CN1516532A - 有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种有机电致发光显示装置包括基板；设在基板上的栅极线；设在基板之上并与栅极线交叉的数据线；设在栅极线和数据线交点附近的开关薄膜晶体管；驱动薄膜晶体管系统，该系统包含多个子TFT，这些子TFT通过栅基与开关薄膜晶体管并联；设在基板之上并与栅极线交叉的电源线，所述电源线与多个子TFT电性连接；设在驱动薄膜晶体管系统之上并与多个子TFT接触的第一电极；设在第一电极上的有机电致发光层；和设在有机电致发光层上并且用透明材料制成的第二电极。

Description

有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法
本申请要求2002年12月31日在韩国申请的第2002-0088417号韩国专利申请的权益，该申请在本申请中以引用的形式加以结合。
技术领域
本发明涉及一种显示装置和制造显示装置的方法，更确切地说，本发明涉及有源矩阵型有机电致发光显示装置和制造有源矩阵型有机电致发光显示装置的方法。
背景技术
有机电致发光显示装置包括注入电子的阴极、注入空穴的阳极和设在两极之间的有机电致发光层。有机电致发光二极管在阳极和阴极之间设有多层有机薄膜结构。当在有机电致发光二极管上施加正向电流时，电子-空穴对(通常称之为激子)在有机电致发光层中复合并在注入空穴的阳极和注入电子的阴极之间形成P-N结。电子-空穴对在复合状态下的能量比分离状态下的能量要低。通过有机电致发光元件将复合的电子-空穴对和分离的电子-空穴对之间产生的能隙转变成光。换句话说，有机电致发光层发射的是因电子和空穴响应施加的电流形成再复合时产生的能量。
根据上述原理，与液晶显示装置相比，有机电致发光装置不需要外加光源。此外，电致发光装置厚度薄、重量轻并且具有很高的能效。因此，有机电致发光装置在显示图像时具有极佳的优点，例如，能耗低、亮度高、响应时间短等。由于具备这些有益的特性，所以有机电致发光装置被认为是消费者选用各种下一代电器时的预期竞争者，所述电器包括例如移动通信装置、CNS(车载导航系统)、PDA(个人数字助理)、便携式摄像机(camcorder)、和掌上PC机等。而且，由于制造这种有机电致发光装置的工艺相对简单，所以生产有机电致发光装置比生产液晶显示装置的成本低。
可以将有机电致发光显示装置设置成无源矩阵型结构或有源矩阵型结构。无源矩阵型的结构和制造工艺简单，但与有源矩阵型相比具有高能耗。此外，由于无源矩阵型有机电致发光显示装置的显示尺寸受到其结构的限制，所以无源矩阵型很难制成大尺寸装置。此外，无源矩阵型的孔径比随着总线的增加而降低。相反，有源矩阵型有机电致发光显示装置与无源矩阵型相比能提供具有高亮度的高显示质量。
图1是表示现有技术所述结构中有源矩阵型有机电致发光显示装置的示意性剖面图。如图1所示，有机电致发光显示装置10包括第一和第二基板12和28，两基板用密封剂26彼此粘附到一起。在第一基板12上，形成多个薄膜晶体管(TFT)T和阵列部分14。每个TFT T对应于每个象素区P。在阵列部分14上依次形成第一电极(即，阳极)16、有机发光层18和第二电极(即阴极)20。此时，有机发光层18在每个象素P中发射红(R)、绿(G)或蓝(B)色光。特别是，为了显示彩色图像，在每个象素P中分别设置了有机彩色发光图形。
如图1中附加示出的那样，与第一基板12用密封剂26粘附到一起的第二基板28的背面上设有吸湿剂22。吸湿剂22吸收第一和第二基板12和28之间的盒间隙中存在的水分。当在第二基板28上设置吸湿剂22时，需对第二基板28的一部分进行蚀刻以形成凹部。此后，将粉状吸湿剂22置于凹部内，然后将密封胶带25置于第二基板28上从而将粉状吸湿剂22固定到凹部内。
图2是表示现有技术所述结构中有机电致发光显示装置的象素等效电路图。如图2中所示，沿横向设置栅极线GL，沿着基本上垂直于栅极线GL的纵向设置数据线DL。在栅极线和数据线GL和DL的交叉点处设置开关薄膜晶体管(开关TFT)TS并设置与开关薄膜晶体管TS电性连接的驱动薄膜晶体管(驱动TFT)TD。驱动TFT TD与有机电致发光二极管E电性连接。在电源线PL和开关TFT TS的漏极S6之间设置存储电容CST。存储电容CST还与驱动TFT TD的栅极D2相连。开关TFT TS的源极S4与数据线DL相连，驱动TFT TD的源极D4与电源线PL相连。如图1中所述，有机电致发光二极管E包括第一电极、有机发光层和第二电极。有机电致发光二极管E的第一电极与驱动TFT TD的漏极D6电性相连，在第一电极上设置有机发光层，并在有机发光层上设置第二电极。
现在，参照图2简要说明有机电致发光显示装置的工作情况。当从栅极线GL向开关TFT TS的栅极S2施加栅极信号时，通过开关TFT TS把流经数据线DL的数据电流信号转换成施加到驱动TFT TD栅极D2上的电压信号。然后，使驱动TFT TD工作，并确定流过有机电致发光二极管E的电流电平。因此，有机电致发光二极管E可以显示黑色和白色之间的灰度级。
所述电压信号还施加到存储电容CST上，所以在存储电容CST内存储了电荷。存储在存储电容CST中的电荷能够保持驱动TFT TD栅极S2上电压信号的电压。因此，即使是开关TFT TS断开，在施加下一个电压信号之前，流向有机电致发光二极管E的电流电平也将保持不变。
同时，开关和驱动TFT TS和TD可以包含多晶硅层或非晶硅层。当TFT TS和TD包含非晶层时，TFT TS和TD的制造比包含多晶硅层的TFT TS和TD时更简单。
图3是现有技术中底部发光式有源矩阵型有机电致发光显示装置的示意性平面图。如图3中所示，有源矩阵型有机发光二极管装置包括例如反相交错型薄膜晶体管。
栅极线36与数据线49和电源线62交叉，所述数据线和电源线彼此相隔一定间距。栅极线和彼此相隔一定间距的数据线以及电源线49、62之间构成象素区。在栅极线36和数据线49交叉点的附近设置开关薄膜晶体管(TFT)TS。在电源线62附近并在象素区内设置驱动薄膜晶体管(TFT)TD。驱动TFTTD的尺寸比开关TFT TS的尺寸大，所以驱动TFT TD占据比较大的象素区空间。
开关TFT TS包括从栅极线36上伸出的开关栅极32、从数据线49上伸出的开关源极48、与开关源极48相隔一定间距的开关漏极50，和设在开关栅极32上方的开关有源层56a。开关有源层56a由非晶硅制成并且为岛形形状。
驱动TFT TD与开关TFT TS和电源线62相连。驱动TFT TD包括驱动栅极34、驱动源极52、驱动漏极54和驱动有源层58a。驱动栅极34与开关漏极50相连并沿着电源线62延长。驱动有源层58a由非晶硅制成并且为细长的岛形。此外，驱动有源层58a还沿电源线62的侧边延伸同时与驱动栅极34重叠。驱动源极和漏极52和54与驱动栅极34的侧面部分重叠。在驱动源极和漏极52和54之间的驱动栅极34的上方设置岛形的驱动有源层58a。
如图3所示，电源线62具有伸向驱动源极50的突起，所述电源线通过所述突起与驱动源极50电性连通。有机电致发光二极管的第一电极66设置在象素区内并与驱动漏极54相连。
驱动薄膜晶体管TD需要具有控制和驱动有机电致发光二极管的能力。因此，驱动薄膜晶体管TD的沟槽应具有较大的沟槽宽度W和较短的沟槽长度L，从而使宽度W和长度L的比例足够大。因此，驱动薄膜晶体管TD能够向有机电致发光二极管提供足够的电流来控制和驱动有机电致发光二极管。
图4和图5是沿图3中的线IV-IV和V-V剖开的分别表示开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的剖面图。
在图4和图5中，在基板30上形成开关栅极32和驱动栅极34。尽管图4和图5中未示出，但是如图3所示，在基板30上还形成栅极线36。如上所述，驱动栅极34大于开关栅极32并占据了象素区中较大的区域。在基板上形成覆盖驱动栅极34和开关栅极32以及栅极线36的栅极绝缘层38。栅极绝缘层38具有暴露驱动栅极34底端的接触孔。在栅极绝缘层38上分别形成位于开关栅极32上方和位于驱动栅极34上方的开关半导体层56和驱动半导体层58。开关半导体层56包括纯非晶硅的开关有源层56a和掺杂质非晶硅的开关欧姆接触层56b。驱动半导体层58包括纯非晶硅的驱动有源层58a和掺杂质非晶硅的驱动欧姆接触层58b。如图3中所示，驱动半导体层58大于开关半导体层56。以彼此相隔一定距离的形式形成开关源极和漏极48和50并且使所述开关源极和漏极与开关欧姆接触层56b接触，以彼此相隔一定距离的形式形成驱动源极和漏极52和54并且使所述驱动源极和漏极与驱动欧姆接触层58b接触。开关漏极50还与驱动栅极34电性连接。如图3和图4所示，在栅极绝缘层38上还形成数据线49，将数据线49设置成与栅极线36垂直交叉。由此，便制成了开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD。
在整个基板30上形成覆盖开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD的第一钝化层60。第一钝化层60上具有暴露驱动源极52的接触孔。然后，如图5所示，在第一钝化层60上形成电源线62，该电源线通过接触孔与驱动源极52接触。如图3所示，电源线62与数据线49彼此相隔一定距离并与栅极线36垂直交叉，因此，借助栅极线36和数据线49构成象素区。在整个基板30上形成覆盖电源线62的第二钝化层64。第一和第二钝化层60和64上具有接触孔，通过所述接触孔可以暴露部分驱动源极54。在第二钝化层64上形成有机电致发光二极管的第一电极66，所述第一电极66与驱动漏极54电性接触。如图3所示，第一电极66设置在象素区内。
在图3-5所示的现有技术中，驱动有源层58a具有较宽的沟槽宽度和较短的沟槽长度，从而使驱动薄膜晶体管TD占据了大量的象素区。因此，降低了底部发光式有机电致发光显示装置的孔径比。此外，由于大量的电流流过驱动薄膜晶体管TD，所以可能会在驱动薄膜晶体管TD内产生电流应力(currentstress)，从而损坏驱动薄膜晶体管TD。特别是，当DC偏压连续施加到驱动薄膜晶体管TD上时，驱动薄膜晶体管TD的电特性将变坏并且甚至不能正常工作。因此，具有上述驱动薄膜晶体管的有源矩阵型有机电致发光显示装置可能会出现残留图像的现象，从而产生较差的显示质量。此外，当因电流应力而使驱动薄膜晶体管的品质变坏和不能正常工作时，在象素中会出现点缺陷。
发明内容
因此，本发明在于提供一种有机电致发光显示(OELD)装置以及制造所述OELD装置的方法，所述装置和方法基本上克服了因现有技术的局限和缺点造成的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种有源矩阵型OELD装置，该装置所具有的设置在象素中的驱动薄膜晶体管结构具有较低的电流应力。
本发明的另一个目的是提供一种OELD装置，其提高了图像分辨率并具有较高的孔径比。
本发明的其它特征和优点将在下面的说明中给出，其中一部分特征和优点可以从说明中明显得出或是通过本发明的实践而得到。通过在文字说明部分、权利要求书以及附图中特别指出的结构，可以实现和获得本发明的这些和其它优点。
为了得到这些和其它优点并根据本发明的目的，作为具体和广义的描述，本发明的有机电致发光显示装置包括基板；设在基板上的栅极线；设在基板之上并与栅极线交叉的数据线；设在栅极线和数据线交点附近的开关薄膜晶体管；驱动薄膜晶体管系统，该系统包含多个子TFT，这些子TFT通过栅基(gatebase)与开关薄膜晶体管并联；设在基板之上并与栅极线交叉的电源线，所述电源线与多个子TFT电性连接；设在驱动薄膜晶体管系统之上并与多个子TFT接触的第一电极；设在第一电极上的有机电致发光层；和设在有机电致发光层上并且用透明材料制成的第二电极。
按照另一方面，本发明提供一种制造有机电致发光显示装置的方法，其中所述显示装置包括多个象素，每个象素带有象素区、开关区和驱动区，所述方法包括：在基板上形成第一金属层；将第一金属层制成一定图形，使之形成栅极线、开关区内的开关栅极、象素区中的栅基、和驱动区中的多个驱动栅极；在基板上形成覆盖栅极线、开关栅极、栅基和多个栅极的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成位于开关栅极上方的开关有源层和在第一绝缘层上形成位于多个驱动栅极上方的多个驱动有源层；在开关和驱动有源层的上方形成第二金属层；将第二金属层制成一定图形，使之形成开关源极、开关漏极、多个驱动源极和多个驱动漏极，由此形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管系统，其中驱动薄膜晶体管系统包括多个子TFT，每个子TFT具有相应的驱动栅极，相应的驱动有源层，相应的驱动源极，和相应的驱动漏极；在开关源极和漏极以及多个驱动漏极上方形成第二绝缘层，其中第二绝缘层具有用于暴露多个驱动源极一部分的源极接触孔；在第二绝缘层上形成电源线，所述电源线与栅极线和数据线一起构成象素区，而且所述电源线通过源极接触孔与多个驱动源极电性连通；在第二绝缘层上形成覆盖电源线的第三绝缘层，所述第三绝缘层具有用于暴露多个驱动漏极的漏极接触孔；在第三绝缘层上的象素区内形成第一电极，所述第一电极通过漏极接触孔与多个驱动漏极相接触；在第一电极上形成有机电致发光层；和在有机电致发光层上形成用透明材料制成的第二电极。
按照另一方面，本发明所述有机电致发光装置包括：第一基板；设在第一基板上的栅极线；设在第一基板之上与栅极线交叉的数据线；设在栅极线和数据线交点附近的开关薄膜晶体管；驱动薄膜晶体管系统，该系统包括多个子TFT，多个子TFT通过栅基与开关薄膜晶体管并联；设在第一基板之上与栅极线交叉的电源线，所述电源线与多个子TFT电性相连；设在第二基板上的有机电致发光二极管；和设在第一及第二基板之间的连接图形，所述连接图形将驱动薄膜晶体管系统电性连接到有机电致发光二极管。
按照另一方面，本发明提供一种制造有机电致发光显示装置的方法，其中所述装置包含多个象素，每个象素带有象素区、开关区和驱动区，所述方法包括：在第一基板上形成第一金属层；将第一金属层制成一定图形，使之形成栅极线、开关区内的开关栅极、象素区中的栅基、和驱动区中的多个驱动栅极；在第一基板上形成覆盖栅极线、开关栅极、栅基和多个栅极的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成位于开关栅极上方的开关有源层和在第一绝缘层上形成位于多个驱动栅极上方的多个驱动有源层；在开关和驱动有源层上方形成第二金属层；将第二金属层制成一定图形，使之形成开关源极、开关漏极、多个驱动源极和多个驱动漏极，由此形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管系统，其中驱动薄膜晶体管系统包括多个子TFT，每个子TFT具有相应的驱动栅极、相应的驱动有源层、相应的驱动源极、和相应的驱动漏极；在开关源极和漏极以及多个驱动漏极上方形成第二绝缘层，其中第二绝缘层具有用于暴露多个驱动源极一部分的源极接触孔；在第二绝缘层上形成电源线，所述电源线与栅极线和数据线一起构成象素区，而且所述电源线通过源极接触孔与多个驱动源极电性连通；在第二绝缘层上形成覆盖电源线的第三绝缘层，所述第三绝缘层具有用于暴露多个驱动漏极的漏极接触孔；在第三绝缘层上的象素区内形成连接图形，所述连接图形通过漏极接触孔与多个驱动漏极相接触；和第二基板上形成有机电致发光二极管，所述连接图形将驱动薄膜晶体管系统电性连接到有机电致发光二极管上。
很显然，上面的一般性描述和下面的详细说明都是示例性和解释性的，其意在对本发明的权利要求作进一步解释。
附图说明
本申请所包含的附图用于进一步理解本发明，其与说明书相结合并构成说明书的一部分，所述附图表示本发明的实施例并与说明书一起解释本发明的原理。
附图中：
图1是表示现有技术所述结构中有源矩阵型有机电致发光显示装置的示意性剖面图；
图2是表示现有技术所述结构中有机电致发光显示装置的象素等效电路图；
图3是现有技术中底部发光式有源矩阵型有机电致发光显示装置的示意性平面图；
图4和图5是沿图3中的线IV-IV和V-V剖开的分别表示开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的剖面图；
图6是按照本发明所述有源矩阵型有机电致发光显示装置的示意性平面图；
图7A一7E是沿图6中的VII-VII线剖开的剖面图，其表示按照本发明的示例性结构制造有源矩阵型有机电致发光显示装置的示例性工艺；和
图8是按照本发明另一示例性结构所述双板型有机电致发光显示装置的剖面图。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的实施例，所述实施例的实例示于附图中。在所有附图中将尽可能地用相同的参考标记表示相同或相似的部件。
图6是按照本发明所述有源矩阵型有机电致发光显示装置中象素的示意性平面图。与图3所示现有技术不同的是，图6中的有源矩阵型有机电致发光显示装置是顶部发光型。栅极线101与彼此相隔一定距离的数据线115和电源线128相互交叉。在栅极线101和彼此相隔一定距离的数据线及电源线115、128之间构成象素区。在栅极线101和数据线115彼此交叉的位置附近设置开关薄膜晶体管(TFT)TS。在数据线115和电源线128之间的象素区内设置驱动薄膜晶体管(TFT)TD。以这种结构形式构成的驱动TFT TD是包括多个子TFT(例如第一到第四子TFT)的晶体管系统。
开关TFT TS包括从栅极线101上伸出的开关栅极102，从数据线115上伸出的开关源极116，与开关源极116相隔一定距离的开关漏极118，和设在开关栅极102上方的开关有源层108。开关有源层108用非晶硅制成并且其形状为岛形。开关漏极118与驱动栅基104相连，所述栅基104与数据线115平行延伸并用于连接驱动TFT TD中多个子TFT的栅极。
驱动TFT TD具有例如相互并联的第一到第四分TFT TD1、TD2、TD3和TD4。第一到第四分TFT TD1、TD2、TD3和TD4分别具有从驱动栅基104上垂直伸出的栅极104a、104b、104c和104d。第一到第四分TFT TD1、TD2、TD3和TD4分别具有有源层112a、112b、112c和112d，每个有源层设置在相应一个栅极104a、104b、104c和104d的上方。此外，第一到第四分TFT TD1、TD2、TD3和TD4包括源极120a、120b、120c和120d以及漏极122a、122b、122c、和122d。第一源极120a跨过栅极104a与第一漏极122a相隔一定距离，第二源极120b跨过第二栅极104b与第二漏极122b相隔一定距离，第三源极120c跨过第三栅极104c与第三漏极122c相隔一定距离，第四源极120d跨过第四栅极104d与第四漏极122d相隔一定距离。第一漏极122a和第二漏极122b形成一个联合体，第二源极120b与第三源极120c形成一个联合体，而第三漏极122c和第四漏极122d形成一个联合体。第一到第三电源电极128a、128b、和128c在驱动TFT TD的上方从电源线128上伸出。第一电源电极128a与第一源极120a重叠并接触，第二电源电极128b与第二和第三源极120b及120c重叠并接触，而且第三电源电极128c与第四源极120d重叠并接触。在第一和第二漏极122a和122b的联合体中部以及在第三和第四漏极122c和122d的联合体中部形成第一和第二漏极接触孔132a和132b。通过这种方式，便可制成彼此并联的第一到第四TFTTD1、TD2、TD3和TD4。尽管图6中示出了四个子TFT，但是可以利用上述构造增加(或减少)子TFT的数量。同时，尽管在图6中没有示出，但是可以借助第一和第二漏极接触孔132a和132b使有机电致发光二极管的第一电极与漏极122a、122b、122c、和122d通过彼此接触而电性连通。
在图6所示的结构和构造中，驱动TFT TD包括并联连接的子TFT TD1、TD2、TD3和TD4，因此，驱动TFT TD能减小和分散多余的(overflowing)电流应力。此外，由于存在多个子TFT并且可用其来驱动有机电致发光二极管，所以即使是当其中一个子TFT损坏时，驱动TFT TD仍然能安全地工作。
图7A-7E是沿图6中的线VII-VII剖开的剖面图，其表示按照本发明的示例性结构制造有源矩阵型有机电致发光显示装置的示例性工艺。
在图7A中，提供带有开关区TS、驱动区TD和象素区P的基板100。之后，在基板100上沉积第一金属层。可以用铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝钕(AlNd)或它们的合金制作第一金属层。然后，将第一金属层制成一定图形使之形成栅极线(参见图6中的101)、开关栅极102、栅基104和第一到第四驱动栅极104a-104d。开关栅极102从栅极线上伸出并设置在开关区TS内，而第一到第四驱动栅极104a-104d从栅基104上伸出并设置在驱动区TD内。如图6所示，栅基104垂直于栅极线延长并设置在象素区内。此外，栅基104连接第一到第四驱动栅极104a-104d的端部。
使第一金属层形成一定图形后，在基板100的整个所得到的表面上形成覆盖栅极线、开关栅极102、栅基104和第一到第四驱动栅极104a-104d的栅极绝缘层106。栅极绝缘层106优选采用例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)等无机材料。随后，将栅极绝缘层106制成具有栅极接触孔107的图形，所述接触孔用于暴露栅基104的一端。
在图7B中，在栅极绝缘层106上依次形成纯非晶硅(a-Si:H)层和掺杂质的非晶硅(n+a-Si:H)层，然后将其制成一定图形，由此在栅极绝缘层106上形成有源层108、以及112a-112d和欧姆接触层110以及114a-114d。当然，也可以使用其他合适的材料。然而，有源层通常是纯非晶硅，并且包括开关有源层108以及第一到第四驱动有源层112a-112d。欧姆接触层通常是掺杂质的非晶硅并且包括欧姆接触层110以及第一到第四欧姆接触层114a-114d。开关有源层108和欧姆接触层110对应于开关栅极102，第一驱动有源层和欧姆接触层112a和114a对应于第一驱动栅极104a，第二驱动有源层和欧姆接触层112b和114b对应于第二驱动栅极104b，第三驱动有源层和欧姆接触层112c和114c对应于第三驱动栅极104c，第四驱动有源层和欧姆接触层112d和114d对应于第四驱动栅极104d。
之后，在栅极绝缘层106的整个所得到的表面上形成覆盖有源层108和112a-112d以及欧姆接触层110和114a-114d的第二金属层，并将第二金属层制成一定图形，使之形成源极116和120a-120d以及漏极118和122a-122d。每个源极116和120a-120d均与相应的漏极相隔一定距离。在开关欧姆接触层110上形成开关源极和漏极116和118，而开关漏极118通过栅极接触孔107与栅基104接触。在第一到第四驱动欧姆接触层114a-114d上分别形成第一到第四驱动源极和漏极120a-120d和122a-122d。在此所述本发明的示例性结构中，第一驱动漏极122a与第二驱动漏极122b是一个联合体。第二驱动源极120b和第三驱动源极120c是一个联合体。第三驱动漏极122c与第四驱动漏极122d是一个联合体。尽管图7B中仅示出了四个驱动源极和漏极，但是用这种方式能够形成多于(或少于)四个驱动源极和漏极。此外，可以分别形成每个驱动源极和漏极。
形成上述源极和漏极后，除去暴露于源极和漏极之间的那部分欧姆接触层110和114a-114d，由此形成位于底层有源层108和112a-112d上的沟槽。由此，制成了具有并联连接的子TFT的驱动TFT TD，并制成了通过栅基104与驱动TFT TD电性连接的开关TFT TS。
现在参照图7C，在基板100的整个表面上形成覆盖源极116和120a-120d以及漏极118和122a-122d的第一钝化层124。然后，将第一钝化层124制成一定图形以便暴露一部分驱动源极120a-120d。第一源极接触孔暴露第一驱动源极120a，第二源极接触孔暴露第二驱动源极120b和第三驱动源极120c之间的中部。此后，在整个第一钝化层上方形成第三金属层，并将第三金属层制成一定图形，使之形成电源线(参见图6中的标记128)以及第一到第三电源电极128a-128c。如图6中所示，电源电极128a-128c从驱动源极120a-120d上方的电源线上伸出。第一电源电极128a通过第一源极接触孔与第一驱动源极120a接触，第二电源电极128b通过第二源极接触孔与第二和第三驱动源极120b和120c接触。而且，第三电源电极128c通过第三源极接触孔与第四驱动源极120d接触。
在图7D中，在第一钝化层124上方形成覆盖电源线128和电源电极128a-128d的第二钝化层130。然后，将第一和第二钝化层124和130同时制成一定图形，使之形成第一和第二漏极接触孔132a和132b。第一漏极接触孔132a暴露第一和第二驱动漏极122a和122b之间的中部，第二漏极接触孔132b暴露第三和第四驱动漏极122c和122d之间的中部。第二钝化层130可以是例如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂等有机材料。在这些步骤之后，便制成了如图7D所示具备有机电致发光显示装置中所用薄膜晶体管的基板。
图7E表示在具有薄膜晶体管的基板上形成有机电致发光二极管的步骤。将例如铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或氟化锂/铝(LiF/Al)等具有低逸出功的导电材料沉积到整个基板100上方，由此形成第一电极134(即，阴极)。形成的第一电极134中位于象素区P内的部分通过第一和第二漏极接触孔132a和132b与第一到第四驱动漏极122a-122d接触。此后，在第一电极134上形成有机电致发光层136。尽管在图7E中示出的有机电致发光层136是单层，但是有机电致发光层136也可以是多层。如果有机电致发光层136是多层的话，有机电致发光层136可以按照从第一电极134开始的顺序依次包括电子注入层、发光层和空穴注入层。在有机电致发光层136上形成例如氧化铟锡(ITO)等具有高逸出功的第二电极138。第二电极138是透明的而且起阳极的作用，因此，图7E中所示的有机电致发光显示装置成为顶部发光型。由于通过图7A-7E制作的有机电致发光显示装置是顶部发光型，所以光是沿着与其上设有线和TFT的基板相反的方向发射的，因此增大了显示面积并且简化了TFT的设计。
图8是按照本发明另一示例性结构所述双板型有机电致发光显示装置的剖面图。在此，有机电致发光显示装置99具有两个基板，两个基板上分别设置薄膜晶体管和有机电致发光二极管。
在图8中，彼此相隔一定距离且内表面相互面对的第一和第二基板100和200上具有多个象素区P。在第一基板100的内表面上形成在每个象素区内包含开关和驱动薄膜晶体管(TFT)T的阵列层。在每个象素区内的阵列层上形成与TFT T相连的连接图形400。可以用导电材料制作连接图形400，或是将其制成具有足够连接厚度的多层，所述多层包含绝缘材料和一层或多层导电材料。可以用附加的连接电极将连接图形400与TFT T连接到一起。TFT T包括参照图6和图7A-7E所述的创造性驱动TFT。连接图形400连接到具有多个子TFT的驱动TFT的驱动漏极上。
在第二基板200的内表面上形成第一电极202。在第一电极202上形成包含红(R)、绿(G)和蓝(B)色有机发光层208a的有机电致发光(EL)层208，所述红(R)、绿(G)和蓝(B)色有机发光层208a交替地设置在每个象素区内。在每个象素区P内的有机EL层208上形成第二电极210。有机EL层208可以形成单层或多层。在多层的情况下，有机EL层208可以包括设在第一电极202上的第一载流子传输层208b，设在第一载流子传输层208b上的每个红(R)、绿(G)和蓝(B)发光层208a，和设在每个发光层208a上的第二载流子传输层208c。例如，当第一和第二电极202和210分别是阳极和阴极时，第一载流子传输层208b对应于空穴注入层和空穴传输层，而第二载流子传输层208c对应于电子传输层和电子注入层。第一和第二电极202和210以及设在两电极之间的有机EL层208构成有机EL二极管。
在第一和第二基板100和200的周边部分上用密封剂300将第一和第二基板100和200粘附到一起。连接图形400的上表面与第二电极210的下表面相接触，从而使驱动TFT TD的电流通过连接图形400流入第二电极210。如图8中所述的有机电致发光显示装置是双板型，其中在各基板上形成阵列层和有机EL二极管并通过连接图形将阵列层与有机EL二极管电性连接，所述有机EL二极管是有机电致发光二极管。可以通过图7A-7E中所述的工艺制造图8中的TFT T，而且可以对TFT的结构以及阵列层和有机EL二极管的连接方法进行各种改进和变型。此外，由于图8中的有机电致发光显示装置是顶部发光型，所以通过对薄膜晶体管T进行简单地设计便可获得高分辨率和高孔径比。
因此，本发明具有很多优点。例如，由于驱动TFT具有较宽的沟槽宽度和较短的沟槽长度，所以驱动薄膜晶体管能够高效地工作和驱动有机电致发光二极管。此外，尽管有大量的电流流过驱动薄膜晶体管，但是由于驱动TFT具有并联连接的子TFT，所以可以防止电流应力。因此，不会损坏驱动TFT。另外，即使是子TFT之一受损并且不能正常工作，但是因为子TFT是并联连接的，所以驱动TFT仍能正常工作。由于有机电致发光显示装置是顶部发光型，所以可以获得较高的孔径比。因此，本发明所述的有机电致发光显示装置可以具有很高的分辨率和极佳的显示质量。
对于熟悉本领域的技术人员来说，很显然，在不脱离本发明构思或范围的情况下，可以对本发明所述的有机电致发光显示装置和制造有机电致发光显示装置的方法做出各种改进和变型。因此，本发明意在覆盖那些落入所附权利要求及其等同物范围内的改进和变型。

Claims (62)

1.一种有机电致发光显示装置，包括：
基板；
设在基板上的栅极线；
设在基板之上并与栅极线交叉的数据线；
设在栅极线和数据线交点附近的开关薄膜晶体管；
驱动薄膜晶体管系统，该系统包含多个子TFT，这些子TFT通过栅基与开关薄膜晶体管并联；
设在基板之上并与栅极线交叉的电源线，所述电源线与多个子TFT电性连接；
设在驱动薄膜晶体管系统之上并与多个子TFT接触的第一电极；
设在第一电极上的有机电致发光层；和
设在有机电致发光层上并且用透明材料制成的第二电极。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，开关薄膜晶体管包括从栅极线上伸出的开关栅极，从数据线上伸出的开关源极，与开关源极相隔一定距离的开关漏极，和设在开关栅极和开关源、漏极之间的开关有源层。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，开关薄膜晶体管的开关漏极与栅基相连。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，驱动薄膜晶体管系统包括第一到第四子TFT，所述子TFT具有第一到第四驱动栅极、第一到第四驱动源极、第一到第四驱动漏极和第一到第四有源层。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，第一到第四驱动栅极与栅基相连，所述栅基将驱动薄膜晶体管系统与开关薄膜晶体管电性连接。
6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，第一驱动漏极和第二驱动漏极包括一个联合体。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，第一电极与第一和第二驱动漏极的一个联合体的中部接触。
8.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，第二驱动源极和第三驱动源极包括一个联合体。
9.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，第三驱动漏极和第四驱动漏极包括一个联合体。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，第一电极与第三和第四驱动漏极的联合体中部接触。
11.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，第一到第四驱动漏极中的每一个与第一到第四驱动源极中的每一个彼此相隔一定距离。
12.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，进一步包括从第一到第四驱动源极上方的电源线上伸出的电源电极，所述电源电极与第一到第四源极电性相连。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，第一电源电极与第一驱动源极相接触，其中第二电源电极与第二和第三驱动源极联合体的中部接触，和其中第三电源电极与第四驱动源极接触。
14.一种有机电致发光显示装置的制造方法，所述显示装置包括多个象素，每个象素带有象素区、开关区和驱动区，所述方法包括：
在基板上形成第一金属层；
将第一金属层制成一定图形，使之形成栅极线、开关区内的开关栅极、象素区中的栅基、和驱动区中的多个驱动栅极；
在基板上形成覆盖栅极线、开关栅极、栅基和多个栅极的第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成位于开关栅极上方的开关有源层和在第一绝缘层上形成位于多个驱动栅极上方的多个驱动有源层；
在开关和驱动有源层上方形成第二金属层；
将第二金属层制成一定图形，使之形成开关源极、开关漏极、多个驱动源极和多个驱动漏极，由此形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管系统，其中驱动薄膜晶体管系统包括多个子TFT，每个子TFT具有相应的驱动栅极、相应的驱动有源层、相应的驱动源极、和相应的驱动漏极；
在开关源极和漏极以及多个驱动漏极上方形成第二绝缘层，其中第二绝缘层具有用于暴露多个驱动源极一部分的源极接触孔；
在第二绝缘层上形成电源线，所述电源线与栅极线和数据线一起构成象素区，而且所述电源线通过源极接触孔与多个驱动源极电性连通；
在第二绝缘层上形成覆盖电源线的第三绝缘层，所述第三绝缘层具有用于暴露多个驱动漏极的漏极接触孔；
在第三绝缘层上的象素区内形成第一电极，所述第一电极通过漏极接触孔与多个驱动漏极相接触；
在第一电极上形成有机电致发光层；和
在有机电致发光层上形成用透明材料制成的第二电极。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，沿第一方向设置栅极线，其中开关栅极从栅极线上伸出，其中在垂直于栅极线的第二方向上设置栅基，和其中多个驱动栅极从栅基上伸出。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，形成第一绝缘层包括形成栅极接触孔，所述栅极接触孔暴露栅基的一端，和其中开关漏极通过栅极接触孔与栅基接触。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，形成开关有源层包括在开关有源层上形成开关欧姆接触层，以及其中开关源极和漏极彼此相隔一定距离而且与开关欧姆接触层相接触。
18.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，形成多个驱动有源层包括在多个驱动有源层上形成多个驱动欧姆接触层，其中多个驱动源极和漏极中的每一个与多个欧姆接触层中的每一个相接触，而且其中多个驱动漏极中的每一个与多个驱动源极中的每一个彼此相隔一定距离。
19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，漏极接触孔贯穿第二和第三绝缘层。
20.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，驱动薄膜晶体管系统包括第一到第四子TFT，所述子TFT具有第一到第四驱动栅极、第一到第四驱动源极、第一到第四驱动漏极和第一到第四有源层。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，第一到第四驱动栅极与栅基相连，所述栅基将驱动薄膜晶体管系统与开关薄膜晶体管电性连接。
22.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，第一驱动漏极和第二驱动漏极包括一个联合体。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，第一电极与第一和第二驱动漏极的一个联合体的中部接触。
24.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，第二驱动源极和第三驱动源极包括一个联合体。
25.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，第三驱动漏极和第四驱动漏极包括一个联合体。
26.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，第一电极与第三和第四驱动漏极的联合体中部接触。
27.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，第一到第四驱动漏极中的每一个与第一到第四驱动源极中的每一个彼此相隔一定距离。
28.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，形成电源线包括形成从第一到第四驱动源极上方的电源线上伸出的电源电极，所述电源电极与第一到第四源极电性相连。
29.根据权利要求28所述的方法，其特征在于，第一电源电极与第一驱动源极相接触，其中第二电源电极与第二和第三驱动源极联合体的中部接触，和其中第三电源电极与第四驱动源极接触。
30.一种有机电致发光装置，包括：
第一基板；
设在第一基板上的栅极线；
设在第一基板之上并与栅极线交叉的数据线；
设在栅极线和数据线交点附近的开关薄膜晶体管；
驱动薄膜晶体管系统，该系统包括多个子TFT，多个子TFT通过栅基与开关薄膜晶体管并联；
设在第一基板之上并与栅极线交叉的电源线，所述电源线与多个子TFT电性相连；
设在第二基板上的有机电致发光二极管；和
设在第一及第二基板之间的连接图形，所述连接图形将驱动薄膜晶体管系统电性连接到有机电致发光二极管。
31.根据权利要求30所述的装置，其特征在于，有机电致发光二极管包括设在第二基板上并用透明材料制成的第一电极，设在第一电极上的有机电致发光层，和设在有机电致发光层上的第二电极。
32.根据权利要求31所述的装置，其特征在于，有机电致发光层包括第一载流子传输层、有机发光层和第二载流子传输层。
33.根据权利要求30所述的装置，其特征在于，开关薄膜晶体管包括从栅极线上伸出的开关栅极，从数据线上伸出开关源极，与开关源极相隔一定距离的开关漏极，和设在开关栅极和开关源、漏极之间的开关有源层。
34.根据权利要求33所述的装置，其特征在于，开关薄膜晶体管的开关漏极与栅基相连。
35.根据权利要求30所述的装置，其特征在于，驱动薄膜晶体管系统包括第一到第四子TFT，所述子TFT具有第一到第四驱动栅极、第一到第四驱动源极、第一到第四驱动漏极和第一到第四有源层。
36.根据权利要求35所述的装置，其特征在于，第一到第四驱动栅极与栅基相连，所述栅基将驱动薄膜晶体管系统与开关薄膜晶体管电性连接。
37.根据权利要求35所述的装置，其特征在于，第一驱动漏极和第二驱动漏极包括一个联合体。
38.根据权利要求37所述的装置，其特征在于，第一电极与第一和第二驱动漏极的一个联合体的中部接触。
39.根据权利要求35所述的装置，其特征在于，第二驱动源极和第三驱动源极包括一个联合体。
40.根据权利要求35所述的装置，其特征在于，第三驱动漏极和第四驱动漏极包括一个联合体。
41.根据权利要求40所述的装置，其特征在于，第一电极与第三和第四驱动漏极的联合体中部接触。
42.根据权利要求35所述的装置，其特征在于，第一到第四驱动漏极中的每一个与第一到第四驱动源极中的每一个彼此相隔一定距离。
43.根据权利要求39所述的装置，其特征在于，进一步包括从第一到第四驱动源极上方的电源线上伸出的电源电极，所述电源电极与第一到第四源极电性相连。
44.根据权利要求43所述的装置，其特征在于，第一电源电极与第一驱动源极相接触，其中第二电源电极与第二和第三驱动源极的联合体中部接触，和其中第三电源电极与第四驱动源极接触。
45.一种有机电致发光显示装置的制造方法，其中所述装置包含多个象素，每个象素带有象素区、开关区和驱动区，所述方法包括：
在第一基板上形成第一金属层；
将第一金属层制成一定图形，使之形成栅极线、开关区内的开关栅极、象素区中的栅基、和驱动区中的多个驱动栅极；
在第一基板上形成覆盖栅极线、开关栅极、栅基和多个栅极的第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成位于开关栅极上方的开关有源层和在第一绝缘层上形成位于多个驱动栅极上方的多个驱动有源层；
在开关和驱动有源层的上方形成第二金属层；
将第二金属层制成一定图形，使之形成开关源极、开关漏极、多个驱动源极和多个驱动漏极，由此形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管系统，其中驱动薄膜晶体管系统包括多个子TFT，每个子TFT具有相应的驱动栅极、相应的驱动有源层、相应的驱动源极、和相应的驱动漏极；
在开关源极和漏极以及多个驱动漏极上方形成第二绝缘层，其中第二绝缘层具有用于暴露多个驱动源极一部分的源极接触孔；
在第二绝缘层上形成电源线，所述电源线与栅极线和数据线一起构成象素区，而且所述电源线通过源极接触孔与多个驱动源极电性连通；
在第二绝缘层上形成覆盖电源线的第三绝缘层，所述第三绝缘层具有用于暴露多个驱动漏极的漏极接触孔；
在第三绝缘层上的象素区内形成连接图形，所述连接图形通过漏极接触孔与多个驱动漏极相接触；和
在第二基板上形成有机电致发光二极管，所述连接图形将驱动薄膜晶体管系统电性连接到有机电致发光二极管上。
46.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，形成有机电致发光二极管包括在第二基板上形成第一电极，在第一电极上形成有机电致发光层，和在象素区内的有机电致发光层上形成第二电极。
47.根据权利要求46所述的方法，其特征在于，有机电致发光层包括第一载流子传输层、有机发光层和第二载流子传输层。
48.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，沿第一方向设置栅极线，其中从栅极线上伸出开关栅极，其中在垂直于栅极线的第二方向上设置栅基，和其中从栅基上伸出多个驱动栅极。
49.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，形成第一绝缘层包括形成栅极接触孔，所述栅极接触孔暴露栅基的一端，和其中开关漏极通过栅极接触孔与栅基接触。
50.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，形成开关有源层包括在开关有源层上形成开关欧姆接触层，以及其中开关源极和漏极彼此相隔一定距离而且与开关欧姆接触层相接触。
51.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，形成多个驱动有源层包括在多个驱动有源层上形成多个驱动欧姆接触层，其中多个驱动源极和漏极中的每一个与多个欧姆接触层中的每一个相接触，而且其中多个驱动漏极中的每一个与多个驱动源极中的每一个彼此相隔一定距离。
52.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，漏极接触孔贯穿第二和第三绝缘层。
53.根据权利要求46所述的方法，其特征在于，驱动薄膜晶体管系统包括第一到第四子TFT，所述子TFT具有第一到第四驱动栅极、第一到第四驱动源极、第一到第四驱动漏极和第一到第四有源层。
54.根据权利要求53所述的方法，其特征在于，第一到第四驱动栅极与栅基相连，所述栅基将驱动薄膜晶体管系统与开关薄膜晶体管电性连接。
55.根据权利要求53所述的方法，其特征在于，第一驱动漏极和第二驱动漏极包括一个联合体。
56.根据权利要求55所述的方法，其特征在于，第一电极与第一和第二驱动漏极的一个联合体的中部接触。
57.根据权利要求53所述的方法，其特征在于，第二驱动源极和第三驱动源极包括一个联合体。
58.根据权利要求53所述的方法，其特征在于，第三驱动漏极和第四驱动漏极包括一个联合体。
59.根据权利要求58所述的方法，其特征在于，第一电极与第三和第四驱动漏极的联合体中部接触。
60.根据权利要求53所述的方法，其特征在于，第一到第四驱动漏极中的每一个与第一到第四驱动源极中的每一个彼此相隔一定距离。
61.根据权利要求57所述的方法，其特征在于，形成电源线包括形成从第一到第四驱动源极上方的电源线上伸出的电源电极，所述电源电极与第一到第四源极电性相连。
62.根据权利要求61所述的方法，其特征在于，第一电源电极与第一驱动源极相接触，其中第二电源电极与第二和第三驱动源极联合体的中部接触，和其中第三电源电极与第四驱动源极接触。
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TW (1) TWI240418B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102646390A (zh) * 2011-02-17 2012-08-22 三星移动显示器株式会社 有机电致发光显示装置
CN102760755A (zh) * 2012-07-27 2012-10-31 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN102779830A (zh) * 2012-06-12 2012-11-14 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物的显示装置及其制造方法
CN102856230A (zh) * 2012-10-09 2013-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板接触孔蚀刻制程监控方法
CN104282259A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN104716111A (zh) * 2013-12-11 2015-06-17 东部Hitek株式会社 半导体封装
CN111799319A (zh) * 2016-12-05 2020-10-20 群创光电股份有限公司 显示装置
TWI789133B (zh) * 2021-05-28 2023-01-01 財團法人工業技術研究院 顯示裝置

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030086166A (ko) * 2002-05-03 2003-11-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100904523B1 (ko) * 2002-12-26 2009-06-25 엘지디스플레이 주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자용 박막트랜지스터
KR100552963B1 (ko) * 2003-08-28 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 휘도 불균일이 개선된 평판표시장치
TWI235268B (en) * 2003-09-02 2005-07-01 Display Optronics Corp M Dual display structure and driving method
TWI227651B (en) * 2003-12-31 2005-02-01 Ritdisplay Corp Organic electroluminescent device and driving circuit thereof
JP2006030566A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Tohoku Pioneer Corp 表示パネルを備えた電子機器
KR100699997B1 (ko) * 2004-09-21 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 다수개의 구동 트랜지스터와 다수개의 애노드 또는캐소드전극을 갖는 유기 전계 발광 표시장치
KR100635574B1 (ko) * 2004-11-17 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
US7612368B2 (en) * 2004-12-29 2009-11-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic bottom emission electronic device
KR100712289B1 (ko) 2005-04-07 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100729077B1 (ko) * 2005-11-14 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
TWI300672B (en) 2006-01-27 2008-09-01 Au Optronics Corp System integrated organic light-emitting display
KR101251998B1 (ko) 2006-02-20 2013-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100846948B1 (ko) * 2006-12-13 2008-07-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
US20080157081A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device and method for manufacturing the same
JP2008233399A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Sony Corp 画素回路および表示装置、並びに表示装置の製造方法
KR101443188B1 (ko) * 2007-03-21 2014-09-29 삼성디스플레이 주식회사 유기발광장치의 제조방법 및 유기발광장치
KR101352105B1 (ko) * 2007-03-22 2014-01-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
JP5308656B2 (ja) * 2007-12-10 2013-10-09 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 画素回路
JP2009169071A (ja) 2008-01-16 2009-07-30 Sony Corp 表示装置
US8822995B2 (en) * 2008-07-24 2014-09-02 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate and method of manufacturing the same
WO2011001728A1 (ja) 2009-07-01 2011-01-06 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び有機ｅｌ表示装置
KR101420479B1 (ko) 2011-10-31 2014-07-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102063277B1 (ko) * 2013-08-14 2020-01-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102155370B1 (ko) * 2013-12-02 2020-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법
WO2015129212A1 (ja) * 2014-02-26 2015-09-03 株式会社Ｊｏｌｅｄ 電子デバイスおよびその製造方法
KR102435475B1 (ko) 2015-01-22 2022-08-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102473101B1 (ko) * 2016-04-04 2022-12-01 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 표시 장치
GB201609878D0 (en) 2016-06-06 2016-07-20 Microsoft Technology Licensing Llc Redundancy in a display comprising autonomous pixels
KR102448325B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 전자장치

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5493129A (en) * 1988-06-29 1996-02-20 Hitachi, Ltd. Thin film transistor structure having increased on-current
JPH0271584A (ja) 1988-09-06 1990-03-12 Toyota Motor Corp 電子回路の形成方法
JP2961432B2 (ja) 1990-05-28 1999-10-12 株式会社タツノ・メカトロニクス ヘリポート用給油設備
JPH0431299U (zh) 1990-07-06 1992-03-13
JP2669956B2 (ja) 1991-05-15 1997-10-29 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JPH0981053A (ja) 1995-09-07 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその駆動方法
JP3256110B2 (ja) * 1995-09-28 2002-02-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
CA2296026A1 (en) * 1997-07-11 1999-01-21 Fed Corporation Bonded active matrix organic light emitting device display and method of producing the same
JPH1184418A (ja) * 1997-09-08 1999-03-26 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2000221903A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
US6281552B1 (en) * 1999-03-23 2001-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having ldd regions
JP4801238B2 (ja) 1999-03-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP4683696B2 (ja) * 1999-07-09 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001117509A (ja) * 1999-10-14 2001-04-27 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌ表示装置
JP4596582B2 (ja) 1999-11-05 2010-12-08 三洋電機株式会社 表示装置
TW531901B (en) 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6414163B1 (en) * 2000-08-02 2002-07-02 Board Of Trustees Of Michigan State University Process and intermediate compounds for the preparation of pyrrolidines
JP5030345B2 (ja) * 2000-09-29 2012-09-19 三洋電機株式会社 半導体装置
JP4925528B2 (ja) * 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP2002175929A (ja) 2000-12-06 2002-06-21 Murata Mfg Co Ltd フライバックトランス
JP4731718B2 (ja) * 2001-04-27 2011-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100888424B1 (ko) 2001-05-16 2009-03-11 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 고효율 다칼라 전기 유기 발광 장치
JP4207778B2 (ja) * 2001-06-01 2009-01-14 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ、表示装置及び電子機器、及びこれらの製造方法、並びに表示装置の製造装置
US6548961B2 (en) * 2001-06-22 2003-04-15 International Business Machines Corporation Organic light emitting devices
JP4839551B2 (ja) 2001-09-12 2011-12-21 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP2003204067A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置およびそれを用いた電子機器
JP4030759B2 (ja) 2001-12-28 2008-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
TW540025B (en) * 2002-02-04 2003-07-01 Au Optronics Corp Driving circuit of display
KR20030086168A (ko) * 2002-05-03 2003-11-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102646390A (zh) * 2011-02-17 2012-08-22 三星移动显示器株式会社 有机电致发光显示装置
CN102646390B (zh) * 2011-02-17 2015-11-18 三星显示有限公司 有机电致发光显示装置
CN102779830B (zh) * 2012-06-12 2015-02-04 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物的显示装置及其制造方法
CN102779830A (zh) * 2012-06-12 2012-11-14 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物的显示装置及其制造方法
CN102760755B (zh) * 2012-07-27 2015-07-15 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN102760755A (zh) * 2012-07-27 2012-10-31 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN102856230A (zh) * 2012-10-09 2013-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板接触孔蚀刻制程监控方法
CN102856230B (zh) * 2012-10-09 2015-02-04 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板接触孔蚀刻制程监控方法
CN104282259A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN104282259B (zh) * 2013-07-12 2018-10-02 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN104716111A (zh) * 2013-12-11 2015-06-17 东部Hitek株式会社 半导体封装
CN104716111B (zh) * 2013-12-11 2017-09-08 东部Hitek株式会社 半导体封装
CN111799319A (zh) * 2016-12-05 2020-10-20 群创光电股份有限公司 显示装置
TWI789133B (zh) * 2021-05-28 2023-01-01 財團法人工業技術研究院 顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20080062094A1 (en) 2008-03-13
FR2849534B1 (fr) 2007-08-10
US8081174B2 (en) 2011-12-20
US7928971B2 (en) 2011-04-19
US20080062095A1 (en) 2008-03-13
KR20040062095A (ko) 2004-07-07
NL1025145A1 (nl) 2004-09-09
DE10360454A1 (de) 2004-08-26
GB2396950A (en) 2004-07-07
US20110095968A1 (en) 2011-04-28
KR100543478B1 (ko) 2006-01-20
NL1025145C2 (nl) 2013-11-26
CN100379053C (zh) 2008-04-02
JP2008225509A (ja) 2008-09-25
US7304639B2 (en) 2007-12-04
TW200420189A (en) 2004-10-01
DE10360454B4 (de) 2010-10-21
GB0329646D0 (en) 2004-01-28
US20050012694A1 (en) 2005-01-20
GB2396950B (en) 2005-02-23
US7911460B2 (en) 2011-03-22
DE10360454A8 (de) 2005-04-07
JP2007188101A (ja) 2007-07-26
TWI240418B (en) 2005-09-21
JP2004212997A (ja) 2004-07-29
FR2849534A1 (fr) 2004-07-02
JP4850210B2 (ja) 2012-01-11

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