JP2001217076A - 光放出装置および製造方法 - Google Patents
光放出装置および製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】発光素子からの光を異なる波長を有する光に変
換する光放出装置を提供することを目的とする。 【解決手段】光放出装置（１０）は、電流伝搬端子（１
２）を有する薄膜トランジスタ（１２）、電流伝搬端子
に接続された第１端子を有し広スペクトラムをもつ光を
放出する有機エレクトロルミネッセンス素子（１５）、
光を吸収しかつ吸収した光に応答して光を放出する色変
換媒体（４０）、および有機エレクトロルミネッセンス
素子から放出された光を色変換媒体へ結合する微笑空洞
（４１）から構成される。
換する光放出装置を提供することを目的とする。 【解決手段】光放出装置（１０）は、電流伝搬端子（１
２）を有する薄膜トランジスタ（１２）、電流伝搬端子
に接続された第１端子を有し広スペクトラムをもつ光を
放出する有機エレクトロルミネッセンス素子（１５）、
光を吸収しかつ吸収した光に応答して光を放出する色変
換媒体（４０）、および有機エレクトロルミネッセンス
素子から放出された光を色変換媒体へ結合する微笑空洞
（４１）から構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス装置に関し、さらに詳しくは薄膜トランジスタ
有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
ッセンス装置に関し、さらに詳しくは薄膜トランジスタ
有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フラット・パネル表示（ＦＰＤ）技術に
おける進歩は、高品質、広画面、フルカラー高解像度表
示を可能にした。現在のところ、液晶表示（ＬＣＤ）
は、優れた表示である。ＬＣＤの欠点は、低周囲光下で
の低い特性である。例えば、反射型ＬＣＤは、周囲光か
らの光を誘導する、すなわち周囲光はＬＣＤによって反
射されるので、高周囲光条件においてのみ使用できる。
いくつかの透反射ＬＣＤは、透過モードで動作するよう
設計されるとともに、周囲光が不十分である場合の使用
のため、バック・ライト装置を備える。さらに、透反射
表示は、いくつかの視覚的特徴を有し、明るい放射型表
示を好むユーザが存在する。しかしながら、これらの表
示は、一般に、携帯電子装置のような小さい装置に実際
に使用するには大きすぎ、また携帯表示に応用するには
致命的ともいえる影響を与える大きな電力を消費する。
おける進歩は、高品質、広画面、フルカラー高解像度表
示を可能にした。現在のところ、液晶表示（ＬＣＤ）
は、優れた表示である。ＬＣＤの欠点は、低周囲光下で
の低い特性である。例えば、反射型ＬＣＤは、周囲光か
らの光を誘導する、すなわち周囲光はＬＣＤによって反
射されるので、高周囲光条件においてのみ使用できる。
いくつかの透反射ＬＣＤは、透過モードで動作するよう
設計されるとともに、周囲光が不十分である場合の使用
のため、バック・ライト装置を備える。さらに、透反射
表示は、いくつかの視覚的特徴を有し、明るい放射型表
示を好むユーザが存在する。しかしながら、これらの表
示は、一般に、携帯電子装置のような小さい装置に実際
に使用するには大きすぎ、また携帯表示に応用するには
致命的ともいえる影響を与える大きな電力を消費する。
【０００３】有機エレクトロルミネッセンス装置（ＯＥ
Ｄ：Organic Electroluminescent Device）アレイは、
小型の製品、特にページャ，セルラ携帯電話，二方向無
線機，データ・バンクなどの小型電子装置への使用に際
し、潜在的に強力な設計上の選択として出現してきてい
る。ＯＥＤアレイは、多様な周囲光条件（わずかの光あ
るいは光の無いところから明るい周囲光）のもとでの表
示の使用に際し十分な光を発生させることが可能であ
る。さらに、ＯＥＤは、比較的安くまた非常に小さい
（１０分の１ミリメータより小さな直径）ものから比較
的大きい（１インチより大きい）ものまで製造できるの
で、ＯＥＤアレイは様々なサイズに製造できる。また発
光動作は非常に広い視野角を提供するというさらなる利
点を有する。
Ｄ：Organic Electroluminescent Device）アレイは、
小型の製品、特にページャ，セルラ携帯電話，二方向無
線機，データ・バンクなどの小型電子装置への使用に際
し、潜在的に強力な設計上の選択として出現してきてい
る。ＯＥＤアレイは、多様な周囲光条件（わずかの光あ
るいは光の無いところから明るい周囲光）のもとでの表
示の使用に際し十分な光を発生させることが可能であ
る。さらに、ＯＥＤは、比較的安くまた非常に小さい
（１０分の１ミリメータより小さな直径）ものから比較
的大きい（１インチより大きい）ものまで製造できるの
で、ＯＥＤアレイは様々なサイズに製造できる。また発
光動作は非常に広い視野角を提供するというさらなる利
点を有する。
【０００４】
【解決しようとする課題】ＯＥＤ装置が有する欠点は、
メモリ不足のため単純な２端子法を用いて駆動すること
が困難なことである。ＯＥＤの立ち上がりおよび減衰時
間は極めて速く、それは本質的に記憶を有しない。この
課題を克服するために、４端子薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）素子がＯＥＤ装置を駆動するために開発された。こ
れらの装置は、２つのＴＦＴ，記憶キャパシタ，および
基板上に配置されたＯＥＤパッドを含む。記憶キャパシ
タは、アドレスされたＥＬ素子への電力が一度選択され
ると維持し続けることを可能にする。
メモリ不足のため単純な２端子法を用いて駆動すること
が困難なことである。ＯＥＤの立ち上がりおよび減衰時
間は極めて速く、それは本質的に記憶を有しない。この
課題を克服するために、４端子薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）素子がＯＥＤ装置を駆動するために開発された。こ
れらの装置は、２つのＴＦＴ，記憶キャパシタ，および
基板上に配置されたＯＥＤパッドを含む。記憶キャパシ
タは、アドレスされたＥＬ素子への電力が一度選択され
ると維持し続けることを可能にする。
【０００５】上記課題をうまく克服する一方、記憶キャ
パシタのための処理と生成は非常に複雑で、製造過程で
達成するのは困難である。これらの装置では、キャパシ
タはゲート電極によって形成され、キャパシタの下部電
極として動作し、ゲート酸化分離層によって上部被覆電
極から分離される。上部電極はソース領域に結合され
る。この構造の例は、1996年6月19日に公開された欧州
特許庁公報番号EP O 717,445 A2に開示されている。い
くつかの問題がこのタイプの装置には明らかで、すなわ
ち、処理は複雑でキャパシタ・プロセスによって形成さ
れたＯＥＤの陽極での鋭いエッジによる漏洩（リーケッ
ジ）が起こり得る。
パシタのための処理と生成は非常に複雑で、製造過程で
達成するのは困難である。これらの装置では、キャパシ
タはゲート電極によって形成され、キャパシタの下部電
極として動作し、ゲート酸化分離層によって上部被覆電
極から分離される。上部電極はソース領域に結合され
る。この構造の例は、1996年6月19日に公開された欧州
特許庁公報番号EP O 717,445 A2に開示されている。い
くつかの問題がこのタイプの装置には明らかで、すなわ
ち、処理は複雑でキャパシタ・プロセスによって形成さ
れたＯＥＤの陽極での鋭いエッジによる漏洩（リーケッ
ジ）が起こり得る。
【０００６】ＯＥＤを表示に使用する際の別の課題は、
フルカラー表示を達成するに必要な色の生成である。
赤、緑および青用のＯＥＤを製造することはできるが、
異なる有機材料を必要とし、その結果各色は別々に製造
しなければならない。さらに、実現された色は純粋な原
色ではなく、比較的広いスペクトラムを有する。赤色光
の生成はＯＥＤでは非常に難しく、例えば青色のような
他の色を赤色光に変換することが知られている。このよ
うな技術の一つが「赤色蛍光変換膜及びそれを用いた赤
色発光素子」と題する1996年11月1日付け公開特許、特
開平8−286033に開示されている。青色光を赤色光に変
換する間、その変換効率は極めて低く、かつその赤色光
には許容できない程の青緑色光の成分を含む。
フルカラー表示を達成するに必要な色の生成である。
赤、緑および青用のＯＥＤを製造することはできるが、
異なる有機材料を必要とし、その結果各色は別々に製造
しなければならない。さらに、実現された色は純粋な原
色ではなく、比較的広いスペクトラムを有する。赤色光
の生成はＯＥＤでは非常に難しく、例えば青色のような
他の色を赤色光に変換することが知られている。このよ
うな技術の一つが「赤色蛍光変換膜及びそれを用いた赤
色発光素子」と題する1996年11月1日付け公開特許、特
開平8−286033に開示されている。青色光を赤色光に変
換する間、その変換効率は極めて低く、かつその赤色光
には許容できない程の青緑色光の成分を含む。
【０００７】したがって、新規で改良された発光装置お
よび製造方法を提供することが非常に望まれている。
よび製造方法を提供することが非常に望まれている。
【０００８】本願発明は、また改善された特性を有する
新規で改良された発光装置を提供することを目的とす
る。
新規で改良された発光装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】本願発明は、さらに簡略化されたプロセス
で発光装置を製造する新規で改良された方法を提供する
ことを目的とする。
で発光装置を製造する新規で改良された方法を提供する
ことを目的とする。
【００１０】本願発明は、さらにまたキャパシタを有す
る発光装置およびその製造方法を提供することを目的と
する。
る発光装置およびその製造方法を提供することを目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記および他の課題は少
なくとも部分的には解決され、上記および他の目的は、
薄膜トランジスタ，微小空洞および色変換媒体を含む発
光装置で実現される。薄膜トランジスタは、電流伝搬端
子を含む。有機エレクトロルミネッセンス素子は、広ス
ペクトラム光を発し、電流伝搬端子に結合された第１端
子を含む。色変換媒体はそれに与えられた光を吸収し、
吸収された光に応答して光を放出する。微小空洞は有機
エレクトロルミネッセンス素子からの光を色変換媒体へ
向ける。
なくとも部分的には解決され、上記および他の目的は、
薄膜トランジスタ，微小空洞および色変換媒体を含む発
光装置で実現される。薄膜トランジスタは、電流伝搬端
子を含む。有機エレクトロルミネッセンス素子は、広ス
ペクトラム光を発し、電流伝搬端子に結合された第１端
子を含む。色変換媒体はそれに与えられた光を吸収し、
吸収された光に応答して光を放出する。微小空洞は有機
エレクトロルミネッセンス素子からの光を色変換媒体へ
向ける。
【００１２】また、薄膜トランジスタ，微小空洞および
色変換媒体を含む発光装置を製造する方法を提供する。
色変換媒体を含む発光装置を製造する方法を提供する。
【００１３】
【実施例】図面を参照して、同じ数字は図面を通して対
応する要素を示しす。まず図１を参照して、アドレス指
定可能な画素からなる複数の発光装置を形成する４端子
アクティブ・マトリックス表示の模式図を示す。発光装
置１０は、破線で示されているが、電力ＴＦＴ１２、ア
ドレス指定可能なＴＦＴ１３、記憶キャパシタ１４、お
よびＯＥＤ素子１５を含む。４端子法の主要な利点は、
アドレス信号をＯＥＤ励起信号から切り離す能力であ
る。ＯＥＤ素子はアドレス指定可能なＴＦＴを介して選
択され、ＯＥＤ素子への励起電力は電力ＴＦＴにより制
御される。記憶キャパシタはアドレス指定可能なＴＦＴ
への励起電力が一度ＯＥＤ素子を選択すると維持し続け
ることを可能にする。このように、ＯＥＤ素子は、アド
レスのために割り当てられた時間にかかわらず、１００
％に近いデューティ・サイクルで動作できるメモリを提
供する。
応する要素を示しす。まず図１を参照して、アドレス指
定可能な画素からなる複数の発光装置を形成する４端子
アクティブ・マトリックス表示の模式図を示す。発光装
置１０は、破線で示されているが、電力ＴＦＴ１２、ア
ドレス指定可能なＴＦＴ１３、記憶キャパシタ１４、お
よびＯＥＤ素子１５を含む。４端子法の主要な利点は、
アドレス信号をＯＥＤ励起信号から切り離す能力であ
る。ＯＥＤ素子はアドレス指定可能なＴＦＴを介して選
択され、ＯＥＤ素子への励起電力は電力ＴＦＴにより制
御される。記憶キャパシタはアドレス指定可能なＴＦＴ
への励起電力が一度ＯＥＤ素子を選択すると維持し続け
ることを可能にする。このように、ＯＥＤ素子は、アド
レスのために割り当てられた時間にかかわらず、１００
％に近いデューティ・サイクルで動作できるメモリを提
供する。
【００１４】図２に移り、簡略化された発光装置１０の
断面図が示される。発光装置１０は、電力ＴＦＴ１２、
アドレス指定可能なＴＦＴ１３、記憶キャパシタ１４、
およびＯＥＤ素子１５を含む。電力ＴＦＴ１２は、ガラ
スあるいはそれと同等の透明絶縁基板１９上に位置する
半導体層２０を含む。離間した第１および第２ドープ領
域２１，２２は、注入、拡散あるいはそれらと同じ簡便
な方法により半導体層２０中に形成される。Ｎ＋型ドー
ピングは、標準半導体回路での簡便な集積を行うために
用いられる。ドープ領域２１，２２は、第１および第２
電流伝達端子（例えば、ソースおよびドレイン）を定
め、それらの間にチャネル２３を具備する。第１および
第２電流伝達端子はここではソースおよびドレインと呼
ばれる。
断面図が示される。発光装置１０は、電力ＴＦＴ１２、
アドレス指定可能なＴＦＴ１３、記憶キャパシタ１４、
およびＯＥＤ素子１５を含む。電力ＴＦＴ１２は、ガラ
スあるいはそれと同等の透明絶縁基板１９上に位置する
半導体層２０を含む。離間した第１および第２ドープ領
域２１，２２は、注入、拡散あるいはそれらと同じ簡便
な方法により半導体層２０中に形成される。Ｎ＋型ドー
ピングは、標準半導体回路での簡便な集積を行うために
用いられる。ドープ領域２１，２２は、第１および第２
電流伝達端子（例えば、ソースおよびドレイン）を定
め、それらの間にチャネル２３を具備する。第１および
第２電流伝達端子はここではソースおよびドレインと呼
ばれる。
【００１５】絶縁層２５はチャネル２３を覆う半導体層
２０上に設けられ、好ましくはＳｉＯ2あるいは他の酸
化物、窒化物あるいはそれと同等のものから成る。半導
体層２６は、良好な伝導を得るために強くドープされる
が（好ましくはｎ＋）、絶縁層２５上に設けられる。チ
ャネル２３を覆う半導体層２６の一部は制御端子（例え
ば、ゲート）を形成し、図２で見られるように、半導体
層２６の最も左部分はドープ領域２１の一部を覆う。キ
ャパシタ１４は、半導体層２６およびドープ領域２１の
被覆部によって画定される。チャネル２３を図２に関し
て現れるように層２０内で中央から右へずらすことによ
り、オーバラップが実現される。一般に、ドープ領域２
１は、ドープ領域２２より大きく形成され、これがずれ
を与える。キャパシタ１４のこの類のない配置によっ
て、プロセス工程および空間限界要求を緩和するととも
に、制御端子（例えばゲート）とソースとの間にキャパ
シタを接続する。キャパシタの容量はドープ領域２１、
すなわちソース端子、の面積を変更することによりたや
すく制御することができる。処理工程は、追加の層が追
加されないので、削減される。既存の層を再配分するこ
とによりキャパシタ１４が得られる。
２０上に設けられ、好ましくはＳｉＯ2あるいは他の酸
化物、窒化物あるいはそれと同等のものから成る。半導
体層２６は、良好な伝導を得るために強くドープされる
が（好ましくはｎ＋）、絶縁層２５上に設けられる。チ
ャネル２３を覆う半導体層２６の一部は制御端子（例え
ば、ゲート）を形成し、図２で見られるように、半導体
層２６の最も左部分はドープ領域２１の一部を覆う。キ
ャパシタ１４は、半導体層２６およびドープ領域２１の
被覆部によって画定される。チャネル２３を図２に関し
て現れるように層２０内で中央から右へずらすことによ
り、オーバラップが実現される。一般に、ドープ領域２
１は、ドープ領域２２より大きく形成され、これがずれ
を与える。キャパシタ１４のこの類のない配置によっ
て、プロセス工程および空間限界要求を緩和するととも
に、制御端子（例えばゲート）とソースとの間にキャパ
シタを接続する。キャパシタの容量はドープ領域２１、
すなわちソース端子、の面積を変更することによりたや
すく制御することができる。処理工程は、追加の層が追
加されないので、削減される。既存の層を再配分するこ
とによりキャパシタ１４が得られる。
【００１６】接合金属３０がドープ領域２１上に設けら
れ、ドープ領域２１によって形成されたソース端子の外
部への電気的接合として動作する。図１に関連する追加
の説明として、接合金属３０は同一の行の電力ＴＦＴの
近傍へ延び、ドープ領域２１によって形成された全ての
ソース端子をグランドに接続する。
れ、ドープ領域２１によって形成されたソース端子の外
部への電気的接合として動作する。図１に関連する追加
の説明として、接合金属３０は同一の行の電力ＴＦＴの
近傍へ延び、ドープ領域２１によって形成された全ての
ソース端子をグランドに接続する。
【００１７】ＳｉＯ2である層３１は、電力ＴＦＴ１２
近傍の基板１９の表面上に形成され、ＯＥＤ素子１５の
形成に寄与する。層３１は基板１９の形成に依存し選択
的であるとともに、この明細書の目的から基板１９の一
部と考えられる。これにより、ＳｉＯ2のような絶縁材
料のパッシベーション層３６はＴＦＴ１２の表面上に堆
積される。
近傍の基板１９の表面上に形成され、ＯＥＤ素子１５の
形成に寄与する。層３１は基板１９の形成に依存し選択
的であるとともに、この明細書の目的から基板１９の一
部と考えられる。これにより、ＳｉＯ2のような絶縁材
料のパッシベーション層３６はＴＦＴ１２の表面上に堆
積される。
【００１８】色変換媒体(Color Converting Medium：Ｃ
ＣＭ)４０はパッシベーション層３６の表面上およびＳ
ｉＯ2である層３１の表面上に堆積され平坦化される。
微小空洞４１はその後ＣＣＭ４０の表面上に処理形成さ
れる。微小空洞４１はスペーサ４２および誘電体積層４
３を含む。誘電体積層４３は、異なる屈折率を有する複
数の材料層から成る。複数の層は対を成す層に分けら
れ、各対の一方の層は第１屈折率を有するとともに他方
の層は第１屈折率より小さい第２屈折率をもち、各対の
層は協働して部分鏡を形成し光を反射する。複数の層
は、様々な半透明金属および様々な誘電体を含む様々な
材料から構成し得る。典型的な例として、例えば、誘電
体積層４３は、好ましくは、ＴｉＯ2およびＳｉＯ2の交
互層によって形成される。。一般に、２ないし４対の層
がほぼ０．７４の反射係数を与え、これは本目的に最適
と考えられる。当業者に理解されるように、誘電体積層
４３の各対の層は発光周波数の１／２の整数倍の動作層
厚を持つ部分ミラーを画定し、それにより全ての反射光
が同相になる。
ＣＭ)４０はパッシベーション層３６の表面上およびＳ
ｉＯ2である層３１の表面上に堆積され平坦化される。
微小空洞４１はその後ＣＣＭ４０の表面上に処理形成さ
れる。微小空洞４１はスペーサ４２および誘電体積層４
３を含む。誘電体積層４３は、異なる屈折率を有する複
数の材料層から成る。複数の層は対を成す層に分けら
れ、各対の一方の層は第１屈折率を有するとともに他方
の層は第１屈折率より小さい第２屈折率をもち、各対の
層は協働して部分鏡を形成し光を反射する。複数の層
は、様々な半透明金属および様々な誘電体を含む様々な
材料から構成し得る。典型的な例として、例えば、誘電
体積層４３は、好ましくは、ＴｉＯ2およびＳｉＯ2の交
互層によって形成される。。一般に、２ないし４対の層
がほぼ０．７４の反射係数を与え、これは本目的に最適
と考えられる。当業者に理解されるように、誘電体積層
４３の各対の層は発光周波数の１／２の整数倍の動作層
厚を持つ部分ミラーを画定し、それにより全ての反射光
が同相になる。
【００１９】その後、経路あるいは穴５０がスペーサ４
２、誘電体積層４３、ＣＣＭ４０、パッシベーション層
３６および層３１を介して金属接点５１の設けられたド
レイン端子２２へ貫通される。ＯＥＤ１５は、その後ス
ペーサ４２の表面上で処理形成される。ＯＥＤ１５は金
属接点５１を介してドレイン端子２２に結合された第１
端子６５を含む。第１端子６５は、ドープ領域２２と電
気的結合をもって微小空洞４１上にＩＴＯあるいは他の
透明導体である透明導電層を堆積することにより形成さ
れ、ＯＥＤ光出力を装置１０の残余と通信する。少なく
とも、１つの有機エレクトロルミネッセンス層５６が第
１端子５５上に堆積される。第２端子を画定する導電層
５７は有機エレクトロルミネッセンス層５６を覆って堆
積される。導電層５７はＯＥＤ１５への電力供給のため
の外部電気接点を提供する。導電層５７は、また構造全
体に対してパッシベーッション（保護）を与える。微小
空洞４１はＯＥＤ１５からの光出力と一列に配置され、
光スペクトラムを高める。もちろん、図１に関連するＯ
ＥＤ１５は、使用される材料に依存して、１つの有機層
からいくつかの有機層を含む。
２、誘電体積層４３、ＣＣＭ４０、パッシベーション層
３６および層３１を介して金属接点５１の設けられたド
レイン端子２２へ貫通される。ＯＥＤ１５は、その後ス
ペーサ４２の表面上で処理形成される。ＯＥＤ１５は金
属接点５１を介してドレイン端子２２に結合された第１
端子６５を含む。第１端子６５は、ドープ領域２２と電
気的結合をもって微小空洞４１上にＩＴＯあるいは他の
透明導体である透明導電層を堆積することにより形成さ
れ、ＯＥＤ光出力を装置１０の残余と通信する。少なく
とも、１つの有機エレクトロルミネッセンス層５６が第
１端子５５上に堆積される。第２端子を画定する導電層
５７は有機エレクトロルミネッセンス層５６を覆って堆
積される。導電層５７はＯＥＤ１５への電力供給のため
の外部電気接点を提供する。導電層５７は、また構造全
体に対してパッシベーッション（保護）を与える。微小
空洞４１はＯＥＤ１５からの光出力と一列に配置され、
光スペクトラムを高める。もちろん、図１に関連するＯ
ＥＤ１５は、使用される材料に依存して、１つの有機層
からいくつかの有機層を含む。
【００２０】アドレス指定可能なＴＦＴは図２に示され
ていないが、本発明に重要ではない様々な技術によっ
て、またどのような位置にも集積できることは理解でき
よう。
ていないが、本発明に重要ではない様々な技術によっ
て、またどのような位置にも集積できることは理解でき
よう。
【００２１】最近、効率的なＲＧＢ光放出が有機ＯＥＤ
素子をＣＣＭ４０のようなＣＣＭ素子と結合することに
より達成されることが発表された（上記日本の公報を参
照）。青色有機光放出として提供されるＯＥＤ１５の場
合、ＣＣＭ４０は青色フィルタおよび緑および赤ＣＣＭ
のような有機蛍光媒体から成り、それは青からの放出光
の色を変え、ＲＧＢフルカラー表示を形成する。ＴＦＴ
駆動は、低電流密度(１ma/cm2）で動作するので、エレ
クトロルミネッセンスの信頼性を高める。微小空洞４１
は、ＯＥＤ１５からの青色光を強調し純化する効果を有
する。微小空洞４１からのこのような強調されかつ純化
された青色光は青色フィルタであるＣＣＭ４０を通過
し、青色出力を高める。緑色出力を得るために、ＣＣＭ
４０の緑ＣＣＭは青色を吸収し、緑色光を放出する。赤
色出力を得るために、赤ＣＣＭ画素が必要とされる。Ｃ
ＣＭ４０の赤ＣＣＭは青色を吸収し、緑色光を放出す
る。その後、緑色光は、再吸収され、赤色光出力の形式
で再放出する。
素子をＣＣＭ４０のようなＣＣＭ素子と結合することに
より達成されることが発表された（上記日本の公報を参
照）。青色有機光放出として提供されるＯＥＤ１５の場
合、ＣＣＭ４０は青色フィルタおよび緑および赤ＣＣＭ
のような有機蛍光媒体から成り、それは青からの放出光
の色を変え、ＲＧＢフルカラー表示を形成する。ＴＦＴ
駆動は、低電流密度(１ma/cm2）で動作するので、エレ
クトロルミネッセンスの信頼性を高める。微小空洞４１
は、ＯＥＤ１５からの青色光を強調し純化する効果を有
する。微小空洞４１からのこのような強調されかつ純化
された青色光は青色フィルタであるＣＣＭ４０を通過
し、青色出力を高める。緑色出力を得るために、ＣＣＭ
４０の緑ＣＣＭは青色を吸収し、緑色光を放出する。赤
色出力を得るために、赤ＣＣＭ画素が必要とされる。Ｃ
ＣＭ４０の赤ＣＣＭは青色を吸収し、緑色光を放出す
る。その後、緑色光は、再吸収され、赤色光出力の形式
で再放出する。
【００２２】青−緑有機光放出として提供されるＯＥＤ
１５の場合には、ＣＣＭ４０は青色および緑色フィルタ
および赤ＣＣＭのような有機蛍光媒体から成り、それは
青−緑からの放出光の色を変え、ＲＧＢフルカラー表示
を形成する。上記したように、ＴＦＴ駆動は、低電流密
度(１ma/cm2）で動作するので、エレクトロルミネッセ
ンスの信頼性を高める。微小空洞４１は、ＯＥＤ１５か
らの青色光を強調し純化する効果を有する。微小空洞４
１からのこのような強調されかつ純化された青−緑光出
力は青および緑色フィルタであるＣＣＭ４０を通過し、
青−緑色出力をそれぞれ高める。赤色光出力を得るため
に、ＣＣＭ４０の赤ＣＣＭは青および緑色を吸収し、赤
色光を放出する。赤色出力を得るために、赤ＣＣＭ画素
が必要とされる。
１５の場合には、ＣＣＭ４０は青色および緑色フィルタ
および赤ＣＣＭのような有機蛍光媒体から成り、それは
青−緑からの放出光の色を変え、ＲＧＢフルカラー表示
を形成する。上記したように、ＴＦＴ駆動は、低電流密
度(１ma/cm2）で動作するので、エレクトロルミネッセ
ンスの信頼性を高める。微小空洞４１は、ＯＥＤ１５か
らの青色光を強調し純化する効果を有する。微小空洞４
１からのこのような強調されかつ純化された青−緑光出
力は青および緑色フィルタであるＣＣＭ４０を通過し、
青−緑色出力をそれぞれ高める。赤色光出力を得るため
に、ＣＣＭ４０の赤ＣＣＭは青および緑色を吸収し、赤
色光を放出する。赤色出力を得るために、赤ＣＣＭ画素
が必要とされる。
【００２３】図示した目的のために、ここに選択された
実施例への変更および修正は当業者にとっては容易に行
われるであろう。このような変更および修正をする範囲
は、本発明の思想を逸脱するものではなく、本発明の範
囲内に含められるものであり、請求項の公正な解釈によ
ってのみ評価される。
実施例への変更および修正は当業者にとっては容易に行
われるであろう。このような変更および修正をする範囲
は、本発明の思想を逸脱するものではなく、本発明の範
囲内に含められるものであり、請求項の公正な解釈によ
ってのみ評価される。
【００２４】明瞭かつ簡潔な用語をもって本発明を十分
に記述したことにより、当業者であれば本発明と同等の
ものを理解し実施することが可能となるであろう。
に記述したことにより、当業者であれば本発明と同等の
ものを理解し実施することが可能となるであろう。
【図１】４端子のアクティブ・マトリックス発光装置の
模式図である。
模式図である。
【図２】本願発明に係る発光装置の簡略化された断面図
である。
である。
１０：発光装置 １２：電力ＴＦＴ １３：アドレス指定可能なＴＦＴ １４：記憶キャパシタ １５：ＯＥＤ素子 １９：透明絶縁基板 ２０：半導体層 ２１．２２：第１および第２離間したドープ領域 ２５：絶縁層 ２６：半導体層 ３０：接合金属 ３６：パッシベーション層 ４０：色変換媒体(Color Converting Medium：ＣＣＭ) ４１：微小空洞 ４２：スペーサ ４３：誘電体積層 ５０：経路 ５１：金属接点 ５５：第１端子 ５６：有機エレクトロルミネッセンス層 ５７：導電層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランキー・ソ アメリカ合衆国アリゾナ州テンピ、ウエス ト・コール・デカバロス195 (72)発明者 シン−チャン・リー アメリカ合衆国カリフォルニア州カラバサ ス、パーク・エンセナダ23246 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB18 BA06 BB06 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01
Claims (3)
- 【請求項１】 電流伝搬端子を有する薄膜トランジスタ
（１２）と、 前記電流伝搬端子に接続された第１端子を有し、広スペ
クトラムをもつ光を放出する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子（１５）と、 与えられる光を吸収し、吸収された光に応答して光を放
出する色変換媒体（４０）と、 前記有機エレクトロルミネッセンス素子から放出された
光を前記色変換媒体に結合する微小空洞（４１）と、か
ら構成されることを特徴とする光放出装置（１０）。 - 【請求項２】 基板上に形成されたアドレス可能な複数
の画素から構成されるアクティブ・マトリックスを含む
光放出装置であって、 各画素は、 電流伝搬端子を有する薄膜トランジスタ（１２）と、 前記電流伝搬端子に接続された第１端子を有し、広スペ
クトラムをもつ光を放出する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子（１５）と、 与えられる光を吸収し、吸収された光に応答して光を放
出する色変換媒体（４０）と、 前記有機エレクトロルミネッセンス素子から放出された
光を前記色変換媒体に結合する微小空洞（４１）と、を
有することを特徴とする光放出装置。 - 【請求項３】 基板（１９）を提供する段階と、 電流伝搬端子を有する薄膜トランジスタを前記基板上に
堆積する段階と、 前記薄膜トランジスタを覆う色変換媒体（４０）を形成
する段階と、 微小空洞（４１）を前記色変換媒体上に堆積する段階
と、 有機エレクトロルミネッセンス素子（１５）を前記微笑
空洞上に前記電流伝搬端子と電気的結合をもって形成さ
れる段階と、から構成されることを特徴とする光放出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000024211A JP4759719B2 (ja) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | 光放出装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000024211A JP4759719B2 (ja) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | 光放出装置および製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217076A true JP2001217076A (ja) | 2001-08-10 |
| JP4759719B2 JP4759719B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=18550238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000024211A Expired - Lifetime JP4759719B2 (ja) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | 光放出装置および製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4759719B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294965B2 (en) | 2002-12-25 | 2007-11-13 | Fuji Electric Holding Co., Ltd. | Color-conversion light-emitting device, method for manufacturing the same, and display using the same |
| JP2007533076A (ja) * | 2004-04-08 | 2007-11-15 | イーストマン コダック カンパニー | 色変更媒体を備えるｏｌｅｄ |
| WO2008050923A1 (en) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Lg Electronics Inc. | Electroluminescent device and the substrate therefor and method of making the same |
| KR101127061B1 (ko) * | 2004-04-08 | 2012-03-26 | 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 | 색 변환 매체를 갖는 유기 발광 디바이스 |
| KR101378864B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2014-03-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 |
Citations (7)
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| JPH04253028A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-08 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH10186414A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-14 | Sony Corp | 反射型ゲストホスト液晶表示装置 |
| WO1998059528A1 (en) * | 1997-06-23 | 1998-12-30 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
| JPH1124606A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
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| WO2000004594A1 (en) * | 1998-07-20 | 2000-01-27 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent apparatus |
-
2000
- 2000-02-01 JP JP2000024211A patent/JP4759719B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
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| JP2002520801A (ja) * | 1998-07-20 | 2002-07-09 | モトローラ・インコーポレイテッド | 有機電界発光装置 |
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| JP4759719B2 (ja) | 2011-08-31 |
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