以从说明书中看出，或者是通过对本发明的实施来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点，以下要具体和概括地说明，一种有机电致发光装置，包括：彼此面对并分开的第一和第二基板，所述第一和第二基板具有一个包括许多象素的显示区和处在显示区一侧的第一外围区；设在第一基板内表面上的第一外围区上的第一公共电极；设在第一基板内表面上的各个象素区上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极；连接到各个象素区上驱动薄膜晶体管的漏极的第一连接电极；连接到第一外围区上的第一公共电极的第二连接电极；第二基板整个内表面上的第一电极；在第一电极上对应着象素区之间各自边界的隔离图形；在第一电极上的第一外围区上对应着第二连接电极的第一绝缘图形；隔离图形上的间隔壁；第一电极上处在各个象素区内的有机发光层；有机发光层上在各个象素区处连接到第一连接电极的第二电极；在第一绝缘图形上接触到第一电极的第一接触电极；以及粘结第一和第二基板的一种密封剂。
按照另一方面，一种有机电致发光装置的制造方法，包括：在具有一个包括多个象素区的显示区和处在显示区一侧的第一外围区的第一基板上形成一个绝缘层；在绝缘层上的各个象素区上形成一个驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括有源层、栅极、以及源极和漏极；在绝缘层上的第一外围区上形成第一公共电极；形成第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极连接到漏极，所述第二连接电极连接到第一公共电极；在第二基板上形成第一电极；在第一电极上形成隔离图形和第一绝缘图形，所述隔离图形对应着象素区之间各自的边界，第一绝缘图形设在第一外围区上；在隔离图形上形成间隔壁；在第一电极上的各个象素区内形成一个有机发光层；在有机发光层上形成第二电极；在第一绝缘图形上形成接触到第一电极的第一接触电极；以及用一种密封剂将第一和第二基板粘结在一起，使第一连接电极接触到第二电极，而第二连接电极接触到第一接触电极。
按照再一方面，一种有机电致发光装置的制造方法，包括：在具有一个包括多个象素区的显示区和处在显示区一侧的第一外围区的第一基板上形成第一绝缘层；在各个象素区处的第一绝缘层上形成一个有源层，所述有源层包括多晶硅，所述有源层具有源极和漏极区；在有源层上形成第二绝缘层；在有源层上方的第二绝缘层上形成栅极；在栅极上形成第三绝缘层，所述第三绝缘层具有第一和第二接触孔，第一接触孔暴露出源极区，而第二接触孔暴露出漏极区；在第三绝缘层上形成源极和漏极以及第一公共电极，所述源极通过第一接触孔连接到源极区，所述漏极通过第二电极连接到漏极区，所述第一公共电极设置在外围区；在源极和漏极以及第一公共电极上形成第四绝缘层，所述第四绝缘层具有第三、第四和第五接触孔，第三接触孔暴露出漏极，第四和第五接触孔暴露出第一公共电极；在第四绝缘层上形成第一和第二连接电极，所述第一连接电极通过第三接触孔连接到漏极，所述第二连接电极通过第四接触孔连接到第一公共电极；在第二基板上形成第一电极；在第一电极上形成隔离图形和第一绝缘图形，所述隔离图形对应着象素区之间的各自边界，第一绝缘图形设在第一外围区上，并在隔离图形上形成间隔壁；在第一电极上的各个象素区内形成一个有机发光层；在有机发光层上形成第二电极；在第一绝缘图形上形成接触到第一电极的第一接触电极；以及用一种密封剂将第一和第二基板粘结在一起，使第一连接电极接触到第二电极，而第二连接电极接触到第一接触电极。
应该意识到以上对本发明的概述和下文的详细说明都是解释性的描述，都是为了进一步解释所要求保护的发明。
附图说明
所包括的用来便于理解本发明并且作为本申请一个组成部分的附图表示了本发明的实施例，连同说明书一起可用来解释本发明的原理。
在附图中：
图1是按照现有技术的一种有机电致发光显示面板装置的截面图；
图2是图1中有机电致发光显示面板装置的一个象素的平面图；
图3是图1中有机电致发光显示面板装置的布局图；
图4A是沿着图2中IVA-IVA线截取的截面图；
图4B是沿着图3中IVB-IVB线截取的截面图；
图5是按照本发明的一示例性有机电致发光显示面板装置的截面图；
图6A是图5中区域H的截面图；
图6B是图5中区域I的截面图；
图7A到7C是表示本发明的一示例性有机电致发光装置的第一基板象素区的制造工艺的截面图；
图8A到8C是表示本发明的一示例性有机电致发光装置的第一基板外围区的制造工艺的截面图；
图9A到9D是表示本发明的一示例性有机电致发光装置的第二基板显示区的制造工艺的截面图；
图10A到10D是表示本发明的一示例性有机电致发光装置的第二基板外围区的制造工艺的截面图；以及
图11是按照本发明的另一示例性有机电致发光装置的截面图。
具体实施方式
以下要具体描述本发明的最佳实施例，在附图中表示了这些例子。
图5是按照本发明的一示例性有机电致发光显示面板装置的截面图。在图5中，有机电致发光装置包括彼此面对并分开的第一基板100和第二基板200。可以用密封剂300将第一和第二基板100和200粘结在一起。第一和第二基板100和200可以包括构成显示区的多个象素区P和设置在显示区一侧的外围区A。另外，还可以在第一基板100内表面上，分别形成与多个象素区P相邻的多个薄膜晶体管T，其中用薄膜晶体管T作为有机电致发光装置的驱动薄膜晶体管。尽管图中没有表示，还可以在第一基板100内表面上形成多个开关薄膜晶体管和阵列线。
可以在第二基板200内表面上形成多个第一辅助电极202，并在第二基板200整个内表面上形成第一电极204来覆盖第一辅助电极202。用第一电极204作为注入空穴的阳极，并能接收公共电压。另外，可以通过沉积并对绝缘材料构图在第一电极204上形成多个隔离图形206。进而，在多个隔离图形206上形成多个间隔壁210，使隔离图形206和间隔壁210对应着象素区P之间的边界。在相邻的间隔壁210之间，可以在第一电极204上按顺序形成多个有机发光层212和多个第二电极214。用多个第二电极214作为注入电子的阴极。各个第二电极214可以通过第一连接电极130电连接到各个薄膜晶体管T。可以首先在第一基板100的内表面上形成第一连接电极130，然后用密封剂300将第一基板100粘结到第二基板200上，使得第一连接电极130分别接触到第二电极214。
另外，还可以在外围区A中第一基板100的内表面上方形成一个公共电极126。在形成第一电极204之前可以在外围区A中第二基板200的内表面上形成第二辅助电极203，使第一电极204覆盖第二辅助电极203。制造第二辅助电极203的材料与第一辅助电极202可以相同。进而，在第二辅助电极203上方的第一电极204上形成一个绝缘图形208，并可以在绝缘图形208上形成一个接触电极216，直接连接到第一电极204。制造绝缘图形208的材料与隔离图形206可以相同，并可以在形成隔离图形206的步骤中同时形成绝缘图形208。而且，制造接触电极216的材料同样与第二电极214相同，并可以在形成第二电极214的步骤中同时形成接触电极216。接触电极216可以通过第二连接电极132电连接到公共电极126。
这样就能用第一和第二连接电极130和132维持象素区P和外围区A中的均匀间隙，从而防止通过第二连接电极132提供给第一电极204公共电压变差。
图6A是图5中区域H的截面图，而图6B是图5中区域I的截面图。在图6A中，第一辅助电极202、第一电极204、隔离图形206、间隔壁210、有机发光层212和第二电极214形成在第二基板200的内表面上。图5中的第一连接电极130要接触到第二基板200的第一部分J可以仅仅包括第一电极204、隔离图形206、有机发光层212和第二电极214。在图6B中，图5中第二连接电极132要接触到第二基板200的第二部分K可以仅仅包括第二辅助电极203、第一电极204、绝缘图形208和接触电极216。第一和第二辅助电极202和203的厚度范围约在500到3,000之内。第一电极204的厚度范围约在1,000到2,000之内。隔离图形206和绝缘图形208的厚度范围约在500到3,000之内。有机发光层212的厚度范围约在1,000到2,000之内，而第二电极214和接触电极216的厚度范围约在500到3,000之内。这样，第一部分J的各层具有的第一厚度约在3,000到10,000范围之内，而第二部分K的各层具有的第二厚度约在2,500到11,000范围之内。也就是第一厚度和第二厚度彼此接近。
图7A到7C是表示本发明的一示例性有机电致发光装置的第一基板象素区的制造工艺的截面图。图8A到8C是表示本发明的一示例性有机电致发光装置的第一基板外围区的制造工艺的截面图。图7A到7C具体对应着沿图2中IVA-IVA线截取的截面图，而图8A到8C对应着沿图3中IVB-IVB线截取的截面图。在图7A和8A中，第一基板100包括象素区P、驱动区D、存储区C和外围区A。通过沉积一种氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)在第一基板100的整个表面上形成一个缓冲层102作为第一绝缘层。可以在缓冲层102上分别在驱动和存储区D和C内形成第一多晶硅图形104和第二多晶硅图形105。例如可以通过在沉积非晶硅之后采用加热的脱氢工艺和结晶工艺形成第一和第二多晶硅图形104和105。通过搀杂杂质可以用第二多晶硅图形105作为存储电容的第一电极。可以按顺序在第一多晶硅图形104的中心部位上形成作为第二绝缘层的栅极绝缘层106和栅极108。可以在第一基板100的整个表面上形成栅极绝缘层106，同样可以用一种氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)来制造。
在形成栅极108之后，对第一多晶硅图形104搀杂诸如硼(B)或磷(P)等杂质以限定一个对应着栅极108的沟道区104a，以及处在沟道区104a两侧的源极和漏极区104b和104c。第二多晶硅图形105也可以搀杂杂质。栅极108是用铝(Al)、铝(Al)合金、铜(Cu)、钨(W)、钽(Ta)和钼(Mo)之一制成的。可以在第一基板100的整个表面上形成一个作为第三绝缘层的层间绝缘层110来覆盖栅极108。层间绝缘层110可以用氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)之一来制作。可以通过沉积铝(Al)、铝(Al)合金、铜(Cu)、钨(W)、钽(Ta)和钼(Mo)中之一并且对其构图在存储区C内的层间绝缘层110上形成一个电容电极112。电容电极112可以是电源线(未表示)的一部分。第二多晶硅图形105和与第二多晶硅图形105重叠的电容电极112构成一个存储电容，层间绝缘层110介于二者之间。
在图7B和8B中，可以在第一基板100的整个表面上形成第四绝缘层114来覆盖电容电极112。可以在第四绝缘层114上形成第一、第二和第三接触孔116、118和120，分别暴露出漏极区104c、源极区104b和电容电极112。
在图7C和8C中，可以通过沉积铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)和钨(W)中之一并对其进行构图，在第四绝缘层114上形成源极和漏极124和122。源极124通过第二接触孔118接触到源极区104b，而漏极122可以通过第一接触孔116接触到漏极区104c。还可以在外围区A内的第四绝缘层114上形成一个公共电极126。可以在第一基板100的整个表面上形成第五绝缘层128来覆盖源极和漏极124和122以及公共电极126。可以在第五绝缘层128内形成第四、第五和第六接触孔134、136和138，分别暴露出漏极122和公共电极126的两侧。然后通过沉积一种导电金属材料并对其进行构图，在第五绝缘层128上形成第一和第二连接电极130和132。第一连接电极130可以通过象素区P内的第四接触孔134接触到漏极122。第二连接电极132可以通过第五接触孔136接触到公共电极126。
图9到9是表示本发明的一示例性有机电致发光装置的第二基板显示区的制造工艺的截面图。图10A到10D是表示本发明的一示例性有机电致发光装置的第二基板外围区的制造工艺的截面图。在图9和10A中，第二基板200可以包括处在显示区内的多个象素P和处在显示区一侧的一个外围区A。可以通过沉积一种具有低电阻的金属材料并且对其进行构图在第二基板200上形成多个第一辅助电极202。多个第一辅助电极202的电阻比后面要在其上形成的第一电极的电阻要低。例如，如果第一电极是用铟锡氧化物制成的，就可以用铬、钼、铝和铝合金中之一来制造多个第一辅助电极202。可以在外围区A内的第二基板200上形成第二辅助电极203。第一辅助电极202可以采用格状(lattice form)。由于第一辅助电极202可以用不透明金属材料制作，将第一辅助电极202设置在不发光的区域上，也就是显示图像的象素区P之外。第一辅助电极202和第二辅助电极203可以在一定位置上用电路连接。
可以在第二基板200的整个表面上形成第一电极204，覆盖第一辅助电极202和第二辅助电极203。第一电极204可以作为阳极向此后在其上形成的有机发光层中注入空穴。例如，第一电极204可以包括透明并具有高功函的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。第一电极204可以通过图8C中处在外围区A的第二连接电极132接收公共电压。
在图9和10B中，可以用绝缘材料在第一辅助电极202上方的第一电极204上形成多个隔离图形206。隔离图形206的平面图构成格状。还可以在外围区A内第二辅助电极203上方的第一电极204上形成与隔离图形206相同材料制成的岛状绝缘图形208。可以在隔离图形206上形成同为格状的多个间隔壁210。制作多个间隔壁210的绝缘材料包括光敏有机材料。多个间隔壁210使得多个有机发光层和多个第二电极在下述工艺中由象素区P分开形成。
在图9和10C中，可以在象素区P内的第一电极204上形成多个有机发光层212。有机发光层212发射红、绿、蓝色的一种颜色对应于各个象素区P。有机发光层212具有单层或多层。如果有机发光层212有多层，有机发光层212就包括接触到第一电极204的空穴传输层(HTL)212a、HTL212a上的有机发光层212b和有机发光层212b上的电子传输层(ETL)212c。
在图9和10D中，可以在有机发光层212上形成多个第二电极214。各个第二电极214对应着各个象素区P，并且被间隔壁210彼此隔开。另外，间隔壁210下面的隔离图形206能够防止第二电极214与第一电极204发生电接触。可以用多个第二电极214作为阴极向有机发光层212内注入电子。在形成第二电极214的步骤中可以在外围区A内的绝缘图形208上同时形成一个接触电极216。接触电极216可以接触到第一电极204。接触电极216可以连接到图8C中的第二连接电极132，并且通过图8C中的公共电极126和第二连接电极132向第一电极204提供公共电压。第二电极214和接触电极216可以包括单层的铝(Al)、钙(Ca)或镁(Mg)，或是包括多层的氟化锂(LiF)或是铝(Al)。多个第二电极214的功函比第一电极204要低。
可以用一种密封剂来粘结按图6A到10D的制造工艺形成的第一和第二基板100和200，就制成了一种有机电致发光装置。
图11是按照本发明的另一示例性有机电致发光装置的截面图。在图11中，可以用密封剂500将第一和第二基板300和400粘结到一起，二者之间留有预定的空间。第一和第二基板300和400可以有构成显示区的多个象素区P和设置在显示区两侧的外围区A。可以在第一基板300内表面上形成多个薄膜晶体管T和多条阵列线(未表示)。特别是各个薄膜晶体管T可以与各个象素区P相邻地设置。
可以在第二基板400内表面上形成多个第一辅助电极402，并在第二基板400的整个内表面上形成第一电极404来覆盖第一辅助电极402。用第一电极404作为注入空穴的阳极。还可以在第一电极404上形成多个由绝缘材料制成的隔离图形406，并在多个隔离图形406上对应着薄膜晶体管T和象素区P之间的边界形成多个间隔壁410。在相邻的间隔壁410之间，可以在第一电极404上形成多个有机发光层412和多个第二电极414。用多个第二电极414作为注入电子的阴极。各个第二电极414可以通过第一连接电极330电连接到各个薄膜晶体管T。可以首先在第一基板300的内表面上形成多个第一连接电极330，然后将第一基板300粘结到第二基板400上，使得第一连接电极330分别接触到第二电极414。
可以在外围区A中第一基板300的内表面上面形成公共电极326a和326b。还可以在外围区A内第二基板400的内表面上形成第二辅助电极403a和403b，使第一电极404覆盖第二辅助电极403a和403b。制造第二辅助电极403a和403b的材料与第一辅助电极402相同。进而在第二辅助电极403a和403b上方的第一电极404上形成绝缘图形408a和408b，并可以在绝缘图形408a和408b上形成接触电极416a和416b，直接连接到第一电极404。可以在形成多个第二电极414的步骤中同时形成接触电极416a和416b。接触电极416a和416b可以通过第二连接电极332a和332b的电路分别连接到公共电极326a和326b。
这样，第一和第二连接电极330、332a和332b就能同时在象素区P和外围区A中维持均匀的间隙。由于这种有机电致发光装置是顶部发光型装置，还能获得高孔径比。进而，由于包括薄膜晶体管和有机发光层的阵列图形是独立形成在单独的基板上，能够避免因有机发光层制造工艺的不利影响，从而提高产量。另外，由于第二连接图形是形成在外围区上而接触到第一焊盘和第一电极的，因此能够防止因信号畸变带来的危害，从而进一步提高产量。
显然，本领域的技术人员无需脱离本发明的原理和范围还能对本发明的有机电致发光显示面板装置及其制造方法作出各种各样的修改和变更。因此，本发明的意图是要覆盖权利要求书及其等效物范围内的修改和变更。

Claims (29)

1.一种有机电致发光装置，包括：
彼此面对并分开的第一和第二基板，所述第一和第二基板具有一个包括多个象素区的显示区和处在显示区一侧的第一外围区；
设在第一基板内表面上的第一外围区上的第一公共电极；
设在第一基板内表面上的各个象素区上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括有源层、栅极、以及源极和漏极；
连接到各个象素区上的驱动薄膜晶体管的漏极的第一连接电极；
连接到第一外围区上的第一公共电极的第二连接电极；
第二基板整个内表面上的第一电极；
在第一电极上对应着象素区之间各自边界的隔离图形；
在第一电极的第一外围区上对应着第二连接电极的第一绝缘图形；
隔离图形上的间隔壁；
第一电极上处在各个象素区内的有机发光层；
有机发光层上在各个象素区处连接到第一连接电极的第二电极；
在第一绝缘图形上接触到第一电极的第一接触电极；以及
粘结第一和第二基板的一种密封剂。
2.按照权利要求1的装置，其特征在于，进一步包括第二基板与第一电极之间的第一辅助电极和第二辅助电极，其中的第一辅助电极对应着隔离图形，而第二辅助电极对应着第一绝缘图形。
3.按照权利要求1的装置，其特征在于，第一绝缘图形包括与隔离图形相同的材料。
4.按照权利要求1的装置，其特征在于，第二连接电极包括与第一连接电极相同的材料。
5.按照权利要求1的装置，其特征在于，第一接触电极包括与第二电极相同的材料。
6.按照权利要求1的装置，其特征在于，有源层包括多晶硅。
7.按照权利要求1的装置，其特征在于，进一步包括连接到驱动薄膜晶体管的电源线。
8.按照权利要求7的装置，其特征在于，进一步包括与连接到存储电容的电源线重叠的一电容电极。
9.按照权利要求1的装置，其特征在于，第一电极是向有机发光层注入空穴的阳极，而第二电极是向有机发光层注入电子的阴极。
10.按照权利要求9的装置，其特征在于，第一电极包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)中之一。
11.按照权利要求9的装置，其特征在于，第二电极包括一种钙(Ca)、铝(Al)和镁(Mg)。
12.按照权利要求1的装置，其特征在于，第一公共电极设置在密封剂的内部。
13.按照权利要求1的装置，其特征在于，进一步包括第一基板内表面上的第二公共电极，连接到第二公共电极的第三连接电极，第一电极上的第二绝缘图形，以及第二绝缘图形上的第二接触电极，其中的第二公共电极、第三连接电极、第二绝缘图形和第二接触电极设置在显示区另外一侧的第二外围区内，并且第二接触电极接触到第一电极并且连接到第三连接电极。
14.按照权利要求13的装置，其特征在于，进一步包括第二基板与第一电极之间的第一辅助电极、第二辅助电极和第三辅助电极，其中第一辅助电极对应着隔离图形，第二辅助电极对应着第一绝缘图形，而第三辅助电极对应着第二绝缘图形。
15.一种有机电致发光装置的制造方法，包括：
在具有一个包括多个象素区的显示区和处在显示区一侧的第一外围区的第一基板上形成一个绝缘层；
在绝缘层上的各个象素区上形成一个驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括有源层、栅极、以及源极和漏极；
在绝缘层上的第一外围区上形成第一公共电极；
形成第一连接电极和第二连接电极，第一连接电极连接到漏极，第二连接电极连接到第一公共电极；
在第二基板上形成第一电极；
在第一电极上形成隔离图形和第一绝缘图形，隔离图形对应着象素区之间各自的边界，第一绝缘图形设在第一外围区上；
在隔离图形上形成间隔壁；
在第一电极上的各个象素区内形成一个有机发光层；
在有机发光层上形成第二电极；
在第一绝缘图形上形成接触到第一电极的第一接触电极；以及
用一种密封剂将第一和第二基板粘结在一起，使第一连接电极接触到第二电极，而第二连接电极接触到第一接触电极。
16.按照权利要求15的方法，其特征在于，进一步包括在第二基板与第一电极之间形成第一辅助电极和第二辅助电极的步骤，其中的第一辅助电极对应着隔离图形，而第二辅助电极对应着第一绝缘图形。
17.按照权利要求16的方法，其特征在于，第一和第二辅助电极的电阻比第一电极要低。
18.按照权利要求17的方法，其特征在于，第一和第二辅助电极包括铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)中之一。
19.按照权利要求15的方法，其特征在于，形成第一接触电极的步骤是与形成第二电极的步骤同时执行的。
20.按照权利要求15的方法，其特征在于，第一电极是向有机发光层注入空穴的阳极，而第二电极是向有机发光层注入电子的阴极。
21.按照权利要求20的方法，其特征在于，第一电极包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)中之一。
22.按照权利要求20的方法，其特征在于，第二电极包括钙(Ca)、铝(Al)和镁(Mg)中之一。
23.按照权利要求15的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤，形成连接到栅极的多晶硅图形，并在多晶硅图形上方形成构成存储电容的电容电极，所述电容电极被连接到漏极。
24.按照权利要求15的方法，其特征在于，第一公共电极设置在密封剂的内部。
25.按照权利要求15的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤；
在第一基板内表面上形成第二公共电极；
形成连接到第二公共电极的第三连接电极；
第一电极上形成第二绝缘图形；以及
在第二绝缘图形上形成第二接触电极，
其中的第二公共电极、第三连接电极、第二绝缘图形和第二接触电极设置在显示区另外一侧的第二外围区内，并且第二接触电极接触到第一电极并且连接到第三连接电极。
26.按照权利要求25的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤，在第二基板与第一电极之间形成第一辅助电极、第二辅助电极和第三辅助电极，第一辅助电极对应着隔离图形，第二辅助电极对应着第一绝缘图形，而第三辅助电极对应着第二绝缘图形。
27.一种有机电致发光装置的制造方法，包括：
在具有一个包括多个象素区的显示区和处在显示区一侧的第一外围区的第一基板上形成第一绝缘层；
在各个象素区处的第一绝缘层上形成一个有源层，有源层包括多晶硅，有源层具有源极和漏极区；
在有源层上形成第二绝缘层；
在有源层上方的第二绝缘层上形成栅极；
在栅极上形成第三绝缘层，第三绝缘层具有第一和第二接触孔，第一接触孔暴露出源极区，第二接触孔暴露出漏极区；
在第三绝缘层上形成源极和漏极以及第一公共电极，源极通过第一接触孔连接到源极区，漏极通过第二电极连接到漏极区，第一公共电极设置在外围区；
在源极和漏极以及第一公共电极上形成第四绝缘层，第四绝缘层具有第三、第四和第五接触孔，第三接触孔暴露出漏极，第四和第五接触孔暴露出第一公共电极；
在第四绝缘层上形成第一和第二连接电极，第一连接电极通过第三接触孔连接到漏极，第二连接电极通过第四接触孔连接到第一公共电极；
在第二基板上形成第一电极；
在第一电极上形成隔离图形和第一绝缘图形，隔离图形对应着象素区之间的各自边界，第一绝缘图形设在第一外围区上；
在隔离图形上形成间隔壁；
在第一电极上的各个象素区处形成一个有机发光层；
在有机发光层上形成第二电极；
在第一绝缘图形上形成接触到第一电极的第一接触电极；以及
用一种密封剂将第一和第二基板粘结在一起，使第一连接电极接触到第二电极，而第二连接电极接触到第一接触电极。
28.按照权利要求27的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：
在第一基板内表面上形成第二公共电极；
形成连接到第二公共电极的第三连接电极；
在第一电极上形成第二绝缘图形；以及
在第二绝缘图形上形成第二接触电极，
其中的第二公共电极、第三连接电极、第二绝缘图形和第二接触电极设置在显示区另外一侧的第二外围区上，并且第二接触电极接触到第一电极并连接到第三连接电极。
29.按照权利要求28的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤，在第二基板与第一电极之间形成第一辅助电极、第二辅助电极和第三辅助电极，第一辅助电极对应着隔离图形，第二辅助电极对应着第一绝缘图形，而第三辅助电极对应着第二绝缘图形。
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