JP4759719B2 - 光放出装置および製造方法 - Google Patents
光放出装置および製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4759719B2 JP4759719B2 JP2000024211A JP2000024211A JP4759719B2 JP 4759719 B2 JP4759719 B2 JP 4759719B2 JP 2000024211 A JP2000024211 A JP 2000024211A JP 2000024211 A JP2000024211 A JP 2000024211A JP 4759719 B2 JP4759719 B2 JP 4759719B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- current propagation
- terminal
- light
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置に関し、さらに詳しくは薄膜トランジスタ有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
フラット・パネル表示(FPD)技術における進歩は、高品質、広画面、フルカラー高解像度表示を可能にした。現在のところ、液晶表示(LCD)は、優れた表示である。LCDの欠点は、低周囲光下での低い特性である。例えば、反射型LCDは、周囲光からの光を誘導する、すなわち周囲光はLCDによって反射されるので、高周囲光条件においてのみ使用できる。いくつかの透反射LCDは、透過モードで動作するよう設計されるとともに、周囲光が不十分である場合の使用のため、バック・ライト装置を備える。さらに、透反射表示は、いくつかの視覚的特徴を有し、明るい放射型表示を好むユーザが存在する。しかしながら、これらの表示は、一般に、携帯電子装置のような小さい装置に実際に使用するには大きすぎ、また携帯表示に応用するには致命的ともいえる影響を与える大きな電力を消費する。
【0003】
有機エレクトロルミネッセンス装置(OED:Organic Electroluminescent Device)アレイは、小型の製品、特にページャ,セルラ携帯電話,二方向無線機,データ・バンクなどの小型電子装置への使用に際し、潜在的に強力な設計上の選択として出現してきている。OEDアレイは、多様な周囲光条件(わずかの光あるいは光の無いところから明るい周囲光)のもとでの表示の使用に際し十分な光を発生させることが可能である。さらに、OEDは、比較的安くまた非常に小さい(10分の1ミリメータより小さな直径)ものから比較的大きい(1インチより大きい)ものまで製造できるので、OEDアレイは様々なサイズに製造できる。また発光動作は非常に広い視野角を提供するというさらなる利点を有する。
【0004】
【解決しようとする課題】
OED装置が有する欠点は、メモリ不足のため単純な2端子法を用いて駆動することが困難なことである。OEDの立ち上がりおよび減衰時間は極めて速く、それは本質的に記憶を有しない。この課題を克服するために、4端子薄膜トランジスタ(TFT)素子がOED装置を駆動するために開発された。これらの装置は、2つのTFT,記憶キャパシタ,および基板上に配置されたOEDパッドを含む。記憶キャパシタは、アドレスされたEL素子への電力が一度選択されると維持し続けることを可能にする。
【0005】
上記課題をうまく克服する一方、記憶キャパシタのための処理と生成は非常に複雑で、製造過程で達成するのは困難である。これらの装置では、キャパシタはゲート電極によって形成され、キャパシタの下部電極として動作し、ゲート酸化分離層によって上部被覆電極から分離される。上部電極はソース領域に結合される。この構造の例は、1996年6月19日に公開された欧州特許庁公報番号EP O 717,445 A2に開示されている。いくつかの問題がこのタイプの装置には明らかで、すなわち、処理は複雑でキャパシタ・プロセスによって形成されたOEDの陽極での鋭いエッジによる漏洩(リーケッジ)が起こり得る。
【0006】
OEDを表示に使用する際の別の課題は、フルカラー表示を達成するに必要な色の生成である。赤、緑および青用のOEDを製造することはできるが、異なる有機材料を必要とし、その結果各色は別々に製造しなければならない。さらに、実現された色は純粋な原色ではなく、比較的広いスペクトラムを有する。赤色光の生成はOEDでは非常に難しく、例えば青色のような他の色を赤色光に変換することが知られている。このような技術の一つが「赤色蛍光変換膜及びそれを用いた赤色発光素子」と題する1996年11月1日付け公開特許、特開平8−286033に開示されている。青色光を赤色光に変換する間、その変換効率は極めて低く、かつその赤色光には許容できない程の青緑色光の成分を含む。
【0007】
したがって、新規で改良された発光装置および製造方法を提供することが非常に望まれている。
【0008】
本願発明は、また改善された特性を有する新規で改良された発光装置を提供することを目的とする。
【0009】
本願発明は、さらに簡略化されたプロセスで発光装置を製造する新規で改良された方法を提供することを目的とする。
【0010】
本願発明は、さらにまたキャパシタを有する発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記および他の課題は少なくとも部分的には解決され、上記および他の目的は、薄膜トランジスタ,微小空洞および色変換媒体を含む発光装置で実現される。薄膜トランジスタは、電流伝搬端子を含む。有機エレクトロルミネッセンス素子は、広スペクトラム光を発し、電流伝搬端子に結合された第1端子を含む。色変換媒体はそれに与えられた光を吸収し、吸収された光に応答して光を放出する。微小空洞は有機エレクトロルミネッセンス素子からの光を色変換媒体へ向ける。
【0012】
また、薄膜トランジスタ,微小空洞および色変換媒体を含む発光装置を製造する方法を提供する。
【0013】
【実施例】
図面を参照して、同じ数字は図面を通して対応する要素を示しす。まず図1を参照して、アドレス指定可能な画素からなる複数の発光装置を形成する4端子アクティブ・マトリックス表示の模式図を示す。発光装置10は、破線で示されているが、電力TFT12、アドレス指定可能なTFT13、記憶キャパシタ14、およびOED素子15を含む。4端子法の主要な利点は、アドレス信号をOED励起信号から切り離す能力である。OED素子はアドレス指定可能なTFTを介して選択され、OED素子への励起電力は電力TFTにより制御される。記憶キャパシタはアドレス指定可能なTFTへの励起電力が一度OED素子を選択すると維持し続けることを可能にする。このように、OED素子は、アドレスのために割り当てられた時間にかかわらず、100%に近いデューティ・サイクルで動作できるメモリを提供する。
【0014】
図2に移り、簡略化された発光装置10の断面図が示される。発光装置10は、電力TFT12、アドレス指定可能なTFT13、記憶キャパシタ14、およびOED素子15を含む。電力TFT12は、ガラスあるいはそれと同等の透明絶縁基板19上に位置する半導体層20を含む。離間した第1および第2ドープ領域21,22は、注入、拡散あるいはそれらと同じ簡便な方法により半導体層20中に形成される。N+型ドーピングは、標準半導体回路での簡便な集積を行うために用いられる。ドープ領域21,22は、第1および第2電流伝達端子(例えば、ソースおよびドレイン)を定め、それらの間にチャネル23を具備する。第1および第2電流伝達端子はここではソースおよびドレインと呼ばれる。
【0015】
絶縁層25はチャネル23を覆う半導体層20上に設けられ、好ましくはSiO2あるいは他の酸化物、窒化物あるいはそれと同等のものから成る。半導体層26は、良好な伝導を得るために強くドープされるが(好ましくはn+)、絶縁層25上に設けられる。チャネル23を覆う半導体層26の一部は制御端子(例えば、ゲート)を形成し、図2で見られるように、半導体層26の最も左部分はドープ領域21の一部を覆う。キャパシタ14は、半導体層26およびドープ領域21の被覆部によって画定される。チャネル23を図2に関して現れるように層20内で中央から右へずらすことにより、オーバラップが実現される。一般に、ドープ領域21は、ドープ領域22より大きく形成され、これがずれを与える。キャパシタ14のこの類のない配置によって、プロセス工程および空間限界要求を緩和するとともに、制御端子(例えばゲート)とソースとの間にキャパシタを接続する。キャパシタの容量はドープ領域21、すなわちソース端子、の面積を変更することによりたやすく制御することができる。処理工程は、追加の層が追加されないので、削減される。既存の層を再配分することによりキャパシタ14が得られる。
【0016】
接合金属30がドープ領域21上に設けられ、ドープ領域21によって形成されたソース端子の外部への電気的接合として動作する。図1に関連する追加の説明として、接合金属30は同一の行の電力TFTの近傍へ延び、ドープ領域21によって形成された全てのソース端子をグランドに接続する。
【0017】
SiO2である層31は、電力TFT12近傍の基板19の表面上に形成され、OED素子15の形成に寄与する。層31は基板19の形成に依存し選択的であるとともに、この明細書の目的から基板19の一部と考えられる。これにより、SiO2のような絶縁材料のパッシベーション層36はTFT12の表面上に堆積される。
【0018】
色変換媒体(Color Converting Medium:CCM)40はパッシベーション層36の表面上およびSiO2である層31の表面上に堆積され平坦化される。微小空洞41はその後CCM40の表面上に処理形成される。微小空洞41はスペーサ42および誘電体積層43を含む。誘電体積層43は、異なる屈折率を有する複数の材料層から成る。複数の層は対を成す層に分けられ、各対の一方の層は第1屈折率を有するとともに他方の層は第1屈折率より小さい第2屈折率をもち、各対の層は協働して部分鏡を形成し光を反射する。複数の層は、様々な半透明金属および様々な誘電体を含む様々な材料から構成し得る。典型的な例として、例えば、誘電体積層43は、好ましくは、TiO2およびSiO2の交互層によって形成される。。一般に、2ないし4対の層がほぼ0.74の反射係数を与え、これは本目的に最適と考えられる。当業者に理解されるように、誘電体積層43の各対の層は発光周波数の1/2の整数倍の動作層厚を持つ部分ミラーを画定し、それにより全ての反射光が同相になる。
【0019】
その後、経路あるいは穴50がスペーサ42、誘電体積層43、CCM40、パッシベーション層36および層31を介して金属接点51の設けられたドレイン端子22へ貫通される。OED15は、その後スペーサ42の表面上で処理形成される。OED15は金属接点51を介してドレイン端子22に結合された第1端子65を含む。第1端子65は、ドープ領域22と電気的結合をもって微小空洞41上にITOあるいは他の透明導体である透明導電層を堆積することにより形成され、OED光出力を装置10の残余と通信する。少なくとも、1つの有機エレクトロルミネッセンス層56が第1端子55上に堆積される。第2端子を画定する導電層57は有機エレクトロルミネッセンス層56を覆って堆積される。導電層57はOED15への電力供給のための外部電気接点を提供する。導電層57は、また構造全体に対してパッシベーッション(保護)を与える。微小空洞41はOED15からの光出力と一列に配置され、光スペクトラムを高める。もちろん、図1に関連するOED15は、使用される材料に依存して、1つの有機層からいくつかの有機層を含む。
【0020】
アドレス指定可能なTFTは図2に示されていないが、本発明に重要ではない様々な技術によって、またどのような位置にも集積できることは理解できよう。
【0021】
最近、効率的なRGB光放出が有機OED素子をCCM40のようなCCM素子と結合することにより達成されることが発表された(上記日本の公報を参照)。青色有機光放出として提供されるOED15の場合、CCM40は青色フィルタおよび緑および赤CCMのような有機蛍光媒体から成り、それは青からの放出光の色を変え、RGBフルカラー表示を形成する。TFT駆動は、低電流密度(1ma/cm2)で動作するので、エレクトロルミネッセンスの信頼性を高める。微小空洞41は、OED15からの青色光を強調し純化する効果を有する。微小空洞41からのこのような強調されかつ純化された青色光は青色フィルタであるCCM40を通過し、青色出力を高める。緑色出力を得るために、CCM40の緑CCMは青色を吸収し、緑色光を放出する。赤色出力を得るために、赤CCM画素が必要とされる。CCM40の赤CCMは青色を吸収し、緑色光を放出する。その後、緑色光は、再吸収され、赤色光出力の形式で再放出する。
【0022】
青−緑有機光放出として提供されるOED15の場合には、CCM40は青色および緑色フィルタおよび赤CCMのような有機蛍光媒体から成り、それは青−緑からの放出光の色を変え、RGBフルカラー表示を形成する。上記したように、TFT駆動は、低電流密度(1ma/cm2)で動作するので、エレクトロルミネッセンスの信頼性を高める。微小空洞41は、OED15からの青色光を強調し純化する効果を有する。微小空洞41からのこのような強調されかつ純化された青−緑光出力は青および緑色フィルタであるCCM40を通過し、青−緑色出力をそれぞれ高める。赤色光出力を得るために、CCM40の赤CCMは青および緑色を吸収し、赤色光を放出する。赤色出力を得るために、赤CCM画素が必要とされる。
【0023】
図示した目的のために、ここに選択された実施例への変更および修正は当業者にとっては容易に行われるであろう。このような変更および修正をする範囲は、本発明の思想を逸脱するものではなく、本発明の範囲内に含められるものであり、請求項の公正な解釈によってのみ評価される。
【0024】
明瞭かつ簡潔な用語をもって本発明を十分に記述したことにより、当業者であれば本発明と同等のものを理解し実施することが可能となるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】4端子のアクティブ・マトリックス発光装置の模式図である。
【図2】本願発明に係る発光装置の簡略化された断面図である。
【符号の説明】
10:発光装置
12:電力TFT
13:アドレス指定可能なTFT
14:記憶キャパシタ
15:OED素子
19:透明絶縁基板
20:半導体層
21.22:第1および第2離間したドープ領域
25:絶縁層
26:半導体層
30:接合金属
36:パッシベーション層
40:色変換媒体(Color Converting Medium:CCM)
41:微小空洞
42:スペーサ
43:誘電体積層
50:経路
51:金属接点
55:第1端子
56:有機エレクトロルミネッセンス層
57:導電層
Claims (3)
- 光放出装置であって、
薄膜トランジスタ(12)であって、
第1及び第2電流伝搬端子(21、22)と、該第1及び第2電流伝搬端子間に形成されたチャネル(23)とを含む第1半導体層(20)と、
前記第1半導体層上に設けられた絶縁層(25)と、
前記絶縁層上に設けられ、前記チャネルを覆う制御端子を含む第2半導体層(26)とを含み、前記第2半導体層の一部が前記第1電流伝搬端子(21)の第1の部分を覆うように前記チャネルが前記第1半導体層の中央から前記第2電流伝搬端子側にシフトしている、前記薄膜トランジスタと、
前記第2半導体層の前記一部、前記絶縁層の一部、及び前記第1電流伝搬端子(21)の前記第1の部分によって形成されるキャパシタ(14)と、
前記電流伝搬端子に接続された第1端子を有し、広スペクトラムをもつ光を放出する有機エレクトロルミネッセンス素子(15)と、
与えられる光を吸収し、吸収された光に応答して光を放出する色変換媒体(40)と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子から放出された光を前記色変換媒体に結合する微小空洞(41)と、
から構成され、
前記第1電流伝搬端子(21)は、前記第2半導体層(26)の一部によって覆われていない前記第1電流伝搬端子(21)の第2の部分上に形成された領域であって、前記絶縁層(25)と隣接し、かつ前記薄膜トランジスタ(12)及び前記キャパシタ(14)によって共有される単一の接合金属(30)を形成するための前記領域を有することを特徴とする光放出装置(10)。 - 基板上に形成されたアドレス可能な複数の画素から構成されるアクティブ・マトリックスを含む光放出装置であって、
各画素は、
薄膜トランジスタ(12)であって、
第1及び第2電流伝搬端子(21、22)と、該第1及び第2電流伝搬端子間に形成されたチャネル(23)とを含む第1半導体層(20)と、
前記第1半導体層上に設けられた絶縁層(25)と、
前記絶縁層上に設けられ、前記チャネルを覆う制御端子を含む第2半導体層(26)とを含み、前記第2半導体層の一部が前記第1電流伝搬端子(21)の第1の部分を覆うように前記チャネルが前記第1半導体層の中央から前記第2電流伝搬端子側にシフトしている、前記薄膜トランジスタと、
前記第2半導体層の前記一部、前記絶縁層の一部、及び前記第1電流伝搬端子(21)の前記第1の部分によって形成されるキャパシタ(14)と、
前記電流伝搬端子に接続された第1端子を有し、広スペクトラムをもつ光を放出する有機エレクトロルミネッセンス素子(15)と、
与えられる光を吸収し、吸収された光に応答して光を放出する色変換媒体(40)と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子から放出された光を前記色変換媒体に結合する微小空洞(41)と、を有し、
前記第1電流伝搬端子(21)は、前記第2半導体層(26)の一部によって覆われていない前記第1電流伝搬端子(21)の第2の部分上に形成された領域であって、前記絶縁層(25)と隣接し、かつ前記薄膜トランジスタ(12)及び前記キャパシタ(14)によって共有される単一の接合金属(30)を形成するための前記領域を有することを特徴とする光放出装置。 - 光放出装置の製造方法であって、
基板(19)を提供する段階と、
薄膜トランジスタ及びキャパシタを前記基板上に堆積する段階であって、
前記薄膜トランジスタは、
第1及び第2電流伝搬端子(21、22)と、該第1及び第2電流伝搬端子間に形成されたチャネル(23)とを含む第1半導体層(20)と、
前記第1半導体層上に設けられた絶縁層(25)と、
前記絶縁層上に設けられ、前記チャネルを覆う制御端子を含む第2半導体層(26)とを含み、前記第2半導体層の一部が前記第1電流伝搬端子(21)の第1の部分を覆うように前記チャネルが前記第1半導体層の中央から前記第2電流伝搬端子側にシフトしており、
前記キャパシタは、前記第2半導体層の前記一部、前記絶縁層の一部、及び前記第1電流伝搬端子(21)の前記第1の部分によって形成される、前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを前記基板上に堆積する段階であって、前記第1電流伝搬端子(21)は、前記第2半導体層(26)の一部によって覆われていない前記第1電流伝搬端子(21)の第2の部分上に形成された領域であって、前記絶縁層(25)と隣接し、かつ前記薄膜トランジスタ(12)及び前記キャパシタ(14)によって共有される単一の接合金属(30)を形成するための前記領域を有する、前記堆積する段階と、
前記薄膜トランジスタを覆う色変換媒体(40)を形成する段階と、
微小空洞(41)を前記色変換媒体上に堆積する段階と、
有機エレクトロルミネッセンス素子(15)を前記微小空洞上に前記電流伝搬端子と電気的結合をもって形成される段階と、
から構成されることを特徴とする光放出装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000024211A JP4759719B2 (ja) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | 光放出装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000024211A JP4759719B2 (ja) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | 光放出装置および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001217076A JP2001217076A (ja) | 2001-08-10 |
JP4759719B2 true JP4759719B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=18550238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000024211A Expired - Lifetime JP4759719B2 (ja) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | 光放出装置および製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4759719B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004207065A (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 色変換発光デバイスおよびその製造方法ならびに該デバイスを用いるディスプレイ |
KR101127061B1 (ko) * | 2004-04-08 | 2012-03-26 | 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 | 색 변환 매체를 갖는 유기 발광 디바이스 |
US7057339B2 (en) * | 2004-04-08 | 2006-06-06 | Eastman Kodak Company | OLED with color change media |
KR100767680B1 (ko) * | 2006-10-24 | 2007-10-17 | 엘지전자 주식회사 | 전계 발광 소자와 그 기판 및 그 제조방법 |
KR101378864B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2014-03-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2655941B2 (ja) * | 1991-01-30 | 1997-09-24 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH10186414A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-14 | Sony Corp | 反射型ゲストホスト液晶表示装置 |
US5920080A (en) * | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
JPH1164885A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-05 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
US6140764A (en) * | 1998-07-20 | 2000-10-31 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent apparatus with mircrocavity |
-
2000
- 2000-02-01 JP JP2000024211A patent/JP4759719B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001217076A (ja) | 2001-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10714557B2 (en) | Substrate for display device and display device including the same | |
JP7462817B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の作製方法 | |
US6111270A (en) | Light-emitting apparatus and method of fabrication | |
US7030553B2 (en) | OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel | |
JP3995476B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
CN101322170B (zh) | 显示模块以及使用其的电子设备 | |
US7482746B2 (en) | Liquid crystal display apparatus having reflective layer | |
US6111361A (en) | Light emitting apparatus and method of fabrication | |
CN100375312C (zh) | 有机电致发光显示面板装置及其制造方法 | |
KR20180076661A (ko) | 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치 | |
US10916605B2 (en) | Display substrate, method of manufacturing the same, and display device | |
CN101859794B (zh) | 显示装置及制造显示装置的方法 | |
US20070117257A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
CN105720081A (zh) | 一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法 | |
CN102169886A (zh) | 有机发光显示装置 | |
CN102856351B (zh) | 有机电激发光显示面板及其制造方法 | |
CN100578331C (zh) | 半穿透半反射式液晶显示面板 | |
JP2008513931A (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
EP1124261B1 (en) | Light emitting apparatus and method of fabrication | |
JP4271000B2 (ja) | 異なるセルギャップを有する、半透過型液晶ディスプレイ装置 | |
JP2003255378A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4759719B2 (ja) | 光放出装置および製造方法 | |
KR20120005755A (ko) | 유기 발광 장치 | |
CN113809136B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
JP7551932B2 (ja) | 半導体装置、その製造方法、及びディスプレイ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100514 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110511 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4759719 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |