JP2010062003A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 絶縁基板上に、TFT素子、前記TFT素子に接続された第1の電極、第2の電極、および前記第1の電極と前記第2の電極との間に介在する発光層を有する画素がマトリクス状に配置されており、前記第2の電極は、複数の画素で共有される透明な導電体でなり、かつ、前記絶縁基板の上に設けられた補助配線に接続されている表示装置であって、前記TFT素子、前記第1の電極、前記発光層、および前記第2の電極は、前記絶縁基板上に、この順序で積層されており、前記補助配線は、前記絶縁基板と前記第2の電極との間に配置され、かつ、前記補助配線と前記第2の電極との間には絶縁層が介在しており、前記補助配線と前記第2の電極とは、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して接続している表示装置。
【選択図】 図1(b)
Description
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図1(a)は、本発明による一実施例の有機EL表示装置における画素の構成の一例を示す模式平面図である。図1(b)は、図1(a)のA−A’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図1(c)は、有機EL表示装置の1つの画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。図1(d)は、図1(c)に示した構成を有する有機EL表示装置の動作の一例を示す模式図である。
図2(a)は、TFT素子を形成した直後の断面構成の一例を示す模式断面図である。図2(b)は、第4の絶縁層を形成した直後の断面構成の一例を示す模式断面図である。図2(c)は、反射膜と補助配線を形成した直後の断面構成の一例を示す模式断面図である。図2(d)は、第1の電極を形成した直後の断面構成の一例を示す模式断面図である。図2(e)は、バンク層を形成した直後の断面構成の一例を示す模式断面図である。図2(f)は、有機EL層を形成した直後の断面構成の一例を示す模式断面図である。
なお、図2(a)乃至図2(f)は、図1(a)に示したA−A’線における各工程の直後の断面構成の一例を示している。
2…TFT素子
2a…半導体層
2b…ゲート電極
2c…ソース電極
2d…ドレイン電極
3…第1の電極
4…発光層
5…第2の電極
6…補助配線
7…第1の絶縁層
8…第2の絶縁層
9…第3の絶縁層
10…第4の絶縁層
11…反射膜
12…導電層
13…第5の絶縁層(バンク層)
14…第1のエッチングレジスト
15…第2のエッチングレジスト
Tr1,Tr2,Tr3,Tr4…トランジスタ
VOLED…電源線
VOCOM…コモン配線
ILM…発光制御信号線
RES…リセット制御信号線
DS…データ信号線
Claims (9)
- 絶縁基板上に、TFT素子、前記TFT素子に接続された第1の電極、前記第1の電極と対向する第2の電極、および前記第1の電極と前記第2の電極との間に介在する発光層を有する画素がマトリクス状に配置されており、前記第2の電極は、複数の画素で共有される透明な導電体でなり、かつ、前記絶縁基板上に設けられた補助配線に接続されている表示装置であって、
前記TFT素子、前記第1の電極、前記発光層、および前記第2の電極は、前記絶縁基板上に、この順序で積層されており、
前記補助配線は、前記絶縁基板と前記第2の電極との間に配置され、かつ、前記補助配線と前記第2の電極との間には絶縁体でなるバンク層が介在しており、
前記補助配線と前記第2の電極とは、前記補助配線と前記第2の電極との間に介在する前記バンク層に設けられたコンタクトホールを介して接続していることを特徴とする表示装置。 - 前記第1の電極と前記補助配線は、前記絶縁基板上に設けられた1つの絶縁層の同じ面に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1の電極と前記1つの絶縁層との間に、反射膜を有することを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記第1の電極の上には、前記バンク層が配置されており、
前記バンク層は、前記第1の電極の一部の領域が露出する開口部を有し、
前記発光層は、前記バンク層の前記開口部に充填されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記マトリクス状に配置された画素は、行方向で隣接する2つの画素における前記バンク層の前記開口部の平面形状の関係、または列方向で隣接する2つの画素における前記バンク層の前記開口部の平面形状の関係のいずれかが、
当該2つの画素の境界を対称軸とする線対称であり、かつ、並進対称性を有さない関係であることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。 - 絶縁基板上に、TFT素子、前記TFT素子に接続された第1の電極、前記第1の電極と対向する第2の電極、および前記第1の電極と前記第2の電極との間に介在する発光層を有する画素と、前記第2の電極に接続される補助配線とを形成する表示装置の製造方法であって、
前記絶縁基板上に前記TFT素子を形成する第1の工程と、
前記第1の電極および前記補助配線を形成する第2の工程と、
前記第1の電極の一部の領域が露出する第1の開口部、および前記補助配線の一部の領域が露出する第2の開口部を有する絶縁層を形成する第3の工程と、
前記第1の開口部に前記発光層を充填する第4の工程と、
前記第1の開口部において前記発光層と接続し、かつ、前記第2の開口部において前記補助配線と接続する前記第2の電極を形成する第5の工程とを有し、
前記第2の工程は、導電膜をエッチングして前記第1の電極および前記補助配線を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第2の工程は、金属膜をエッチングして反射膜および前記補助配線を形成する工程と、
透明な導電膜をエッチングして前記第1の電極を形成する工程とを有することを特徴とする請求項6に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第2の工程は、金属膜および透明な導電膜を続けて形成した後、当該透明な導電膜および金属膜をエッチングして前記第1の電極、前記補助配線、および反射膜を形成することを特徴とする請求項6に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2の工程は、金属膜をエッチングして前記第1の電極および前記補助配線を形成することを特徴とする請求項6に記載の表示装置の製造方法。
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