CN1516531A - 有机电致发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机电致发光装置及其制造方法包括：彼此面对且相互间隔开的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板有一显示区和一外围区，显示区包括多个象素区和一虚拟象素区；驱动薄膜晶体管，其分别与第一基板内表面上的多个象素区中的每一个象素区相邻；第一连接电极，其分别接至驱动薄膜晶体管；第二基板整个内表面上的第一电极；多个象素区和虚拟象素区中每一个象素区的边界上第一电极上的侧壁；第一电极上的有机电致发光层；该有机电致发光层上的第二电极，使一第二电极分别在多个象素区和虚拟象素区中的每一个象素区内，多个象素区中的每一个象素区内的第二电极分别接至第一连接电极；和一密封件，其将第一基板和第二基板粘接起来。
Description
本发明要求享有2002年12月31日在韩国提出的第2002-88427号韩国专利申请的权益，其全文在此引用以作参考。
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光装置，尤其涉及一种双板式有机电致发光装置及其制造方法，这种装置包括具有薄膜晶体管阵列单元的第一基板和具有有机电致发光单元的第二基板。
背景技术
通常，有机电致发光装置(ELD)通过以下方式发光：将来自阴极的电子和来自阳极的空穴注入一发射层，将电子与空穴结合，产生激子，将激子从激发态转为基态。与液晶显示(LCD)装置的情况不同，对于ELD来说，无需额外的光源进行发光，因为激子在各状态之间的转换会令有机ELD装置中发光。因此，可以缩小有机ELD的大小并且减少其重量。有机ELD还有其他理想的特性，例如功耗低、亮度好且响应时间短。由于这些有利的特性，有机ELD被认为是下一代各种消费电器有希望的换代产品，这些消费电器例如是蜂窝电话、汽车导航系统(CNS)、个人数字助理(PDA)、便携式摄像机和掌上型计算机。此外，由于有机ELD的制造是一个有很少处理步骤的较为简单的过程，所以制造有机ELD比制造LCD装置更便宜。
有两种不同类型的有机ELD：无源矩阵型和有源矩阵型。虽然无源矩阵型有机ELD结构简单并且由一个简单的制造过程制成，不过无源矩阵型有机ELD需要消耗较大的功率来工作。另外，无源矩阵型有机ELD的显示尺寸受其结构限制。此外，随着导线数目的增加，无源矩阵型有机ELD的孔径比将降低。另一方面，有源矩阵型有机ELD与无源矩阵型有机ELD相比，有源矩阵型有机ELD发光效率高，而且对于大尺寸显示来说能够以较低的功耗产生高品质图像。
图1是根据现有技术的有机电致发光装置的示意性剖视图。
如图1所示，有机电致发光装置(ELD)10包括彼此面对并且相互间隔开的第一基板12和第二基板28。包括薄膜晶体管(TFT)“T”的阵列层14形成于第一基板12的内表面上。第一电极16、有机电致发光(EL)层18和第二电极20依次形成于阵列层14上。有机EL层18可以分别显示每一个象素区“P”的红色、绿色和蓝色。通常，分开的有机材料用来发射每一个象素区“P”中有机EL层18的每一种颜色的光。通过用密封件26将第一基板12与包括一吸湿干燥剂22的第二基板28相粘接，封装有机ELD10。吸湿干燥剂22除去了可能会渗透到有机EL层18的密封腔内的水分和氧。在蚀刻了第二基板28一部分之后，在被蚀刻的部分内填充吸湿干燥剂22，所填充的吸湿干燥剂22由一保持件25固定。
图2是示出根据现有技术的一种有机电致发光装置的阵列层的平面示意图。
如图2所示，一有机电致发光装置(ELD)的阵列层包括开关元件“TS”、驱动元件“TD”和存储电容“CST”。开关元件“TS”和驱动元件“TD”可以包括至少一个薄膜晶体管(TFT)的结合。其上形成有阵列层的透明绝缘基板12可以由玻璃或者塑料制成。彼此相交的栅极线32和数据线34形成于基板12上。象素区“P”由栅极线32和数据线34限定。绝缘层(图中未示)夹在栅极线32与数据线34之间。电源线35与栅极线32相交，其中电源线35与数据线34平行且与数据线34间隔开。
图2中的开关元件“TS”是一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括开关栅极36、开关有源层40、开关源极46和开关漏极50。图2中的驱动元件“TD”是一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括驱动栅极38、驱动有源层42、驱动源极48和驱动漏极52。开关栅极36接至栅极线32，开关源极46接至数据线34。开关漏极50通过第一接触孔54接至驱动栅极38。驱动源极48通过第二接触孔56接至电源线35。此外，驱动漏极52在象素区“P”接至第一电极16。电源线35与第一电容电极15交叠，绝缘层夹在二者之间，形成存储电容“CST”。
图3是示出根据现有技术的一种有机电致发光装置的平面示意图。
如图3所示，基板12包括第一边上的数据焊盘区“E”和与第一边相邻的第二、第三边上的第一栅极焊盘区“F1”、第二栅极焊盘区“F2”。公共电极39形成于基板12的第四边，第四边面对第一边并且与第二和第三边相邻。一公共电压通过公共电极39施加到第二电极20上，以保持第二电极20的电势。
图4A是沿着图2的线“IVa-IVa”所取的示意性剖视图，图4B是沿着图3的线“IVb-IVb”所取的示意性剖视图。
在图4A和4B中，包括驱动有源层42、驱动栅极38、驱动源极48和驱动漏极52的驱动薄膜晶体管(TFT)“TD”形成于基板12上。绝缘层57形成于驱动TFT“TD”上，而接至驱动漏极52的第一电极16形成于绝缘层57上。用来发射一种特定颜色光的有机电致发光(EL)层18形成于第一电极16上，而第二电极20形成于有机EL层18上。第一电极16和第二电极20连同夹在其间的有机EL层18一起构成一有机电致发光(EL)二极管“DEL”。与驱动TFT“TD”并联的存储电容“CST”包括第一电容电极15和第二电容电极35a。把与第一电容电极15交叠的(图2中的)一部分电源线35用作第二电容电极35a。第二电容电极35a接至驱动源极48。第二电极20形成在包括驱动TFT“TD”、存储电容“CST”和有机EL层18的基板12的整个表面之上。
公共电极39形成于基板12的外围部分上，一公共电压通过该公共电极39施加到第二电极20上。公共电极39与(图2的)开关栅极36和驱动栅极38一起同时形成。公共电极39上的多个绝缘层包括第一公共接触孔50和第二公共接触孔52，这些接触孔暴露出公共电极39。第二电极20通过第一公共接触孔50接至公共电极39。一外部电路(图中未示)通过第二公共接触孔52接至公共电极39，以提供公共电压。
但是，当TFT的阵列层和有机EL二极管一起形成于一个基板上时，有机ELD的产量取决于TFT产率和有机EL层产率的乘积。由于有机EL层的产率较低，所以ELD的产率受到有机EL层产率的限制。例如，即使较好地制造了TFT，由于采用约1000厚度薄膜的有机EL层的缺陷，也可能将有机ELD判定为次品。该局限造成材料的浪费和生产成本增大。
根据第一电极与第二电极以及有机EL二极管的透光度，将有机ELD分为底部发射型或者顶部发射型。底部发射型ELD的优点在于，它们的图像稳定性好并且由于封装的缘故制造过程可变。但是，由于这种有机ELD中孔径比大的局限的缘故，底部发射型有机ELD无法在需要高分辨率的装置中实施。另一方面，由于顶部发射型有机ELD沿着基板向上的方向发光，所以可以在不影响有机EL层下面的阵列基板的情况下发光。因此，可以简化对包括TFT的阵列基板的整体设计。另外，可以增大孔径比，由此延长了有机ELD的工作寿命。但是，由于一般在顶部发射型有机ELD中有机EL层之上形成阴极，所以材料的选择和透光率受限，使得透光效率降低。如果形成一薄膜型钝化层来防止透光率降低，那么这种薄膜型钝化层可能无法防止外部空气渗透到该装置中。
发明内容
因此，本发明涉及一种有机电致发光装置及其制造方法，它们基本上避免了因现有技术的局限和缺点带来的一个或者多个问题。
本发明的目的在于提供一种有机电致发光装置及其制造方法，通过在各基板上形成一阵列层和一有机电致发光二极管并且粘接这些基板来制造该装置。
本发明的一个优点在于提供一种在一显示区内包括第一连接电极而在一外围区内包括第二连接电极的有机电致发光装置及其制造方法。
本发明的另一个优点在于提供一种孔径比大、显示画质好并且产量提高的有机电致发光装置。
本发明的其他特征和优点将在下面的描述中列出，根据该描述，它们一部分将变得很明显，或者可以通过对本发明的实践学会。通过说明书的文字部分及其权利要求书以及附图中具体指出的结构，能够实现和达到本发明的的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点，根据本发明的目的，如所具体和概括描述的那样，一种有机电致发光装置包括：彼此面对且相互间隔开的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板有一显示区和一外围区，显示区包括多个象素区和一虚拟象素区；驱动薄膜晶体管，其分别与第一基板内表面上的多个象素区中的每一个象素区相邻；第一连接电极，其分别接至驱动薄膜晶体管；第二基板整个内表面上的第一电极；多个象素区和虚拟象素区中每一个象素区的边界上第一电极上的侧壁；第一电极上的有机电致发光层；该有机电致发光层上的第二电极，使一第二电极分别在多个象素区和虚拟象素区中的每一个象素区内，多个象素区中的每一个象素区内的第二电极分别接至第一连接电极；和一密封件，其将第一基板和第二基板粘接起来。
在本发明的另一个方面，一种有机电致发光装置的制造方法包括：形成具有一显示区和一外围区的第一基板，该显示区包括多个象素区和一虚拟象素区；形成与多个象素区中每一个象素区分别相邻的驱动薄膜晶体管；形成分别接至驱动薄膜晶体管的第一连接电极；在具有显示区和外围区的第二基板上形成第一电极；在多个象素区和虚拟象素区中每一个象素区边界上的第一电极上形成一侧壁；在第一电极上形成一有机电致发光层；在该有机电致发光层上形成第二电极，以使一第二电极分别形成于多个象素区和虚拟象素区中每一个象素区中；以及用一密封件粘接第一基板和第二基板，以使第一连接电极接触第二电极。
在本发明的又一个方面，一种有机电致发光装置的制造方法，包括：在具有一显示区和一外围区的第一基板上形成第一绝缘层，该显示区包括多个象素区和一虚拟象素区；在多个象素区中每一个象素区上的第一绝缘层上形成一有源层，该有源层包括多晶硅，该有源层具有源极区和漏极区；在有源层上形成第二绝缘层；在有源层之上的第二绝缘层上形成栅极；在栅极上形成第三绝缘层；在第三绝缘层上形成第四绝缘层，第四绝缘层具有第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔暴露源极区，第二接触孔暴露漏极区；在第四绝缘层上形成源极和漏极，源极通过第一接触孔接至源极区，漏极通过第二接触孔接至漏极区；在源极和漏极上形成第五绝缘层，第五绝缘层具有暴露漏极的第三接触孔；在第五绝缘层上形成第一连接电极，第一连接电极通过第三接触孔接至漏极；在具有显示区和外围区的第二基板上形成第一电极；在多个象素区和虚拟象素区中每一个象素区的边界上的第一电极上形成一侧壁；在第一电极上形成一有机电致发光层；在多个象素区中每一个象素区中的有机电致发光层上形成第二电极；以及用一密封件粘接第一基板和第二基板，以使第一连接电极接触第二电极。
应理解的是，前面总的描述和下面的详细描述是示例和解释性的，意欲用它们提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
所包括用来提供对本发明进一步理解并且包括在内构成本说明书一部分的附图，示出了本发明的实施例，并且连同说明书文字部分一起用来解释本发明的原理。这些附图中：
图1是根据现有技术的有机电致发光装置的示意性剖视图；
图2是示出根据现有技术的有机电致发光装置的阵列层的平面示意图；
图3是示出根据现有技术的有机电致发光装置的平面示意图；
图4A是沿着图2中的线“IVa-IVa”所取的示意性剖视图；
图4B是沿着图3中的线“IVb-IVb”所取的示意性剖视图；
图5是示出根据本发明一个实施例的有机电致发光装置的平面示意图；
图6是沿着图5中的线“VI-VI”所取的示意性剖视图，它示出了根据本发明一个实施例的有机电致发光装置；
图7A至7D是沿着与图2中剖面线“IVa-IVa”相应的剖面线示意性所取的剖视图，它们示出了根据本发明一个实施例的有机电致发光装置第一基板的一个象素区的制造过程；
图8A至8D是沿着图5的线“VIII-VIII”所取的示意性剖视图，它们示出了一有机电致发光装置第一基板的一个虚拟象素区的制造过程；
图9A至9C是示意性剖视图，它们示出了根据本发明一个实施例的有机电致发光装置第二基板的制造过程。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的优选实施例，其实例示于附图中。
图5是示出根据本发明一个实施例的有机电致发光装置的平面示意图。
在图5中，有机电致发光装置(ELD)99包括具有一阵列层的第一基板100和具有一有机电致发光(EL)二极管的的第二基板200。用密封件300将第一基板100与第二基板200粘接起来。其上供有一电压的焊盘126形成于第一基板100的外围区上，与密封件300相交。虚拟象素区“PD”设置成与显示区的边界“G”相邻，以包围显示区。在与虚拟象素区“PD”对应的第一基板100的那部分上，不形成开关元件和驱动元件。
图6是沿着图5的线“VI-VI”所取的示意性剖视图，它示出了根据本发明一个实施例的有机电致发光装置。
在图6中，通过用密封件300将第一基板100和第二基板200粘接起来，制造有机电致发光装置(ELD)99。第一基板100和第二基板200包括多个象素区“P”和包围多个象素区“P”的虚拟象素区“PD”。开关薄膜晶体管(TFT)(图中未示)和驱动TFT“TD”形成于与每一个象素区“P”相邻的第一基板100的内表面上。虽然图6中未示，但是有多条阵列线形成于第一基板100的内表面上。第一电极202形成于第二基板200的内表面上。一侧壁204形成于每一个象素区“P”边界上的第一电极202上，以包围每一个象素区“P”。有机电致发光层206和第二电极208依次形成于每一个象素区“P”中的第一电极202上。一辅助图形203可以形成于第一电极202与侧壁204之间。
第二电极208每一个都分别通过第一连接电极130分别间接接至驱动TFT“TD”的驱动漏极122。在第一连接电极130形成于驱动TFT“TD”之上以接触驱动漏极122之后，第一连接电极130通过粘接第一基板100与第二基板200而接触有机EL层206上的第二电极208。焊盘126形成于第一基板100的外围区内。第二连接电极132形成于焊盘126上，以接触第二基板200的第一电极202上。当可以用一种透明导电材料形成第一电极202时，第一电极202具有较大的电阻。因此，当用一种透明导电材料形成第一电极202时，可以在第一电极202上形成一辅助电极210。辅助电极210可以由与第二电极208相同的材料形成。
例如如图6所示，一虚拟象素区“PD”设在形成有焊盘126的外围区与一象素区“P”之间。在与虚拟象素区“PD”对应的第一基板100的那部分上，不形成开关TFT(图中未示)、驱动TFT“TD”和第一连接电极130。因此，该虚拟象素区“PD”中的第二电极208是闲置(electrically floating)的。由于这种结构，甚至当因制造误差而导致第一电极202接触虚拟象素区“PD”内的第二电极208时，有机EL二极管也可以正常工作。
图7A至7D和图8A至8D是示出根据本发明一实施例的有机电致发光装置制造过程的示意性剖视图。图7A至7D是沿着一剖面线所取的视图，它们表示了沿着与图2中的剖面线“IVa-IVa”对应的剖面线所取的根据本发明一实施例的有机电致发光装置第一基板的一个象素区的制造过程，示出了一有机电致发光装置第一基板的一个象素区的制造过程。图8A至8D是沿着图5的线“VIII-VIII”所取的视图，它们示出了一有机电致发光装置第一基板的一个虚拟象素区的制造过程。
在图7A中，示出了包括象素区“P”的第一基板100。在图8A中，示出了一虚拟象素区“PD”，它位于与包括象素区“P”的显示区边界相邻之处。象素区“P”包括一开关区(图中未示)、一驱动区(D)和一存储区(C)。通过淀积选自包括氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)的硅绝缘材料族的一种绝缘材料，在第一基板100的整个表面上形成第一绝缘层(缓冲层)102。多晶硅的第一有源层104和第二有源层105分别形成于驱动区“D”和存储区“C”上的缓冲层102上。例如，可以通过在淀积非晶硅之后加热的脱氢过程和结晶化过程，形成第一有源层104和第二有源层105。第二有源层105通过掺杂杂质而作为一存储电容的第一电极。
在第一有源层104上依次形成第二绝缘层106(栅极绝缘层)和栅极108。可以在第一基板100的整个表面上形成第二绝缘层106。第二绝缘层106可以由包括氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料族中的一种绝缘材料形成。在形成栅极108之后，第一有源层104掺杂有诸如硼(B)或者磷(P)之类的杂质，以限定一沟道区104a和源极104b与漏极104c。在栅极108上形成第三绝缘层110(层间绝缘层)。栅极108可以由包括铝(Al)、铝(Al)合金、铜(Cu)、钨(W)、钽(Ta)和钼(Mo)的导电金属材料族中的一种形成。第三绝缘层110可以由包括氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料族中的一种绝缘材料形成。一电源线(图中未示)形成于第三绝缘层110上，与第二有源层105交叠。电源线与第二有源层105交叠的那部分作为一电容电极112a。通过淀积包括铝(Al)、铝(Al)合金、铜(Cu)、钨(W)、钽(Ta)和钼(Mo)的导电金属材料族中的一种并且对其制作图形，在存储区“C”上的第三绝缘层110上形成电容电极112a。第二有源层105和与第二有源层105交叠的电容电极112a与夹在二者之间的第三绝缘层110一起构成一存储电容。
在图7B和8B中，在包括电容电极112a的电源线上形成第四绝缘层114。第四绝缘层114包括暴露漏极区104c的第一接触孔116、暴露源极区104b的第二接触孔118和暴露电容电极112a的第三接触孔120。
在图7C和8C中，通过淀积包括铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)和钨(W)的导电金属族中的一种并且对其制作图形，在第四绝缘层114上形成源极124和漏极122。源极124通过第二接触孔118接触源极区104b，漏极122通过第一接触孔116接触漏极区104c。同时，在包括象素区“P”的显示区外围区上的第四绝缘层114上形成焊盘126。在源极124与漏极122以及第一焊盘126上形成包括第四接触孔134、第五接触孔136和第六接触孔138的第五绝缘层128。第四接触孔134暴露漏极122，第五接触孔136和第六接触孔138暴露焊盘126的两侧。
在图7D和8D中，通过淀积一导电金属材料并且对其制作图形，在第五绝缘层128上形成第一连接电极130和第二连接电极132。第一连接电极130通过第四接触孔134接触漏极122，该电极130设在象素区“P”上。第二连接电极132通过第五接触孔136接触焊盘126。
在图8A至8D中，在虚拟象素区“PD”内既不形成开关TFT，也不形成驱动TFT。在虚拟象素区“PD”内只形成绝缘层。
图9A至9C是示出根据本发明一个实施例的有机电致发光装置第二基板的制造过程的示意性剖视图。
在图9A中，第二基板200包括一象素区“P”和一虚拟象素区“PD”。在第二基板200上形成第一电极202。第一电极202可以作为将空穴注入一有机电致发光(EL)层206(图9B中)中的阳极。例如，第一电极202可以由铟锡氧化物(ITO)或者铟锌氧化物(IZO)之一形成。在象素区“P”边界上的第一电极202上形成一辅助绝缘图形203，而在该辅助绝缘图形203上形成一侧壁204。形成该辅助绝缘图形203以防止(图8C中的)第一电极202与第二电极208的接触。通过淀积一种感光有机材料并且对其制作图形，可以形成侧壁204。例如，可以在一个晶格中形成辅助绝缘图形203和侧壁204。
在图9B中，在第一电极202上形成一有机电致发光(EL)层206。发出红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)之一的有机EL层206对应于一个象素区“P”。有机EL层206可以包括单层或者多层。在多层的情况下，有机EL层206可以包括空穴传输层(HTL)206a、发光层206b和电子传输层(ETL)206c。
在图9C中，在有机EL层206上形成与一个象素区“P”对应的第二电极208。第二电极208独立于相邻的第二电极208。一辅助电极210与包括象素区“P”的显示区一外围区内的第二电极208同时形成。该辅助电极210是闲置的，即，不与第二电极208电连接。第二电极208可以作为将电子注入有机EL层206中的阴极。例如，第二电极208可以包括单层铝(Al)、钙(Ca)或者镁(Mg)，或者包括氟化锂(LiF)/铝(Al)双层。第二电极208可以比第一电极202的逸出功低。
本发明的有机ELD包括一虚拟象素区，该虚拟象素区包围有一象素区的显示区。一侧壁形成于该虚拟象素区的边界上。在该虚拟象素区内，既不形成开关TFT，也不形成驱动TFT。在该象素区内，独立地形成第二电极。另外，该虚拟象素区中的第二电极不与驱动TFT电连接，而是闲置的。因此，甚至当由于过程误差的缘故而导致该虚拟象素区内的有机EL二极管的第一电极接触该有机EL二极管的第二电极时，这种有机ELD也可以正常工作。
本发明的这种有机ELD结构具有特殊的优点。首先，由于这种有机ELD是顶部发射型的，所以可以获得较高的孔径比。其次，由于包括一薄膜晶体管的阵列层和一有机EL二极管独立地形成于各个基板上，所以可以防止出现因有机EL二极管的制造过程而带来的不希望的影响，由此提高的整体产率。第三，由于既未形成开关TFT也未形成驱动TFT的虚拟象素区设在一显示区的边界上，所以第一电极不与第二电极电连接。该虚拟象素区为第二电极的掩模处理过程提供一对准范围(align margin)。因此，改善了接触特性，提高了产率，并且防止了信号失真。
对本领域的那些技术人员来说很明显的是，在不脱离本发明实质或者范围的情况下，可以在本发明的有机电致发光装置及其制造方法中作各种修改和变换。这样，倘若本发明的这些修改和变换落在所附的权利要求书及其等同物的范围内，意欲用本发明覆盖它们。
Claims (34)
1.一种有机电致发光装置，包括：
彼此面对且相互间隔开的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板有一显示区和一外围区，显示区包括多个象素区和一虚拟象素区；
驱动薄膜晶体管，其分别与第一基板内表面上的多个象素区中的每一个象素区相邻；
第一连接电极，其分别接至驱动薄膜晶体管；
第二基板整个内表面上的第一电极；
多个象素区和虚拟象素区中每一个象素区的边界上第一电极上的侧壁；
第一电极上的有机电致发光层；
该有机电致发光层上的第二电极，使一第二电极分别在多个象素区和虚拟象素区中的每一个象素区内，多个象素区中的每一个象素区内的第二电极分别接至第一连接电极；和
一密封件，其将第一基板和第二基板粘接起来。
2.根据权利要求1的装置，其特征在于，还包括：
在第一基板内表面上外围区内的焊盘；和
接至该焊盘的第二连接电极，该第二连接电极形成于同一层中，并且由与第一连接电极相同的材料形成，
其中第一电极接至第二连接电极。
3.根据权利要求1的装置，其特征在于，虚拟象素区内的第二电极是闲置的。
4.根据权利要求1的装置，其特征在于，每一个驱动薄膜晶体管包括一驱动有源层、一驱动栅极和驱动源极与驱动漏极。
5.根据权利要求2的装置，其特征在于，每一个驱动薄膜晶体管包括一驱动有源层、一驱动栅极和驱动源极与驱动漏极，而且其中焊盘包括与驱动源极和驱动漏极相同的材料。
6.根据权利要求4的装置，其特征在于，还包括接至驱动薄膜晶体管的开关薄膜晶体管，其中每一个开关薄膜晶体管包括一开关有源层、一开关栅极和开关源极与开关漏极。
7.根据权利要求6的装置，其特征在于，驱动有源层和开关有源层包括多晶硅。
8.根据权利要求6的装置，其特征在于，开关源极接至数据线，其中开关漏极接至驱动栅极，其中开关栅极接至栅极线。
9.根据权利要求1的装置，其特征在于，还包括接至驱动薄膜晶体管的电源线。
10.根据权利要求1的装置，其特征在于，还包括接至驱动薄膜晶体管的存储电容。
11.根据权利要求1的装置，其特征在于，第一电极是一将空穴注入有机电致发光层中的阳极，并且其中第二电极是将电子注入有机电致发光层中的阴极。
12.根据权利要求11的装置，其特征在于，第一电极包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)之一。
13.根据权利要求11的装置，其特征在于，第二电极包括钙(Ca)、铝(Al)和镁(Mg)之一。
14.根据权利要求2的装置，其特征在于，还包括第一电极与第二连接电极之间的辅助电极，其中该辅助电极包括与第二电极相同的材料。
15.根据权利要求1的装置，其特征在于，该虚拟象素区包围这些多个象素区。
16.根据权利要求1的装置，其特征在于，还包括第一电极与至少一个侧壁之间的辅助绝缘层。
17.一种有机电致发光装置的制造方法，包括：
形成具有一显示区和一外围区的第一基板，该显示区包括多个象素区和一虚拟象素区；
形成与多个象素区中每一个象素区分别相邻的驱动薄膜晶体管；
形成分别接至驱动薄膜晶体管的第一连接电极；
在具有显示区和外围区的第二基板上形成第一电极；
在多个象素区和虚拟象素区中每一个象素区边界上的第一电极上形成一侧壁；
在第一电极上形成一有机电致发光层；
在该有机电致发光层上形成第二电极，以使第二电极分别形成于多个象素区和虚拟象素区中每一个象素区中；以及
用一密封件粘接第一基板和第二基板，以使第一连接电极接触第二电极。
18.根据权利要求17的方法，其特征在于，还包括：
在第一基板上形成一焊盘，该焊盘设在外围区内；以及
形成接至该焊盘的第二连接电极，
其中当粘接第一基板和第二基板时，第一电极接至第二连接电极。
19.根据权利要求17的方法，其特征在于，每一个驱动薄膜晶体管包括一驱动有源层、一驱动栅极和驱动源极与驱动漏极。
20.根据权利要求18的方法，其特征在于，每一个驱动薄膜晶体管包括一驱动有源层、一驱动栅极和驱动源极与驱动漏极，其中同时形成焊盘和驱动源极与驱动漏极。
21.根据权利要求19的方法，其特征在于，还包括形成接至驱动薄膜晶体管的开关薄膜晶体管，其中每一个开关薄膜晶体管包括一开关有源层、一开关栅极和开关源极与开关漏极。
22.根据权利要求21的方法，其特征在于，驱动有源层和开关有源层包括多晶硅。
23.根据权利要求21的方法，其特征在于，开关源极接至数据线，其中开关漏极接至驱动栅极，其中开关栅极接至栅极线。
24.根据权利要求17的方法，其特征在于，还包括形成接至驱动薄膜晶体管的电源线。
25.根据权利要求17的方法，其特征在于，还包括形成接至驱动薄膜晶体管的存储电容。
26.根据权利要求17的方法，其特征在于，第一电极是将空穴注入有机电致发光层中的阳极，其中第二电极是将电子注入有机电致发光层中的阴极。
27.根据权利要求26的方法，其特征在于，第一电极包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)之一。
28.根据权利要求26的方法，其特征在于，第二电极包括钙(Ca)、铝(Al)和镁(Mg)之一。
29.根据权利要求18的方法，其特征在于，还包括在第一电极与第二连接电极之间形成一辅助电极，其中同时形成该辅助电极和第二电极。
30.根据权利要求17的方法，其特征在于，虚拟象素区包围多个象素区。
31.根据权利要求17的方法，其特征在于，还包括在第一电极与至少一个侧壁之间形成一辅助绝缘层。
32.一种有机电致发光装置的制造方法，包括：
在具有一显示区和一外围区的第一基板上形成第一绝缘层，该显示区包括多个象素区和一虚拟象素区；
在多个象素区中每一个象素区上的第一绝缘层上形成一有源层，该有源层包括多晶硅，该有源层具有源极区和漏极区；
在有源层上形成第二绝缘层；
在有源层之上的第二绝缘层上形成栅极；
在栅极上形成第三绝缘层；
在第三绝缘层上形成第四绝缘层，第四绝缘层具有第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔暴露源极区，第二接触孔暴露漏极区；
在第四绝缘层上形成源极和漏极，源极通过第一接触孔接至源极区，漏极通过第二接触孔接至漏极区；
在源极和漏极上形成第五绝缘层，第五绝缘层具有暴露漏极的第三接触孔；
在第五绝缘层上形成第一连接电极，第一连接电极通过第三接触孔接至漏极；
在具有显示区和外围区的第二基板上形成第一电极；
在多个象素区和虚拟象素区中每一个象素区的边界上的第一电极上形成一侧壁；
在第一电极上形成一有机电致发光层；
在多个象素区中每一个象素区中的有机电致发光层上形成第二电极；以及
用一密封件粘接第一基板和第二基板，以使第一连接电极接触第二电极。
33.根据权利要求32的方法，其特征在于，第一绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层依次形成于虚拟象素区内第一基板的内表面上。
34.根据权利要求32的方法，其特征在于，还包括：
在第四绝缘层上形成一焊盘，该焊盘设在外围区，其中形成于该焊盘上的第五绝缘层具有暴露该焊盘的第四接触孔和第五接触孔；以及
在第五绝缘层上形成第二连接电极，第二连接电极通过第四接触孔接至该焊盘，当粘接第一基板和第二基板时，第二连接电极接触第一电极。
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