JPH10106747A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製法Info
- Publication number
- JPH10106747A JPH10106747A JP8255016A JP25501696A JPH10106747A JP H10106747 A JPH10106747 A JP H10106747A JP 8255016 A JP8255016 A JP 8255016A JP 25501696 A JP25501696 A JP 25501696A JP H10106747 A JPH10106747 A JP H10106747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- layer
- organic
- light emitting
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 135
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 19
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 188
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
Abstract
(57)【要約】
【課題】 陰極分離部を形成して陰極分離することによ
り、有機エレクトロルミネッセンス発光層および陰極を
水や有機溶媒にさらすことなく陰極を形成する。 【解決手段】 陽極１１上に、陰極分離部の下層が内側
にくびれたひさし型形状をした２層構造の絶縁体からな
る陰極分離部１４が形成され、該陰極分離部１４が形成
されたのちに有機エレクトロルミネッセンス発光層１２
と陰極１３が形成されて陰極分離される。また、陰極分
離部１４が３層構造のばあいには中間層が内側にくびれ
たひさし型形状に形成されている。
り、有機エレクトロルミネッセンス発光層および陰極を
水や有機溶媒にさらすことなく陰極を形成する。 【解決手段】 陽極１１上に、陰極分離部の下層が内側
にくびれたひさし型形状をした２層構造の絶縁体からな
る陰極分離部１４が形成され、該陰極分離部１４が形成
されたのちに有機エレクトロルミネッセンス発光層１２
と陰極１３が形成されて陰極分離される。また、陰極分
離部１４が３層構造のばあいには中間層が内側にくびれ
たひさし型形状に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子（以下、単に有機ＥＬ素子という）を
用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関す
る。
ミネッセンス素子（以下、単に有機ＥＬ素子という）を
用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス（以下、単に
ＥＬという）素子とは、ＥＬ素子を構成する蛍光性化合
物に電圧を加えることにより前記蛍光性化合物が励起せ
しめられて発光する素子である。ＥＬ素子は、材料とし
て無機化合物を使用した無機ＥＬ素子と、有機化合物を
使用した有機ＥＬ素子とに分類される。無機ＥＬ素子を
使用したディスプレイ（以下、無機ＥＬディスプレイと
いう）は一部実用化され、有機ＥＬ素子を使用したディ
スプレイ（以下、有機ＥＬディスプレイという）は実用
化が試みられているところである。
ＥＬという）素子とは、ＥＬ素子を構成する蛍光性化合
物に電圧を加えることにより前記蛍光性化合物が励起せ
しめられて発光する素子である。ＥＬ素子は、材料とし
て無機化合物を使用した無機ＥＬ素子と、有機化合物を
使用した有機ＥＬ素子とに分類される。無機ＥＬ素子を
使用したディスプレイ（以下、無機ＥＬディスプレイと
いう）は一部実用化され、有機ＥＬ素子を使用したディ
スプレイ（以下、有機ＥＬディスプレイという）は実用
化が試みられているところである。
【０００３】有機ＥＬディスプレイの構造の一例を図１
１に示す。図１１（ａ）は有機ＥＬディスプレイの表示
面の平面説明図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の
領域Ａを示す断面説明図である。図１１（ｂ）におい
て、１０１は表示面側透明基板、１０４は陽極、１０６
は陰極、１０７は背面基板、１３１は赤色有機ＥＬ発光
層、１３２は緑色有機ＥＬ発光層、１３３は青色有機Ｅ
Ｌ発光層を示している。つぎに、かかる従来の有機ＥＬ
ディスプレイの作製方法を説明する。表示面側透明基板
１０１上に複数のストライプ状の陽極１０４を形成し、
その上に赤色有機ＥＬ発光層１３１、緑色有機ＥＬ発光
層１３２、青色有機ＥＬ発光層１３３をそれぞれ独立に
形成する。これらの発光層１３１、１３２および１３３
のそれぞれの上に陽極に垂直な方向に複数のストライプ
状の陰極１０６を形成すれば、３原色の発光をうること
ができ、これら赤色、緑色、青色の画素を２次元配列す
ることで、表示ディスプレイを構成し、画像を映し出す
ことができる。
１に示す。図１１（ａ）は有機ＥＬディスプレイの表示
面の平面説明図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の
領域Ａを示す断面説明図である。図１１（ｂ）におい
て、１０１は表示面側透明基板、１０４は陽極、１０６
は陰極、１０７は背面基板、１３１は赤色有機ＥＬ発光
層、１３２は緑色有機ＥＬ発光層、１３３は青色有機Ｅ
Ｌ発光層を示している。つぎに、かかる従来の有機ＥＬ
ディスプレイの作製方法を説明する。表示面側透明基板
１０１上に複数のストライプ状の陽極１０４を形成し、
その上に赤色有機ＥＬ発光層１３１、緑色有機ＥＬ発光
層１３２、青色有機ＥＬ発光層１３３をそれぞれ独立に
形成する。これらの発光層１３１、１３２および１３３
のそれぞれの上に陽極に垂直な方向に複数のストライプ
状の陰極１０６を形成すれば、３原色の発光をうること
ができ、これら赤色、緑色、青色の画素を２次元配列す
ることで、表示ディスプレイを構成し、画像を映し出す
ことができる。
【０００４】別の方法として、高輝度に発光する青色有
機ＥＬ素子の発明（たとえば特開平６−９９５３号公
報、信学技報、ＯＭＥ９５−８０中村、他、出光興産
「青色発光素子へのドーピング」ｐ．１３−１８）によ
り、カラー変換材料（たとえば顔料や蛍光体）と呼ばれ
る材料（参考としてPROCEEDINGS OF THE FIFTEENTH INT
ERNATIONAL DISPLAY RESEARCH CONFERENCE, ASIA DISPL
AY 95, THE INSTITUTE OFTELEVISION ENGINEERS OF JAP
AN AND THE SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY、平成７
−１０−１６〜１８開催、テレジジョン学会および THE
SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY、 M. Matsuura、
他、出光興産「Performance of RGB Multi-Color Organ
ic EL Display」ｐ．２６９−２７２）を用いてエネル
ギーの高い青色の光から、エネルギーの低い緑色の光、
赤色の光へと変換する（波長を変換する）ことによっ
て、３原色をうることができるので、これら赤色、緑
色、青色の画素を２次元配列して表示ディスプレイを構
成し、画像を映し出す方法がある。
機ＥＬ素子の発明（たとえば特開平６−９９５３号公
報、信学技報、ＯＭＥ９５−８０中村、他、出光興産
「青色発光素子へのドーピング」ｐ．１３−１８）によ
り、カラー変換材料（たとえば顔料や蛍光体）と呼ばれ
る材料（参考としてPROCEEDINGS OF THE FIFTEENTH INT
ERNATIONAL DISPLAY RESEARCH CONFERENCE, ASIA DISPL
AY 95, THE INSTITUTE OFTELEVISION ENGINEERS OF JAP
AN AND THE SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY、平成７
−１０−１６〜１８開催、テレジジョン学会および THE
SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY、 M. Matsuura、
他、出光興産「Performance of RGB Multi-Color Organ
ic EL Display」ｐ．２６９−２７２）を用いてエネル
ギーの高い青色の光から、エネルギーの低い緑色の光、
赤色の光へと変換する（波長を変換する）ことによっ
て、３原色をうることができるので、これら赤色、緑
色、青色の画素を２次元配列して表示ディスプレイを構
成し、画像を映し出す方法がある。
【０００５】図１２は、色変換層を用いて３色を発光さ
せる従来の有機ＥＬディスプレイを示す説明図である。
図１２（ａ）は従来の有機ＥＬディスプレイの表示面の
平面説明図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の領域
Ａを示す断面説明図である。図１２において、図１１で
用いた符号と同じ符号は同一の要素を示しており、その
他に、１０２は色変換フィルタ、１０３は保護層、１０
５は有機ＥＬ発光層、１０８はブラックマトリックス、
１１０は赤色画素、１１１は緑色画素、１１２は青色画
素を示しており、１１０、１１１および１１２によって
色変換フィルタ１０２が構成されている。かかる従来の
有機ＥＬディスプレイの構造および作製方法を簡単に説
明する。まず表示面側透明基板（たとえばガラス板、石
英ガラスなど）１０１上に各色を分離するためのブラッ
クマトリックス１０８と、青色、緑色、赤色を表示する
ための色変換フィルタ１０２を顔料分散法、印刷法また
は写真製版法などにより形成する。また、色変換フィル
タ１０２は青色変換フィルタ１１２、緑色変換フィルタ
１１１、赤色変換フィルタ１１０の３色がそれぞれ独立
して構成される。これらの色変換フィルタは数μｍ〜数
十μｍの厚さで形成されている。その色変換フィルタの
凹凸を緩和するため透明の材料でつくられる保護層１０
３をスピンコーティング法などにより形成する。つぎに
ストライプ状の色変換フィルタ１０２の上部に位置する
ように同じくストライプ状に陽極１０４（ＩＴＯ（イン
ジウムチンオキサイド）などの透明電極）を形成する。
せる従来の有機ＥＬディスプレイを示す説明図である。
図１２（ａ）は従来の有機ＥＬディスプレイの表示面の
平面説明図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の領域
Ａを示す断面説明図である。図１２において、図１１で
用いた符号と同じ符号は同一の要素を示しており、その
他に、１０２は色変換フィルタ、１０３は保護層、１０
５は有機ＥＬ発光層、１０８はブラックマトリックス、
１１０は赤色画素、１１１は緑色画素、１１２は青色画
素を示しており、１１０、１１１および１１２によって
色変換フィルタ１０２が構成されている。かかる従来の
有機ＥＬディスプレイの構造および作製方法を簡単に説
明する。まず表示面側透明基板（たとえばガラス板、石
英ガラスなど）１０１上に各色を分離するためのブラッ
クマトリックス１０８と、青色、緑色、赤色を表示する
ための色変換フィルタ１０２を顔料分散法、印刷法また
は写真製版法などにより形成する。また、色変換フィル
タ１０２は青色変換フィルタ１１２、緑色変換フィルタ
１１１、赤色変換フィルタ１１０の３色がそれぞれ独立
して構成される。これらの色変換フィルタは数μｍ〜数
十μｍの厚さで形成されている。その色変換フィルタの
凹凸を緩和するため透明の材料でつくられる保護層１０
３をスピンコーティング法などにより形成する。つぎに
ストライプ状の色変換フィルタ１０２の上部に位置する
ように同じくストライプ状に陽極１０４（ＩＴＯ（イン
ジウムチンオキサイド）などの透明電極）を形成する。
【０００６】つぎに、有機ＥＬ発光層１０５が形成され
る。この形成方法は有機ＥＬ材料が低分子の材料である
か高分子の材料であるかによって異なるが、真空加熱蒸
着法やディップコーティング法やスピンコーティング法
などによって形成することができる。有機ＥＬ発光層１
０５は、通常１種または複数種の有機発光材料（主成分
である有機発光材料のほかに正孔輸送材料および電子注
入材料のうちの少なくとも一方が単体で、または混合さ
れて含まれる。）により構成される。有機ＥＬ発光層１
０５のつぎに、陰極１０６となる、その仕事関数の低い
金属電極が形成される。この金属電極は、蒸着法やスパ
ッタリング法などの方法で形成される。なお、陽極１０
４、有機ＥＬ発光層１０５および陰極１０６のそれぞれ
はたとえば数十ｎｍ〜数μｍの厚さで形成されている。
る。この形成方法は有機ＥＬ材料が低分子の材料である
か高分子の材料であるかによって異なるが、真空加熱蒸
着法やディップコーティング法やスピンコーティング法
などによって形成することができる。有機ＥＬ発光層１
０５は、通常１種または複数種の有機発光材料（主成分
である有機発光材料のほかに正孔輸送材料および電子注
入材料のうちの少なくとも一方が単体で、または混合さ
れて含まれる。）により構成される。有機ＥＬ発光層１
０５のつぎに、陰極１０６となる、その仕事関数の低い
金属電極が形成される。この金属電極は、蒸着法やスパ
ッタリング法などの方法で形成される。なお、陽極１０
４、有機ＥＬ発光層１０５および陰極１０６のそれぞれ
はたとえば数十ｎｍ〜数μｍの厚さで形成されている。
【０００７】最後に、背面基板１０７が順に貼り合わさ
れて密封される。ここで背面基板１０７と陰極１０６の
あいだに、表示部分を外気と遮断するための封止材を挟
むこともある。なお、このような構造である有機ＥＬ素
子の作製方法はとくに制限されるものではなく、成膜は
蒸着法のみによっても作製可能であるし、作製する順序
についても前述した手順とは逆に背面側からでも作製可
能である。
れて密封される。ここで背面基板１０７と陰極１０６の
あいだに、表示部分を外気と遮断するための封止材を挟
むこともある。なお、このような構造である有機ＥＬ素
子の作製方法はとくに制限されるものではなく、成膜は
蒸着法のみによっても作製可能であるし、作製する順序
についても前述した手順とは逆に背面側からでも作製可
能である。
【０００８】前述の構造を有する有機ＥＬ表示装置にお
いて、陽極１０４と任意の陰極１０６間に電圧を印加す
ることにより有機ＥＬ発光層１０５中で発光を生じ、そ
こで生じた光が陽極１０４、保護層１０３を通り、さら
に色変換フィルタ１０２を通って任意の色に変換され、
表示面側透明基板１０１を通って発光が表示される。
いて、陽極１０４と任意の陰極１０６間に電圧を印加す
ることにより有機ＥＬ発光層１０５中で発光を生じ、そ
こで生じた光が陽極１０４、保護層１０３を通り、さら
に色変換フィルタ１０２を通って任意の色に変換され、
表示面側透明基板１０１を通って発光が表示される。
【０００９】前述の有機ＥＬ素子は、フルカラー化のた
めに、有機ＥＬ発光層を波長の短い青色に発光させて、
青色はそのまま利用して表示し、より波長の長い緑色、
赤色の表示には青色の光を変換して表示するような、エ
ネルギー変換を用いて表示する方法と、有機ＥＬ発光層
を白色発光させて、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ
を使って表示する方法とがある。
めに、有機ＥＬ発光層を波長の短い青色に発光させて、
青色はそのまま利用して表示し、より波長の長い緑色、
赤色の表示には青色の光を変換して表示するような、エ
ネルギー変換を用いて表示する方法と、有機ＥＬ発光層
を白色発光させて、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ
を使って表示する方法とがある。
【００１０】以上のように、有機ＥＬ発光層を介して、
複数のストライプ状の陽極と複数のストライプ状の陰極
とが互いに直交するように、かつ、前記有機ＥＬ発光層
を介して両電極が交差してなる複数の領域の配置の仕方
がマトリックス状となるように前記陽極と前記陰極とを
配置する。かかるマトリックス状の配置において、その
ストライプ状の陰極とストライプ状の陽極を個々に操作
して順次映像信号を入力することにより、順次発光さ
せ、映像を映し出す。このように、陰極がストライプ状
に分離されてストライプ状の陰極として個々に独立に電
圧が印加されうる状態に形成されることを陰極分離とい
う。
複数のストライプ状の陽極と複数のストライプ状の陰極
とが互いに直交するように、かつ、前記有機ＥＬ発光層
を介して両電極が交差してなる複数の領域の配置の仕方
がマトリックス状となるように前記陽極と前記陰極とを
配置する。かかるマトリックス状の配置において、その
ストライプ状の陰極とストライプ状の陽極を個々に操作
して順次映像信号を入力することにより、順次発光さ
せ、映像を映し出す。このように、陰極がストライプ状
に分離されてストライプ状の陰極として個々に独立に電
圧が印加されうる状態に形成されることを陰極分離とい
う。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前述のように表示面側
透明基板の側から有機ＥＬ表示装置を形成する際に、マ
トリックス状の陰極を形成するには、陽極は保護層上に
蒸着法またはスパッタリング法で形成されたのちに写真
製版技術を用いて容易に加工することができる。しか
し、有機ＥＬ発光層上に形成された陰極を通常の写真製
版技術を用いて直接加工することはできない。なぜな
ら、有機ＥＬ発光層は水にさらすことによって発光特性
が劣化し、有機溶媒たとえばフォトレジストやその現像
液に溶け、さらに温度上昇により発光特性が劣化するか
らである。
透明基板の側から有機ＥＬ表示装置を形成する際に、マ
トリックス状の陰極を形成するには、陽極は保護層上に
蒸着法またはスパッタリング法で形成されたのちに写真
製版技術を用いて容易に加工することができる。しか
し、有機ＥＬ発光層上に形成された陰極を通常の写真製
版技術を用いて直接加工することはできない。なぜな
ら、有機ＥＬ発光層は水にさらすことによって発光特性
が劣化し、有機溶媒たとえばフォトレジストやその現像
液に溶け、さらに温度上昇により発光特性が劣化するか
らである。
【００１２】かかる発光特性の劣化を防ぐためには、有
機ＥＬ発光層および陰極を形成したのちは陰極を水や有
機溶媒にさらさないことが必要となる。その理由を、図
１３を参照しつつ説明する。
機ＥＬ発光層および陰極を形成したのちは陰極を水や有
機溶媒にさらさないことが必要となる。その理由を、図
１３を参照しつつ説明する。
【００１３】図１３（ａ）は、従来の有機ＥＬディスプ
レイにおいて、陽極まで形成された状態を示す平面説明
図であり、図１３（ｂ）は、陰極を蒸着する際に用いる
マスクの例を示す平面説明図である。図１３において、
１２０は陽極、１２１は基板、１２２はマスクを示して
いる。たとえば図１３（ａ）に示すように、陽極１２０
まで形成した基板１２１上に図１３（ｂ）に示す形状
の、成膜したい部分のみ穴をあけたマスク１２２を任意
の位置に密着させて有機ＥＬ発光層および陰極を成膜
し、成膜完了後にマスクを取り去ることで陰極を形成す
る方法が考えられる。しかし、このような方法では、成
膜領域が狭いばあいは容易に陰極を作成できるが、成膜
領域を広く、かつ成膜幅および間隔を狭くすると、マス
クの加工精度およびマスクと基板との位置合わせの困難
さにより、たとえば表示部分が１０ｃｍ角で１画素が３
００μｍ角のフルカラーディスプレイを制御性よく作る
のは非常に難しい。従来の技術によれば１画素が１ｍｍ
角以上で画素間ピッチが１ｍｍ程度が限界である。
レイにおいて、陽極まで形成された状態を示す平面説明
図であり、図１３（ｂ）は、陰極を蒸着する際に用いる
マスクの例を示す平面説明図である。図１３において、
１２０は陽極、１２１は基板、１２２はマスクを示して
いる。たとえば図１３（ａ）に示すように、陽極１２０
まで形成した基板１２１上に図１３（ｂ）に示す形状
の、成膜したい部分のみ穴をあけたマスク１２２を任意
の位置に密着させて有機ＥＬ発光層および陰極を成膜
し、成膜完了後にマスクを取り去ることで陰極を形成す
る方法が考えられる。しかし、このような方法では、成
膜領域が狭いばあいは容易に陰極を作成できるが、成膜
領域を広く、かつ成膜幅および間隔を狭くすると、マス
クの加工精度およびマスクと基板との位置合わせの困難
さにより、たとえば表示部分が１０ｃｍ角で１画素が３
００μｍ角のフルカラーディスプレイを制御性よく作る
のは非常に難しい。従来の技術によれば１画素が１ｍｍ
角以上で画素間ピッチが１ｍｍ程度が限界である。
【００１４】陰極を形成するその他の方法を図１４を参
照しつつ説明する。図１４は、従来の有機ＥＬディスプ
レイにおいて陰極分離部を形成したばあいを示す断面説
明図である。図１４において、１０は保護層、１１は陽
極、１２は有機ＥＬ発光層、１３は陰極、１４は陰極分
離部、４０は色変換フィルタ、４１は基板、４２はブラ
ックマトリックスを示している。図１４の断面説明図に
示すように、陽極１１の形成後に、陰極を成膜したくな
い領域に陽極と垂直な方向に陰極分離部１４を形成し、
そののちに有機ＥＬ発光層１２および陰極１３を形成す
ることによって陰極分離をすることが考えられるが、陰
極分離部１４の形状が長方形状または台形状であるばあ
いは、陰極が陰極分離部を介して分離されないので電気
的に短縮するという問題がある。その他に、陰極分離部
が水分や遊離性の有機成分を含むばあいは、表示部分を
外気から遮断しておいたとしても封止したのちに陰極分
離部から水分や有機成分が放出されて有機ＥＬ発光層が
変質し、発光特性が劣化するという問題がある。
照しつつ説明する。図１４は、従来の有機ＥＬディスプ
レイにおいて陰極分離部を形成したばあいを示す断面説
明図である。図１４において、１０は保護層、１１は陽
極、１２は有機ＥＬ発光層、１３は陰極、１４は陰極分
離部、４０は色変換フィルタ、４１は基板、４２はブラ
ックマトリックスを示している。図１４の断面説明図に
示すように、陽極１１の形成後に、陰極を成膜したくな
い領域に陽極と垂直な方向に陰極分離部１４を形成し、
そののちに有機ＥＬ発光層１２および陰極１３を形成す
ることによって陰極分離をすることが考えられるが、陰
極分離部１４の形状が長方形状または台形状であるばあ
いは、陰極が陰極分離部を介して分離されないので電気
的に短縮するという問題がある。その他に、陰極分離部
が水分や遊離性の有機成分を含むばあいは、表示部分を
外気から遮断しておいたとしても封止したのちに陰極分
離部から水分や有機成分が放出されて有機ＥＬ発光層が
変質し、発光特性が劣化するという問題がある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前述のような問題を解決
するために本発明においては、陰極および有機ＥＬ発光
層を形成する前に、無機材料からなる陰極分離部を任意
の形状に形成し、そののち有機ＥＬ発光層および陰極を
蒸着法などにより成膜する。本発明によれば、有機ＥＬ
発光層を水や有機溶媒にさらすことなく陰極を容易に形
成することができる。また陰極形成後すぐに有機ＥＬ発
光層部分の封止を行うことで有機ＥＬ発光層が水、有機
溶媒、外気等にさらされなくなり、有機ＥＬ発光層を大
気中に放置することによる発光特性の劣化を防ぐことが
容易となる。
するために本発明においては、陰極および有機ＥＬ発光
層を形成する前に、無機材料からなる陰極分離部を任意
の形状に形成し、そののち有機ＥＬ発光層および陰極を
蒸着法などにより成膜する。本発明によれば、有機ＥＬ
発光層を水や有機溶媒にさらすことなく陰極を容易に形
成することができる。また陰極形成後すぐに有機ＥＬ発
光層部分の封止を行うことで有機ＥＬ発光層が水、有機
溶媒、外気等にさらされなくなり、有機ＥＬ発光層を大
気中に放置することによる発光特性の劣化を防ぐことが
容易となる。
【００１６】このために、本発明の有機エレクトロルミ
ネッセンス表示装置は、基板上に陽極が形成され、該陽
極上に、陰極分離部の下層が陰極分離部の上層より内側
にくびれたひさし型の形状をした２層構造の絶縁体から
なる陰極分離部が形成され、該陰極分離部が形成された
のちに有機エレクトロルミネッセンス発光層と陰極が形
成されて陰極分離されてなることを特徴とする。
ネッセンス表示装置は、基板上に陽極が形成され、該陽
極上に、陰極分離部の下層が陰極分離部の上層より内側
にくびれたひさし型の形状をした２層構造の絶縁体から
なる陰極分離部が形成され、該陰極分離部が形成された
のちに有機エレクトロルミネッセンス発光層と陰極が形
成されて陰極分離されてなることを特徴とする。
【００１７】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置は、基板上に陽極が形成され、該陽極上
に、陰極分離部の中間層が陰極分離部の上層より内側に
くびれたひさし型の形状をした３層構造の絶縁体からな
る陰極分離部が形成され、該陰極分離部が形成されたの
ちに有機エレクトロルミネッセンス発光層と陰極が形成
されて陰極分離されてなることを特徴とする。
ンス表示装置は、基板上に陽極が形成され、該陽極上
に、陰極分離部の中間層が陰極分離部の上層より内側に
くびれたひさし型の形状をした３層構造の絶縁体からな
る陰極分離部が形成され、該陰極分離部が形成されたの
ちに有機エレクトロルミネッセンス発光層と陰極が形成
されて陰極分離されてなることを特徴とする。
【００１８】前記陰極分離部が無機材料の絶縁体からな
ることが、隣りあう陰極を容易に電気的に分離すること
および有機ＥＬ発光層を水分などによる劣化から防ぐこ
との観点から好ましい。
ることが、隣りあう陰極を容易に電気的に分離すること
および有機ＥＬ発光層を水分などによる劣化から防ぐこ
との観点から好ましい。
【００１９】前記絶縁体がＳｉＯ2およびＳｉＮのうち
のいずれか、またはその両方からなることが加工時の形
状制御性の観点から好ましい。
のいずれか、またはその両方からなることが加工時の形
状制御性の観点から好ましい。
【００２０】前記有機エレクトロルミネッセンス発光層
および前記陰極が蒸着によって形成されており、当該蒸
着の際に、前記陰極分離部の下層の膜厚を、前記陰極の
膜厚と前記有機エレクトロルミネッセンス発光層の膜厚
との和よりも厚くするとともに前記陰極分離部のくびれ
量が、前記陰極の膜厚と前記有機エレクトロルミネッセ
ンス発光層の膜厚の和を、前記陰極分離部下層の側面が
前記基板と成す角の正弦値で除した値よりも大きくなる
ように前記陰極分離部が形成されてなることが、容易か
つ確実に陰極分離を行う観点から好ましい。
および前記陰極が蒸着によって形成されており、当該蒸
着の際に、前記陰極分離部の下層の膜厚を、前記陰極の
膜厚と前記有機エレクトロルミネッセンス発光層の膜厚
との和よりも厚くするとともに前記陰極分離部のくびれ
量が、前記陰極の膜厚と前記有機エレクトロルミネッセ
ンス発光層の膜厚の和を、前記陰極分離部下層の側面が
前記基板と成す角の正弦値で除した値よりも大きくなる
ように前記陰極分離部が形成されてなることが、容易か
つ確実に陰極分離を行う観点から好ましい。
【００２１】前記有機エレクトロルミネッセンス発光層
および前記陰極が蒸着によって形成されており、当該蒸
着の際に、前記陰極分離部の下層の膜厚と前記陰極分離
部の中間層の膜厚の和を、前記陰極の膜厚と前記有機エ
レクトロルミネッセンス発光層の膜厚との和よりも厚く
するとともに前記陰極分離部のくびれ量が、前記陰極の
膜厚と前記有機エレクトロルミネッセンス発光層の膜厚
の和を、前記陰極分離部中間層の側面が前記基板と成す
角の正弦値で除した値よりも大きくなるように前記陰極
分離部が形成されてなることが、容易かつ確実に陰極分
離を行う観点から好ましい。
および前記陰極が蒸着によって形成されており、当該蒸
着の際に、前記陰極分離部の下層の膜厚と前記陰極分離
部の中間層の膜厚の和を、前記陰極の膜厚と前記有機エ
レクトロルミネッセンス発光層の膜厚との和よりも厚く
するとともに前記陰極分離部のくびれ量が、前記陰極の
膜厚と前記有機エレクトロルミネッセンス発光層の膜厚
の和を、前記陰極分離部中間層の側面が前記基板と成す
角の正弦値で除した値よりも大きくなるように前記陰極
分離部が形成されてなることが、容易かつ確実に陰極分
離を行う観点から好ましい。
【００２２】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置の陰極分離部の製法は、（ａ）前記陽極形
成後に前記陰極分離部を成膜する第１のステップ、
（ｂ）写真製版によりレジストマスクを形成する第２の
ステップ、（ｃ）ドライエッチングおよびウェットエッ
チングの組み合せにより前記陰極分離部を所定の形状に
加工する第３のステップ、（ｄ）レジストを除去して前
記陰極分離部を完成させる第４のステップ、および
（ｅ）前記陰極分離部を形成したのちに前記有機エレク
トロルミネッセンス発光層および陰極を形成する第５の
ステップからなることを特徴とする。
ンス表示装置の陰極分離部の製法は、（ａ）前記陽極形
成後に前記陰極分離部を成膜する第１のステップ、
（ｂ）写真製版によりレジストマスクを形成する第２の
ステップ、（ｃ）ドライエッチングおよびウェットエッ
チングの組み合せにより前記陰極分離部を所定の形状に
加工する第３のステップ、（ｄ）レジストを除去して前
記陰極分離部を完成させる第４のステップ、および
（ｅ）前記陰極分離部を形成したのちに前記有機エレク
トロルミネッセンス発光層および陰極を形成する第５の
ステップからなることを特徴とする。
【００２３】前記有機エレクトロルミネッセンス発光層
および前記陰極が蒸着法によって形成されることが、材
料の選択肢が広いので、高い発光効率を有する有機ＥＬ
素子を容易に形成するという観点から好ましい。
および前記陰極が蒸着法によって形成されることが、材
料の選択肢が広いので、高い発光効率を有する有機ＥＬ
素子を容易に形成するという観点から好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、添付図を参照しつつ本発明
の有機ＥＬ表示装置およびその製法について、さらに詳
細に説明する。
の有機ＥＬ表示装置およびその製法について、さらに詳
細に説明する。
【００２５】実施の形態１．図１は、実施の形態１にお
ける陰極分離部を用いた有機ＥＬディスプレイの要部を
示す断面説明図である。図１において、１０は保護層、
１１は陽極、１２は有機ＥＬ発光層、１３は陰極、１４
は陰極分離部、４０は色変換フィルタ、４１は基板、４
２はブラックマトリックスを示している。陽極１１は、
図中横方向にストライプ状の配線が互いに並列に複数本
（図１では１本のみ示す）形成されている。陰極分離部
１４は、陽極１１に対して垂直な方向（紙面に垂直な方
向）で、かつそれぞれの色変換フィルタ４０のあいだに
形成される。陰極分離部１４を形成したあとに有機ＥＬ
発光層１２が形成され、さらに、ストライプ状の陰極１
３が互いに並列に複数本形成される。陰極１３は、陰極
分離部１４を介して横方向には電気的に分離されている
ので、陽極１１と任意の陰極１３間に電圧を印加する
と、電圧が印加された部分の画素のみで有機ＥＬ発光層
１２中で発光を生じる。そこで生じた光は、図１中の矢
印で示したように陽極１１、保護層１０を通り、色変換
フィルタ４０を通して任意の色に変換され、基板４１を
通って発光する。
ける陰極分離部を用いた有機ＥＬディスプレイの要部を
示す断面説明図である。図１において、１０は保護層、
１１は陽極、１２は有機ＥＬ発光層、１３は陰極、１４
は陰極分離部、４０は色変換フィルタ、４１は基板、４
２はブラックマトリックスを示している。陽極１１は、
図中横方向にストライプ状の配線が互いに並列に複数本
（図１では１本のみ示す）形成されている。陰極分離部
１４は、陽極１１に対して垂直な方向（紙面に垂直な方
向）で、かつそれぞれの色変換フィルタ４０のあいだに
形成される。陰極分離部１４を形成したあとに有機ＥＬ
発光層１２が形成され、さらに、ストライプ状の陰極１
３が互いに並列に複数本形成される。陰極１３は、陰極
分離部１４を介して横方向には電気的に分離されている
ので、陽極１１と任意の陰極１３間に電圧を印加する
と、電圧が印加された部分の画素のみで有機ＥＬ発光層
１２中で発光を生じる。そこで生じた光は、図１中の矢
印で示したように陽極１１、保護層１０を通り、色変換
フィルタ４０を通して任意の色に変換され、基板４１を
通って発光する。
【００２６】このとき、陰極分離部１４の材料が水分や
遊離性の有機成分を含むばあいには有機ＥＬ発光層１２
が水分および遊離性の有機成分を吸収して変質するの
で、発光特性の劣化を生じる。そこで、陰極分離部１４
を、水を放出しにくく、かつ遊離性の有機成分を含まな
い無機材料にすることにより、陰極分離部１４が原因と
なる特性劣化を防ぐことができる。
遊離性の有機成分を含むばあいには有機ＥＬ発光層１２
が水分および遊離性の有機成分を吸収して変質するの
で、発光特性の劣化を生じる。そこで、陰極分離部１４
を、水を放出しにくく、かつ遊離性の有機成分を含まな
い無機材料にすることにより、陰極分離部１４が原因と
なる特性劣化を防ぐことができる。
【００２７】なお、前記有機ＥＬディスプレイは、図１
に示した前述の要部の他に、たとえば陰極電圧印加端
子、該陰極電圧印加端子と画素部（前記画素が２次元配
列されている領域）の陰極をつなぐための陰極配線、陽
極電圧印加端子および該陽極電圧印加端子と画素部の陽
極をつなぐための陽極配線などから構成される。さら
に、有機ＥＬ表示装置は、前記有機ＥＬディスプレイの
他に、たとえば、任意の画像を表示させるための駆動回
路、該駆動回路を動作させるための電源、前記駆動回路
と前記陽極電圧印加端子をつなぐための配線、および前
記駆動回路と前記陰極電圧印加端子をつなぐための配線
などから構成される。
に示した前述の要部の他に、たとえば陰極電圧印加端
子、該陰極電圧印加端子と画素部（前記画素が２次元配
列されている領域）の陰極をつなぐための陰極配線、陽
極電圧印加端子および該陽極電圧印加端子と画素部の陽
極をつなぐための陽極配線などから構成される。さら
に、有機ＥＬ表示装置は、前記有機ＥＬディスプレイの
他に、たとえば、任意の画像を表示させるための駆動回
路、該駆動回路を動作させるための電源、前記駆動回路
と前記陽極電圧印加端子をつなぐための配線、および前
記駆動回路と前記陰極電圧印加端子をつなぐための配線
などから構成される。
【００２８】実施の形態２．図２は、実施の形態２にお
ける２層構造の陰極分離部１４の形状の断面説明図であ
る。図２に示した符号のうち、１４ａは陰極分離部下層
（陰極分離部の下層）、１４ｂは陰極分離部上層（陰極
分離部の上層）を示しており、その他、図１に示した符
号と同一の符号は同一の要素を示している。なお、保護
層以下の構造は省略されている。陰極分離部下層１４ａ
および陰極分離部１４ｂからなる陰極分離部１４は２層
型の形状すなわち、陰極分離部下層１４ａが陰極分離部
上層１４ｂよりもくびれたひさし型形状となっている。
このような形状にすることにより、陰極分離部１４上に
陰極を形成した際に、陰極分離部１４によってその左右
の陰極を確実に分離することができるので、陰極分離部
１４のある部分の発光膜は発光することがない。したが
って、隣り合った発光領域を電気的に分離して形成する
ことができる。これにより画素分離を行うことができ
る。
ける２層構造の陰極分離部１４の形状の断面説明図であ
る。図２に示した符号のうち、１４ａは陰極分離部下層
（陰極分離部の下層）、１４ｂは陰極分離部上層（陰極
分離部の上層）を示しており、その他、図１に示した符
号と同一の符号は同一の要素を示している。なお、保護
層以下の構造は省略されている。陰極分離部下層１４ａ
および陰極分離部１４ｂからなる陰極分離部１４は２層
型の形状すなわち、陰極分離部下層１４ａが陰極分離部
上層１４ｂよりもくびれたひさし型形状となっている。
このような形状にすることにより、陰極分離部１４上に
陰極を形成した際に、陰極分離部１４によってその左右
の陰極を確実に分離することができるので、陰極分離部
１４のある部分の発光膜は発光することがない。したが
って、隣り合った発光領域を電気的に分離して形成する
ことができる。これにより画素分離を行うことができ
る。
【００２９】実施の形態３．図３は、実施の形態３にお
ける３層構造の陰極分離部１４の形状の断面説明図であ
る。図３に示した符号のうち、１４ｃは陰極分離部中間
層（陰極分離部の中間層）を示しており、その他、図１
および図２に示した符号と同一の符号は同一の要素を示
している。なお、保護層以下の構造は省略されている。
陰極分離部下層１４ａ、陰極分離部上層１４ｂおよび陰
極分離部中間層１４ｃからなる陰極分離部１４は３層型
の形状すなわち、陰極分離部中間層１４ｃが陰極分離部
上層１４ｂおよび陰極分離部下層１４ａよりもくびれた
ひさし型形状となっている。実施の形態２のばあいと同
様に、陰極分離部１４上に陰極を形成した際に、陰極分
離部１４によってその左右の陰極を確実に分離すること
ができるので、陰極分離部１４のある部分の発光膜は発
光することがない。したがって、隣り合った発光領域が
電気的に分離された状態で形成することができる。これ
により画素分離を行うことができる。
ける３層構造の陰極分離部１４の形状の断面説明図であ
る。図３に示した符号のうち、１４ｃは陰極分離部中間
層（陰極分離部の中間層）を示しており、その他、図１
および図２に示した符号と同一の符号は同一の要素を示
している。なお、保護層以下の構造は省略されている。
陰極分離部下層１４ａ、陰極分離部上層１４ｂおよび陰
極分離部中間層１４ｃからなる陰極分離部１４は３層型
の形状すなわち、陰極分離部中間層１４ｃが陰極分離部
上層１４ｂおよび陰極分離部下層１４ａよりもくびれた
ひさし型形状となっている。実施の形態２のばあいと同
様に、陰極分離部１４上に陰極を形成した際に、陰極分
離部１４によってその左右の陰極を確実に分離すること
ができるので、陰極分離部１４のある部分の発光膜は発
光することがない。したがって、隣り合った発光領域が
電気的に分離された状態で形成することができる。これ
により画素分離を行うことができる。
【００３０】実施の形態４．図４は、実施の形態４にお
ける蒸着装置内での陰極成膜のようすを示す模式図であ
る。図４において、１２は有機ＥＬ発光層、１４は陰極
分離部、２０は陰極蒸着源、２１は蒸着装置を示してい
る。図４において、蒸着装置２１内で、陰極を形成する
材料の粒子が陰極蒸着源２０から矢印に示すような向き
に蒸着ビームとして放出され、陰極分離部１４および有
機ＥＬ発光層１２が形成された基板上にそれぞれ陰極と
して付着する様子を示している。基板および陰極蒸着源
２０のあいだは有限の距離をなしており、かつ、それぞ
れが有限の大きさをもつので基板上の陰極分離部１４と
陰極蒸着源２０は、ある有限の角度をなし、さらにその
角度は基板上の位置により大きさが異なる。そのため、
基板上の位置の違いにより陰極分離部への陰極の付着の
仕方が異なる。基板に垂直な方向と陰極蒸着源２０から
発せられる蒸着ビームとのなす入射角度の最大の値をθ
とする。
ける蒸着装置内での陰極成膜のようすを示す模式図であ
る。図４において、１２は有機ＥＬ発光層、１４は陰極
分離部、２０は陰極蒸着源、２１は蒸着装置を示してい
る。図４において、蒸着装置２１内で、陰極を形成する
材料の粒子が陰極蒸着源２０から矢印に示すような向き
に蒸着ビームとして放出され、陰極分離部１４および有
機ＥＬ発光層１２が形成された基板上にそれぞれ陰極と
して付着する様子を示している。基板および陰極蒸着源
２０のあいだは有限の距離をなしており、かつ、それぞ
れが有限の大きさをもつので基板上の陰極分離部１４と
陰極蒸着源２０は、ある有限の角度をなし、さらにその
角度は基板上の位置により大きさが異なる。そのため、
基板上の位置の違いにより陰極分離部への陰極の付着の
仕方が異なる。基板に垂直な方向と陰極蒸着源２０から
発せられる蒸着ビームとのなす入射角度の最大の値をθ
とする。
【００３１】図５は、本発明の２層構造の陰極分離部の
形状の定義を詳細に示す断面説明図である。図５に示し
た符号のうち、１４ａは陰極分離部下層、１４ｂは陰極
分離部上層を示しており、その他の符号は、図１〜４に
示した符号と同一の符号は同一の要素を示している。図
５（ａ）に陰極分離部１４が２層構造のばあいの陰極と
なる膜の付着後の形状、図５（ｂ）に陰極分離部１４へ
の陰極を形成する材料の粒子の付着状態がそれぞれ示さ
れている。また、図５（ｂ）において実線矢印が、陰極
を形成する蒸着ビームの入射方向を示している。
形状の定義を詳細に示す断面説明図である。図５に示し
た符号のうち、１４ａは陰極分離部下層、１４ｂは陰極
分離部上層を示しており、その他の符号は、図１〜４に
示した符号と同一の符号は同一の要素を示している。図
５（ａ）に陰極分離部１４が２層構造のばあいの陰極と
なる膜の付着後の形状、図５（ｂ）に陰極分離部１４へ
の陰極を形成する材料の粒子の付着状態がそれぞれ示さ
れている。また、図５（ｂ）において実線矢印が、陰極
を形成する蒸着ビームの入射方向を示している。
【００３２】陰極１３が陰極分離部１４（１４ａおよび
１４ｂ）を介して左右の陰極と電気的に分離されるため
には、陰極分離部上層１４ｂに付着した陰極と、陰極分
離部下層１４ａおよび陽極１２に付着している陰極とが
つながらないようにする必要がある（図５（ａ）参
照）。
１４ｂ）を介して左右の陰極と電気的に分離されるため
には、陰極分離部上層１４ｂに付着した陰極と、陰極分
離部下層１４ａおよび陽極１２に付着している陰極とが
つながらないようにする必要がある（図５（ａ）参
照）。
【００３３】まず、陰極分離部上層１４ｂに付着した陰
極と陽極１２に付着している陰極が付着しない条件を考
えると、陰極分離部下層１４ａの膜厚ｘを、陰極の膜厚
ｙと有機ＥＬ発光層の膜厚ｚの和ｙ＋ｚよりも大きく ｘ＞ｙ＋ｚ とすれば、図５（ｂ）の点Ｓに付着する陰極分離部上層
１４ｂの側面に付着した陰極と陽極１２上の点Ｐに付着
した陰極が接触することはないので、陰極の分離ができ
る。つぎに横方向への付着の仕方を考える。図５（ｂ）
には陰極分離部下層１４ａの側面すなわち陰極分離部下
層のスロープの部分に入射角θで蒸着膜が付着する最も
極端な例を示す。陰極を形成するための蒸着ビームが横
方向へはθの角度で入射して入射粒子の回り込みはない
とすると、点Ｐには陰極は付着し、点Ｒには付着しな
い。点Ｑにおいて、入射粒子が付着する部分と付着しな
い部分とが分かれるので、点Ｑから点Ｒまでの領域には
陰極は付着しない。ここで、陰極分離部下層１４ａのく
びれ量ｍを、陰極の膜厚ｙと有機ＥＬ発光層の膜厚ｚの
和ｙ＋ｚを、陰極分離部下層の側面（スロープ）が基板
と成す角φの正弦値ｓｉｎφで除した商（ｙ＋ｚ）／ｓ
ｉｎφよりも大きく
極と陽極１２に付着している陰極が付着しない条件を考
えると、陰極分離部下層１４ａの膜厚ｘを、陰極の膜厚
ｙと有機ＥＬ発光層の膜厚ｚの和ｙ＋ｚよりも大きく ｘ＞ｙ＋ｚ とすれば、図５（ｂ）の点Ｓに付着する陰極分離部上層
１４ｂの側面に付着した陰極と陽極１２上の点Ｐに付着
した陰極が接触することはないので、陰極の分離ができ
る。つぎに横方向への付着の仕方を考える。図５（ｂ）
には陰極分離部下層１４ａの側面すなわち陰極分離部下
層のスロープの部分に入射角θで蒸着膜が付着する最も
極端な例を示す。陰極を形成するための蒸着ビームが横
方向へはθの角度で入射して入射粒子の回り込みはない
とすると、点Ｐには陰極は付着し、点Ｒには付着しな
い。点Ｑにおいて、入射粒子が付着する部分と付着しな
い部分とが分かれるので、点Ｑから点Ｒまでの領域には
陰極は付着しない。ここで、陰極分離部下層１４ａのく
びれ量ｍを、陰極の膜厚ｙと有機ＥＬ発光層の膜厚ｚの
和ｙ＋ｚを、陰極分離部下層の側面（スロープ）が基板
と成す角φの正弦値ｓｉｎφで除した商（ｙ＋ｚ）／ｓ
ｉｎφよりも大きく
【００３４】
【数１】
【００３５】とすれば、陰極を形成するための入射粒子
が陰極分離部のくびれ部分に付着しない領域が必ずでき
るので、陰極分離を確実に行うことができる。
が陰極分離部のくびれ部分に付着しない領域が必ずでき
るので、陰極分離を確実に行うことができる。
【００３６】最後に陰極分離部下層１４ａに付着する陰
極と陰極分離部上層１４ｂに付着する膜が接触しない条
件について考える。図５（ｂ）中で陰極分離部上層１４
ｂの下端ぎりぎりの点Ｓを通って陰極分離部下層１４ａ
の点Ｑに付着するばあい、点Ｑに付着する蒸着膜が点Ｓ
まで達すると隣り合う陰極が電気的に接触するので陰極
分離ができなくなることが考えられる。そこで、点Ｓと
陰極分離部下層１４ａとの距離をｎと置くと、陰極分離
が確実に行えるようにするにはｎ＞ｙ＋ｚを満たすこと
が必要である。ここで、陰極分離部下層１４ａの側面
（スロープ）が基板と成す角度をφとすると、点Ｓと陰
極分離部下層１４ａとの距離ｎは、ｎ＝ｍ・ｓｉｎφで
表わされる。したがって、陰極分離部下層１４ａに付着
する膜と陰極分離部上層１４ｂに付着する膜が接触しな
いためには、陰極分離部のくびれ量ｍが、
極と陰極分離部上層１４ｂに付着する膜が接触しない条
件について考える。図５（ｂ）中で陰極分離部上層１４
ｂの下端ぎりぎりの点Ｓを通って陰極分離部下層１４ａ
の点Ｑに付着するばあい、点Ｑに付着する蒸着膜が点Ｓ
まで達すると隣り合う陰極が電気的に接触するので陰極
分離ができなくなることが考えられる。そこで、点Ｓと
陰極分離部下層１４ａとの距離をｎと置くと、陰極分離
が確実に行えるようにするにはｎ＞ｙ＋ｚを満たすこと
が必要である。ここで、陰極分離部下層１４ａの側面
（スロープ）が基板と成す角度をφとすると、点Ｓと陰
極分離部下層１４ａとの距離ｎは、ｎ＝ｍ・ｓｉｎφで
表わされる。したがって、陰極分離部下層１４ａに付着
する膜と陰極分離部上層１４ｂに付着する膜が接触しな
いためには、陰極分離部のくびれ量ｍが、
【００３７】
【数２】
【００３８】であればよい。
【００３９】実施の形態５．図６に、実施の形態５にお
ける陰極分離部を３層構造としたばあいの陰極分離部上
への陰極の付着形状を示す。図６は、本発明の３層構造
の陰極分離部の形状を定義している断面説明図である。
図６に示した符号のうち、１４ａは陰極分離部下層、１
４ｂは陰極分離部上層、１４ｃは陰極分離部中間層を示
しており、その他の符号については、図１〜５に示した
符号と同一の符号は同一の要素を示している。
ける陰極分離部を３層構造としたばあいの陰極分離部上
への陰極の付着形状を示す。図６は、本発明の３層構造
の陰極分離部の形状を定義している断面説明図である。
図６に示した符号のうち、１４ａは陰極分離部下層、１
４ｂは陰極分離部上層、１４ｃは陰極分離部中間層を示
しており、その他の符号については、図１〜５に示した
符号と同一の符号は同一の要素を示している。
【００４０】図６に示すような３層構造のばあいも２層
構造のばあいと同様に、陰極分離部下層１４ａの膜厚と
前記陰極分離部中間層１４ｃの膜厚の和ｘを、陰極１３
の膜厚ｙと有機ＥＬ発光層１２の膜厚ｚの和ｙ＋ｚより
も大きくし、かつ陰極分離部中間層１４ｃのくびれ量ｍ
を、陰極１３の膜厚ｙと有機ＥＬ発光層１２の膜厚ｚの
和ｙ＋ｚを、陰極分離部中間層１４ｃの側面（スロー
プ）が基板と成す角φの正弦値ｓｉｎφで除した商（ｙ
＋ｚ）／ｓｉｎφよりも大きな値にすれば、陰極を形成
するための入射粒子が陰極分離部１４のくびれ部分に付
着しなくなる。
構造のばあいと同様に、陰極分離部下層１４ａの膜厚と
前記陰極分離部中間層１４ｃの膜厚の和ｘを、陰極１３
の膜厚ｙと有機ＥＬ発光層１２の膜厚ｚの和ｙ＋ｚより
も大きくし、かつ陰極分離部中間層１４ｃのくびれ量ｍ
を、陰極１３の膜厚ｙと有機ＥＬ発光層１２の膜厚ｚの
和ｙ＋ｚを、陰極分離部中間層１４ｃの側面（スロー
プ）が基板と成す角φの正弦値ｓｉｎφで除した商（ｙ
＋ｚ）／ｓｉｎφよりも大きな値にすれば、陰極を形成
するための入射粒子が陰極分離部１４のくびれ部分に付
着しなくなる。
【００４１】つぎに、２層構造の陰極分離部および３層
構造の陰極分離部のそれぞれの製法について説明する。
構造の陰極分離部のそれぞれの製法について説明する。
【００４２】図７および図８は、実施の形態４における
２層構造の陰極分離部の製法を（ａ）〜（ｆ）の順に示
す断面説明図である。図７および図８に用いた符号につ
いては、図１〜６に用いた符号と同一の符号は同一の要
素を示している。図７（ａ）において陽極まで形成され
た上に陰極分離部下層１４ａ、陰極分離部上層１４ｂを
スパッタリング法や真空蒸着法などで連続形成する。図
７（ｂ）に示す工程において写真製版によりレジストマ
スク１５を形成する。図７（ｃ）に示す工程においてレ
ジストマスク１５をマスクとして陰極分離部上層１４ｂ
のマスクされていない部分をドライエッチングにより削
りとる。このとき、異方的にエッチングすれば陰極分離
部の寸法制御が容易となる。図７（ｄ）において、ドラ
イエッチングまたはウェットエッチングにより陰極分離
部下層１４ａを等方的に削りとる。このとき陰極分離部
下層１４ａ以外の材料、とくに陰極分離部上層１４ｂ、
保護層１０、陽極１１が削られないように材料およびエ
ッチング方法を決める必要がある。図８（ｅ）において
残っているレジストマスク１５を除去することで目標と
する形状がえられる。図８（ｆ）において有機ＥＬ発光
層１２と陰極１３を成膜することにより、陰極分離部を
隔てて隣り合った領域が電気的に孤立した形で形成され
る。
２層構造の陰極分離部の製法を（ａ）〜（ｆ）の順に示
す断面説明図である。図７および図８に用いた符号につ
いては、図１〜６に用いた符号と同一の符号は同一の要
素を示している。図７（ａ）において陽極まで形成され
た上に陰極分離部下層１４ａ、陰極分離部上層１４ｂを
スパッタリング法や真空蒸着法などで連続形成する。図
７（ｂ）に示す工程において写真製版によりレジストマ
スク１５を形成する。図７（ｃ）に示す工程においてレ
ジストマスク１５をマスクとして陰極分離部上層１４ｂ
のマスクされていない部分をドライエッチングにより削
りとる。このとき、異方的にエッチングすれば陰極分離
部の寸法制御が容易となる。図７（ｄ）において、ドラ
イエッチングまたはウェットエッチングにより陰極分離
部下層１４ａを等方的に削りとる。このとき陰極分離部
下層１４ａ以外の材料、とくに陰極分離部上層１４ｂ、
保護層１０、陽極１１が削られないように材料およびエ
ッチング方法を決める必要がある。図８（ｅ）において
残っているレジストマスク１５を除去することで目標と
する形状がえられる。図８（ｆ）において有機ＥＬ発光
層１２と陰極１３を成膜することにより、陰極分離部を
隔てて隣り合った領域が電気的に孤立した形で形成され
る。
【００４３】用いる材料の一例として、保護層１０を透
明絶縁膜、たとえばＳｉＯ2を用いて形成し、陰極分離
部上層１４ｂ、陰極分離部下層１４ａに無機材料の絶縁
体としてそれぞれＳｉＯ2、ＳｉＮを用い、それぞれを
ＣＨＦ3、ＳＦ6主体のガスでドライエッチングし、最後
にレジストを除去することで目標とする形状をうること
ができる。
明絶縁膜、たとえばＳｉＯ2を用いて形成し、陰極分離
部上層１４ｂ、陰極分離部下層１４ａに無機材料の絶縁
体としてそれぞれＳｉＯ2、ＳｉＮを用い、それぞれを
ＣＨＦ3、ＳＦ6主体のガスでドライエッチングし、最後
にレジストを除去することで目標とする形状をうること
ができる。
【００４４】また、保護層１０を透明絶縁膜、たとえば
ＳｉＮを用いて形成し、陰極分離部上層１４ｂ、陰極分
離部下層１４ａにそれぞれＳｉＮ、ＳｉＯ2を用い、ま
ずＳｉＮを異方的にドライエッチングで削り、つぎにＳ
ｉＯ2をフッ酸水溶液で等方的にウェットエッチング
し、最後にレジストを除去することによっても所望の形
状をうることができる。
ＳｉＮを用いて形成し、陰極分離部上層１４ｂ、陰極分
離部下層１４ａにそれぞれＳｉＮ、ＳｉＯ2を用い、ま
ずＳｉＮを異方的にドライエッチングで削り、つぎにＳ
ｉＯ2をフッ酸水溶液で等方的にウェットエッチング
し、最後にレジストを除去することによっても所望の形
状をうることができる。
【００４５】図９および図１０は、実施の形態５におけ
る３層構造の陰極分離部１４の製法を（ａ）〜（ｆ）の
順に示す断面説明図である。図９および図１０に用いた
符号については、図１〜８に用いた符号と同一の符号は
同一の要素を示している。図９（ａ）に示す工程におい
て陽極まで形成された上に陰極分離部下層１４ａ、陰極
分離部中間層１４ｃ、陰極分離部上層１４ｂをスパッタ
リング法や真空蒸着法などで連続形成する。図９（ｂ）
に示す工程において写真製版によりレジストマスク１５
を形成する。図９（ｃ）に示す工程においてレジストマ
スク１５をマスクとして陰極分離部上層１４ｂのマスク
されていない部分をドライエッチングにより削りとる。
図９（ｄ）に示した工程においてドライエッチングまた
はウェットエッチングにより陰極分離部中間層１４ｃを
等方的に削りとる。このとき陰極分離部中間層１４ｃ以
外、とくに陰極分離部上層１４ｂおよび陰極分離部下層
１４ａが削られないように材料およびエッチング方法を
決める必要がある。図１０（ｅ）において陰極分離部下
層１４ａをドライエッチングにより削りとる。図１０
（ｆ）において残っているレジストマスク１５を除去す
ることによって所望の形状がえられる。図１０（ｇ）に
おいて、有機ＥＬ発光層１２と陰極１３を成膜すること
により、陰極分離部を隔てて隣り合った領域が電気的に
孤立した形で形成される。
る３層構造の陰極分離部１４の製法を（ａ）〜（ｆ）の
順に示す断面説明図である。図９および図１０に用いた
符号については、図１〜８に用いた符号と同一の符号は
同一の要素を示している。図９（ａ）に示す工程におい
て陽極まで形成された上に陰極分離部下層１４ａ、陰極
分離部中間層１４ｃ、陰極分離部上層１４ｂをスパッタ
リング法や真空蒸着法などで連続形成する。図９（ｂ）
に示す工程において写真製版によりレジストマスク１５
を形成する。図９（ｃ）に示す工程においてレジストマ
スク１５をマスクとして陰極分離部上層１４ｂのマスク
されていない部分をドライエッチングにより削りとる。
図９（ｄ）に示した工程においてドライエッチングまた
はウェットエッチングにより陰極分離部中間層１４ｃを
等方的に削りとる。このとき陰極分離部中間層１４ｃ以
外、とくに陰極分離部上層１４ｂおよび陰極分離部下層
１４ａが削られないように材料およびエッチング方法を
決める必要がある。図１０（ｅ）において陰極分離部下
層１４ａをドライエッチングにより削りとる。図１０
（ｆ）において残っているレジストマスク１５を除去す
ることによって所望の形状がえられる。図１０（ｇ）に
おいて、有機ＥＬ発光層１２と陰極１３を成膜すること
により、陰極分離部を隔てて隣り合った領域が電気的に
孤立した形で形成される。
【００４６】このような３層構造を用いることによる利
点は、２層構造に比べて材料およびエッチング方法の選
択肢が広がることである。たとえば陰極分離部中間層１
４ｃをエッチングする際に、陰極分離部下層１４ａがエ
ッチング防止層となるので保護層１０および陽極１１が
エッチングされないこととなり、各層の材料およびエッ
チング方法の選択肢が増える。
点は、２層構造に比べて材料およびエッチング方法の選
択肢が広がることである。たとえば陰極分離部中間層１
４ｃをエッチングする際に、陰極分離部下層１４ａがエ
ッチング防止層となるので保護層１０および陽極１１が
エッチングされないこととなり、各層の材料およびエッ
チング方法の選択肢が増える。
【００４７】用いる材料の一例として、保護層１０を透
明絶縁膜たとえばＳｉＯ2を用いて形成し、陰極分離部
上層１４ｂ、陰極分離部中間層１４ｃ、陰極分離部下層
１４ａに無機材料の絶縁体としてそれぞれＳｉＮ、Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＮを用い、まず陰極分離部上層１４ｂのＳｉ
Ｎを異方的にドライエッチングし、つぎに陰極分離部中
間層１４ｃのＳｉＯ2をＨＦ水溶液で等方的にウェット
エッチングし、さらに陰極分離部下層１４ａのＳｉＮを
ドライエッチングし、最後にレジストを除去することに
よって所望の形状をうることができる。ここで、陰極分
離部中間層１４ｃのエッチングに用いるＨＦ水溶液はＳ
ｉＮをほとんどエッチングしないので陰極分離部中間層
１４ｃのエッチング量の制御を容易に行うことができ
る。
明絶縁膜たとえばＳｉＯ2を用いて形成し、陰極分離部
上層１４ｂ、陰極分離部中間層１４ｃ、陰極分離部下層
１４ａに無機材料の絶縁体としてそれぞれＳｉＮ、Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＮを用い、まず陰極分離部上層１４ｂのＳｉ
Ｎを異方的にドライエッチングし、つぎに陰極分離部中
間層１４ｃのＳｉＯ2をＨＦ水溶液で等方的にウェット
エッチングし、さらに陰極分離部下層１４ａのＳｉＮを
ドライエッチングし、最後にレジストを除去することに
よって所望の形状をうることができる。ここで、陰極分
離部中間層１４ｃのエッチングに用いるＨＦ水溶液はＳ
ｉＮをほとんどエッチングしないので陰極分離部中間層
１４ｃのエッチング量の制御を容易に行うことができ
る。
【００４８】また保護層１０を透明絶縁膜たとえばＳｉ
Ｎを用いて形成し、陰極分離部上層１４ｂ、陰極分離部
中間層１４ｃ、陰極分離部下層１４ａにそれぞれＳｉ
Ｎ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ2を用い、陰極分離部上層１４ｂの
ＳｉＮを異方的にドライエッチングで削り、つぎに陰極
分離部中間層１４ｃのＳｉＯ2を部分的にフッ酸水溶液
で等方的に陰極分離部下層１４ｃが残るようにウェット
エッチングし、残った陰極分離部下層１４ｃのＳｉＯ2
を異方的にドライエッチングし、最後にレジストを除去
することによっても所望の形状をうることができる。
Ｎを用いて形成し、陰極分離部上層１４ｂ、陰極分離部
中間層１４ｃ、陰極分離部下層１４ａにそれぞれＳｉ
Ｎ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ2を用い、陰極分離部上層１４ｂの
ＳｉＮを異方的にドライエッチングで削り、つぎに陰極
分離部中間層１４ｃのＳｉＯ2を部分的にフッ酸水溶液
で等方的に陰極分離部下層１４ｃが残るようにウェット
エッチングし、残った陰極分離部下層１４ｃのＳｉＯ2
を異方的にドライエッチングし、最後にレジストを除去
することによっても所望の形状をうることができる。
【００４９】本発明における最も好ましい実施の形態は
実施の形態５においてＳｉＯ2を用いて保護層１０を形
成した態様であり、このとき、陰極分離部下層１４ａは
材料ＳｉＮ、膜厚３０００Å、陰極分離部上層１４ｂは
材料ＳｉＮ、膜厚３０００Å、陰極分離部中間層は材料
ＳｉＯ2、膜厚１００００Å、有機ＥＬ発光層は膜厚３
０００Å、および陰極は膜厚１５００Åによって形成さ
れている。また、陰極分離部下層の側面が基板と成す角
φは４５度、くびれ量ｍは７５００Å、蒸着時点におけ
る、蒸着ビームの最大入射角θは３０度である。また、
かかる陰極分離部を形成する際のエッチング条件は、陰
極分離部上層１４ｂに対してはＳＦ6主体のガスによる
ドライエッチ、陰極分離部中間層１４ｃに対してはＨＦ
水溶液によるウェットエッチ、陰極分離部下層１４ａに
対してはＳＦ6主体のガスによるドライエッチである。
実施の形態５においてＳｉＯ2を用いて保護層１０を形
成した態様であり、このとき、陰極分離部下層１４ａは
材料ＳｉＮ、膜厚３０００Å、陰極分離部上層１４ｂは
材料ＳｉＮ、膜厚３０００Å、陰極分離部中間層は材料
ＳｉＯ2、膜厚１００００Å、有機ＥＬ発光層は膜厚３
０００Å、および陰極は膜厚１５００Åによって形成さ
れている。また、陰極分離部下層の側面が基板と成す角
φは４５度、くびれ量ｍは７５００Å、蒸着時点におけ
る、蒸着ビームの最大入射角θは３０度である。また、
かかる陰極分離部を形成する際のエッチング条件は、陰
極分離部上層１４ｂに対してはＳＦ6主体のガスによる
ドライエッチ、陰極分離部中間層１４ｃに対してはＨＦ
水溶液によるウェットエッチ、陰極分離部下層１４ａに
対してはＳＦ6主体のガスによるドライエッチである。
【００５０】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、基板上に陽極が形成され、該陽極上に、陰極分離部
の下層が陰極分離部の上層より内側にくびれたひさし型
の形状をした２層構造の絶縁体からなる陰極分離部が形
成され、陰極分離部が形成されたのちに有機ＥＬ発光層
と陰極が形成されて陰極分離されるので、有機ＥＬ発光
層を水などにさらすことなく陰極加工をすることがで
き、容易に有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）
表示装置を作成することができる。
ば、基板上に陽極が形成され、該陽極上に、陰極分離部
の下層が陰極分離部の上層より内側にくびれたひさし型
の形状をした２層構造の絶縁体からなる陰極分離部が形
成され、陰極分離部が形成されたのちに有機ＥＬ発光層
と陰極が形成されて陰極分離されるので、有機ＥＬ発光
層を水などにさらすことなく陰極加工をすることがで
き、容易に有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）
表示装置を作成することができる。
【００５１】請求項２の発明によれば、陰極分離部が３
層構造であり、陰極分離部の形状が、陰極分離部の中間
層が陰極分離部の上層よりも内側にくびれたひさし型に
されているので、陰極分離が容易となり、容易に有機Ｅ
Ｌ表示装置を作成することができる。
層構造であり、陰極分離部の形状が、陰極分離部の中間
層が陰極分離部の上層よりも内側にくびれたひさし型に
されているので、陰極分離が容易となり、容易に有機Ｅ
Ｌ表示装置を作成することができる。
【００５２】請求項３の発明によれば、陰極分離部が無
機材料の絶縁体からなるので、隣りあう陰極を電気的に
分離することおよび有機ＥＬ発光層を水分などによる劣
化から防ぐことができる。
機材料の絶縁体からなるので、隣りあう陰極を電気的に
分離することおよび有機ＥＬ発光層を水分などによる劣
化から防ぐことができる。
【００５３】請求項４の発明によれば、絶縁体がＳｉＯ
2およびＳｉＮのうちのいずれか、またはその両方から
なるので、加工時の形状制御性よく陰極分離部を作成す
ることができる。
2およびＳｉＮのうちのいずれか、またはその両方から
なるので、加工時の形状制御性よく陰極分離部を作成す
ることができる。
【００５４】請求項５の発明によれば、２層構造からな
る陰極分離部の形状について、陰極分離部の下層の膜厚
を、陰極の膜厚と有機ＥＬ発光層の膜厚の和よりも厚く
するとともに、陰極分離部のくびれ量が、前記陰極の膜
厚と前記有機エレクトロルミネッセンス発光層の膜厚の
和を、前記陰極分離部下層の側面が前記基板と成す角の
正弦値で除した値よりも大きくなるようにしたことの２
点を規定したので、陰極分離を確実に行うことができ
る。
る陰極分離部の形状について、陰極分離部の下層の膜厚
を、陰極の膜厚と有機ＥＬ発光層の膜厚の和よりも厚く
するとともに、陰極分離部のくびれ量が、前記陰極の膜
厚と前記有機エレクトロルミネッセンス発光層の膜厚の
和を、前記陰極分離部下層の側面が前記基板と成す角の
正弦値で除した値よりも大きくなるようにしたことの２
点を規定したので、陰極分離を確実に行うことができ
る。
【００５５】請求項６の発明によれば、３層構造からな
る陰極分離部の形状について、陰極分離部の下層の膜厚
と前記陰極分離部の中間層の膜厚の和を陰極の膜厚と有
機ＥＬ発光層の膜厚の和よりも厚くするとともに、陰極
分離部のくびれ量が、前記陰極の膜厚と前記有機エレク
トロルミネッセンス発光層の膜厚の和を、前記陰極分離
部中間層の側面が前記基板と成す角の正弦値で除した値
よりも大きくなるようにしたことの２点を規定したの
で、陰極分離を確実に行うことができる。
る陰極分離部の形状について、陰極分離部の下層の膜厚
と前記陰極分離部の中間層の膜厚の和を陰極の膜厚と有
機ＥＬ発光層の膜厚の和よりも厚くするとともに、陰極
分離部のくびれ量が、前記陰極の膜厚と前記有機エレク
トロルミネッセンス発光層の膜厚の和を、前記陰極分離
部中間層の側面が前記基板と成す角の正弦値で除した値
よりも大きくなるようにしたことの２点を規定したの
で、陰極分離を確実に行うことができる。
【００５６】請求項７の発明によれば、陰極分離部を形
成する方法を規定しているので、陰極分離を行うことが
容易となり、有機エレクトロルミネッセンス（有機Ｅ
Ｌ）表示装置を作成することが容易となる。
成する方法を規定しているので、陰極分離を行うことが
容易となり、有機エレクトロルミネッセンス（有機Ｅ
Ｌ）表示装置を作成することが容易となる。
【００５７】請求項８の発明によれば、有機エレクトロ
ルミネッセンス発光層および陰極が蒸着法によって形成
されるので、材料の選択肢が広いので、高い発光効率を
有する有機ＥＬ素子を容易に形成することができる。
ルミネッセンス発光層および陰極が蒸着法によって形成
されるので、材料の選択肢が広いので、高い発光効率を
有する有機ＥＬ素子を容易に形成することができる。
【図１】 本発明にかかわる陰極分離部を用いた有機Ｅ
Ｌディスプレイを示す断面説明図である。
Ｌディスプレイを示す断面説明図である。
【図２】 本発明にかかわる２層構造の陰極分離部の形
状を示す断面説明図である。
状を示す断面説明図である。
【図３】 本発明にかかわる３層構造の陰極分離部の形
状を示す断面説明図である。
状を示す断面説明図である。
【図４】 本発明における陰極蒸着時の付着形状を示す
模式図である。
模式図である。
【図５】 本発明にかかわる２層構造の陰極分離部の形
状の定義を詳細に示す断面説明図である。
状の定義を詳細に示す断面説明図である。
【図６】 本発明にかかわる３層構造の陰極分離部の形
状の定義を詳細に示す断面説明図である。
状の定義を詳細に示す断面説明図である。
【図７】 本発明にかかわる陰極分離部の形成方法を工
程別に示す断面説明図である。
程別に示す断面説明図である。
【図８】 本発明にかかわる陰極分離部の形成方法を工
程別に示す断面説明図である。
程別に示す断面説明図である。
【図９】 本発明にかかわる陰極分離部の形成方法を工
程別に示す断面説明図である。
程別に示す断面説明図である。
【図１０】 本発明にかかわる陰極分離部の形成方法を
工程別に示す断面説明図である。
工程別に示す断面説明図である。
【図１１】 従来の有機ＥＬディスプレイの表示面を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１２】 従来の有機ＥＬディスプレイの表示面を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１３】 従来の有機ＥＬディスプレイにおいて、陽
極まで形成された状態および陰極を蒸着する際に用いる
マスクの例を示す説明図である。
極まで形成された状態および陰極を蒸着する際に用いる
マスクの例を示す説明図である。
【図１４】 従来の有機ＥＬディスプレイを示す断面説
明図である。
明図である。
１０ 保護層、１１ 陽極、１２ 有機ＥＬ発光層、１
３ 陰極、１４ 陰極分離部、１４ａ 陰極分離部下
層、１４ｂ 陰極分離部上層、１４ｃ 陰極分離部中間
層、２０ 陰極蒸着源、２１ 蒸着装置、４０ 色変換
フィルタ、４１基板、４２ ブラックマトリックス。
３ 陰極、１４ 陰極分離部、１４ａ 陰極分離部下
層、１４ｂ 陰極分離部上層、１４ｃ 陰極分離部中間
層、２０ 陰極蒸着源、２１ 蒸着装置、４０ 色変換
フィルタ、４１基板、４２ ブラックマトリックス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松浦 正英 千葉県袖ヶ浦市上泉1280番地 (72)発明者 栄田 暢 千葉県袖ヶ浦市上泉1280番地 (72)発明者 細川 地潮 千葉県袖ヶ浦市上泉1280番地
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に陽極が形成され、該陽極上に、
陰極分離部の下層が陰極分離部の上層より内側にくびれ
たひさし型の形状をした２層構造の絶縁体からなる陰極
分離部が形成され、該陰極分離部が形成されたのちに有
機エレクトロルミネッセンス発光層と陰極が形成されて
陰極分離されてなることを特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置。 - 【請求項２】 基板上に陽極が形成され、該陽極上に、
陰極分離部の中間層が陰極分離部の上層より内側にくび
れたひさし型の形状をした３層構造の絶縁体からなる陰
極分離部が形成され、該陰極分離部が形成されたのちに
有機エレクトロルミネッセンス発光層と陰極が形成され
て陰極分離されてなることを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス表示装置。 - 【請求項３】 前記陰極分離部が無機材料の絶縁体から
なる請求項１または２記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置。 - 【請求項４】 前記絶縁体がＳｉＯ2およびＳｉＮのう
ちのいずれか、またはその両方からなる請求項１または
２記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項５】 前記有機エレクトロルミネッセンス発光
層および前記陰極が蒸着によって形成されており、当該
蒸着の際に、前記陰極分離部の下層の膜厚を、前記陰極
の膜厚と前記有機エレクトロルミネッセンス発光層の膜
厚との和よりも厚くするとともに前記陰極分離部のくび
れ量が、前記陰極の膜厚と前記有機エレクトロルミネッ
センス発光層の膜厚の和を、前記陰極分離部下層の側面
が前記基板と成す角の正弦値で除した値よりも大きくな
るように前記陰極分離部が形成されてなる請求項１記載
の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項６】 前記有機エレクトロルミネッセンス発光
層および前記陰極が蒸着によって形成されており、当該
蒸着の際に、前記陰極分離部の下層の膜厚と前記陰極分
離部の中間層の膜厚の和を、前記陰極の膜厚と前記有機
エレクトロルミネッセンス発光層の膜厚との和よりも厚
くするとともに前記陰極分離部のくびれ量が、前記陰極
の膜厚と前記有機エレクトロルミネッセンス発光層の膜
厚の和を、前記陰極分離部中間層の側面が前記基板と成
す角の正弦値で除した値よりも大きくなるように前記陰
極分離部が形成されてなる請求項２記載の有機エレクト
ロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項７】 請求項１または請求項２記載の陰極分離
部を作成する方法が、（ａ）前記陽極形成後に前記陰極
分離部を成膜する第１のステップ、（ｂ）写真製版によ
りレジストマスクを形成する第２のステップ、（ｃ）ド
ライエッチングおよびウェットエッチングの組み合せに
より前記陰極分離部を所定の形状に加工する第３のステ
ップ、（ｄ）レジストを除去して前記陰極分離部を完成
させる第４のステップ、および（ｅ）前記陰極分離部を
形成したのちに前記有機エレクトロルミネッセンス発光
層および陰極を形成する第５のステップからなることを
特徴とする前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置
の製法。 - 【請求項８】 前記有機エレクトロルミネッセンス発光
層および前記陰極が蒸着法によって形成される請求項７
記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8255016A JPH10106747A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8255016A JPH10106747A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106747A true JPH10106747A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17273030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8255016A Pending JPH10106747A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10106747A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044395A1 (fr) * | 1998-02-25 | 1999-09-02 | Toppan Printing Co., Ltd. | Plaquette de circuit pour panneau electroluminescent organique, procede de fabrication et panneau electroluminescent |
| KR100337493B1 (ko) * | 2000-07-12 | 2002-05-24 | 박원석 | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조방법 |
| JP2002518813A (ja) * | 1998-06-18 | 2002-06-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト | 構造化した電極の製造 |
| JP2003007461A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2003229267A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Toyota Industries Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| WO2004019659A1 (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-04 | Fujitsu Limited | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 |
| JP2004512642A (ja) * | 2000-10-16 | 2004-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | エッチング方法（ＥｔｃｈｉｎｇＰｒｏｃｅｓｓ） |
| WO2004084590A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| KR100669667B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2007-05-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고분자 유기 전자발광소자의 제조방법 |
| KR100733946B1 (ko) * | 2005-08-29 | 2007-06-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| US7258589B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-08-21 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of fabricating the same |
| CN100461488C (zh) * | 2002-05-03 | 2009-02-11 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示器件及其制造方法 |
| JP2009272066A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Toppan Printing Co Ltd | Ｅｌ素子の製造方法、ｅｌ素子、ｅｌ素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、ｅｌ素子を用いた照明装置、ｅｌ素子を用いた電子看板装置、及びｅｌ素子を用いたディスプレイ装置 |
| CN102881836A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-16 | 彩虹集团公司 | 一种有机发光器件阴极隔离装置及其制作方法 |
| CN105118929A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电极结构和有机发光单元及其制造方法 |
| CN109950418A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-06-28 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示屏 |
| WO2019163009A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| CN110767827A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-02-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、复合屏、显示终端和复合屏的制备方法 |
| US11925070B2 (en) | 2019-04-12 | 2024-03-05 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. | Display panel |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05258859A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-10-08 | Eastman Kodak Co | 発光装置及びその製造方法 |
| JPH08315981A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-11-29 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
| JPH09330792A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Tdk Corp | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-09-26 JP JP8255016A patent/JPH10106747A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05258859A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-10-08 | Eastman Kodak Co | 発光装置及びその製造方法 |
| JPH08315981A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-11-29 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
| JPH09330792A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Tdk Corp | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6339288B1 (en) | 1998-02-25 | 2002-01-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | Circuit board for organic electroluminescent panel, method of manufacture, and electroluminescent panel |
| WO1999044395A1 (fr) * | 1998-02-25 | 1999-09-02 | Toppan Printing Co., Ltd. | Plaquette de circuit pour panneau electroluminescent organique, procede de fabrication et panneau electroluminescent |
| KR100669667B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2007-05-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고분자 유기 전자발광소자의 제조방법 |
| JP2002518813A (ja) * | 1998-06-18 | 2002-06-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト | 構造化した電極の製造 |
| CN100385704C (zh) * | 1998-06-18 | 2008-04-30 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 结构化电极的制造方法 |
| US6885150B2 (en) | 1998-06-18 | 2005-04-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Structured electrodes |
| KR100337493B1 (ko) * | 2000-07-12 | 2002-05-24 | 박원석 | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조방법 |
| JP2004512642A (ja) * | 2000-10-16 | 2004-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | エッチング方法（ＥｔｃｈｉｎｇＰｒｏｃｅｓｓ） |
| JP2003007461A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP4593019B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2010-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2003229267A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Toyota Industries Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| US7258589B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-08-21 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of fabricating the same |
| CN100461488C (zh) * | 2002-05-03 | 2009-02-11 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示器件及其制造方法 |
| US6977464B2 (en) | 2002-08-21 | 2005-12-20 | Fujitsu Limited | Organic EL device and manufacturing method for the same |
| WO2004019659A1 (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-04 | Fujitsu Limited | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 |
| US7095172B2 (en) | 2003-03-17 | 2006-08-22 | Fujitsu Limited | Organic electro luminescence display and its manufacture method |
| WO2004084590A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| KR100733946B1 (ko) * | 2005-08-29 | 2007-06-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP2009272066A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Toppan Printing Co Ltd | Ｅｌ素子の製造方法、ｅｌ素子、ｅｌ素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、ｅｌ素子を用いた照明装置、ｅｌ素子を用いた電子看板装置、及びｅｌ素子を用いたディスプレイ装置 |
| CN102881836A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-16 | 彩虹集团公司 | 一种有机发光器件阴极隔离装置及其制作方法 |
| CN105118929A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电极结构和有机发光单元及其制造方法 |
| WO2019163009A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2019163009A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2020-02-27 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| CN111788863A (zh) * | 2018-02-21 | 2020-10-16 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el器件及其制造方法 |
| CN110767827A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-02-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、复合屏、显示终端和复合屏的制备方法 |
| WO2020087852A1 (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、复合屏和复合屏的制备方法 |
| CN109950418A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-06-28 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示屏 |
| US11925070B2 (en) | 2019-04-12 | 2024-03-05 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. | Display panel |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10106747A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製法 | |
| JP3537591B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| JP3948082B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| US20040195963A1 (en) | Organic electro-luminescent display device | |
| US7919919B2 (en) | Organic electroluminescent display having a specific structure for a pad supplying the drive signal | |
| JP2005340198A (ja) | 有機電界発光表示素子およびその製造方法 | |
| JP2000113982A (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| WO2020233284A1 (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| JP2001093666A (ja) | 有機ｌｅｄディスプレイおよびその製造方法 | |
| US6388387B1 (en) | Optical element | |
| JP4470241B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 | |
| JP2003272871A (ja) | 自己発光表示装置およびその製造方法 | |
| US7719184B2 (en) | Organic EL element having a protective layer | |
| JP2000113981A (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| JP2000021566A (ja) | エレクトロルミネセンス | |
| CN112510068A (zh) | 一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法 | |
| JP2000021578A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| KR101759550B1 (ko) | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR100592388B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR100631121B1 (ko) | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP2004200027A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| KR950003649B1 (ko) | 필드 에미션 디스플레이용 스페이서와 그 제조방법 | |
| KR100342195B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법 | |
| KR101427667B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| JP2001291580A (ja) | 有機電界発光装置 |