JP2011113736A - 有機el装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、前記コンタクト部を含む前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置。
【選択図】 図1
Description
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、前記コンタクト部を含む前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、略矩形状のエッジを有する画素電極と、前記絶縁膜に形成されるとともに前記画素電極の前記エッジよりも内側に位置し、前記画素電極によって覆われたコンタクトホールと、前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホール内に延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1コンタクト部を有する第1画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホール内に延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2コンタクト部を有する第2画素電極と、前記第1コンタクト部を含む前記第1画素電極の上、前記第2コンタクト部を含む前記第2画素電極の上、及び、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
絶縁基板の上方にスイッチング素子を形成し、前記スイッチング素子の上に絶縁膜材料を塗布し、前記絶縁膜材料をパターニングして前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールを形成し、前記絶縁膜材料を焼成した後に、冷却して絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の上及び前記コンタクトホール内に導電層を形成し、前記導電層をパターニングして前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極を形成し、前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に有機層を形成し、前記有機層の上に対向電極を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法が提供される。
OLED1…第1有機EL素子
OLED2…第2有機EL素子
OLED3…第3有機EL素子
101…絶縁基板
111…第1絶縁膜 112…第2絶縁膜 113…第3絶縁膜
114…第4絶縁膜 CH…コンタクトホール
SW…スイッチング素子
PE…画素電極 PEC…コンタクト部 PER…反射層 PET…透過層
ORG…有機層 CE…対向電極
Claims (12)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、
前記コンタクト部を含む前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。 - 絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、略矩形状のエッジを有する画素電極と、
前記絶縁膜に形成されるとともに前記画素電極の前記エッジよりも内側に位置し、前記画素電極によって覆われたコンタクトホールと、
前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。 - 絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホール内に延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1コンタクト部を有する第1画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホール内に延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2コンタクト部を有する第2画素電極と、
前記第1コンタクト部を含む前記第1画素電極の上、前記第2コンタクト部を含む前記第2画素電極の上、及び、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。 - 前記画素電極は、a)上面及び第1側面を有し前記絶縁膜の上に配置されるとともに前記コンタクトホール内に延在した反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第1側面の直上の位置と一致する位置に第2側面を有する透過層を有する、あるいは、b)上面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記コンタクトホール内に延在した透過層を有する、あるいは、c)上面及び第1側面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第1側面の直上の位置よりも内側の位置の一部に第2側面を有し前記コンタクトホール内に延在した透過層を有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。
- 前記第1画素電極及び前記第2画素電極のそれぞれは、a)上面及び第1側面を有し前記絶縁膜の上に配置されるとともに前記コンタクトホール内に延在した反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第1側面の直上の位置と一致する位置に第2側面を有する透過層を有する、あるいは、b)上面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記コンタクトホール内に延在した透過層を有する、あるいは、c)上面及び第1側面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第1側面の直上の位置よりも内側の位置の一部に第2側面を有し前記コンタクトホール内に延在した透過層を有することを特徴とする請求項3に記載の有機EL装置。
- 前記絶縁膜は、前記画素電極が配置される第1上面、及び、前記画素電極の周辺に位置し前記第1上面よりも窪んだ第2上面を有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。
- 前記絶縁膜は、前記第1画素電極及び前記第2画素電極が配置される第1上面、及び、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間に位置し前記第1上面よりも窪んだ第2上面を有することを特徴とする請求項3に記載の有機EL装置。
- 前記絶縁膜に形成された前記コンタクトホールのテーパー角は、40度以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機EL装置。
- 前記有機層の膜厚は、前記画素電極の膜厚より厚いことを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。
- 前記有機層の膜厚は、前記第1画素電極及び前記第2画素電極の膜厚より厚いことを特徴とする請求項3に記載の有機EL装置。
- 絶縁基板の上方にスイッチング素子を形成し、
前記スイッチング素子の上に絶縁膜材料を塗布し、前記絶縁膜材料をパターニングして前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜材料を焼成した後に、冷却して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の上及び前記コンタクトホール内に導電層を形成し、前記導電層をパターニングして前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極を形成し、
前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に有機層を形成し、
前記有機層の上に対向電極を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 前記絶縁膜材料を焼成する温度は、前記絶縁膜材料が溶融状態となる温度であることを特徴とする請求項11に記載の有機EL装置の製造方法。
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