JP4334045B2 - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4334045B2
JP4334045B2 JP03138899A JP3138899A JP4334045B2 JP 4334045 B2 JP4334045 B2 JP 4334045B2 JP 03138899 A JP03138899 A JP 03138899A JP 3138899 A JP3138899 A JP 3138899A JP 4334045 B2 JP4334045 B2 JP 4334045B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
storage capacitor
gate
display device
capacitor electrode
tft
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP03138899A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000231347A5 (ja
JP2000231347A (ja
Inventor
仁志 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP03138899A priority Critical patent/JP4334045B2/ja
Priority to TW089102045A priority patent/TW435053B/zh
Priority to US09/501,411 priority patent/US6476419B1/en
Priority to KR1020000005906A priority patent/KR100710773B1/ko
Publication of JP2000231347A publication Critical patent/JP2000231347A/ja
Publication of JP2000231347A5 publication Critical patent/JP2000231347A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4334045B2 publication Critical patent/JP4334045B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:以下、「EL」と称する。)素子を用いたEL表示装置が、CRTやLCDに代わる表示装置として注目されており、例えば、そのEL素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、「TFT」と称する。)を備えたEL表示装置の研究開発も進められている。
【0003】
図4に有機EL表示装置の1表示画素を示す平面図を示し、図5に有機EL表示装置の1表示画素の等価回路図を示し、図6(a)に図4中のA−A線に沿った断面図を示し、図6(b)に図4中のB−B線に沿った断面図を示す。
【0004】
図4及び図5に示すように、ゲート信号線151とドレイン信号線152とに囲まれた領域に表示画素が形成されている。両信号線の交点付近にはスイッチング素子である第1のTFT130が備えられており、そのTFT130のソース131sは後述の保持容量電極154との間で容量をなす容量電極155を兼ねるとともに、有機EL素子を駆動する第2のTFT140のゲート142に接続されている。第2のTFT140のソース141sは有機EL素子の陽極161に接続され、他方のドレイン141dは有機EL素子を駆動する駆動電源線153に接続されている。
【0005】
また、TFTの付近には、ゲート信号線151と並行に保持容量電極154が配置されている。この保持容量電極154はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜112を介して第1のTFT130のソース131sと接続された容量電極155との間で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量170は、第2のTFT140のゲート142に印加される電圧を保持するために設けられている。
【0006】
まず、スイッチング用のTFTである第1のTFT130について説明する。
【0007】
図6(a)に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板110上に、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)などの高融点金属からなるゲート電極132を兼ねたゲート信号線151及びAlから成るドレイン信号線152を備えており、有機EL素子の駆動電源でありAlから成る駆動電源線153を配置する。
【0008】
続いて、ゲート絶縁膜112、及び多結晶シリコン(Poly-Silicon、以下、「p−Si」と称する。)膜からなる能動層131を順に形成し、その能動層131には、いわゆるLDD(Lightly Doped Drain)構造が設けられている。即ち、ゲート132の両側に低濃度領域131LDとその外側に高濃度領域のソース131s及びドレイン131dが設けられている。
【0009】
そして、ゲート絶縁膜112、能動層131及びストッパ絶縁膜114上の全面には、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜の順に積層された層間絶縁膜115を設け、ドレイン131dに対応して設けたコンタクトホールにAl等の金属を充填してドレイン電極116を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜117を設ける。
【0010】
次に、有機EL素子の駆動用のTFTである第2のTFT140について説明する。
【0011】
図6(b)に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板110上に、Cr、Moなどの高融点金属からなるゲート電極142を設け、ゲート絶縁膜112、及びp−Si膜からなる能動層141を順に形成し、その能動層141には、ゲート電極142上方に真性又は実質的に真性であるチャネル141cと、このチャネル141cの両側に、p型不純物のイオンドーピングを施してソース141s及びドレイン141dを設けて、p型チャネルTFTを構成する。
【0012】
そして、ゲート絶縁膜112及び能動層141上の全面には、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜の順に積層された層間絶縁膜115を形成し、ドレイン141dに対応して設けたコンタクトホールにAl等の金属を充填して駆動電源150に接続された駆動電源線153を配置する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜117を形成して、その平坦化絶縁膜117のソース141sに対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース141sとコンタクトしたITO(Indium Thin Oxide)から成る透明電極、即ち有機EL素子の陽極161を平坦化絶縁膜117上に設ける。
【0013】
有機EL素子160は、ITO等の透明電極から成る陽極161、MTDATA(4,4-bis(3-methylphenylphenylam ino)biphenyl)から成る第1ホール輸送層162、及びTPD(4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine)からなる第2ホール輸送層163、キナクリドン(Quinacridone)誘導体を含むBebq2(10-ベンゾ〔h〕キノリノール−ベリリウム錯体)から成る発光層164及びBebq2から成る電子輸送層165からなる発光素子層166、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極167がこの順番で積層形成された構造である。この陰極167は、図4に示した有機EL表示装置を形成する基板110の全面、即ち紙面の全面に設けられている。
【0014】
また有機EL素子は、陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【0015】
このように、第1のTFT130のソース131sから印加された電荷が保持容量170に蓄積されるとともに第2のTFT140のゲート142に印加されてその電圧に応じて有機EL素子は発光する。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、有機EL表示装置の表示画素の開口率が小さいとその有機EL素子の発光層からの光が小さい面積でしか発光されないため表示は非常に暗くなってしまう。
【0017】
そこで開口率を大きくすることが考えられるが、開口率を大きくすると表示画素内の保持容量の面積を小さくしなければならない。
【0018】
しかしながら、保持容量の面積を小さくすると保持容量が減少してしまい、保持容量170のみでは、第1のTFT130からのドレイン信号を十分に保持することができなくなり、十分に第2のTFT140のゲート142をオンさせて有機EL素子を十分な期間発光させて明るい表示を得ることができないという欠点があった。
【0019】
そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑みて為されたものであり、開口率を小さくすることなく、十分に電荷を保持することにより明るいEL素子の表示を得ることができるEL表示装置を提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明のEL表示装置は、陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、ドレインがドレイン信号線に接続され、ゲートがゲート信号線にそれぞれ接続された第1の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に接続され、ゲートが前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の薄膜トランジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、直流電圧が印加された共通電極に接続された第1の保持容量電極と前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の保持容量電極との間で容量を成す第1の保持容量と、前記駆動電源に接続された第3の保持容量電極と前記第2の保持容量電極との間で容量を成す第2の保持容量とを備えたものである。
【0021】
更に、上述のEL表示装置はの前記第3の保持容量電極は前記駆動電源に接続された駆動電源線の一部から成るEL表示装置である。
【0022】
【発明の実施の形態】
本発明のEL表示装置について以下に説明する。
【0023】
図1に本発明を有機EL表示装置に適用した場合の1表示画素を示す平面図を示し、図2(a)に図1中のA−A線に沿った断面図を示し、図2(b)に図1中のB−B線に沿った断面図を示す。更に、図3に有機EL表示装置の等価回路図を示す。
【0024】
なお、本実施の形態においては、第1及び第2のTFT30,40ともに、ゲート電極を能動層13の下方に設けたいわゆるボトムゲート型のTFTを採用した場合であり、能動層としてp−Si膜を用いた場合を示す。またゲート電極32,42がダブルゲート構造であるTFTの場合を示す。
【0025】
図1及び図2に示すように、ゲート信号線51とドレイン信号線52とに囲まれた領域に表示画素が形成されている。両信号線の交点付近には第1のTFT30が備えられており、そのTFT30のソース31sは保持容量電極54との間で容量をなす容量電極55を兼ねるとともに、第2のTFT40のゲート42に接続されている。第2のTFTのソース41sは有機EL素子60の陽極61に接続され、他方のドレイン41dは有機EL素子を駆動する駆動電源線53に接続されている。
【0026】
また、TFTの付近には、ゲート信号線51と並行に第1の保持容量電極54が配置されている。この第1の容量電極54はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜12を介して第1のTFT30のソース31sと接続され多結晶シリコン膜から成る第2の保持容量電極55との間で電荷を蓄積して容量を成している。この第1及び第2の保持容量電極からなる容量が第1の保持容量70である。
【0027】
また、第1のTFT30のソース31sと接続され多結晶シリコン膜から成る第2の保持容量電極55と第3の保持容量電極90との間で電荷を蓄積して容量を成している。これが第2の保持容量80である。
【0028】
こうして形成されるこれらの第1及び第2の保持容量70,80は、それらの容量の合計が第2のTFT40のゲート電極42に印加される電圧を保持するように機能する。
【0029】
図3に示すように、第1の保持容量70及び第2の保持容量80の一方の電極71,81、即ち図1及び図2中の第2の保持容量電極55は第1のTFT30のソース33に接続されている。また、第1の保持容量70の他方の電極72、即ち第1の保持容量電極54は隣接する各表示画素に設けられた第1の保持容量電極54と接続されてコモン電極73に接続されている。このコモン電極73には一定の電位が印加されている。また、第2の保持容量80の他方の電極82、即ち第3の保持容量電極90は有機EL素子60の駆動電源50に接続された駆動電源線53に接続されている。
【0030】
このように有機EL素子60及びTFT30,40を備えた表示画素が基板10上にマトリクス状に配置されることにより有機EL表示装置が形成される。
【0031】
図2に示すように、有機EL表示装置は、ガラスや合成樹脂などから成る基板10、又は導電性を有する基板あるいは半導体等の基板上にSiO2やSiNなどの絶縁膜を形成した基板10上に、TFT及び有機EL素子を順に積層形成して成る。
【0032】
スイッチング用のTFTである第1のTFT30は、図1及び図2(a)に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板10上に、Cr、Moなどの高融点金属からなるゲート電極32を兼ねたゲート信号線51及びAlから成るドレイン信号線52を備えており、有機EL素子の駆動電源でありAlから成る駆動電源線53を配置する。また、ゲート電極と同層にCr、Moなどの高融点金属から成る第1の保持容量電極54が設けられている。
【0033】
続いて、ゲート絶縁膜12、及びp−Si膜からなる能動層31を順に積層する。ゲート電極32の上方であって能動層31上には、ソース31s及びドレイン31dを形成する際のイオン注入時にチャネル31cにイオンが入らないようにチャネル31cを覆うマスクとして機能するSiO2膜から成るストッパ絶縁膜14が設けられる。その能動層31にはいわゆるLDD構造が設ける。即ち、ゲート32の両側に低濃度領域31LDとその外側に高濃度領域の31s及びドレイン31dが設けられている。また、能動層のp−Si膜は第1の保持容量電極54上にまで延在されており、第2の保持容量電極55としてゲート絶縁膜12を介して第1の保持容量電極54との間で第1の保持容量70を成す。
【0034】
そして、ゲート絶縁膜12、能動層31及びストッパ絶縁膜14上の全面には、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜の順に積層された層間絶縁膜15を設け、ドレイン41dに対応して設けたコンタクトホールにAl等の金属を充填してドレイン電極16を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜17を設ける。
【0035】
次に、有機EL素子60の駆動用のTFTである第2のTFT40について説明する。
【0036】
図2(b)に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板10上に、Cr、Moなどの高融点金属からなるゲート電極42を形成する。
【0037】
ゲート絶縁膜12、及びp−Si膜からなる能動層41を順に形成する。
【0038】
その能動層41には、ゲート電極42上方に真性又は実質的に真性であるチャネル41cと、このチャネル41cの両側に、その両側をレジストにてカバーしてp型不純物である例えばボロン(B)をイオンドーピングしてソース41s及びドレイン41dが設けられている。
【0039】
そして、ゲート絶縁膜12及び能動層41上の全面に、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜の順に積層された層間絶縁膜15を形成し、ドレイン41dに対応して設けたコンタクトホールにAl等の金属を充填して駆動電源50に接続された駆動電源線53を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜17を形成する。そして、その平坦化絶縁膜17及び層間絶縁膜15のソース41sに対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース41sとコンタクトしたITOから成る透明電極、即ち有機EL素子の陽極61を平坦化絶縁膜17上に形成する
【0040】
有機EL素子60の構造は従来の技術で説明した構造と同じであるので説明を省略する。
【0041】
このように、ゲート絶縁膜12を介して第1の保持容量電極54及び第2の保持容量電極55からなる第1の保持容量70と、層間絶縁膜15を介して第2の保持容量電極55及び第3の保持容量電極90からなる保持容量80とを設けることにより、開口率を低下させることなく保持容量を大きくすることができ明るい表示を得ることができる。この結果、保持容量電極の面積を増大させる必要がなく第2のTFT40のゲート42に印加される電圧を十分な期間保持することができるので、電流が流れている期間のみ発光する有機EL素子60に十分な期間発光する電流を供給することができることになり、明るい表示を得ることができる。
【0042】
なお、本願においては、ドレインはTFTに電流が流れ込む電極を意味し、ソースはTFTから電流が流れ出す電極を意味するものとする。
【0043】
また、上述の実施の形態においては、ゲート電極32,42がダブルゲート構造の場合について説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、シングルゲートあるいは3つ以上のマルチゲート構造を有していても本願と同様の効果を奏することが可能である。
【0044】
また、上述の実施の形態においては、第2のTFTがp型チャネルTFTの場合を示したが、第2のTFTはn型チャネルTFTでも良い。
【0045】
また、上述の実施の形態においては、能動層としてp−Si膜を用いたが、微結晶シリコン膜又は非晶質シリコン膜を用いても良い。
【0046】
更に、上述の実施の形態においては、有機EL表示装置について説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機EL表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得られる。
【0047】
【発明の効果】
本発明のEL表示装置は、開口率を低下させることなく保持容量を大きくすることができるので、有機EL素子に十分な期間発光する電流を供給することができることになり明るい表示を得ることができるEL表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のEL表示装置の実施の形態を示す平面図である。
【図2】 本発明のEL表示装置の実施の形態を示す断面図である。
【図3】 本発明のEL表示装置の等価回路図である。
【図4】 従来のEL表示装置の平面図である。
【図5】 従来のEL表示装置の等価回路図である。
【図6】 従来のEL表示装置の断面図である。
【符号の説明】
30 第1のTFT
31s、41s ソース
31d、41d ドレイン
31c、41c チャネル
31LD LDD領域
32、42 ゲート
40 第2のTFT
50 駆動電源
54 第1の保持容量電極
55 第2の保持容量電極
60 有機EL素子
70 第1の保持容量
80 第2の保持容量
90 第3の保持容量電極

Claims (2)

  1. 陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、能動層のドレインがドレイン信号線に接続され、ゲートがゲート信号線にそれぞれ接続された第1の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に接続され、ゲートが前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の薄膜トランジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、直流電圧が印加された共通電極に接続された第1の保持容量電極と前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の保持容量電極との間で容量を成す第1の保持容量と、前記駆動電源に接続された第3の保持容量電極と前記第2の保持容量電極との間で容量を成す第2の保持容量とを備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
  2. 前記第3の保持容量電極は前記駆動電源に接続された駆動電源線の一部から成ることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
JP03138899A 1999-02-09 1999-02-09 エレクトロルミネッセンス表示装置 Expired - Lifetime JP4334045B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03138899A JP4334045B2 (ja) 1999-02-09 1999-02-09 エレクトロルミネッセンス表示装置
TW089102045A TW435053B (en) 1999-02-09 2000-02-08 Electroluminescence display device
US09/501,411 US6476419B1 (en) 1999-02-09 2000-02-09 Electroluminescence display device
KR1020000005906A KR100710773B1 (ko) 1999-02-09 2000-02-09 일렉트로 루미네센스 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03138899A JP4334045B2 (ja) 1999-02-09 1999-02-09 エレクトロルミネッセンス表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000231347A JP2000231347A (ja) 2000-08-22
JP2000231347A5 JP2000231347A5 (ja) 2006-03-23
JP4334045B2 true JP4334045B2 (ja) 2009-09-16

Family

ID=12329888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03138899A Expired - Lifetime JP4334045B2 (ja) 1999-02-09 1999-02-09 エレクトロルミネッセンス表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6476419B1 (ja)
JP (1) JP4334045B2 (ja)
KR (1) KR100710773B1 (ja)
TW (1) TW435053B (ja)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4372943B2 (ja) 1999-02-23 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP4472073B2 (ja) 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP2001282137A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
US8610645B2 (en) 2000-05-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TW554638B (en) 2000-05-12 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6956324B2 (en) 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2002093586A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP4556957B2 (ja) * 2000-10-12 2010-10-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2002182203A (ja) * 2000-12-12 2002-06-26 Nec Corp 表示装置、その表示方法、およびその製造方法
KR100776509B1 (ko) * 2000-12-30 2007-11-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US6825496B2 (en) 2001-01-17 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4137454B2 (ja) * 2001-01-17 2008-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器及び発光装置の作製方法
JP2002244617A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Sanyo Electric Co Ltd 有機el画素回路
JP3810725B2 (ja) * 2001-09-21 2006-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
KR100763171B1 (ko) * 2001-11-07 2007-10-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액티브 매트릭스 유기전계발광소자 및 그 제조방법
CN1209662C (zh) 2001-12-17 2005-07-06 精工爱普生株式会社 显示装置及电子机器
JP4265210B2 (ja) * 2001-12-17 2009-05-20 セイコーエプソン株式会社 有機el装置及び電子機器
GB0130601D0 (en) * 2001-12-21 2002-02-06 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix display device
KR100892945B1 (ko) * 2002-02-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100461467B1 (ko) * 2002-03-13 2004-12-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
JP4027149B2 (ja) 2002-04-30 2007-12-26 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100894651B1 (ko) * 2002-07-08 2009-04-24 엘지디스플레이 주식회사 액티브 매트릭스형 유기 전계발광 표시패널 및 그의제조방법
US6919681B2 (en) * 2003-04-30 2005-07-19 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved power efficiency
GB0313041D0 (en) * 2003-06-06 2003-07-09 Koninkl Philips Electronics Nv Display device having current-driven pixels
US7557779B2 (en) 2003-06-13 2009-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN1816836B (zh) * 2003-07-08 2011-09-07 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其驱动方法
JP3965583B2 (ja) * 2003-09-01 2007-08-29 カシオ計算機株式会社 表示画素及び表示装置
TWI269448B (en) * 2004-08-11 2006-12-21 Sanyo Electric Co Semiconductor element matrix array, method for manufacturing the same, and display device
JP4186961B2 (ja) * 2004-10-26 2008-11-26 セイコーエプソン株式会社 自発光装置、その駆動方法、画素回路および電子機器
KR20060044032A (ko) 2004-11-11 2006-05-16 삼성전자주식회사 표시패널용 검사 장치 및 이의 검사 방법
WO2006062180A1 (en) 2004-12-06 2006-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4580775B2 (ja) * 2005-02-14 2010-11-17 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置及びその駆動方法
US7341893B2 (en) * 2005-06-02 2008-03-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Structure and method for thin film device
US7994509B2 (en) * 2005-11-01 2011-08-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Structure and method for thin film device with stranded conductor
TWI429327B (zh) 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
EP1917656B1 (en) * 2005-07-29 2016-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR101324756B1 (ko) * 2005-10-18 2013-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그의 구동방법
KR20070059403A (ko) * 2005-12-06 2007-06-12 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
JP5251034B2 (ja) * 2007-08-15 2013-07-31 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
US7977678B2 (en) 2007-12-21 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
JP5536349B2 (ja) * 2009-01-30 2014-07-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 画像表示装置
TWI407410B (zh) 2009-04-29 2013-09-01 Innolux Corp 影像顯示系統
CN101887906B (zh) * 2009-05-13 2014-06-11 群创光电股份有限公司 影像显示系统
CN103943664B (zh) * 2009-05-13 2017-07-28 群创光电股份有限公司 影像显示系统
TWI480998B (zh) * 2012-05-24 2015-04-11 Au Optronics Corp 有機發光畫素的結構、製作方法以及驅動電路
KR101975957B1 (ko) 2012-10-04 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6082563B2 (ja) * 2012-10-15 2017-02-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101968666B1 (ko) * 2014-09-01 2019-04-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9941489B2 (en) 2014-09-01 2018-04-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
JP5975120B2 (ja) * 2015-01-19 2016-08-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR102500271B1 (ko) * 2015-08-19 2023-02-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0695186B2 (ja) * 1986-03-05 1994-11-24 松下電器産業株式会社 薄膜トランジスタアレイ
JPH0471194A (ja) * 1990-07-10 1992-03-05 Fuji Xerox Co Ltd Tft駆動elディスプレイ及びその製造方法
JPH05303116A (ja) * 1992-02-28 1993-11-16 Canon Inc 半導体装置
JPH0772506A (ja) * 1993-06-14 1995-03-17 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
JP3399048B2 (ja) * 1993-10-22 2003-04-21 三菱化学株式会社 有機電界発光パネル
US6104041A (en) * 1994-08-24 2000-08-15 Sarnoff Corporation Switching circuitry layout for an active matrix electroluminescent display pixel with each pixel provided with the transistors
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
JP3096394B2 (ja) * 1994-12-27 2000-10-10 シャープ株式会社 表示装置
JPH0981053A (ja) * 1995-09-07 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその駆動方法
JPH09114398A (ja) * 1995-10-24 1997-05-02 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機elディスプレイ
JP3530362B2 (ja) * 1996-12-19 2004-05-24 三洋電機株式会社 自発光型画像表示装置
JPH10319872A (ja) * 1997-01-17 1998-12-04 Xerox Corp アクティブマトリクス有機発光ダイオード表示装置
KR100226494B1 (ko) * 1997-02-20 1999-10-15 김영환 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3492153B2 (ja) * 1997-06-25 2004-02-03 キヤノン株式会社 エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
US5895936A (en) * 1997-07-09 1999-04-20 Direct Radiography Co. Image capture device using a secondary electrode
JP3702096B2 (ja) * 1998-06-08 2005-10-05 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
TW439387B (en) * 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000231347A (ja) 2000-08-22
TW435053B (en) 2001-05-16
KR20010014476A (ko) 2001-02-26
KR100710773B1 (ko) 2007-04-24
US6476419B1 (en) 2002-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4334045B2 (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100637822B1 (ko) 전자 발광 표시 장치
KR100714946B1 (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치
KR100653297B1 (ko) 일렉트로 루미네선스 표시 장치
JP4236150B2 (ja) 製造工程が単純化されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子及びその製造方法
JP2000242196A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
US7009345B2 (en) Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance
KR100527029B1 (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치
US7456431B2 (en) Organic light emitting display
JP2003257662A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JPH11231805A (ja) 表示装置
JP4117985B2 (ja) El表示装置
JP3691313B2 (ja) 表示装置
JP3649927B2 (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001282137A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4488557B2 (ja) El表示装置
US7129524B2 (en) Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
JP2000223279A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001111053A (ja) 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP2001272930A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000172199A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2006330719A (ja) 有機発光ディスプレイ及びその製造方法
JP4278244B2 (ja) El表示装置
KR20040078560A (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20051227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060207

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090218

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090526

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090623

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term