JP2000231347A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、ドレインがドレイン信号線に接続され、ゲートがゲート信号線にそれぞれ接続された第1の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に接続され、ゲートが前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の薄膜トランジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、直流電圧が印加された共通電極に接続された第1の保持容量電極と前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の保持容量電極との間で容量を成す第1の保持容量と、前記駆動電源に接続された第3の保持容量電極と前記第2の保持容量電極との間で容量を成す第2の保持容量とを備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項2】 前記第3の保持容量電極は前記駆動電源に接続された駆動電源線の一部から成ることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項1】 陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、ドレインがドレイン信号線に接続され、ゲートがゲート信号線にそれぞれ接続された第1の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に接続され、ゲートが前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の薄膜トランジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、直流電圧が印加された共通電極に接続された第1の保持容量電極と前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の保持容量電極との間で容量を成す第1の保持容量と、前記駆動電源に接続された第3の保持容量電極と前記第2の保持容量電極との間で容量を成す第2の保持容量とを備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項2】 前記第3の保持容量電極は前記駆動電源に接続された駆動電源線の一部から成ることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
続いて、ゲート絶縁膜112、及び多結晶シリコン(Poly-Silicon、以下、「p−Si」と称する。)膜からなる能動層131を順に形成し、その能動層131には、いわゆるLDD(Lightly Doped Drain)構造が設けられている。即ち、ゲート132の両側に低
濃度領域131LDとその外側に高濃度領域のソース131s及びドレイン131dが設けられている。
濃度領域131LDとその外側に高濃度領域のソース131s及びドレイン131dが設けられている。
そして、ゲート絶縁膜112、能動層131及びストッパ絶縁膜114上の全面には、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜の順に積層された層間絶縁膜115を設け、ドレイン131dに対応して設けたコンタクトホールにAl等の金属を充填してドレイン電極116を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜117を設ける。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明のEL表示装置は、陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、ドレインがドレイン信号線に接続され、ゲートがゲート信号線にそれぞれ接続された第1の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に接続され、ゲートが前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の薄膜トランジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、直流電圧が印加された共通電極に接続された第1の保持容量電極と前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の保持容量電極との間で容量を成す第1の保持容量と、前記駆動電源に接続された第3の保持容量電極と前記第2の保持容量電極との間で容量を成す第2の保持容量とを備えたものである。
【課題を解決するための手段】
本発明のEL表示装置は、陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、ドレインがドレイン信号線に接続され、ゲートがゲート信号線にそれぞれ接続された第1の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に接続され、ゲートが前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の薄膜トランジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、直流電圧が印加された共通電極に接続された第1の保持容量電極と前記第1の薄膜トランジスタのソースに接続された第2の保持容量電極との間で容量を成す第1の保持容量と、前記駆動電源に接続された第3の保持容量電極と前記第2の保持容量電極との間で容量を成す第2の保持容量とを備えたものである。
なお、本実施の形態においては、第1及び第2のTFT30,40ともに、ゲート電極を能動層13の下方に設けたいわゆるボトムゲート型のTFTを採用した場合であり、能動層としてp−Si膜を用いた場合を示す。またゲート電極32,42がダブルゲート構造であるTFTの場合を示す。
図1及び図2に示すように、ゲート信号線51とドレイン信号線52とに囲まれた領域に表示画素が形成されている。両信号線の交点付近には第1のTFT30が備えられており、そのTFT30のソース31sは保持容量電極54との間で容量をなす容量電極55を兼ねるとともに、第2のTFT40のゲート42に接続されている。第2のTFTのソース41sは有機EL素子60の陽極61に接続され、他方のドレイン41dは有機EL素子を駆動する駆動電源線53に接続されている。
また、TFTの付近には、ゲート信号線51と並行に第1の保持容量電極54が配置されている。この第1の容量電極54はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜12を介して第1のTFT30のソース31sと接続され多結晶シリコン膜から成る第2の保持容量電極55との間で電荷を蓄積して容量を成している。この第1及び第2の保持容量電極からなる容量が第1の保持容量70である。
また、上述の実施の形態においては、ゲート電極32,42がダブルゲート構造の場合について説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、シングルゲートあるいは3つ以上のマルチゲート構造を有していても本願と同様の効果を奏することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明のEL表示装置の実施の形態を示す平面図である。
【図2】
本発明のEL表示装置の実施の形態を示す断面図である。
【図3】
本発明のEL表示装置の等価回路図である。
【図4】
従来のEL表示装置の平面図である。
【図5】
従来のEL表示装置の等価回路図である。
【図6】
従来のEL表示装置の断面図である。
【符号の説明】
30 第1のTFT
31s、41s ソース
31d、41d ドレイン
31c、41c チャネル
31LD LDD領域
32、42 ゲート
40 第2のTFT
50 駆動電源
54 第1の保持容量電極
55 第2の保持容量電極
60 有機EL素子
70 第1の保持容量
80 第2の保持容量
90 第3の保持容量電極
【図1】
本発明のEL表示装置の実施の形態を示す平面図である。
【図2】
本発明のEL表示装置の実施の形態を示す断面図である。
【図3】
本発明のEL表示装置の等価回路図である。
【図4】
従来のEL表示装置の平面図である。
【図5】
従来のEL表示装置の等価回路図である。
【図6】
従来のEL表示装置の断面図である。
【符号の説明】
30 第1のTFT
31s、41s ソース
31d、41d ドレイン
31c、41c チャネル
31LD LDD領域
32、42 ゲート
40 第2のTFT
50 駆動電源
54 第1の保持容量電極
55 第2の保持容量電極
60 有機EL素子
70 第1の保持容量
80 第2の保持容量
90 第3の保持容量電極
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2000
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