JPWO2019163009A1 - 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

有機ＥＬデバイス（１００Ａ）は、複数の有機ＥＬ素子（３）を含むアクティブ領域（Ｒ１）と、周辺領域（Ｒ２）とを有し、複数の有機ＥＬ素子を有する素子基板（２０）と、複数の有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止構造（１０Ａ）とを有する。薄膜封止構造は、第１無機バリア層（１２）と、第１無機バリア層の上面に接する有機バリア層（１４）と、第１無機バリア層の上面および有機バリア層の上面に接する第２無機バリア層（１６）とを有する。周辺領域は、アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第１突状構造体（２２ａ）と、第１突状構造体の上に延設された、第１無機バリア層の延設部（１２ｅ）とを有し、第１突状構造体は第１部分および第２部分を含み、第１部分は第２部分よりも第１突状構造体の頂部に近く、基板の法線方向から見たとき、第１部分の基板面に平行な断面は、第２部分の基板面に平行な断面と重ならない部分を含む。

Description

本発明は、有機ＥＬデバイスおよびその製造方法に関する。

有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が実用化され始めた。有機ＥＬ表示装置の特徴の１つにフレキシブルな表示装置が得られる点が挙げられる。有機ＥＬ表示装置は、画素ごとに少なくとも１つの有機ＥＬ素子（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）と、各ＯＬＥＤに供給される電流を制御する少なくとも１つのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを有する。以下、有機ＥＬ表示装置をＯＬＥＤ表示装置と呼ぶことにする。このようにＯＬＥＤごとにＴＦＴなどのスイッチング素子を有するＯＬＥＤ表示装置は、アクティブマトリクス型ＯＬＥＤ表示装置と呼ばれる。また、ＴＦＴおよびＯＬＥＤが形成された基板を素子基板ということにする。

ＯＬＥＤ（特に有機発光層および陰極電極材料）は、水分の影響を受けて劣化しやすく、表示むらを生じやすい。ＯＬＥＤを水分から保護するとともに、柔軟性を損なわない封止構造を提供する技術として、薄膜封止（Thin Film Encapsulation：ＴＦＥ）技術が開発されている。薄膜封止技術は、無機バリア層と有機バリア層とを交互に積層することによって、薄膜で十分な水蒸気バリア性を得ようとするものである。ＯＬＥＤ表示装置の耐湿信頼性の観点から、薄膜封止構造のＷＶＴＲ（Water Vapor Transmission Rate）としては、典型的には１×１０^-4ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下が求められている。

現在市販されているＯＬＥＤ表示装置に使われている薄膜封止構造は、厚さが約５μｍ〜約２０μｍの有機バリア層（高分子バリア層）を有している。このように比較的厚い有機バリア層は、素子基板の表面を平坦化する役割も担っている。

また、特許文献１および２には、偏在した樹脂で構成された有機バリア層を有する薄膜封止構造が記載されている。特許文献１または２に記載の薄膜封止構造は、厚い有機バリア層を有しない。従って、特許文献１または２に記載の薄膜封止構造を用いるとＯＬＥＤ表示装置の屈曲性が改善されると考えられる。

特許文献１には、第１の無機材料層（第１無機バリア層）、第１の樹脂材、および第２の無機材料層（第２無機バリア層）を素子基板側からこの順で形成する際に、第１の樹脂材を第１の無機材料層の凸部（凸部を被覆した第１の無機材料層）の周囲に偏在させた薄膜封止構造が開示されている。特許文献１によると、第１の無機材料層によって十分に被覆されないおそれのある凸部の周囲に第１の樹脂材を偏在させることによって、その部分からの水分や酸素の侵入が抑制される。また、第１の樹脂材が第２の無機材料層の下地層として機能することで、第２の無機材料層が適正に成膜され、第１の無機材料層の側面を所期の膜厚で適切に被覆することが可能になる。第１の樹脂材は次の様にして形成される。加熱気化させたミスト状の有機材料を、室温以下の温度に維持された素子基板上に供給し、基板上で有機材料が凝縮し、滴状化する。滴状化した有機材料が、毛細管現象または表面張力によって、基板上を移動し、第１の無機材料層の凸部の側面と基板表面との境界部に偏在する。その後、有機材料を硬化させることによって、境界部に第１の樹脂材が形成される。特許文献２にも同様の薄膜封止構造を有するＯＬＥＤ表示装置が開示されている。

国際公開第２０１４／１９６１３７号 特開２０１６−３９１２０号公報

ＯＬＥＤ表示装置は、例えば以下のように製造される。まず、マザーガラス基板上に、それぞれがＯＬＥＤ表示装置に対応する複数のＯＬＥＤ表示装置部を有する素子基板を作製する。続いて、素子基板に、ＯＬＥＤ表示装置部のそれぞれに薄膜封止構造を形成する。その後、個々のＯＬＥＤ表示装置部に分断され、必要に応じて後工程を経て、ＯＬＥＤ表示装置が得られる。耐湿信頼性の観点から、得られたＯＬＥＤ表示装置のアクティブ領域は、第１無機バリア層と第２無機バリア層とが直接接触している部分で完全に包囲されていることが好ましい。

しかしながら、本発明者が上記の方法でＯＬＥＤ表示装置を試作したところ、十分な耐湿信頼性が得られないという問題が生じることがあった。

本発明者の検討によると、素子基板を分断する工程において、分断線上に薄膜封止構造を構成する無機材料層（第１無機バリア層および／または第２無機バリア層）が存在すると、切断された箇所から無機材料層に亀裂（クラック）が発生することがあった。この亀裂は、熱履歴等によって経時的に進展して、ＯＬＥＤ表示装置のアクティブ領域にまで至ることがあった。

薄膜封止構造を構成する無機材料層は、例えば、マスクＣＶＤ法でＯＬＥＤ表示装置のアクティブ領域を覆うように形成される。このとき、マスクＣＶＤ装置の寸法精度およびマスクと素子基板とのアライメント誤差を考慮し、薄膜封止構造を形成すべき領域よりも広く無機材料層を形成する。無機材料層が形成された領域が大き過ぎると、素子基板の分断線上に無機材料層が存在することになり、上記の問題が生じることがある。また、ＯＬＥＤ表示装置の量産性を向上させるために、１枚のマザーガラス基板から形成するＯＬＥＤ表示装置の数は増加する傾向にある。その結果、隣接するＯＬＥＤ表示装置部の間隔が小さく（例えば数ｍｍ）なり、上記の問題が生じ易くなっている。

上記の問題は、特許文献１および２に記載の薄膜封止構造を有するＯＬＥＤ表示装置に限られず、比較的厚い（例えば厚さが５μｍを超える）有機バリア層を有する薄膜封止構造を有するＯＬＥＤ表示装置においても共通の問題である。また、ここでは、ＯＬＥＤ表示装置が有する薄膜封止構造の問題を説明したが、薄膜封止構造は、ＯＬＥＤ表示装置に限られず、有機ＥＬ照明装置などの他の有機ＥＬデバイスにも用いられる。

本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、耐湿信頼性が改善された、薄膜封止構造を備える有機ＥＬデバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明のある実施形態による有機ＥＬデバイスは、複数の有機ＥＬ素子を含むアクティブ領域と、前記アクティブ領域以外の領域に位置する周辺領域とを有する有機ＥＬデバイスであって、基板および前記基板に支持された前記複数の有機ＥＬ素子を有する素子基板と、前記複数の有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止構造とを有し、前記薄膜封止構造は、第１無機バリア層と、前記第１無機バリア層の上面に接する有機バリア層と、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の上面に接する第２無機バリア層とを有し、前記周辺領域は、前記基板に支持された、前記アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第１突状構造体と、前記第１突状構造体の上に延設された、前記第１無機バリア層の延設部とを有し、前記第１突状構造体は第１部分および第２部分を含み、前記第１部分は前記第２部分よりも前記第１突状構造体の頂部に近く、前記基板の法線方向から見たとき、前記第１部分の前記基板面に平行な第１断面は、前記第２部分の前記基板面に平行な第２断面と重ならない部分を含む。

ある実施形態において、前記第１突状構造体の高さは、前記第１無機バリア層の厚さよりも大きい。ここで、前記第１無機バリア層の厚さは、例えば前記アクティブ領域における厚さとする。

ある実施形態において、前記第１突状構造体の高さは、前記第１無機バリア層の厚さの３倍以上である。ここで、前記第１無機バリア層の厚さは、例えば前記アクティブ領域における厚さとする。

ある実施形態において、前記第１突状構造体は、前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面を見たとき、前記第１突状構造体の高さ方向と略直交する方向に突き出ている突出部を含み、前記突出部は前記第１部分を含む。

ある実施形態において、前記第１突状構造体は、前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面を見たとき、その側面のテーパー角が９０°超である逆テーパー部を含み、前記逆テーパー部は前記第１部分および前記第２部分を含む。

ある実施形態において、前記周辺領域は、前記第１無機バリア層の前記延設部の上に形成された、前記第２無機バリア層の延設部を有する。

ある実施形態において、前記第１突状構造体の高さは、前記第１無機バリア層の厚さおよび前記第２無機バリア層の厚さの和の３倍以上である。ここで、前記第１無機バリア層の厚さおよび前記第２無機バリア層の厚さは、それぞれ、例えば、前記アクティブ領域における厚さとする。

ある実施形態において、前記基板の法線方向から見たとき、前記第２無機バリア層は、前記第１突状構造体と重ならない。

ある実施形態において、前記素子基板は、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかを有する複数の画素のそれぞれを規定するバンク層をさらに有し、前記第１突状構造体の高さは、前記バンク層の厚さと同じまたはよりも大きい。

ある実施形態において、前記第１突状構造体は、前記アクティブ領域の３つの辺に沿って延びる部分を含む。

ある実施形態において、前記素子基板は、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかに接続された複数のゲートバスラインと、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかに接続された複数のソースバスラインとを有し、前記周辺領域は、前記アクティブ領域のある辺の近傍の領域に設けられた複数の端子と、前記複数の端子と前記複数のゲートバスラインまたは前記複数のソースバスラインのいずれかとを接続する複数の引出し配線とを有し、前記第１突状構造体は、前記アクティブ領域の前記ある辺以外の３つの辺に沿って延びる部分を含む。

ある実施形態において、前記有機バリア層は、離散的に分布する複数の中実部を有し、前記第２無機バリア層は、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の前記複数の中実部の上面に接する。

ある実施形態において、前記有機バリア層は、厚さが５μｍ以上の平坦化層を兼ねる。

ある実施形態において、前記周辺領域は、前記アクティブ領域と前記第１突状構造体との間に、前記アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第２突状構造体を有する。

ある実施形態において、前記第１突状構造体は、複数のサブ構造体を含む。

本発明のある実施形態による有機ＥＬデバイスの製造方法は、基板と、前記基板に支持された、それぞれが複数の有機ＥＬ素子を含む複数のアクティブ領域とを有する素子基板を用意する工程と、前記複数のアクティブ領域のそれぞれに前記複数の有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止構造を形成する工程と、前記薄膜封止構造を形成する工程の後に、前記複数のアクティブ領域のそれぞれを分断する工程とを包含し、前記素子基板を用意する工程は、前記複数のアクティブ領域のそれぞれに、該アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第１突状構造体を形成する工程ａ１を包含し、前記第１突状構造体は第１部分および第２部分を含み、前記第１部分は前記第２部分よりも前記第１突状構造体の頂部に近く、前記基板の法線方向から見たとき、前記第１部分の前記基板面に平行な第１断面は、前記第２部分の前記基板面に平行な第２断面と重ならない部分を含み、前記薄膜封止構造を形成する工程は、前記第１突状構造体の上に、前記第１突状構造体を覆うように、第１無機バリア層を形成する工程Ａと、前記工程Ａの後で、前記第１無機バリア層の上に有機バリア層を形成する工程Ｂと、前記工程Ｂの後で、前記第１無機バリア層および前記有機バリア層の上に、第２無機バリア層を形成する工程Ｃとを包含し、前記複数のアクティブ領域のそれぞれを分断する工程は、前記複数のアクティブ領域のそれぞれに形成された前記第１突状構造体および該アクティブ領域を含むように、前記基板および前記第１無機バリア層を切断する工程を包含する。

ある実施形態において、前記素子基板を用意する工程は、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかを有する複数の画素のそれぞれを規定するバンク層を形成する工程ａ２をさらに包含し、前記工程ａ１および前記工程ａ２は、同じ樹脂膜をパターニングする工程を包含する。

ある実施形態において、前記第１突状構造体は、下側層と、前記下側層上に形成された上側層とを含み、前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面において、前記上側層の底部の幅は前記下側層の頂部の幅よりも大きく、前記工程ａ１は、前記基板上に下側膜を形成する工程ａ１１と、前記下側膜上に上側膜を形成する工程ａ１２と、前記上側膜をパターニングすることによって前記上側層を形成する工程ａ１３と、前記下側膜をパターニングすることによって前記下側層を形成する工程ａ１４とを包含する。

ある実施形態において、前記下側膜はアクリル樹脂を含み、前記上側膜は窒化珪素を含む。

ある実施形態において、前記工程ａ１３は、フッ酸を用いて前記上側膜をエッチングする工程を包含する。

本発明の実施形態によると、耐湿信頼性が改善された、薄膜封止構造を備える有機ＥＬデバイスおよびその製造方法が提供される。

（ａ）は本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域の模式的な部分断面図であり、（ｂ）は、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０の部分断面図である。 本発明の実施形態１によるＯＬＥＤ表示装置１００Ａの構造を模式的に示す平面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図２中の３Ａ−３Ａ’線に沿った模式的な断面図であり、それぞれ、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａ１および１００Ａ２を示す図である。 ＯＬＥＤ表示装置１００Ａの製造方法を説明するための模式的な図であり、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａを形成するためのマザーパネル２００Ａを模式的に示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は、突状構造体２２ａ２の形成する方法を説明するための模式的な断面図である。 （ａ）〜（ｃ）はＯＬＥＤ表示装置１００Ａの模式的な断面図であり、（ａ）は図２中の６Ａ−６Ａ’線に沿った断面図であり、（ｂ）は図２中の６Ｂ−６Ｂ’線に沿った断面図であり、（ｃ）は図２中の６Ｃ−６Ｃ’線に沿った断面図である。 （ａ）は図６（ａ）のパーティクルＰを含む部分の拡大図であり、（ｂ）はパーティクルＰと、パーティクルＰを覆う第１無機バリア層（ＳｉＮ層）と、有機バリア層との大きさの関係を示す模式的な平面図であり、（ｃ）はパーティクルＰを覆う第１無機バリア層の模式的な断面図である。 本発明の実施形態１による他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｂの構造を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｃの構造を模式的に示す平面図である。 図９中の９Ａ−９Ａ’線に沿ったＯＬＥＤ表示装置１００Ｃの模式的な断面図である。 本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｄの構造を模式的に示す平面図である。 本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｅの構造を模式的に示す平面図である。 本発明の実施形態２によるＯＬＥＤ表示装置が有する薄膜封止構造１０Ｂを模式的に示す断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態による有機ＥＬデバイスおよびその製造方法を説明する。以下では、有機ＥＬデバイスとして、ＯＬＥＤ表示装置を例示する。なお、本発明の実施形態は、以下に例示する実施形態に限定されない。

まず、図１（ａ）および図１（ｂ）を参照して、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００の基本的な構成を説明する。図１（ａ）は、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域の模式的な部分断面図であり、図１（ｂ）は、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０の部分断面図である。後に説明する実施形態１によるＯＬＥＤ表示装置１００Ａおよび実施形態２によるＯＬＥＤ表示装置も基本的に同じ構成を有しており、特に、ＴＦＥ構造に関する構造以外の構造はＯＬＥＤ表示装置１００と同じであってよい。

ＯＬＥＤ表示装置１００は、複数の画素を有し、画素ごとに少なくとも１つの有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）を有している。ここでは、簡単のために、１つのＯＬＥＤに対応する構造について説明する。

図１（ａ）に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００は、基板（例えばフレキシブル基板。以下、単に「基板」ということがある。）１と、基板１上に形成されたＴＦＴを含む回路（バックプレーン）２と、回路２上に形成されたＯＬＥＤ３と、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０とを有している。ＯＬＥＤ３は例えばトップエミッションタイプである。ＯＬＥＤ３の最上部は、例えば、上部電極またはキャップ層（屈折率調整層）である。基板１と、基板１に支持された回路２およびＯＬＥＤ３とを含めて素子基板２０ということがある。ＴＦＥ構造１０は、素子基板２０上に形成されている。ＴＦＥ構造１０の上にはオプショナルな偏光板４が配置されている。以下では、基板１がフレキシブル基板である例を説明する。

基板１は、例えば厚さが１５μｍのポリイミドフィルムである。ＴＦＴを含む回路２の厚さは例えば４μｍであり、ＯＬＥＤ３の厚さは例えば１μｍであり、ＴＦＥ構造１０の厚さは例えば１．５μｍ以下である。

図１（ｂ）は、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０の部分断面図である。ＴＦＥ構造１０は、第１無機バリア層（例えばＳｉＮ層）１２と、第１無機バリア層１２の上面に接する有機バリア層（例えばアクリル樹脂層）１４と、第１無機バリア層１２の上面および有機バリア層１４の上面に接する第２無機バリア層（例えばＳｉＮ層）１６とを有する。第１無機バリア層１２は、ＯＬＥＤ３の直上に形成されている。

ＴＦＥ構造１０は、ＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域（図２中のアクティブ領域Ｒ１参照）を保護するように形成されており、少なくともアクティブ領域には、上述したように、ＯＬＥＤ３に近い側から順に、第１無機バリア層１２、有機バリア層１４、および第２無機バリア層１６を有している。

（実施形態１）
図２から図４を参照して、本発明の実施形態１によるＯＬＥＤ表示装置１００Ａの構造およびその製造方法を説明する。

図２は、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００Ａの模式的に示す平面図である。図３（ａ）および（ｂ）は、図２中の３Ａ−３Ａ’線に沿った断面図である。図３（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、突状構造体２２ａの例として、突状構造体２２ａ１および突状構造体２２ａ２を有するＯＬＥＤ表示装置１００Ａ１および１００Ａ２を模式的に示す断面図である。突状構造体２２ａ１および２２ａ２を総称して突状構造体２２ａということがある。ＯＬＥＤ表示装置１００Ａ１および１００Ａ２を総称してＯＬＥＤ表示装置１００Ａということがある。

図２に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａは、フレキシブル基板１と、フレキシブル基板１上に形成された回路（バックプレーン）２と、回路２上に形成された複数のＯＬＥＤ３と、ＯＬＥＤ３上に形成されたＴＦＥ構造１０Ａとを有している。複数のＯＬＥＤ３が配列されている層をＯＬＥＤ層３ということがある。なお、回路２とＯＬＥＤ層３とが一部の構成要素を共有してもよい。ＴＦＥ構造１０Ａの上にはオプショナルな偏光板（図１中の参照符号４を参照）がさらに配置されてもよい。また、例えば、ＴＦＥ構造１０Ａと偏光板との間にタッチパネル機能を担う層が配置されてもよい。すなわち、ＯＬＥＤ表示装置１００は、オンセル型のタッチパネル付き表示装置に改変され得る。

回路２は、複数のＴＦＴ（不図示）と、それぞれが複数のＴＦＴ（不図示）のいずれかに接続された複数のゲートバスライン（不図示）および複数のソースバスライン（不図示）とを有している。回路２は、複数のＯＬＥＤ３を駆動するための公知の回路であってよい。複数のＯＬＥＤ３は、回路２が有する複数のＴＦＴのいずれかに接続されている。ＯＬＥＤ３も公知のＯＬＥＤであってよい。

ＯＬＥＤ表示装置１００Ａは、さらに、複数のＯＬＥＤ３が配置されているアクティブ領域（図２中の破線で囲まれた領域）Ｒ１の外側の周辺領域Ｒ２に配置された複数の端子３８と、複数の端子３８と複数のゲートバスラインまたは複数のソースバスラインのいずれかとを接続する複数の引出し配線３０を有しており、ＴＦＥ構造１０Ａは、複数のＯＬＥＤ３の上および複数の引出し配線３０のアクティブ領域Ｒ１側の部分の上に形成されている。すなわち、ＴＦＥ構造１０Ａはアクティブ領域Ｒ１の全体を覆い、かつ、複数の引出し配線３０のアクティブ領域Ｒ１側の部分の上に選択的に形成されており、引出し配線３０の端子３８側および端子３８は、ＴＦＥ構造１０Ａでは覆われていない。

以下では、引出し配線３０と端子３８とが同じ導電層を用いて一体に形成された例を説明するが、互いに異なる導電層（積層構造を含む）を用いて形成されてもよい。

図２および図３に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａの周辺領域Ｒ２は、アクティブ領域Ｒ１の少なくとも１つの辺に沿って延びる突状構造体２２ａと、突状構造体２２ａの上に延設された、第１無機バリア層１２の延設部１２ｅとを有する。図３（ａ）および図３（ｂ）にそれぞれ示す突状構造体２２ａ１および２２ａ２は、ともに以下のような形状を有する。突状構造体２２ａは第１部分および第２部分を含み、第１部分は第２部分よりも突状構造体２２ａの頂部に近く、基板１の法線方向から見たとき、第１部分の基板面に平行な第１断面は、第２部分の基板面に平行な第２断面と重ならない部分を含む。

具体的には、例えば、図３（ａ）に示すように、突状構造体２２ａ１は、突状構造体２２ａ１が延びる方向と直交する断面（例えば図３（ａ）に示す断面）を見たとき、その側面のテーパー角θｐが９０°超である逆テーパー部ＳＴを含む。逆テーパー部ＳＴは上記の第１部分および／または第２部分を含む。

あるいは、図３（ｂ）に示すように、突状構造体２２ａ２は、突状構造体２２ａ２が延びる方向と直交する断面（例えば図３（ｂ）に示す断面）を見たとき、突状構造体２２ａ２は突状構造体２２ａ２の高さ方向と略直交する方向に突き出ている突出部ＰＰを含む。突出部ＰＰは上記の第１部分を含む。

図４を参照しながら、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａの製造方法を説明する。図４は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａを形成するためのマザーパネル２００Ａを模式的に示す図である。

図４に示すように、マザーパネル２００Ａは、素子基板２０’と、素子基板２０’上に形成された薄膜封止構造１０Ａとを有する。素子基板２０’は、マザーガラス基板（不図示。例えばＧ４．５（７３０ｍｍ×９２０ｍｍ））上に形成される。素子基板２０’は、それぞれがＯＬＥＤ表示装置１００Ａとなる複数のＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐを有している。素子基板２０’は、基板１’と、基板１’に支持された回路２および複数の有機ＥＬ素子３とを有する。回路２および複数の有機ＥＬ素子３は、ＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐのそれぞれに設けられ、共通の基板１’に支持されている。薄膜封止構造１０Ａは、それぞれのＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐのアクティブ領域Ｒ１を保護するように形成されている。マザーパネル２００Ａは、分断線ＣＬで個々のＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐに分断され、その後、必要に応じて行われる後工程を経て、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａが得られる。基板１’が分断されることで、それぞれのＯＬＥＤ表示装置１００Ａの基板１となり、それぞれのＯＬＥＤ表示装置１００Ａが有する素子基板２０が得られる。

すなわち、本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００Ａを製造する方法は、以下の工程を包含する。
工程（１）：基板１’と、基板１’に支持された、それぞれが複数の有機ＥＬ素子３を含む複数のアクティブ領域Ｒ１とを有する素子基板２０’を用意する工程
工程（２）：複数のアクティブ領域Ｒ１のそれぞれに複数の有機ＥＬ素子３を覆う薄膜封止構造１０Ａを形成する工程
工程（３）：工程（２）の後に、複数のアクティブ領域Ｒ１のそれぞれを分断する工程

工程（１）は、複数のアクティブ領域Ｒ１のそれぞれに、該アクティブ領域Ｒ１の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む突状構造体２２ａを形成する工程を包含する。

工程（２）は、以下の工程を包含する。
工程Ａ：突状構造体２２ａの上に、突状構造体２２ａを覆うように、第１無機バリア層１２を形成する工程
工程Ｂ：工程Ａの後で、第１無機バリア層１２の上に有機バリア層１４を形成する工程
工程Ｃ：工程Ｂの後で、第１無機バリア層１２および有機バリア層１４の上に、第２無機バリア層１６を形成する工程

工程（３）は、複数のアクティブ領域Ｒ１のそれぞれに形成された突状構造体２２ａおよび該アクティブ領域Ｒ１を含むように、基板１’および第１無機バリア層１２を切断する工程を包含する。

量産においては、複数の素子基板２０がマザーガラス基板上に形成される。工程（３）は、マザーガラス基板を切断する工程またはマザーガラス基板を部分的に（例えば表面からある深さまで）削る工程をさらに包含してもよい。基板（例えばフレキシブル基板）１’の切断は、例えばレーザビームの照射によって行われる。レーザビームの波長は、赤外、可視光、紫外のいずれの領域にあってもよい。マザーガラス基板に及ぶ切断の影響を小さくする観点からは、波長が緑から紫外域に含まれるレーザビームが望ましい。

本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００Ａを製造する方法は、例えば、基板１’および第１無機バリア層１２を切断する工程の後に、マザーガラス基板から素子基板２０を剥離する工程をさらに包含する。

マザーガラス基板から素子基板２０を剥離する前に、例えば、マザーガラス基板を透過する紫外線レーザ光を基板１’（または基板１）に照射するレーザリフトオフが行われる。基板１’（または基板１）の一部は、マザーガラス基板との界面において、このような紫外線レーザ光を吸収して分解（消失）する必要がある。レーザリフトオフ後、マザーガラス基板から素子基板２０を剥離する。レーザリフトオフは、基板１’および第１無機バリア層１２を切断する工程の前に行ってもよいし、基板１’および第１無機バリア層１２を切断する工程の後に行ってもよい。ここで、「レーザリフトオフ」の用語は、レーザ照射によって、マザーガラス基板と素子基板２０との接合（接着）を弱めることをいい、物理的に剥離することを含まない。

第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６は、例えば、マスクを用いたプラズマＣＶＤ法で、それぞれのＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐのアクティブ領域Ｒ１を覆うように所定の領域だけに選択的に形成される。それぞれのＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐのアクティブ領域Ｒ１は、第１無機バリア層１２と第２無機バリア層１６とが直接接触している部分（以下、「無機バリア層接合部」という。）で完全に包囲されていることが好ましい。アクティブ領域Ｒ１が無機バリア層接合部で完全に包囲されている限り、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６の形状は任意であってよい。例えば、第２無機バリア層１６は、第１無機バリア層１２と同じ（外縁が一致する）であってもよいし、第１無機バリア層１２の全体を覆うように形成されていてもよい。第１無機バリア層１２が、第２無機バリア層１６の全体を覆うように形成されていてもよい。ＴＦＥ構造１０Ａの外形は、例えば、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６によって形成される無機バリア層接合部によって画定される。

図２および図４の平面図には、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域のみをＴＦＥ構造１０Ａとして図示している。ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域は、少なくともアクティブ領域Ｒ１を覆い、無機バリア層接合部を含む領域であり、かつ、分断線ＣＬの内側にある。第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６が分断線ＣＬ上に存在すると、素子基板２０'を分断する工程で切断する層の数が増加し、製造コストが増加し得るからである。図２および図４に図示する、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域は、例えば、第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６を形成するためのＣＶＤマスクの形状に相当する。

しかしながら、実際には、図３の断面図に示すように、例えばマスクＣＶＤ装置の寸法精度に起因して、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域よりも、第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６が形成される領域が大きいことがある。また、第１無機バリア層１２のマスクと素子基板２０'とのアライメント誤差を考慮し、薄膜封止構造１０Ａを形成すべき領域よりも広く第１無機バリア層１２を形成することがある。ＯＬＥＤ表示装置の量産性を向上させる観点から、マザーガラス基板上に形成されたＯＬＥＤ表示装置部１００Ａｐの隣接間距離が小さい（例えば数ｍｍ（例えば３ｍｍ））ことが好ましい。これらのような場合に、第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６が分断線ＣＬ上に存在することがある。本明細書において、第１無機バリア層１２のうち、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域以外の領域に形成された部分を延設部１２ｅということがある。第２無機バリア層１６についても同様に、第２無機バリア層１６のうち、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されるべき領域以外の領域に形成された部分を延設部１６ｅということがある。

図３（ａ）および（ｂ）に示すように、得られたＯＬＥＤ表示装置１００Ａにおいて、切断された箇所（分断線ＣＬ）から第１無機バリア層１２に亀裂（クラック）１２ｄが発生することがある。クラック１２ｄは、熱履歴等によって経時的に進展する。突状構造体２２ａがなければ、クラック１２ｄは、第１無機バリア層１２を通じてアクティブ領域Ｒ１にまで達し得る。しかしながら、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａは第１無機バリア層１２の下に形成された突状構造体２２ａを有することによって、クラック１２ｄがアクティブ領域Ｒ１に達することを抑制することができる。ＯＬＥＤ表示装置１００Ａは、耐湿信頼性が改善される。

図３（ａ）に示すように、突状構造体２２ａ１が形成されている平坦面と突状構造体２２ａ１の側面との境界において、第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）に欠陥１２ｆ１が形成されやすい。欠陥１２ｆ１は、突状構造体２２ａ１の側面の逆テーパー部ＰＴにおいて特に形成されやすい。これは、平坦面から成長するＳｉＮ膜と、側面から成長するＳｉＮ膜とがインピンジ（衝突）する箇所において、（膜）密度が低い部分が形成されるからである。この欠陥は、極端な場合にはクラックとなることもある。欠陥１２ｆ１は、突状構造体２２ａ１が延びる方向に沿って線状に形成される。分断工程において、第１無機バリア層１２内に発生したクラック１２ｄが、アクティブ領域Ｒ１に向けて進展すると、クラック１２ｄの先端が、突状構造体２２ａが延びる方向に沿って形成された線状の欠陥１２ｆ１に到達する。そうすると、クラック１２ｄの先端における応力が解放され、クラック１２ｄが線状欠陥１２ｆ１を超えて進展することが防止される。

図３（ｂ）に示す例では、突状構造体２２ａ２の突出部ＰＰにおいて、第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）に欠陥１２ｆ２が形成されやすい。欠陥１２ｆ２は、例えば第１無機バリア層１２の不連続部分であってもよい。欠陥１２ｆ２も、突状構造体２２ａ２が延びる方向に沿って線状に形成されるので、クラック１２ｄが線状欠陥１２ｆ２を超えて進展することが防止される。

図示する例では、第２無機バリア層１６も分断線ＣＬ上に形成されている。従って、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、得られたＯＬＥＤ表示装置１００Ａにおいて、切断された箇所（分断線ＣＬ）から第２無機バリア層１６にも亀裂（クラック）１６ｄが発生し得る。第２無機バリア層１６は、第１無機バリア層１２の延設部１２ｅ上に形成された延設部１６ｅを有する。第２無機バリア層１６は、下地である第１無機バリア層１２の欠陥１２ｆ１または１２ｆ２による段差を反映するので、第２無機バリア層１６の延設部１６ｅは欠陥１６ｆ１または１６ｆ２を有する。これにより、第２無機バリア層１６はクラック１６ｄがアクティブ領域Ｒ１に達することを抑制することができる。

ここでは、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６が、アクティブ領域Ｒ１を覆うように所定の領域だけに選択的に形成される場合を説明したが、本実施形態はこの例に限られない。マザーガラス基板上に形成された素子基板２０’の全面に第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６を形成してもよい。この場合においても、上述したように、突状構造体２２ａを有することによって、得られたＯＬＥＤ表示装置の耐湿信頼性が改善される。

なお、第１無機バリア層１２および／または第２無機バリア層１６の突状構造体２２ａよりもアクティブ領域Ｒ１側に、突状構造体２２ａに起因した欠陥（線状欠陥）が形成されても、それぞれのアクティブ領域Ｒ１が無機バリア層接合部で完全に包囲されていれば、ＯＬＥＤ表示装置の耐湿信頼性に影響はない。

突状構造体２２ａの形状は図示する例に限られない。上述したように、突状構造体２２ａは以下のような形状を有すればよい。突状構造体２２ａは第１部分および第２部分を含み、第１部分は第２部分よりも突状構造体２２ａの頂部に近く、基板１の法線方向から見たとき、第１部分の基板面に平行な第１断面は、第２部分の基板面に平行な第２断面と重ならない部分を含む。このような形状を有する突状構造体２２ａを有すると、第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）に欠陥が形成されるので、クラック１２ｄが線状欠陥を超えて進展することが防止される。

例えば、図３（ａ）に示す突状構造体２２ａ１は、突状構造体２２ａ１が延びる方向と直交する断面において、両側面が逆テーパー部を有するが、突状構造体は側面の一部のみに逆テーパー部を有してもよい。すなわち、側面の一部のみのテーパー角が９０°超であってもよい。

図３（ｂ）に示す突状構造体２２ａ２は、下側層ＬＬと、下側層ＬＬ上に形成された上側層ＴＬとを含む。突状構造体２２ａ２が延びる方向と直交する断面において、上側層ＴＬの底部の幅Ｄｐは下側層ＬＬの頂部の幅Ｄｌよりも大きい。これにより、突出部ＰＰが形成される。すなわち、突出部ＰＰは、上側層ＴＬの底部のうち下側層ＬＬの頂部からはみ出している部分を含む。突状構造体２２ａ２を基板１の法線方向から見ると、上側層ＴＬの底部の断面は、下側層ＬＬの頂部の断面と重ならない部分を含む。ここで、上側層ＴＬの底部は下側層ＬＬの頂部よりも、突状構造体２２ａ２の頂部に近い。

突状構造体２２ａ２が延びる方向と直交する断面において、上側層ＴＬの底部の幅Ｄｐは、下側層ＬＬの高さＨｌの２．５倍以上であることが好ましく、３倍以上であることがさらに好ましい。突状構造体２２ａ２が延びる方向と直交する断面において、下側層ＬＬは例えば略台形状であり、上側層ＴＬは例えば略矩形状である。ここでは例えば、上側層ＴＬの底部の幅Ｄｐは、上側層ＴＬの頂部の幅（すなわち突状構造体２２ａ２の頂部の幅）Ｄｔとほぼ等しい。図３（ｂ）に示す例では、突状構造体２２ａ２は、図３（ｂ）に示す断面において、突出部ＰＰを左右両側に有する。これに限られず、例えば、突状構造体は、突出部を片側にのみ有してもよい。また、突出部は、突状構造体上に形成された第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）に欠陥を生じさせるものであればよく、突出部が突き出る方向は突状構造体の高さ方向に直交する方向に限られない。

突状構造体２２ａの高さＨｐは、例えば、第１無機バリア層１２の厚さＤ１２よりも大きい。突状構造体２２ａの高さＨｐが、第１無機バリア層１２の厚さＤ１２の３倍以上であると、第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）に欠陥がより形成されやすくなるので好ましい。第２無機バリア層１６が、第１無機バリア層１２の延設部１２ｅ上に形成された延設部１６ｅを有する場合は、突状構造体２２ａの高さＨｐは、第１無機バリア層１２の厚さＤ１２および第２無機バリア層１６の厚さＤ１６の和の３倍以上であることがさらに好ましい。ここで、第１無機バリア層１２の厚さＤ１２は、第１無機バリア層１２のうちのアクティブ領域Ｒ１に形成されている部分の厚さを指し、第２無機バリア層１６の厚さＤ１６は、第２無機バリア層１６のうちのアクティブ領域Ｒ１に形成されている部分の厚さを指す。ただし、突状構造体２２ａの高さＨｐは、第１無機バリア層１２の厚さＤ１２以下であってもよい。この場合でも、突状構造体２２ａが上述したような断面形状を有することによって、第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）に欠陥が形成され得る。

なお、第１無機バリア層１２の延設部１２ｅの厚さは、例えば、アクティブ領域Ｒ１の第１無機バリア層１２の厚さＤ１２とほぼ同じであり得る。同様に、第２無機バリア層１６の延設部１６ｅの厚さは、例えば、アクティブ領域Ｒ１の第２無機バリア層１６の厚さＤ１６とほぼ同じであり得る。ただし、本実施形態はこれに限られない。例えば、第１無機バリア層１２の延設部１２ｅの厚さは、アクティブ領域Ｒ１の第１無機バリア層１２の厚さＤ１２よりも小さくてもよく、第２無機バリア層１６の延設部１６ｅの厚さは、アクティブ領域Ｒ１の第２無機バリア層１６の厚さＤ１６よりも小さくてもよい。第１無機バリア層１２の延設部１２ｅの厚さが小さい場合は、突状構造体２２ａの頂面においても、第１無機バリア層１２に欠陥が形成される場合がある。

突状構造体２２ａの、突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面における幅Ｄａは、例えば１０μｍ以下である。この場合、突状構造体２２ａを設けてもＯＬＥＤ表示装置１００Ａの狭額縁化に大きく影響を与えない。突状構造体２２ａの幅Ｄａは、突状構造体２２ａの高さ方向に直交する方向における幅とする。

逆テーパー部を側面に有する突状構造体２２ａ１は、例えば、ネガ型の感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィプロセスで形成される。ネガ型の感光性樹脂で形成した樹脂膜をアンダー露光となるような条件で露光し、その後、オーバー現像することで、逆テーパー側面を有する突状構造体２２ａ１を形成することができる。ネガ型の感光性樹脂に紫外線吸収剤を添加した樹脂組成物を用いて、アンダー露光となるように露光条件を調節してもよい。この例に限られず、公知のフォトリソグラフィプロセスを用いて逆テーパー側面を形成することができる。

突状構造体２２ａ１を形成する工程は、例えば、複数の画素のそれぞれを規定するバンク層（「ＰＤＬ（Pixel Defining Layer）」と呼ばれることもある。）（不図示）を形成する工程と同じ工程で製造されてもよい。すなわち、突状構造体２２ａ１およびバンク層は、同じ樹脂膜をパターニングすることによって形成されてもよい。突状構造体２２ａ１を形成する工程およびバンク層を形成する工程は、同じ樹脂膜をパターニングする工程を包含してもよい。バンク層のテーパー角は９０°以下であることが好ましいので、突状構造体２２ａ１およびバンク層のパターニング（露光および現像を含む）は異なる条件で行うことが好ましい。この場合、突状構造体２２ａ１およびバンク層のパターニングは、異なるフォトマスクを用いて別々の工程で行うことができる。また、例えば多階調マスク（ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスク）を用いることにより、同一のフォトマスクおよび／または同一のエッチャントを用いて、突状構造体２２ａ１およびバンク層をパターニングすることもできる。多階調マスクとは、３レベル（最小値、最大値およびこれらの間の中間値）以上の異なる透過率を有する領域を含むフォトマスクである。例えば、ネガ型の感光性樹脂を用いて樹脂膜を形成した後、突状構造体２２ａ１に対応する領域とバンク層に対応する領域との露光量を互いに異ならせるフォトマスクを用いて、樹脂膜を露光すればよい。ここで、突状構造体２２ａ１に対応する領域の露光量が、バンク層に対応する領域の露光量よりも少なくなるようにフォトマスクを用いればよい。さらに、バンク層に対応する領域のうち、側面のテーパー角を小さくしたい領域の露光量を他の領域よりも少なくしてもよい。このようなフォトマスクは、バンク層に対応する多階調マスク部と、突状構造体２２ａ１に対応するバイナリーマスク部とを有するということもできる。

バンク層は、例えば、ＯＬＥＤ３の陽極を構成する下部電極と、下部電極上に形成された有機層（有機発光層）との間に形成される。バンク層の厚さは、数μｍ（例えば１μｍ〜２μｍ）であるので、突状構造体２２ａ１の高さをバンク層の高さと同じとしてもよい。上述したような多階調マスクを用いるフォトリソグラフィプロセスによって、突状構造体２２ａ１の高さをバンク層の高さと異ならせることもできる。あるいは、突状構造体２２ａ１は、回路（バックプレーン）２を形成する工程のいずれかと同じ工程を用いて形成されてもよい。例えばＯＬＥＤ３の下部電極の下地となる平坦化層と、同じ樹脂膜から突状構造体２２ａ１を形成することができる。もちろん、回路（バックプレーン）２を形成する工程とは異なる工程において、突状構造体２２ａ１が形成されてもよい。

図５（ａ）〜（ｃ）を参照して、突出部ＰＰを有する突状構造体２２ａ２の形成方法の例を説明する。

まず、図５（ａ）に示すように、基板１上に下側樹脂膜ＬＦ’を付与し、下側樹脂膜ＬＦ’の上に例えばプラズマＣＶＤ法で上側膜ＴＦ’（例えばＳｉＮ膜）を形成する。その後、上側膜ＴＦ’の上に、フォトレジスト（例えばネガ型）を用いてレジスト層５０を形成する。ここでは、下側樹脂膜ＬＦ’はバンク層を形成した後に形成する。下側樹脂膜ＬＦ’としては、例えばネガ型の感光性樹脂（例えばアクリル樹脂）を用いる。上側膜ＴＦ’を形成する前に、下側樹脂膜ＬＦ’に熱処理（プリベーク）を施してもよい。上側膜ＴＦ’の堆積は、低温（例えば８０℃以下）かつ常圧で行うことが好ましい。

次いで、図５（ｂ）に示すように、レジスト層５０をエッチングマスクとして、上側膜ＴＦ’をパターニングすることによって、上側層ＴＬを形成する。上側膜ＴＦ’のパターニングは、例えばエッチャントとしてフッ酸を用いて行う。下側樹脂膜ＬＦ’が上側膜ＴＦ’のエッチャントに対する耐性を有することが好ましい。すなわち、下側樹脂膜ＬＦ’のエッチングレートが上側膜ＴＦ’のエッチングレートよりも低いことが好ましい。例えば、アクリル樹脂はフッ酸耐性を有する。

次いで、レジスト層５０を除去し、その後、上側層ＴＬをエッチングマスクとして下側樹脂膜ＬＦ’をパターニングすることによって、図５（ｃ）に示すように、下側層ＬＬを形成する。下側樹脂膜ＬＦ’のパターニングはウェットエッチングによって行う。下側樹脂膜ＬＦ’のパターニングは、下側樹脂膜ＬＦ’のうち、エッチングマスクである上側層ＴＬの下の部分もエッチングされる（アンダーカット）ようにオーバーエッチする。このようにして、下側層ＬＬと上側層ＴＬとを有する突状構造体２２ａ２が形成される。下側層ＬＬの頂部の幅Ｄｌは、上側層ＴＬの底部の幅Ｄｐよりも小さい。上側層ＴＬの底部の幅Ｄｐは、下側層ＬＬの高さＨｌの２．５倍以上であることが好ましく、３倍以上であることがさらに好ましい。なお、レジスト層５０の除去は、下側層ＬＬを形成した後に行ってもよい。

突状構造体２２ａ２は以下の方法でも形成される。突状構造体２２ａ２の下側層ＬＬおよびバンク層は、同じ樹脂膜（つまり下側樹脂膜ＬＦ’）をパターニングすることによって形成されてもよい。この場合、上側層ＴＬを形成し、レジスト層５０を除去した後、下側層ＬＬおよびバンク層に対応した開口部を有するレジスト層を、下側樹脂膜ＬＦ’のエッチングマスクとして新たに形成すればよい。

あるいは、光に対する感度が互いに異なる２種類の感光性樹脂を用いて、突状構造体２２ａ２を形成してもよい。この場合、上側層ＴＬおよび下側層ＬＬはともに樹脂層であり、上側樹脂膜ＴＦ’は下側樹脂膜ＬＦ’よりも光に対する感度が高い感光性樹脂を用いて形成される。感光性樹脂の感度は、例えば樹脂に含まれる光重合開始剤の量を変えることで調整できる。基板１上に下側樹脂膜ＬＦ’を付与した後、上側樹脂膜ＴＦ’を付与する前に、下側樹脂膜ＬＦ’に熱処理（プリベーク（例えば１３０℃で２分間））を施してもよい。上側樹脂膜ＴＦ’を付与した後、下側樹脂膜ＬＦ’および上側樹脂膜ＴＦ’をフォトリソグラフィプロセスによってパターニングする。下側樹脂膜ＬＦ’および上側樹脂膜ＴＦ’は、その感度の違いに起因して異なる形状にパターニングされる。

突状構造体２２ａは、ＯＬＥＤ３の有機発光層をマスク蒸着法で形成する場合に、蒸着マスクが素子基板の表面と所望の間隙を形成するためのスペーサを兼ねてもよい。あるいは、ＴＦＥ構造１０Ａ上に配置されるタッチセンサ層または基板（保護層）を支持するためのスペーサを兼ねてもよい。突状構造体２２ａがスペーサを兼ねる場合は、突状構造体２２ａの高さは、バンク層の厚さと同じまたはバンク層の厚さよりも大きいことが好ましい。また、突状構造体２２ａがスペーサを兼ねる場合は、突状構造体２２ａが延びる方向と直交する断面において、突状構造体２２ａの頂部の幅Ｄｔは、５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがさらに好ましい。

突状構造体２２ａは、図２に示すように、アクティブ領域Ｒ１の４つの辺のうち、複数の端子３８および複数の引出し配線３０が設けられている辺（ｘ軸方向に延びる辺のうちの図２の下側の辺）を除く３つの辺に沿って延びる部分を含む。例えば中小型のＯＬＥＤ表示装置においては、アクティブ領域Ｒ１の上下左右４つの周辺領域のうち、配線の端子を取り出す１つの周辺領域を除く他の３つの周辺領域の幅を小さくすることが求められている。従って、他の３つの周辺領域においては、上述したように、分断線ＣＬ上に無機バリア層が形成され易いので、突状構造体２２ａを設けることにより、耐湿信頼性を改善することができる。これに比べると、配線の端子を取り出す周辺領域については、求められる狭額縁化の程度が小さいので、分断線ＣＬ上に重ならないように無機バリア層を形成することが容易である。従って、突状構造体２２ａを省略することができる。図２に示すように、複数の端子３８が設けられている部分を除いて、アクティブ領域Ｒ１の４つの辺に沿って、突状構造体２２ａが設けられていてもよい。複数の端子３８が設けられている部分を除いて、分断線ＣＬとアクティブ領域Ｒ１の外縁とを結ぶ線（例えば直線）を遮るように、突状構造体２２ａが設けられていることが好ましい。

突状構造体の平面形状（基板の法線方向から見たときの形状）は、例示するものに限られない。突状構造体は、アクティブ領域Ｒ１の４つの辺のうち、複数の端子が設けられている２つの辺を除く他の２つの辺に沿って延びていてもよい。例えば、大型のＯＬＥＤ表示装置において、アクティブ領域Ｒ１の上下左右４つの周辺領域のうち、対向する２つ（上下または左右）の周辺領域において配線の端子を取り出す構成とすることがある。また、突状構造体は、必ずしも一体として形成されている必要はなく、複数のサブ構造体から構成されていてもよい。複数のサブ構造体全体として、分断線ＣＬとアクティブ領域Ｒ１の外縁との間を遮る構成となっていればよい。突状構造体の配置および平面形状の例は後述する。

次に、図６（ａ）〜（ｃ）を参照して、ＯＬＥＤ表示装置１００ＡのＴＦＥ構造１０Ａを説明する。図６（ａ）に図２中の６Ａ−６Ａ’線に沿った断面図を示し、図６（ｂ）に図２中の６Ｂ−６Ｂ’線に沿った断面図を示し、図６（ｃ）に図２中の６Ｃ−６Ｃ’線に沿った断面図を示す。

図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、ＴＦＥ構造１０Ａは、ＯＬＥＤ３上に形成された第１無機バリア層１２と、有機バリア層１４と、第１無機バリア層１２および有機バリア層１４に接する第２無機バリア層１６とを有している。ここでは、有機バリア層１４は、第１無機バリア層１２の上面に接し、かつ、離散的に分布する複数の中実部を有する。第２無機バリア層１６は、第１無機バリア層１２の上面および有機バリア層１４の複数の中実部の上面に接する。有機バリア層１４は、アクティブ領域の全面を覆う膜として存在しているのではなく、開口部を有している。有機バリア層１４の内、開口部を除く、実際に有機膜が存在する部分を「中実部」ということにする。また、「開口部」（「非中実部」ということもある。）は、中実部で包囲されている必要はなく、切欠きなどを含み、開口部においては、第１無機バリア層１２と第２無機バリア層１６とが直接接触している。有機バリア層１４が有する開口部は、少なくとも、アクティブ領域Ｒ１を包囲するように形成された開口部を含み、アクティブ領域Ｒ１は、第１無機バリア層１２と第２無機バリア層１６とが直接接触している部分（無機バリア層接合部）で完全に包囲されている。

例えば、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６は、例えば厚さが４００ｎｍのＳｉＮ層であり、有機バリア層１４は厚さが１００ｎｍ未満のアクリル樹脂層である。第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６の厚さはそれぞれ独立に、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、有機バリア層１４の厚さは５０ｎｍ以上２００ｎｍ未満である。ＴＦＥ構造１０Ａの厚さは４００ｎｍ以上２μｍ未満であることが好ましく、４００ｎｍ以上１．５μｍ未満であることがさらに好ましい。

第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６は、上述したように、マスクを用いたプラズマＣＶＤ法で、アクティブ領域Ｒ１を覆うように所定の領域だけに選択的に形成される。一般に、薄膜堆積法（例えばＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法）によって形成される層の表面は、下地の段差を反映する。有機バリア層（中実部）１４は、第１無機バリア層１２の表面の凸部の周辺にのみ形成される。第１無機バリア層１２は、突状構造体２２ａの上に、突状構造体２２ａを覆うように形成される。

有機バリア層１４は、例えば、上記特許文献１または２に記載の方法で形成され得る。例えば、チャンバー内で、蒸気または霧状の有機材料（例えばアクリルモノマー）を、室温以下の温度に維持された素子基板上に供給し、素子基板上で凝縮させ、液状になった有機材料の毛細管現象または表面張力によって、第１無機バリア層１２の凸部の側面と平坦部との境界部に偏在させる。その後、有機材料に例えば紫外線を照射することによって、凸部の周辺の境界部に有機バリア層（例えばアクリル樹脂層）１４の中実部を形成する。この方法によって形成される有機バリア層１４は、平坦部には中実部が実質的に存在しない。有機バリア層の形成方法に関して、特許文献１および２の開示内容を参考のために本明細書に援用する。

図３に示す例のように、第２無機バリア層１６が突状構造体２２ａの上に形成されている場合、突状構造体２２ａの上に形成された第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）の上に、有機バリア層１４が形成されないことが好ましい。第１無機バリア層１２の欠陥１２ｆ１、１２ｆ２を充填するように有機バリア層１４が形成されると、第１無機バリア層１２の欠陥１２ｆ１、１２ｆ２に起因した段差が第２無機バリア層１６に反映されない。この場合、第２無機バリア層１６に欠陥１６ｆ１、１６ｆ２が形成されず、第２無機バリア層１６に生じたクラック１６ｄがアクティブ領域Ｒ１に達することを抑制することができないおそれがある。従って、上記特許文献１または２に記載の方法に、例えば以下に説明する方法のいずれかを組み合わせて、突状構造体２２ａの頂面および側面の上に形成された第１無機バリア層１２（延設部１２ｅ）の上に、有機バリア層１４が形成されないようにすることが好ましい。以下に説明する方法のいずれか複数を組み合わせてもよい。

なお、第２無機バリア層１６に生じたクラックが、アクティブ領域Ｒ１に達しても、アクティブ領域Ｒ１が第１無機バリア層１２で十分に覆われていれば、ＯＬＥＤ表示装置の耐湿信頼性が低下する可能性は小さい。第２無機バリア層１６に生じたクラックがアクティブ領域Ｒ１に達することの耐湿信頼性への影響は、第１無機バリア層１２に生じたクラックがアクティブ領域Ｒ１に達することの耐湿信頼性への影響に比べると小さい。従って、以下に説明する方法で、突状構造体２２ａの頂面および側面の上に形成された第１無機バリア層１２の上に、有機バリア層１４が形成されないようにすることはオプショナルであり、省略可能である。また、以下の方法は、突状構造体２２ａの頂面および側面の上に形成された第１無機バリア層１２の上に有機バリア層１４が形成されることを完全に防ぐ場合だけでなく、部分的に防ぐ（例えばある厚さ以上の有機バリア層１４が形成されることを防ぐ）場合にも用いられる。

例えば、上記特許文献１または２に記載の方法で光硬化樹脂層を形成した後に、光硬化樹脂層をドライプロセスで部分的に除去する工程を行ってもよい。「有機物をドライプロセスで除去する」とは、アッシングに限られず、アッシング以外の方法（例えば、スパッタ法）のドライプロセスで、有機物を除去することをいい、有機物は表面から除去される。有機物を完全に除去する場合だけでなく、部分的に（例えば表面からある深さまで）除去することを含む。なお、ドライプロセスとは、剥離液や溶剤などの液体を用いるウェットプロセスでないことをいう。アッシングは、例えば、Ｎ₂Ｏ、Ｏ₂およびＯ₃の内の少なくとも１種を含む雰囲気で行われ得る。アッシングは、前述したいずれかの雰囲気ガスを高周波でプラズマ化し、そのプラズマを利用するプラズマアッシング（またはコロナ放電処理）と、雰囲気ガスに紫外線等の光を照射して行われる光励起アッシングに大別され、例えば、公知のプラズマアッシング装置、コロナ放電を利用したアッシング処理装置、光励起アッシング装置、ＵＶオゾンアッシング装置等を用いて行い得る。第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６としてＳｉＮ膜をＣＶＤ法で成膜する場合、原料ガスとして、Ｎ₂Ｏを用いるので、Ｎ₂Ｏをアッシングに用いると装置を簡略化できるという利点が得られる。

あるいは、光硬化性樹脂を硬化させる際に、マスク露光等の選択露光を行ってもよい。フォトマスクの遮光部に対応した領域に有機バリア層１４の開口部が形成される。したがって、例えば、基板の法線方向から見たときに突状構造体２２ａと重なる領域に遮光部を有するフォトマスクを介して光硬化性樹脂を露光することによって、突状構造体２２ａと重なる領域に開口部を有する有機バリア層１４を得ることができる。

光硬化性樹脂を硬化させる際に、波長４００ｎｍ以下のレーザビームによって、所定の領域の光硬化性樹脂を照射することで選択露光を行うこともできる。例えば半導体レーザ素子から出射されるコヒーレントなレーザビームを用いるので、光線の直進性が高く、素子基板上にマスクを密着させることなく選択的な露光が実現する。

また、特定の領域に選択的に赤外線を照射することによって、その領域に光硬化樹脂層が形成されないようにすることもできる。有機バリア層１４を形成する工程は、基板上に光硬化性樹脂の液膜を形成する工程Ａと、突状構造体２２ａと重なる第１領域に選択的に例えば赤外線を照射することによって、第１領域内の光硬化性樹脂を気化させる工程Ｂと、工程Ｂの後で、光硬化性樹脂が感光性を有する光（例えば紫外線）を基板上の第１領域を含む第２領域（例えば基板の全面）に照射し、第２領域内の光硬化性樹脂を硬化させることによって、光硬化樹脂層を得る工程Ｃとを包含してもよい。赤外線に代えて、また、赤外線とともに照射する可視光の波長は５５０ｎｍ超が好ましい。突状構造体２２ａを、熱容量の大きな材料で形成してもよい。

突状構造体２２ａの表面（例えば頂部および側面）が、光硬化性樹脂に対して撥液性を有してもよい。例えばフォトリソグラフィプロセスを使って、シランカップリング剤を用いて、突状構造体２２ａの表面の特定の領域を疎水性に改質してもよい。あるいは、突状構造体２２ａを、光硬化性樹脂に対して撥液性を有する樹脂材料で形成してもよい。

図６（ａ）は、図２中の６Ａ−６Ａ’線に沿った断面図であり、パーティクルＰを含む部分を示している。パーティクルＰは、ＯＬＥＤ表示装置の製造プロセス中に発生する微細なゴミで、例えば、ガラスの微細な破片、金属の粒子、有機物の粒子である。マスク蒸着法を用いると、特にパーティクルＰが発生しやすい。

図６（ａ）に示すように、有機バリア層（中実部）１４は、パーティクルＰの周辺に形成された部分１４ｂを含む。これは、第１無機バリア層１２を形成した後に付与されたアクリルモノマーが、パーティクルＰ上の第１無機バリア層１２ａの表面（テーパー角が９０°超）の周辺に凝縮され、偏在するからである。第１無機バリア層１２の平坦部上は、有機バリア層１４の開口部（非中実部）となっている。

ここで、図７（ａ）〜（ｃ）を参照して、パーティクルＰを含む部分の構造を説明する。図７（ａ）は図６（ａ）のパーティクルＰを含む部分の拡大図であり、図７（ｂ）はパーティクルＰと、パーティクルＰを覆う第１無機バリア層（ＳｉＮ層）１２と、有機バリア層１４との大きさの関係を示す模式的な平面図であり、図７（ｃ）はパーティクルＰを覆う第１無機バリア層１２の模式的な断面図である。

図７（ｃ）に示すように、パーティクル（例えば直径が約１μｍ以上）Ｐが存在すると、第１無機バリア層１２に欠陥（クラック）１２ｃが形成されることがある。これは、パーティクルＰの表面から成長するＳｉＮ層１２ａと、ＯＬＥＤ３の表面の平坦部分から成長するＳｉＮ層１２ｂとが衝突（インピンジ）するために生じたと考えられる。この欠陥１２ｃは、（膜）密度が低い部分であり、極端な場合にはクラック１２ｃとなることもある。このような欠陥１２ｃが存在すると、ＴＦＥ構造１０Ａのバリア性が低下する。

ＯＬＥＤ表示装置１００ＡのＴＦＥ構造１０Ａでは、図７（ａ）に示すように、有機バリア層１４が、第１無機バリア層１２の欠陥１２ｃを充填するように形成し、かつ、有機バリア層１４の表面は、パーティクルＰ上の第１無機バリア層１２ａの表面と、ＯＬＥＤ３の平坦部上の第１無機バリア層１２ｂとの表面を連続的に滑らかに連結する。有機バリア層１４は、上述したように、液状の光硬化性樹脂を硬化することによって形成されるので、表面張力によって凹状の表面を形成する。このとき、光硬化性樹脂は、第１無機バリア層１２に対して良好な濡れ性を示している。光硬化性樹脂の第１無機バリア層１２に対する濡れ性が悪いと、逆に凸状になることがある。なお、有機バリア層１４がパーティクルＰ上の第１無機バリア層１２ａの表面にも薄く形成されることがある。

凹状の表面を有する有機バリア層（中実部）１４によって、パーティクルＰ上の第１無機バリア層１２ａの表面と、平坦部上の第１無機バリア層１２ｂとの表面が連続的に滑らかに連結されるので、この上に、欠陥の無い、緻密な膜で第２無機バリア層１６を形成することができる。このように、有機バリア層１４によって、パーティクルＰが存在しても、ＴＦＥ構造１０Ａのバリア性を維持することができる。

有機バリア層（中実部）１４は、図７（ｂ）に示す様に、パーティクルＰの周りにリング状に形成される。法線方向から見たときの直径（面積円相当径）が例えば１μｍ程度のパーティクルＰに対して、例えば、リング状の中実部の直径（面積円相当径）Ｄ_oは２μｍ以上である。

ここでは、有機バリア層１４が、パーティクルＰ上に形成された第１無機バリア層１２の不連続部分にのみ形成された例について、パーティクルＰがＯＬＥＤ３上に第１無機バリア層１２を形成する前に存在していた例を説明したが、パーティクルＰは、第１無機バリア層１２上に存在することもある。この場合には、有機バリア層１４は、第１無機バリア層１２上に存在するパーティクルＰと第１無機バリア層１２との境界の不連続部分にのみ形成され、上記と同様に、ＴＦＥ構造１０Ａのバリア性を維持することができる。有機バリア層１４はパーティクルＰ上の第１無機バリア層１２ａの表面、または、パーティクルＰの表面にも薄く形成されることがある。本明細書では、これらすべての態様を含む意図で、有機バリア層１４がパーティクルＰの周辺に存在するという。

図６（ａ）に示す例に限られず、有機バリア層（中実部）１４は、上記と同様の理由で、第１無機バリア層１２の表面の凸部の周辺にのみ形成される。有機バリア層（中実部）１４が形成される箇所の他の例を以下に示す。

次に、図６（ｂ）を参照して、引出し配線３０上のＴＦＥ構造１０Ａの構造を説明する。図６（ｂ）は、図２中の６Ｂ−６Ｂ’線に沿った断面図であり、引出し配線３０のアクティブ領域Ｒ１側の部分３２の断面図である。

図６（ｂ）に示すように、有機バリア層（中実部）１４は、引出し配線３０の部分３２の断面形状を反映した第１無機バリア層１２の表面の凸部の周辺に形成された部分１４ｃを含む。

引出し配線３０は、例えば、ゲートバスラインまたはソースバスラインと同じプロセスでパターニングされるので、ここでは、アクティブ領域Ｒ１内に形成されるゲートバスラインおよびソースバスラインも、図６（ｂ）に示した引出し配線３０のアクティブ領域Ｒ１側の部分３２と同じ断面構造を有する。ただし、典型的には、アクティブ領域Ｒ１内に形成されるゲートバスラインおよびソースバスラインの上には平坦化層が形成され、ゲートバスラインおよびソースバスライン上の第１無機バリア層１２の表面には段差が形成されない。

引出し配線３０の部分３２は、例えば、側面のテーパー角が９０°未満である順テーパー側面部分（傾斜側面部分）を有してもよい。引出し配線３０が順テーパー側面部分を有すると、その上に形成される第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６に欠陥が形成されることを防止することができる。すなわち、ＴＦＥ構造１０Ａの耐湿信頼性を向上させることができる。順テーパー側面部分のテーパー角は、７０°以下であることが好ましい。

ＯＬＥＤ表示装置１００のアクティブ領域Ｒ１は、有機バリア層１４が選択的に形成されている部分を除いて、第１無機バリア層１２と第２無機バリア層１６とが直接接触する無機バリア層接合部によって実質的に覆われている。したがって、有機バリア層１４が水分の侵入経路となって、ＯＬＥＤ表示装置のアクティブ領域Ｒ１に水分が到達することがない。

本発明の実施形態によるＯＬＥＤ表示装置１００は、例えば、高精細の中小型のスマートフォンおよびタブレット端末に好適に用いられる。高精細（例えば５００ｐｐｉ）の中小型（例えば５．７型）のＯＬＥＤ表示装置では、限られた線幅で、十分に低抵抗な配線（ゲートバスラインおよびソースバスラインを含む）を形成するために、アクティブ領域Ｒ１内における配線の線幅方向に平行な断面の形状は矩形（側面のテーパー角が約９０°）に近いことが好ましい。したがって、低抵抗な配線を形成するためには、順テーパー側面部分ＴＳＦのテーパー角を７０°超９０°未満としてもよいし、順テーパー側面部分ＴＳＦを設けず、配線の全長にわたってテーパー角を約９０°としてよい。

次に、図６（ｃ）を参照する。図６（ｃ）は、ＴＦＥ構造１０Ａが形成されていない領域の断面図である。ここでは、端子３８も、図６（ｃ）に示した引出し配線３０の部分３６と同じ断面構造を有する。図６（ｃ）に示す引出し配線３０の部分３６は、例えば、テーパー角が約９０°であってよい。

図８を参照しながら、本発明の実施形態１による他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｂの構造を説明する。図８は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｂの模式的な断面図である。

図８に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｂの第２無機バリア層１６は、基板の法線方向から見たとき、突状構造体２２ａと重ならないように形成されている点において、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａと異なる。第２無機バリア層１６の外縁は、突状構造体２２ａの内側にある。

このような構造を有するＯＬＥＤ表示装置１００Ｂにおいても、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａと同様の効果が得られる。

なお、上述したように、アクティブ領域Ｒ１が無機バリア層接合部で完全に包囲されている限り、第１無機バリア層１２および第２無機バリア層１６の形状は任意であってよい。

図８には、逆テーパー側面を有する突状構造体２２ａ１を有するＯＬＥＤ表示装置１００Ｂを示しているが、これに限られず、上述の突状構造体のいずれをも適用することができる。

以下で、突状構造体の変形例を説明する。以下で例示するＯＬＥＤ表示装置１００Ｃ〜１００Ｅは、突状構造体の平面形状（基板の法線方向から見たときの形状）に特徴を有する。ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃ〜１００Ｅは、上述のＯＬＥＤ表示装置のいずれにも適用できる。また、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃ〜１００Ｅが有する突状構造体の断面形状（突状構造体が延びる方向と直交する断面の形状）として、上述の突状構造体のいずれをも適用することができる。

図９および図１０を参照しながら、本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｃの構造を説明する。図９は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃの模式的な平面図であり、図１０は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃの模式的な断面図である。なお、簡単のため、図１０においては無機バリア層に生じたクラックおよび欠陥の図示を省略している。

図９および図１０に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃは、突状構造体２２ａ（「第１突状構造体２２ａ」ということがある。）とアクティブ領域Ｒ１との間に、アクティブ領域Ｒ１の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む突状構造体２２ｂ（「第２突状構造体２２ｂ」ということがある。）をさらに有する点において、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａと異なる。

ＯＬＥＤ表示装置１００Ｃは、第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂを有することで、ＯＬＥＤ表示装置１００Ａよりもさらに効果的にクラックがアクティブ領域Ｒ１に達することを防ぐことができる。

第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂは、それぞれ、アクティブ領域Ｒ１の４つの辺のうち、複数の端子が設けられている辺を除く３つの辺に沿って延びる部分を含む。ここでは、第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂは、互いに略平行に延びる部分を含む。

第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂが設けられている領域の幅Ｄｃは例えば数１００μｍ程度である。従って、第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂを有してもＯＬＥＤ表示装置の狭額縁化に大きく影響を与えない。

第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂの断面形状は、それぞれ、上述した条件を満たすことが好ましい。第１突状構造体２２ａおよび第２突状構造体２２ｂの断面形状は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、第１突状構造体２２ａのテーパー角θｐ１および第２突状構造体２２ｂのテーパー角θｐ２は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

図１０に示すように、アクティブ領域Ｒ１から遠い方の第１突状構造体２２ａの高さは、アクティブ領域Ｒ１から近い方の第２突状構造体２２ｂの高さよりも大きくてもよい。この場合、第１突状構造体２２ａは、上述したようにスペーサを兼ねることができる。

本実施形態のＯＬＥＤ表示装置は、３個以上の突状構造体を有してももちろんよい。

図１１を参照しながら、本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｄの構造を説明する。図１１は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｄの模式的な平面図である。

図１１に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｄが有する突状構造体２２Ｄは、複数のサブ構造体２２ｓ１、２２ｓ２、２２ｓ３、２２ｓ４、および２２ｓ５を含む。複数のサブ構造体２２ｓ１〜２２ｓ５をあわせて突状構造体２２Ｄということがある。突状構造体２２Ｄは、アクティブ領域Ｒ１のｙ軸方向に延びる辺のそれぞれに沿って延びるサブ構造体２２ｓ１および２２ｓ３と、アクティブ領域Ｒ１のｘ軸方向に延びる辺のうちの、複数の端子３８および複数の引出し配線３０が設けられていない辺に沿って延びるサブ構造体２２ｓ２と、アクティブ領域Ｒ１のｘ軸方向に延びる辺のうちの、複数の端子３８および複数の引出し配線３０が設けられている辺に沿って延びるサブ構造体２２ｓ４および２２ｓ５とを有する。

図１２を参照しながら、本発明の実施形態１によるさらに他のＯＬＥＤ表示装置１００Ｅの構造を説明する。図１２は、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｅの模式的な平面図である。

図１２に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１００Ｅが有する突状構造体２２Ｅは、複数のサブ構造体２２ｐを含む。複数のサブ構造体２２ｐを総称して突状構造体２２Ｅということがある。複数のサブ構造体２２ｐは、複数の端子３８が設けられている部分を除いて、分断線ＣＬとアクティブ領域Ｒ１の外縁とを結ぶ線を遮るように配置されている。

基板の法線方向から見たときの複数のサブ構造体２２ｐのそれぞれの平面形状は、任意であってよい。２以上のサブ構造体２２ｐを互いに連結してもよい。また、サブ構造体２２ｐの上面の大きさは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。同じ平面形状で同じ大きさのサブ構造体とすれば、例えば、フォトリソグラフィプロセスを用いて突状構造体２２Ｅを形成する際のフォトマスクを単純にできるというメリットが得られる。

（実施形態２）
本実施形態のＯＬＥＤ表示装置は、薄膜封止構造の構成において、先の実施形態と異なる。本実施形態のＯＬＥＤ表示装置は、薄膜封止構造に特徴を有する。本実施形態の薄膜封止構造は、上述のＯＬＥＤ表示装置のいずれにも適用できる。

図１３は、本発明の実施形態２のＯＬＥＤ表示装置が有するＴＦＥ構造１０Ｂを模式的に示す断面図である。先の実施形態においては、ＴＦＥ構造１０Ａを構成する有機バリア層１４が、離散的に分布する複数の中実部を有する。本実施形態のＯＬＥＤ表示装置が有するＴＦＥ構造１０Ｂは、図１３に示すように、比較的厚い有機バリア層１４（例えば、厚さ約５μｍ超約２０μｍ以下）を有する。有機バリア層１４は、例えば厚さが５μｍ以上の平坦化層を兼ねる。比較的厚い有機バリア層１４は、例えば素子基板に形成されたそれぞれのＯＬＥＤ表示装置部のアクティブ領域を覆うように形成されている。

図１３において、第１無機バリア層１２または第２無機バリア層１６を成膜する前から存在するパーティクルをＰ１で表し、第１無機バリア層１２または第２無機バリア層１６を成膜している間に発生するパーティクルをＰ２で表すことにする。

第１無機バリア層１２を成膜する前から存在していたパーティクルＰ１上に第１無機バリア層１２を成膜すると、パーティクルＰ１の表面から成長する部分１２ａと、ＯＬＥＤ３の平坦部分から成長する部分１２ｂとが衝突し、欠陥１２ｃが形成される。同様に、第２無機バリア層１６を成膜する過程でパーティクルＰ２が発生すると、第２無機バリア層１６に欠陥（例えばクラック）１６ｃが形成される。なお、パーティクルＰ２は、第２無機バリア層１６の成膜中に発生するので、パーティクルＰ２上に形成される第２無機バリア層１６の部分１６ａの厚さは、平坦部上に形成される部分１６ｂの厚さよりも小さく図示している。

このような比較的厚い有機バリア層１４は、例えばインクジェット法を用いて形成することができる。インクジェット法などの印刷法を用いて有機バリア層を形成する場合、有機バリア層は、素子基板上のアクティブ領域にのみ形成され、突状構造体と重なる領域には形成されないようにすることができる。

本発明の実施形態は、有機ＥＬ表示装置、特にフレキシブルな有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に適用され得る。

１ ：基板（フレキシブル基板）
２ ：バックプレーン（回路）
３ ：有機ＥＬ素子
４ ：偏光板
１０、１０Ａ、１０Ｂ ：薄膜封止構造（ＴＦＥ構造）
１２ ：第１無機バリア層
１４ ：有機バリア層
１６ ：第２無機バリア層
２２ａ、２２ａ１、２２ａ２、２２ｂ、２２Ｄ、２２Ｅ ：突状構造体
３０ ：引出し配線
３８ ：端子
１００、１００Ａ、１００Ａ１、１００Ａ２ ：有機ＥＬ表示装置
１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ ：有機ＥＬ表示装置
２００Ａ ：マザーパネル

Claims (20)

1. 複数の有機ＥＬ素子を含むアクティブ領域と、前記アクティブ領域以外の領域に位置する周辺領域とを有する有機ＥＬデバイスであって、
   基板および前記基板に支持された前記複数の有機ＥＬ素子を有する素子基板と、前記複数の有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止構造とを有し、
   前記薄膜封止構造は、第１無機バリア層と、前記第１無機バリア層の上面に接する有機バリア層と、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の上面に接する第２無機バリア層とを有し、
   前記周辺領域は、前記基板に支持された、前記アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第１突状構造体と、前記第１突状構造体の上に延設された、前記第１無機バリア層の延設部とを有し、
   前記第１突状構造体は第１部分および第２部分を含み、前記第１部分は前記第２部分よりも前記第１突状構造体の頂部に近く、前記基板の法線方向から見たとき、前記第１部分の前記基板面に平行な第１断面は、前記第２部分の前記基板面に平行な第２断面と重ならない部分を含む、有機ＥＬデバイス。
2. 前記第１突状構造体の高さは、前記第１無機バリア層の厚さよりも大きい、請求項１に記載の有機ＥＬデバイス。
3. 前記第１突状構造体の高さは、前記第１無機バリア層の厚さの３倍以上である、請求項１または２に記載の有機ＥＬデバイス。
4. 前記第１突状構造体は、前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面を見たとき、前記第１突状構造体の高さ方向と略直交する方向に突き出ている突出部を含み、前記突出部は前記第１部分を含む、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
5. 前記第１突状構造体は、前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面を見たとき、その側面のテーパー角が９０°超である逆テーパー部を含み、前記逆テーパー部は前記第１部分および前記第２部分を含む、請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
6. 前記周辺領域は、前記第１無機バリア層の前記延設部の上に形成された、前記第２無機バリア層の延設部を有する、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
7. 前記第１突状構造体の高さは、前記第１無機バリア層の厚さおよび前記第２無機バリア層の厚さの和の３倍以上である、請求項６に記載の有機ＥＬデバイス。
8. 前記基板の法線方向から見たとき、前記第２無機バリア層は、前記第１突状構造体と重ならない、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
9. 前記素子基板は、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかを有する複数の画素のそれぞれを規定するバンク層をさらに有し、前記第１突状構造体の高さは、前記バンク層の厚さと同じまたはよりも大きい、請求項１から８のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
10. 前記第１突状構造体は、前記アクティブ領域の３つの辺に沿って延びる部分を含む、請求項１から９のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
11. 前記素子基板は、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかに接続された複数のゲートバスラインと、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかに接続された複数のソースバスラインとを有し、
    前記周辺領域は、前記アクティブ領域のある辺の近傍の領域に設けられた複数の端子と、前記複数の端子と前記複数のゲートバスラインまたは前記複数のソースバスラインのいずれかとを接続する複数の引出し配線とを有し、
    前記第１突状構造体は、前記アクティブ領域の前記ある辺以外の３つの辺に沿って延びる部分を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
12. 前記有機バリア層は、離散的に分布する複数の中実部を有し、
    前記第２無機バリア層は、前記第１無機バリア層の前記上面および前記有機バリア層の前記複数の中実部の上面に接する、請求項１から１１のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
13. 前記有機バリア層は、厚さが５μｍ以上の平坦化層を兼ねる、請求項１から１１のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
14. 前記周辺領域は、前記アクティブ領域と前記第１突状構造体との間に、前記アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第２突状構造体を有する、請求項１から１３のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
15. 前記第１突状構造体は、複数のサブ構造体を含む、請求項１から１４のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
16. 基板と、前記基板に支持された、それぞれが複数の有機ＥＬ素子を含む複数のアクティブ領域とを有する素子基板を用意する工程と、前記複数のアクティブ領域のそれぞれに前記複数の有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止構造を形成する工程と、前記薄膜封止構造を形成する工程の後に、前記複数のアクティブ領域のそれぞれを分断する工程とを包含し、
    前記素子基板を用意する工程は、前記複数のアクティブ領域のそれぞれに、該アクティブ領域の少なくとも１つの辺に沿って延びる部分を含む第１突状構造体を形成する工程ａ１を包含し、
    前記第１突状構造体は第１部分および第２部分を含み、前記第１部分は前記第２部分よりも前記第１突状構造体の頂部に近く、前記基板の法線方向から見たとき、前記第１部分の前記基板面に平行な第１断面は、前記第２部分の前記基板面に平行な第２断面と重ならない部分を含み、
    前記薄膜封止構造を形成する工程は、
    前記第１突状構造体の上に、前記第１突状構造体を覆うように、第１無機バリア層を形成する工程Ａと、
    前記工程Ａの後で、前記第１無機バリア層の上に有機バリア層を形成する工程Ｂと、
    前記工程Ｂの後で、前記第１無機バリア層および前記有機バリア層の上に、第２無機バリア層を形成する工程Ｃと
    を包含し、
    前記複数のアクティブ領域のそれぞれを分断する工程は、前記複数のアクティブ領域のそれぞれに形成された前記第１突状構造体および該アクティブ領域を含むように、前記基板および前記第１無機バリア層を切断する工程を包含する、有機ＥＬデバイスの製造方法。
17. 前記素子基板を用意する工程は、それぞれが前記複数の有機ＥＬ素子のいずれかを有する複数の画素のそれぞれを規定するバンク層を形成する工程ａ２をさらに包含し、
    前記工程ａ１および前記工程ａ２は、同じ樹脂膜をパターニングする工程を包含する、請求項１６に記載の製造方法。
18. 前記第１突状構造体は、下側層と、前記下側層上に形成された上側層とを含み、前記第１突状構造体が延びる方向と直交する断面において、前記上側層の底部の幅は前記下側層の頂部の幅よりも大きく、
    前記工程ａ１は、
    前記基板上に下側膜を形成する工程ａ１１と、
    前記下側膜上に上側膜を形成する工程ａ１２と、
    前記上側膜をパターニングすることによって前記上側層を形成する工程ａ１３と、
    前記下側膜をパターニングすることによって前記下側層を形成する工程ａ１４と
    を包含する、請求項１６または１７に記載の製造方法。
19. 前記下側膜はアクリル樹脂を含み、前記上側膜は窒化珪素を含む、請求項１８に記載の製造方法。
20. 前記工程ａ１３は、フッ酸を用いて前記上側膜をエッチングする工程を包含する、請求項１８または１９に記載の製造方法。

Images