JP2010170949A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パネルの狭額縁化の要求に対応しつつ、絶縁膜の周縁部を保護することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置された有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が配置された面と向かい合う封止基板と、前記絶縁膜の周縁部よりも外側に枠状に形成され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、前記絶縁膜の周縁部の直上に配置された遮光体と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【選択図】 図２

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。

近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。

この有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んでいる。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように気密に封止する必要がある。近年では、より気密性を高めるために、有機ＥＬ素子が配置されたアレイ基板の周辺に設置したフリットガラスを用いてアレイ基板と封止基板とを接合する技術が提案されている。

例えば、特許文献１によれば、フリットガラスの下部に絶縁膜が位置した場合に、フリットガラスを溶融するためのレーザーの高熱により絶縁膜がダメージを受け、接着強度が低下するといった問題に対して、フリットガラスが形成されるべき領域の絶縁膜を予め除去する技術が開示されている。

しかしながら、フリットガラスに照射されるレーザーのスポット径がフリットガラスの幅より大きい場合、フリットガラスのみならずその周辺にもレーザーが照射される。このため、フリットガラスの周辺に延在した絶縁膜の周縁部は、照射されたレーザーによってダメージを受けるおそれがある。また、レーザーの照射範囲内で絶縁膜が各種回路及び配線を覆っている場合、絶縁膜のみならず各種回路及び配線も照射されたレーザーによってダメージを受けるおそれがある。このため、レーザーから絶縁膜の周縁部を保護する必要がある。

一方、絶縁膜の周縁部がレーザーの照射範囲から外れるように、フリットガラスと絶縁膜との間隔を拡大すると、パネルの狭額縁化の要求に対応できない。

特開２００７−２００８９０号公報

本発明の目的は、パネルの狭額縁化の要求に対応しつつ、絶縁膜の周縁部を保護することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。

本発明の一態様によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置された有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が配置された面と向かい合う封止基板と、前記絶縁膜の周縁部よりも外側に枠状に形成され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、前記絶縁膜の周縁部の直上に配置された遮光体と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。

また、本発明の一態様によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置された有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が配置された面と向かい合う封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、前記絶縁膜の上方であって、且つ、前記シール部材の幅方向の中心から０．５ｍｍ以内の範囲に配置された遮光体と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。

さらに、本発明の一態様によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜の上にマトリクス状に配置された有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が配置された面と向かい合う封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、前記アレイ基板において最外周に配置された前記有機ＥＬ素子から１．５ｍｍ以内の範囲の前記絶縁膜の上方に配置された遮光体と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。

本発明によれば、パネルの狭額縁化の要求に対応しつつ、絶縁膜の周縁部を保護することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の最外周に配置された有機ＥＬ素子を含む概略断面図である。 図３は、図２に示した表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 図４は、変形例に係る有機絶縁膜の周縁部及びシール部材を含む概略断面図である。 図５は、レーザーと、有機絶縁膜及びシール部材との位置関係を説明するための概略断面図である。 図６は、他の実施形態に係る有機絶縁膜の周縁部及びシール部材を含む概略断面図である。 図７は、図６に示した表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 図８は、変形例に係る有機絶縁膜の周縁部及びシール部材を含む概略断面図である。 図９は、シール部材を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である。 図１０は、遮光体を形成する工程の一例を説明するための概略断面図である。 図１１は、シール部材の頂部付近を削り落とす工程の一例を説明するための概略断面図である。 図１２は、シール部材と絶縁基板とを接合する工程の一例を説明するための概略断面図である。

以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。

すなわち、有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示するアクティブエリア１０２において、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００により接合されている。このシール部材３００は、フリットガラスによって形成されている。

≪第１実施形態≫
まず、第１実施形態について説明する。

図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の最外周に配置された有機ＥＬ素子を含む断面図である。

アレイ基板１００は、ガラスなどの絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、及び配線を有する。絶縁基板１０１の上には、アンダーコート層１１１が配置されている。このアンダーコート層１１１は、例えば、シリコン酸化物によって形成されている。このようなアンダーコート層１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。

アンダーコート層１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。

半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜１１２によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１の上に配置されている。このゲート絶縁膜１１２は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなゲート絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。

ゲート絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。

ゲート電極Ｇは、パッシベーション膜１１３によって被覆されている。また、パッシベーション膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されている。このパッシベーション膜１１３は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなパッシベーション膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。

パッシベーション膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。

ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、有機絶縁膜１１４によって被覆されている。また、有機絶縁膜１１４は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。このような有機絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。

この画素電極ＰＥは、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層された２層構造である。つまり、反射層ＰＥＲは、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲに積層されている。反射層ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成可能である。透過層ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成可能である。

有機絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。この隔壁ＰＩは、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成可能である。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。このような対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム・銀などによって形成可能である。

封止基板２００は、ガラスなどの絶縁基板２０１を用いて形成されている。この封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが配置された面と向かい合うように配置されている。

シール部材３００は、アクティブエリア１０２よりも外側に配置されている。つまり、このシール部材３００は、有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓよりも外側に配置されている。

このようなシール部材３００は、例えば以下のようにして形成可能である。すなわち、封止基板２００を構成する絶縁基板２０１の上に、スクリーン印刷法によりフリットガラスペーストを塗布する。このとき、塗布したフリットガラスペーストが、例えば幅０．５ｍｍで厚さ５〜３０μｍになるようなスクリーン版を選定する。そして、フリットガラスペーストを塗布した絶縁基板２０１を３００℃以上の高温で焼成し、フリットガラスペーストを硬化させる。このようにして硬化したフリットガラスがシール部材３００に相当する。

このシール部材３００は、アレイ基板１００を構成する絶縁基板１０１に接合されている。このようなシール部材３００による接合は、例えば以下のようにして行われる。すなわち、シール部材３００を備えた封止基板２００と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えたアレイ基板１００とを、アライメントして重ね合わせる。そして、アレイ基板１００に重ねた封止基板２００の側からシール部材３００に向けて、例えば波長８００ｎｍのレーザーを照射し、シール部材３００であるフリットガラスを溶融して、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合する。

有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓの直上には、遮光体ＳＢが配置されている。ここでの周縁部１１４Ｓは、封止された空間内であって、有機絶縁膜１１４におけるシール部材３００に最も近い層に相当する。遮光体ＳＢは、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合する際に照射されたレーザーのうち、シール部材３００から逸れて有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓに向かうレーザーを遮光する。

この第１施形態においては、遮光体ＳＢは、有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓを覆っている。また、この遮光体ＳＢは、反射膜であり、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する材料によって形成可能である。このように、遮光体ＳＢが反射膜である場合、遮光体ＳＢの材料としては、波長８００ｎｍのレーザーを９５％以上の反射率で反射する材料であることが望ましい。なお、遮光体ＳＢとしては、反射膜に限らず、遮光する機能を有する膜であれば良く、例えば耐熱性を有する遮光性の樹脂膜であっても良い。

このような反射膜である遮光体ＳＢは、例えば以下のようにして形成可能である。すなわち、有機絶縁膜１１４の上に、スパッタリング法などにより例えばアルミニウムを堆積し、例えば１０００オングストロームの厚さのアルミニウム薄膜を形成する。そして、このアルミニウム薄膜をフォトリソグラフィー法などによりパターニングして所望の形状の遮光体ＳＢを形成する。

この反射膜である遮光体ＳＢは、画素電極ＰＥの反射層ＰＥＲと同一材料によって形成可能である。例えば、有機絶縁膜１１４の上に形成されたアルミニウム薄膜をパターニングする際に遮光体ＳＢ及び反射層ＰＥＲを同時に形成することができる。これにより、遮光体ＳＢを形成する別途の工程が不要である。

図３は、表示パネル１の構成を概略的に示す平面図である。なお、図３では、説明に必要な構成のみを図示している。

アレイ基板１００に備えられた有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓは、遮光体ＳＢによって覆われている。この遮光体ＳＢは、周縁部１１４Ｓの全体を覆っており、枠状に形成されている。

シール部材３００は、周縁部１１４Ｓよりも外側に配置され、枠状に形成されている。シール部材３００の幅Ｗは例えば０．５ｍｍである。

このような構成によれば、有機絶縁膜１１４のシール部材３００に近接した周縁部１１４Ｓは、遮光体ＳＢによって覆われている。このため、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合する際にシール部材３００に向けて照射されたレーザーの照射範囲が有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓに及んだとしても、遮光体ＳＢによってレーザーが遮光される。遮光体ＳＢが反射膜である場合、有機絶縁膜１１４に向けて照射されたレーザーは、反射される。このため、有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓにレーザーが照射されることは無い。したがって、レーザーから有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓを保護することが可能となる。

また、レーザーの照射範囲内で有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓが各種回路及び配線を覆っている場合であっても、遮光体ＳＢによってレーザーが遮光されるため、各種回路及び配線にもレーザーが照射されることは無い。したがって、レーザーから各種回路及び配線を保護することが可能となる。

さらに、シール部材３００に向けて照射されたレーザーにより有機絶縁膜１１４がダメージを受けないようにシール部材３００と有機絶縁膜１１４との間隔を拡大する必要がない。このため、表示パネル１の狭額縁化の要求に対応することができる。

また、アレイ基板１００において、有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓが遮光体ＳＢによって覆われているため、封止基板２００との接合の際のアライメント時に、遮光体ＳＢをアライメントマークとして利用可能である。

次に、第１施形態の変形例について説明する。

図４は、有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓ及びシール部材３００を含む概略断面図である。

この変形例では、上述した第１実施形態と比較して、遮光体ＳＢがシール部材３００と絶縁基板１０１との間に延在している点で相違する。すなわち、遮光体ＳＢは、有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓを覆うとともに、有機絶縁膜１１４で覆われていない絶縁基板１０１の表面１０１Ａを覆っている。封止基板２００に備えられたシール部材３００は、遮光体ＳＢに接合されている。つまり、シール部材３００は、遮光体ＳＢと封止基板２００の絶縁基板１０１との間に配置されている。

このような変形例においても、上述した第１実施形態と同様の効果が得られる。

次に、シール部材３００に向けて照射されるレーザーのスポット径と、遮光体ＳＢの配置位置との関係について説明する。

図５は、レーザーＬと、有機絶縁膜１１４及びシール部材３００との位置関係を説明するための概略断面図である。なお、図５では、説明に必要な構成のみを図示している。また、図５において、最外周に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは発光して表示に寄与する素子であっても良いし、発光しないダミー素子であっても良い。

ここでは、封止基板２００の絶縁基板２０１上でのシール部材３００の幅Ｗが０．５ｍｍ、シール部材３００の配置位置精度が±０．１ｍｍ、封止基板２００側から照射されるレーザーＬの照射位置精度が±０．１ｍｍで、バラツキが正規分布である場合について検討する。レーザーＬがシール部材３００に必ず照射されるようにレーザーＬのスポット径Ｄを選択するには、レーザーＬの照射位置精度及びシール部材３００の配置位置精度の二乗平均に、シール部材３００の幅Ｗを足したもの、すなわち０．６４ｍｍが最低限必要なレーザーＬのスポット径Ｄとなる。

シール部材３００が設計通りの位置に配置され、且つレーザーＬが設計通りの位置に照射されていた場合、スポット径Ｄとシール部材３００の幅Ｗとの差、すなわち幅０．１４ｍｍの範囲でレーザーＬがシール部材３００に照射されずアレイ基板１００に向けて照射される。

上述したような発明者の知見に基づき、シール部材３００の幅方向の中心Ｏからシール部材３００の幅Ｗの１／２の長さに相当する０．２５ｍｍに、スポット径Ｄとシール部材３００の幅Ｗとの差に相当する０．１４ｍｍを加算した０．３９ｍｍの範囲にはレーザーＬが照射される可能性が高い。さらに、シール部材３００の配置位置精度が±０．１ｍｍ、レーザーＬの照射位置精度が±０．１ｍｍであることを考慮すると、シール部材３００の幅方向の中心Ｏから０．５ｍｍ以内の範囲Ｒ１にはレーザーＬが照射される可能性が高い。このため、範囲Ｒ１の有機絶縁膜１１４は、遮光体ＳＢによって覆われることが望ましい。この範囲Ｒ１の有機絶縁膜１１４を遮光体ＳＢによって覆うことにより、レーザーＬから有機絶縁膜１１４を保護することができる。

また、別の観点から、シール部材３００は、封止基板２００の端部２００Ｅから３００±５０μｍのマージンＭを持って配置される。このため、マージンＭ（３００±５０μｍ）、シール部材３００の幅Ｗ（０．５ｍｍ）、及び、スポット径Ｄとシール部材３００の幅Ｗとの差（０．１４ｍｍ）を考慮すると、封止基板２００の端部２００Ｅから１．０ｍｍ以内の範囲Ｒ２の有機絶縁膜１１４は、遮光体ＳＢによって覆われることが望ましい。この範囲Ｒ２の有機絶縁膜１１４を遮光体ＳＢによって覆うことにより、レーザーＬから有機絶縁膜１１４を保護することができる。

≪第２実施形態≫
次に、第２実施形態について説明する。

図６は、有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓ及びシール部材３００を含む概略断面図である。

この第２実施形態では、上述した第１実施形態と比較して、遮光体ＳＢが封止基板２００に配置された点で相違する。すなわち、遮光体ＳＢは、封止基板２００を構成する絶縁基板２０１の上に配置されている。この遮光体ＳＢは、有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓの直上に配置された第１遮光体ＳＢ１と、第１遮光体ＳＢ１から離間し封止基板２００の端部２００Ｅ側に配置された第２遮光体ＳＢ２と、を有している。なお、第２遮光体ＳＢ２は、省略しても良い。この第２実施形態では、この遮光体ＳＢの材料としては、第１実施形態と同様の材料が適用可能である。

このような遮光体ＳＢは、例えば以下のようにして形成可能である。すなわち、絶縁基板２０１の上に、スパッタリング法などにより例えばアルミニウムを堆積し、アルミニウム薄膜を形成する。このアルミニウム薄膜をフォトリソグラフィー法などによりパターニングして所望の形状の遮光体ＳＢを形成する。

シール部材３００は、第１遮光体ＳＢ１と第２遮光体ＳＢ２との間に配置されている。図６に示した例では、シール部材３００は、第１遮光体ＳＢ１及び第２遮光体ＳＢ２のそれぞれの一部に重なっているが、一方の遮光体の一部にのみ重なっていても良いし、第１遮光体ＳＢ１及び第２遮光体ＳＢ２の両者に重なることなく両者の間に配置されても良い。

このようなシール部材３００は、例えば以下のようにして形成可能である。すなわち、封止基板２００を構成する絶縁基板２０１の上に、遮光体ＳＢを形成した後、スクリーン印刷法によりフリットガラスペーストを塗布する。そして、フリットガラスペーストを塗布した絶縁基板２０１を３００℃以上の高温で焼成し、フリットガラスペーストを硬化させる。このようにして硬化したフリットガラスがシール部材３００に相当する。

このシール部材３００は、アレイ基板１００を構成する絶縁基板１０１に接合されるとともに封止基板２００を構成する絶縁基板２０１に接合されている。

図７は、表示パネル１の構成を概略的に示す平面図である。なお、図７では、説明に必要な構成のみを図示している。

アレイ基板１００と封止基板２００とを接合するシール部材３００は、枠状に形成されている。第１遮光体ＳＢ１は、アレイ基板１００に備えられた有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓの直上に配置されている。つまり、この第１遮光体ＳＢ１は、シール部材３００の内側に沿って枠状に形成されている。第２遮光体ＳＢ２は、第１遮光体ＳＢ１から離間し、第１遮光体ＳＢ１よりも外側に配置されている。つまり、第２遮光体ＳＢ２は、シール部材３００の外側に沿って枠状に形成されている。第１遮光体ＳＢ１と第２遮光体ＳＢ２との間には、シール部材３００が配置されるスリット状の開口ＡＰが形成されている。

このような構成によれば、有機絶縁膜１１４のシール部材３００に近接した周縁部１１４Ｓの直上は、遮光体ＳＢによって遮光されている。このため、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合する際にシール部材３００に向けて照射されたレーザーの照射範囲が有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓに及んだとしても、遮光体ＳＢによってレーザーが遮光される。このため、第１実施形態と同様の効果が得られる。

また、封止基板２００において、絶縁基板２０１に遮光体ＳＢを形成した場合、絶縁基板２０１の上にフリットガラスペーストを塗布する際に、遮光体ＳＢをアライメントマークとして利用可能である。

次に、第２施形態の変形例について説明する。

図８は、有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓ及びシール部材３００を含む概略断面図である。

この変形例では、上述した第２実施形態と比較して、遮光体ＳＢがシール部材３００の表面を覆っている点で相違する。すなわち、シール部材３００は、封止基板２００を構成する絶縁基板２０１の上に配置されている。遮光体ＳＢは、シール部材３００の表面を覆うとともにシール部材３００の周辺の絶縁基板２０１を覆っている。このシール部材３００は、アレイ基板１００の絶縁基板１０１に接合されている。有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓの直上には、遮光体ＳＢが配置されている。

このような遮光体ＳＢおよびシール部材３００は、たとえば以下のようにして形成可能である。

図９に示すように、絶縁基板２０１の上に、スクリーン印刷法によりフリットガラスペーストを塗布した後、３００℃以上の高温で焼成し、フリットガラスペーストを硬化させ、シール部材３００が形成される。

その後、図１０に示すように、絶縁基板２０１のシール部材３００を形成した面に、スパッタリング法などにより例えばアルミニウムを堆積してアルミニウム薄膜を形成した後、このアルミニウム薄膜をフォトリソグラフィー法などによりパターニングして所望の形状の遮光体ＳＢを形成する。このとき、遮光体ＳＢは、シール部材３００及びその周辺の絶縁基板２０１を覆っている。

その後、図１１に示すように、シール部材３００の絶縁基板２０１側を底部とし、シール部材３００の絶縁基板２０１から離れた側を頂部としたとき、遮光体ＳＢによって覆われたシール部材３００の頂部付近を遮光体ＳＢとともに削り落とし、平坦化させる。

その後、図１２に示すように、シール部材３００の平坦化した面３００Ｓをアレイ基板１００を構成する絶縁基板１０１に密着させ、封止基板２００側からレーザーＬを照射してシール部材３００と絶縁基板１０１とを接合する。このとき、有機絶縁膜１１４の周縁部１１４Ｓでは、直上の遮光体ＳＢによってレーザーＬが遮光される。このため、周縁部１１４ＳにレーザーＬが到達することはない。

このような変形例においても、上述した第２実施形態と同様の効果が得られる。

加えて、この変形例では、シール部材３００を絶縁基板１０１に接合する前に、シール部材３００の絶縁基板１０１と密着する面３００Ｓが平坦化されるため、シール部材３００を形成した際の表面の凹凸つまり絶縁基板２０１からの高さのばらつきを低減できる。

また、この変形例では、絶縁基板２０１のシール部材３００を形成した面に薄膜を形成し、この薄膜をパターニングすることによって遮光体ＳＢを形成するため、遮光体ＳＢとシール部材３００との位置合わせが不要となり、位置合わせのためのマージンが不要である。また、シール部材３００と絶縁基板２０１との間に遮光体ＳＢが介在しないため、シール部材３００の全幅にわたってレーザーを照射することができる。

このような第２実施形態においても、シール部材３００に向けて照射されるレーザーのスポット径と、遮光体ＳＢの配置位置との関係については、第１実施形態と同様である。

以上説明したように、パネルの狭額縁化の要求に対応しつつ、絶縁膜の周縁部を保護することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

１…表示パネル
１００…アレイ基板 ２００…封止基板 ３００…シール部材
１０１…絶縁基板
１１４…有機絶縁膜 １１４Ｓ…周縁部
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極（ＰＥＲ…反射層） ＣＥ…対向電極 ＯＲＧ…有機層
ＳＢ…遮光体（ＳＢ１…第１遮光体 ＳＢ２…第２遮光体 ＡＰ…開口）

Claims (5)

1. 絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置された有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、
   前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が配置された面と向かい合う封止基板と、
   前記絶縁膜の周縁部よりも外側に枠状に形成され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、
   前記絶縁膜の周縁部の直上に配置された遮光体と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記遮光体は、前記シール部材の幅方向の中心から０．５ｍｍ以内の範囲、または、前記封止基板の端部から１．０ｍｍ以内の範囲に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記遮光体は、前記絶縁膜の周縁部を覆うことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記有機ＥＬ素子は、前記絶縁膜の上に配置され前記遮光体と同一材料によって形成された反射層を含む画素電極と、前記画素電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記遮光体は、前記封止基板に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。

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