CN1455629A - 有机电致发光显示器件及其制造方法 - Google Patents
有机电致发光显示器件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1455629A CN1455629A CN03122647A CN03122647A CN1455629A CN 1455629 A CN1455629 A CN 1455629A CN 03122647 A CN03122647 A CN 03122647A CN 03122647 A CN03122647 A CN 03122647A CN 1455629 A CN1455629 A CN 1455629A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- auxiliary
- layer
- organic luminous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical group [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种有机电致发光显示(ELD)器件,包括第一基板,与第一基板分开并且面对的第二基板,在第一基板上互连的多个开关元件和多个驱动元件,连接到各个驱动元件的多个连接电极,在两个相邻象素区之间的空隙内在第二基板的一个内表面上形成的多个辅助电极,在第二基板内表面上形成的第一电极覆盖各个辅助电极,设置在第一电极上面的有机发光层,以及一个第二电极,其第一部分位于有机发光层上面。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示器件,具体涉及到一种有机电致发光显示(ELD)器件及其制造方法。
背景技术
有机电致发光显示(ELD)器件具有习惯上称为阴极电极的电子输入电极和习惯上被称为阳极的空穴输入电极。电子和空穴分别从阴极和阳极输入到一个发光层,电子和空穴在发光层内组成电子-空穴对。在电子-空穴对从激发态能级衰减到基态能级时,有机电致发光显示(ELD)器件就会发光。因此,由于有机电致发光显示(ELD)器件不需要额外的光源,有机电致发光显示(ELD)器件的体积和重量都能缩小。有机电致发光显示(ELD)器件另外的优点是低功耗、高亮度、快速响应时间和重量轻。有机电致发光显示(ELD)器件已被普遍应用于移动通信终端、汽车导航系统(CNS)、个人数字助理(PDA)、摄像机和掌上计算机。另外,由于有机电致发光显示(ELD)器件的制造工艺简单,与液晶显示(ELD)相比能够降低制造成本。可以将有机电致发光显示(ELD)器件分类成无源矩阵型和有源矩阵型。尽管无源矩阵型有机电致发光显示(ELD)器件具有简单的结构并且制造工艺简单,但需要高功耗并且不适合大型尺寸显示器件。另外,孔径比例会随着电镀线数量的增加而下降。另一方面,有源矩阵型有机电致发光显示(ELD)器件具有高发光效率和高影像显示质量。
图1是按照现有技术的一种有机电致发光显示(ELD)器件的截面图。图1的有机电致发光显示(ELD)器件10包括透明第一基板12、薄膜晶体管阵列部分14、第一电极16、有机发光层18和第二电极20,其中的薄膜晶体管阵列部分14被形成在透明第一基板12上。第一电极16,有机发光层18和第二电极20被形成在薄膜晶体管阵列部分14上面。显示红(R)绿(G)蓝(B)彩色光的发光层18一般是通过对用于红(R)绿(G)蓝(B)彩色光的各个象素的有机材料单独构图而形成的。第二基板28具有一种潮气吸附干燥剂22。在第一和第二基板12和28之间设置一种密封剂26将第一和第二基板12和28粘接到一起就制成了有机电致发光显示(ELD)器件10。用潮气吸附干燥剂22除去可能渗入有机电致发光显示(ELD)器件10内部的潮气和氧气。蚀刻掉第二基板28的一部分形成潮气吸附干燥剂22,用潮气吸附干燥剂材料填充第二基板28被蚀刻掉的那一部分,并且用胶带25固定潮气吸附干燥剂材料。
图2是按照现有技术的有机电致发光显示(ELD)器件的一个薄膜晶体管阵列象素部分的平面图。图3中的象素包括开关元件TS、驱动元件TD和在基板12上限定的各个象素区“P”上的一个存储电容CST。可以由两个以上薄膜晶体管的组合构成开关元件TS和驱动元件TD。基板12是用玻璃和塑料等透明材料形成的。沿着第一方向形成栅极线32,并且沿着与第一方向垂直的第二方向形成数据线34。数据线34与栅极线垂直交叉,在栅极和数据线32和34之间有一个绝缘层。沿着第二方向形成与数据线34分开的电源线35。开关元件TS使用的薄膜晶体管具有栅极电极36、活性层40、源极电极46和漏极电极50,而用于驱动元件TD的薄膜晶体管具有栅极电极38、活性层42、源极电极48和漏极电极52。开关元件TS的栅极电极36被电路连接到栅极线32,而开关元件TS的源极电极46被电路连接到数据线34。开关元件TS的漏极电极50通过接触孔54被电路连接到驱动元件TD的栅极电极38,而驱动元件TD的源极电极48通过接触孔56被电路连接到电源线35。驱动元件TD的漏极电极52被电路连接到象素区“P”内的第一电极16,其中的电源线35和由多晶硅层构成的第一电容电极15构成一个存储电容CST。
图3是按照现有技术的图2中沿III-III线提取的一个截面图。在图3中仅仅表示了驱动元件和发光部分的截面图。如图3所示,有机电致发光显示(ELD)器件具有驱动元件既一个薄膜晶体管TD、第一电极16、发光层18和第二电极20。驱动薄膜晶体管TD具有栅极电极38、活性层42、源极电极56和漏极电极52。第一电极16被形成在驱动薄膜晶体管TD上面,并且被连接到驱动薄膜晶体管TD的漏极电极52,在第一电极16和驱动薄膜晶体管TD之间有一个绝缘层。发光层18被形成在第一电极16上面,用于发射特定彩色波长的光,并且第二电极20被形成在发光层18上面。存储电容CST(图2)与驱动薄膜晶体管TD并联连接,并且包括第一和第二电容电极35和15。驱动薄膜晶体管TD的源极电极56接触到第二电容电极35也就是电源线,而第一电容电极15是在第二电容电极35下面用多晶硅材料形成的。在具有驱动元件TD,存储电容CST和有机发光层18的基板12上形成第二电极20。这样的有机电致发光显示(ELD)器件是一种底部发光型器件,发光层是朝基板下方发光的。
有机电致发光显示(ELD)器件的常规制造工艺是在同一基板上形成薄膜晶体管阵列部分和发光部分,然后将基板粘接到一个封装构造上。如果薄膜晶体管阵列部分和发光部分是形成在同一基板上,具有薄膜晶体管阵列部分和发光部分的这种面板的产量就取决于薄膜晶体管阵列部分和发光部分各自的产量。然而,面板的产量很大程度上受有机发光层产量的影响。因此,如果由厚度为1000的薄膜形成的次品有机发光层是因杂质和污染而有缺陷,这种面板就被定为次品面板。这样会导致材料和生产成本的浪费,因而会降低面板的产量。
底部发光型有机电致发光显示(ELD)器件的优点是影像稳定性高和可变的制造工艺。然而,底部发光型有机电致发光显示(ELD)器件由于孔径比例的增大受限制而不适合用于需要高分辨率的器件。另外,由于顶部发光型有机电致发光显示(ELD)器件是朝基板上方发光的,发光不会影响位于发光层下面的薄膜晶体管阵列部分。这样就能简化对薄膜晶体管的设计。另外还能增大孔径比例,从而延长有机电致发光显示(ELD)器件的使用寿命。然而,在顶部发光型有机电致发光显示(ELD)器件中,由于阴极通常是在发光层上面形成的,材料选择和光透射性有限,这样会降低光透射效率。如果形成一个薄膜型钝化层来防止光透射性下降,薄膜钝化层则不能避免外部空气渗入到器件内。
发明内容
本发明为此提供了一种有机电致发光显示器件及其制造方法,能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的这些问题。
本发明的一个目的是提供一种有机电致发光显示(ELD)器件,其中的薄膜晶体管阵列部分和发光部分被单独形成在不同基板上,在一个发光部分内形成多个辅助电极来降低第一电极的电阻。
本发明的另一目的是提供一种制造有机电致发光显示(ELD)器件的方法,其中的薄膜晶体管阵列部分和发光部分被单独形成在不同基板上,并且在一个发光部分内形成多个辅助电极来降低第一电极的电阻。
以下要说明本发明的附加特征和优点,有一些能够从说明书中看出,或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点,以下要具体和概括地说明,一种有机电致发光显示(ELD)器件包括第一基板,与第一基板分开并且面对的第二基板,在第一基板上互连的多个开关元件和多个驱动元件,连接到各个驱动元件的多个连接电极,在两个相邻象素区之间的空隙内在第二基板的一个内表面上形成的多个辅助电极,在第二基板内表面上形成的第一电极覆盖各个辅助电极,设置在第一电极上面的有机发光层,以及一个第二电极,其第一部分位于有机发光层上面。
按照另一方面,制造有机电致发光显示(ELD)器件的一种方法包括在第一基板上形成互连的多个开关元件和多个驱动元件,形成互连到各个驱动元件的多个连接电极,在第二基板的两个相邻象素区之间的空隙内形成多个辅助电极,在第二基板的内表面上形成覆盖多个辅助电极的第一电极,在第一电极上形成有机发光层,在有机发光层上形成第二电极的第一部分,并且粘接第一和第二基板使第一基板的连接电极接触到第二电极。
按照再一方面,一种有机电致发光显示(ELD)器件包括第一基板,与第一基板分开并且面对的第二基板,在第一基板上互连的多个开关元件和多个驱动元件,连接到各个驱动元件的多个连接电极,在第二基板的一个内表面上形成的第一电极,在两个相邻象素区之间的空隙内形成在第一电极上的多个辅助电极,多个隔壁,它具有设置在辅助电极和第一电极上的第一宽度的第一端部和大于第一宽度的第二宽度的第二端部,在多个隔壁之间设置在第一电极上的多个有机发光层,以及设置在有机发光层和多个隔壁的第二端部上的第二电极。
应该意识到以上对本发明的概述和下文的详细说明都是解释性的描述,都是为了进一步解释所要求保护的发明。
附图说明
所包括的用来便于理解本发明并且作为本申请一个组成部分的附图表示了本发明的实施例,连同说明书一起可用来解释本发明的原理。在附图中:
图1是按照现有技术的一种有机电致发光显示(ELD)器件的截面图;
图2是按照现有技术的有机电致发光显示(ELD)器件的一个薄膜晶体管阵列象素部分的平面图;
图3是按照现有技术的图2中沿III-III线提取的一个截面图;
图4是按照本发明的一例有机电致发光显示(ELD)器件的一个截面图;
图5是按照本发明的一例有机电致发光显示(ELD)器件的一个透视图;
图6A到6C是按照本发明的有机电致发光显示(ELD)器件的薄膜晶体管阵列的一例制造方法的截面图;
图7A到7C是按照本发明的有机电致发光显示(ELD)器件的发光部分的一例制造方法的截面图;
图8是按照本发明的一例有机电致发光显示(ELD)器件的一个截面图;以及
图9是按照本发明的另一种有机电致发光显示(ELD)器件的一个截面图。
具体实施方式
以下要具体描述本发明的最佳实施例,在附图中表示了这些例子。
图4是按照本发明的一例有机电致发光显示(ELD)器件的一个截面图。在图4中,有机电致发光显示(ELD)器件99包括由一种密封剂300粘接到一起的透明的第一和第二基板100和200。在第一基板100上可以限定多个象素区“P”,并且可以在各个象素区“P”上形成作为开关元件和驱动元件的薄膜晶体管“T”。另外,尽管图中没有表示,第一基板100还可以包括阵列线。可以在第二基板200上形成多个辅助电极201,并在形成辅助电极201之后在第二基板200的整个表面上形成一个透明的第一电极202(阳极)。可以在第一电极202上面依次形成有机发光层208和第二电极210(阴极)。可以通过另外的连接电极124间接连接第二电极210和驱动薄膜晶体管的漏极电极118。因此,如果在第一基板100上形成连接电极124,并且将第一和第二基板100和200粘接到一起,第一基板100上的连接电极124就会接触到第二基板200上的第二电极210。在一个象素区“P”与相邻象素区“P”之间的非象素区内形成辅助电极201用来改善孔径比例。象素区“P”可以形成一个矩阵,而辅助电极201可以形成栅格形状。
图5是按照本发明的一例有机电致发光显示(ELD)器件中发光部分的一个透视图。在图5中,在透明的第二基板200上形成具有低电阻的辅助电极201,并在辅助电极201上形成透明的第一电极202(阳极)。可以在透明的第一电极202上面依次形成发光层208和第二电极210(阴极),与各个象素区“P”无关地形成第二电极210。发光层208可以包括单层结构或多层结构。如果发光层208包括多层结构,它还可以包括邻接透明第一电极202形成的空穴-输送层(未示出)和邻接第二电极210形成的电子-输送层(未示出)。透明第一电极202可以包括铟锡氧化物(ITO)。由于铟锡氧化物(ITO)具有高电阻值,信号延迟值会随着有机电致发光显示(ELD)器件尺寸的增大而增加。辅助电极201的作用是降低透明第一电极202的电阻,并且可以包括电阻比第一电极202的电阻更低的导电金属材料。例如,若第一电极202包括铟锡氧化物(ITO),辅助电极201将可以包括铝(Al)或是铬(Cr)。
图6A到6C是按照本发明的有机电致发光显示(ELD)器件的薄膜晶体管阵列的一例制造方法的截面图。在图6A中通过在限定了多个象素区“P”的基板100上面沉积一种无机绝缘材料例如是氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)而形成一个缓冲器层102。在缓冲器层102上沉积非晶硅(a-Si:H)形成一个活性层104,使沉积的非晶硅(a-Si:H)脱氢,并使脱氢的硅结晶成多晶硅层,然后对多晶硅层构图。活性层104还可以包括第一和第二活性层104a和104b。在基板100的整个表面上沉积一种无机绝缘材料例如是氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)而形成一个栅极绝缘层106。或是在个别部位蚀刻成栅极绝缘层106。在栅极绝缘层106上对应着第一活性层104a的位置形成一个栅极电极108。通过对第二活性层104b掺杂诸如硼族元素或磷族元素等杂质将第二活性层104b转变成一个电阻接触层。可以在已经形成栅极电极108的基板100的整个表面上形成一个中间层110,通过对中间层110构图而形成暴露出第二活性层104b各部位的第一和第二接触孔112和114。栅极电极108可以包括的导电金属材料有铝(Al),铝合金,铜(Cu),钨(W),钽(Ta)和钼(Mo)。中间层110可以包括的无机绝缘材料有氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)。
在图6B中,在中间层110上沉积第二金属层并且对第二金属层构图而形成与第二活性层104b的暴露部位有电接触的源极和漏极电极116和118。在基板100的整个表面上沉积或涂敷无机绝缘材料例如是氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)或者是诸如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂等无机绝缘材料而形成一个钝化层120。可以通过对钝化层120构图形成一个漏极接触孔122,暴露出驱动薄膜晶体管的漏极电极118的一个部位。
在图6C中,在钝化层120上沉积导电金属材料并对导电材料构图而形成与漏极电极118有电接触的连接电极124。尽管图中没有表示,可以按照与形成驱动薄膜晶体管的步骤相同的步骤形成连接到驱动薄膜晶体管的开关薄膜晶体管。同样可以将开关薄膜晶体管的漏极电极用电路连接到驱动薄膜晶体管的栅极电极108。另外可以在形成开关薄膜晶体管的栅极电极的同时形成栅极线(未示出),并在形成开关薄膜晶体管的逻辑电极的同时形成数据线(未示出)。
图7A到7C是按照本发明的有机电致发光显示(ELD)器件的发光部分的一例制造方法的截面图。在图7A中,可以在透明的第二基板200上沉积一种低电阻金属材料而后对低电阻金属材料构图形成多个辅助电极201。辅助电极201包括的金属材料所具有的电阻比第一电极202的电阻要低。例如,如果第一电极202包括铟锡氧化物(ITO),辅助电极201就包括铝(Al),铝合金(AlNd),铬(Cr)或钼(Mo)。由于辅助电极201可包括一种不透明金属材料,可以在对应着非象素区的区域内形成辅助电极。可以在上面已经形成辅助电极201的透明的第二基板200的整个表面上形成第一电极202。第一电极202可以作为阳极向图7B的有机发光层208输入空穴,并且可以包括具有高功效(work function)的铟锡氧化物(ITO)。
在图7B中,可以将有机发光层208划分成第一电极202上的各段R,G和B。有机发光层208的各段R,G和B对应着发射红,绿,蓝彩色光的各个象素区“P”。形成的有机发光层208可以是单层或是多层。如果形成的发光层208有多层,有机发光层208就可能包括主发光层208a,空穴输送层208b和电子输送层208c。
在图7C中,可以对应着各个象素区“P”在有机发光层208上形成第二电极210。第二电极210可以包括(Al)、钙(Ca)、和镁(Mg),或是包括一个双金属层例如是氟化锂(LiF)/铝(Al)。
这样就能将图6A-6C的薄膜晶体管阵列部分和图7A-7C的发光部分粘接到一起制成图4的有机电致发光显示(ELD)器件。
图8是按照本发明的一例有机电致发光显示(ELD)器件的一个截面图。在图8中,可以用设置在第一和第二基板500和600之间的密封剂300将第一和第二基板500和600粘接到一起,并且在第一和第二基板500和600上限定多个象素区“P”。这样,第一基板500的象素区“P”就对应着第二基板600的象素区“P”。另外可以在第一基板500上形成一个驱动薄膜晶体管TD,它具有活性层502,栅极电极504,源极电极506和漏极电极508,并且还可以在第一基板500上面形成一个连接电极510。在第二基板600上对应着该象素区“P”与相邻象素区“P”之间的非象素区上可以形成多个辅助电极602。由于象素区“P”可以制成矩阵形状,辅助电极602可以制成栅格形状。在辅助电极602上可以形成第一电极604,作为阳极向发光层608输入空穴。第一电极还能作为一个公共电极。可以在第二基板600的整个表面上形成第一电极604,并且可以包括透明和具有高功效的铟锡氧化物(ITO)。
可以在第一电极604上形成多个隔壁606,各个隔壁606对应着各个辅助电极602。各个隔壁606的剖面宽度从第一电极一侧到第二电极一侧逐渐增大。可以在隔壁606之间的第一电极604的暴露部位上形成发光层608。发光层608可以包括单层结构或多层结构。如果发光层608包括多层结构,它就可能包括主发光层608a,空穴输送层608b和电子输送层608c。空穴输送层608b与第一电极604有电接触,而电子输送层608c与第二电极610有电接触。可以在各个象素区“P”内单独在发光层608上形成第二电极610。这样就能用形成在两个象素区“P”之间的非象素区内的隔壁606来划分第二电极610,使第二电极610包括对应着各个象素区“P”的多个分隔部分。
图9是按照本发明的另一种有机电致发光显示(ELD)器件的一个截面图。图9的有机电致发光显示(ELD)器件400可以包括具有薄膜晶体管阵列部分的第一基板500和具有发光部分的第二基板600,用设置在第一和第二基板500和600之间的密封剂300将第一和第二基板500和600粘接到一起。第一和第二基板500和600各自具有多个对应的象素区“P”。第一基板500可以包括一个驱动薄膜晶体管TD,驱动薄膜晶体管TD可以包括活性层502、栅极电极504、源极电极506和漏极电极508。连接电极510可以用电路连接到驱动薄膜晶体管TD的漏极电极508。可以在第二基板600的内表面上形成第一电极602,并在第一电极602上形成多个辅助电极604。辅助电极604建议包括具有高功效的铟锡氧化物(ITO)。可以形成多个隔壁606,它们在各个辅助电极604上以及第一电极602上各自具有暴露的第一端部。另外可以在发光层608上和多个隔壁606的第二端部上形成多个第二电极610。这样,多个隔壁606各自的第一端部就可以横向包围各个辅助电极604。各个隔壁606还具有梯形形状,其第一端部具有第一宽度,而第二端部具有比第一宽度大的第二宽度。可以在两个相邻隔壁606之间的第一电极602的暴露部位上形成发光层608。形成的发光层608可以具有单层结构或多层结构。如果形成的发光层608具有多层结构,发光层608就可能包括主发光层608a,空穴输送层608b和电子输送层608c。空穴输送层608b与第一电极602有电接触,而电子输送层608c与第二电极610有电接触。还可以在被隔壁606分隔的各个象素区“P”内单独形成第二电极610。
本发明的有机电致发光显示(ELD)器件具有以下优点。首先,由于有机电致发光显示(ELD)器件是顶部发光型器件,发光层下面的阵列图形形状不受发光影响,能够获得高孔径比例。其次,由于有机发光层不是和薄膜晶体管阵列图形形成在同一基板上,可以单独形成有机发光层而不必考虑对薄膜晶体管的影响,这样能够提高产量。第三,借助于辅助电极能够降低第一电极的电阻,这样就能制成大型的有机电致发光显示(ELD)器件。
显然,本领域的技术人员无需脱离本发明的原理和范围还能对本发明的有机电致发光显示器件及其制造方法作出各种各样的修改和变更。因此,本发明的意图是要覆盖权利要求书及其等效物范围内的修改和变更。
Claims (35)
1.一种有机电致发光显示器件,包括:
第一基板;
与第一基板分开并且面对的第二基板;
在第一基板上互连的多个开关元件和多个驱动元件;
连接到各个驱动元件的多个连接电极;
在两个相邻象素区之间的空隙内在第二基板的一个内表面上形成的多个辅助电极;
在第二基板内表面上形成的第一电极,覆盖各个辅助电极;
设置在第一电极上面的有机发光层;以及
一个第二电极,其第一部分位于有机发光层上面。
2.如权利要求1的器件,其特征在于,辅助电极形成栅格形状。
3.如权利要求1的器件,其特征在于,进一步包括多个隔壁,它具有第一宽度的第一端部和第二宽度的第二端部。
4.如权利要求3的器件,其特征在于,各个第一端部被设在第一电极上,对准各个辅助电极。
5.如权利要求3的器件,其特征在于,第二宽度大于第一宽度。
6.如权利要求5的器件,其特征在于,第二电极包括设在隔壁的第二端部上的第二部分。
7.如权利要求6的器件,其特征在于,第二端部对准驱动元件。
8.如权利要求1的器件,其特征在于,辅助电极包括铝、铬、或钼。
9.如权利要求8的器件,其特征在于,辅助电极的电阻要低于第一电极的电阻。
10.如权利要求1的器件,其特征在于,第一电极作为阳极电极向有机发光层输入空穴,而第二电极作为阴极向有机发光层输入电子。
11.如权利要求10的器件,其特征在于,第一电极包括铟锡氧化物。
12.如权利要求10的器件,其特征在于,第二电极包括钙、铝或镁。
13.如权利要求1的器件,其特征在于,连接电极包括钙、铝或镁。
14.如权利要求1的器件,其特征在于,有机发光层包括毗邻第一电极的空穴输送层和毗邻第二电极的第一部分的电子输送层。
15.如权利要求1的器件,其特征在于,辅助电极包括一种导电金属材料,其电阻比第一电极的电阻要小。
16.如权利要求1的器件,其特征在于,辅助电极包括铝、铝合金、铬、钨、钼或铜。
17.如权利要求1的器件,其特征在于,开关元件和驱动元件各自包括一个活性层,栅极电极,源极电极和漏极电极。
18.一种制造有机电致发光显示器件的方法,包括以下步骤:
在第一基板上形成互连的多个开关元件和多个驱动元件;
形成互连到各个驱动元件的多个连接电极;
在第二基板的两个相邻象素区之间的空隙内形成多个辅助电极;
在第二基板的内表面上形成覆盖多个辅助电极的第一电极;
在第一电极上形成有机发光层;
在有机发光层上形成第二电极的第一部分;并且
粘接第一和第二基板使第一基板的连接电极接触到第二电极。
19.如权利要求18的方法,其特征在于,辅助电极形成栅格形状。
20.如权利要求18的方法,其特征在于,进一步包括以下步骤,形成多个隔壁,它具有第一宽度的第一端部和第二宽度的第二端部。
21.如权利要求20的方法,其特征在于,各个第一端部被设在第一电极上,对准各个辅助电极。
22.如权利要求20的方法,其特征在于,第二宽度大于第一宽度。
23.如权利要求22的方法,其特征在于,进一步包括在隔壁的第二端部上形成第二电极的第二部分的步骤。
24.如权利要求23的方法,其特征在于,第二端部对准驱动元件。
25.如权利要求18的方法,其特征在于,辅助电极包括铝、铬、或钼。
26.如权利要求25的方法,其特征在于,辅助电极的电阻要低于第一电极的电阻。
27.如权利要求18的方法,其特征在于,第一电极作为阳极电极向有机发光层输入空穴,而第二电极作为阴极向有机发光层输入电子。
28.如权利要求27的方法,其特征在于,第一电极包括铟锡氧化物。
29.如权利要求27的方法,其特征在于,第二电极包括钙、铝或镁。
30.如权利要求18的方法,其特征在于,连接电极包括钙、铝或镁。
31.如权利要求18的方法,其特征在于,有机发光层包括毗邻第一电极的空穴输送层和毗邻第二电极的第一部分的电子输送层。
32.如权利要求18的方法,其特征在于,辅助电极包括一种导电金属材料,其电阻比第一电极的电阻要小。
33.如权利要求18的方法,其特征在于,辅助电极包括铝、铝合金、铬、钨、钼或铜。
34.如权利要求18的方法,其特征在于,开关元件和驱动元件各自包括一个活性层、栅极电极、源极电极和漏极电极。
35.一种有机电致发光显示器件,包括;
第一基板;
与第一基板分开并且面对的第二基板;
在第一基板上互连的多个开关元件和多个驱动元件;
连接到各个驱动元件的多个连接电极;
在第二基板的一个内表面上形成的第一电极;
在两个相邻象素区之间的空隙内形成在第一电极上的多个辅助电极;
多个隔壁,它具有设置在辅助电极和第一电极上的第一宽度的第一端部和大于第一宽度的第二宽度的第二端部;
在多个隔壁之间设置在第一电极上的多个有机发光层;以及
设置在有机发光层和多个隔壁的第二端部上的第二电极。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0024549A KR100465883B1 (ko) | 2002-05-03 | 2002-05-03 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR200224549 | 2002-05-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1455629A true CN1455629A (zh) | 2003-11-12 |
CN100461488C CN100461488C (zh) | 2009-02-11 |
Family
ID=29267928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB031226477A Expired - Lifetime CN100461488C (zh) | 2002-05-03 | 2003-04-18 | 有机电致发光显示器件及其制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6873100B2 (zh) |
JP (1) | JP4247967B2 (zh) |
KR (1) | KR100465883B1 (zh) |
CN (1) | CN100461488C (zh) |
TW (1) | TWI228013B (zh) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100431148C (zh) * | 2004-11-23 | 2008-11-05 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示器及其制造方法 |
CN100452420C (zh) * | 2003-12-30 | 2009-01-14 | 乐金显示有限公司 | 双板型有机电致发光器件及其制造方法 |
CN100456519C (zh) * | 2004-06-10 | 2009-01-28 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示器及其制造方法 |
US7812523B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device having an auxiliary electrode for improved common voltage and fabricating method thereof |
CN101513126B (zh) * | 2006-08-30 | 2010-11-10 | 住友化学株式会社 | 有机电致发光器件 |
US7956351B2 (en) | 2006-06-12 | 2011-06-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method for fabricating the same |
WO2014059598A1 (zh) * | 2012-10-16 | 2014-04-24 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 一种oled显示屏及其制造方法 |
CN104282678A (zh) * | 2013-07-09 | 2015-01-14 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 具有光感测功能的发光显示器 |
CN109768182A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板、阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN110098348A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2020034605A1 (zh) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏及其控制方法 |
CN111596783A (zh) * | 2019-02-20 | 2020-08-28 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030086166A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
TW589915B (en) * | 2002-05-24 | 2004-06-01 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence display device |
KR100473590B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2005-03-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR20040066273A (ko) * | 2003-01-17 | 2004-07-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시 장치 및 그 구동 장치 |
NL1025135C2 (nl) * | 2003-12-24 | 2005-08-30 | Lg Philips Lcd Co | Organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
KR100557732B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-03-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광장치 및 그 제조방법 |
KR100556525B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-03-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR100653265B1 (ko) * | 2004-04-19 | 2006-12-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101050290B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2011-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
JP2006100727A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
JP2006107884A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機elパネル |
KR100606772B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자의 제조방법 |
JP4367346B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
US20070018570A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Wei-Jen Tai | Organic electroluminescence device and method of forming the same |
KR100716908B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101157263B1 (ko) * | 2005-12-13 | 2012-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 |
KR101157262B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2012-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101318307B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2013-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR100872709B1 (ko) | 2007-02-26 | 2008-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
US8610155B2 (en) * | 2008-11-18 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
KR101456154B1 (ko) | 2009-08-25 | 2014-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 조명 장치 |
KR100929167B1 (ko) | 2009-08-28 | 2009-12-01 | 윤근천 | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 |
KR102592564B1 (ko) * | 2016-06-13 | 2023-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 트랜지스터 표시판 |
US20190088899A1 (en) * | 2017-09-18 | 2019-03-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode device and method for manufacturing liquid material to be sprayed for the device |
TWI681556B (zh) * | 2018-09-11 | 2020-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體顯示裝置及其製造方法 |
CN112133734B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-08-30 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0431299U (zh) * | 1990-07-06 | 1992-03-13 | ||
JP4142117B2 (ja) * | 1995-10-06 | 2008-08-27 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
US6091194A (en) * | 1995-11-22 | 2000-07-18 | Motorola, Inc. | Active matrix display |
JPH10106747A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製法 |
JP3530362B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2004-05-24 | 三洋電機株式会社 | 自発光型画像表示装置 |
US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JPH10333601A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法 |
US6215244B1 (en) * | 1997-06-16 | 2001-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Stacked organic light emitting device with specific electrode arrangement |
JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
KR20010023412A (ko) * | 1998-06-30 | 2001-03-26 | 나가이 아츠오 | 전계발광 디스플레이 |
GB9903251D0 (en) * | 1999-02-12 | 1999-04-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Opto-electric devices |
JP2001035663A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-09 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法 |
JP2001117509A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機el表示装置 |
JP3809758B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2006-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP3744766B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2006-02-15 | 三洋電機株式会社 | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置およびその製造方法 |
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP4434411B2 (ja) | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
TW484238B (en) * | 2000-03-27 | 2002-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
JP4004709B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-11-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
JP2001282123A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP3840926B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示体及びその製造方法、並びに電子機器 |
US6626721B1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-09-30 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with supplemental cathode bus conductor |
JP2002100469A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
JP2002244589A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Hitachi Ltd | 有機発光装置およびその製造方法 |
CN1141859C (zh) * | 2001-04-27 | 2004-03-10 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件的制备方法 |
KR100723011B1 (ko) * | 2001-05-28 | 2007-05-29 | 주식회사 동진쎄미켐 | 보조 전극을 갖는 유기 전기발광 디스플레이의 제조 방법 |
JP2003066859A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Sharp Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2003208105A (ja) * | 2002-01-10 | 2003-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-05-03 KR KR10-2002-0024549A patent/KR100465883B1/ko active IP Right Grant
- 2002-12-27 US US10/329,540 patent/US6873100B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-27 TW TW092106967A patent/TWI228013B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-18 CN CNB031226477A patent/CN100461488C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-30 JP JP2003125520A patent/JP4247967B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100452420C (zh) * | 2003-12-30 | 2009-01-14 | 乐金显示有限公司 | 双板型有机电致发光器件及其制造方法 |
CN100456519C (zh) * | 2004-06-10 | 2009-01-28 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示器及其制造方法 |
CN100431148C (zh) * | 2004-11-23 | 2008-11-05 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示器及其制造方法 |
US7687983B2 (en) | 2004-11-23 | 2010-03-30 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
US8410682B2 (en) | 2004-11-23 | 2013-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
US7812523B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device having an auxiliary electrode for improved common voltage and fabricating method thereof |
US7956351B2 (en) | 2006-06-12 | 2011-06-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method for fabricating the same |
CN101513126B (zh) * | 2006-08-30 | 2010-11-10 | 住友化学株式会社 | 有机电致发光器件 |
WO2014059598A1 (zh) * | 2012-10-16 | 2014-04-24 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 一种oled显示屏及其制造方法 |
CN104041186A (zh) * | 2012-10-16 | 2014-09-10 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 一种oled显示屏及其制造方法 |
CN104282678A (zh) * | 2013-07-09 | 2015-01-14 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 具有光感测功能的发光显示器 |
WO2020034605A1 (zh) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏及其控制方法 |
US11244627B2 (en) | 2018-08-14 | 2022-02-08 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panel, display screen and control method thereof |
CN109768182A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板、阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN111596783A (zh) * | 2019-02-20 | 2020-08-28 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN111596783B (zh) * | 2019-02-20 | 2024-04-05 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN110098348A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100461488C (zh) | 2009-02-11 |
US6873100B2 (en) | 2005-03-29 |
KR100465883B1 (ko) | 2005-01-13 |
JP2004006343A (ja) | 2004-01-08 |
US20030205970A1 (en) | 2003-11-06 |
KR20030086164A (ko) | 2003-11-07 |
JP4247967B2 (ja) | 2009-04-02 |
TW200405748A (en) | 2004-04-01 |
TWI228013B (en) | 2005-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100461488C (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
CN100461979C (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
CN1215568C (zh) | 平板显示器及其制造方法 | |
CN100511698C (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
CN100375312C (zh) | 有机电致发光显示面板装置及其制造方法 | |
CN100485952C (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
CN1301558C (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
CN100379053C (zh) | 有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
CN100344010C (zh) | 有机电致发光面板 | |
CN100355083C (zh) | 双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
CN1455628A (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
CN1516531A (zh) | 有机电致发光装置及其制造方法 | |
CN1610461A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
CN100355082C (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
CN1668152A (zh) | 电致发光显示器件 | |
CN1512829A (zh) | 有机电致发光装置及其制造方法 | |
CN100379051C (zh) | 双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
CN1638557A (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
CN1638563A (zh) | 带支撑板的有机电致发光器件及其制作方法 | |
CN1638540A (zh) | 有机电致发光显示器件 | |
CN1638579A (zh) | 有机电致发光器件 | |
CN1215567C (zh) | 平板显示器及其制造方法 | |
CN1992331A (zh) | 有机发光二极管器件及其制造方法 | |
CN1542719A (zh) | 电致发光显示装置 | |
CN1638567B (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20090211 |
|
CX01 | Expiry of patent term |