JP3520396B2 - アクティブマトリクス基板と表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス基板と表示装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機半導体膜を駆
動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）素子またはＬＥＤ（発光ダイオード）
素子などの発光素子と、この発光素子の発光動作を制御
する薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）とを用
いたアクティブマトリクス型の表示装置に関するもので
ある。さらに詳しくは、その表示特性を向上するための
レイアウトの最適化技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ素子またはＬＥＤ素子などの電流制
御型発光素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装
置が提案されている。このタイプの表示装置に用いられ
る発光素子はいずれも自己発光するため、液晶表示装置
と違ってバックライトを必要とせず、また、視野角依存
性が少ないなどの利点もある。
【０００３】図２２は、このような表示装置の一例とし
て、電荷注入型の有機薄膜ＥＬ素子を用いたアクティブ
マトリクス型表示装置のブロック図を示してある。この
図に示す表示装置１Ａでは、透明基板上に、複数の走査
線ｇａｔｅと、これらの走査線ｇａｔｅの延設方向に対
して交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇ
と、これらのデータ線ｓｉｇに並列する複数の共通給電
線ｃｏｍと、データ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとの交差
点に対応する画素７とが構成されている。データ線ｓｉ
ｇに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオ
ライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路３
が構成されている。走査線に対しては、シフトレジスタ
およびレベルシフタを備える走査側駆動回路４が構成さ
れている。また、画素７の各々には、走査線を介して走
査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ２０と、
この第１のＴＦＴ２０を介してデータ線ｓｉｇから供給
される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持
容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に
供給される第２のＴＦＴ３０と、第２のＴＦＴ３０を介
して共通給電線ｃｏｍに電気的に接続したときに共通給
電線ｃｏｍから駆動電流が流れ込む発光素子４０とが構
成されている。
【０００４】すなわち、図２３（Ａ）、（Ｂ）に示すよ
うに、いずれの画素７においても、島状の２つの半導体
膜を利用して第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０
が形成され、第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域
には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介し
て中継電極３５が電気的に接続し、該中継電極３５には
第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して画素
電極４１が電気的に接続している。この画素電極４１の
上層側には、正孔注入層４２、有機半導体膜４３、対向
電極ｏｐが積層されている。ここで、対向電極ｏｐは、
データ線ｓｉｇなどを跨いで複数の画素７にわたって形
成されている。なお、第２のＴＦＴ３０のソース・ドレ
イン領域には、コンタクトホールを介して共通給電線ｃ
ｏｍが電気的に接続している。
【０００５】これに対して、第１のＴＦＴ２０では、そ
のソース・ドレイン領域に電気的に接続する電位保持電
極ｓｔは、ゲート電極３１の延設部分３１０に電気的に
接続している。この延設部分３１０に対しては、その下
層側においてゲート絶縁膜５０を介して半導体膜４００
が対向し、この半導体膜４００は、それに導入された不
純物によって導電化されているので、延設部分３１０お
よびゲート絶縁膜５０とともに保持容量ｃａｐを構成し
ている。ここで、半導体膜４００に対しては第１の層間
絶縁膜５１のコンタクトホールを介して共通給電線ｃｏ
ｍが電気的に接続している。従って、保持容量ｃａｐ
は、第１のＴＦＴ２０を介してデータ線ｓｉｇから供給
される画像信号を保持するので、第１のＴＦＴ２０がオ
フになっても、第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１は画
像信号に相当する電位に保持される。それ故、発光素子
４０には共通給電線ｃｏｍから駆動電流が流れ続けるの
で、発光素子４０は発光し続けることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
表示装置１Ａでは、液晶表示装置と比較して、第２のＴ
ＦＴ３０および共通給電線ｃｏｍが必要な分、画素７が
狭いため、表示の品位を高めることができないという問
題点がある。
【０００７】そこで、本発明の課題は、基板上に構成さ
れる画素および共通給電線のレイアウトを改良して画素
の発光領域を拡張し、表示の品位を高めることのできる
表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、複
数の走査線と、前記複数の走査線と交差する方向に延設
された複数のデータ線と、複数の共通給電線と、前記複
数のデータ線と前記複数の走査線とによりマトリクス状
に形成された複数の画素と、を有し、前記複数の画素の
各々は、画素電極と、ゲート電極を備え、前記複数の走
査線のうち対応する走査線を介して走査信号が前記ゲー
ト電極に供給される第１のトランジスタと、前記複数の
データ線のうち対応するデータ線及び前記第１のトラン
ジスタを介して供給される画像信号に応じて、前記複数
の共通給電線のうち対応する共通給電線と前記画素電極
との電気的な接続の制御を行う第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタを介して前記対応する共通給電
線と前記画素電極とが電気的に接続したときに前記画素
電極に対向する対向電極との間に流れる駆動電流によっ
て発光する発光素子と、を備え、前記複数の共通給電線
のうち一つの共通給電線は、前記複数の画素のうち、当
該一つの共通給電線の両側に当該一つの共通給電線に沿
って配置された２列の画素に前記駆動電流を供給するこ
と、を特徴とする
【０００９】すなわち、本発明では、データ線、それに
接続する画素群、１本の共通給電線、それに接続する画
素群、および該画素群に画素信号を供給するデータ線を
１つの単位としてそれを走査線の延設方向に繰り返すの
で、２列分の画素を１本の共通給電線で駆動する。従っ
て、１列の画素群ごとに共通給電線を形成する場合と比
較して共通給電線の形成領域を狭めることができるた
め、その分、画素の発光領域を拡張できる。よって、輝
度、コントラスト比などの表示性能を向上させることが
できる。
【００１０】上記の表示装置において、前記２列の画素
のうち一方の列の画素に含まれる前記第１のトランジス
タ及び前記第２のトランジスタと、他方の列の画素に含
まれる前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジ
スタと、は当該一つの共通給電線を中心に線対称に配置
されていることが好ましい。上記の表示装置において、
前記複数の共通給電線は、前記複数の走査線に交差する
方向に設けられていてもよい。上記の表示装置におい
て、前記発光素子は、前記画素電極と前記対向電極との
間に配置された有機半導体膜を備え、前記有機半導体膜
は前記駆動電流によって発光することが好ましい。上記
の表示装置において、前記複数の走査線の延設方向に沿
って隣接する２つの前記画素に対して設けられた前記有
機半導体膜の形成された領域の中心間の距離により定義
されるとピッチが全て等しいことが好ましい。上記の表
示装置において、前記有機半導体膜は、絶縁膜からなる
バンク層で囲まれていることが好ましい。上記の表示装
置において、前記バンク層は、前記複数のデータ線およ
び前記複数の共通給電線を覆うように構成されているこ
とが好ましい。
【００１１】上記の表示装置において、前記有機半導体
膜は、インクジェット法により形成された膜であっても
よい。上記の表示装置において、前記２列の画素のうち
各列の画素に対して当該一つの共通給電線の反対側には
データ線が位置していることが好ましい。上記の表示装
置において、前記複数の画素のうち前記複数の走査線の
延設方向に配列した画素の間には前記複数の共通給電線
及び前記複数のデータ線のいずれかが設けられてけられ
ていてもよい。、上記の表示装置において、前記複数の
画素のうち、ある画素と当該ある画素と前記複数の走査
線に沿った方向で２つの隣接する画素のうち一方の画素
との間には前記複数の共通給電線のうち対応する共通給
電線が設けられ、当該ある画素と当該２つの隣接する画
素のうち他方との間には前記複数のデータ線のうち対応
するデータ線が設けられていてもよい。上記の表示装置
において、前記複数の画素のうち、ある画素と当該ある
画素と前記複数の走査線に沿った方向で２つの隣接する
画素のうち一方の画素との間には前記複数の共通給電線
のうち対応する共通給電線が設けられ、当該ある画素と
当該２つの隣接する画素のうち他方の画素との間には前
記複数のデータ線のうち２つのデータ線が設けられてい
てもよい。上記の表示装置において、前記２本のデータ
線の間に相当する位置には配線層が形成されていてもよ
い。上記の表示装置において、前記２本のデータ線を介
して供給される画像信号のサンプリングは同一タイミン
グで行われることが好ましい。
【００１２】本発明の第１のアクティブマトリクス基板
は、複数の走査線と、前記複数の走査線と交差する方向
に延設された複数のデータ線と、複数の共通給電線と、
前記複数のデータ線と前記複数の走査線とによりマトリ
クス状に形成された複数の画素電極と、各々のゲート電
極が前記複数の走査線のうち対応する走査線に接続され
た複数の第１のトランジスタと、各々のソースあるいは
ドレインが前記複数の画素電極のうち対応する画素電極
に接続された複数の第２のトランジスタと、を備え、前
記複数の共通給電線のうち一つの共通給電線は、前記複
数の第２のトランジスタのうち、当該一つの共通給電線
の両側に当該一つの共通給電線に沿って配置された２列
分の第２のトランジスタに接続されていること、を特徴
とする。上記のアクティブマトリクス基板と、前記複数
の画素電極と前記複数の画素電極に対向する対向電極と
の間に駆動電流が流れることにより発光する複数の発光
素子と、により表示装置を構成することができる。
【００１３】本発明において、前記画素に対して前記共
通給電線とは反対側を通る２本のデータ線の間に相当す
る位置には、配線層が形成されていることが好ましい。
２本のデータ線が並列していると、これらのデータ線の
間でクロストークが発生するおそれがある。しかるに本
発明では、２本のデータ線の間にはそれらとは別の配線
層が通っているので、このような配線層を画像の少なく
とも１水平走査期間内で固定電位としておくだけで、上
記のクロストークを防止できる。
【００１４】この場合に、前記複数のデータ線のうち、
隣接する２本のデータ線の間では、画像信号のサンプリ
ングを同一のタイミングで行うことが好ましい。このよ
うに構成すると、２本のデータ線の間でサンプリング時
の電位変化が同時に起こるので、これらのデータ線の間
でクロストークが発生するのをより確実に防止できる。
【００１５】本発明では、同一の前記共通給電線との間
で前記駆動電流の通電が行われる複数の画素には、極性
が反転した駆動電流により前記発光素子の駆動が行われ
る２種類の画素がほぼ同数含まれていることが好まし
い。
【００１６】このように構成すると、共通給電線から画
素に流れる駆動電流と、画素から共通給電線に流れる駆
動電流とが相殺され、共通給電線に流れる駆動電流が小
さくて済む。従って、共通給電線をその分細くすること
ができるので、パネル外形に対する表示面積を拡張でき
る。また、駆動電流の差により生じる輝度むらをなくす
ことができる。
【００１７】たとえば、前記データ線の延設方向では各
画素における駆動電流の極性が同一で、前記走査線の延
設方向では各画素における駆動電流の極性が１画素毎
に、あるいは２画素毎に反転するように構成する。ある
いは、前記走査線の延設方向では各画素における駆動電
流の極性が同一で、前記データ線の延設方向では各画素
における駆動電流の極性が１画素毎、あるいは２画素毎
に反転するように構成してもよい。これらの形態のう
ち、２画素毎に駆動電流の極性が反転するように構成し
た場合には、同じ極性の駆動電流が流れる画素について
は、隣接する画素の間で対向電極を共通にすることがで
きるので、対向電極のスリット数を減らすことができ
る。すなわち、大電流が流れる対向電極の抵抗値を高く
することなく、極性反転を実現できる。
【００１８】また、前記走査線の延設方向および前記デ
ータ線の延設方向のいずれの方向でも、各画素における
駆動電流の極性が１画素毎に反転するように構成しても
よい。
【００１９】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。
【００２０】［実施の形態１］ （アクティブマトリクス基板の全体構成）図１は、表示
装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図、図
２は、それに構成されたアクティブマトリクスの等価回
路図である。
【００２１】この図に示すように、本形態の表示装置１
ではその基体たる透明基板１０の中央部分が表示部２と
されている。透明基板１０の外周部分のうち、データ線
ｓｉｇの両端側には画像信号を出力するデータ側駆動回
路３、および検査回路５が構成され、走査線ｇａｔｅの
両端側には走査信号を出力する走査側駆動回路４が構成
されている。これらの駆動回路３、４では、Ｎ型のＴＦ
ＴとＰ型のＴＦＴとによって相補型ＴＦＴが構成され、
この相補型ＴＦＴは、シフトレジスタ、レベルシフタ、
アナログスイッチなどを構成している。なお、透明基板
１０上において、データ側駆動回路３よりも外周領域に
は、画像信号や各種の電位、パルス信号を入力するため
の端子群とされる実装用パッド６が形成されている。
【００２２】（共通給電線と画素の配置）表示装置１で
は、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板と同様、
透明基板１０上に、複数の走査線ｇａｔｅと、該走査線
ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設された
複数のデータ線ｓｉｇとが構成され、図２に示すよう
に、これらのデータ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとにより
マトリクス状に形成された画素７が構成されている。
【００２３】これらの画素７のいずれにも、走査線ｇａ
ｔｅを介して走査信号がゲート電極２１（第１のゲート
電極）に供給される第１のＴＦＴ２０が構成されてい
る。このＴＦＴ２０のソース・ドレイン領域の一方は、
データ線ｓｉｇに電気的に接続し、他方は電位保持電極
ｓｔに電気的に接続している。走査線ｇａｔｅに対して
は容量線ｃｌｉｎｅが並列配置され、この容量線ｃｌｉ
ｎｅと電位保持電極ｓｔとの間には保持容量ｃａｐが形
成されている。従って、走査信号によって選択されて第
１のＴＦＴ２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇか
ら画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐ
に書き込まれる。
【００２４】電位保持電極ｓｔには第２のＴＦＴ３０の
ゲート電極３１（第２のゲート電極）が電気的に接続し
ている。このＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域の一方
は、共通給電線ｃｏｍに電気的に接続する一方、他方は
発光素子４０の一方の電極（後述する画素電極）に電気
的に接続している。共通給電線ｃｏｍは定電位に保持さ
れている。従って、第２のＴＦＴ３０がオン状態になっ
たときに、このＴＦＴを介して共通給電線ｃｏｍの電流
が発光素子４０に流れ、発光素子４０を発光させる。
【００２５】本形態では、共通給電線ｃｏｍの両側に、
該共通給電線ｃｏｍとの間で駆動電流の供給が行われる
複数の画素７が配置され、これらの画素７に対して共通
給電線ｃｏｍとは反対側を２本のデータ線ｓｉｇが通っ
ている。すなわち、データ線ｓｉｇ、それに接続する画
素群、１本の共通給電線ｃｏｍ、それに接続する画素
群、および該画素群に画素信号を供給するデータ線ｓｉ
ｇを１つの単位としてそれを走査線ｇａｔｅの延設方向
に繰り返してあり、共通給電線ｃｏｍは、１本で２列分
の画素７に対して駆動電流を供給する。そこで、本形態
では、共通給電線ｃｏｍを挟むように配置された２つの
画素７の間では、第１のＴＦＴ２０、第２のＴＦＴ３
０、および発光素子４０が当該共通給電線ｃｏｍを中心
に線対称に配置され、これらの素子と各配線層との電気
的な接続を容易なものにしてある。
【００２６】このように、本形態では、１本の共通給電
線ｃｏｍで２列分の画素を駆動するので、１列の画素群
ごとに共通給電線ｃｏｍを形成する場合と比較して、共
通給電線ｃｏｍの数が１／２で済むとともに、同一の層
間に形成される共通給電線ｃｏｍとデータ線ｓｉｇとの
間に確保していた隙間が不要である。それ故、透明基板
１０上において配線のための領域を狭くすることができ
るので、その分、各画素領域における発光面積の割合を
高めることができ、輝度、コントラスト比などの表示性
能を向上させることができる。
【００２７】なお、このように１本の共通給電線ｃｏｍ
に２列分の画素が接続する構成としたため、データ線ｓ
ｉｇは２本ずつ並列する状態にあって、それぞれの列の
画素群に対して画像信号を供給することになる。
【００２８】（画素の構成）このように構成した表示装
置１の各画素７の構造を図３ないし図６（Ａ）を参照し
て詳述する。
【００２９】図３は、本形態の表示装置１に形成されて
いる複数の画素７のうちの３つの画素７を拡大して示す
平面図、図４、図５、および図６（Ａ）はそれぞれは、
そのＡ−Ａ′線における断面図、Ｂ−Ｂ′線における断
面図、およびＣ−Ｃ′線における断面図である。
【００３０】まず、図３におけるＡ−Ａ′線に相当する
位置では、図４に示すように、透明基板１０上には各画
素７の各々に、第１のＴＦＴ２０を形成するための島状
のシリコン膜２００が形成され、その表面にはゲート絶
縁膜５０が形成されている。また、ゲート絶縁膜５０の
表面にはゲート電極２１（走査線ｇａｔｅの一部）が形
成され、該ゲート電極２１に対して自己整合的にソース
・ドレイン領域２２、２３が形成されている。ゲート絶
縁膜５０の表面側には第１の層間絶縁膜５１が形成さ
れ、この層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール６
１、６２を介して、ソース・ドレイン領域２２、２３に
はデータ線ｓｉｇ、および電位保持電極ｓｔがそれぞれ
電気的に接続している。
【００３１】各画素７には走査線ｇａｔｅと並列するよ
うに、走査線ｇａｔｅやゲート電極２１と同一の層間
（ゲート絶縁膜５０と第１の層間絶縁膜５１との間）に
は容量線ｃｌｉｎｅが形成されており、この容量線ｃｌ
ｉｎｅに対しては、第１の層間絶縁膜５１を介して電位
保持電極ｓｔの延設部分ｓｔ１が重なっている。このた
め、容量線ｃｌｉｎｅと電位保持電極ｓｔの延設部分ｓ
ｔ１とは、第１の層間絶縁膜５１を誘電体膜とする保持
容量ｃａｐを構成している。なお、電位保持電極ｓｔお
よびデータ線ｓｉｇの表面側には第２の層間絶縁膜５２
が形成されている。
【００３２】図３におけるＢ−Ｂ′線に相当する位置で
は、図５に示すように、透明基板１０上に形成された第
１の層間絶縁膜５１および第２の層間絶縁膜５２の表面
に各画素７に対応するデータ線ｓｉｇが２本、並列して
いる状態にある。
【００３３】図３におけるＣ−Ｃ′線に相当する位置で
は、図６（Ａ）に示すように、透明基板１０上には共通
給電線ｃｏｍを挟む２つの画素７に跨がるように、第２
のＴＦＴ３０を形成するための島状のシリコン膜３００
が形成され、その表面にはゲート絶縁膜５０が形成され
ている。ゲート絶縁膜５０の表面には、共通給電線ｃｏ
ｍを挟むように、各画素７の各々にゲート電極３１がそ
れぞれ形成され、このゲート電極３１に自己整合的にソ
ース・ドレイン領域３２、３３が形成されている。ゲー
ト絶縁膜５０の表面側には第１の層間絶縁膜５１が形成
され、この層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール６
３を介して、ソース・ドレイン領域６２に中継電極３５
が電気的に接続している。一方、シリコン膜３００の中
央部分で２つの画素７において共通のソース・ドレイン
領域３３となる部分に対しては、第１の層間絶縁膜５１
のコンタクトホール６４を介して、共通給電線ｃｏｍが
電気的に接続している。これらの共通給電線ｃｏｍ、お
よび中継電極３５の表面側には第２の層間絶縁膜５２が
形成されている。第２の層間絶縁膜５２の表面側にはＩ
ＴＯ膜からなる画素電極４１が形成されている。この画
素電極４１は、第２の層間絶縁膜５２に形成されたコン
タクトホール６５を介して中継電極３５に電気的に接続
し、この中継電極３５を介して第２のＴＦＴ３０のソー
ス・ドレイン領域３２に電気的に接続している。
【００３４】ここで、画素電極４１は発光素子４０の一
方の電極を構成している。すなわち、画素電極４１の表
面には正孔注入層４２および有機半導体膜４３が積層さ
れ、さらに有機半導体膜４３の表面には、リチウム含有
アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電
極ｏｐが形成されている。この対向電極ｏｐは、少なく
とも画素領域上に、あるいはストライプ状に形成された
共通の電極であり、一定の電位に保持されている。
【００３５】このように構成された発光素子４０では、
対向電極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ正極および
負極として電圧が印加され、図７に示すように、印加電
圧がしきい値電圧を越えた領域で有機半導体膜４３に流
れる電流（駆動電流）が急激に増大する。その結果、発
光素子４０は、エレクトロルミネッセンス素子あるいは
ＬＥＤ素子として発光し、発光素子４０の光は、対向電
極ｏｐに反射され、透明な画素電極４１および透明基板
１０を透過して出射される。
【００３６】このような発光を行うための駆動電流は、
対向電極ｏｐ、有機半導体膜４３、正孔注入層４２、画
素電極４１、第２のＴＦＴ３０、および共通給電線ｃｏ
ｍから構成される電流経路を流れるため、第２のＴＦＴ
３０がオフ状態になると、流れなくなる。本形態の表示
装置１では、走査信号によって選択されて第１のＴＦＴ
２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇから画像信号
が第１のＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに書き込ま
れる。従って、第２のＴＦＴ３０のゲート電極は、第１
のＴＦＴ２０がオフ状態になっても、保持容量ｃａｐに
よって画像信号に相当する電位に保持されるので、第２
のＴＦＴ３０はオン状態のままである。それ故、発光素
子４０には駆動電流が流れ続け、この画素は点灯状態の
ままである。この状態は、新たな画像データが保持容量
ｃａｐに書き込まれて、第２のＴＦＴ３０はオフ状態に
なるまで維持される。
【００３７】（表示装置の製造方法）このように構成し
た表示装置１の製造方法において、透明基板１０上に第
１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０を製造するまで
の工程は、液晶表示装置１のアクティブマトリクス基板
を製造する工程と略同様であるため、図８を参照してそ
の概要を説明する。
【００３８】図８は、表示装置１の各構成部分を形成し
ていく過程を模式的に示す工程断面図である。
【００３９】すなわち、図８（Ａ）に示すように、透明
基板１０に対して、必要に応じて、ＴＥＯＳ（テトラエ
トキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズ
マＣＶＤ法により厚さが約２０００〜５０００オングス
トロームのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せ
ず。）を形成する。次に基板の温度を約３５０℃に設定
して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ
が約３００〜７００オングストロームのアモルファスの
シリコン膜からなる半導体膜１００を形成する。次にア
モルファスのシリコン膜からなる半導体膜１００に対し
て、レーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程
を行い、半導体膜１００をポリシリコン膜に結晶化す
る。レーザアニール法では、たとえば、エキシマレーザ
でビーム形状の長寸が４００ｍｍのラインビームを用
い、その出力強度はたとえば２００ｍＪ／ｃｍ2 であ
る。ラインビームについてはその短寸方向におけるレー
ザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に
重なるようにラインビームを走査していく。
【００４０】次に、図８（Ｂ）に示すように、半導体膜
１００をパターニングして島状の半導体膜２００、３０
０とし、その表面に対して、ＴＥＯＳ（テトラエトキシ
シラン）や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマＣＶ
Ｄ法により厚さが約６００〜１５００オングストローム
のシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜５
０を形成する。
【００４１】次に、図８（Ｃ）に示すように、アルミニ
ウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンな
どの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した
後、パターニングし、走査線ｇａｔｅの一部としてのゲ
ート電極２１、３１を形成する。この工程では容量線ｃ
ｌｉｎｅも形成する。なお、図中、３１０はゲート電極
３１の延設部分である。
【００４２】この状態で高濃度のリンイオンまたはボロ
ンイオンを打ち込んで、シリコン薄膜２００、３００に
はゲート電極２１、３１に対して自己整合的にソース・
ドレイン領域２２、２３、３２、３３を形成する。な
お、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域２
７、３７となる。
【００４３】次に、図８（Ｄ）に示すように、第１の層
間絶縁膜５１を形成した後、コンタクトホール６１、６
２、６３、６４、６９を形成し、データ線ｓｉｇ、容量
線ｃｌｉｎｅおよびゲート電極３１の延設部分３１０に
重なる延設部分ｓｔ１を備える電位保持電極ｓｔ、共通
給電線ｃｏｍ、および中継電極３５を形成する。その結
果、電位保持電極ｓｔはコンタクトホール６９および延
設部分３１０を介してゲート電極３１に電気的に接続す
る。このようにして第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦ
Ｔ３０を形成する。また、容量線ｃｌｉｎｅと電位保持
電極ｓｔの延設部分ｓｔ１とによって保持容量ｃａｐが
形成される。
【００４４】次に、図８（Ｅ）に示すように、第２の層
間絶縁膜５２を形成し、この層間絶縁膜には、中継電極
３５に相当する部分にコンタクトホール６５を形成す
る。次に、第２の層間絶縁膜５２の表面全体にＩＴＯ膜
を形成した後、パターニングし、コンタクトホール６５
を介して第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域３２
に電気的に接続する画素電極４１を形成する。
【００４５】次に、図８（Ｆ）に示すように、第２の層
間絶縁膜５２の表面側に黒色のレジスト層を形成した
後、このレジストを発光素子４０の正孔注入層４２およ
び有機半導体膜４３を形成すべき領域を囲むように残
し、バンク層ｂａｎｋを形成する。ここで、有機半導体
膜４３は、各画素毎に独立して形成される場合、データ
線ｓｉｇに沿ってストライプ状に形成される場合などの
いずれの形状であっても、それに対応する形状にバンク
層ｂａｎｋを形成するだけで、本形態に係る製造方法を
適用できる。
【００４６】次に、バンク層ｂａｎｋの内側領域に対し
てインクジェットヘッドＩＪから、正孔注入層４２を構
成するための液状の材料（前駆体）を吐出し、バンク層
ｂａｎｋの内側領域に正孔注入層４２を形成する。同様
に、バンク層ｂａｎｋの内側領域に対してインクジェッ
トヘッドＩＪから、有機半導体膜４３を構成するための
液状の材料（前駆体）を吐出し、バンク層ｂａｎｋの内
側領域に有機半導体膜４３を形成する。ここで、バンク
層ｂａｎｋはレジストから構成されているため、撥水性
である。これに対して、有機半導体膜４３の前駆体は主
に親水性の溶媒を用いているため、有機半導体膜４３の
塗布領域はバンク層ｂａｎｋによって確実に規定され、
隣接する画素にはみ出ることがない。
【００４７】このようにして有機半導体膜４３や正孔注
入層４２をインクジェット法により形成する場合には、
その作業効率や射出位置精度を高めるために、本形態で
は、図３に示すように、走査線ｇａｔｅの延設方向に沿
って隣接するいずれの画素７間でも、前記有機半導体膜
４３の形成領域の中心のピッチＰを等しくしてある。従
って、矢印Ｑで示すように、走査線ｇａｔｅの延設方向
に沿って等間隔の位置にインクジェットヘッドＩＪから
有機半導体膜４３の材料などを吐出すればよいので、作
業効率がよいという利点がある。また、インクジェット
ヘッドＩＪの移動制御機構が簡易になるとともに、打ち
込み位置精度も向上する。
【００４８】しかる後には、図８（Ｇ）に示すように、
透明基板１０の表面側に対向電極ｏｐを形成する。ここ
で、対向電極ｏｐは少なくとも画素領域の全面、または
ストライプ状に形成されるが、対向電極ｏｐをストライ
プ状に形成する場合には、透明基板１０の表面全体に金
属膜を形成した後、それをストライプ状にパターニング
する。
【００４９】なお、バンク層ｂａｎｋについては、それ
が黒色のレジストから構成されているので、そのまま残
し、以下に説明するように、ブラックマトリクスＢＭ、
および寄生容量を低減するための絶縁層として利用す
る。
【００５０】図１に示すデータ側駆動回路３や走査側駆
動回路４にもＴＦＴが形成されるが、これらのＴＦＴは
前記の画素７にＴＦＴを形成していく工程の全部あるい
は一部を援用して行われる。それ故、駆動回路を構成す
るＴＦＴも、画素７のＴＦＴと同一の層間に形成される
ことになる。
【００５１】また、前記第１のＴＦＴ２０、および第２
のＴＦＴ３０については、双方がＮ型、双方がＰ型、一
方がＮ型で他方がＰ型のいずれでもよいが、このような
いずれの組合せであっても、周知の方法でＴＦＴを形成
していけるので、その説明を省略する。
【００５２】（バンク層の形成領域）本形態では、図１
に示す透明基板１０の周辺領域の総てに対して、前記の
バンク層ｂａｎｋ（形成領域に斜線を付してある。）を
形成する。従って、データ側駆動回路３および走査側駆
動回路４はいずれも、バンク層ｂａｎｋによって覆われ
ている。このため、これらの駆動回路の形成領域に対し
て対向電極ｏｐが重なる状態にあっても、駆動回路の配
線層と対向電極ｏｐとの間にバンク層ｂａｎｋが介在す
ることになる。それ故、駆動回路２、３に容量が寄生す
ることを防止できるので、駆動回路２、３の負荷を低減
でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図るこ
とができる。
【００５３】また、本形態では、図３ないし図５に示す
ように、データ線ｓｉｇに重なるようにバンク層ｂａｎ
ｋを形成してある。従って、データ線ｓｉｇと対向電極
ｏｐとの間にバンク層ｂａｎｋが介在することになるの
で、データ線ｓｉｇに容量が寄生することを防止でき
る。その結果、データ側駆動回路３の負荷を低減できる
ので、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図るこ
とができる。
【００５４】ここで、共通給電線ｃｏｍには、データ線
ｓｉｇと違って、発光素子４０を駆動するための大きな
電流が流れ、しかも、２列分の画素に対して駆動電流を
供給する。このため、共通給電線ｃｏｍについては、そ
の線幅をデータ線ｓｉｇの線幅よりも広く設定し、共通
給電線ｃｏｍの単位長さ当たりの抵抗値を、データ線ｓ
ｉｇの単位長さ当たりの抵抗値よりも小さくしてある。
そのような設計条件下でも、本形態では、共通給電線ｃ
ｏｍにも重なるようにバンク層ｂａｎｋを形成して有機
半導体膜４３の形成領域を規定する際にここに形成する
バンク層ｂａｎｋの幅を、２本のデータ線ｓｉｇに重な
るバンク層ｂａｎｋと同一の幅寸法とすることにより、
前記のように、走査線ｇａｔｅの延設方向に沿って隣接
するいずれの画素７の間でも有機半導体膜４３の形成領
域の中心のピッチＰを等しくするのに適した構造にな
る。
【００５５】さらに、本形態では、図３、図４、および
図６（Ａ）に示すように、画素電極４１の形成領域のう
ち、第１のＴＦＴ２０の形成領域および第２のＴＦＴ３
０の形成領域と重なる領域にもバンク層ｂａｎｋを形成
する。すなわち、図６（Ｂ）に示すように、中継電極３
５と重なる領域にバンク層ｂａｎｋを形成しないと、た
とえ対向電極ｏｐとの間に駆動電流が流れて有機半導体
膜４３が発光しても、この光は中継電極３５と対向電極
ｏｐとに挟まれて出射されず、表示に寄与しない。かか
る表示に寄与しない部分で流れる駆動電流は、表示とい
う面からみて無効電流といえる。しかるに本形態では、
このような無効電流が流れるはずの部分にバンク層ｂａ
ｎｋを形成し、そこに駆動電流が流れることを防止する
ので、共通給電線ｃｏｍに無駄な電流が流れることが防
止できる。それ故、共通給電線ｃｏｍの幅はその分狭く
てよい。
【００５６】また、前記のように黒色のレジストで構成
したバンク層ｂａｎｋを残しておくと、バンク層ｂａｎ
ｋはブラックマトリクスとして機能し、輝度、コントラ
スト比などの表示の品位が向上する。すなわち、本形態
に係る表示装置１では、対向電極ｏｐが透明基板１０の
表面側の全面、あるいは広い領域にわたってストライプ
状に形成されるため、対向電極ｏｐでの反射光がコント
ラスト比を低下させる。しかるに本形態では、有機半導
体膜４３の形成領域を規定しながら寄生容量を抑える機
能を有するバンク層ｂａｎｋを黒色のレジストで構成し
たため、バンク層ｂａｎｋはブラックマトリクスとして
も機能し、対向電極ｏｐからの反射光を遮るので、コン
トラスト比が高いという利点がある。また、バンク層ｂ
ａｎｋを利用して自己整合的に発光領域を規定すること
ができるので、バンク層ｂａｎｋをブラックマトリクス
として用いずに別の金属層などをブラックマトリクスと
して用いたときに問題となる発光領域とのアライメント
余裕が不要である。
【００５７】［上記形態の改良例］上記形態では、共通
給電線ｃｏｍの両側のそれぞれに、該共通給電線ｃｏｍ
との間で駆動電流が流れる画素７が配置され、該画素７
に対して前記共通給電線ｃｏｍとは反対側を２本のデー
タ線ｓｉｇが並列して通っている。従って、２本のデー
タ線ｓｉｇの間でクロストークが発生するおそれがあ
る。そこで、本形態では、図９、図１０（Ａ）、（Ｂ）
に示すように、２本のデータ線ｓｉｇの間に相当する位
置にダミーの配線層ＤＡを形成してある。このダミーの
配線層ＤＡとしては、たとえば、画素電極４１と同時形
成されたＩＴＯ膜ＤＡ１を利用することができる。ま
た、ダミーの配線層ＤＡとしては、２本のデータ線ｓｉ
ｇの間に容量線ｃｌｉｎｅからの延設部分ＤＡ２を構成
してもよい。これらの双方をダミーの配線層ＤＡとして
用いてもよい。
【００５８】このように構成すると、並列する２本のデ
ータ線ｓｉｇの間にはそれらとは別の配線層ＤＡが通っ
ているので、このような配線層ＤＡ（ＤＡ１、ＤＡ２）
を画像の少なくとも１水平走査期間内で固定電位として
おくだけで、上記のクロストークを防止できる。すなわ
ち、第１の層間絶縁膜５１および第２の層間絶縁膜５２
は、膜厚が凡そ１μｍであるのに対して、２本のデータ
線ｓｉｇ２本の間隔は約２μｍ以上であるため、各デー
タ線ｓｉｇとダミーの配線層ＤＡ（ＤＡ１、ＤＡ２）と
の間に構成される容量に比較して、２本のデータ線ｓｉ
ｇに間に構成される容量は十分に無視できるほど小さ
い。それ故、データ線ｓｉｇから漏れた高周波数の信号
はダミーの配線層ＤＡ及びＤＡ２で吸収されるので、２
本のデータ線ｓｉｇの間でのクロストークを防止でき
る。
【００５９】また、複数のデータ線ｓｉｇのうち、隣接
する２本のデータ線ｓｉｇの間では、画像信号のサンプ
リングを同一のタイミングで行うことが好ましい。この
ように構成すると、２本のデータ線ｓｉｇの間でサンプ
リング時の電位変化が同時に起きるので、これら２本の
データ線ｓｉｇの間におけるクロストークをより確実に
防止できる。
【００６０】［保持容量の別の構成例］なお、上記形態
では、保持容量ｃａｐを構成するのに容量線ｃｌｉｎｅ
を形成したが、従来技術で説明したように、ＴＦＴを構
成するためのポリシリコン膜を利用して保持容量ｃａｐ
を構成してもよい。
【００６１】また、図１１に示すように、共通給電線ｃ
ｏｍと電位保持電極ｓｔとの間に保持容量ｃａｐを構成
してもよい。この場合には、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示
すように、電位保持電極ｓｔとゲート電極３１とを電気
的に接続させるためのゲート電極３１の延設部分３１０
を共通給電線ｃｏｍの下層側にまで拡張し、この延設部
分３１０と共通給電線ｃｏｍとの間に位置する第１の層
間絶縁膜５１を誘電体膜として保持容量ｃａｐを構成す
ればよい。
【００６２】［実施の形態２］上記の実施の形態１で
は、いずれの画素７においても同一の極性の駆動電流で
発光素子４０を駆動する構成であったが、以下に説明す
るように、同一の共通給電線ｃｏｍとの間で駆動電流の
通電が行われる複数の画素７には、極性が反転した駆動
電流により発光素子４０の駆動が行われる２種類の画素
７が同数、含まれているように構成してもよい。
【００６３】このような構成例を、図１３ないし図１７
を参照して説明する。図１３は、極性の反転した駆動電
流で発光素子４０が駆動される２種類の画素を構成した
形態のブロック図である。図１４および図１５はそれぞ
れ、極性の反転した駆動電流で発光素子４０を駆動する
際の走査信号、画像信号、共通給電線の電位、および電
位保持電極の電位の説明図である。
【００６４】本形態および後述する形態のいずれにおい
ても、図１３に示すように、極性の反転した駆動電流ｉ
で発光素子４０を駆動するにあたって、矢印Ｅで示すよ
うに共通給電線ｃｏｍから駆動電流が流れる画素７Ａで
は、第１のＴＦＴ２０をｎチャネル型で構成し、矢印Ｆ
で示すように共通給電線ｃｏｍに向けて駆動電流が流れ
る画素７Ｂでは、第１のＴＦＴ２０をｐチャネル型で構
成してある。このため、これらの２種類の画素７Ａ、７
Ｂのそれぞれに走査線ｇａｔｅＡ、ｇａｔｅＢを構成す
る。また、本形態では、画素７Ａの第２のＴＦＴ３０を
ｐチャネル型で構成する一方、画素７Ｂの第２のＴＦＴ
３０をｎチャネル型で構成し、いずれの画素７Ａ、７Ｂ
においても、第１のＴＦＴ２０と第２のＴＦＴ３０とを
逆導電型にしてある。従って、画素７Ａに対応するデー
タ線ｓｉｇＡと、画素７Ｂに対応するデータ線ｓｉｇＢ
とを介してそれぞれ供給される画像信号についても、後
述するように、その極性を反転させてある。
【００６５】さらに、各画素７Ａ、７Ｂでは、極性の反
転した駆動電流ｉで発光素子４０をそれぞれ駆動するこ
とから、後述するように、対向電極ｏｐの電位について
も、共通給電線ｃｏｍの電位を基準としたときに逆極性
となるように構成する必要がある。従って、対向電極ｏ
ｐについては、極性が同一の駆動電流ｉが流れる画素７
Ａ、７Ｂ同士を接続するように構成し、それぞれに所定
の電位を印加することになる。
【００６６】それ故、図１４および図１５のそれぞれに
は、画素７Ａ、７Ｂに対して、走査線ｇａｔｅＡ、ｇａ
ｔｅＢを介して供給される走査信号の波形、データ線ｓ
ｉｇＡ、ｓｉｇＢを介して供給される画像信号の波形、
対向電極ｏｐの電位、および電位保持電極ｓｔＡ、ｓｔ
Ｂの電位を、共通給電線ｃｏｍの電位を基準に表してあ
るように、画素７Ａ、７Ｂの間において、各信号は、点
灯期間および消灯期間のいずれにおいても逆極性となる
ように設定されている。
【００６７】また、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、各画素７Ａ、７Ｂには、異なる構造の発光素子４０
Ａ、４０Ｂが構成される。すなわち、画素７Ａに形成さ
れる発光素子４０Ａは、下層側から上層側に向かって、
ＩＴＯ膜からなる画素電極４１、正孔注入層４２、有機
半導体膜４３、対向電極ｏｐＡがこの順に積層されてい
る。これに対して、画素７Ｂに形成される発光素子４０
Ｂは、下層側から上層側に向かって、ＩＴＯ膜からなる
画素電極４１、透光性をもつほど薄いリチウム含有アル
ミニウム電極４５、有機半導体層４２、正孔注入層４
２、ＩＴＯ膜層４６、対向電極ｏｐＢがこの順に積層さ
れている。従って、発光素子４０Ａ、４０Ｂの間では、
それぞれ逆極性の駆動電流が流れるといっても、正孔注
入層４２および有機半導体層４２が直接、接する電極層
の構成が同一であるため、発光素子４０Ａ、４０Ｂの発
光特性は同等である。
【００６８】このような２種類の発光素子４０Ａ、４０
Ｂを形成するにあたって、双方の有機半導体膜４３およ
び正孔注入層４２はいずれも、インクジェット法により
バンク層ｂａｎｋの内側に形成するので、上下位置が反
対でも製造工程が複雑になることはない。また、発光素
子４０Ｂでは、発光素子４０Ａに比較して、透光性をも
つほど薄いリチウム含有アルミニウム電極４５、および
ＩＴＯ膜層４６を追加することになるが、それでも、リ
チウム含有アルミニウム電極４５は画素電極４１と同じ
領域で積層している構造になっていても表示に支障がな
く、ＩＴＯ膜層４６も対向電極ｏｐＢと同じ領域で積層
している構造になっていても表示に支障がない。それ
故、リチウム含有アルミニウム電極４５と画素電極４１
とはそれぞれ別々にパターニングしてもよいが、同じレ
ジストマスクで一括してパターニングしてもよい。同様
に、ＩＴＯ膜層４６と対向電極ｏｐＢとはそれぞれ別々
にパターニングしてもよいが、同じレジストマスクで一
括してパターニングしてもよい。リチウム含有アルミニ
ウム電極４５およびＩＴＯ膜層４６はバンク層ｂａｎｋ
の内側領域のみに形成してもよいことは勿論である。
【００６９】このようにして各画素７Ａ、７Ｂにおいて
極性の反転した駆動電流で発光素子４０Ａ、４０Ｂを駆
動できるようにした上で、前記の２種類の画素７Ａ、７
Ｂを図１７に示すように配置してある。この図におい
て、符合（−）が付されている画素は、図１３、図１
４、図１６で説明した画素７Ａに相当し、符合（＋）が
付されている画素は、図１３、図１５、図１６で説明し
た画素７Ｂに相当する。なお、図１７には、走査線ｇａ
ｔｅＡ、ｇａｔｅ、およびデータ線ｓｉｇＡ、ｓｉｇＢ
の図示を省略してある。
【００７０】図１７に示すように、本形態では、データ
線ｓｉｇＡ、ｓｉｇＢの延設方向では各画素における駆
動電流の極性が同一で、走査線ｇａｔｅＡ、ｇａｔｅＢ
の延設方向では各画素における駆動電流の極性が１画素
毎に反転している。なお、各画素に対応する対向電極ｏ
ｐＡ、ｏｐＢの形成領域をそれぞれ一点鎖線で示すよう
に、いずれの対向電極ｏｐＡ、ｏｐＢも、極性が同一の
駆動電流が流れる画素７Ａ、７Ｂ同士を接続するように
構成してある。すなわち、対向電極ｏｐＡ、ｏｐＢは、
データ線ｓｉｇＡ、ｓｉｇＢの延設方向に沿ってストラ
イプ状に別々に形成され、対向電極ｏｐＡ、ｏｐＢのそ
れぞれには、共通給電線ｃｏｍの電位を基準としたとき
に負の電位、および正の電位が印加される。
【００７１】従って、各画素７Ａ、７Ｂと共通給電線ｃ
ｏｍとの間には、それぞれ図１３に矢印Ｅ、Ｆに示す向
きの駆動電流ｉが流れることになる。このため、共通給
電線ｃｏｍを実質的に流れる電流は、極性の異なる駆動
電流ｉの間で相殺されるので、共通給電線ｃｏｍに流れ
る駆動電流が小さくて済む。従って、共通給電線ｃｏｍ
をその分、細くすることができるので、画素７Ａ、７Ｂ
において画素領域の発光領域の割合を高めることがで
き、輝度、コントラスト比などの表示性能を向上させる
ことができる。
【００７２】［実施の形態３］なお、同一の共通給電線
ｃｏｍとの間で駆動電流が逆の極性で流れるように画素
を配置するという観点からすれば、各画素を図１８に示
すように配置してもよい。なお、本形態では、各画素７
Ａ、７Ｂの構成などが実施の形態２と同様であるため、
その説明を省略し、図１８、および以下に説明する各形
態を説明するための図１９ないし図２１には、図１３、
図１４、図１６で説明した画素７Ａに相当する画素を符
合（−）で表し、図１３、図１５、図１６で説明した画
素７Ｂに相当する画素を符合（＋）で表してある。
【００７３】図１８に示すように、本形態では、データ
線ｓｉｇＡ、ｓｉｇＢの延設方向では各画素７Ａ、７Ｂ
における駆動電流の極性が同一で、走査線ｇａｔｅＡ、
ｇａｔｅＢの延設方向では各画素７Ａ、７Ｂにおける駆
動電流の極性が２画素毎に反転するように構成されてい
る。
【００７４】このように構成した場合にも、各画素７
Ａ、７Ｂと共通給電線ｃｏｍとの間には、それぞれ図１
３に矢印Ｅ、Ｆに示す向きの駆動電流ｉが流れることに
なる。このため、共通給電線ｃｏｍを流れる電流は、極
性の異なる駆動電流ｉの間で相殺されるので、共通給電
線ｃｏｍに流れる駆動電流が小さくて済む。従って、共
通給電線ｃｏｍをその分、細くすることができるので、
画素領域の画素７Ａ、７Ｂにおいて画素領域の発光領域
の割合を高めることができ、輝度、コントラスト比など
の表示性能を向上させることができる。それに加えて、
本形態では、走査線ｇａｔｅＡ、ｇａｔｅＢの延設方向
において駆動電流の極性が２画素毎に反転しているた
め、同じ極性の駆動電流で駆動される画素同士であれ
ば、隣接し合う２列の画素に対して共通の対向電極ｏｐ
Ａ、ｏｐＢをストライプ状に形成すればよい。それ故、
対向電極ｏｐＡ、ｏｐＢのストライプ数を１／２に減ら
すことができる。また、１画素毎のストライプに比し
て、対向電極ｏｐＡ、ｏｐＢの抵抗を小さくできること
から、対向電極ｏｐＡ、ｏｐＢの電圧降下の影響を軽減
することができる。
【００７５】［実施の形態４］また、同一の共通給電線
ｃｏｍとの間で駆動電流が逆の極性で流れるように画素
を配置するという観点からすれば、各画素を図１９に示
すように配置してもよい。
【００７６】図１９に示すように、本形態では、走査線
ｇａｔｅＡ、ｇａｔｅＢの延設方向では各画素７Ａ、７
Ｂにおける駆動電流の極性が同一で、データ線ｓｉｇ
Ａ、ｓｉｇＢの延設方向では各画素７Ａ、７Ｂにおける
駆動電流の極性が１画素毎に反転するように構成されて
いる。
【００７７】このように構成した場合にも、実施の形態
２または３と同様、共通給電線ｃｏｍを流れる電流は、
極性の異なる駆動電流の間で相殺されるので、共通給電
線ｃｏｍに流れる駆動電流が小さくて済む。従って、共
通給電線ｃｏｍをその分、細くすることができるので、
画素７Ａ、７Ｂにおいて画素領域の発光領域の割合を高
めることができ、輝度、コントラスト比などの表示性能
を向上させることができる。
【００７８】［実施の形態５］また、同一の共通給電線
ｃｏｍとの間で駆動電流が逆の極性で流れるように画素
を配置するという観点からすれば、各画素を図２０に示
すように配置してもよい。
【００７９】図２０に示すように、本形態では、走査線
ｇａｔｅＡ、ｇａｔｅＢの延設方向では各画素７Ａ、７
Ｂにおける駆動電流の極性が同一で、データ線ｓｉｇ
Ａ、ｓｉｇＢの延設方向では各画素７Ａ、７Ｂにおける
駆動電流の極性が２画素毎に反転するように構成されて
いる。
【００８０】このように構成した場合には、実施の形態
３と同様、共通給電線ｃｏｍを流れる電流は、極性の異
なる駆動電流の間で相殺されるので、共通給電線ｃｏｍ
に流れる駆動電流が小さくて済む。従って、共通給電線
ｃｏｍをその分、細くすることができるので、画素７
Ａ、７Ｂにおいて画素領域の発光領域の割合を高めるこ
とができ、輝度、コントラスト比などの表示性能を向上
させることができる。それに加えて、本形態では、デー
タ線ｓｉｇＡ、ｓｉｇＢの延設方向において駆動電流の
極性が２画素毎に反転しているため、同じ極性の駆動電
流で駆動される画素同士であれば、隣接し合う２列の画
素に対して共通の対向電極ｏｐＡ、ｏｐＢをストライプ
状に形成すればよい。それ故、対向電極ｏｐＡ、ｏｐＢ
のストライプ数を１／２に減らすことができる。また、
１画素毎のストライプに比して、対向電極ｏｐＡ、ｏｐ
Ｂの抵抗を小さくできることから、対向電極ｏｐＡ、ｏ
ｐＢの電圧降下の影響を軽減することができる。
【００８１】［実施の形態６］また、同一の共通給電線
ｃｏｍとの間で駆動電流が逆の極性で流れるように画素
を配置するという観点からすれば、各画素を図２１に示
すように配置してもよい。
【００８２】図２１に示すように、本形態では、走査線
ｇａｔｅＡ、ｇａｔｅＢの延設方向およびデータ線ｓｉ
ｇＡ、ｓｉｇＢの延設方向のいずれの方向でも、各画素
７Ａ、７Ｂにおける駆動電流の極性が１画素毎に反転す
るように構成されている。
【００８３】このように構成した場合にも、実施の形態
２ないし４と同様、共通給電線ｃｏｍを流れる電流は、
極性の異なる駆動電流の間で相殺されるので、共通給電
線ｃｏｍに流れる駆動電流が小さくて済む。従って、共
通給電線ｃｏｍをその分、細くすることができるので、
画素７Ａ、７Ｂにおいて発光領域の割合を高めることが
でき、輝度、コントラスト比などの表示性能を向上させ
ることができる。
【００８４】このように画素７Ａ、７Ｂを配置すると、
ストライプ状の対向電極ｏｐＡ、ｏｐＢでは対応できな
いが、それでも、各画素７Ａ、７Ｂ毎に対向電極ｏｐ
Ａ、ｏｐＢを形成するとともに、各対向電極ｏｐＡ、ｏ
ｐＢ同士を配線層で配線接続する構成とすればよい。
【００８５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る表示
装置では、共通給電線の両側に該共通給電線との間で駆
動電流の通電が行われる画素が配置されているため、２
列分の画素に対して１本の共通給電線で済む。それ故、
１列の画素群ごとに共通給電線を形成する場合と比較し
て共通給電線の形成領域を狭めることができるため、そ
の分、画素において発光領域の割合を高めることがで
き、輝度、コントラス比などの表示性能を向上させるこ
とができる。
【００８６】また、同一の前記共通給電線との間で前記
駆動電流の通電が行われる複数の画素に、極性が反転し
た駆動電流により前記発光素子の駆動が行われる２種類
の画素が含まれている場合には、１本の共通給電線にお
いて、共通給電線から発光素子に流れる駆動電流と、そ
れとは逆向きに発光素子から共通給電線に流れる駆動電
流とが相殺されるので、共通給電線に流れる駆動電流が
小さく済む。従って、共通給電線をその分、細くするこ
とができるので、画素において発光領域の割合を高める
ことができ、輝度、コントラス比などの表示性能を向上
させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した表示装置、およびそれに形成
したバンク層の形成領域を模式的に示す説明図である。
【図２】本発明を適用した表示装置の基本的な構成を示
すブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る表示装置の画素を
拡大して示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ′線における断面図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ′線における断面図である。
【図６】（Ａ）は図３のＣ−Ｃ′線における断面図、
（Ｂ）はバンク層の形成領域を中継電極を覆うまで拡張
しない構造の断面図である。
【図７】図１に示す表示装置に用いた発光素子のＩ−Ｖ
特性を示すグラフである。
【図８】本発明を適用した表示装置の製造方法を示す工
程断面図である。
【図９】図１に示す表示装置の改良例を示すブロック図
である。
【図１０】（Ａ）は、図９に示す表示装置に形成したダ
ミーの配線層を示す断面図、（Ｂ）はその平面図であ
る。
【図１１】図３に示す表示装置の変形例を示すブロック
図である。
【図１２】（Ａ）は、図１１に示す表示装置に形成した
画素を拡大して示す平面図、（Ｂ）はその断面図であ
る。
【図１３】本発明の実施の形態２に係る表示装置に構成
した駆動電流が反転した２つの画素の構成を示す等価回
路図である。
【図１４】図１３に示す２つの画素のうちの一方の画素
を駆動するための各信号の波形図である。
【図１５】図１３に示す２つの画素のうちの他方の画素
を駆動するための各信号の波形図である。
【図１６】図１３に示す２つの画素に構成される発光素
子の構成を示す断面図である。
【図１７】図１３に示す表示装置における画素の配置を
示す説明図である。
【図１８】本発明の実施の形態３に係る表示装置におけ
る画素の配置を示す説明図である。
【図１９】本発明の実施の形態４に係る表示装置におけ
る画素の配置を示す説明図である。
【図２０】本発明の実施の形態５に係る表示装置におけ
る画素の配置を示す説明図である。
【図２１】本発明の実施の形態６に係る表示装置におけ
る画素の配置を示す説明図である。
【図２２】従来の表示装置のブロック図である。
【図２３】（Ａ）は、図２２に示す表示装置に形成した
画素を拡大して示す平面図、（Ｂ）はその断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 表示装置 ２ 表示部 ３ データ側駆動回路 ４ 走査側駆動回路 ５ 検査回路 ６ 実装用パッド ７、７Ａ、７Ｂ 画素 １０ 透明基板 ２０ 第１のＴＦＴ ２１ 第１のＴＦＴのゲート電極 ３０ 第２のＴＦＴ ３１ 第２のＴＦＴのゲート電極 ４０、４０Ａ、４０Ｂ 発光素子 ４１ 画素電極 ４２ 正孔注入層 ４３ 有機半導体膜 ４５ 薄いリチウム含有アルミニウム電極 ４６ ＩＴＯ膜層 ５０ ゲート絶縁膜 ５１ 第１の層間絶縁膜 ５２ 第２の層間絶縁膜 ＤＡ ダミーの配線層 ｂａｎｋ バンク層 ｃａｐ 保持容量 ｃｌｉｎｅ 容量線 ｃｏｍ 共通給電線 ｇａｔｅ、ｇａｔｅＡ、ｇａｔｅＢ 走査線 ｏｐ、ｏｐＡ、ｏｐＢ 対向電極 ｓｉｇ、ｓｉｇＡ、ｓｉｇＢ データ線 ｓｔ、ｓｔＡ、ｓｔＢ 電位保持電極

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の走査線と、 前記複数の走査線と交差する方向に延設された複数のデ
    ータ線と、 複数の共通給電線と、 前記複数のデータ線と前記複数の走査線とによりマトリ
    クス状に形成された複数の画素と、を有し、 前記複数の画素の各々は、 画素電極と、 ゲート電極を備え、前記複数の走査線のうち対応する走
    査線を介して走査信号が前記ゲート電極に供給される第
    １のトランジスタと、 前記複数のデータ線のうち対応するデータ線及び前記第
    １のトランジスタを介して供給される画像信号に応じ
    て、前記複数の共通給電線のうち対応する共通給電線と
    前記画素電極との電気的な接続の制御を行う第２のトラ
    ンジスタと、 前記第２のトランジスタを介して前記対応する共通給電
    線と前記画素電極とが電気的に接続したときに前記画素
    電極に対向する対向電極との間に流れる駆動電流によっ
    て発光する発光素子と、を備え、 前記複数の共通給電線のうち一つの共通給電線は、前記
    複数の画素のうち、当該一つの共通給電線の両側に当該
    一つの共通給電線に沿って配置された２列の画素に前記
    駆動電流を供給すること、を特徴とする表示装置。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の表示装置において、 前記発光素子は、前記画素電極と前記対向電極との間に
    配置された有機半導体膜を備え、前記有機半導体膜は前
    記駆動電流によって発光すること、を特徴とする表示装
    置。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の表示装置において、 前記有機半導体膜は、絶縁膜からなるバンク層で囲まれ
    ていること、を特徴とする表示装置。
  4. 【請求項４】請求項２または３に記載の表示装置におい
    て、 前記有機半導体膜は、インクジェット法により形成され
    た膜であること、を特徴とする表示装置。
  5. 【請求項５】 複数の走査線と、 前記複数の走査線と交差する方向に延設された複数のデ
    ータ線と、 複数の共通給電線と、 前記複数のデータ線と前記複数の走査線とによりマトリ
    クス状に形成された複数の画素電極と、 各々のゲート電極が前記複数の走査線のうち対応する走
    査線に接続された複数の第１のトランジスタと、 各々のソースあるいはドレインが前記複数の画素電極の
    うち対応する画素電極に接続された複数の第２のトラン
    ジスタと、を備え、 前記複数の共通給電線のうち一つの共通給電線は、前記
    複数の第２のトランジスタのうち、当該一つの共通給電
    線の両側に当該一つの共通給電線に沿って配置された２
    列分の第２のトランジスタに接続されていること、を特
    徴とするアクティブマトリクス基板。
  6. 【請求項６】請求項５に記載のアクティブマトリクス基
    板と、前記複数の画素電極と前記複数の画素電極に対向
    する対向電極との間に駆動電流が流れることにより発光
    する複数の発光素子と、を有する表示装置。
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