JP2005159368A - 平板表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平板表示装置は、絶縁基板400上に形成された少なくともソース/ドレーン電極441,445を備えた薄膜トランジスターと、前記ソース/ドレーン電極の中で一つの電極を露出させるビアホール431,435を備える絶縁膜430と、前記ビアホールを通じて前記一つの電極に連結されるアノード電極470と、を含み、前記ビアホールは、60゜以下のテーパー角を有し、前記アノード電極は、60゜以下のテーパー角を有する。
【選択図】図7
Description
tanθ41 = d2/d1
θ41 = tan-1 (d2/d1)
tanθ43 = d4/d5
θ43 = tan-1 (d4/d5)
410、510、610、710、810、910 半導体層
420、520、620、720、820、920 ゲート絶縁膜
425、525、625、725、825、925 ゲート電極
430、530、630、730、830、930 層間絶縁膜
450、550、650、750、850、950 パシベーション膜
470、570、670 アノード電極
485、585、680 有機発光層
490、580、690 カソード電極
701、801、901 薄膜トランジスター
Claims (38)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成された下部導電層と、
前記下部導電層の上部に形成された上部導電層と、
前記上/下部導電層の間に形成され、前記上/下部導電層を連結させる連結ホールを有する絶縁膜と、を備え、
前記連結ホールは、60゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする平板表示装置。 - 前記連結ホールは、45゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする請求項1記載の平板表示装置 。 - 前記連結ホールは、14゜以上のテーパー角を有すること
を特徴とする請求項1記載の平板表示装置 。 - ソース/ドレーン領域を備える半導体層と、ゲート電極及びソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターとをさらに含み、
前記下部導電層は、前記ソース/ドレーン領域であり、
前記上部導電層は、ソース/ドレーン電極であり、
前記連結ホールは、前記ソース/ドレーン領域と前記ソース/ドレーン電極とを連結するためのコンタクトホールであること
を特徴とする請求項1記載の平板表示装置。 - 少なくともソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターのソース/ドレーン電極の中で一つの電極に連結されるアノード電極とをさらに含み、
前記下部導電層は、前記ソース/ドレーン電極の中で前記一つの電極であり、
前記上部導電層は、前記アノード電極であり、
前記連結ホールは、前記一つの電極とアノード電極とを連結するためのビアホールであること
を特徴とする請求項1記載の平板表示装置。 - 絶縁基板上に形成されたソース/ドレーン領域を備える半導体層と、
前記半導体層の上部に形成されたゲート電極と、
前記半導体層のソース/ドレーン領域に連結されるソース/ドレーン電極と、
前記半導体層とゲート電極との間の基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極と前記ソース/ドレーン電極との間の基板上に形成された層間絶縁膜と、を含み、
前記ゲート絶縁膜と層間絶縁膜は、前記ソース/ドレーン領域と前記ソース/ドレーン電極とを各々連結させるためのコンタクトホールを備え、
前記コンタクトホールは、60゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする薄膜トランジスタ 。 - 前記コンタクトホールは、45゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする請求項6記載の薄膜トランジスタ 。 - 前記ソース/ドレーン電極とゲート電極との間の距離が最小になる位置と、各コンタクトホールの底面エッジとの間の距離を‘d1’で、ソース/ドレーン電極とゲート電極との間の距離が最小になる位置でのゲート絶縁膜と層間絶縁膜の厚さを‘d2’で仮定する場合に、各コンタクトホールのテーパー角の最小値は、下記の式
θ = tan−1 (d1/d2)
から決定されること
を特徴とする請求項6記載の薄膜トランジスタ 。 - 絶縁基板上に形成された少なくともソース/ドレーン電極を備えた薄膜トランジスターと、
前記ソース/ドレーン電極の中で一つの電極を露出させるビアホールを備える絶縁膜と、
前記ビアホールを通じて前記一つの電極に連結されるアノード電極と、を含み、
前記ビアホールは、60゜以下のテーパー角を有し、
前記アノード電極は、60゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする平板表示装置。 - 前記ビアホールは、45゜以下のテーパー角を有し、前記アノード電極は、45゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする請求項9記載の平板表示装置。 - 前記アノード電極の厚さが‘d1’で、テーパー角によるアノード電極の上面の長さとアノード電極の下面の長さの差を‘d2’で仮定する場合に、前記アノード電極のテーパー角の最小値は、下記の式
θ = tan−1 (d1/d2)
から決定されること
を特徴とする請求項9記載の平板表示装置。 - 前記絶縁膜は、無機パシベーション膜と有機平坦化膜から選択される一つ以上の膜を含むこと
を特徴とする請求項9記載の平板表示装置。 - 絶縁基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された上部電極と、を含み、
前記下部電極は、60゜以下のテーパー角を有し、
前記アノード電極の厚さが‘d1’で、テーパー角によるアノード電極の上面の長さとアノード電極の下面の長さとの差を‘d2’で仮定する場合に、前記アノード電極のテーパー角の最小値は、下記の式
θ = tan−1 (d1/d2)
から決定されること
を特徴とする平板表示装置。 - 前記下部電極は、45゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする請求項13記載の平板表示装置。 - 前記下部電極は、アノード電極とカソード電極の中で一つの電極であり、前記上部電極は、他の一つの電極であること
を特徴とする請求項13記載の平板表示装置。 - 前記下部電極が透過電極であり、上部電極は反射電極で作用して、前記有機発光層から発光された光は前記基板方向に放出されること
を特徴とする請求項13記載の平板表示装置。 - 前記下部電極は反射電極であり、上部電極は透過電極で作用して、前記有機発光層から発光された光は前記基板と反対方向に放出されること
を特徴とする請求項13記載の平板表示装置。 - 前記下部電極と前記上部電極は両方とも透過電極で作用して、前記有機発光層から発光された光が基板方向に放出されると同時に基板と反対方向にも放出されること
を特徴とする請求項13記載の平板表示装置。 - 前記有機発光層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される少なくとも一つ以上の薄膜を含むこと
を特徴とする請求項13記載の平板表示装置。 - 前記発光層は、レーザー熱転写法により形成された有機発光層、インクジェット方式により形成された有機発光層及び蒸着法により形成された有機発光層から選択される有機発光層を含むこと
を特徴とする請求項13記載の平板表示装置。 - ソース/ドレーン領域を備えた半導体層と、前記ソース/ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備えた第1絶縁膜と、前記コンタクトホールを通じて前記ソース/ドレーン領域に連結されるソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、を含む絶縁基板と、
前記絶縁基板上に順次形成され、前記ソース/ドレーン電極の中で一つを露出させるビアホールを備えた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記薄膜トランジスターの一つの電極に連結される下部電極と、
前記下部電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された上部電極と、を含み、
前記ビアホールは、60゜以下のテーパー角を有し、
前記下部電極は、60゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする平板表示装置。 - 前記ビアホールは、14゜以上45゜以下 のテーパー角を有し、前記下部電極は、2.9゜以上45゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする請求項21記載の平板表示装置。 - 前記第2絶縁膜は、パシベーションのための絶縁膜と平坦化のための絶縁膜との積層構造であること
を特徴とする請求項21記載の平板表示装置。 - 前記下部電極は、アノード電極とカソード電極の中で少なくとも一つの電極であり、前記上部電極は、他の一つの電極であること
を特徴とする請求項21記載の平板表示装置。 - 前記有機発光層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される少なくとも一つ以上の薄膜を含み、前記発光層は、レーザー熱転写法により形成された有機発光層、インクジェット方式により形成された有機発光層及び蒸着法により形成された有機発光層から選択される有機発光層を含むこと
を特徴とする請求項21記載の平板表示装置。 - 前記下部電極は反射電極又は透過電極であり、上部電極は透過電極で作用して、前記有機発光層から発光される光が基板反対方向に放出されるか又は基板方向及び基板反対方向に放出されること
を特徴とする請求項21記載の平板表示装置。 - ソース/ドレーン領域を備えた半導体層と、半導体層上に形成されたゲート電極と、前記半導体層とゲート電極との間に形成された第1絶縁膜と、前記ソース/ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備えた第2絶縁膜と、前記コンタクトホールを通じて前記ソース/ドレーン領域に連結されるソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、を含む絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、前記ソース/ドレーン電極の中で一つを露出させるビアホールを備えた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記薄膜トランジスターの一つの電極に連結される下部電極と、
前記下部電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された上部電極と、を含み、
前記コンタクトホールは、60゜以下のテーパー角を有し、
前記ビアホールは、60゜以下のテーパー角を有し、
前記下部電極は、60゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする平板表示装置。 - 前記コンタクトホールは、14゜以上45゜以下のテーパー角を有し、前記ビアホールは、14゜以上45゜以下のテーパー角を有し、前記下部電極は、2.9゜以上45゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする請求項27記載の平板表示装置。 - 前記下部電極は透過電極であり、前記上部電極は反射電極又は透過電極で作用して、前記有機発光層から発光される光が基板方向に放出されるか又は基板方向及び基板反対方向に放出されること
を特徴とする請求項27記載の平板表示装置。 - 前記ゲート電極は、前記コンタクトホールと同一であるテーパー角を有すること
を特徴とする請求項27記載の平板表示装置。 - 前記有機発光層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される少なくとも一つ以上の薄膜を含み、前記発光層はレーザー熱転写法により形成された有機発光層、インクジェット方式により形成された有機発光層及び蒸着法により形成された有機発光層から選択される有機発光層を含むこと
を特徴とする請求項27記載の平板表示装置。 - ソース/ドレーン領域を備えた半導体層と、前記半導体層の上部に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と半導体層との間に形成された第1絶縁膜と、前記ソース/ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備えた第2絶縁膜と、前記コンタクトホールを通じて前記ソース/ドレーン領域に連結されるソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、を含む絶縁基板と、
前記第2絶縁膜上に形成されて前記ソース/ドレーン電極の中で一つの電極に連結される下部電極と、
前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えるパシベーションのための第3 絶縁膜と、
前記第3 絶縁膜と下部電極上に形成される有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された上部電極と、を含み、
前記コンタクトホールは、60゜以下のテーパー角を有し、
前記下部電極は、60゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする平板表示装置。 - 前記コンタクトホールは、14゜以上45゜以下のテーパー角を有し、前記下部電極は、2.9゜以上45゜以下のテーパー角を有すること
を特徴とする請求項32記載の平板表示装置。 - 前記下部電極はアノード電極とカソード電極の中で少なくとも一つの電極であり、前記上部電極は他の一つの電極であること
を特徴とする請求項32記載の平板表示装置。 - 前記有機発光層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される少なくとも一つ以上の薄膜を含み、前記発光層は、レーザー熱転写法により形成された有機発光層、インクジェット方式により形成された有機発光層及び蒸着法により形成された有機発光層から選択される有機発光層を含むこと
を特徴とする請求項32記載の平板表示装置。 - 前記下部電極は透過電極であり、上部電極は反射電極又は透過電極で作用して、前記有機発光層から発光される光が基板方向に放出されるか又は基板方向及び基板反対方向に放出される こと
を特徴とする請求項32記載の平板表示装置。 - 前記ゲート電極は、前記コンタクトホールと同一であるテーパー角を有すること
を特徴とする請求項32記載の平板表示装置。 - 前記第3絶縁膜の開口部のテーパー角は、40゜以下であること
を特徴とする請求項32記載の平板表示装置。
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---|---|
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---|---|---|---|
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AT (1) | ATE436090T1 (ja) |
DE (1) | DE602004021894D1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007053355A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-03-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008130539A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Au Optronics Corp | アクティブマトリックス有機発光ディスプレイの画素構造とその製造方法 |
WO2008123053A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Toray Industries, Inc. | ポジ型感光性樹脂組成物 |
WO2009028714A1 (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence display apparatus |
JP2011113736A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el装置及びその製造方法 |
JP2013012492A (ja) * | 2012-09-10 | 2013-01-17 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2014013775A (ja) * | 2013-09-27 | 2014-01-23 | Nitto Denko Corp | 有機elデバイスの製造方法、および、有機elデバイス |
JP2014044439A (ja) * | 2005-07-22 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343578A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Nec Corp | 発光体、発光素子、および発光表示装置 |
KR100552975B1 (ko) * | 2003-11-22 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100611152B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
KR100699996B1 (ko) * | 2004-09-02 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 회로 측정용 패드를 포함하는 유기전계발광표시장치와 그제조방법 |
JP4757550B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-08-24 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置およびその製造方法 |
KR100683791B1 (ko) | 2005-07-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 |
KR100731753B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2007-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 양면 발광 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 |
KR100782458B1 (ko) * | 2006-03-27 | 2007-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR100805154B1 (ko) | 2006-09-15 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2008147418A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ装置、画像表示装置およびその製造方法 |
KR100838082B1 (ko) | 2007-03-16 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR20100106309A (ko) * | 2007-10-15 | 2010-10-01 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 용액 처리된 전자 소자 |
US7635864B2 (en) * | 2007-11-27 | 2009-12-22 | Lg Electronics Inc. | Organic light emitting device |
EP2225776A4 (en) | 2007-12-14 | 2013-01-16 | Du Pont | REAR PANEL STRUCTURES FOR ELECTRONIC DEVICES |
US8536611B2 (en) * | 2008-06-17 | 2013-09-17 | Hitachi, Ltd. | Organic light-emitting element, method for manufacturing the organic light-emitting element, apparatus for manufacturing the organic light-emitting element, and organic light-emitting device using the organic light-emitting element |
JP5442234B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
JP5126545B2 (ja) * | 2009-02-09 | 2013-01-23 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
KR101041144B1 (ko) * | 2009-08-13 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 유기전계발광표시장치 |
KR101394261B1 (ko) * | 2010-03-29 | 2014-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TWI439985B (zh) * | 2010-08-26 | 2014-06-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 陣列基板及其製作方法 |
KR20120043404A (ko) | 2010-10-26 | 2012-05-04 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101839930B1 (ko) * | 2010-12-29 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
TWI570809B (zh) * | 2011-01-12 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR102013893B1 (ko) | 2012-08-20 | 2019-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
TWI545733B (zh) * | 2014-02-11 | 2016-08-11 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
TWI532154B (zh) * | 2014-02-25 | 2016-05-01 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板及顯示裝置 |
CN104659038A (zh) * | 2015-03-13 | 2015-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法、显示装置 |
CN105280633B (zh) * | 2015-11-30 | 2019-01-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板及其制作方法 |
KR102642198B1 (ko) * | 2016-04-04 | 2024-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102568781B1 (ko) * | 2016-05-31 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN106206672A (zh) * | 2016-09-09 | 2016-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled器件及其制作方法 |
CN207165572U (zh) * | 2017-09-12 | 2018-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
KR102052434B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2019-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컨택 구조 및 이를 이용한 전계발광 표시장치 |
CN108445671A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光路控制系统及显示装置 |
CN109904210B (zh) * | 2019-03-27 | 2021-08-24 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN209729911U (zh) | 2019-06-19 | 2019-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
KR20220004858A (ko) | 2020-07-02 | 2022-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 |
KR20240025121A (ko) * | 2022-08-17 | 2024-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6430228A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Nippon Telegraph & Telephone | Manufacture of semiconductor device |
JPS6433971A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Asahi Glass Co Ltd | Thin film transistor |
JPH08234683A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-09-13 | Eastman Kodak Co | 有機エレクトロルミネセンス媒体を用いたtft−el表示パネル |
JPH0955508A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH10104659A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Toshiba Corp | 多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH10148845A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH10206888A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2001110575A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2001110566A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置の製造方法 |
JP2001230085A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Denso Corp | 有機電界発光素子 |
JP2003249370A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-09-05 | Samsung Electronics Co Ltd | アクティブマトリックス型有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6430228U (ja) | 1987-08-13 | 1989-02-23 | ||
JPS6433971U (ja) | 1987-08-25 | 1989-03-02 | ||
KR950010703A (ko) * | 1993-09-23 | 1995-04-28 | 박경팔 | 전계 방출 에미터 및 그 제조방법 |
US5728608A (en) * | 1995-10-11 | 1998-03-17 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Tapered dielectric etch in semiconductor devices |
TW364275B (en) | 1996-03-12 | 1999-07-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
JPH1020331A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
TW477907B (en) * | 1997-03-07 | 2002-03-01 | Toshiba Corp | Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method |
TW408351B (en) | 1997-10-17 | 2000-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
KR100697413B1 (ko) * | 1998-07-30 | 2007-03-19 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치, 영상 디스플레이 장치, 정보 처리 장치, 및 그 제조 방법 |
TW439387B (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
TW469484B (en) | 1999-03-26 | 2001-12-21 | Semiconductor Energy Lab | A method for manufacturing an electrooptical device |
KR100325078B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2002-03-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 유기 전계발광 표시소자의 제조방법 |
KR100582414B1 (ko) | 1999-12-29 | 2006-05-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 콘택 홀 형성방법 |
JP3943900B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | 自己発光型表示装置 |
TW535137B (en) * | 2000-11-09 | 2003-06-01 | Toshiba Corp | Self-illuminating display device |
CN1174480C (zh) | 2000-11-24 | 2004-11-03 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管平面显示器的制作方法 |
JP2002202737A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nec Corp | 発光素子の製造方法、発光素子 |
JP4939690B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR100571003B1 (ko) | 2001-02-06 | 2006-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100582724B1 (ko) | 2001-03-22 | 2006-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치용 표시 소자, 이를 이용한 유기전계발광 디바이스 및 평판 디스플레이용 표시 소자의제조 방법 |
JP3608613B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
KR100796795B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 접촉부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
US6903377B2 (en) * | 2001-11-09 | 2005-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
US6731064B2 (en) * | 2001-11-20 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Yield enchancement pixel structure for active matrix organic light-emitting diode displays |
JP4071652B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2008-04-02 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機el発光表示装置 |
JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2004031262A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
KR100478759B1 (ko) * | 2002-08-20 | 2005-03-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR100469398B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2005-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 전계 방출 소자 및 제조 방법 |
EP1598796B1 (en) * | 2003-02-28 | 2013-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display and folding mobile terminal |
KR100552975B1 (ko) * | 2003-11-22 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100611152B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
KR100611159B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
JP2006058332A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
-
2003
- 2003-11-27 KR KR1020030084786A patent/KR100611152B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-09-10 US US10/938,080 patent/US7656087B2/en active Active
- 2004-09-23 CN CNB2004100118029A patent/CN100423284C/zh active Active
- 2004-11-29 AT AT04090473T patent/ATE436090T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-11-29 EP EP04090473A patent/EP1536465B1/en active Active
- 2004-11-29 DE DE602004021894T patent/DE602004021894D1/de active Active
- 2004-11-29 JP JP2004344946A patent/JP4879478B2/ja active Active
-
2008
- 2008-09-19 US US12/234,554 patent/US7936125B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6430228A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Nippon Telegraph & Telephone | Manufacture of semiconductor device |
JPS6433971A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Asahi Glass Co Ltd | Thin film transistor |
JPH08234683A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-09-13 | Eastman Kodak Co | 有機エレクトロルミネセンス媒体を用いたtft−el表示パネル |
JPH0955508A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH10104659A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Toshiba Corp | 多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH10148845A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH10206888A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2001110575A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2001110566A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置の製造方法 |
JP2001230085A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Denso Corp | 有機電界発光素子 |
JP2003249370A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-09-05 | Samsung Electronics Co Ltd | アクティブマトリックス型有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007053355A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-03-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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