CN115835677A

CN115835677A - 显示基板及显示装置

Info

Publication number: CN115835677A
Application number: CN202211524436.1A
Authority: CN
Inventors: 李杨; 王鹏; 田禹
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2022-11-30
Filing date: 2022-11-30
Publication date: 2023-03-21

Abstract

本申请公开了一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括：衬底，以及位于衬底一侧的发光晶体管。发光晶体管中的发光层能够覆盖源极中的至少部分网格孔，且发光层中还存在位于源极背离衬底一侧的部分。如此，可以保证发光晶体管中的源极和漏极之间可以始终存在发光层，进而可以规避发光晶体管中的源极和漏极之间出现短路的不良现象。并且，发光层的材料可以包括：钙钛矿材料，使得发光晶体光中的源极与发光层之间无需设置用于传输空穴或电子的有机层。如此，不仅可以简化发光晶体管的结构，还可以规避位于源极与发光层之间的有机层分布不均匀的问题。因此，集成了这种发光晶体管的显示基板的产品良率较高，且显示效果较好。

Description

显示基板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，显示装置的需求和应用范围不断扩大。常用的显示装置有手机、电视机、平板电脑、笔记本电脑和显示器等。

目前，为了简化显示装置内的结构，显示装置可以采用垂直结构的发光晶体管(Light-emitting transistor，LET)来实现显示功能。有机发光晶体管是一类兼具有机场效应晶体管(Organic field-effect transistor，OFET)的开关功能和有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)的电致发光功能的多功能有机器件，具有驱动电压低、控制能力强和效率高等优点。

然而，目前的LET中的源极和漏极极易出现短路的不良现象，进而导致集成了这种LET的显示装置的产品良率较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种显示基板及显示装置。可以解决现有技术中发光晶体管中的源极和漏极极易出现短路的不良现象的问题，所述技术方案如下：

一方面，提供了一种显示基板，包括：衬底，以及位于所述衬底一侧的发光晶体管；

所述发光晶体管包括：沿垂直于所述衬底的方向层叠设置的栅极、栅极绝缘层、网格状的源极、发光层和漏极；所述源极具有多个网格孔，所述发光层覆盖所述源极中的至少部分网格孔，且所述发光层中的部分位于所述网格孔内，部分位于所述源极背离所述衬底的一侧；

其中，所述发光层的材料包括：钙钛矿材料。

可选的，所述源极中的多个网格孔在所述衬底上的正投影，均位于所述发光层在所述衬底上的正投影内。

可选的，在垂直于所述衬底的方向上，所述发光层的厚度大于所述源极的厚度。

可选的，所述发光层是采用混合有所述钙钛矿材料的溶液固化后得到的。

可选的，所述发光晶体管还包括：位于所述发光层与漏极之间的有机层。

可选的，所述有机层包括：沿垂于所述衬底的方向层叠设置的电子传输层和电子注入层，或者，沿垂于所述衬底的方向层叠设置的空穴传输层和空穴注入层。

可选的，所述发光晶体管还包括：与所述网格状的源极同层设置但材料不同的辅助源极，所述辅助源极与所述网格状的源极电连接，且所述辅助源极的电阻率小于所述网格状的源极的电阻率。

可选的，所述栅极和所述漏极中的至少一个为具有透光性的透明电极。

可选的，所述显示基板还包括：与所述发光晶体管电连接的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中的源极和漏极，与所述发光晶体管中的栅极同层设置且材料相同。

另一方面，提供了一种显示装置，包括：供电组件，以及与供电组件电连接的显示基板，所述显示基板为上述任一所述的显示基板。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

本申请实施例提供了一种显示基板，包括：衬底，以及位于衬底一侧的发光晶体管。发光晶体管中的发光层不仅能够覆盖源极中的至少部分网格孔，使得发光层能够将源极中的至少部分网格孔填平，且发光层中还存在位于源极背离衬底一侧的部分。如此，可以保证发光晶体管中的源极和漏极之间可以始终存在发光层，进而可以规避发光晶体管中的源极和漏极之间出现短路的不良现象，以保证发光晶体管能够正常发光。并且，发光层的材料可以包括：钙钛矿材料，使得发光晶体光中的源极与发光层之间无需设置用于传输空穴或电子的有机层。如此，不仅可以简化发光晶体管的结构，还可以保证发光层能够直接对源极中的至少部分网格孔进行覆盖，以规避因位于源极与发光层之间的有机层分布不均匀，而导致发光晶体管的发光性能变差的问题。因此，集成了这种发光晶体管的显示基板的产品良率较高，且显示效果较好。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是目前常见的一种显示基板的膜层结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种显示基板的膜层结构示意图；

图3是本申请实施例提供的另一种显示基板的膜层结构示意图；

图4是本申请实施例提供的又一种显示基板的膜层结构示意图；

图5是本申请另一种实施例提供的一种显示基板的膜层结构示意图；

图6是本申请另一种实施例提供的另一种显示基板的膜层结构示意图；

图7是本申请另一种实施例提供的又一种显示基板的膜层结构示意图；

图8是本申请实施例提供的一种像素驱动电路的电路图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

请参考图1，图1是目前常见的一种显示基板的膜层结构示意图。显示基板00可以包括：衬底01，以及位于衬底01一侧的发光晶体管02。这里，发光晶体管02可以为LET，其可以包括：沿垂直衬底01方向层叠设置的栅极021、栅极绝缘层022、源极023、空穴注入层024、空穴传输层025、发光层026、电子传输层027、电子注入层028和漏极029。

这里，源极023中的至少部分为网格状的电极，也即，源极023具有网格孔。其中，源极023中的网格孔在衬底01上的正投影位于栅极021在衬底01上的正投影内，且位于漏极029在衬底01上的正投影内。如此，通过源极023内设置的网格孔，可以让栅极021与漏极029之间形成电场。

由于源极023与空穴注入层024之间的接触属于肖特基接触，空穴的注入需要克服肖特基势垒，而通过栅极021与漏极029之间形成的电场，可以改变源极023与空穴注入层024之间的肖特基势垒，使得空穴能够更容易的进行注入。而栅极021与漏极029之间未形成电场时，源极023与空穴注入层024之间的肖特基势垒较大，空穴不易进行注入。因此，通过调整栅极021与漏极029之间的电场，可以调整空穴注入的难易程度，以使这种发光晶体管02具有开关功能。

在栅极021和漏极029之间形成电场，以改变源极023和空穴注入层024之间的肖特基势垒后，若源极023和漏极029之间也形成了电场，则在此电场的作用下，空穴可以从源极023注入空穴注入层024，之后经过空穴传输层025到达发光层026，且电子可以从漏极029注入电子注入层028，之后经过电子传输层027到达发光层026。如此，到达发光层026的电子和空穴能够在发光层026中复合以发出光线。因此，可以使这种发光晶体管02具有发光功能。

然而，源极023中的网格状的电极背离衬底01一侧的粗糙度较大，而源极023与漏极029之间的有机层(也即，空穴注入层024、空穴传输层025、发光层026、电子传输层027和电子注入层028)的厚度较小，该有机层无法完全对源极023中的网格状电极进行覆盖，导致源极023中存在未被有机层覆盖的部分，而源极023中未被有机层覆盖的部分会与漏极029搭接，进而导致源极023与漏极029之间极易出现短路的不良现象。而当发光晶体管02中的源极023与漏极029短路时，源极023与漏极029之间无法再形成电场，导致该发光晶体管02无法进行正常发光。并且，发光层026与源极023之间的有机层(空穴注入层024和空穴传输层025)也无法均匀的进行分布，进而导致不同位置处的空穴的传输效果不同，严重影响了发光晶体管02的发光性能。因此，集成了这种发光晶体管02的显示基板00的产品良率较低。

请参考图2，图2是本申请实施例提供的一种显示基板的膜层结构示意图。显示基板000可以包括：衬底100，以及位于衬底100一侧的发光晶体管200。

其中，显示基板000中的发光晶体管200可以为LET，其可以包括：沿垂直于衬底100的方向层叠设置的栅极201、栅极绝缘层202、网格状的源极203、发光层204和漏极205。

在发光晶体管200中，网格状的源极203具有多个网格孔。这里，源极203的各个网格孔在衬底100上的正投影，位于栅极201在衬底100上的正投影内，且位于漏极205在衬底100上的正投影内。这样，源极203不会对栅极201与漏极205之间的电场进行屏蔽，使得栅极201与漏极205之间能够通过源极203的网格孔形成电场。

在本申请中，在发光晶体管200中，发光层204能够覆盖源极203中的至少部分网格孔，且发光层204中的部分位于源极203的网格孔内，部分位于源极203背离衬底100的一侧。

在这种情况下，发光晶体管200中的发光层204不仅能够覆盖源极203中的至少部分网格孔，使得发光层204能够将源极203中的至少部分网格孔填平，且发光层204中还存在位于源极203背离衬底100一侧的部分。如此，可以保证发光晶体管200中的源极203和漏极205之间可以始终存在发光层204，进而可以规避发光晶体管200中的源极203和漏极205之间出现短路的不良现象，以保证发光晶体管200能够正常发光。

这里，发光层204的材料包括：钙钛矿材料。由于钙钛矿材料具有双极性，该钙钛矿材料既可以起到注入和传输空穴的作用，也可以起到注入和传输电子的作用，且钙钛矿材料中电子和空穴迁移率较高(例如：10^-4～10^-3量级)。因此，发光晶体光200中的源极203与发光层204之间无需设置用于传输空穴或电子的有机层。如此，不仅可以简化发光晶体管200的结构，还可以保证发光层204能够直接对源极203中的至少部分网格孔进行覆盖，以规避因位于源极203与发光层204之间的有机层分布不均匀，而导致发光晶体管200的发光性能变差的问题。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示基板，包括：衬底，以及位于衬底一侧的发光晶体管。发光晶体管中的发光层不仅能够覆盖源极中的至少部分网格孔，使得发光层能够将源极中的至少部分网格孔填平，且发光层中还存在位于源极背离衬底一侧的部分。如此，可以保证发光晶体管中的源极和漏极之间可以始终存在发光层，进而可以规避发光晶体管中的源极和漏极之间出现短路的不良现象，以保证发光晶体管能够正常发光。并且，发光层的材料可以包括：钙钛矿材料，使得发光晶体光中的源极与发光层之间无需设置用于传输空穴或电子的有机层。如此，不仅可以简化发光晶体管的结构，还可以保证发光层能够直接对源极中的至少部分网格孔进行覆盖，以规避因位于源极与发光层之间的有机层分布不均匀，而导致发光晶体管的发光性能变差的问题。因此，集成了这种发光晶体管的显示基板的产品良率较高，且显示效果较好。

在本申请实施例中，为了最大程度的规避发光晶体管200中的源极203与漏极205之间出现短路的不良现象，在发光晶体管200中，源极203中的多个网格孔在衬底100上的正投影，均位于发光层204在衬底100的正投影内。这样，可以保证发光层204能够将源极203中的各个网格孔填平。

可选的，在垂直于衬底100的方向上，发光晶体管200中发光层204的厚度大于源极203的厚度。如此，可以保证发光层204不仅能够将源极203中的各个网格孔填平，还可以保证源极203背离衬底100一侧的任意位置处均分布有发光层204。为此，发光晶体管200中的源极203与漏极205之间的任意位置处均分布有发光层204，以保证源极203与漏极205在任意位置处均不存在短路的风险。

在本申请中，发光晶体管200中的发光层204是采用混合有钙钛矿材料的溶液固化后得到的。这样，通过混合有钙钛矿材料的溶液能够将源极203中的各个网格孔进行充分的填充，以保证后续固化后的发光层204中的部分能够分布在源极203中的网格孔内，部分分布在源极203背离衬底100的一侧。

示例的，在显示基板000的制造过程中，在衬底100上将网格状的源极203制造完成后，可以采用旋涂或打印等工艺将混合有钙钛矿材料的溶液涂覆在形成有网格状的源极203的衬底100上。在此过程中，混合有钙钛矿材料的溶液可以先流入源极203中的各个网格孔内并进行充分填充，在混合有钙钛矿材料的溶液背离衬底100的一侧与源极203背离衬底100的一侧齐平后，继续涂覆混合有钙钛矿材料的溶液，以将源极203完全覆盖。后续，可以对混合有钙钛矿材料的溶液进行固化，即可得到能够完全覆盖源极203的固态的钙钛矿薄膜。之后，可以对该固态的钙钛矿薄膜执行一次构图工艺，即可得到发光层204。这里，发光层204的厚度可以为500纳米至2000纳米。需要说明的是，该一次构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

在本申请实施例中，发光晶体管200中的发光层204与网格状的源极203之间的接触属于肖特基接触，空穴或电子的注入需要克服肖特基势垒。由于发光晶体管200中的栅极201与漏极205之间能够正常形成电场，在此电场的作用下，可以改变发光层204与网格状的源极203之间的肖特基势垒，使得空穴或电子能够更容易的进行注入。而发光晶体管200中的栅极201与漏极205之间未形成电场时，发光层204与网格状的源极203之间的肖特基势垒较大，空穴或电子不易进行注入。因此，通过调整发光晶体管200中的栅极201与漏极205之间的电场，可以调整空穴注入的难易程度，以使发光晶体管200具有开关功能。

在发光晶体管200中的栅极201与漏极205之间形成电场，以改变发光层204与网格状的源极203之间的肖特基势垒后，若网格状的源极203和漏极205之间也形成了电场，则在此电场的作用下，空穴和电子中的一个可以从源极203注入至发光层204，且空穴和电子中的另一个可以从漏极205注入至发光层204。如此，注入发光层204的电子和空穴能够在发光层204中复合以发出光线。因此，可以使发光晶体管200具有发光功能。

需要说明的是，通过控制发光晶体管200中的栅极201与漏极205之间形成的电场，可以控制发光晶体管200处于点亮状态还是熄灭状态。例如，当发光晶体管200中的栅极201与漏极205之间形成的电场时，发光晶体管200处于点亮状态；当发光晶体管200中的栅极201与漏极205之间未形成的电场时，发光晶体管200处于熄灭状态。通过控制发光晶体管200中的网格状的源极203和漏极205之间形成的电场，可以对发光晶体管200发出光线的强弱进行控制。

还需要说明的是，以上实施例是以发光晶体管200中的漏极205与发光层204之间未设置有机层为例进行示意性说明的。

在其他的可能的实现方式中，如图3所示，图3是本申请实施例提供的另一种显示基板的膜层结构示意图。为了能够更好的让发光晶体管200进行发光，发光晶体管200还可以包括：位于发光层204与漏极205之间的有机层206。

这里，有机层206用于传输电子或空穴。为此，有机层206的结构有多种，本申请实施例以以下两种可选的实现方式为例进行说明：

第一种可选的实现方式，如图3所示，当有机层206用于传输电子时，有机层206可以包括：沿垂直于衬底100的方向层叠设置的电子注入层A1和电子传输层B1，且电子传输层B1相对于电子注入层A1更靠近衬底100。也即是，电子传输层B1可以位于发光层204背离衬底100的一侧，电子注入层A1可以位于电子传输层B1背离衬底100的一侧。其中，电子注入层A1和电子传输层B1的厚度范围均可以为10纳米至100纳米。

在这种情况下，当发光晶体管200中的栅极201与漏极205之间形成电场，且网格状的源极203和漏极205之间也形成了电场时，空穴可以从源极203注入至发光层204，且电子可以从漏极205注入电子注入层A1，之后经过电子传输层B1到达发光层204。

第二种可选的实现方式，如图4所示，图4是本申请实施例提供的又一种显示基板的膜层结构示意图。当有机层206用于传输空穴时，有机层206可以包括：沿垂直于衬底100的方向层叠设置的空穴注入层A2和空穴传输层B2，且空穴传输层B2相对于空穴注入层A2更靠近衬底100。也即是，空穴传输层B2可以位于发光层204背离衬底100的一侧，空穴传输层B2可以位于空穴注入层A2背离衬底100的一侧。其中，空穴注入层A2和空穴传输层B2的厚度范围均可以为10纳米至100纳米。

在这种情况下，当发光晶体管200中的栅极201与漏极205之间形成电场，且网格状的源极203和漏极205之间也形成了电场时，电子可以从源极203注入至发光层204，且空穴可以从漏极205注入空穴注入层A2，之后经过空穴传输层B2到达发光层204。

可选的，如图3和图4所示，发光晶体管200还可以包括：与网格状的源极203同层设置但材料不同的辅助源极207。其中，辅助源极207可以与网格状的源极203电连接，且辅助源极207的电阻率小于网格状的源极203的电阻率。

这里，网格状的源极203通常是采用碳纳米管(Carbon Nanotubes，CNT)或银纳米线(Silver Nanowire，AgNW)等导电材料制成的。而这些导电材料的电阻率较大，为了提高网格状的源极203的导电性能，可以让电阻率较小的辅助源极207与网格状的源极203电连接。通过辅助源极207可以提高网格状的源极203的导电性能，使得发光晶体管200的电学性能较好。示例的，辅助源极207可以采用金属银、金属铝、金属铜或合金等电阻率较低的金属材料制成。在本申请中，发光晶体管200中的辅助源极207还可以与信号线电连接，使得信号线通过该辅助源极207向网格状的源极203施加电信号。

在本申请实施例中，发光晶体管200中的栅极201和漏极205的厚度范围均可以为50纳米至500纳米。且发光晶体管200中的栅极201和漏极205中的至少一个为具有透光性的透明电极。当发光晶体管200中的栅极201和漏极205的类型不同时，发光晶体管200的类型也不同。为此，本申请实施例将以以下三种情况为例进行示意性的说明：

第一种情况，如图5所示，图5是本申请另一种实施例提供的一种显示基板的膜层结构示意图，当发光晶体管200中的漏极205为具有透光性的透明电极，而发光晶体管200中的栅极201为具有反光性的反射电极时，发光晶体管200可以为顶发射型的发光晶体管，也即是，发光晶体管200能够向背离衬底100的一侧发光。这样，集成了这种发光晶体管200的显示基板000属于顶发射型的显示基板。

第二种情况，如图6所示，图6是本申请另一种实施例提供的另一种显示基板的膜层结构示意图，当发光晶体管200中的栅极201为具有透光性的透明电极，而发光晶体管200中的漏极205为具有反光性的反射电极时，发光晶体管200可以为底发射型的发光晶体管，也即是，发光晶体管200能够向靠近衬底100的一侧发光。这样，集成了这种发光晶体管200的显示基板000属于底发射型的显示基板。

第三种情况，如图7所示，图7是本申请另一种实施例提供的又一种显示基板的膜层结构示意图，当发光晶体管200中的栅极201与漏极205均为具有透光性的透明电极时，发光晶体管200可以为双向发光的发光晶体管，也即是，发光晶体管200既能够向背离衬底100的一侧发光，也能够向靠近衬底100的一侧发光。这样，集成了这种发光晶体管200的显示基板000属于透明显示基板，也即是，发光晶体管200停止发光时，显示基板000具有一定的透明度。

需要说明的是，上述实施例中的透明电极可以采用氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)或铟锌氧化物(英文：IZO)等透明导电材料制成，其也可以采用镁银合金制成；上述实施例中的反射电极可以采用金属银、金属铝、金属铜或合金等金属材料制成。

可选的，发光晶体管200中的栅极绝缘层202用于对栅极201和源极203进行绝缘。示例的，栅极绝缘层202的材料可以包括：氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等绝缘材料。该栅极绝缘层202的厚度范围可以为50纳米至500纳米。

在本申请实施例中，显示基板000可以包含多个阵列排布的发光晶体管200，且每三个相邻分布的发光晶体管200用于组成一个像素。这里，一个像素中的三个发光晶体管200分别用于发出红光、绿光和蓝光。如此，通过显示基板000中的各个像素的配合，能够让显示基板000显示出彩色的画面。

示例的，发光晶体管200中的发光层204内的钙钛矿材料的结构可以为ABX₃结构。其中，A、B和X均为分子基团。示例的，钙钛矿材料可以包括：CH₃NH₃PbBr_xI_(3-x)、CsPbBr_xI_(3-x)、NH₂CH＝NH₂PbBr_xI_(3-x)和CH₃NH₃PbBr_xCl_(3-x)中的一种或多种。其中，C代表碳元素，H代表氢元素，N代表氮元素，Pb代表铅元素，Br代表溴元素，I代表碘元素，Cs代表铯元素，Cl代表氯元素，x为0至3中的任意数，其可以为小数。通过调节x的数值可以得到不同禁带宽度的钙钛矿材料，而电子和空穴在不同禁带宽度的钙钛矿材料内复合时，可以发出不同颜色的光线。

以CH₃NH₃PbBr_xI_(3-x)为例，当x等于3时，当x从3减小至0，钙钛矿材料的禁带宽度从1.5eV增加至2.4eV，则钙钛矿材料所发出的光线的光峰从826纳米减小至516纳米，也即，该钙钛矿材料所发出的光线能够实现由红光至绿光的变化。再以CH₃NH₃PbBr_xCl_(3-x)为例，当x从3减小至0，钙钛矿材料的禁带宽度从2.4eV增加至3.2eV，则钙钛矿材料所发出的光线的光峰从516纳米减小至387纳米，也即，该钙钛矿材料所发出的光线能够实现由绿光至蓝光的变化。为此，通过配置钙钛矿材料中x的数值，可以控制发光晶体管200所发出光线的颜色，以保证一个像素中的三个发光晶体管200能够分别发出红光、绿光和蓝光。

在本申请实施例中，显示基板000还包括：与发光晶体管200电连接的像素驱动电路。示例的，如图8所示，图8是本申请实施例提供的一种像素驱动电路的电路图。像素驱动电路可以包括：至少一个薄膜晶体管。例如，图8是以示出的像素驱动电路包含两个薄膜晶体管(分别为：第一晶体管T1和第二晶体管T2)为例进行示意性说明的，在其他的可能的实现方式中，像素驱动电路还可以包含一个薄膜晶体管，或更多个数的薄膜晶体管。本申请实施例对此不做限定。

如图8所示，像素驱动电路不仅可以包括：第一晶体管T1和第二晶体管T2，其还可以包括存储电容Cst。

这里，第一晶体管T1的栅极与第一栅线G1电连接，第一晶体管T1的第一极与数据线D电连接，第一晶体管T1的第二极分别与发光晶体管200的控制极和存储电容Cst的一端电连接，发光晶体管200的第一极与第一电源信号线VDD线电连接，发光晶体管200的第二极分别与第二晶体管T2的第二极和存储电容Cst的另一端以及第二电源信号线VSS电连接，第二晶体管T2的栅极与第二栅线G2电连接，第二晶体管T2的第一极与感测线S电连接。示例性地，第一极可以为源极和漏极中的一个，第二极可以为源极和漏极中的另一个。

在本申请中，由于发光晶体管200既具有开关功能，又具有发光功能。因此，无需在电路中集成额外的发光器件。如此，可以有效的简化电路的结构，使得显示基板000的集成度较高。

可选的，像素驱动电路中的各个薄膜晶体管可以同层设置。为了简化显示基板的制造难度，可以让薄膜晶体管中的源极和漏极，与发光晶体管200中的栅极201同层设置其材料相同。也即使，薄膜晶体管中的源极和漏极，以及发光晶体管200中的栅极201是通过一次构图工艺形成的。

本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置可以包括：供电组件，以及与供电组件电连接的显示基板。该显示基板可以为上述实施例中的显示基板。例如，该显示基板可以为图2、图3、图4、图5、图6或图7示出的显示基板。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本申请中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

以上所述仅为本申请的可选的实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底一侧的发光晶体管；

所述发光晶体管包括：沿垂直于所述衬底的方向层叠设置的栅极、栅极绝缘层、网格状的源极、发光层和漏极；

所述源极具有多个网格孔，所述发光层覆盖所述源极中的至少部分网格孔，且所述发光层中的部分位于所述网格孔内，部分位于所述源极背离所述衬底的一侧；

其中，所述发光层的材料包括：钙钛矿材料。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述源极中的多个网格孔在所述衬底上的正投影，均位于所述发光层在所述衬底上的正投影内。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述发光层的厚度大于所述源极的厚度。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光层是采用混合有所述钙钛矿材料的溶液固化后得到的。

5.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述发光晶体管还包括：位于所述发光层与漏极之间的有机层。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述有机层包括：沿垂于所述衬底的方向层叠设置的电子传输层和电子注入层，或者，沿垂于所述衬底的方向层叠设置的空穴传输层和空穴注入层。

7.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述发光晶体管还包括：与所述网格状的源极同层设置但材料不同的辅助源极，所述辅助源极与所述网格状的源极电连接，且所述辅助源极的电阻率小于所述网格状的源极的电阻率。

8.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述栅极和所述漏极中的至少一个为具有透光性的透明电极。

9.根据权利要求1至4任一所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：与所述发光晶体管电连接的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中的源极和漏极，与所述发光晶体管中的栅极同层设置且材料相同。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：供电组件，以及与供电组件电连接的显示基板，所述显示基板为权利要求1-9任一所述的显示基板。