JP5117473B2 - 有機el装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 149
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 52
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 153
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 112
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 description 55
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 3
- DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N (e)-4-(6-aminopurin-9-yl)but-2-en-1-ol Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2C\C=C\CO DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 102000034287 fluorescent proteins Human genes 0.000 description 2
- 108091006047 fluorescent proteins Proteins 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N [methyl(oxido){1-[6-(trifluoromethyl)pyridin-3-yl]ethyl}-lambda(6)-sulfanylidene]cyanamide Chemical compound N#CN=S(C)(=O)C(C)C1=CC=C(C(F)(F)F)N=C1 ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホールに延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホールに延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2画素電極と、前記第1凹所の前記第1画素電極の上に充填され絶縁材料によって形成された第1充填部材及び前記第2凹所の前記第2画素電極の上に充填され前記第1充填部材から離間し絶縁材料によって形成された第2充填部材と、前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、前記第1充填部材の上、前記第2充填部材の上、及び、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間であって且つ前記絶縁膜の上にそれぞれ延在した連続膜であり、前記第1画素電極上と前記第2画素電極上とで発光色が異なる有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、第1上面と、前記第1コンタクトホールに延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1コンタクト部と、を有する第1画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、第2上面と、前記第2コンタクトホールに延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2コンタクト部と、を有する第2画素電極と、前記第1凹所の前記第1コンタクト部の上及び前記第2凹所の前記第2コンタクト部の上にそれぞれ充填され、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間であって且つ前記絶縁膜の上に配置され、絶縁材料によって形成された充填部材と、前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、及び、前記充填部材の上にそれぞれ延在した連続膜であり、前記第1画素電極上と前記第2画素電極上とで発光色が異なる有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備え、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間に位置する前記充填部材の上面は、前記第1上面及び前記第2上面との段差が0.2μm以下であることを特徴とする有機EL装置が提供される。
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホールに延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホールに延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2画素電極と、少なくとも前記第1凹所の前記第1画素電極の上に充填され絶縁材料によって形成された第1充填部材及び前記第2凹所の前記第2画素電極の上に充填され前記第1充填部材から離間し絶縁材料によって形成された第2充填部材と、前記第1画素電極の上面及び側面、前記第2画素電極の上面及び側面、前記第1充填部材、及び、前記第2充填部材にそれぞれ接した連続膜であり、前記第1画素電極上と前記第2画素電極上とで発光色が異なる有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
OLED1…第1有機EL素子
OLED2…第2有機EL素子
OLED3…第3有機EL素子
101…絶縁基板
111…第1絶縁膜 112…第2絶縁膜 113…第3絶縁膜
114…第1層間絶縁膜 115…第2層間絶縁膜 CH…コンタクトホール
120…保護層 200…封止基板 300…樹脂層
SW…スイッチング素子
PE…画素電極 PEC…コンタクト部 PER…反射層 PET…透過層
ORG…有機層 CE…対向電極
FL…充填部材
Claims (2)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、第1上面と、前記第1コンタクトホールに延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1コンタクト部と、を有する第1画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、第2上面と、前記第2コンタクトホールに延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2コンタクト部と、を有する第2画素電極と、
前記第1凹所の前記第1コンタクト部の上及び前記第2凹所の前記第2コンタクト部の上にそれぞれ充填され、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間であって且つ前記絶縁膜の上に配置され、絶縁材料によって形成された充填部材と、
前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、及び、前記充填部材の上にそれぞれ延在した連続膜であり、前記第1画素電極上と前記第2画素電極上とで発光色が異なる有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備え、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間に位置する前記充填部材の上面は、前記第1上面及び前記第2上面と同一平面を成すように形成されたことを特徴とする有機EL装置。 - 前記第1画素電極は、前記第1コンタクトホールにおいて欠落した第1反射層と、前記第1反射層に重なり前記第1コンタクトホールに延在した第1透過層との2層構造であり、
前記第2画素電極は、前記第2コンタクトホールにおいて欠落した第2反射層と、前記第2反射層に重なり前記第2コンタクトホールに延在した第2透過層との2層構造であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009255270A JP5117473B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 有機el装置 |
US12/914,221 US20110108812A1 (en) | 2009-11-06 | 2010-10-28 | Organic el device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009255270A JP5117473B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 有機el装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011100024A JP2011100024A (ja) | 2011-05-19 |
JP5117473B2 true JP5117473B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=44191246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009255270A Active JP5117473B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 有機el装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5117473B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014123628A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Japan Display Inc | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
JP6361181B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2018-07-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
KR20180068552A (ko) * | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3332773B2 (ja) * | 1996-03-15 | 2002-10-07 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP3938112B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2007-06-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置並びに電子機器 |
JP2004184495A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2004347628A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-09 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | El表示素子、el表示装置、el表示素子の駆動方法 |
US20080238297A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Masuyuki Oota | Organic el display and method of manufacturing the same |
JP2009031393A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Seiko Epson Corp | 電子装置及び光共振器 |
JP2009036948A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス装置 |
-
2009
- 2009-11-06 JP JP2009255270A patent/JP5117473B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011100024A (ja) | 2011-05-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
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