JPH08234683A - 有機エレクトロルミネセンス媒体を用いたｔｆｔ−ｅｌ表示パネル - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス媒体を用いたｔｆｔ−ｅｌ表示パネルInfo
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- JPH08234683A JPH08234683A JP7323195A JP32319595A JPH08234683A JP H08234683 A JPH08234683 A JP H08234683A JP 7323195 A JP7323195 A JP 7323195A JP 32319595 A JP32319595 A JP 32319595A JP H08234683 A JPH08234683 A JP H08234683A
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- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜トランジスタエレクトロルミネセンス
（ＴＦＴ−ＥＬ）画素からなる平面パネルを提供する。 【解決手段】 ２つのＴＦＴ及び記憶コンデンサーはパ
ネル上のＥＬ画素が１００％近いデューティー係数で動
作しうるために用いられる。ＴＦＴ−ＥＬデバイスはＥ
Ｌ陰極をパターン化する必要を除去し、斯くして高解像
度を確立すると同様にＥＬ画素の輪郭を描く過程を顕著
に簡単化する。ＴＦＴ−ＥＬパネルは特にスクリーンの
使用係数が１より小さいときに従来技術のＴＦＴ−ＬＣ
Ｄパネルより少ない電力を消費する。
（ＴＦＴ−ＥＬ）画素からなる平面パネルを提供する。 【解決手段】 ２つのＴＦＴ及び記憶コンデンサーはパ
ネル上のＥＬ画素が１００％近いデューティー係数で動
作しうるために用いられる。ＴＦＴ−ＥＬデバイスはＥ
Ｌ陰極をパターン化する必要を除去し、斯くして高解像
度を確立すると同様にＥＬ画素の輪郭を描く過程を顕著
に簡単化する。ＴＦＴ−ＥＬパネルは特にスクリーンの
使用係数が１より小さいときに従来技術のＴＦＴ−ＬＣ
Ｄパネルより少ない電力を消費する。
Description
【０００１】関連する出願の相互参照 Ｔａｎｇ等によるアメリカ国特許出願０８／３５５７８
６「Ａｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄ
ｅｖｉｃｅ Ｈａｖｉｎｇ ａｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ」及
びＴａｎｇ等によるアメリカ国特許出願０８／３５５９
４０「Ａ Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎ
ｇ ａ ＴＦＴ−ＥＬ Ｐｉｘｅｌ」は両方とも同時に
出願され、その記述をここに引用する。
６「Ａｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄ
ｅｖｉｃｅ Ｈａｖｉｎｇ ａｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ」及
びＴａｎｇ等によるアメリカ国特許出願０８／３５５９
４０「Ａ Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎ
ｇ ａ ＴＦＴ−ＥＬ Ｐｉｘｅｌ」は両方とも同時に
出願され、その記述をここに引用する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は能動マトリックスア
ドレッシング要素として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と
放射媒体として有機エレクトロルミネセンス薄膜とを用
いたエレクトロルミネセンス表示パネルに関する。
ドレッシング要素として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と
放射媒体として有機エレクトロルミネセンス薄膜とを用
いたエレクトロルミネセンス表示パネルに関する。
【０００３】
【従来の技術】フラットパネル表示器（ＦＰＤ）技術の
急速な発展は高品質大領域、フルカラー、高解像度表示
器を可能にした。これらの表示器はラップトップコンピ
ュータやポケットＴＶのような電子製品での新たな応用
を可能にした。これらのＦＰＤ技術の中で液晶表示器
（ＬＣＤ）は市場での表示器の選択として出現した。そ
れはまた他のＦＰＤ技術が比較される技術標準を設定し
た。ＬＣＤパネルの例は以下を含む：（１）ワークステ
イション用の１４”，１６−カラーＬＣＤパネル（ＩＢ
Ｍと東芝、１９８９年）（Ｋ．Ｉｃｈｉｋａｗａ，Ｓ．
Ｓｕｚｕｋｉ，Ｈ．Ｍａｔｉｎｏ，Ｔ．Ａｏｋｉ，Ｔ．
Ｈｉｇｕｃｈｉ，Ｙ．Ｏａｎｏ等によるＳＩＤ Ｄｉｇ
ｅｓｔ，２２６（１９８９）を参照）、（２）６”フル
カラーＬＣＤ−ＴＶ（フィリップス、１９８７年）
（Ｍ．Ｊ．Ｐｏｗｅｌｌ，Ｊ．Ａ．Ｃｈａｐｍａｎ，
Ａ．Ｇ．Ｋｎａｐｐ，Ｉ．Ｄ．Ｆｒｅｎｃｈ，Ｊ．Ｒ．
Ｈｕｇｈｅｓ，Ａ．Ｄ．Ｐｅａｒｓｏｎ，Ｍ．Ａｌｌｉ
ｎｓｏｎ，Ｍ．Ｊ．Ｅｄｗａｒｄｓ，Ｒ．Ａ．Ｆｏｒ
ｄ，Ｍ．Ｃ．Ｈｅｍｍｉｎｇｓ，Ｏ．Ｆ．Ｈｉｌｌ，
Ｄ．Ｈ．Ｎｉｃｈｏｌｌｓ，Ｎ．Ｋ．Ｗｒｉｇｈｔ等に
よるＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，６３，１
９８７を参照）、（３）４”フルカラーＬＣＤ−ＴＶ
（モデルＬＱ４２４Ａ０１）（ｍｏｄｅｌ ＬＱ４２４
Ａ０１用のＳｈａｒｐ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｔｅ
ｃｈｎｉｃａｌ Ｌｉｔｅｒａｔｕｒｅを参照）、
（４）１メガ画素カラーＴＦＴ−ＬＣＤ（ゼネラルエレ
クトリック）（Ｄ．Ｅ．Ｃａｓｔｌｅｂｅｒｒｙ，Ｇ．
Ｅ．ＰｏｓｓｉｎによるＳＩＤ Ｄｉｇｅｓｔ，２３２
（１９８８）を参照）。特許及び出版物を含む全ての参
考文献は以下で完全に再現されるようにここに引用す
る。
急速な発展は高品質大領域、フルカラー、高解像度表示
器を可能にした。これらの表示器はラップトップコンピ
ュータやポケットＴＶのような電子製品での新たな応用
を可能にした。これらのＦＰＤ技術の中で液晶表示器
（ＬＣＤ）は市場での表示器の選択として出現した。そ
れはまた他のＦＰＤ技術が比較される技術標準を設定し
た。ＬＣＤパネルの例は以下を含む：（１）ワークステ
イション用の１４”，１６−カラーＬＣＤパネル（ＩＢ
Ｍと東芝、１９８９年）（Ｋ．Ｉｃｈｉｋａｗａ，Ｓ．
Ｓｕｚｕｋｉ，Ｈ．Ｍａｔｉｎｏ，Ｔ．Ａｏｋｉ，Ｔ．
Ｈｉｇｕｃｈｉ，Ｙ．Ｏａｎｏ等によるＳＩＤ Ｄｉｇ
ｅｓｔ，２２６（１９８９）を参照）、（２）６”フル
カラーＬＣＤ−ＴＶ（フィリップス、１９８７年）
（Ｍ．Ｊ．Ｐｏｗｅｌｌ，Ｊ．Ａ．Ｃｈａｐｍａｎ，
Ａ．Ｇ．Ｋｎａｐｐ，Ｉ．Ｄ．Ｆｒｅｎｃｈ，Ｊ．Ｒ．
Ｈｕｇｈｅｓ，Ａ．Ｄ．Ｐｅａｒｓｏｎ，Ｍ．Ａｌｌｉ
ｎｓｏｎ，Ｍ．Ｊ．Ｅｄｗａｒｄｓ，Ｒ．Ａ．Ｆｏｒ
ｄ，Ｍ．Ｃ．Ｈｅｍｍｉｎｇｓ，Ｏ．Ｆ．Ｈｉｌｌ，
Ｄ．Ｈ．Ｎｉｃｈｏｌｌｓ，Ｎ．Ｋ．Ｗｒｉｇｈｔ等に
よるＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，６３，１
９８７を参照）、（３）４”フルカラーＬＣＤ−ＴＶ
（モデルＬＱ４２４Ａ０１）（ｍｏｄｅｌ ＬＱ４２４
Ａ０１用のＳｈａｒｐ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｔｅ
ｃｈｎｉｃａｌ Ｌｉｔｅｒａｔｕｒｅを参照）、
（４）１メガ画素カラーＴＦＴ−ＬＣＤ（ゼネラルエレ
クトリック）（Ｄ．Ｅ．Ｃａｓｔｌｅｂｅｒｒｙ，Ｇ．
Ｅ．ＰｏｓｓｉｎによるＳＩＤ Ｄｉｇｅｓｔ，２３２
（１９８８）を参照）。特許及び出版物を含む全ての参
考文献は以下で完全に再現されるようにここに引用す
る。
【０００４】これらのＬＣＤパネル内の共通の特徴は能
動アドレッシング方式で薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の
使用であり、これは直接アドレッシング（Ｓ．Ｍｏｒｏ
ｚｕｍｉによるＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ，Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集，Ｖｏｌ．７７，Ａｃａ
ｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ １９９０を参照）の制限を緩
和する。ＬＣＤ技術の成功は大領域ＴＦＴ（主にアモル
ファスシリコンＴＦＴ）の製造の急速な進歩によること
が大部分である。ＴＦＴスイッチング特性と電子光学Ｌ
ＣＤ表示要素との間のほとんど理想的な適合はまたキー
としての役割を果たす。
動アドレッシング方式で薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の
使用であり、これは直接アドレッシング（Ｓ．Ｍｏｒｏ
ｚｕｍｉによるＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ，Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集，Ｖｏｌ．７７，Ａｃａ
ｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ １９９０を参照）の制限を緩
和する。ＬＣＤ技術の成功は大領域ＴＦＴ（主にアモル
ファスシリコンＴＦＴ）の製造の急速な進歩によること
が大部分である。ＴＦＴスイッチング特性と電子光学Ｌ
ＣＤ表示要素との間のほとんど理想的な適合はまたキー
としての役割を果たす。
【０００５】ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの主な欠点は明るい
バックライトが必要なことである。これはＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの透過係数が、特にカラーパネルで小さいためであ
る。典型的には透過係数は約２ー３パーセントである
（Ｓ．ＭｏｒｏｚｕｍｉによるＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集，Ｖｏｌ．
７７，ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓ １９９０を参
照）。バックライト付きのＴＦＴ−ＬＣＤパネルに対す
る電力消費はかなりのものであり、バッテリー作動を必
要とする携帯型表示器の応用に対して逆行するように影
響する。
バックライトが必要なことである。これはＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの透過係数が、特にカラーパネルで小さいためであ
る。典型的には透過係数は約２ー３パーセントである
（Ｓ．ＭｏｒｏｚｕｍｉによるＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集，Ｖｏｌ．
７７，ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓ １９９０を参
照）。バックライト付きのＴＦＴ−ＬＣＤパネルに対す
る電力消費はかなりのものであり、バッテリー作動を必
要とする携帯型表示器の応用に対して逆行するように影
響する。
【０００６】バックライトの必要性はまたフラットパネ
ルの小型化を損なう。例えばパネルの深さはバックライ
トユニットを収納するために増加されなければならな
い。典型的な管状の冷陰極ランプを用いると、付加的な
深さは約３／４から１インチである。バックライトはま
たＦＰＤに余計な重さを加える。上記の制限に対する理
想的な解決はバックライトの必要を除去する低電力放射
表示器である。特に魅力的な候補は薄膜トランジスタエ
レクトロルミネセンス（ＴＦＴ−ＥＬ）表示器である。
ＴＦＴ−ＥＬ表示器ではそれぞれの画素は光を放射する
ようアドレスされ、補助のバックライトは必要でない。
ＴＦＴ−ＥＬ方式はＦｉｓｃｈｅｒにより１９７１年に
提案された（Ａ．Ｇ．ＦｉｓｃｈｅｒによるＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，８０
２（９７１）を参照）。Ｆｉｓｃｈｅｒの方式の粉末化
されたＺｎＳはＥＬ媒体として用いられている。
ルの小型化を損なう。例えばパネルの深さはバックライ
トユニットを収納するために増加されなければならな
い。典型的な管状の冷陰極ランプを用いると、付加的な
深さは約３／４から１インチである。バックライトはま
たＦＰＤに余計な重さを加える。上記の制限に対する理
想的な解決はバックライトの必要を除去する低電力放射
表示器である。特に魅力的な候補は薄膜トランジスタエ
レクトロルミネセンス（ＴＦＴ−ＥＬ）表示器である。
ＴＦＴ−ＥＬ表示器ではそれぞれの画素は光を放射する
ようアドレスされ、補助のバックライトは必要でない。
ＴＦＴ−ＥＬ方式はＦｉｓｃｈｅｒにより１９７１年に
提案された（Ａ．Ｇ．ＦｉｓｃｈｅｒによるＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，８０
２（９７１）を参照）。Ｆｉｓｃｈｅｒの方式の粉末化
されたＺｎＳはＥＬ媒体として用いられている。
【０００７】１９７５年に成功したプロトタイプのＴＦ
Ｔ−ＥＬパネル（６”）はＺｎＳをＥＬ要素として、Ｃ
ｄＳｅをＴＦＴ材料として用いるＢｒｏｄｙ等により作
られたと報告された（Ｔ．Ｐ．Ｂｒｏｄｙ，Ｆ．Ｃ．Ｌ
ｕｏ，Ａ．Ｐ．Ｓｚｅｐｅｓｉ，Ｄ．Ｈ．Ｄａｖｉｅｓ
等によるＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅ
ｖｉｃｅｓ，２２，７３９（１９７５）を参照）。Ｚｎ
Ｓ−ＥＬが百ボルト以上の高駆動電圧を必要とするので
スイッチングＣｄＳｅ ＴＦＴ要素はそのような高電圧
振動を扱うよう設計されねばならない。それで高電圧Ｔ
ＦＴの信頼性は疑わしくなった。究極的にはＺｎＳに基
づくＴＦＴ−ＥＬはＴＦＴ−ＬＣＤとの競争に成功しな
かった。ＴＦＴ−ＥＬ技術を記載するアメリカ国特許は
以下の通りである：第３８０７０３７号、第３８８５１
９６号、第３９１３０９０号、第４００６３８３号、第
４０４２８５４号、第４５２３１８９号、第４６０２１
９２号。
Ｔ−ＥＬパネル（６”）はＺｎＳをＥＬ要素として、Ｃ
ｄＳｅをＴＦＴ材料として用いるＢｒｏｄｙ等により作
られたと報告された（Ｔ．Ｐ．Ｂｒｏｄｙ，Ｆ．Ｃ．Ｌ
ｕｏ，Ａ．Ｐ．Ｓｚｅｐｅｓｉ，Ｄ．Ｈ．Ｄａｖｉｅｓ
等によるＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅ
ｖｉｃｅｓ，２２，７３９（１９７５）を参照）。Ｚｎ
Ｓ−ＥＬが百ボルト以上の高駆動電圧を必要とするので
スイッチングＣｄＳｅ ＴＦＴ要素はそのような高電圧
振動を扱うよう設計されねばならない。それで高電圧Ｔ
ＦＴの信頼性は疑わしくなった。究極的にはＺｎＳに基
づくＴＦＴ−ＥＬはＴＦＴ−ＬＣＤとの競争に成功しな
かった。ＴＦＴ−ＥＬ技術を記載するアメリカ国特許は
以下の通りである：第３８０７０３７号、第３８８５１
９６号、第３９１３０９０号、第４００６３８３号、第
４０４２８５４号、第４５２３１８９号、第４６０２１
９２号。
【０００８】近年有機ＥＬ材料はデバイス化されてき
た。これらの材料はそれ自体をＴＦＴ−ＥＬデバイス内
の表示媒体に対する候補として示唆する（Ｃ．Ｗ．Ｔａ
ｎｇ，Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅによるＡｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３（１９８７）及びＣ．
Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅ，Ｃ．Ｈ．Ｃ
ｈｅｎによるＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６５，３６１
０（１９８９）を参照）。有機ＥＬ媒体は２つの重要な
利点を有する：それらはより高い効率を有する；それら
は低い電圧要求を有する。後者の特性は他の薄膜放射デ
バイスと異なる。ＥＬが有機材料であるＴＦＴ−ＥＬデ
バイスの開示は以下のようである：アメリカ国特許第
５，０７３，４４６号，第５，０４７，６８７号，第
５，０５９，８６１号；第５，２９４，８７０号，第
５，１５１，６２９号，第５，２７６，３８０号，第
５，０６１，５６９号，第４，７２０，４３２号，第
４，５３９，５０７号，第５，１５０，００６号，第
４，９５０，９５０号，第４，３５６，４２９号。
た。これらの材料はそれ自体をＴＦＴ−ＥＬデバイス内
の表示媒体に対する候補として示唆する（Ｃ．Ｗ．Ｔａ
ｎｇ，Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅによるＡｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３（１９８７）及びＣ．
Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅ，Ｃ．Ｈ．Ｃ
ｈｅｎによるＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６５，３６１
０（１９８９）を参照）。有機ＥＬ媒体は２つの重要な
利点を有する：それらはより高い効率を有する；それら
は低い電圧要求を有する。後者の特性は他の薄膜放射デ
バイスと異なる。ＥＬが有機材料であるＴＦＴ−ＥＬデ
バイスの開示は以下のようである：アメリカ国特許第
５，０７３，４４６号，第５，０４７，６８７号，第
５，０５９，８６１号；第５，２９４，８７０号，第
５，１５１，６２９号，第５，２７６，３８０号，第
５，０６１，５６９号，第４，７２０，４３２号，第
４，５３９，５０７号，第５，１５０，００６号，第
４，９５０，９５０号，第４，３５６，４２９号。
【０００９】ＴＦＴに対してそれを理想的にする有機Ｅ
Ｌ材料の特定の特性は以下のように要約される： １） 低電圧駆動。典型的には有機ＥＬセルは光出力レ
ベルとセルインピーダンスに依存して４から１０ボルト
の範囲の電圧を要する。約２０ｆＬの輝度を作るために
要求される電圧は約５ボルトである。この低電圧は高電
圧ＴＦＴに対する要求が除去される故にＴＦＴ−ＥＬパ
ネルに対して非常に魅力的である。更にまた有機ＥＬセ
ルはＤＣ又はＡＣにより駆動されうる。結果として駆動
回路はより複雑でなく、より高価でない。 ２） 高効率。有機ＥＬセルの蛍光効率はワット当たり
４ルーメンの高さである。２０ｆＬの輝度を作るために
ＥＬセルを駆動する電流密度は約１ｍＡ／ｃｍ2であ
る。１００％デューティの励起を仮定すると４００ｃｍ
2 のフルページパネルを駆動するために必要な電力は約
２．０ワットにすぎない。電力要求はフラットパネル表
示器の携帯性基準に確かに合致する。 ３） 低温度での製造。有機ＥＬデバイスは概略室温で
製造されうる。これは高温（＞３００度Ｃ）プロセスを
要求する無機放射デバイスに比べて顕著な利点である。
無機ＥＬデバイスを作るのに要求される高温プロセスは
ＴＦＴとは両立しない。
Ｌ材料の特定の特性は以下のように要約される： １） 低電圧駆動。典型的には有機ＥＬセルは光出力レ
ベルとセルインピーダンスに依存して４から１０ボルト
の範囲の電圧を要する。約２０ｆＬの輝度を作るために
要求される電圧は約５ボルトである。この低電圧は高電
圧ＴＦＴに対する要求が除去される故にＴＦＴ−ＥＬパ
ネルに対して非常に魅力的である。更にまた有機ＥＬセ
ルはＤＣ又はＡＣにより駆動されうる。結果として駆動
回路はより複雑でなく、より高価でない。 ２） 高効率。有機ＥＬセルの蛍光効率はワット当たり
４ルーメンの高さである。２０ｆＬの輝度を作るために
ＥＬセルを駆動する電流密度は約１ｍＡ／ｃｍ2であ
る。１００％デューティの励起を仮定すると４００ｃｍ
2 のフルページパネルを駆動するために必要な電力は約
２．０ワットにすぎない。電力要求はフラットパネル表
示器の携帯性基準に確かに合致する。 ３） 低温度での製造。有機ＥＬデバイスは概略室温で
製造されうる。これは高温（＞３００度Ｃ）プロセスを
要求する無機放射デバイスに比べて顕著な利点である。
無機ＥＬデバイスを作るのに要求される高温プロセスは
ＴＦＴとは両立しない。
【００１０】有機ＥＬパネルに対する最も簡単な駆動は
２組の直交する電極（行と列）間にサンドイッチされた
有機表示媒体を有することである。この２端子方式では
ＥＬ素子は表示器とスイッチング機能の両方を提供す
る。有機ＥＬ素子のダイオードのような非線形電流ー電
圧特性は原理的にはアドレッシングのこのモードで高い
度合いの多重化を許容する。しかしながら有機ＥＬに関
する２端子方式の有用性を制限する大きな要因が幾つか
ある： １） メモリの欠如。有機ＥＬの立ち上がり、立ち下が
り時間は非常に速く、マイクロ秒のオーダーであり、そ
れは真性（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）メモリを有さない。斯
くして直接アドレッシング方法を用いて、選択された列
のＥＬ素子はパネル内のスキャン列の数に比例する瞬間
の輝度を生ずるよう駆動されなければならない。パネル
の大きさに依存してこの瞬間の輝度は達成するのが困難
である。例えば１／６０秒のフレームレートで動作する
１０００スキャン列のパネルを考えてみる。列当たりの
許容されうる休止時間は１７μｓである。例えば２０Ｆ
ｌの時間平均された輝度を得るためには列休止時間中の
瞬間輝度は千倍高くなければならず、すなわち２０００
０Ｆｌであり、これは約１Ａ／ｃｍ2 の高電流密度と約
１５ー２０ボルトの電圧で有機ＥＬセルを動作すること
によってのみ得られる極端な輝度である。このような極
端な駆動条件の下でのセル動作の長期間の信頼性は疑わ
しい。 ２） 均一性。ＥＬ素子により要求される電流は行と列
のバスを介して供給される。瞬時の高電流故にこれらの
バスに沿ったＩＲ電位の降下はＥＬ駆動電圧と比較して
顕著ではない。ＥＬの輝度ー電圧特性は非線形である故
に、バスに沿った電位の変化は不均一な光出力を生ず
る。
２組の直交する電極（行と列）間にサンドイッチされた
有機表示媒体を有することである。この２端子方式では
ＥＬ素子は表示器とスイッチング機能の両方を提供す
る。有機ＥＬ素子のダイオードのような非線形電流ー電
圧特性は原理的にはアドレッシングのこのモードで高い
度合いの多重化を許容する。しかしながら有機ＥＬに関
する２端子方式の有用性を制限する大きな要因が幾つか
ある： １） メモリの欠如。有機ＥＬの立ち上がり、立ち下が
り時間は非常に速く、マイクロ秒のオーダーであり、そ
れは真性（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）メモリを有さない。斯
くして直接アドレッシング方法を用いて、選択された列
のＥＬ素子はパネル内のスキャン列の数に比例する瞬間
の輝度を生ずるよう駆動されなければならない。パネル
の大きさに依存してこの瞬間の輝度は達成するのが困難
である。例えば１／６０秒のフレームレートで動作する
１０００スキャン列のパネルを考えてみる。列当たりの
許容されうる休止時間は１７μｓである。例えば２０Ｆ
ｌの時間平均された輝度を得るためには列休止時間中の
瞬間輝度は千倍高くなければならず、すなわち２０００
０Ｆｌであり、これは約１Ａ／ｃｍ2 の高電流密度と約
１５ー２０ボルトの電圧で有機ＥＬセルを動作すること
によってのみ得られる極端な輝度である。このような極
端な駆動条件の下でのセル動作の長期間の信頼性は疑わ
しい。 ２） 均一性。ＥＬ素子により要求される電流は行と列
のバスを介して供給される。瞬時の高電流故にこれらの
バスに沿ったＩＲ電位の降下はＥＬ駆動電圧と比較して
顕著ではない。ＥＬの輝度ー電圧特性は非線形である故
に、バスに沿った電位の変化は不均一な光出力を生ず
る。
【００１１】２００μｘ２００μの画素ピッチを有し、
０，５の動作／実効領域比の１０００行と１０００列を
有するパネルを考える。列電極が１０オーム／平方シー
ト（Ω／□）の抵抗のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）で
あると仮定すると全体のＩＴＯバスラインの抵抗は少な
くとも１００００オームである。８００μＡ（２Ａ／ｃ
ｍ2 ）の瞬間画素電流に対するこのバスラインに沿った
ＩＲ降下は８ボルト以上である。一定の電流源が駆動方
式内に設けられることなしにＩＴＯバスに沿ったそのよ
うな大きな電位降下はパネル内で許容できない不均一な
光放射を引き起こす。どのような場合でもバス内の抵抗
電力損失は無駄である。類似の解析は休止時間中に画素
の行全体へ運ばれた全電流、即ち１０００列のパネルに
対して０．８Ａを搬送する付加的な負荷を有する行電極
バスに対してなされうる。シート抵抗が約０．０２８オ
ーム／平方の１μｍ厚さのアルミニウムバスの棒を仮定
すると得られたＩＲ降下は約１１ボルトであり、これは
また許容され得ない。 ３） 電極パターン化。陽極ーインジウム錫酸化物の直
交電極の一つの組は従来技術のフォトリソグラフィの方
法でパターン化されうる。しかしながら電極の他の組の
パターン化は特に有機ＥＬに対して大きな困難が現れ
る。陽極は４ｅＶより小さい仕事関数を有する金属で作
られねばならず、好ましくは銀又はアルミニウムのよう
な他の金属と合金されたマグネシウムである（Ｔａｎｇ
等によるアメリカ国特許第４８８５４３２号を参照）。
有機層の上面に堆積されたマグネシウムに基づいた合金
の陽極はフォトレジストを含むどのような従来技術の手
段によっても容易にはパターン化され得ない。ＥＬセル
上に有機溶剤からフォトレジストを適用するプロセスは
マグネシウムに基づく合金層の下の溶解する有機層に有
害に影響する。これは基板から有機層の層間剥離を引き
起こす。
０，５の動作／実効領域比の１０００行と１０００列を
有するパネルを考える。列電極が１０オーム／平方シー
ト（Ω／□）の抵抗のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）で
あると仮定すると全体のＩＴＯバスラインの抵抗は少な
くとも１００００オームである。８００μＡ（２Ａ／ｃ
ｍ2 ）の瞬間画素電流に対するこのバスラインに沿った
ＩＲ降下は８ボルト以上である。一定の電流源が駆動方
式内に設けられることなしにＩＴＯバスに沿ったそのよ
うな大きな電位降下はパネル内で許容できない不均一な
光放射を引き起こす。どのような場合でもバス内の抵抗
電力損失は無駄である。類似の解析は休止時間中に画素
の行全体へ運ばれた全電流、即ち１０００列のパネルに
対して０．８Ａを搬送する付加的な負荷を有する行電極
バスに対してなされうる。シート抵抗が約０．０２８オ
ーム／平方の１μｍ厚さのアルミニウムバスの棒を仮定
すると得られたＩＲ降下は約１１ボルトであり、これは
また許容され得ない。 ３） 電極パターン化。陽極ーインジウム錫酸化物の直
交電極の一つの組は従来技術のフォトリソグラフィの方
法でパターン化されうる。しかしながら電極の他の組の
パターン化は特に有機ＥＬに対して大きな困難が現れ
る。陽極は４ｅＶより小さい仕事関数を有する金属で作
られねばならず、好ましくは銀又はアルミニウムのよう
な他の金属と合金されたマグネシウムである（Ｔａｎｇ
等によるアメリカ国特許第４８８５４３２号を参照）。
有機層の上面に堆積されたマグネシウムに基づいた合金
の陽極はフォトレジストを含むどのような従来技術の手
段によっても容易にはパターン化され得ない。ＥＬセル
上に有機溶剤からフォトレジストを適用するプロセスは
マグネシウムに基づく合金層の下の溶解する有機層に有
害に影響する。これは基板から有機層の層間剥離を引き
起こす。
【００１２】他の困難は湿度に対する陽極の極度の敏感
さである。フォトレジストがＥＬセルの有機層を攪乱す
ることなくうまく適用され、展開されたとしても、酸性
溶液中のマグネシウムに基づく合金の陽極をエッチング
するプロセスは陽極を酸化し、黒い点を作りやすい。
さである。フォトレジストがＥＬセルの有機層を攪乱す
ることなくうまく適用され、展開されたとしても、酸性
溶液中のマグネシウムに基づく合金の陽極をエッチング
するプロセスは陽極を酸化し、黒い点を作りやすい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は有機材料がＥ
Ｌ媒体として用いられる能動マトリックス４端子ＴＦＴ
−ＥＬデバイスを提供する。
Ｌ媒体として用いられる能動マトリックス４端子ＴＦＴ
−ＥＬデバイスを提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】そのデバイスは基板上に
配置された２つのＴＦＴと記憶コンデンサと光放射有機
ＥＬパッドとからなる。ＥＬパッドは第二のＴＦＴのド
レインに電気的に接続される。第一のＴＦＴは第二のＴ
ＦＴのゲート電極に電気的に接続され、これは次にコン
デンサに電気的に接続され、それにより励起信号に続い
て第二のＴＦＴが信号間でＥＬパッドに対して一定に近
い電流を供給することを可能にする。本発明のＴＦＴ−
ＥＬデバイスは典型的にはフラットパネル表示器内で形
成される画素であり、好ましくはＥＬ陽極が画素全てを
横切る連続した層である。
配置された２つのＴＦＴと記憶コンデンサと光放射有機
ＥＬパッドとからなる。ＥＬパッドは第二のＴＦＴのド
レインに電気的に接続される。第一のＴＦＴは第二のＴ
ＦＴのゲート電極に電気的に接続され、これは次にコン
デンサに電気的に接続され、それにより励起信号に続い
て第二のＴＦＴが信号間でＥＬパッドに対して一定に近
い電流を供給することを可能にする。本発明のＴＦＴ−
ＥＬデバイスは典型的にはフラットパネル表示器内で形
成される画素であり、好ましくはＥＬ陽極が画素全てを
横切る連続した層である。
【００１５】本発明のＴＦＴ−有機ＥＬデバイスは以下
に示すような他段階プロセスで形成される：第一の薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ１）は基板の上面上に配置され
る。ＴＦＴ１はソース電極とドレイン電極とゲート誘電
体とゲート電極とからなり；ゲート電極はゲートバスの
部分からなる。ＴＦＴ１のソース電極は電気的にソース
バスと接続される。
に示すような他段階プロセスで形成される：第一の薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ１）は基板の上面上に配置され
る。ＴＦＴ１はソース電極とドレイン電極とゲート誘電
体とゲート電極とからなり；ゲート電極はゲートバスの
部分からなる。ＴＦＴ１のソース電極は電気的にソース
バスと接続される。
【００１６】第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）はま
た基板の上面上に配置され、ＴＦＴ２はまたソース電極
とドレイン電極とゲート誘電体とゲート電極とからな
る。ＴＦＴ２のゲート電極は第一の薄膜トランジスタの
ドレイン電極と電気的に接続される。記憶コンデンサは
また基板の上面上に配置される。動作中にこのコンデン
サはＴＦＴ１を介して励起信号ソースから充電され、休
止時間中にＴＦＴ２のゲート電極に一定に近い電位を供
給するために放電する。
た基板の上面上に配置され、ＴＦＴ２はまたソース電極
とドレイン電極とゲート誘電体とゲート電極とからな
る。ＴＦＴ２のゲート電極は第一の薄膜トランジスタの
ドレイン電極と電気的に接続される。記憶コンデンサは
また基板の上面上に配置される。動作中にこのコンデン
サはＴＦＴ１を介して励起信号ソースから充電され、休
止時間中にＴＦＴ２のゲート電極に一定に近い電位を供
給するために放電する。
【００１７】陽極層はＴＦＴ２のドレイン電極に電気的
に接続される。基板を通して光が放射される典型的な応
用では表示器はインジウム錫酸化物のような透明な材料
である。誘電パシベーション層は少なくともＴＦＴ１の
ソース上に、好ましくはデバイスの表面全体上に堆積さ
れる。誘電パシベーション層は表示アノード上に開口を
設けるためにエッチングされる。
に接続される。基板を通して光が放射される典型的な応
用では表示器はインジウム錫酸化物のような透明な材料
である。誘電パシベーション層は少なくともＴＦＴ１の
ソース上に、好ましくはデバイスの表面全体上に堆積さ
れる。誘電パシベーション層は表示アノード上に開口を
設けるためにエッチングされる。
【００１８】有機エレクトロルミネセンス層はアノード
層の上面上に直接配置される。続いてカソード層は有機
エレクトロルミネセンス層の上面上に直接堆積される。
好ましい実施例では本発明のＴＦＴ−ＥＬデバイスは低
温（即ち６００度Ｃ以下）結晶化及びアニーリング段
階、水素パシベーション、及び従来技術のパターン技術
と結合されて低圧及びプラズマ増強化学蒸着を用いる方
法により作られる。
層の上面上に直接配置される。続いてカソード層は有機
エレクトロルミネセンス層の上面上に直接堆積される。
好ましい実施例では本発明のＴＦＴ−ＥＬデバイスは低
温（即ち６００度Ｃ以下）結晶化及びアニーリング段
階、水素パシベーション、及び従来技術のパターン技術
と結合されて低圧及びプラズマ増強化学蒸着を用いる方
法により作られる。
【００１９】薄膜トランジスタは好ましくは以下の多段
階プロセスにより同時に形成される：多結晶シリコンア
イランド内にパターン化されたシリコンを堆積し；二酸
化シリコンゲート電極を化学蒸着し；イオンインプラン
トの後でソース、ドレイン、ゲート電極はエッチ薄膜ト
ランジスタ上に形成されるよう自己整列されたゲート電
極を形成するためにパターン化される他の多結晶シリコ
ン層を堆積する。
階プロセスにより同時に形成される：多結晶シリコンア
イランド内にパターン化されたシリコンを堆積し；二酸
化シリコンゲート電極を化学蒸着し；イオンインプラン
トの後でソース、ドレイン、ゲート電極はエッチ薄膜ト
ランジスタ上に形成されるよう自己整列されたゲート電
極を形成するためにパターン化される他の多結晶シリコ
ン層を堆積する。
【００２０】多結晶シリコン及び二酸化シリコンからな
る薄膜トランジスタを有する画素の構成はデバイス性
能、安定性、再現性、他のＴＦＴ上でのプロセス効率の
向上をもたらす。比較するとＣｄＳｅ及びアモルファス
シリコンからなるＴＦＴは低易動度と閾値ドリフトの影
響を被る。
る薄膜トランジスタを有する画素の構成はデバイス性
能、安定性、再現性、他のＴＦＴ上でのプロセス効率の
向上をもたらす。比較するとＣｄＳｅ及びアモルファス
シリコンからなるＴＦＴは低易動度と閾値ドリフトの影
響を被る。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は能動マトリックス４端子Ｔ
ＦＴ−ＥＬデバイスの概略図を示す。各画素の素子は２
つのＴＦＴと記憶コンデンサとＥＬ素子とを含む。４端
子方式の主な特徴はＥＬ励起信号からのアドレッシング
信号を分離する能力である。ＥＬ素子は論理ＴＦＴ（Ｔ
１）を介して選択され、ＥＬ素子に対する励起電力は電
力ＴＦＴ（Ｔ２）により制御される。記憶コンデンサは
それがいったん選択されたアドレスされたＥＬ素子に励
起電力を留めることを可能にする。斯くして回路はＥＬ
素子がアドレッシングに対して割り当てられた時間を無
視して１００％に近いデューティサイクルで動作するこ
とを許容する。
ＦＴ−ＥＬデバイスの概略図を示す。各画素の素子は２
つのＴＦＴと記憶コンデンサとＥＬ素子とを含む。４端
子方式の主な特徴はＥＬ励起信号からのアドレッシング
信号を分離する能力である。ＥＬ素子は論理ＴＦＴ（Ｔ
１）を介して選択され、ＥＬ素子に対する励起電力は電
力ＴＦＴ（Ｔ２）により制御される。記憶コンデンサは
それがいったん選択されたアドレスされたＥＬ素子に励
起電力を留めることを可能にする。斯くして回路はＥＬ
素子がアドレッシングに対して割り当てられた時間を無
視して１００％に近いデューティサイクルで動作するこ
とを許容する。
【００２２】本発明のエレクトロルミネセンスデバイス
の構造は図２、３に示される。このデバイスの基板は絶
縁及び好ましくは水晶又は低温度ガラスのような透明材
料である。本明細書で用いられる透明という用語は表示
デバイスで実際的な使用に対して充分な光を透過する部
品を意味する。例えば所望の周波数範囲で５０％以上の
光を透過する部品は透明と考えられる。低温度ガラスと
いう用語は約６００度Ｃ以上の温度で融解又は歪むガラ
スをいう。
の構造は図２、３に示される。このデバイスの基板は絶
縁及び好ましくは水晶又は低温度ガラスのような透明材
料である。本明細書で用いられる透明という用語は表示
デバイスで実際的な使用に対して充分な光を透過する部
品を意味する。例えば所望の周波数範囲で５０％以上の
光を透過する部品は透明と考えられる。低温度ガラスと
いう用語は約６００度Ｃ以上の温度で融解又は歪むガラ
スをいう。
【００２３】図２に示されるＴＦＴ−ＥＬデバイスでは
ＴＦＴ１はソースバス（列電極）をデータラインとして
及びゲートバス（行電極）をデータラインとして有する
論理トランジスタである。ＴＦＴ２はＥＬ素子と直列の
ＥＬ電力トランジスタである。記憶コンデンサはＴＦＴ
１と直列である。ＥＬ素子の陽極はＴＦＴ２のドレイン
に接続される。
ＴＦＴ１はソースバス（列電極）をデータラインとして
及びゲートバス（行電極）をデータラインとして有する
論理トランジスタである。ＴＦＴ２はＥＬ素子と直列の
ＥＬ電力トランジスタである。記憶コンデンサはＴＦＴ
１と直列である。ＥＬ素子の陽極はＴＦＴ２のドレイン
に接続される。
【００２４】図２のＴＦＴ−ＥＬの構成は図３から９の
断面図に示される。図３から８に示される断面図は図２
の線Ａ−Ａ’に沿ったものである。図９に示される断面
図は図２の線Ｂ−Ｂ’に沿ったものである。第一のプロ
セス段階でポリシリコン層は透明で絶縁性の基板にわた
り堆積され、ポリシリコン層はフォトリソグラフィによ
りアイランドにパターン化される（図４を参照）。基板
は水晶のような結晶材料であるが、好ましくは低温度ガ
ラスのようなより高価でない材料である。ガラス基板が
用いられるときにはＴＦＴ−ＥＬの製造全体がガラスの
溶融又は歪みを回避し、能動領域内にドーパントの外側
拡散（ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）を回避するために
低プロセス温度で実施される。斯くしてガラス基板に対
して全ての製造段階は１０００゜Ｃ以下、好ましくは６
００゜Ｃ以下でなされなければならない。
断面図に示される。図３から８に示される断面図は図２
の線Ａ−Ａ’に沿ったものである。図９に示される断面
図は図２の線Ｂ−Ｂ’に沿ったものである。第一のプロ
セス段階でポリシリコン層は透明で絶縁性の基板にわた
り堆積され、ポリシリコン層はフォトリソグラフィによ
りアイランドにパターン化される（図４を参照）。基板
は水晶のような結晶材料であるが、好ましくは低温度ガ
ラスのようなより高価でない材料である。ガラス基板が
用いられるときにはＴＦＴ−ＥＬの製造全体がガラスの
溶融又は歪みを回避し、能動領域内にドーパントの外側
拡散（ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）を回避するために
低プロセス温度で実施される。斯くしてガラス基板に対
して全ての製造段階は１０００゜Ｃ以下、好ましくは６
００゜Ｃ以下でなされなければならない。
【００２５】次に絶縁ゲート材料４２がポリシリコンア
イランド上及び絶縁基板の表面にわたり堆積される。絶
縁材料は好ましくはプラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）
又は低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）のような化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）により堆積される二酸化シリコンである。好ましく
はゲート酸化物絶縁層は約１０００オングストロームの
厚さである。
イランド上及び絶縁基板の表面にわたり堆積される。絶
縁材料は好ましくはプラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）
又は低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）のような化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）により堆積される二酸化シリコンである。好ましく
はゲート酸化物絶縁層は約１０００オングストロームの
厚さである。
【００２６】次の段階でシリコン４４の層はゲート絶縁
層上に堆積され、イオンインプラント後にソースとドレ
イン領域はポリシリコン領域内に形成されるようにポリ
シリコンアイランド上にフォトリソグラフィすることに
よりパターン化される。ゲート電極材料は好ましくはア
モルファスシリコンから形成されたポリシリコンであ
る。イオンインプラントは好ましくは砒素であるＮ型ド
ーパントで導電化される。ポリシリコンゲート電極はま
たコンデンサーの底部電極として供される（図９を参
照）。 本発明の好ましい実施例では薄膜トランジスタ
は二重（ｄｏｕｂｌｅ）ゲート構造を用いていない。斯
くして製造はより複雑でなく、より高価でない。 ゲー
トバス４６は絶縁層上で適用され、パターン化される。
ゲートバスは好ましくは珪素化タングステン（ＷＳ
ｉ2 ）のような金属珪素化物である。
層上に堆積され、イオンインプラント後にソースとドレ
イン領域はポリシリコン領域内に形成されるようにポリ
シリコンアイランド上にフォトリソグラフィすることに
よりパターン化される。ゲート電極材料は好ましくはア
モルファスシリコンから形成されたポリシリコンであ
る。イオンインプラントは好ましくは砒素であるＮ型ド
ーパントで導電化される。ポリシリコンゲート電極はま
たコンデンサーの底部電極として供される（図９を参
照）。 本発明の好ましい実施例では薄膜トランジスタ
は二重（ｄｏｕｂｌｅ）ゲート構造を用いていない。斯
くして製造はより複雑でなく、より高価でない。 ゲー
トバス４６は絶縁層上で適用され、パターン化される。
ゲートバスは好ましくは珪素化タングステン（ＷＳ
ｉ2 ）のような金属珪素化物である。
【００２７】次の段階では好ましくは二酸化シリコンで
ある絶縁層はデバイスの表面全体にわたり適用される。
接触孔５４、５６は第二の絶縁層内で切削され（図５を
参照）、電極材料は薄膜トランジスタと接点を形成する
よう適用される（図６、７を参照）。ＴＦＴ２のソース
領域に付けられた電極材料６２はコンデンサの上面電極
をまた形成する（図９を参照）。ソースバス及び接地バ
スはまた第二の絶縁層上に形成される（図２を参照）。
透明電極材料７２はＴＦＴ２のドレイン領域と接触し、
好ましくはＩＴＯであり、これは有機エレクトロルミネ
センス材料に対して陽極として設けられる。
ある絶縁層はデバイスの表面全体にわたり適用される。
接触孔５４、５６は第二の絶縁層内で切削され（図５を
参照）、電極材料は薄膜トランジスタと接点を形成する
よう適用される（図６、７を参照）。ＴＦＴ２のソース
領域に付けられた電極材料６２はコンデンサの上面電極
をまた形成する（図９を参照）。ソースバス及び接地バ
スはまた第二の絶縁層上に形成される（図２を参照）。
透明電極材料７２はＴＦＴ２のドレイン領域と接触し、
好ましくはＩＴＯであり、これは有機エレクトロルミネ
センス材料に対して陽極として設けられる。
【００２８】次の段階では好ましくは二酸化シリコンで
ある絶縁材料のパシベーション層７４はデバイスの表面
上に堆積される。パシベーション層はテーパ化された端
７６を離れたＩＴＯからエッチングされ、これは続いて
適用される有機エレクトロルミネセンス層の接着を改善
するよう供される。テーパ付端は信頼しうるデバイスを
製造するために必要である。何故ならば本発明は典型的
には１５０から２００ｎｍの厚さの比較的薄い有機ＥＬ
層を用いているからである。パシベーション層は典型的
には約０．５から約１ミクロン厚である。斯くしてパシ
ベーション層の端が陽極層に関して垂直又は鋭角を形成
する場合には欠陥が有機ＥＬ層内の不連続により発生し
やすい。欠陥を防止するためにパシベーション層はテー
パ付端を有さねばならない。好ましくはパシベーション
層は陽極層に関して１０度から３０度の角度でテーパを
付けられる。
ある絶縁材料のパシベーション層７４はデバイスの表面
上に堆積される。パシベーション層はテーパ化された端
７６を離れたＩＴＯからエッチングされ、これは続いて
適用される有機エレクトロルミネセンス層の接着を改善
するよう供される。テーパ付端は信頼しうるデバイスを
製造するために必要である。何故ならば本発明は典型的
には１５０から２００ｎｍの厚さの比較的薄い有機ＥＬ
層を用いているからである。パシベーション層は典型的
には約０．５から約１ミクロン厚である。斯くしてパシ
ベーション層の端が陽極層に関して垂直又は鋭角を形成
する場合には欠陥が有機ＥＬ層内の不連続により発生し
やすい。欠陥を防止するためにパシベーション層はテー
パ付端を有さねばならない。好ましくはパシベーション
層は陽極層に関して１０度から３０度の角度でテーパを
付けられる。
【００２９】有機エレクトロルミネセンス層８２はパシ
ベーション層上及びＥＬ陽極層上に堆積される。本発明
の有機ＥＬでの材料は、その開示は参考として引用され
る（ＳｃｏｚｚａｆａｖａのＥＰＡ ３４９，２６５
（１９９０）；Ｔａｎｇのアメリカ特許第４，３５６，
４２９号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，５
３９，５０７号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第
４，７２０，４３２；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，
７６９，２９２号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，８
８５，２１１号；Ｐｅｒｒｙ等のアメリカ特許第４，９
５０，９５０；Ｌｉｔｔｍａｎ等のアメリカ特許第５，
０５９，８６１号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第
５，０４７，６８７号；Ｓｃｏｚｚａｆａｖａ等のアメ
リカ特許第５，０７３，４４６号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等
のアメリカ特許第５，０５９，８６２号；ＶａｎＳｌｙ
ｋｅ等のアメリカ特許第５，０６１，６１７号；Ｖａｎ
Ｓｌｙｋｅのアメリカ特許第５，１５１，６２９号；Ｔ
ａｎｇ等のアメリカ特許第５，２９４，８６９号；Ｔａ
ｎｇ等のアメリカ特許第５，２９４，８７０号）のよう
な従来技術の有機ＥＬデバイスの形をも取りうる。ＥＬ
層は陽極と接触する有機ホール注入及び移動帯と、有機
ホール注入及び移動帯と接合を形成する電子注入及び移
動帯とからなる。ホール注入及び移動帯は単一の材料又
は複数の材料から形成されえ、陽極及び、ホール注入層
と電子注入及び移動帯の間に介装される連続的なホール
移動層と接触するホール注入層からなる。同様に電子注
入及び移動帯は単一材料又は複数の材料から形成され
え、陽極及び、電子注入層とホール注入及び移動帯の間
に介装される連続的な電子移動層と接触する電子注入層
からなる。ホールと電子の再結合とルミネセンスは電子
注入及び移動帯とホール注入及び移動帯の接合に隣接す
る電子注入及び移動帯内で発生する。有機ＥＬ層を形成
する化合物は典型的には蒸着により堆積されるが、他の
従来技術によりまた堆積されうる。
ベーション層上及びＥＬ陽極層上に堆積される。本発明
の有機ＥＬでの材料は、その開示は参考として引用され
る（ＳｃｏｚｚａｆａｖａのＥＰＡ ３４９，２６５
（１９９０）；Ｔａｎｇのアメリカ特許第４，３５６，
４２９号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，５
３９，５０７号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第
４，７２０，４３２；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，
７６９，２９２号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，８
８５，２１１号；Ｐｅｒｒｙ等のアメリカ特許第４，９
５０，９５０；Ｌｉｔｔｍａｎ等のアメリカ特許第５，
０５９，８６１号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第
５，０４７，６８７号；Ｓｃｏｚｚａｆａｖａ等のアメ
リカ特許第５，０７３，４４６号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等
のアメリカ特許第５，０５９，８６２号；ＶａｎＳｌｙ
ｋｅ等のアメリカ特許第５，０６１，６１７号；Ｖａｎ
Ｓｌｙｋｅのアメリカ特許第５，１５１，６２９号；Ｔ
ａｎｇ等のアメリカ特許第５，２９４，８６９号；Ｔａ
ｎｇ等のアメリカ特許第５，２９４，８７０号）のよう
な従来技術の有機ＥＬデバイスの形をも取りうる。ＥＬ
層は陽極と接触する有機ホール注入及び移動帯と、有機
ホール注入及び移動帯と接合を形成する電子注入及び移
動帯とからなる。ホール注入及び移動帯は単一の材料又
は複数の材料から形成されえ、陽極及び、ホール注入層
と電子注入及び移動帯の間に介装される連続的なホール
移動層と接触するホール注入層からなる。同様に電子注
入及び移動帯は単一材料又は複数の材料から形成され
え、陽極及び、電子注入層とホール注入及び移動帯の間
に介装される連続的な電子移動層と接触する電子注入層
からなる。ホールと電子の再結合とルミネセンスは電子
注入及び移動帯とホール注入及び移動帯の接合に隣接す
る電子注入及び移動帯内で発生する。有機ＥＬ層を形成
する化合物は典型的には蒸着により堆積されるが、他の
従来技術によりまた堆積されうる。
【００３０】好ましい実施例ではホール注入層からなる
有機材料は以下のような一般的な式を有する：
有機材料は以下のような一般的な式を有する：
【００３１】
【化１】
【００３２】ここで：ＱはＮ又はＣ−Ｒ Ｍは金属、金属酸化物、又は金属ハロゲン化物 Ｔ１、Ｔ２は水素を表すか又はアルキル又はハロゲンの
ような置換基を含む不飽和六員環を共に満たす。好まし
いアルキル部分は約１から６の炭素原子を含む一方でフ
ェニルは好ましいアリル部分を構成する。
ような置換基を含む不飽和六員環を共に満たす。好まし
いアルキル部分は約１から６の炭素原子を含む一方でフ
ェニルは好ましいアリル部分を構成する。
【００３３】好ましい実施例ではホール移動層は芳香族
第三アミンである。芳香族第三アミンの好ましいサブク
ラスは以下の式を有するテトラアリルジアミンを含む：
第三アミンである。芳香族第三アミンの好ましいサブク
ラスは以下の式を有するテトラアリルジアミンを含む：
【００３４】
【化２】
【００３５】ここでＡｒｅはアリレン群であり、ｎは１
から４の整数であり、Ａｒ、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 はそれぞ
れ選択されたアリル群である。好ましい実施例ではルミ
ネセンス、電子注入及び移動帯は金属オキシノイド（ｏ
ｘｉｎｏｉｄ）化合物を含む。金属オキシノイド化合物
の好ましい例は以下の一般的な式を有する：
から４の整数であり、Ａｒ、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 はそれぞ
れ選択されたアリル群である。好ましい実施例ではルミ
ネセンス、電子注入及び移動帯は金属オキシノイド（ｏ
ｘｉｎｏｉｄ）化合物を含む。金属オキシノイド化合物
の好ましい例は以下の一般的な式を有する：
【００３６】
【化３】
【００３７】ここでＲ2 −Ｒ7 は置き換え可能性を表
す。他の好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は
以下の式を有する：
す。他の好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は
以下の式を有する：
【００３８】
【化４】
【００３９】ここでＲ2 −Ｒ7 は上記で定義されたもの
であり、Ｌ１−Ｌ５は集中的に１２又はより少ない炭素
原子を含み、それぞれ別々に１から１２の炭素原子の水
素又は炭水化物群を表し、Ｌ１，Ｌ２は共に、又はＬ
２，Ｌ３は共に連合されたベンゾ環を形成しうる。他の
好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は以下の式
を有する：
であり、Ｌ１−Ｌ５は集中的に１２又はより少ない炭素
原子を含み、それぞれ別々に１から１２の炭素原子の水
素又は炭水化物群を表し、Ｌ１，Ｌ２は共に、又はＬ
２，Ｌ３は共に連合されたベンゾ環を形成しうる。他の
好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は以下の式
を有する：
【００４０】
【化５】
【００４１】ここでＲ2 −Ｒ6 は水素又は他の置き換え
可能性を表す。上記例は単にエレクトロルミネセンス層
内で用いられるある好ましい有機材料を表すのみであ
る。それらは本発明の視野を制限することを意図するも
のではなく、これは一般に有機エレクトロルミネセンス
層を指示するものである。上記例からわかるように有機
ＥＬ材料は有機リガンドを有する配位化合物を含む。本
発明のＴＦＴ−ＥＬデバイスはＺｎＳのような純粋な無
機材料を含まない。
可能性を表す。上記例は単にエレクトロルミネセンス層
内で用いられるある好ましい有機材料を表すのみであ
る。それらは本発明の視野を制限することを意図するも
のではなく、これは一般に有機エレクトロルミネセンス
層を指示するものである。上記例からわかるように有機
ＥＬ材料は有機リガンドを有する配位化合物を含む。本
発明のＴＦＴ−ＥＬデバイスはＺｎＳのような純粋な無
機材料を含まない。
【００４２】次のプロセス段階ではＥＬ陽極８４はデバ
イスの表面上に堆積される。ＥＬ陽極はどのような導電
性の材料でも良いが、好ましくは４ｅＶ以下の仕事関数
を有する材料で作られる（Ｔａｎｇ等のアメリカ国特許
第４８８５２１１号を参照）。低い仕事関数材料は陽極
に好ましい。何故ならばそれらは電子移動層内に容易に
電子を放出するからである。最も低い仕事関数の金属は
アルカリ金属であるが、しかしながらそれらの空気中で
の不安定性はそれらの使用をある条件下で実際的でなく
している。陽極材料は典型的には化学蒸着により堆積さ
れるが、他の適切堆積技術も適用可能である。ＥＬ陽極
に対して特に好ましい材料は１０：１（原子比で）マグ
ネシウム：銀合金であることが見いだされた。好ましく
は陽極は表示パネルの全表面にわたる連続層として適用
される。他の実施例ではＥＬ陽極は有機電子注入及び移
動帯に隣接した低い仕事関数の金属のより低い層からな
り、低い仕事関数の金属をオーバーレイし、低い仕事関
数の金属を酸素及び湿度から保護する保護層とからな
る。選択的にパシベーション層はＥＬ陽極層上に適用さ
れる。 典型的には陽極材料は透明であり、陰極材料は
不透明であり、それにより光は陽極材料を通して透過す
る。しかしながら代替実施例では光は陽極よりもむしろ
陰極を等して放射される。この場合には陰極は光透過性
であり、陽極は不透明である。光透過と技術的伝導性の
実際的なバランスは典型的には５−２５ｎｍの範囲の厚
さである。
イスの表面上に堆積される。ＥＬ陽極はどのような導電
性の材料でも良いが、好ましくは４ｅＶ以下の仕事関数
を有する材料で作られる（Ｔａｎｇ等のアメリカ国特許
第４８８５２１１号を参照）。低い仕事関数材料は陽極
に好ましい。何故ならばそれらは電子移動層内に容易に
電子を放出するからである。最も低い仕事関数の金属は
アルカリ金属であるが、しかしながらそれらの空気中で
の不安定性はそれらの使用をある条件下で実際的でなく
している。陽極材料は典型的には化学蒸着により堆積さ
れるが、他の適切堆積技術も適用可能である。ＥＬ陽極
に対して特に好ましい材料は１０：１（原子比で）マグ
ネシウム：銀合金であることが見いだされた。好ましく
は陽極は表示パネルの全表面にわたる連続層として適用
される。他の実施例ではＥＬ陽極は有機電子注入及び移
動帯に隣接した低い仕事関数の金属のより低い層からな
り、低い仕事関数の金属をオーバーレイし、低い仕事関
数の金属を酸素及び湿度から保護する保護層とからな
る。選択的にパシベーション層はＥＬ陽極層上に適用さ
れる。 典型的には陽極材料は透明であり、陰極材料は
不透明であり、それにより光は陽極材料を通して透過す
る。しかしながら代替実施例では光は陽極よりもむしろ
陰極を等して放射される。この場合には陰極は光透過性
であり、陽極は不透明である。光透過と技術的伝導性の
実際的なバランスは典型的には５−２５ｎｍの範囲の厚
さである。
【００４３】本発明による薄膜トランジスタを製造する
好ましい方法を以下に説明する。第一段階では２０００
±２０オングストローム厚さのアモルファスシリコン膜
は１０２３ｍＴｏｒｒのプロセス圧力で反応性ガスとし
てシランと共にＬＰＣＶＤシステムないで５５０度Ｃで
堆積される。この次にアモルファスシリコン膜を多結晶
膜に結晶化するために真空中で５５０度Ｃで７２時間低
温アニールする。それからポリシリコンアイランドはプ
ラズマ反応器内でＳＦ6 とフレオン１２の混合物と共に
エッチングにより形成される。ポリシリコンアイランド
上で能動層は１０００±２０オングストロームＰＥＣＶ
Ｄ ＳｉＯ2 ゲート誘電層を堆積される。ゲート誘電層
は３５０度Ｃで１８分間４５０ＫＨｚの周波数で２００
Ｗの電力レベルで０．８Ｔｏｒｒの圧力でプラズマ反応
器内で５／４のＮ2 Ｏ／ＳｉＨ4比で堆積される。
好ましい方法を以下に説明する。第一段階では２０００
±２０オングストローム厚さのアモルファスシリコン膜
は１０２３ｍＴｏｒｒのプロセス圧力で反応性ガスとし
てシランと共にＬＰＣＶＤシステムないで５５０度Ｃで
堆積される。この次にアモルファスシリコン膜を多結晶
膜に結晶化するために真空中で５５０度Ｃで７２時間低
温アニールする。それからポリシリコンアイランドはプ
ラズマ反応器内でＳＦ6 とフレオン１２の混合物と共に
エッチングにより形成される。ポリシリコンアイランド
上で能動層は１０００±２０オングストロームＰＥＣＶ
Ｄ ＳｉＯ2 ゲート誘電層を堆積される。ゲート誘電層
は３５０度Ｃで１８分間４５０ＫＨｚの周波数で２００
Ｗの電力レベルで０．８Ｔｏｒｒの圧力でプラズマ反応
器内で５／４のＮ2 Ｏ／ＳｉＨ4比で堆積される。
【００４４】次の段階ではアモルファスシリコン層はＰ
ＥＣＶＤゲート絶縁層上に堆積され、第一の段階に対す
る上記と同じ条件を用いて多結晶シリコンに変換され
る。フォトレジストは適用され、第二のポリシリコン層
は続くイオンインプラント段階に対する自己整列構造を
形成するようエッチングされる。第二のポリシリコン層
は好ましくは約３０００オングストローム厚さである。
ＥＣＶＤゲート絶縁層上に堆積され、第一の段階に対す
る上記と同じ条件を用いて多結晶シリコンに変換され
る。フォトレジストは適用され、第二のポリシリコン層
は続くイオンインプラント段階に対する自己整列構造を
形成するようエッチングされる。第二のポリシリコン層
は好ましくは約３０００オングストローム厚さである。
【００４５】イオンインプラントはソース、ドレイン、
ゲート領域を同時にドープするために２Ｘ１０15／ｃｍ
2 の線量で１２０ＫｅＶで砒素でドーピングすることに
より実施される。ドーパントの活性化は窒素雰囲気中で
６００゜Ｃで２時間実施される。次の段階では５０００
オングストローム厚さの二酸化シリコン層が従来技術の
低温法で堆積される。アルミニウム接点は物理的蒸着に
より形成され、４００度Ｃで１３分間形成ガス（１０％
Ｈ2 ，９０％Ｎ2 ）内で燒結される。
ゲート領域を同時にドープするために２Ｘ１０15／ｃｍ
2 の線量で１２０ＫｅＶで砒素でドーピングすることに
より実施される。ドーパントの活性化は窒素雰囲気中で
６００゜Ｃで２時間実施される。次の段階では５０００
オングストローム厚さの二酸化シリコン層が従来技術の
低温法で堆積される。アルミニウム接点は物理的蒸着に
より形成され、４００度Ｃで１３分間形成ガス（１０％
Ｈ2 ，９０％Ｎ2 ）内で燒結される。
【００４６】最終的に薄膜トランジスタの水素パシベー
ションは電子サイクロトロン共鳴反応器（ＥＣＲ）内で
実施される。ＥＣＲ水素プラズマ露出はマイクロ波レベ
ル９００Ｗ、周波数３．５ＧＨｚで１．２ｘ１０-4Ｔｏ
ｒｒの圧力でおこなわれた。水素パシベーションは３０
０度Ｃの基板温度で１５分間なされる。この過程は低閾
値電圧と高効率キャリア移動度と優秀なオン／オフ比を
有する薄膜トランジスタでを生ずる。
ションは電子サイクロトロン共鳴反応器（ＥＣＲ）内で
実施される。ＥＣＲ水素プラズマ露出はマイクロ波レベ
ル９００Ｗ、周波数３．５ＧＨｚで１．２ｘ１０-4Ｔｏ
ｒｒの圧力でおこなわれた。水素パシベーションは３０
０度Ｃの基板温度で１５分間なされる。この過程は低閾
値電圧と高効率キャリア移動度と優秀なオン／オフ比を
有する薄膜トランジスタでを生ずる。
【００４７】本発明の特性の例として以下のＴＦＴ−Ｅ
Ｌパネルに対する駆動要求を考える： 行の数 ＝ １０００ 列の数 ＝ １０００ 画素寸法 ＝ ２００μｍｘ２００μｍ ＥＬ充填係数 ＝ ５０％ フレーム時間 ＝ １７ｍｓ 行休止時間 ＝ １７μｓ 平均輝度 ＝ ２０ｆＬ ＥＬ画素電流 ＝ ０．８μＡ デュティサイクル ＝ １００％ ＥＬ電力源 ＝ １０ｖ ｒｍｓ これらの駆動要求はＴＦＴ及び記憶コンデンサに対する
以下の特性により適合される： ＴＦＴ１ ゲート電圧 ＝ １０Ｖ ソース電圧 ＝ １０Ｖ オン電流 ＝ ２μＡ オフ電流 ＝ １０-11 Ａ ＴＦＴ２ ゲート電圧 ＝ １０Ｖ ソース電圧 ＝ １０Ｖ オン電流 ＝ ２ｘＥＬ画素電流＝ １．６μＡ オフ電流 ＝ １ｎＡ 記憶コンデンサ 大きさ ＝ １ｐｆ ＴＦＴ１に対するオン電流要求はＴＦＴ２をオンするた
めに適切な電圧（１０Ｖ）に対して行休止時間（１７μ
ｓ）中に記憶コンデンサを充電するのに充分大きいこと
である。ＴＦＴ１に対するオフ電流要求はフレーム期間
（１７ｍｓ）中のコンデンサ（及びＴＦＴ２ゲート）上
の電圧降下が２％以下であるために充分小さいことであ
る。
Ｌパネルに対する駆動要求を考える： 行の数 ＝ １０００ 列の数 ＝ １０００ 画素寸法 ＝ ２００μｍｘ２００μｍ ＥＬ充填係数 ＝ ５０％ フレーム時間 ＝ １７ｍｓ 行休止時間 ＝ １７μｓ 平均輝度 ＝ ２０ｆＬ ＥＬ画素電流 ＝ ０．８μＡ デュティサイクル ＝ １００％ ＥＬ電力源 ＝ １０ｖ ｒｍｓ これらの駆動要求はＴＦＴ及び記憶コンデンサに対する
以下の特性により適合される： ＴＦＴ１ ゲート電圧 ＝ １０Ｖ ソース電圧 ＝ １０Ｖ オン電流 ＝ ２μＡ オフ電流 ＝ １０-11 Ａ ＴＦＴ２ ゲート電圧 ＝ １０Ｖ ソース電圧 ＝ １０Ｖ オン電流 ＝ ２ｘＥＬ画素電流＝ １．６μＡ オフ電流 ＝ １ｎＡ 記憶コンデンサ 大きさ ＝ １ｐｆ ＴＦＴ１に対するオン電流要求はＴＦＴ２をオンするた
めに適切な電圧（１０Ｖ）に対して行休止時間（１７μ
ｓ）中に記憶コンデンサを充電するのに充分大きいこと
である。ＴＦＴ１に対するオフ電流要求はフレーム期間
（１７ｍｓ）中のコンデンサ（及びＴＦＴ２ゲート）上
の電圧降下が２％以下であるために充分小さいことであ
る。
【００４８】ＴＦＴ２に対するオン電流はＥＬ画素電流
の２倍であり、１．６μＡである。この２倍の係数は動
作と共に有機ＥＬ素子の徐々の劣化に対する補正のため
の適切な駆動電流を許容するためである。ＴＦＴ２のオ
フ電流はパネルのコントラストに影響する。１ｎＡのオ
フ電流は点灯されたＥＬ素子と点灯されないそれとの間
の５００倍以上のオン／オフコントラスト比を提供す
る。パネルの実際のコントラスト比はより低く環境照明
要因に依存する。
の２倍であり、１．６μＡである。この２倍の係数は動
作と共に有機ＥＬ素子の徐々の劣化に対する補正のため
の適切な駆動電流を許容するためである。ＴＦＴ２のオ
フ電流はパネルのコントラストに影響する。１ｎＡのオ
フ電流は点灯されたＥＬ素子と点灯されないそれとの間
の５００倍以上のオン／オフコントラスト比を提供す
る。パネルの実際のコントラスト比はより低く環境照明
要因に依存する。
【００４９】４００ｃｍ2 のフルページパネルに対して
ＥＬ素子単独による電力要求は約４ワットである。 電力 ＝ ４００ｃｍ2 ｘ１０ｖｘ０．００１Ａ／ｃｍ2 ＝ ４ワット この電力消費はＴＦＴによる電力消費を越える。ＴＦＴ
２はＥＬ素子と直列である故にＴＦＴ２を横切るどのよ
うなソース−ドレイン電圧降下もＴＦＴ２内の実質的な
電力損失を生ずる。５ボルトのソース−ドレイン電圧を
仮定すると、ＴＦＴ２での全電力損失は２ワットであ
る。ＴＦＴ１に対する電力消費は１０００ｘ１０００パ
ネルに対して１ワットより大きくないように推定され
る。行（ゲート）駆動に対して必要な電力は数十ミリワ
ットのオーダーであって無視可能であり、列（ソース）
駆動に対する電力は０．５ワットのオーダーである
（Ｓ．ＭｏｒｏｚｕｍｉのＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ、Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集、Ｖｏｌ．７
７，Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ，１９９０を参
照）。斯くしてフルページＴＦＴ−ＥＬパネルに対する
全電力消費は約７ワットである。現実的には平均電力消
費はもっとより小さい。何故ならばＥＬスクリーンは平
均的には１００％使用されないからである。
ＥＬ素子単独による電力要求は約４ワットである。 電力 ＝ ４００ｃｍ2 ｘ１０ｖｘ０．００１Ａ／ｃｍ2 ＝ ４ワット この電力消費はＴＦＴによる電力消費を越える。ＴＦＴ
２はＥＬ素子と直列である故にＴＦＴ２を横切るどのよ
うなソース−ドレイン電圧降下もＴＦＴ２内の実質的な
電力損失を生ずる。５ボルトのソース−ドレイン電圧を
仮定すると、ＴＦＴ２での全電力損失は２ワットであ
る。ＴＦＴ１に対する電力消費は１０００ｘ１０００パ
ネルに対して１ワットより大きくないように推定され
る。行（ゲート）駆動に対して必要な電力は数十ミリワ
ットのオーダーであって無視可能であり、列（ソース）
駆動に対する電力は０．５ワットのオーダーである
（Ｓ．ＭｏｒｏｚｕｍｉのＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ、Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集、Ｖｏｌ．７
７，Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ，１９９０を参
照）。斯くしてフルページＴＦＴ−ＥＬパネルに対する
全電力消費は約７ワットである。現実的には平均電力消
費はもっとより小さい。何故ならばＥＬスクリーンは平
均的には１００％使用されないからである。
【００５０】本発明のＴＦＴ−ＥＬパネルはＴＦＴ−Ｌ
ＣＤに対する電力要求に関して２つの重要な利点を有す
る。第一にＴＦＴ−ＥＬ電力要求は白黒又は同様なルミ
ネセンス効率を有するカラー材料で供される多色である
かに比較的独立である。対照的にＴＦＴ−ＬＣＤカラー
パネルは白黒に比べてはるかに高い電力を要求する。何
故ならば透過係数はカラーフィルター配列によるカラー
化されたパネル内で大幅に減少するからである。第二に
ＬＣＤバックライトはスクリーン利用係数に無関係に一
定でなければならないことである。これに対してＴＦＴ
−ＥＬ電力消費はこの利用係数に高度に依存する。
ＣＤに対する電力要求に関して２つの重要な利点を有す
る。第一にＴＦＴ−ＥＬ電力要求は白黒又は同様なルミ
ネセンス効率を有するカラー材料で供される多色である
かに比較的独立である。対照的にＴＦＴ−ＬＣＤカラー
パネルは白黒に比べてはるかに高い電力を要求する。何
故ならば透過係数はカラーフィルター配列によるカラー
化されたパネル内で大幅に減少するからである。第二に
ＬＣＤバックライトはスクリーン利用係数に無関係に一
定でなければならないことである。これに対してＴＦＴ
−ＥＬ電力消費はこの利用係数に高度に依存する。
【００５１】平均電力消費は更に小さい。何故ならばＥ
Ｌスクリーンの１００％以下は典型的な応用ではどのよ
うな所定の時間でも放射するからである。本発明は好ま
しい実施例を特に参照して詳細に説明されているが種々
の変更及び改良は本発明の精神及び範囲内で有効であ
る。
Ｌスクリーンの１００％以下は典型的な応用ではどのよ
うな所定の時間でも放射するからである。本発明は好ま
しい実施例を特に参照して詳細に説明されているが種々
の変更及び改良は本発明の精神及び範囲内で有効であ
る。
【００５２】
【発明の効果】本発明のＴＦＴー有機ＥＬデバイスの実
際のパネル構成と駆動配置の幾つかの重要な利点は以下
の通りである： １） 有機ＥＬパッドと陽極の両方は連続した層である
故に画素解像度はＴＦＴの特性大きさと関連した表示Ｉ
ＴＯパッドによりのみ決定され、ＥＬセルの有機化合物
又は陽極と独立である。 ２） 陽極は連続であり、全ての画素に共通である。そ
れは画素の解像力に対してパターン化を必要としない。
故に２端子方式での陽極をパターン化する困難は除去さ
れた。 ３） スキャン行の数はアドレス及び励起信号が分離さ
れるのでフレーム周期内の短い行休止時間によりもはや
制限されない。各スキャン行は１００％デューティ係数
の近くで動作される。高解像度はスキャン行の多数が均
一な強度を維持する間に表示パネル内で用いられ得る。 ４） 有機ＥＬ素子の信頼性は増強される。何故ならば
それは１００％デューティ係数で低電流密度（１ｍＡ／
ｃｍ2 ）及び電圧（５Ｖ）で動作するからである。 ５） ＥＬ素子を駆動するために必要とされる共通陽極
と低電流密度を用いる故にバスに沿ったＩＲ電位低下は
顕著ではない。故にパネルの均一性はパネルの大きさに
より顕著に影響されない。
際のパネル構成と駆動配置の幾つかの重要な利点は以下
の通りである： １） 有機ＥＬパッドと陽極の両方は連続した層である
故に画素解像度はＴＦＴの特性大きさと関連した表示Ｉ
ＴＯパッドによりのみ決定され、ＥＬセルの有機化合物
又は陽極と独立である。 ２） 陽極は連続であり、全ての画素に共通である。そ
れは画素の解像力に対してパターン化を必要としない。
故に２端子方式での陽極をパターン化する困難は除去さ
れた。 ３） スキャン行の数はアドレス及び励起信号が分離さ
れるのでフレーム周期内の短い行休止時間によりもはや
制限されない。各スキャン行は１００％デューティ係数
の近くで動作される。高解像度はスキャン行の多数が均
一な強度を維持する間に表示パネル内で用いられ得る。 ４） 有機ＥＬ素子の信頼性は増強される。何故ならば
それは１００％デューティ係数で低電流密度（１ｍＡ／
ｃｍ2 ）及び電圧（５Ｖ）で動作するからである。 ５） ＥＬ素子を駆動するために必要とされる共通陽極
と低電流密度を用いる故にバスに沿ったＩＲ電位低下は
顕著ではない。故にパネルの均一性はパネルの大きさに
より顕著に影響されない。
【図１】能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイス
の概略図を示す。
の概略図を示す。
【図２】本発明の４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスの平面図
である。
である。
【図３】図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図４】イオンインプラントに対する自己整列ＴＦＴ構
造を形成するプロセスを示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図
である。
造を形成するプロセスを示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図
である。
【図５】薄膜トランジスタのソースとドレイン領域に対
するパシベーション酸化層の堆積と接触切断を開口する
プロセス段階を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
するパシベーション酸化層の堆積と接触切断を開口する
プロセス段階を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図６】アルミニウム電極の堆積を示す線Ａ−Ａ’に沿
った断面図である。
った断面図である。
【図７】表示陽極と表示陽極の表面から部分的にエッチ
ングされたパシベーション層との堆積を示す線Ａ−Ａ’
に沿った断面図である。
ングされたパシベーション層との堆積を示す線Ａ−Ａ’
に沿った断面図である。
【図８】エレクトロルミネセンスと陽極の堆積の段階を
示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図９】図２の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
Ｔ1 ，Ｔ2 薄膜トランジスタ ＣS コンデンサー ＥＬ エレクトロルミネセンス層 ４２ ゲート材料 ４４ シリコン層 ４６ ゲートバス ５２ 絶縁層 ５４、５６ 接触孔 ６２、７２ 電極材料 ７４ パシベーション層 ７６ テーパ付端 ８２ ＥＬ層 ８４ ＥＬ陰極
Claims (3)
- 【請求項１】 上面及び底面を有し、その上に複数の画
素を配置された基板よりなるエレクトロルミネセンス平
面パネル表示器であって、該画素の各々は： ａ） 該基板の上面上に配置され、ソース電極とドレイ
ン電極とゲート誘電体とゲート電極とからなり、該ゲー
ト電極はゲートバスの一部分からなる第一の薄膜トラン
ジスタと； ｂ） 該基板の上面上に配置され、ソース電極とドレイ
ン電極とゲート誘電体とゲート電極とからなり、該ゲー
ト電極は該第一の薄膜トランジスタのドレイン電極に電
気的に接続される第二の薄膜トランジスタと； ｃ） 該基板の上面上に配置され、上部及び底部電極か
らなるコンデンサと； ｄ） 該第二の薄膜トランジスタのドレイン電極に電気
的に接続された表示陽極層と； ｅ） 該第一及び第二の薄膜トランジスタと該コンデン
サとをオーバーレイし、該陽極層上に開口を有し、底端
が該陽極層上に上端より更に延在するように該開口でテ
ーパを有する端を有する誘電パシベーション層と； ｆ） 該陽極層の上面上に直接配置され、該パシベーシ
ョン層により該第一及び第二の薄膜トランジスタと該コ
ンデンサとから絶縁される有機エレクトロルミネセンス
層と； ｇ） 該有機エレクトロルミネセンス層の上面上に直接
配置される陰極層と；からなり、 各画素上の該第一の薄膜トランジスタのソース電極に接
続された複数の列リードと、各画素上の該第一の薄膜ト
ランジスタのゲート電極に接続された複数の行リード
と、各画素上の該コンデンサに接続された複数の接地リ
ードとを更に含むエレクトロルミネセンス平面パネル表
示器。 - 【請求項２】 該陰極は該複数の画素をオーバーレイす
る連続シートである請求項１記載の平面パネル表示器。 - 【請求項３】 １０００行と１０００列を有し、該画素
のそれぞれは約０．２ｍｍｘ０．２ｍｍであり、約２０
ｆＬの時間平均輝度を有し、作動中に約７ワットより小
さな電力消費を有する請求項１記載の平面パネル表示
器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/355,742 US5684365A (en) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
| US355742 | 1994-12-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08234683A true JPH08234683A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3694078B2 JP3694078B2 (ja) | 2005-09-14 |
Family
ID=23398658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32319595A Expired - Lifetime JP3694078B2 (ja) | 1994-12-14 | 1995-12-12 | 有機エレクトロルミネセンス媒体を用いたｔｆｔ−ｅｌ表示パネル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5684365A (ja) |
| EP (1) | EP0717446A3 (ja) |
| JP (1) | JP3694078B2 (ja) |
Cited By (111)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106352A (en) * | 1998-03-18 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for fabrication of organic electroluminescent device |
| EP1093167A2 (en) | 1999-10-12 | 2001-04-18 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and manufacturing method thereof |
| US6246179B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-06-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Emissive element and display device using such element |
| JP2001356734A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置およびその駆動方法 |
| JP2002032035A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置およびその検査方法 |
| US6366025B1 (en) | 1999-02-26 | 2002-04-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
| US6420200B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6440877B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6633134B1 (en) | 1999-09-27 | 2003-10-14 | Nec Corporation | Active-matrix-driven organic EL display device |
| US6653796B2 (en) | 2000-07-24 | 2003-11-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-emitting device and exposure device and flat display device using the same |
| US6689492B1 (en) | 1999-06-04 | 2004-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US6693385B2 (en) | 2001-03-22 | 2004-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a display device |
| US6753654B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
| US6774574B1 (en) | 1999-06-23 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US6777710B1 (en) | 2001-02-26 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device with constant luminance |
| US6828726B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display panel having light-emission element within an opening formed of insulating layers |
| JP2005031648A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 素子基板及び発光装置 |
| US6876350B2 (en) | 2001-08-10 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
| JP2005159368A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置 |
| US6909240B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US6911960B1 (en) | 1998-11-30 | 2005-06-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Active-type electroluminescent display |
| US6943501B2 (en) | 2002-11-21 | 2005-09-13 | Chi Mei Optoelectronics Corp. | Electroluminescent display apparatus and driving method thereof |
| US7015882B2 (en) | 2000-11-07 | 2006-03-21 | Sony Corporation | Active matrix display and active matrix organic electroluminescence display |
| US7046240B2 (en) | 2001-08-29 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
| US7091936B1 (en) | 1999-10-04 | 2006-08-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Color display device |
| US7112517B2 (en) | 2001-09-10 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method |
| US7116293B2 (en) | 2000-06-07 | 2006-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Emitter, emitting device, display panel, and display device |
| US7122969B2 (en) | 2003-06-18 | 2006-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
| US7173612B2 (en) | 2000-12-08 | 2007-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | EL display device providing means for delivery of blanking signals to pixel elements |
| US7173278B2 (en) | 2003-05-16 | 2007-02-06 | Kyocera Corporation | Thin-film transistor in which fluctuations in current flowing therethrough are suppressed, and image display apparatus |
| US7184005B2 (en) | 2003-06-05 | 2007-02-27 | Kyocera Corporation | Image display apparatus |
| US7199768B2 (en) | 2003-02-24 | 2007-04-03 | Kyocera Corporation | Display apparatus controlling brightness of current-controlled light emitting element |
| JP2007094423A (ja) * | 2006-11-20 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| JP2007095706A (ja) * | 2006-11-20 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| KR100710773B1 (ko) * | 1999-02-09 | 2007-04-24 | 산요덴키가부시키가이샤 | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 |
| JP2007121889A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法 |
| US7227304B2 (en) | 2003-02-04 | 2007-06-05 | Kyocera Corporation | Image display apparatus |
| US7226332B2 (en) | 2002-04-30 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7250928B2 (en) | 2001-09-17 | 2007-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment |
| JP2007225928A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Ｅｌ表示装置、およびｅｌ表示装置の駆動方法 |
| JP2007241009A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Ｅｌ表示パネルおよび平面表示装置 |
| KR100802344B1 (ko) * | 2000-03-27 | 2008-02-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전기광학 장치 |
| KR100808561B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2008-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스형 발광장치 및 그 발광장치를 사용한 전기 기기 |
| US7348944B2 (en) | 2004-03-18 | 2008-03-25 | Kyocera Corporation | Image display device |
| US7355572B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-04-08 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| US7358941B2 (en) | 2003-02-19 | 2008-04-15 | Kyocera Corporation | Image display apparatus using current-controlled light emitting element |
| US7378291B2 (en) | 2001-07-06 | 2008-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| US7420530B2 (en) | 2005-05-12 | 2008-09-02 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device method for controlling pixel circuit |
| US7445946B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US7561147B2 (en) | 2003-05-07 | 2009-07-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Current output type of semiconductor circuit, source driver for display drive, display device, and current output method |
| JP2009187019A (ja) * | 1997-02-17 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| US7605789B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-10-20 | Sony Corporation | Transistor circuit, pixel circuit, display device, and driving method therefor |
| US7619595B2 (en) | 2007-03-13 | 2009-11-17 | Sony Corporation | Display device |
| US7671826B2 (en) | 2005-12-02 | 2010-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US7796102B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-09-14 | Fujifilm Corporation | Active matrix type display device |
| US7817149B2 (en) | 2002-04-26 | 2010-10-19 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Semiconductor circuits for driving current-driven display and display |
| US7817117B2 (en) | 2006-04-05 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US7825880B2 (en) | 2006-08-23 | 2010-11-02 | Sony Corporation | Pixel circuit |
| US7838347B2 (en) | 2005-08-12 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
| US7880693B2 (en) | 2006-07-20 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Display |
| US7940234B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-05-10 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of manufacturing pixel circuit |
| US7969394B2 (en) | 2007-03-13 | 2011-06-28 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| US7969391B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-06-28 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of manufacturing pixel circuit |
| US7995013B2 (en) | 2007-03-09 | 2011-08-09 | Sony Corporation | Display apparatus having a threshold voltage and mobility correcting period and method for driving the same |
| US8013812B2 (en) | 2007-02-14 | 2011-09-06 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US8022899B2 (en) | 2005-01-28 | 2011-09-20 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | EL display apparatus and drive method of EL display apparatus |
| US8026877B2 (en) | 2003-03-26 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
| US8058795B2 (en) | 2007-01-12 | 2011-11-15 | Sony Corporation | Display device with a second electrode including a first conductive layer in an emission area and a non-emission area a second conductive layer in the non-emission area |
| US8072397B2 (en) | 2007-02-19 | 2011-12-06 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic apparatus |
| US8094099B2 (en) | 2007-09-12 | 2012-01-10 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method for display apparatus |
| US8111251B2 (en) | 2000-05-12 | 2012-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device and method of testing the same |
| US8120551B2 (en) | 2000-11-07 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
| US8130179B2 (en) | 2007-09-14 | 2012-03-06 | Sony Corporation | Display device and driving method of display device |
| US8138502B2 (en) | 2005-08-05 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US8188941B2 (en) | 2006-11-17 | 2012-05-29 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US8207024B2 (en) | 2001-09-18 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8269800B2 (en) | 2007-02-19 | 2012-09-18 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| JP2012191216A (ja) * | 1999-02-23 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| US8289236B2 (en) | 2006-12-20 | 2012-10-16 | Sony Corporation | Method for replacing a main signal line with a sub signal line when a pixel circuit is defective |
| US8324618B2 (en) | 2001-11-09 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8325111B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US8362985B2 (en) | 2008-06-13 | 2013-01-29 | Fujifilm Corporation | Organic EL display device and method of driving thereof |
| JP2013029816A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-02-07 | Canon Inc | 表示装置 |
| US8378930B2 (en) | 2004-05-28 | 2013-02-19 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device having symmetric pixel circuits and shared voltage lines |
| TWI397040B (zh) * | 2007-03-19 | 2013-05-21 | Sony Corp | 像素電路及顯示裝置，以及顯示裝置之製造方法 |
| US8519919B2 (en) | 2007-07-30 | 2013-08-27 | Sony Corporation | Display device and method to prevent the change of threshold voltage of the writing transistor due to the variation with age |
| KR20130135774A (ko) | 2012-06-01 | 2013-12-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법 |
| JP2013251276A (ja) * | 2000-02-22 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置 |
| US8610155B2 (en) | 2008-11-18 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US8654045B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-02-18 | Sony Corporation | Display and method for manufacturing display |
| US8710749B2 (en) | 2011-09-09 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2014132577A (ja) * | 2000-01-17 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置及び電気器具 |
| US8803768B2 (en) | 2006-10-26 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same |
| US8836678B2 (en) | 2003-06-03 | 2014-09-16 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US8884301B2 (en) | 1999-10-12 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and a method of manufacturing the same |
| US8890172B2 (en) | 1999-06-04 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
| US8922464B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device and driving method thereof |
| US8994439B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, image display device, storage device, and electronic device |
| US9001012B2 (en) | 2006-05-29 | 2015-04-07 | Sony Corporation | Image display |
| US9013457B2 (en) | 2012-06-01 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
| US9030105B2 (en) | 2011-04-01 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9136287B2 (en) | 2011-08-05 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9214504B2 (en) | 2001-03-28 | 2015-12-15 | Japan Display Inc. | Display module |
| TWI514343B (zh) * | 2014-07-30 | 2015-12-21 | E Ink Holdings Inc | 背光顯示裝置 |
| US9262967B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-02-16 | Joled Inc. | Display apparatus and driving method therefor |
| EP2996108A2 (en) | 2003-05-23 | 2016-03-16 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| JP2017063216A (ja) * | 2000-06-05 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2017173835A (ja) * | 1999-04-27 | 2017-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| EP3232429A1 (en) | 2001-09-07 | 2017-10-18 | Joled Inc. | El display panel, method of driving the same, and el display device |
| JP2018142741A (ja) * | 2000-08-28 | 2018-09-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 携帯電話、パーソナルコンピュータ、及び表示装置 |
| JP2019035986A (ja) * | 2018-11-22 | 2019-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
Families Citing this family (321)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08129360A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Tdk Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
| US6853083B1 (en) * | 1995-03-24 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
| US8139050B2 (en) | 1995-07-20 | 2012-03-20 | E Ink Corporation | Addressing schemes for electronic displays |
| JPH09146108A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
| TWI228625B (en) * | 1995-11-17 | 2005-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
| US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
| JP3124480B2 (ja) | 1995-12-12 | 2001-01-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| TW309633B (ja) * | 1995-12-14 | 1997-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| KR100202230B1 (ko) * | 1995-12-28 | 1999-06-15 | 구자홍 | 액정표시장치에서 평면배선구조를 갖는 액정표시장치의 제조방법 및 평면배선구조를 갖는 액정표시장치 |
| JP3645379B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP3645380B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置 |
| US6478263B1 (en) | 1997-01-17 | 2002-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP3729955B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5985740A (en) | 1996-01-19 | 1999-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst |
| JP3645378B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5888858A (en) | 1996-01-20 | 1999-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US6465287B1 (en) | 1996-01-27 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device using a metal catalyst and high temperature crystallization |
| JPH103987A (ja) * | 1996-06-12 | 1998-01-06 | Futaba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3622874B2 (ja) * | 1996-07-31 | 2005-02-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| WO1998013811A1 (en) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Seiko Epson Corporation | Display device |
| JPH10104663A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置およびその作製方法 |
| US5923308A (en) * | 1996-11-12 | 1999-07-13 | Motorola, Inc. | Array of leds with active pull down shadow canceling circuitry |
| JPH10199674A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-07-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及び表示装置 |
| JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| US6072450A (en) * | 1996-11-28 | 2000-06-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus |
| JP3530362B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2004-05-24 | 三洋電機株式会社 | 自発光型画像表示装置 |
| US6462722B1 (en) * | 1997-02-17 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same |
| JP4401448B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2010-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP3641342B2 (ja) | 1997-03-07 | 2005-04-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置 |
| EP0978114A4 (en) * | 1997-04-23 | 2003-03-19 | Sarnoff Corp | PIXEL STRUCTURE WITH LIGHT EMITTING DIODE AND ACTIVE MATRIX AND METHOD |
| US6229506B1 (en) | 1997-04-23 | 2001-05-08 | Sarnoff Corporation | Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method |
| US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
| JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
| JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
| US6072278A (en) * | 1997-08-06 | 2000-06-06 | Alliedsignal Inc. | High capacitance pixel for electronic displays |
| US5977718A (en) * | 1997-08-08 | 1999-11-02 | Christensen; Alton O. | Gated pixel elements using polymer electroluminescent materials for panel displays |
| CN1267871C (zh) * | 1997-08-21 | 2006-08-02 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置 |
| JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
| JPH1173158A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Seiko Epson Corp | 表示素子 |
| JP3830238B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
| FR2772501B1 (fr) * | 1997-12-15 | 2000-01-21 | Thomson Lcd | Dispositif de commande matriciel |
| JPH11219133A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Tdk Corp | 画像表示装置 |
| GB9803441D0 (en) * | 1998-02-18 | 1998-04-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
| GB9803764D0 (en) * | 1998-02-23 | 1998-04-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Display devices |
| KR100473453B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2005-03-07 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스형 발광장치 및 그 제조방법 |
| US6704133B2 (en) | 1998-03-18 | 2004-03-09 | E-Ink Corporation | Electro-optic display overlays and systems for addressing such displays |
| JPH11282006A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP3252897B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2002-02-04 | 日本電気株式会社 | 素子駆動装置および方法、画像表示装置 |
| US7075502B1 (en) | 1998-04-10 | 2006-07-11 | E Ink Corporation | Full color reflective display with multichromatic sub-pixels |
| TW491959B (en) * | 1998-05-07 | 2002-06-21 | Fron Tec Kk | Active matrix type liquid crystal display devices, and substrate for the same |
| WO1999059101A2 (en) | 1998-05-12 | 1999-11-18 | E-Ink Corporation | Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications |
| GB9812742D0 (en) | 1998-06-12 | 1998-08-12 | Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display devices |
| GB9812739D0 (en) | 1998-06-12 | 1998-08-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display devices |
| US6133693A (en) * | 1998-07-30 | 2000-10-17 | Alliedsignal Inc. | Interconnects and electrodes for high luminance emissive displays |
| EP0978880B1 (en) * | 1998-08-07 | 2010-10-06 | LG Electronics, Inc. | Organic electroluminescent display panel and method for fabricating the same |
| GB9818092D0 (en) * | 1998-08-19 | 1998-10-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Display devices |
| US6277679B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film transistor |
| JP2000163014A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2000227770A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2000228284A (ja) | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2000227771A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP3686769B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2005-08-24 | 日本電気株式会社 | 有機ｅｌ素子駆動装置と駆動方法 |
| JP2000231346A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US7697052B1 (en) * | 1999-02-17 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic view finder utilizing an organic electroluminescence display |
| US6724149B2 (en) * | 1999-02-24 | 2004-04-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance |
| JP2000310969A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-11-07 | Canon Inc | 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法 |
| JP3850005B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2006-11-29 | パイオニア株式会社 | スイッチング素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置 |
| US6475836B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6461899B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Oxynitride laminate “blocking layer” for thin film semiconductor devices |
| KR100316271B1 (ko) * | 1999-05-27 | 2001-12-12 | 구본준, 론 위라하디락사 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| CN1263159C (zh) * | 1999-06-02 | 2006-07-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| US8853696B1 (en) | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| JP4423701B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2010-03-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| GB9914807D0 (en) | 1999-06-25 | 1999-08-25 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display device |
| GB9914808D0 (en) | 1999-06-25 | 1999-08-25 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminscent device |
| US6509688B1 (en) * | 1999-07-08 | 2003-01-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Electro-luminescent display with storage capacitor formed in longitudinal direction of power supply line |
| AU6365900A (en) * | 1999-07-21 | 2001-02-13 | E-Ink Corporation | Use of a storage capacitor to enhance the performance of an active matrix drivenelectronic display |
| JP4472056B2 (ja) | 1999-07-23 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその作製方法 |
| TW465119B (en) * | 1999-07-23 | 2001-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
| JP2001051272A (ja) | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フロントライト及び電子機器 |
| GB9919536D0 (en) | 1999-08-19 | 1999-10-20 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display device |
| JP2003509728A (ja) | 1999-09-11 | 2003-03-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリックスｅｌディスプレイ装置 |
| JP3650552B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2005-05-18 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いたパネル |
| US6641933B1 (en) * | 1999-09-24 | 2003-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting EL display device |
| JP4530450B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2010-08-25 | 三洋電機株式会社 | Ｅｌ表示装置 |
| JP2001109395A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2001102169A (ja) | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2001109404A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| GB9923261D0 (en) | 1999-10-02 | 1999-12-08 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display device |
| GB9923591D0 (en) | 1999-10-07 | 1999-12-08 | Koninkl Philips Electronics Nv | Current source and display device using the same |
| TW471011B (en) * | 1999-10-13 | 2002-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming apparatus |
| TW535454B (en) * | 1999-10-21 | 2003-06-01 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
| GB9925060D0 (en) | 1999-10-23 | 1999-12-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display device |
| US6587086B1 (en) | 1999-10-26 | 2003-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
| US7112115B1 (en) | 1999-11-09 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6573880B1 (en) * | 1999-11-16 | 2003-06-03 | Xerox Corporation | Applications for electronic reusable paper |
| JP2001166737A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Tdk Corp | カラー画像表示装置 |
| GB0000290D0 (en) | 2000-01-07 | 2000-03-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display device |
| JP4212079B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2009-01-21 | ローム株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
| KR100566813B1 (ko) * | 2000-02-03 | 2006-04-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 셀 구동회로 |
| TW495808B (en) * | 2000-02-04 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus |
| JP2001318627A (ja) | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| TW495854B (en) | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6936485B2 (en) * | 2000-03-27 | 2005-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| GB0008019D0 (en) | 2000-03-31 | 2000-05-17 | Koninkl Philips Electronics Nv | Display device having current-addressed pixels |
| US6528950B2 (en) | 2000-04-06 | 2003-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and driving method |
| TW516164B (en) | 2000-04-21 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-light emitting device and electrical appliance using the same |
| GB0014961D0 (en) * | 2000-06-20 | 2000-08-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements |
| US6879110B2 (en) * | 2000-07-27 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
| JP3670941B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2005-07-13 | 三洋電機株式会社 | アクティブマトリクス型自発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機ｅｌ表示装置 |
| TW463393B (en) * | 2000-08-25 | 2001-11-11 | Ind Tech Res Inst | Structure of organic light emitting diode display |
| US6739931B2 (en) | 2000-09-18 | 2004-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the display device |
| JP4925528B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2012-04-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| US6924594B2 (en) * | 2000-10-03 | 2005-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6424093B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-07-23 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent display device with performed images |
| TW522577B (en) * | 2000-11-10 | 2003-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
| AU2002230520A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | E-Ink Corporation | Addressing circuitry for large electronic displays |
| KR100672628B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액티브 매트릭스 유기 전계발광 디스플레이 장치 |
| US6717359B2 (en) * | 2001-01-29 | 2004-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| SG143945A1 (en) | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6580545B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-06-17 | E Ink Corporation | Electrochromic-nanoparticle displays |
| JP4273694B2 (ja) * | 2001-06-07 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | Ｅｌディスプレイ、ｅｌ照明装置、およびその駆動方法、ならびに液晶装置および電子機器 |
| US6692326B2 (en) * | 2001-06-16 | 2004-02-17 | Cld, Inc. | Method of making organic electroluminescent display |
| TW588570B (en) | 2001-06-18 | 2004-05-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of fabricating the same |
| US7211828B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
| TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| TWI283427B (en) * | 2001-07-12 | 2007-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device using electron source elements and method of driving same |
| KR100404200B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2003-11-03 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 |
| JP2003043994A (ja) | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Canon Inc | アクティブマトリックス型ディスプレイ |
| US6627333B2 (en) | 2001-08-15 | 2003-09-30 | Eastman Kodak Company | White organic light-emitting devices with improved efficiency |
| JP2003068472A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 有機発光素子およびそれを用いた有機発光表示装置 |
| GB2379317A (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Optoelectronic display operating by photoluminescence quenching |
| JP3804858B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-08-02 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| WO2003033749A1 (en) * | 2001-10-19 | 2003-04-24 | Clare Micronix Integrated Syst | Matrix element precharge voltage adjusting apparatus and method |
| GB2381644A (en) | 2001-10-31 | 2003-05-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Display drivers |
| GB2381643A (en) | 2001-10-31 | 2003-05-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Display drivers |
| US7202847B2 (en) | 2002-06-28 | 2007-04-10 | E Ink Corporation | Voltage modulated driver circuits for electro-optic displays |
| US7483001B2 (en) * | 2001-11-21 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
| KR100656490B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2006-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
| US8153184B2 (en) * | 2001-11-26 | 2012-04-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic EL display device and method of manufacturing the same |
| GB0128419D0 (en) | 2001-11-28 | 2002-01-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display device |
| GB0130176D0 (en) | 2001-12-18 | 2002-02-06 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display device |
| GB0130411D0 (en) * | 2001-12-20 | 2002-02-06 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display device |
| KR100472502B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-03-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| KR100834346B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 |
| KR100426031B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-04-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| JP4094863B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2008-06-04 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| EP1343206B1 (en) | 2002-03-07 | 2016-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus |
| GB0205859D0 (en) | 2002-03-13 | 2002-04-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display device |
| US7190335B2 (en) * | 2002-03-26 | 2007-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| GB0208656D0 (en) | 2002-04-16 | 2002-05-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display |
| US7579771B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7786496B2 (en) | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| GB2388236A (en) | 2002-05-01 | 2003-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Display and driver circuits |
| US7592980B2 (en) | 2002-06-05 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7897979B2 (en) | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7230271B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
| GB2389951A (en) | 2002-06-18 | 2003-12-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Display driver circuits for active matrix OLED displays |
| GB2389952A (en) | 2002-06-18 | 2003-12-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Driver circuits for electroluminescent displays with reduced power consumption |
| JP4216008B2 (ja) | 2002-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末 |
| JP2004087439A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-03-18 | Toyota Industries Corp | 照明装置及び液晶表示装置 |
| US9153168B2 (en) * | 2002-07-09 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for deciding duty factor in driving light-emitting device and driving method using the duty factor |
| TWI234409B (en) * | 2002-08-02 | 2005-06-11 | Rohm Co Ltd | Active matrix type organic EL panel drive circuit and organic EL display device |
| GB0218172D0 (en) | 2002-08-06 | 2002-09-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display device |
| KR20050057027A (ko) | 2002-09-04 | 2005-06-16 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전계 발광 디스플레이 디바이스 |
| GB0220614D0 (en) | 2002-09-05 | 2002-10-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
| US7002302B2 (en) * | 2002-10-07 | 2006-02-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display |
| GB0223304D0 (en) | 2002-10-08 | 2002-11-13 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
| US20130063333A1 (en) | 2002-10-16 | 2013-03-14 | E Ink Corporation | Electrophoretic displays |
| GB0224277D0 (en) | 2002-10-18 | 2002-11-27 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
| GB0226401D0 (en) * | 2002-11-12 | 2002-12-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent devices and their manufacture |
| JP4373086B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| KR20050101182A (ko) | 2003-01-24 | 2005-10-20 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 액티브 매트릭스 디스플레이 디바이스 |
| GB0301623D0 (en) | 2003-01-24 | 2003-02-26 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
| TW582182B (en) * | 2003-02-19 | 2004-04-01 | Au Optronics Corp | AM-OLED display |
| TWI233760B (en) * | 2003-02-20 | 2005-06-01 | Sanyo Electric Co | Color light emitting display device |
| CA2419704A1 (en) | 2003-02-24 | 2004-08-24 | Ignis Innovation Inc. | Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode |
| US7502001B2 (en) | 2003-03-12 | 2009-03-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emissive active matrix display devices with optical feedback effective on the timing, to counteract ageing |
| GB0307320D0 (en) | 2003-03-29 | 2003-05-07 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix display device |
| CN1312650C (zh) * | 2003-04-03 | 2007-04-25 | 胜华科技股份有限公司 | 主动式有机发光二极管显示器影像均匀的方法及装置 |
| GB0307789D0 (en) | 2003-04-04 | 2003-05-07 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
| US20040201557A1 (en) * | 2003-04-08 | 2004-10-14 | Shin-Tai Lo | Method and apparatus for achieving active matrix OLED display devices with uniform luminance |
| KR20040089256A (ko) * | 2003-04-11 | 2004-10-21 | 윈텍 코포레이숀 | 균일한 휘도의 액티브 매트릭스 ｏｌｅｄ 디스플레이장치를 달성하기 위한 방법 및 장치 |
| US7551164B2 (en) | 2003-05-02 | 2009-06-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix oled display device with threshold voltage drift compensation |
| US20070080905A1 (en) * | 2003-05-07 | 2007-04-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | El display and its driving method |
| WO2004102669A1 (en) * | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent device |
| JP5121114B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2013-01-16 | 三洋電機株式会社 | 画素回路および表示装置 |
| GB0313041D0 (en) | 2003-06-06 | 2003-07-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Display device having current-driven pixels |
| US7153539B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-12-26 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method of color tuning a light-emitting display |
| US20040265622A1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-12-30 | Eastman Kodak Company | Light emitting display |
| SG142140A1 (en) | 2003-06-27 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of manufacturing thereof |
| GB0315455D0 (en) | 2003-07-02 | 2003-08-06 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
| US20050007026A1 (en) * | 2003-07-07 | 2005-01-13 | Shin-Tai Lo | Method and apparatus for generating uniform images of active matrix OLED display devices |
| GB0315929D0 (en) | 2003-07-08 | 2003-08-13 | Koninkl Philips Electronics Nv | Display device |
| GB0318613D0 (en) | 2003-08-08 | 2003-09-10 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
| GB0320503D0 (en) | 2003-09-02 | 2003-10-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active maxtrix display devices |
| JP2005123571A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | トランジスタ基板、表示装置及びそれらの製造方法 |
| CA2443206A1 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
| US7310077B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-12-18 | Michael Gillis Kane | Pixel circuit for an active matrix organic light-emitting diode display |
| JP4443179B2 (ja) | 2003-09-29 | 2010-03-31 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| US7633470B2 (en) | 2003-09-29 | 2009-12-15 | Michael Gillis Kane | Driver circuit, as for an OLED display |
| JP4488709B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-06-23 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| US6850000B1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-02-01 | Au Optronics Corporation | Thin film transistor organic light emitting diode structure |
| US20050067865A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Zu-Sheng Yu | Chair combined with audiovisual devices |
| US20050116615A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-06-02 | Shoichiro Matsumoto | Light emissive display device |
| KR100741962B1 (ko) * | 2003-11-26 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| GB0400216D0 (en) | 2004-01-07 | 2004-02-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
| GB0401035D0 (en) | 2004-01-17 | 2004-02-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix display devices |
| GB2410600A (en) | 2004-01-30 | 2005-08-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light emitting diode display device |
| JP4625642B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2011-02-02 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | ディスプレイ装置 |
| US7619258B2 (en) * | 2004-03-16 | 2009-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| GB0406107D0 (en) | 2004-03-17 | 2004-04-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display devices |
| GB0408486D0 (en) | 2004-04-16 | 2004-05-19 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display device |
| US7199397B2 (en) * | 2004-05-05 | 2007-04-03 | Au Optronics Corporation | AMOLED circuit layout |
| US7202504B2 (en) | 2004-05-20 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| KR100635066B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2006-10-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP4216270B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2009-01-28 | 三星エスディアイ株式会社 | 電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置 |
| KR100563067B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 구조체 및 이를 구비하는 평판디스플레이 장치 |
| US7554260B2 (en) | 2004-07-09 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device provided with a conductive film connection between a wiring component and a metal electrode film |
| US7046225B2 (en) * | 2004-08-06 | 2006-05-16 | Chen-Jean Chou | Light emitting device display circuit and drive method thereof |
| US7053875B2 (en) * | 2004-08-21 | 2006-05-30 | Chen-Jean Chou | Light emitting device display circuit and drive method thereof |
| US7589706B2 (en) * | 2004-09-03 | 2009-09-15 | Chen-Jean Chou | Active matrix light emitting device display and drive method thereof |
| WO2006030937A1 (en) | 2004-09-15 | 2006-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7589707B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-09-15 | Chen-Jean Chou | Active matrix light emitting device display pixel circuit and drive method |
| JP4265515B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2009-05-20 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
| JP4254675B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2009-04-15 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
| WO2006038174A2 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Chen-Jean Chou | Light emitting device display and drive method thereof |
| KR100626036B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자의 제조방법 |
| US8576217B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-11-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| JP5128287B2 (ja) | 2004-12-15 | 2013-01-23 | イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド | 表示アレイのためのリアルタイム校正を行う方法及びシステム |
| US8063551B1 (en) * | 2004-12-29 | 2011-11-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Pixel intensity homogeneity in organic electronic devices |
| KR100700650B1 (ko) * | 2005-01-05 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| CA2495726A1 (en) | 2005-01-28 | 2006-07-28 | Ignis Innovation Inc. | Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays |
| CN102663977B (zh) | 2005-06-08 | 2015-11-18 | 伊格尼斯创新有限公司 | 用于驱动发光器件显示器的方法和系统 |
| GB2430069A (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Active matrix display drive control systems |
| US7675078B2 (en) * | 2005-09-14 | 2010-03-09 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure |
| TWI277920B (en) * | 2005-09-15 | 2007-04-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Method for applying detecting pixel circuits of active-matrix organic light emitting diode status of system hardware |
| US20070126667A1 (en) * | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | El display apparatus and method for driving el display apparatus |
| JP4539547B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2010-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
| US20070176538A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Eastman Kodak Company | Continuous conductor for OLED electrical drive circuitry |
| KR100965022B1 (ko) * | 2006-02-20 | 2010-06-21 | 도시바 모바일 디스플레이 가부시키가이샤 | Ｅｌ 표시 장치 및 ｅｌ 표시 장치의 구동 방법 |
| JP5397219B2 (ja) * | 2006-04-19 | 2014-01-22 | イグニス・イノベーション・インコーポレイテッド | アクティブマトリックス表示装置用の安定な駆動スキーム |
| US7554261B2 (en) * | 2006-05-05 | 2009-06-30 | Eastman Kodak Company | Electrical connection in OLED devices |
| JP5275551B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2013-08-28 | 富士フイルム株式会社 | 電流制御型駆動回路および表示装置 |
| CA2556961A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-02-15 | Ignis Innovation Inc. | Oled compensation technique based on oled capacitance |
| GB2441354B (en) | 2006-08-31 | 2009-07-29 | Cambridge Display Tech Ltd | Display drive systems |
| TWI317556B (en) * | 2006-11-10 | 2009-11-21 | Innolux Display Corp | Top emission type oled and method for fabricating same |
| KR100841365B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터와 그 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 |
| GB2448175B (en) | 2007-04-04 | 2009-07-22 | Cambridge Display Tech Ltd | Thin film transistor |
| JP5208591B2 (ja) | 2007-06-28 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、及び照明装置 |
| KR101526475B1 (ko) | 2007-06-29 | 2015-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
| GB0721567D0 (en) | 2007-11-02 | 2007-12-12 | Cambridge Display Tech Ltd | Pixel driver circuits |
| JP5073544B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-11-14 | 富士フイルム株式会社 | 表示装置 |
| JP5063433B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-10-31 | 富士フイルム株式会社 | 表示装置 |
| GB2460018B (en) | 2008-05-07 | 2013-01-30 | Cambridge Display Tech Ltd | Active matrix displays |
| DE502008000539D1 (de) | 2008-06-24 | 2010-05-20 | Smr Patents Sarl | Optisches System und Verfahren zur Erkennung von optischer Verschleierung in einem Fahrzeug |
| JP5183336B2 (ja) * | 2008-07-15 | 2013-04-17 | 富士フイルム株式会社 | 表示装置 |
| GB2462296A (en) | 2008-08-01 | 2010-02-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Pixel driver circuits |
| GB2462646B (en) | 2008-08-15 | 2011-05-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Active matrix displays |
| JP5107824B2 (ja) * | 2008-08-18 | 2012-12-26 | 富士フイルム株式会社 | 表示装置およびその駆動制御方法 |
| JP2010066331A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 表示装置 |
| EP2392000A1 (en) * | 2009-01-30 | 2011-12-07 | FUJIFILM Corporation | Driving of oled display device with interleaving of control phases |
| US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
| US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
| CA2688870A1 (en) | 2009-11-30 | 2011-05-30 | Ignis Innovation Inc. | Methode and techniques for improving display uniformity |
| CA2669367A1 (en) | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Ignis Innovation Inc | Compensation technique for color shift in displays |
| US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US8576209B2 (en) | 2009-07-07 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8497828B2 (en) * | 2009-11-12 | 2013-07-30 | Ignis Innovation Inc. | Sharing switch TFTS in pixel circuits |
| US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US20140313111A1 (en) | 2010-02-04 | 2014-10-23 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| CA2692097A1 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Extracting correlation curves for light emitting device |
| WO2012039000A1 (ja) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ装置、薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
| JP5576862B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ装置、薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
| US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
| US9606607B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-28 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
| US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
| US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
| EP2715710B1 (en) | 2011-05-27 | 2017-10-18 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for aging compensation in amoled displays |
| KR102297329B1 (ko) | 2011-07-22 | 2021-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| US8901579B2 (en) | 2011-08-03 | 2014-12-02 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
| KR101960971B1 (ko) | 2011-08-05 | 2019-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
| US9385169B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
| US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
| US8937632B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-01-20 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
| KR101882297B1 (ko) | 2012-02-03 | 2018-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 |
| US10043794B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
| US9721505B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| EP3043338A1 (en) | 2013-03-14 | 2016-07-13 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays |
| US9952698B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-24 | Ignis Innovation Inc. | Dynamic adjustment of touch resolutions on an AMOLED display |
| CN105474296B (zh) | 2013-08-12 | 2017-08-18 | 伊格尼斯创新公司 | 一种使用图像数据来驱动显示器的方法及装置 |
| US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
| US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
| US9806098B2 (en) * | 2013-12-10 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
| KR102309629B1 (ko) | 2013-12-27 | 2021-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| US10997901B2 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Display system |
| US10176752B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Integrated gate driver |
| US10192479B2 (en) | 2014-04-08 | 2019-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device |
| KR20150137214A (ko) * | 2014-05-28 | 2015-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| CA2872563A1 (en) | 2014-11-28 | 2016-05-28 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
| CA2879462A1 (en) | 2015-01-23 | 2016-07-23 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variation in emissive devices |
| CA2889870A1 (en) | 2015-05-04 | 2016-11-04 | Ignis Innovation Inc. | Optical feedback system |
| CA2892714A1 (en) | 2015-05-27 | 2016-11-27 | Ignis Innovation Inc | Memory bandwidth reduction in compensation system |
| US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
| US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
| CA2898282A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Ignis Innovation Inc. | Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays |
| CA2900170A1 (en) | 2015-08-07 | 2017-02-07 | Gholamreza Chaji | Calibration of pixel based on improved reference values |
| CA2909813A1 (en) | 2015-10-26 | 2017-04-26 | Ignis Innovation Inc | High ppi pattern orientation |
| US10586491B2 (en) | 2016-12-06 | 2020-03-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for mitigation of hysteresis |
| US10714018B2 (en) | 2017-05-17 | 2020-07-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for loading image correction data for displays |
| US11025899B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-06-01 | Ignis Innovation Inc. | Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices |
| US10971078B2 (en) | 2018-02-12 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel measurement through data line |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05203994A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-08-13 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPH0661490A (ja) * | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ２層構造絶縁膜及びそれを用いた電子装置及びｔｆｔ液晶表示装置 |
| JPH06202153A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法 |
| JPH06325869A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-25 | Mitsubishi Kasei Corp | 有機電界発光パネル |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3807037A (en) * | 1972-11-30 | 1974-04-30 | Us Army | Pocketable direct current electroluminescent display device addressed by mos and mnos circuitry |
| US3913090A (en) * | 1972-11-30 | 1975-10-14 | Us Army | Direct current electroluminescent panel using amorphous semiconductors for digitally addressing alpha-numeric displays |
| US4042854A (en) * | 1975-11-21 | 1977-08-16 | Westinghouse Electric Corporation | Flat panel display device with integral thin film transistor control system |
| US4006383A (en) * | 1975-11-28 | 1977-02-01 | Westinghouse Electric Corporation | Electroluminescent display panel with enlarged active display areas |
| US4885432A (en) * | 1987-04-06 | 1989-12-05 | Raychem Corporation | Splice case |
| US4996523A (en) * | 1988-10-20 | 1991-02-26 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent storage display with improved intensity driver circuits |
| US5073446A (en) * | 1990-07-26 | 1991-12-17 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilizing fused metal particle cathode |
| US5151629A (en) * | 1991-08-01 | 1992-09-29 | Eastman Kodak Company | Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I) |
| US5276380A (en) * | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent image display device |
| US5294870A (en) * | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
| JPH05307997A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1994
- 1994-12-14 US US08/355,742 patent/US5684365A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-12-05 EP EP95119100A patent/EP0717446A3/en not_active Withdrawn
- 1995-12-12 JP JP32319595A patent/JP3694078B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05203994A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-08-13 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPH0661490A (ja) * | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ２層構造絶縁膜及びそれを用いた電子装置及びｔｆｔ液晶表示装置 |
| JPH06202153A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法 |
| JPH06325869A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-25 | Mitsubishi Kasei Corp | 有機電界発光パネル |
Cited By (286)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009187019A (ja) * | 1997-02-17 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| US6106352A (en) * | 1998-03-18 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for fabrication of organic electroluminescent device |
| KR100768392B1 (ko) * | 1998-11-30 | 2007-10-18 | 산요덴키가부시키가이샤 | 액티브형 el 표시 장치 |
| US6911960B1 (en) | 1998-11-30 | 2005-06-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Active-type electroluminescent display |
| US6246179B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-06-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Emissive element and display device using such element |
| KR100710773B1 (ko) * | 1999-02-09 | 2007-04-24 | 산요덴키가부시키가이샤 | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 |
| JP2018200467A (ja) * | 1999-02-23 | 2018-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2012191216A (ja) * | 1999-02-23 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| US9431431B2 (en) | 1999-02-23 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US9910334B2 (en) | 1999-02-23 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US6366025B1 (en) | 1999-02-26 | 2002-04-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
| JP2017173835A (ja) * | 1999-04-27 | 2017-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US6689492B1 (en) | 1999-06-04 | 2004-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US9178177B2 (en) | 1999-06-04 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US8890172B2 (en) | 1999-06-04 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
| EP2296443A2 (en) | 1999-06-04 | 2011-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Electro-optical device with an insulating layer |
| US8987988B2 (en) | 1999-06-04 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9293726B2 (en) | 1999-06-04 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
| US6774574B1 (en) | 1999-06-23 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US7358531B2 (en) | 1999-06-23 | 2008-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US6777887B2 (en) | 1999-06-23 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US7982222B2 (en) | 1999-06-23 | 2011-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US6872672B2 (en) | 1999-06-28 | 2005-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US7342251B2 (en) | 1999-06-28 | 2008-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6958251B2 (en) | 1999-06-28 | 2005-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device using a printing method |
| US6420200B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6440877B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| EP2262031A2 (en) | 1999-06-28 | 2010-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting display device |
| US6633134B1 (en) | 1999-09-27 | 2003-10-14 | Nec Corporation | Active-matrix-driven organic EL display device |
| US7091936B1 (en) | 1999-10-04 | 2006-08-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Color display device |
| US8884301B2 (en) | 1999-10-12 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and a method of manufacturing the same |
| EP1093167A2 (en) | 1999-10-12 | 2001-04-18 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and manufacturing method thereof |
| US10522076B2 (en) | 2000-01-17 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
| US10467961B2 (en) | 2000-01-17 | 2019-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
| JP2017010036A (ja) * | 2000-01-17 | 2017-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
| JP2014132577A (ja) * | 2000-01-17 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置及び電気器具 |
| JP2015111276A (ja) * | 2000-01-17 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電気器具 |
| JP2016040623A (ja) * | 2000-01-17 | 2016-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US9368089B2 (en) | 2000-01-17 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
| JP2018006347A (ja) * | 2000-02-22 | 2018-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 自発光装置 |
| JP2013251276A (ja) * | 2000-02-22 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置 |
| US9293513B2 (en) | 2000-02-22 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light-emitting device comprising protective portions on a pixel electrode |
| US9793328B2 (en) | 2000-02-22 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light-emitting device |
| KR100802344B1 (ko) * | 2000-03-27 | 2008-02-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전기광학 장치 |
| US8237186B2 (en) | 2000-03-27 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US7592652B2 (en) | 2000-03-27 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US8541804B2 (en) | 2000-03-27 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| JP2001356734A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置およびその駆動方法 |
| US8111251B2 (en) | 2000-05-12 | 2012-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device and method of testing the same |
| JP2013228756A (ja) * | 2000-05-12 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2015148805A (ja) * | 2000-05-12 | 2015-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2002032035A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置およびその検査方法 |
| KR100808561B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2008-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스형 발광장치 및 그 발광장치를 사용한 전기 기기 |
| US10777615B2 (en) | 2000-06-05 | 2020-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2018121067A (ja) * | 2000-06-05 | 2018-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型発光装置 |
| US10192934B2 (en) | 2000-06-05 | 2019-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having light emission by a singlet exciton and a triplet exciton |
| JP2017063216A (ja) * | 2000-06-05 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2018110243A (ja) * | 2000-06-05 | 2018-07-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型発光装置 |
| US10446615B2 (en) | 2000-06-05 | 2019-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7116293B2 (en) | 2000-06-07 | 2006-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Emitter, emitting device, display panel, and display device |
| US6653796B2 (en) | 2000-07-24 | 2003-11-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-emitting device and exposure device and flat display device using the same |
| JP2018142741A (ja) * | 2000-08-28 | 2018-09-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 携帯電話、パーソナルコンピュータ、及び表示装置 |
| US6828726B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display panel having light-emission element within an opening formed of insulating layers |
| US7015882B2 (en) | 2000-11-07 | 2006-03-21 | Sony Corporation | Active matrix display and active matrix organic electroluminescence display |
| US9245481B2 (en) | 2000-11-07 | 2016-01-26 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
| US8558769B2 (en) | 2000-11-07 | 2013-10-15 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
| US8810486B2 (en) | 2000-11-07 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
| US9741289B2 (en) | 2000-11-07 | 2017-08-22 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
| US10269296B2 (en) | 2000-11-07 | 2019-04-23 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
| US8120551B2 (en) | 2000-11-07 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
| US7173612B2 (en) | 2000-12-08 | 2007-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | EL display device providing means for delivery of blanking signals to pixel elements |
| US9431466B2 (en) | 2001-02-21 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
| US9886895B2 (en) | 2001-02-21 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
| US7719498B2 (en) | 2001-02-21 | 2010-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
| US8120557B2 (en) | 2001-02-21 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
| US6753654B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
| US8780018B2 (en) | 2001-02-21 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
| US9040996B2 (en) | 2001-02-21 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
| US7336035B2 (en) | 2001-02-21 | 2008-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
| US8071982B2 (en) | 2001-02-26 | 2011-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
| US6777710B1 (en) | 2001-02-26 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device with constant luminance |
| US7851796B2 (en) | 2001-02-26 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
| US8610117B2 (en) | 2001-02-26 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
| US8314427B2 (en) | 2001-02-26 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic equipment |
| US7952541B2 (en) | 2001-03-22 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a display device |
| US6693385B2 (en) | 2001-03-22 | 2004-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a display device |
| US7283109B2 (en) | 2001-03-22 | 2007-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a display device |
| US9214504B2 (en) | 2001-03-28 | 2015-12-15 | Japan Display Inc. | Display module |
| US9627464B2 (en) | 2001-03-28 | 2017-04-18 | Japan Display Inc. | Display module |
| US9653529B2 (en) | 2001-03-28 | 2017-05-16 | Japan Display Inc. | Display module |
| US9735220B2 (en) | 2001-03-28 | 2017-08-15 | Japan Display Inc. | Display module |
| US10062744B2 (en) | 2001-03-28 | 2018-08-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Display module |
| US8425016B2 (en) | 2001-07-06 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| US8752940B2 (en) | 2001-07-06 | 2014-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| US7547563B2 (en) | 2001-07-06 | 2009-06-16 | Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| US7378291B2 (en) | 2001-07-06 | 2008-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| US8197052B2 (en) | 2001-07-06 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| US8749455B2 (en) | 2001-08-10 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
| US7176859B2 (en) | 2001-08-10 | 2007-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
| US6876350B2 (en) | 2001-08-10 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
| US8232937B2 (en) | 2001-08-10 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
| US7804467B2 (en) | 2001-08-10 | 2010-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
| US7411586B2 (en) | 2001-08-29 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
| US8704736B2 (en) | 2001-08-29 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
| US7046240B2 (en) | 2001-08-29 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
| US8982021B2 (en) | 2001-08-29 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
| US8482491B2 (en) | 2001-08-29 | 2013-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
| EP3232429A1 (en) | 2001-09-07 | 2017-10-18 | Joled Inc. | El display panel, method of driving the same, and el display device |
| EP3611716A2 (en) | 2001-09-07 | 2020-02-19 | Joled Inc. | El display panel, method of driving the same, and el display device |
| EP3716257A1 (en) | 2001-09-07 | 2020-09-30 | Joled Inc. | El display panel, method of driving the same, and el display device |
| EP3407340A1 (en) | 2001-09-07 | 2018-11-28 | Joled Inc. | El display panel, method of driving the same, and el display device |
| US7682949B2 (en) | 2001-09-10 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method |
| US7112517B2 (en) | 2001-09-10 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method |
| US7250928B2 (en) | 2001-09-17 | 2007-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment |
| US8207024B2 (en) | 2001-09-18 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8395161B2 (en) | 2001-09-18 | 2013-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9093655B2 (en) | 2001-09-18 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9054199B2 (en) | 2001-11-09 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US11063102B2 (en) | 2001-11-09 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8324618B2 (en) | 2001-11-09 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10680049B2 (en) | 2001-11-09 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9905624B2 (en) | 2001-11-09 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9577016B2 (en) | 2001-11-09 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10461140B2 (en) | 2001-11-09 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10978613B2 (en) | 2002-01-18 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7262556B2 (en) | 2002-01-18 | 2007-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US6909240B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7817149B2 (en) | 2002-04-26 | 2010-10-19 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Semiconductor circuits for driving current-driven display and display |
| US8502241B2 (en) | 2002-04-30 | 2013-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US7759859B2 (en) | 2002-04-30 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US9006757B2 (en) | 2002-04-30 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US7445946B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US8101439B2 (en) | 2002-04-30 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US7226332B2 (en) | 2002-04-30 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US6943501B2 (en) | 2002-11-21 | 2005-09-13 | Chi Mei Optoelectronics Corp. | Electroluminescent display apparatus and driving method thereof |
| US7227304B2 (en) | 2003-02-04 | 2007-06-05 | Kyocera Corporation | Image display apparatus |
| US7358941B2 (en) | 2003-02-19 | 2008-04-15 | Kyocera Corporation | Image display apparatus using current-controlled light emitting element |
| US7199768B2 (en) | 2003-02-24 | 2007-04-03 | Kyocera Corporation | Display apparatus controlling brightness of current-controlled light emitting element |
| US11430845B2 (en) | 2003-03-26 | 2022-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
| US9698207B2 (en) | 2003-03-26 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
| US8026877B2 (en) | 2003-03-26 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
| US7561147B2 (en) | 2003-05-07 | 2009-07-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Current output type of semiconductor circuit, source driver for display drive, display device, and current output method |
| US7569858B2 (en) | 2003-05-16 | 2009-08-04 | Kyocera Corporation | Thin film transistor in which fluctuations in current flowing therethrough are suppressed, and image display apparatus |
| US7173278B2 (en) | 2003-05-16 | 2007-02-06 | Kyocera Corporation | Thin-film transistor in which fluctuations in current flowing therethrough are suppressed, and image display apparatus |
| EP2996108A2 (en) | 2003-05-23 | 2016-03-16 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| EP3754642A1 (en) | 2003-05-23 | 2020-12-23 | Sony Corporation | Display device |
| EP3444799A1 (en) | 2003-05-23 | 2019-02-20 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| US9570007B2 (en) | 2003-06-03 | 2017-02-14 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US8836678B2 (en) | 2003-06-03 | 2014-09-16 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US9147358B2 (en) | 2003-06-03 | 2015-09-29 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US10170041B2 (en) | 2003-06-03 | 2019-01-01 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US9076384B2 (en) | 2003-06-03 | 2015-07-07 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US9911383B2 (en) | 2003-06-03 | 2018-03-06 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US7184005B2 (en) | 2003-06-05 | 2007-02-27 | Kyocera Corporation | Image display apparatus |
| CN100435187C (zh) * | 2003-06-05 | 2008-11-19 | 京瓷株式会社 | 图像显示装置 |
| US7122969B2 (en) | 2003-06-18 | 2006-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
| US7742024B2 (en) | 2003-06-18 | 2010-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
| JP2005031648A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 素子基板及び発光装置 |
| US7355572B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-04-08 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| US7936125B2 (en) | 2003-11-27 | 2011-05-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display |
| JP2005159368A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置 |
| US7605789B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-10-20 | Sony Corporation | Transistor circuit, pixel circuit, display device, and driving method therefor |
| US7348944B2 (en) | 2004-03-18 | 2008-03-25 | Kyocera Corporation | Image display device |
| US7796102B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-09-14 | Fujifilm Corporation | Active matrix type display device |
| US9460669B2 (en) | 2004-05-28 | 2016-10-04 | Sony Corporation | Display device having shared column lines |
| US8643572B2 (en) | 2004-05-28 | 2014-02-04 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device having an electrooptic element controlled in luminance by a signal line |
| US8937581B2 (en) | 2004-05-28 | 2015-01-20 | Sony Corporation | Display device having shared column lines |
| US8519915B2 (en) | 2004-05-28 | 2013-08-27 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device having an electrooptic element |
| US10170042B2 (en) | 2004-05-28 | 2019-01-01 | Sony Corporation | Display device having shared column lines |
| US8378930B2 (en) | 2004-05-28 | 2013-02-19 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device having symmetric pixel circuits and shared voltage lines |
| US8988327B2 (en) | 2004-05-28 | 2015-03-24 | Sony Corporation | Display device having shared column lines |
| US9711086B2 (en) | 2004-05-28 | 2017-07-18 | Sony Corporation | Display device having shared column lines |
| US9202424B2 (en) | 2004-05-28 | 2015-12-01 | Sony Corporation | Display device having shared column lines |
| US9934726B2 (en) | 2004-05-28 | 2018-04-03 | Sony Corporation | Display device having shared column lines |
| US8022899B2 (en) | 2005-01-28 | 2011-09-20 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | EL display apparatus and drive method of EL display apparatus |
| US7420530B2 (en) | 2005-05-12 | 2008-09-02 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device method for controlling pixel circuit |
| US8497512B2 (en) | 2005-08-05 | 2013-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US8138502B2 (en) | 2005-08-05 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US8674366B2 (en) | 2005-08-12 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
| US7838347B2 (en) | 2005-08-12 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
| JP2007121889A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法 |
| US9276037B2 (en) | 2005-12-02 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US8717261B2 (en) | 2005-12-02 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US9997584B2 (en) | 2005-12-02 | 2018-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US8325111B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US8264430B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US8890180B2 (en) | 2005-12-02 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US7671826B2 (en) | 2005-12-02 | 2010-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US11417720B2 (en) | 2005-12-02 | 2022-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including n-channel transistor including polysilicon |
| JP2007225928A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Ｅｌ表示装置、およびｅｌ表示装置の駆動方法 |
| JP2007241009A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Ｅｌ表示パネルおよび平面表示装置 |
| US7817117B2 (en) | 2006-04-05 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US8164547B2 (en) | 2006-04-05 | 2012-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US7982696B2 (en) | 2006-04-05 | 2011-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US9379142B2 (en) | 2006-04-05 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US9569996B2 (en) | 2006-04-05 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US8599115B2 (en) | 2006-04-05 | 2013-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US8872739B2 (en) | 2006-04-05 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US9041630B2 (en) | 2006-04-05 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| US9013378B2 (en) | 2006-05-29 | 2015-04-21 | Sony Corporation | Image display |
| US10062361B2 (en) | 2006-05-29 | 2018-08-28 | Sony Corporation | Image display |
| US10885878B2 (en) | 2006-05-29 | 2021-01-05 | Sony Corporation | Image display |
| US9734799B2 (en) | 2006-05-29 | 2017-08-15 | Sony Corporation | Image display |
| US9570048B2 (en) | 2006-05-29 | 2017-02-14 | Sony Corporation | Image display |
| US10438565B2 (en) | 2006-05-29 | 2019-10-08 | Sony Corporation | Image display |
| US9001012B2 (en) | 2006-05-29 | 2015-04-07 | Sony Corporation | Image display |
| US7880693B2 (en) | 2006-07-20 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Display |
| US8994626B2 (en) | 2006-07-31 | 2015-03-31 | Sony Corporation | Display and method for manufacturing display |
| US8810489B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Display and method for manufacturing display |
| US8654045B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-02-18 | Sony Corporation | Display and method for manufacturing display |
| US7825880B2 (en) | 2006-08-23 | 2010-11-02 | Sony Corporation | Pixel circuit |
| US11887535B2 (en) | 2006-10-26 | 2024-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same |
| US8803768B2 (en) | 2006-10-26 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same |
| US10546529B2 (en) | 2006-10-26 | 2020-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same |
| US8760372B2 (en) | 2006-11-17 | 2014-06-24 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US9336719B2 (en) | 2006-11-17 | 2016-05-10 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US8836617B2 (en) | 2006-11-17 | 2014-09-16 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US10014355B2 (en) | 2006-11-17 | 2018-07-03 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US9997587B2 (en) | 2006-11-17 | 2018-06-12 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US7940234B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-05-10 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of manufacturing pixel circuit |
| US8976089B2 (en) | 2006-11-17 | 2015-03-10 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US9577021B2 (en) | 2006-11-17 | 2017-02-21 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US10121836B2 (en) | 2006-11-17 | 2018-11-06 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US8188941B2 (en) | 2006-11-17 | 2012-05-29 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US10559636B2 (en) | 2006-11-17 | 2020-02-11 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US9135857B2 (en) | 2006-11-17 | 2015-09-15 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device, and a method of manufacturing pixel circuit |
| US7969391B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-06-28 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of manufacturing pixel circuit |
| JP2007095706A (ja) * | 2006-11-20 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| JP2007094423A (ja) * | 2006-11-20 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| US8289236B2 (en) | 2006-12-20 | 2012-10-16 | Sony Corporation | Method for replacing a main signal line with a sub signal line when a pixel circuit is defective |
| US8860297B2 (en) | 2007-01-12 | 2014-10-14 | Sony Corporation | Display device |
| US9202857B2 (en) | 2007-01-12 | 2015-12-01 | Sony Corporation | Display device |
| US8058795B2 (en) | 2007-01-12 | 2011-11-15 | Sony Corporation | Display device with a second electrode including a first conductive layer in an emission area and a non-emission area a second conductive layer in the non-emission area |
| US10147355B2 (en) | 2007-02-14 | 2018-12-04 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US8013812B2 (en) | 2007-02-14 | 2011-09-06 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| KR20180094503A (ko) | 2007-02-14 | 2018-08-23 | 소니 주식회사 | 표시 장치 |
| US8730134B2 (en) | 2007-02-14 | 2014-05-20 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US9324738B2 (en) | 2007-02-14 | 2016-04-26 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US10586492B2 (en) | 2007-02-14 | 2020-03-10 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US8994623B2 (en) | 2007-02-14 | 2015-03-31 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| US8552937B2 (en) | 2007-02-14 | 2013-10-08 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| KR20150065644A (ko) | 2007-02-14 | 2015-06-15 | 소니 주식회사 | 화소 회로 및 표시 장치 |
| US9483980B2 (en) | 2007-02-14 | 2016-11-01 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device |
| KR20190092359A (ko) | 2007-02-14 | 2019-08-07 | 소니 주식회사 | 표시 장치 |
| USRE48891E1 (en) | 2007-02-19 | 2022-01-11 | Sony Group Corporation | Display apparatus and electronic apparatus |
| USRE46287E1 (en) | 2007-02-19 | 2017-01-24 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic apparatus |
| US8269800B2 (en) | 2007-02-19 | 2012-09-18 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| USRE47916E1 (en) | 2007-02-19 | 2020-03-24 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic apparatus |
| US8269699B2 (en) | 2007-02-19 | 2012-09-18 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic apparatus |
| US8072397B2 (en) | 2007-02-19 | 2011-12-06 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic apparatus |
| US7995013B2 (en) | 2007-03-09 | 2011-08-09 | Sony Corporation | Display apparatus having a threshold voltage and mobility correcting period and method for driving the same |
| US8659522B2 (en) | 2007-03-09 | 2014-02-25 | Sony Corporation | Display apparatus having a threshold voltage and mobility correcting period and method of driving the same |
| US9024929B2 (en) | 2007-03-13 | 2015-05-05 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| US7619595B2 (en) | 2007-03-13 | 2009-11-17 | Sony Corporation | Display device |
| US7969394B2 (en) | 2007-03-13 | 2011-06-28 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| US8599178B2 (en) | 2007-03-13 | 2013-12-03 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| US8830218B2 (en) | 2007-03-13 | 2014-09-09 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| TWI397040B (zh) * | 2007-03-19 | 2013-05-21 | Sony Corp | 像素電路及顯示裝置，以及顯示裝置之製造方法 |
| US9262967B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-02-16 | Joled Inc. | Display apparatus and driving method therefor |
| US9293086B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-03-22 | Joled Inc. | Display apparatus and driving method therefor |
| US8519919B2 (en) | 2007-07-30 | 2013-08-27 | Sony Corporation | Display device and method to prevent the change of threshold voltage of the writing transistor due to the variation with age |
| US8368622B2 (en) | 2007-09-12 | 2013-02-05 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method for display apparatus |
| US8094099B2 (en) | 2007-09-12 | 2012-01-10 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method for display apparatus |
| US8130179B2 (en) | 2007-09-14 | 2012-03-06 | Sony Corporation | Display device and driving method of display device |
| US8362985B2 (en) | 2008-06-13 | 2013-01-29 | Fujifilm Corporation | Organic EL display device and method of driving thereof |
| US8610155B2 (en) | 2008-11-18 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US11818925B2 (en) | 2008-11-18 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US11289558B2 (en) | 2008-11-18 | 2022-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US10269883B2 (en) | 2008-11-18 | 2019-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US10600853B2 (en) | 2008-11-18 | 2020-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US10896941B2 (en) | 2008-11-18 | 2021-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
| US9030105B2 (en) | 2011-04-01 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8922464B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device and driving method thereof |
| JP2013029816A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-02-07 | Canon Inc | 表示装置 |
| US9136287B2 (en) | 2011-08-05 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9082670B2 (en) | 2011-09-09 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8710749B2 (en) | 2011-09-09 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8901828B2 (en) | 2011-09-09 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8994439B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, image display device, storage device, and electronic device |
| KR20130135774A (ko) | 2012-06-01 | 2013-12-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법 |
| US9257071B2 (en) | 2012-06-01 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
| US9721942B2 (en) | 2012-06-01 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
| US9013457B2 (en) | 2012-06-01 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
| TWI514343B (zh) * | 2014-07-30 | 2015-12-21 | E Ink Holdings Inc | 背光顯示裝置 |
| US9261265B1 (en) | 2014-07-30 | 2016-02-16 | E Ink Holdings Inc. | Backlight display device |
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