CN111512701B - 有机el设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

有机EL设备(100A)具有包含多个有机EL元件的有源区域(R1)和位于有源区域以外的区域的周边区域(R2)，并且具有元件基板(1)以及薄膜密封结构(10A)，元件基板具有基板以及由基板支承的多个有机EL元件，薄膜密封结构覆盖所述多个有机EL元件。薄膜密封结构具有：第一无机势垒层(12)、与第一无机势垒层的上表面相接的有机势垒层(14)、与第一无机势垒层的上表面和有机势垒层的上表面相接的第二无机势垒层(16)。周边区域具有：第一突状结构体(22a)，其包含由基板支承的、沿有源区域的至少一个边延伸的部分；以及在第一突状结构体上延伸设置的第一无机势垒层的延伸设置部(12e)，第一突状结构体的高度大于第一无机势垒层的厚度。

Description

有机EL设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机EL设备及其制造方法。
背景技术
有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示装置已开始实用化。有机EL显示装置的特征之一为，可以获得柔性显示装置。有机EL显示装置中，针对每个像素具有：至少一个有机EL元件(Organic Light Emitting Diode:OLED，有机发光二极管)和控制向每个OLED供给的电流的至少一个TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)。以下，将有机EL显示装置称为OLED显示装置。如上所述，针对每个OLED，具有TFT等开关元件的OLED显示装置被称为有源矩阵型OLED显示装置。另外，形成TFT和OLED的基板被称为元件基板。
OLED(特别是有机发光层和阴极电极材料)受到水分的影响容易劣化，且容易产生显示不均。作为保护OLED免受水分并且提供不损害柔软性的密封结构的技术，开发了薄膜密封(Thin Film Encapsulation，TFE)技术。薄膜密封技术是通过交替地层叠无机势垒层和有机势垒层来获得足够的水蒸气势垒性的薄膜。从OLED显示装置的耐湿可靠性的观点来看，作为薄膜密封结构的WVTR(Water Vapor Transmission Rate：WVTR，水蒸气透过率)，通常要求为1×10-4g/m2/day以下。
目前市面上出售的OLED显示装置所使用的薄膜密封结构具有厚度约5μm至约20μm的有机势垒层(高分子势垒层)。这样相对较厚的有机势垒层也起到使元件基板的表面平坦化的作用。
另外，专利文献1和2中记载有具有由不均匀的树脂构成的有机势垒层的薄膜密封结构。专利文献1或2中记载的薄膜密封结构不具有厚的有机势垒层。因此，如果使用专利文献1或2中记载的薄膜密封结构，则认为OLED显示装置的弯曲性得到改善。
专利文献1中公开有如下薄膜密封结构：当从元件基板侧依次形成第一无机材料层(第一无机势垒层)、第一树脂材料和第二无机材料层(第二无机势垒层)时，第一树脂材料不均匀地分布在第一无机材料层的凸部(覆盖凸部的第一无机材料层)的周围。根据专利文献1，通过使第一树脂材料不均匀地分布在可能未被第一无机材料层充分覆盖的凸部周围，从而抑制水分和氧气从该部分侵入。另外，第一树脂材料作为第二无机材料层的基底层发挥功能，因此可以适当地形成第二无机材料层，且可以适当地以期望的膜厚涂布第一无机材料层的侧面。第一树脂材料如下而形成。将加热汽化后的雾状有机材料供给到维持在室温以下的温度的元件基板上，并且有机材料在基板上冷凝而滴状化。液滴状的有机材料由于毛细管现象或表面张力而在基板上移动，并且不均匀地分布在第一无机材料层的凸部的侧面与基板表面之间的边界部。之后，通过使有机材料固化，在边界部形成第一树脂材料。专利文献2也公开了具有同样薄膜密封结构的OLED显示装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2014/196137号
专利文献2：日本特开2016-39120号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
例如，如下制造OLED显示装置。首先，在母玻璃基板上制造具有分别与OLED显示装置对应的多个OLED显示装置部的元件基板。接着，在元件基板的每个OLED显示装置部上分别形成薄膜密封结构。之后，将OLED显示装置切割为单独的OLED显示装置，并且根据需要经过后续工序以获得OLED显示装置。从耐湿可靠性的观点来看，优选所获得的OLED显示装置的有源区域被第一无机势垒层和第二无机势垒层直接接触的部分完全包围。
但是，本发明的发明人以上述方法试制了OLED显示装置，有时会产生不能得到充分的耐湿可靠性的问题。
根据本发明的发明人的研究，在切割元件基板的工序中，如果在切割线上存在构成薄膜密封结构的无机材料层(第一无机势垒层及/或第二无机势垒层)，则在无机材料层上从切割的地方会产生龟裂(裂纹)。由于热历史等原因，该龟裂可能随时间发展，并且可能到达OLED显示装置的有源区域。
构成薄膜密封结构的无机材料层例如通过掩模CVD方法形成为覆盖OLED显示装置的有源区域。此时，考虑到掩模CVD装置的尺寸精度以及掩模与元件基板之间的对准误差，形成比要形成薄膜密封结构的区域更宽的无机材料层。如果形成无机材料层的区域太大，则无机材料层存在于元件基板的切割线上，这可能引起上述问题。另外，为了提高OLED显示装置的量产性，由一张母玻璃基板形成的OLED显示装置的数量有增加的倾向。结果，相邻的OLED显示装置部的间隔变小(例如数mm)，并且容易产生上述问题。
上述问题不限于具有专利文献1和2中记载的薄膜密封结构的OLED显示装置，在具有厚度超过5μm的有机势垒层的薄膜密封结构的OLED显示装置中也是常见的问题。另外，这里说明了OLED显示装置所具有的薄膜密封结构的问题，但薄膜密封结构不仅限于OLED显示装置，还用于有机EL照明装置等的其他有机EL设备。
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种改善了耐湿可靠性的、具备薄膜密封结构的有机EL设备及其制造方法。
用于解决问题的方案
根据本发明的某一实施方式的有机EL设备是具有包含多个有机EL元件的有源区域和位于所述有源区域以外的区域的周边区域的有机EL设备，其具有元件基板以及薄膜密封结构，所述元件基板具有基板以及由所述基板支承的所述多个有机EL元件，所述薄膜密封结构覆盖所述多个有机EL元件，所述薄膜密封结构具有：第一无机势垒层、与所述第一无机势垒层的上表面相接的有机势垒层、与所述第一无机势垒层的所述上表面和所述有机势垒层的上表面相接的第二无机势垒层，所述周边区域具有：第一突状结构体，其包含由所述基板支承的、沿所述有源区域的至少一个边延伸的部分；以及在所述第一突状结构体上延伸设置的所述第一无机势垒层的延伸设置部，所述第一突状结构体的高度大于所述第一无机势垒层的厚度。此处，所述第一无机势垒层的厚度例如为所述有源区域中的厚度。
在某一实施方式中，在与所述第一突状结构体延伸的方向正交的剖面中，所述第一突状结构体的顶部的宽度为10μm以下。
在某一实施方式中，在与所述第一突状结构体延伸的方向正交的剖面中，所述第一突状结构体的的侧面的锥形角为80°以上。
在某一实施方式中，在与所述第一突状结构体延伸的方向正交的剖面中，所述第一突状结构体的顶部的宽度不到所述第一无机势垒层的厚度和所述第二无机势垒层的厚度之和的一半。此处，所述第一无机势垒层的厚度D和所述第二无机势垒层的厚度例如分别为所述有源区域中的厚度。
在某一实施方式中，所述周边区域具有在所述第一无机势垒层的所述延伸设置部上形成的、所述第二无机势垒层的延伸设置部。
在某一实施方式中，当从所述基板的法线方向看时，所述第二无机势垒层不与所述第一突状结构体重叠。
在某一实施方式中，所述第一突状结构体包含沿着所述有源区域的三个边延伸的部分。
在某一实施方式中，所述元件基板具有：分别连接到所述多个有机EL元件的任一个的多个栅极总线；以及分别连接到所述多个有机EL元件的任一个的多个源极总线，所述周边区域具有：在所述有源区域的某个边附近设置的多个端子；以及连接所述多个端子与所述多个栅极总线或所述多个源极总线中任一个的多个引出布线，所述第一突状结构体包含沿着所述有源区域的、除所述某个边以外的三个边延伸的部分。
在某一实施方式中，所述有机势垒层具有离散分布的多个实心部，所述第二无机势垒层与所述第一无机势垒层的所述上表面和所述有机势垒层的所述多个实心部的上表面相接。
在某一实施方式中，所述周边区域具有第二突状结构体，所述第二突状结构体在所述有源区域与所述第一突状结构体之间包含沿着所述有源区域的至少一个边延伸的部分。
在某一实施方式中，所述第一突状结构体包含多个子结构体。
根据本发明的某一实施方式的有机EL设备的制造方法包含以下工序：准备具有基板以及由所述基板支承的多个有机EL元件的元件基板的工序；以及形成覆盖所述多个有机EL元件的薄膜密封结构的工序，准备所述元件基板的工序包含形成第一突状结构体的工序a1，所述第一突状结构体包含沿着包含所述多个有机EL元件的有源区域的至少一个边延伸的部分，所述形成薄膜密封结构的工序包含：在所述第一突状结构体上，以覆盖所述第一突状结构体的方式形成具有小于所述第一突状结构体的高度的厚度的第一无机势垒层的工序A；在所述工序A之后，在所述第一无机势垒层上形成有机势垒层的工序B；以及在所述工序B之后，在所述第一无机势垒层和所述有机势垒层上形成第二无机势垒层的工序C。
在某一实施方式中，准备所述元件基板的工序还包含形成分别规定多个像素的每一个的堤层的工序a2，所述多个像素具有所述多个有机EL元件的任一个，通过对相同的树脂膜进行图案化来进行所述工序a1和所述工序a2。
发明效果
根据本发明的实施方式，提供了一种改善了耐湿可靠性的、具备薄膜密封结构的有机EL设备及其制造方法。
附图说明
图1的(a)是根据本发明的实施方式的OLED显示装置100的有源区域的示意性局部剖视图，(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的局部剖视图。
图2是示意性示出根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置100A的结构的俯视图。
图3是沿着图2中的3A-3A’线的OLED显示装置100A的示意性剖视图。
图4是用于说明OLED显示装置100A的制造方法的示意图，且是示意性地示出用于形成OLED显示装置100A的母面板200A的图。
图5的(a)至(c)是OLED显示装置100A的示意性剖视图，且(a)是沿着图2中的5A-5A’线的剖视图，(b)是沿着图2中的5B-5B’线的剖视图，(c)是沿着图2中的5C-5C’线的剖视图。
图6的(a)是包含图5的(a)中的粒子P的部分的放大图，(b)是示出粒子P、覆盖粒子P的第一无机势垒层(SiN层)与有机势垒层之间的尺寸关系的示意性俯视图，(c)是覆盖粒子P的第一无机势垒层的示意性剖视图。
图7是示意性示出根据本发明的第一实施方式的另一OLED显示装置100B的结构的俯视图。
图8是示意性示出根据本发明的第一实施方式的又一OLED显示装置100C的结构的俯视图。
图9是沿着图8中的9A-9A’线的OLED显示装置100C的示意性剖视图。
图10是示意性示出根据本发明的第一实施方式的又一OLED显示装置100D的结构的俯视图。
图11是示意性示出根据本发明的第一实施方式的又一OLED显示装置100E的结构的俯视图。
图12是示意性示出根据本发明的第二实施方式的OLED显示装置所具有的薄膜密封结构10B的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图说明根据本发明的实施方式的有机EL设备及其制造方法。以下，例示出OLED显示装置作为有机EL设备。此外，本发明的实施方式并不限于以下例示的实施方式。
以下，参照图1的(a)和图1的(b)说明根据本发明的实施方式的OLED显示装置100的基本构成。图1的(a)是根据本发明的实施方式的OLED显示装置100的有源区域的示意性局部剖视图，图1的(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的局部剖视图。根据后述的第一实施方式的OLED显示装置100A和根据第二实施方式的OLED显示装置也基本上具有相同的构成，特别是与TFE结构相关的结构之外的结构可以与OLED显示装置100相同。
OLED显示装置100具有多个像素，并且每个像素具有至少一个有机EL元件(OLED)。此处，为了简单起见，对与一个OLED对应的结构进行说明。
如图1的(a)所示，OLED显示装置100具有：基板(例如柔性基板。以下，有时简称为“基板”。)1、包含形成在基板1上的TFT的电路(背板)2、形成在电路2上的OLED3、以及形成在OLED3上的TFE结构10。OLED3例如为顶部发射型。OLED3的最上部例如为上部电极或盖层(折射率调整层)。在TFE结构10上配置有可选的偏振板4。下面，说明基板1为柔性基板的示例。
基板1例如是厚度为15μm的聚酰亚胺膜。包含TFT的电路2的厚度例如为4μm，OLED3的厚度例如为1μm，TFE结构10的厚度例如为1.5μm以下。
图1的(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的局部剖视图。TFE结构10具有：第一无机势垒层(例如SiN层)12、与第一无机势垒层12的上表面相接的有机势垒层(例如丙烯酸树脂层)14、与第一无机势垒层12的上表面和有机势垒层14的上表面相接的第二无机势垒层(例如SiN层)16。第一无机势垒层12形成在OLED3的正上方。
TFE结构10以保护OLED显示装置100的有源区域(参照图2中的有源区域R1)的方式形成，如上所述，至少在有源区域中，从靠近OLED3的一侧开始依次具有第一无机势垒层12、有机势垒层14和第二无机势垒层16。
(第一实施方式)
以下，参照图2至图4说明根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置100A的结构及其制造方法。
图2是示意性示出根据本发明的实施方式的OLED显示装置100A的俯视图。图3是示意性示出OLED显示装置100A的剖视图，且是沿着图2中的3A-3A’线的剖视图。
如图2所示，OLED显示装置100A具有：柔性基板1、形成在柔性基板1上的电路(背板)2、形成在电路2上的多个OLED3、以及形成在OLED3上的TFE结构10A。排列有多个OLED3的层可以称为OLED层3。另外，电路2和OLED层3也可以共享一部分构成要素。TFE结构10A上还可以配置可选的偏振板(参照图1中的附图标记4)。此外，例如，也可以在TFE结构10A与偏振板之间配置负责触摸面板功能的层。即，OLED显示装置100可以被改变为带外嵌(on-cell)式触摸面板的显示装置。
电路2具有多个TFT(未图示)、和分别与多个TFT(未图示)中的任一个连接的多个栅极总线(未图示)和多个源极总线(未图示)。电路2可以是用于驱动多个OLED3的公知电路。多个OLED3连接到电路2所具有的多个TFT中的任一个。OLED3也可以是公知的OLED。
OLED显示装置100A还具有：被配置在配置有多个OLED3的有源区域(图2中的虚线所包围的区域)R1的外侧的周边区域R2中的多个端子38；以及连接多个端子38、多个栅极总线或多个源极总线的任一个的多个引出布线30，其中，TFE结构10A形成在多个OLED3上以及多个引出布线30的有源区域R1侧的部分上。即，TFE结构10A覆盖整个有源区域R1，并且选择性地形成在多个引出布线30的有源区域R1侧的部分上，并且引出布线30的端子38侧和端子38未被TFE结构10A覆盖。
以下，说明引出布线30和端子38使用相同导电层形成为一体的示例，但是也可以使用相互不同的导电层(包括层叠结构)形成。
如图2和图3所示，OLED显示装置100A的周边区域R2具有：沿着有源区域R1的至少一个边延伸的突状结构体22a和延伸设置在突状结构体22a上的第一无机势垒层12的延伸设置部12e。突状结构体22a的高度Hp大于第一无机势垒层12的厚度D12。第一无机势垒层12的厚度D12是指在第一无机势垒层12中的有源区域R1中形成的部分的厚度。
参照图4，对OLED显示装置100A的制造方法进行说明。图4是示意性地示出用于形成OLED显示装置100A的母面板200A的图。
如图4所示，母面板200A是在使用母基板(G4.5(730mm×920mm))形成的元件基板20上形成薄膜密封结构10A的面板。元件基板20具有多个OLED显示装置部100Ap，每个OLED显示装置部100A成为OLED显示装置100A。薄膜密封结构10A形成为保护每个OLED显示装置部100Ap的有源区域R1。母面板200A通过切割线CL被切割成各个OLED显示装置部100Ap，之后，根据需要经过后续工序，得到OLED显示装置100A。
第一无机势垒层12和第二无机势垒层16例如通过使用掩模的等离子体CVD法，选择性地仅在规定区域上形成，以覆盖每个OLED显示装置部100Ap的有源区域R1。OLED显示装置部100Ap的有源区域R1优选被第一无机势垒层12与第二无机势垒层16直接接触的部分(以下称为“无机势垒层接合部”)完全包围。只要有源区域R1被无机势垒层接合部完全包围，第一无机势垒层12和第二无机势垒层16的形状可以是任意的。例如，第二无机势垒层16可以与第一无机势垒层12相同(外缘一致)，也可以形成为覆盖整个第一无机势垒层12。第一无机势垒层12也可以被形成为覆盖整个第二无机势垒层16。TFE结构10A的外形例如由无机势垒层接合部来划定，该无机势垒层接合部由第一无机势垒层12和第二无机势垒层16形成。
在图2和图4的俯视图中，仅将要形成TFE结构10A的区域图示为TFE结构10A。要形成TFE结构10A的区域是至少覆盖有源区域R1且包括无机势垒层接合部的区域，并且位于切割线CL的内侧。这是因为，当第一无机势垒层12及/或第二无机势垒层16存在于切割线CL上时，在切割元件基板20的工序中切断的层的数量增加，并且制造成本会增加。如图2和图4所示，要形成TFE结构10A的区域例如与用于形成第一无机势垒层12及/或第二无机势垒层16的CVD掩模的形状对应。
然而，实际上，如图3的剖视图所示，例如由于掩模CVD装置的尺寸精度，形成第一无机势垒层12及/或第二无机势垒层16的区域有时大于要形成TFE结构10A的区域。此外，考虑到第一无机势垒层12的掩模与元件基板20之间的对准误差，有时形成比要形成薄膜密封结构10A的区域宽的第一无机势垒层12。从提高OLED显示装置的量产性的观点来看，优选在元件基板20上形成的OLED显示装置部100Ap的相邻间距小(例如数mm(例如3mm))。在这些情况下，第一无机势垒层12及/或第二无机势垒层16有时存在于切割线CL上。在本说明书中，有时将第一无机势垒层12中的、形成在要形成TFE结构10A的区域之外的区域中的部分称为延伸设置部12e。同样对于第二无机势垒层16，有时将第二无机势垒层16中的、形成在要形成TFE结构10A的区域之外的区域中的部分称为延伸设置部16e。
如图3所示，在获得的OLED显示装置100A中，从切割的地方(切割线CL)到第一无机势垒层12有时会产生龟裂(裂纹)12d。由于热历史等原因，裂纹12d随时间发展。如果没有突状结构体22a，则裂纹12d可以通过第一无机势垒层12到达有源区域R1。然而，OLED显示装置100A具有形成在第一无机势垒层12下的突状结构体22a，从而可以抑制裂纹12d到达有源区域R1。OLED显示装置100A的耐湿可靠性得到改善。
如图3所示，在形成有突起结构体22a的平坦面与突起结构体22a的侧面之间的边界处，在第一无机势垒层12上容易形成缺陷12f2。这是因为，在从平坦面生长的SiN膜和从侧面生长的SiN膜发生撞击(碰撞)的地方形成(膜)密度低的部分。这个缺陷在极端的情况下有时会变为裂纹。同样地，在突状结构体22a的顶面也容易形成缺陷12f1。这些缺陷12f1和12f2沿着突状结构体22a延伸的方向呈线状形成。在切割过程中，当在第一无机势垒层12内产生的裂纹12d朝着有源区域R1发展时，裂纹12d的前端到达沿着突状结构体22a延伸的方向形成的线状的缺陷12f1或12f2。这样，裂纹12d的前端的应力被释放，防止了裂纹12d超过线状缺陷12f1或12f2而发展。
例如，在与突状结构体22a延伸的方向正交的剖面(例如图3所示的剖面)中，若突状结构体22a的顶部的宽度Dt小，则形成在突状结构体22a的顶部上的第一无机势垒层12(延伸设置部12e)的厚度小及/或具有缺陷12f1，因此可以抑制裂纹12d的发展。或者，在与突状结构体22a延伸的方向正交的剖面(例如图3所示的剖面)中，若突状结构体22a的侧面的锥形角θp大，则在形成在突状结构体22a的侧面上的第一无机势垒层12(延伸设置部12e)上产生缺陷12f2，因此第一无机势垒层12可以抑制裂纹12d的发展。
在图示的示例中，第二无机势垒层16也形成在切割线CL上。因此，如图3所示，在获得的OLED显示装置100A中，从切割的地方(切割线CL)到第二无机势垒层16爷会产生龟裂(裂纹)16d。第二无机势垒层16具有形成在第一无机势垒层12的延伸设置部12e上的延伸设置部16e。由于第二无机势垒层16反映了作为基底的第一无机势垒层12的缺陷12f1、12f2引起的阶梯差，因此第二无机势垒层16的延伸设置部16e厚度小及/或具有缺陷16f1和16f2。由此，第二无机势垒层16可以抑制裂纹16d达到有源区域R1。
此处，已说明了第一无机势垒层12和第二无机势垒层16选择性地仅在规定区域上形成以覆盖有源区域R1的情况，但是本实施方式不限于此。第一无机势垒层12及/或第二无机势垒层16也可以在使用母基板形成的元件基板20的整个表面上形成。在这种情况下，如上所述，通过具有突状结构体22a，可以改善所获得的OLED显示装置的耐湿可靠性。
突状结构体22a的、与突状结构体22a延伸的方向正交的剖面的形状优选调整为使得延伸设置在突状结构体22a上的第一无机势垒层12(延伸设置部12e)的厚度小于形成在有源区域R1中的第一无机势垒层12的厚度D12。突状结构体22a的所述剖面的形状也可以调整为使得在形成于突状结构体22a的顶面上的第一无机势垒层12(延伸设置部12e)上产生缺陷12f1。例如，在与突状结构体22a延伸的方向正交的剖面中，突状结构体22a的顶部的宽度Dt优选为10μm以下，更优选为5μm以下。也可以调整突状结构体22a的所述剖面的形状，使得在第一无机势垒层12上产生缺陷12f2。例如，在与突状结构体22a延伸的方向正交的剖面中，突状结构体22a的侧面的锥形角θp(90°以下)优选为80°以上。突状结构体22a的、与突状结构体22a延伸的方向正交的剖面的形状理想为三角形，且优选为与其接近的形状，例如为顶部的宽度小的梯形。另外，上述剖面的形状不限于图示的例子，例如，顶部的角可以是圆的，顶部也可以包含曲线。
如图所示，在凸状结构体22a上形成有第一无机势垒层12和第二无机势垒层16的情况下，例如，凸状结构体22a的高度Hp优选是第一无机势垒层12的厚度D12和第二无机势垒层16的厚度D16的和(D12+D16)的1.2倍以上。优选地，在与突状结构体22a延伸的方向正交的剖面中的，突状结构体22a的顶部的宽度Dt不到第一无机势垒层12的厚度D12和第二无机势垒层16的厚度D16的和(D12+D16)的一半。此处，第一无机势垒层12的厚度D12和第二无机势垒层16的厚度D16是指有源区域R1中形成的部分的厚度。第一无机势垒层12和第二无机势垒层16例如是厚度为400nm的SiN层(例如，Si3N4层)，并且突状结构体22a的高度Hp例如为1μm，突状结构体22a的顶部的宽度Dt例如为300nm。
突状结构体22a的、与突状结构体22a延伸的方向正交的剖面中的底部的宽度Da例如为10μm以下。在这种情况下，即使设置了突状结构体22a，也不会对OLED显示装置100A的窄边框化带来大的影响。
突状结构体22a例如使用感光性树脂通过光刻过程来形成。例如，也能以与形成规定多个像素中的每个像素的堤层(PDL(Pixel Defining Layer，像素定义层))(未图示)的工序相同的工序来制造。即，也可以通过对相同的树脂膜进行图案化来形成突起结构体22a和堤层。堤层例如形成在构成OLED3的阳极的下部电极与形成在下部电极上的有机层(有机发光层)之间。由于堤层的厚度为数μm(例如1μm～2μm)，因此可以使突状结构体22a的高度与堤层的高度相同。当然，通过使用多灰度掩模(半色调掩模或灰度掩模)的光刻过程，也可以使突状结构体22a的高度与堤层的高度不同。或者，也可以通过与形成电路(背板)2的工序中的任一个相同的工序来形成突状结构体22a。例如，可以由与作为OLED3的下部电极的基底的平坦化层相同的树脂膜来形成突状结构体22a。当然，也可以在与形成电路(背板)2的工序不同的工序中形成突状结构体22a。
当通过掩模蒸镀法形成OLED3的有机发光层时，突状结构体22a也可以兼用作用于在蒸镀掩模与元件基板的表面之间形成所期望的间隙的间隔件。或者，也可以兼用作用于支承配置在TFE结构10A上的触摸传感器层或基板(保护层)的间隔件。在突状结构体22a兼用作间隔物的情况下，在与突状结构体22a延伸的方向正交的剖面中，突状结构体22a的顶部的宽度Dt优选为5μm以上，更优选为10μm以上。如果将突状结构体22a的顶部的宽度Dt设为上述范围中，则在突状结构体22a的顶面形成的第一无机势垒层12上可能不会产生缺陷，但是，例如，通过将突状结构体22a的侧面的锥形角θp设为80°以上，能够在突状结构体22a的侧面形成的第一无机势垒层12上产生缺陷12f2。
如图2所示，突状结构体22a包含沿着有源区域R1的四个边中的、除设置有多个端子38和多个引出布线30的边(在x轴方向延伸的边中的图2的下侧的边)之外的三个边延伸的部分。例如，在中小型的OLED显示装置中，要求减小有源区域R1的上下左右4个周边区域中的、除取出布线端子的一个周边区域之外的其他3个周边区域的宽度。因此，在其他三个周边区域中，如上所述，由于容易在切割线CL上形成无机势垒层，因此通过设置突状结构体22a，可以改善耐湿可靠性。与此相比，对于取出布线端子的周边区域，由于所要求的窄边框化的程度小，因此容易以不在切割线CL上重叠的方式形成无机势垒层。因此，可以省略突状结构体22a。如图2所示，除了设置有多个端子38的部分之外，也可以沿着有源区域R1的四个边设置突状结构体22a。除了设置有多个端子38的部分之外，优选以遮挡连接切割线CL与有源区域R1的外缘的线(例如直线)的方式设置突状结构体22a。
突状结构体的平面形状不限于例示的平面形状。突状结构体也可以沿着有源区域R1的四个边中除了设置有多个端子的两个边之外的其他两个边延伸。例如，在大型的OLED显示装置中，有时构成为在有源区域R1的上下左右4个周边区域中的、相对的两个(上下或左右)周边区域中取出布线端子。另外，突状结构体无需一定形成为一体，也可以由多个子结构体构成。作为多个子结构体的整体，构成为遮挡切割线CL与有源区域R1的外缘之间即可。突状结构体的配置和平面形状的示例将后述。
接着，参照图5的(a)至(c)，说明OLED显示装置100A的TFE结构10A。图5的(a)示出沿着图2中的5A-5A’线的剖视图，图5的(b)示出沿着图2中的5B-5B’线的剖视图，图5的(c)示出沿着图2中的5C-5C’线的剖视图。
如图5的(a)和5的(b)所示，TFE结构10A具有：形成在OLED3上的第一无机势垒层12、有机势垒层14、与第一无机势垒层12和有机势垒层14相接的第二无机势垒层16。此处，有机势垒层14具有与第一无机势垒层12的上表面相接并且离散分布的多个实心部。第二无机势垒层16与第一无机势垒层12的上表面和有机势垒层14的多个实心部的上表面相接。有机势垒层14不是作为覆盖整个有源区域的膜而存在，而是具有开口部。在有机势垒层14内除了开口部之外实际存在有机膜的部分被称为“实心部”。另外，“开口部”(也称为“非实心部”)无需被实心部包围，也可以包括切口等，在开口部中，第一无机势垒层12与第二无机势垒层16直接接触。有机势垒层14所具有的开口部至少包括被形成为包围有源区域R1的开口部，且有源区域R1被第一无机势垒层12与第二无机势垒层16直接接触的部分(无机势垒层接合部)完全包围。
例如，第一无机势垒层12和第二无机势垒层16是例如厚度为400nm的SiN层，有机势垒层14是厚度不到100nm的丙烯树脂层。第一无机势垒层12和第二无机势垒层16的厚度分别独立地为200nm以上且1000nm以下，有机势垒层14的厚度为50nm以上且不到200nm。TFE结构10A的厚度优选为400nm以上且不到2μm，更优选为400nm以上且不到1.5μm。
如上所述，第一无机势垒层12和第二无机势垒层16通过使用掩模的等离子体CVD法，选择性地仅在规定区域上形成以覆盖有源区域R1。一般来说，由薄膜沉积法(例如CVD法、溅射法、真空蒸镀法)形成的层的表面反映了基底的阶梯差。有机势垒层(实心部)14仅在第一无机势垒层12的表面的凸部周边形成。第一无机势垒层12形成为在突状结构体22a上覆盖突状结构体22a。第一无机势垒层12的厚度小于突状结构体22a的高度。
例如，可以通过专利文献1或2中记载的方法来形成有机势垒层14。例如，在腔室内，将蒸汽或雾状的有机材料(例如丙烯酸单体)供给到维持在室温以下的温度的元件基板上，且在元件基板上冷凝，通过变为液状的有机材料的毛细管现象或表面张力，不均匀地分布在第一无机势垒层12的凸部的侧面与平坦部之间的边界部。之后，通过对有机材料照射例如紫外线，在凸部周边的边界部形成有机势垒层(例如丙烯酸树脂层)14的实心部。通过该方法形成的有机势垒层14在平坦部中实质上不存在实心部。关于有机势垒层的形成方法，为了参考，在本说明书中引用专利文献1和2的公开内容。
如图3所示，在第二无机势垒层16形成在突状结构体22a上的情况下，优选有机势垒层14不形成于在突状结构体22a上形成的第一无机势垒层12(延伸设置部12e)上。当形成有机势垒层14以填充第一无机势垒层12的缺陷12f1、12f2时，由第一无机势垒层12的缺陷12f1、12f2引起的阶梯差不反映在第二无机势垒层16中。在这种情况下，缺陷16f1、16f2没有形成在第二无机势垒层16中，并且可能无法抑制在第二无机势垒层16中产生的裂纹16d到达有源区域R1。因此，优选地，在上述专利文献1或2所记载的方法中组合例如以下说明的方法中的任一种，以使得在形成于突状结构体22a的顶面和侧面上的第一无机势垒层12(延伸设置部12e)上不形成有机势垒层14。也可以组合以下说明的方法中的任意多个。
另外，即使在第二无机势垒层16中产生的裂纹达到有源区域R1，如果有源区域R1被第一无机势垒层12充分覆盖，则OLED显示装置的耐湿可靠性降低的可能性也小。第二无机势垒层16中产生的裂纹达到有源区域R1对耐湿可靠性的影响小于第一无机势垒层12中产生的裂纹达到有源区域R1对耐湿可靠性的影响。因此，在以下说明的方法中，在突状结构体22a的顶面和侧面上形成的第一无机势垒层12上不形成有机势垒层14是可选的，并且可以省略。另外，以下方法不仅用于完全防止有机势垒层14形成于在突起结构体22a的顶面和侧面上形成的第一无机势垒层12上的情况，而且也可以用于部分防止(例如，防止形成某个厚度以上的有机势垒层14)的情况。
例如，也可以在通过上述专利文献1或2所记载的方法形成光固化树脂层之后，通过干燥过程部分地去除光固化树脂层。“通过干燥过程去除有机物”不限于灰化，而是指通过除灰化以外的方法(例如，溅射法)的干燥过程去除有机物，且从表面去除有机物。不仅包括完全去除有机物的情况，还包括部分地(例如从表面到某个深度)去除的情况。另外，干燥过程是指不使用剥离液、溶剂等液体的湿过程。可以在例如包括N2O、O2和O3中的至少一种的环境中进行灰化。灰化大致分为将上述任一种环境气体在高频下等离子体化并利用该等离子体的等离子灰化，以及通过用紫外线等光照射环境气体而进行的光激发灰化，且可以使用公知的等离子体灰化装置、利用电晕放电的灰化处理装置、光激发灰化装置、UV臭氧灰化装置等来进行。在通过CVD法形成SiN膜作为第一无机势垒层12和第二无机势垒层16的情况下，由于使用N2O作为原料气体，因此具有通过使用N2O灰化来简化装置的优点。
或者，在使光固化性树脂固化时，也可以进行掩模曝光等的选择曝光。在与光掩模的遮光部对应的区域中形成有机势垒层14的开口部。因此，例如，通过在从基板的法线方向看时在与突状结构体22a重叠的区域中经由具有遮光部的光掩模曝光光固化树脂层，可以得到在与突状结构体22a重叠的区域中具有开口部的有机势垒层14。
在使光固化性树脂固化时，也可以通过用波长为400nm以下的激光束照射规定区域的光固化性树脂来进行选择曝光。例如，由于使用从半导体激光元件射出的相干激光束，所以光线的直线前进性高，并且可以在不使掩模与元件基板紧密接触上的情况下实现选择性曝光。
另外，通过选择性地对特的定区域照射红外线，也可以使不在该区域形成光固化树脂层。形成有机势垒层14的工序包含：在基板上形成光固化性树脂的液膜的工序A；通过选择性地例如将红外线照射到与突状结构体22a重叠的第一区域，使第一区域内的光固化性树脂汽化的工序B；以及在工序B之后，将光固化性树脂具有感光性的光(例如紫外线)照射到包含基板上的第一区域的第二区域(例如基板的整个面)，使第二区域内的光固化性树脂固化，从而得到光固化树脂层的工序C。代替红外线，且与红外线一起照射的可见光的波长优选为550nm以上。也可以用热容量大的材料来形成突状结构体22a。
突状结构体22a的表面(例如顶部和侧面)也可以相对于光固化树脂具有疏液性。例如，使用光刻过程，可以使用硅烷耦合剂将突状结构体22a的表面的特定区域改为具有疏液性。或者，也可以用相对于光固化性树脂具有疏液性的树脂材料来形成突状结构体22a。
图5的(a)是沿着图2中的5A-5A’线的剖视图，且示出包含粒子P的部分。粒子P是在OLED显示装置的制造过程中产生的微细垃圾，例如玻璃的微细碎片、金属粒子、有机物粒子。若使用掩模蒸镀法，会特别容易产生粒子P。
如图5的(a)所示，有机势垒层(实心部)14包含在粒子P周边形成的部分14b。这是因为，在形成第一无机势垒层12之后所施加的丙烯单体在粒子P上的第一无机势垒层12a的表面(锥形角超过90°)的周边被冷凝且不均匀地分布。第一无机势垒层12的平坦部分变为有机势垒层14的开口部(非实心部分)。
此处，参照图6的(a)至(c)说明包含粒子P的部分的结构。图6的(a)是包含图5的(a)中的粒子P的部分的放大图，图6的(b)是示出粒子P、覆盖粒子P的第一无机势垒层(SiN层)与有机势垒层之间的尺寸关系的示意性俯视图，图6的(c)是覆盖粒子P的第一无机势垒层的示意性剖视图。
如图6的(c)所示，如果存在粒子(例如直径约为1μm以上)P，则在第一无机势垒层12上有时会形成缺陷(裂纹)12c。这被认为是为了使从粒子P的表面生长的SiN层12a与从OLED3的表面的平坦部分生长的SiN层12b发生撞击(碰撞)而产生的。这个缺陷12c为(膜)密度低的部分，且在极端的情况下有时会变为裂纹12c。当存在这样的缺陷12c时，TFE结构10A的势垒性降低。
在OLED显示装置100A的TFE结构10A中，如图6的(a)所示，有机势垒层14被形成为填充第一无机势垒层12的缺陷12c，并且有机势垒层14的表面连续且平滑地连接粒子P上的第一无机势垒层12a的表面和OLED3的平坦部上的第一无机势垒层12b的表面。如后所述，有机势垒层14是通过固化液状的光固化性树脂而形成的，因此通过表面张力形成凹状的表面。此时，光固化性树脂对于第一无机势垒层12表现出良好的润湿性。如果光固化性树脂相对于第一无机势垒层12的润湿性差，则相反地可能变成凸状。此外，在粒子P上的第一无机势垒层12a的表面上也可以薄地形成有机势垒层14。
由于具有凹状表面的有机势垒层(实心部)14连续地平滑地连接粒子P上的第一无机势垒层12a的表面和平坦部上的第一无机势垒层12b的表面，因此可以在其上由没有缺陷的致密的膜形成第二无机势垒层16。因此，即使存在粒子P，也可以通过有机势垒层14保持TFE结构10A的势垒性。
如图6的(b)所示，有机势垒层(实心部)14在粒子P的周围形成为环状。相对于从法线方向看时的直径(面积等效圆直径)例如为1μm左右的粒子P，例如环状的实心部的直径(面积等效圆直径)Do为2μm以上。
此处，对于有机势垒层14仅形成于在粒子P上形成的第一无机势垒层12的不连续部分中的示例，说明了在OLED3上形成第一无机势垒层12之前存在粒子P的示例，但粒子P有时也存在于第一无机势垒层12上。在这种情况下，有机势垒层14仅形成在存在于第一无机势垒层12上的粒子P与第一无机势垒层12之间的边界的不连续部分中，并且可以与上述同样地保持TFE结构10A的势垒性。有机势垒层14有时薄地形成在粒子P上的第一无机势垒层12a的表面或粒子P的表面上。在本说明书中，为了包括所有这些方面，表述为有机势垒层14存在于粒子P的周围。
不限于图5的(a)所示的示例，有机势垒层(实心部)14以与上述同样的理由，仅在第一无机势垒层12的表面的凸部周边形成。以下示出形成有机势垒层(实心部)14的位置的另一示例。
接着，参照图5的(b)说明引出布线30上的TFE结构10A的结构。图5的(b)是沿图2中的5B-5B′线的剖面图，且是引出布线30的有源区域R1侧的部分32的剖面图。
如图5的(b)所示，有机势垒层(实心部)14包括在反映了引出布线30的部分32的剖面形状的第一无机势垒层12的表面的凸部周边形成的部分14c。
引出布线30例如以与栅极总线或源极总线相同的过程进行图案化，因此，此处形成在有源区域R1内的栅极总线和源极总线也具有与图5的(b)所示的引出布线30的有源区域R1侧的部分32相同的剖面结构。然而，典型地，在有源区域R1内形成的栅极总线和源极总线上形成有平坦化层，并且在栅极总线和源极总线上的第一无机势垒层12的表面上不形成阶梯差。
引出布线30的部分32例如也可以具有侧面的锥形角不到90°的正锥形侧面部分(倾斜侧面部分)。若引出布线30具有正锥形侧面部分，则可以防止在其上形成的第一无机势垒层12和第二无机势垒层16上形成缺陷。即，能够提高TFE结构10A的耐湿可靠性。正锥形侧面部分的锥形角优选为70°以下。
OLED显示装置100的有源区域R1中，除了选择性地形成有机势垒层14的部分之外，实质上被第一无机势垒层12和第二无机势垒层16所直接接触的无机势垒层接合部覆盖。因此，有机势垒层14成为水分的侵入路径，且水分不会到达OLED显示装置的有源区域R1。
例如，根据本发明的实施方式的OLED显示装置100适用于高清晰度的中小型智能电话和平板终端。在高清晰度(例如500ppi)的中小型(例如5.7型)的OLED显示装置中，为了以有限的线宽形成足够低电阻的布线(包括栅极总线和源极总线)，与有源区域R1内的布线的线宽方向平行的剖面的形状优选接近矩形(侧面的锥形角约90°)。因此，为了形成低电阻的布线，可以使正锥形侧面部分TSF的锥形角超过70°且不到90°，也可以不设置正锥形侧面部分TSF且在布线的整个长度上使锥形角约为90°。
接着，参照图5的(c)进行说明。图5的(c)是未形成TFE结构10A的区域的剖面图。此处，端子38也具有与图5C所示的引出布线30的部分36相同的剖面结构。图5的(c)所示的引出布线30的部分36的锥形角例如可以约为90°。
参照图7说明根据本发明的第一实施方式的另一OLED显示装置100B的结构及其制造方法。图7是OLED显示装置100B的示意性剖视图。
如图7所示，OLED显示装置100B的第二无机势垒层16与OLED显示装置100A的不同之处在于，当从基板的法线方向观看时，该第二无机势垒层16以不与突状结构体22a重叠的方式形成。第二无机势垒层16的外缘位于突状结构体22a的内侧。
在具有这样的结构的OLED显示装置100B中，也可以获得与OLED显示装置100A同样的效果。
此外，如上所述，只要有源区域R1被无机势垒层接合部完全包围，第一无机势垒层12和第二无机势垒层16的形状可以是任意的。
下面，对突状结构体的变形例进行说明。以下例示的OLED显示装置100C至100E的特征在于突状结构体。OLED显示装置100C至100E可以应用于上述OLED显示装置中的任一个。
参照图8和图9说明根据本发明的第一实施方式的又一OLED显示装置100C的结构。图8是OLED显示装置100C的示意性俯视图，图9是OLED显示装置100C的示意性剖视图。此外，为了简单起见，在图9中省略了在无机势垒层中产生的裂纹和缺陷的图示。
如图8和图9所示，OLED显示装置100C与OLED显示装置100A的不同之处在于，还具有突状结构体22b(有时称为“第二突状结构体22b”)，其在突状结构体22a(有时称为“第一突状结构体22a”)与有源区域R1之间，包含沿着有源区域R1的至少一个边延伸的部分。
OLED显示装置100C通过具有第一突状结构体22a和第二突状结构体22b，从而可以比OLED显示装置100A更有效地防止裂纹到达有源区域R1。
第一突状结构体22a和第二突状结构体22b分别包括沿着有源区域R1的四个边中除了设置有多个端子的边之外的其他三个边延伸的部分。此处，第一突状结构体22a和第二突状结构体22b包含相互大致平行延伸的部分。
设置有第一突状结构体22a和第二突状结构体22b的区域的宽度Dc例如约为100μm。因此，即使具有第一突状结构体22a和第二突状结构体22b，也不会对OLED显示装置的窄边框化带来大的影响。
优选第一突状结构体22a和第二突状结构体22b的剖面形状分别满足上述条件。第一突状结构体22a和第二突状结构体22b的剖面形状可以相同，也可以不同。
如图9所示，远离有源区域R1的第一突状结构体22a的高度也可以大于接近有源区域R1的第二突状结构体22b的高度。在这种情况下，第一突状结构体22a可以如上所述兼用作间隔件。
本实施方式的OLED显示装置当然也可以具有3个以上的突状结构体。
参照图10，说明根据本发明的第一实施方式的又一OLED显示装置100D的结构。图10是OLED显示装置100D的示意性俯视图。
如图10所示，OLED显示装置100D所具有的突状结构体22D包括多个子结构体22s1、22s2、22s3、22s4和22s5。有时将多个子结构体22s1至22s5统称为突状结构体22D。突状结构体22D具有：沿着在有源区域R1的y轴方向上延伸的各边延伸的子结构体22s1和22s3；在有源区域R1的x轴方向上延伸的边中的、沿着未设置多个端子38和多个引出布线30的边延伸的子结构体22s2；以及在有源区域R1的x轴方向上延伸的边中的、沿着设置有多个端子38和多个引出布线30的边延伸的子结构体22s4和22s5。
参照图11，说明根据本发明的第一实施方式的又一OLED显示装置100E的结构。图11是OLED显示装置100E的示意性俯视图。
如图11所示，OLED显示装置100E所具有的突状结构体22E包括多个子结构体22p。有时将多个子结构体22p可以统称为突状结构体22E。除了设置有多个端子38的部分之外，多个子结构体22p被配置为遮挡连接切割线CL和有源区域R1的外缘的线。
从基板的法线方向看时的多个子结构体22p的每一个的平面形状可以是任意的。两个以上的子结构体22p也可以相互连接。另外，子结构体22p的上表面的大小可以实质上相等，也可以不同。如果是具有相同平面形状和相同尺寸的子结构，例如，可以获得如下优点：可以简化通过使用光刻工艺来形成突状结构体22E的光掩模。
(第二实施方式)
本实施方式的OLED显示装置在薄膜密封结构的构成中与先前的实施方式不同。本实施方式的OLED显示装置的特征在于薄膜密封结构。本实施方式的薄膜密封结构也可以应用于上述的OLED显示装置中的任一个。
图12是示意性示出本发明的第二实施方式的OLED显示装置所具有的TFE结构10B的剖视图。在先前的实施方式中，构成TFE结构10A的有机势垒层14具有离散地分布的多个实心部。如图12所示，根据本实施方式的OLED显示装置所具有的TFE结构10B具有相对较厚的有机势垒层14(例如，厚度超过5μm且约为20μm以下)。相对较厚的有机势垒层14形成为例如覆盖在元件基板上形成的各个OLED显示装置部的有源区域。
在图12中，在形成第一无机势垒层12或第二无机势垒层16之前存在的粒子由P1表示，并且在形成第一无机势垒层12或第二无机势垒层16期间产生的粒子由P2表示。
当在形成第一无机势垒层12之前存在的粒子P1上形成第一无机势垒层12时，从粒子P1的表面生长的部分12a与从OLED3的平坦部分生长的部分12b撞击，从而形成缺陷12c。同样地，当在形成第二无机势垒层16的过程中产生粒子P2时，在第二无机势垒层16中形成缺陷(例如，裂纹)16c。此外，由于粒子P2在形成第二无机势垒层16的期间产生，因此形成在粒子P2上的第二无机势垒层16的部分16a的厚度图示为小于形成在平坦部分上的部分16b的厚度。
这样相对较厚的有机势垒层14例如可以使用喷墨法来形成。在使用喷墨法等的印刷法形成有机势垒层的情况下，可以使有机势垒层仅形成在元件基板上的有源区域中，而不形成在与突状结构体重叠的区域中。
产业上的实用性
本发明的实施方式可以应用于有机EL显示装置，特别是柔性的有机EL显示装置及其制造方法。
附图标记说明
1：基板(柔性基板)
2：背板(电路)
3：有机EL元件
4：偏振板
10、10A、10B：薄膜密封结构(TFE结构)
12：第一无机势垒层
14：有机势垒层
16：第二无机势垒层
22a、22b、22D、22E：突状结构体
30：引出布线
38：端子
100、100A、100B、100C、100D、100E：有机EL显示装置
200A：母面板

Claims (13)

1.一种有机EL设备，其具有包含多个有机EL元件的有源区域和位于所述有源区域以外的区域的周边区域，所述有机EL设备的特征在于，
具有元件基板以及薄膜密封结构，所述元件基板具有基板以及由所述基板支承的所述多个有机EL元件，所述薄膜密封结构覆盖所述多个有机EL元件，
所述薄膜密封结构具有：第一无机势垒层、与所述第一无机势垒层的上表面相接的有机势垒层、与所述第一无机势垒层的所述上表面和所述有机势垒层的上表面相接的第二无机势垒层，
所述周边区域具有：第一突状结构体，其包含由所述基板支承的、沿所述有源区域的至少一个边延伸的部分；以及所述第一无机势垒层的延伸设置部，其延伸设置在所述第一突状结构体上，所述第一突状结构体的高度大于所述第一无机势垒层的厚度，
所述延伸设置部具有在所述第一突状结构体的顶部及侧面上所形成的第一部分，
所述有机势垒层不与所述第一部分接触。
2.如权利要求1所述的有机EL设备，其特征在于，
在与所述第一突状结构体延伸的方向正交的剖面中，所述第一突状结构体的顶部的宽度为10μm以下。
3.如权利要求1或2所述的有机EL设备，其特征在于，
在与所述第一突状结构体延伸的方向正交的剖面中，所述第一突状结构体的的侧面的锥形角为80°以上。
4.如权利要求1或2所述的有机EL设备，其特征在于，
在与所述第一突状结构体延伸的方向正交的剖面中，所述第一突状结构体的顶部的宽度不到所述第一无机势垒层的厚度和所述第二无机势垒层的厚度之和的一半。
5.如权利要求1或2所述的有机EL设备，其特征在于，
所述第一突状结构体包含沿着所述有源区域的三个边延伸的部分。
6.如权利要求1或2所述的有机EL设备，其特征在于，
所述元件基板具有：分别连接到所述多个有机EL元件的任一个的多个栅极总线；以及分别连接到所述多个有机EL元件的任一个的多个源极总线，
所述周边区域具有：在所述有源区域的某个边附近的区域设置的多个端子；以及连接所述多个端子与所述多个栅极总线或所述多个源极总线中任一个的多个引出布线，
所述第一突状结构体包含沿着所述有源区域的、除所述某个边以外的三个边延伸的部分。
7.如权利要求1或2所述的有机EL设备，其特征在于，
所述有机势垒层具有离散分布的多个实心部，
所述第二无机势垒层与所述第一无机势垒层的所述上表面和所述有机势垒层的所述多个实心部的上表面相接。
8.如权利要求1或2所述的有机EL设备，其特征在于，
所述周边区域具有第二突状结构体，所述第二突状结构体在所述有源区域与所述第一突状结构体之间包含沿着所述有源区域的至少一个边延伸的部分。
9.如权利要求1或2所述的有机EL设备，其特征在于，
所述第一突状结构体包含多个子结构体。
10.如权利要求1或2所述的有机EL设备，其特征在于，
当从所述基板的法线方向看时，所述第二无机势垒层不与所述第一突状结构体重叠。
11.一种有机EL设备的制造方法，其特征在于，包含以下工序：
准备具有基板以及由所述基板支承的多个有机EL元件的元件基板的工序；以及形成覆盖所述多个有机EL元件的薄膜密封结构的工序，
准备所述元件基板的工序包含形成第一突状结构体的工序a1，所述第一突状结构体包含沿着包含所述多个有机EL元件的有源区域的至少一个边延伸的部分，
所述形成薄膜密封结构的工序包含：
在所述第一突状结构体上，以覆盖所述第一突状结构体的方式形成具有小于所述第一突状结构体的高度的厚度的第一无机势垒层的工序A；
在所述工序A之后，在所述第一无机势垒层上形成有机势垒层的工序B；以及
在所述工序B之后，在所述第一无机势垒层和所述有机势垒层上形成第二无机势垒层的工序C，
所述延伸设置部具有在所述第一突状结构体的顶部及侧面上所形成的第一部分，
所述有机势垒层不与所述第一部分接触。
12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，
准备所述元件基板的工序还包含形成分别规定多个像素的每一个的堤层的工序a2，所述多个像素具有所述多个有机EL元件的任一个，
通过对相同的树脂膜进行图案化来进行所述工序a1和所述工序a2。
13.如权利要求11或12所述的制造方法，其特征在于，
当从所述基板的法线方向看时，所述第二无机势垒层不与所述第一突状结构体重叠。
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