JP2004165068A - 有機電界発光パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】パネルの端子を確実且つ装置品質高く露出させる。
【解決手段】有機ＥＬ素子又はその駆動のためのＴＦＴの形成時に形成した端子の上に、レーザ除去層として機能する有機絶縁材料、好ましくは有機ＥＬパネル製造時に用いる有機絶縁材料を形成する。有機ＥＬ素子の形成後パネル基板全面を覆うように保護膜を形成し、保護膜で覆われた端子上の有機絶縁材料ならなる層に吸収されるレーザを照射し、この層にアブレーションを発生させて、この有機絶縁材料からなる層とその上の保護膜を同時に除去し、端子を露出させる。
【選択図】 図３
【解決手段】有機ＥＬ素子又はその駆動のためのＴＦＴの形成時に形成した端子の上に、レーザ除去層として機能する有機絶縁材料、好ましくは有機ＥＬパネル製造時に用いる有機絶縁材料を形成する。有機ＥＬ素子の形成後パネル基板全面を覆うように保護膜を形成し、保護膜で覆われた端子上の有機絶縁材料ならなる層に吸収されるレーザを照射し、この層にアブレーションを発生させて、この有機絶縁材料からなる層とその上の保護膜を同時に除去し、端子を露出させる。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機電界発光パネル、特にその外部接続用の端子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自発光素子であるエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬ）素子を各画素に発光素子として用いたＥＬパネルは、自発光型であると共に、薄く消費電力が小さい等の有利な点があり、液晶表示装置（ＬＣＤ）やＣＲＴなどの表示装置に代わる表示装置等として注目され、研究が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に有機発光分子を含む有機層を挟んだ構造であり、陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子とが有機層中で再結合して有機発光分子が励起され、この分子が基底状態に戻る際に発光が起きる原理を利用している。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子は、有機発光分子によって様々な色の光を高輝度で得ることが可能である一方で、有機層が水分や酸素等に弱く、また機械的強度が低いため、素子、特に有機層を水分や酸素等から保護するための保護手段が必要とされる。
【０００５】
保護の手段として、基板上に形成された有機ＥＬ素子の基板と反対側の面を保護膜で覆うことは、より薄型化、小型化、そして軽量化の観点から非常に有利である。
【特許文献１】
特開昭６１−６１３９７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
有機ＥＬパネルとして実際に動作させるには、素子を駆動するための何らかの外部電源との接続をするための外部接続用端子を基板上に形成する必要があり、この端子を露出させる必要がある。
【０００７】
一方、被覆性よく有機ＥＬ素子を覆う保護膜を形成するためには、基板全面に保護膜を形成することが望ましいと考えられる。そこで、端子部分については、基板全面に保護膜を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて保護膜をウエットエッチングで除去するという方法が考えられるが、有機層を水分などから確実に保護するためには、有機層形成後にウエットエッチングを行うことは避けた方が好ましい。
【０００８】
従って、上記保護膜を形成する際、金属マスクなどを用いて端子部分だけ選択的に保護膜を形成しないようにする方法を採用せざるを得ないが、マスクを用いて保護膜を形成すると、例えばスピンコートなど、保護膜の形成方法として高い被覆性、平坦性を実現可能な方法を採用することが困難となる。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、有機層に悪影響を与えることなくパネル上に形成された端子を接続可能とすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下部電極と上部電極との間に発光分子を含む有機層を備えた有機電界発光素子と、該有機電界発光素子を駆動するための外部接続用端子とを同一パネル基板上に備える有機電界発光パネルの製造方法であって、前記外部接続用端子の形成領域を覆ってレーザ吸収材料からなるレーザ除去層を形成し、前記レーザ除去層を形成した後に、前記有機電界発光素子及び前記レーザ除去層を覆って基板全面に保護膜を形成し、前記レーザ除去層の形成された領域に向けて、前記レーザ吸収材料の吸収波長域のレーザを照射して前記レーザ除去層及びその上に形成されている前記保護膜を除去し、前記外部接続用端子の上面を露出させる。
【００１１】
レーザを吸収するレーザ吸収材料を外部接続用端子を覆って形成し、このレーザ吸収材料からなるレーザ除去層の形成領域に選択的にレーザを照射すれば照射領域においてレーザ除去層が加熱され、レーザ除去層及びその上に形成された保護膜を同時に除去され、レーザ除去層の下層の端子を露出させることができる。従って、保護膜は制限無くパネル領域全面に形成することができ、被覆性よく、かつ均一な保護膜で有機電界発光素子を覆って有機層などを確実に保護することができる。また、レーザ照射によるドライエッチングであるため有機層に影響を及ぼすことなく外部接続用端子を露出させることができる。
【００１２】
本発明の他の態様では、画素毎に個別に形成された前記下部電極のそれぞれの端部を覆うように有機絶縁層を形成し、同時に前記外部接続用端子の形成領域に前記レーザ除去層として前記有機絶縁層を形成する。
【００１３】
本発明の他の態様では、パネル基板上には前記有機電界発光素子が複数形成され、該有機電界発光素子の前記有機層の少なくとも一部を前記下部電極又は前記上部電極毎に分離するように有機絶縁層を形成し、同時に前記外部接続用端子の形成領域に前記レーザ除去層として前記有機絶縁層を形成する。
【００１４】
このように有機電界発光素子を形成する工程中に用いる有機絶縁層をレーザ除去層として用いることで、特別な工程を追加することなくまた水分等の有機層への侵入の恐れなく外部接続用端子を露出させることが可能となる。
【００１５】
更に、本発明の他の態様において、前記有機絶縁層及びレーザ除去層は、感光材料を含有する平坦化絶縁層を用いることができる。感光材料を含有する平坦化絶縁層を用いるので、基板全面に平坦化絶縁層を形成した後、外部接続用端子の形成領域と、下部電極の端部領域や下部又は上部電極毎の領域に選択的に平坦化絶縁層を残すことが容易である。また平坦化絶縁層の材料は、レーザを選択的に吸収する材料が多いためレーザ除去層としても優れている。従って、平坦化絶縁層を利用して端子を容易に露出させることが可能となる。
【００１６】
また、本発明の他の態様では、前記保護膜は、前記レーザを透過するレーザ透過膜である。このため、レーザ透過膜でのレーザの吸収が少なく、このレーザ透過膜を介してレーザ除去層に効率的にレーザを照射することができ、このレーザ透過膜とレーザ除去層と共に除去できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態（以下、実施形態）について、図面に基づいて説明する。
【００１８】
［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの概略平面構造を示しており、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００１９】
ガラスなどのパネル基板１０上には、複数の画素が配列された表示部１２が形成されており、各画素にはそれぞれ有機ＥＬ素子５０が設けられている。有機ＥＬ素子５０は、下部電極と上部電極の間に発光分子を含む有機層を備えて構成されている。
【００２０】
有機ＥＬパネルは、本実施形態１ではアクティブマトリクス型であり、有機ＥＬ素子５０の発光を画素毎に個別に制御するためのスイッチ素子（ここでは薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）が各画素に形成されている。また、上下いずれかの電極を画素毎の個別電極としてＴＦＴに接続し、他方の電極を共通電極として形成されており、本実施形態では、下部電極５２が個別電極を構成しておりＴＦＴに接続されている。下部電極５２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料からなり陽極として機能し、上部電極５４は、Ａｌなどの金属材料からなり陰極として機能しており、基板側から下部電極５２、有機層６０、上部電極５４が順に積層され、下部電極が陽極、上部電極が陰極として機能し、陽極から正孔を注入し、陰極から電子を注入して有機層中で再結合させ、これにより有機発光分子を励起して基底状態に戻る際の発光を透明な下部電極５２及びパネル基板１０側を透過させて外部に射出させている。
【００２１】
本実施形態のアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルでは、画素用のＴＦＴには、能動層に多結晶シリコンを用いたｐ−ＳｉＴＦＴを用いており、パネル基板上１０の表示部１２の周囲にはこの画素用のＴＦＴを駆動するためのドライバ回路１４が画素ＴＦＴと同様の構成でほぼ同時に形成されたｐ−ＳｉＴＦＴを利用して形成されている。
【００２２】
以上のような構成において、各画素のＴＦＴを制御するためドライバ回路１４で用いられるクロック信号や、各有機ＥＬ素子５０の発光量を決めるため画素ＴＦＴに供給されるデータ信号、或いは各有機ＥＬ素子５０の陽極５２，陰極５４間に実際に電流を流すための駆動電流源など、一枚のガラス基板上に構成される有機ＥＬパネルには、外部から信号や電力を供給する必要がある。そこで、パネル基板１０上の周辺部には図１に示されるように外部接続用端子７０（Ｔ１〜Ｔｎ）を設け、完成したパネルの端子７０を外部の信号供給源や電力源に接続して実際に表示装置や発光装置として用いる。
【００２３】
外部接続用端子７０は、導電性材料であれば特に材料に制限される訳ではないが、基板１０上に形成される配線や電極材料等、パネル製造工程で用いる導電性材料を用いて配線又は電極の形成と同時に形成することが好ましい。本実施形態では、この端子材料として有機ＥＬ素子５０の下部電極５２と同一材料のＩＴＯを用いており、ＩＴＯ下部電極５２の画素毎のパターニングの際、同時にパネル周辺領域に端子７０を形成している。但し、下部電極５２よりも先に基板１０上に形成されるＴＦＴのゲート電極材料（例えばＣｒ）や、ソース又はドレイン電極或いはデータ信号線材料（例えばＡｌ）を用いても良い。
【００２４】
既に説明したように、有機ＥＬ素子５０は、特にその有機層が水や酸素などにより劣化するので、素子寿命や信頼性の向上などを図るためには有機層に外部から水や酸素などが侵入しないようにする必要がある。そこで、本実施形態においても、有機ＥＬ素子５０の上部電極（ここでは陰極）５４まで形成した後、有機ＥＬ素子５０を覆うように基板１０の素子形成面側の全面に保護膜８０を形成する。
【００２５】
保護膜８０は、ここでは多層構造であり、素子側には表面被覆性に優れ厚く形成することの可能なＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＳｉＯ２層８２が形成され、外界側には比較的厚く形成可能であり、緻密で（即ち水分などの遮蔽性が高く）、機械的強度にも優れたＳｉＮｘ層８４が形成されている。
【００２６】
保護膜８０は多層構造には限られないが、有機ＥＬ素子を含む基板上の段差をできる限り確実に覆うため、基板全面に一括して形成する方法で形成することが好適であり、本実施形態においても保護膜８０は、まず、上記端子７０も含め基板全体を覆うように形成する。また保護膜８０の材料は上記ＴＥＯＳ（ＳｉＯ２）、ＳｉＮｘには限られないが、本実施形態においては、後述するように端子露出時に用いるレーザが少なくとも平坦化絶縁層４０に到達できる程度まで該レーザに対して透過性を備えることが必要である。
【００２７】
ここで、本実施形態１では、端子７０の形成領域には保護膜８０と端子７０との間に端子露出時に照射するレーザを選択的に吸収してアブレーションを起こし、これにより自動的に除去されるレーザ除去層を端子７０上に形成しておく。このレーザ除去層の採用により、本実施形態１では、基板全面に保護膜８０を形成した後、端子形成領域に選択的にレーザを照射し、レーザ除去層ごと上記保護膜８０を除去し、端子７０を露出させる。
【００２８】
以下、保護膜８０を除去し端子を露出させる本実施形態１に係る方法について更に図３を参照して具体的に説明する。
【００２９】
図３（ａ）に示すように、ガラス等からなるパネル基板１０上に各有機ＥＬ素子５０を制御するＴＦＴを形成後、これを覆って層間絶縁層１６を形成し、ＴＦＴを制御するための電極、配線を形成した後、基板全体を覆うように平坦化絶縁層１８を形成する。平坦化絶縁層１８を形成し、必要な位置にコンタクトホールを形成した後、ＩＴＯ層を積層し、露光してエッチングすることで、有機ＥＬ素子５０の下部電極５２及び端子７０の形状にパターニングする。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、下部電極５２の端部を覆って平坦化絶縁層４０を形成する。ＩＴＯを用い陽極として機能する下部電極５２は、それぞれＴＦＴに接続して画素毎に個別にパターニングするので、画素毎に電極端部が存在する。この下部電極５２の端部においては、電界の集中が発生しやすく、また通常、有機層６０は薄いので、陽極と陰極とが短絡して表示不良が発生する可能性がある。平坦化絶縁層４０は、この問題を解決するために採用され、図３（ｂ）に示すように下部電極５２の各端部を覆って画素の間隙を埋めるように形成される。なお、本実施形態では、上記平坦化絶縁層４０には下部電極５２を覆う端部カバー領域の他、真空蒸着法によって有機層６０を形成する際に用いる蒸着マスクが多層構造の有機層の形成済みの層に接触して損傷を与えないよう、蒸着マスクを支持可能な部分的に厚いマスク支持領域が形成されている。もちろん、真空蒸着法によって形成される有機層６０に限らず、インクジェット方式やその他の印刷法によって有機層６０を各画素に形成する場合にも下部電極５２の端部を覆い画素を分離するために同様な平坦化絶縁層４０を用いること好適である。
【００３１】
平坦化絶縁層４０は、厚く形成することが可能であり、より好ましくは上面の平坦性の高い材料が用いられ、アクリル系樹脂などの有機絶縁材料などが優れている。平坦化絶縁層４０は、まず、パターニングされた各下部電極５２を覆う基板全面にスピンコートなどによって積層した後に、下部電極５２の形成領域の内その端部を除く領域を選択的にエッチング除去することで下部電極５２を端部を除き露出させる。ここで積層される平坦化絶縁材料には予め感光剤を混入しておくことができ、感光剤を含むため、平坦化絶縁層４０をパターニングする際に、レジスト材料を別途形成する必要が無く、マスクを用いて直接平坦化絶縁層４０を露光し、エッチングして所望パターンとすることができる。
【００３２】
ここで、本実施形態１では、各画素の発光領域とする部分で平坦化絶縁層４０を開口して下部電極５２の表面を露出させる際、パネル周辺部の端子形成領域から平坦化絶縁層４０を除去せず、端子７０は露出させずに平坦化絶縁層４０で覆ったままにしておく。
【００３３】
平坦化絶縁層４０の形成及びパターニング後、各画素において露出した下部電極５２の上には有機層６０を形成する。有機層６０は、少なくとも有機発光材料を含む層であり、一例として、陽極（下部電極）５２側から正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層が順に積層された多層構造を備える。真空蒸着法によって有機層６０の各層を形成する際、適宜、画素毎に開口部を備えた蒸着マスクを用いて成膜する。これにより、図３（ｃ）に示すように平坦化絶縁層４０によって画素毎に隔てられた有機層６０が形成されることとなる。但し、有機層６０を単層構造とするか多層構造であるか、また画素毎の個別パターンとするかどうかなどについては、有機層６０に用いる材料によって最適な構造、パターンを選択する。
【００３４】
有機層６０を形成した後、図３（ｄ）に示すように各画素で共通の上部電極（陰極）５４を形成する。上部電極５４は、例えばＡｌを真空蒸着法などによって積層して形成する。パネルの表示部１２の外側など上部電極の不要な部分はＡｌの蒸着時に形成目的領域のみ開口した蒸着マスクで覆い、Ａｌ蒸着と同時にこのＡｌ層を所望形状にパターニングする。
【００３５】
以上のように有機ＥＬ素子５０の上部電極５４まで形成した後、次は、上部電極５４の上から基板１０の素子形成面側の全面を覆うように保護膜８０を形成する。保護膜８０は上述のように例えばＴＥＯＳによるＳｉＯ２からなる第１保護膜８２とＳｉＮｘからなる第２保護膜８４の積層構造を備え、第１及び第２保護膜８２，８４はいずれもメタルマスクなどを用いることなくそれぞれ基板の素子形成面側の全面に形成される。このため、端子形成領域において、端子７０は、該端子７０を覆って形成された平坦化絶縁層４０の上から保護膜８０によって覆われる。
【００３６】
保護膜８０形成後、図３（ｅ）に示すように、端子７０を露出させるために基板の素子形成面側から端子形成領域に向けてレーザを照射する。これにより図２に示すように端子７０を覆う平坦化絶縁層４０と保護膜８０を除去する。なお、図３（ｅ）には、ＴＦＴ形成層は省略し陽極５２の層より上の層を示している。照射するレーザとしては、保護膜８０の材料であるＴＥＯＳ（ＳｉＯ２）やＳｉＮｘには吸収されず、平坦化絶縁層４０の材料である合成樹脂等には選択的に吸収され、平坦化絶縁層４０の下層に形成されているＩＴＯ端子には到達しない波長のレーザを選択する。
【００３７】
このような波長のレーザを照射することで、端子形成領域を覆って形成した平坦化絶縁層４０がレーザを吸収し、端子７０の上を覆う平坦化絶縁層４０が急速に加熱されてアブレーションを起こし、レーザの照射された平坦化絶縁層４０とその上層の保護膜８０が同時に除去される。このように保護膜８０を平坦化絶縁層４０ごといわゆるドライエッチングでき、平坦化絶縁層４０の形成領域において選択的にその下層に形成されている端子７０を露出させることができる。そして、露出した端子７０に対して、必要な信号源、電源（例えば駆動電源、陰極電源等）を接続することで、表示装置や発光装置として機能させることが可能となる。なお、レーザの照射領域については、予め決めた照射域になるように光学系を調整したり、レーザビームを端から走査したり、或いはレーザ光源とパネルとの間に端子形成領域のみ開口したマスクを配置するなどの方法により規定する。
【００３８】
ここで、端子７０を覆う平坦化絶縁層４０と保護膜８０を選択的に除去するレーザとしては、ＹＡＧレーザやエキシマレーザ等が採用可能であり、特にＹＡＧレーザは、装置コストが安価であることから好ましい。なおＹＡＧレーザは３次高調波（３５５ｎｍ：基本波長１０６４ｎｍ）を採用することが好ましい。３５５ｎｍの波長のレーザを用いることで、上述のように保護膜８０を透過し、平坦化絶縁層４０には吸収され、ＩＴＯなどからなる端子７０に到達せず、端子７０と除去すべき平坦化絶縁層４０との間で十分な選択比を得ることができ、端子７０にダメージを与えることなく確実にこの端子７０を覆う平坦化絶縁層４０と保護膜８０とを除去することが可能となる。
【００３９】
なお、上述のように照射するレーザとして最適な波長を用いることで、保護膜８０側から照射した場合に端子７０までは到達しないので、上述のように、端子材料として有機ＥＬ素子５０の上部電極（陽極）５２と同じＩＴＯには限られず、ＴＦＴのゲート電極やデータラインなどの信号配線と同じ金属材料を用いることもできる。また、照射するレーザとして最適な波長を用いることにより、レーザをガラス基板側から照射して、ＩＴＯ膜を透過し平坦化絶縁層でアブレーションが生じるようにして、保護膜とともに平坦化絶縁層を除去してもよい。
【００４０】
［実施形態２］
次に、実施形態２として、積層構造の保護膜８０のいずれかの層、例えば最外層等に金属材料を用いた場合の端子露出方法について説明する。
【００４１】
このように保護膜８０に金属材料層が含まれる場合、レーザが保護膜８０を透過できない。従って、本実施形態２１では、保護膜８０側からではなく、図４に示すように、ガラスなどの透明なパネル基板１０側から端子に向けてレーザを照射する。
【００４２】
この場合に用いるレーザとしては、実施形態１と同様、例えばＹＡＧレーザを採用できるが、例えばその２次高調波（５３２ｎｍ）等、より長波長のレーザが好ましく、また端子７０の材料としては透明導電材料である例えばＩＴＯが好ましい。さらに、有機ＥＬ素子５０の下部電極５２の下層に形成される平坦化絶縁層１８の材料としては、ＴＥＯＳ（ＳｉＯ２）などレーザを吸収しない材料を用いることが好ましい。
【００４３】
このような条件を満たす場合に、５３２ｎｍ程度の波長のレーザを基板１０側から照射すれば、ガラスの基板１０からＩＴＯ端子７０まではこのレーザを透過し、ＩＴＯの端子７０を覆う平坦化絶縁層４０で吸収が起こる。また、このレーザは、ある程度平坦化絶縁層４０を透過するが、保護膜８０の金属層で反射及び吸収が起こる。
【００４４】
従って、この場合にもＩＴＯ端子７０を覆う平坦化絶縁層４０がレーザを吸収してアブレーションを起こし、上層の保護膜８０と共に除去することができ、ＩＴＯ端子７０の表面を露出させることができる。
【００４５】
［実施形態３］
実施形態３として、実施形態１及び２のようにアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルではなく、いわゆるパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルを用いた場合の端子の露出方法について説明する。
【００４６】
パッシブマトリクス型有機ＥＬパネルでは、各画素に上記実施形態１，２のようなＴＦＴは形成されず、各画素は、基板上にそれぞれストライプ状に形成された下部電極と上部電極が間に有機層を挟んで互い直交する領域に形成されるダイオード構造の有機ＥＬ素子によって構成される。
【００４７】
このようなパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルにおいても、画素間での発光のにじみ防止や、フルカラーパネルでの混色防止などのため有機層中の少なくとも発光層を画素毎に分離することがある。そして、その場合、下部電極（ここでは透明陽極）５２を形成した後、実施形態１及び２で平坦化絶縁層４０に用いた感光剤を含んだアクリル系樹脂などからなる有機絶縁層を形成する。
【００４８】
図５は、本実施形態３に係るパッシブ型有機ＥＬパネルの１本の下部電極５２に沿った位置での概略断面構造を示している。行方向に延びる下部電極５２上には、有機絶縁材料からなる断面が逆テーパ状で列方向に延びるベース層４２が１画素領域毎に形成されている。また、パネル基板の周辺には有機ＥＬ素子５０の下部電極５２の形成時に、該下部電極５２と同一の例えばＩＴＯからなる端子７０を形成しておき、上記ベース層４２のパターニング時、端子７０の上にはレーザを吸収するベース層４２を選択的に残す。
【００４９】
ベース層４２形成パターニング後は、真空蒸着法などにより必要に応じて蒸着マスクを用いながら、有機層６０を積層する。一本の下部電極５２に対し、これを横切る方向に複数のベース層４２が形成されているため、有機層６０は、各ベース層４２により列毎に分断される。
【００５０】
ベース層４２によって分断された有機層６０の上には、ベース層４２に沿って列方向に延びるストライプ状のＡｌなどからなる上部電極５４が形成され、上部電極５４と下部電極５２とが有機層６０を間に挟んで交差する部分に各画素が形成される。
【００５１】
上部電極５４まで形成した後、上部電極５４を含め基板の素子形成面全体を覆って上記実施形態１と同様な保護膜８０が形成され、この保護膜８０によって端子７０の上に形成されたベース層４２も覆われる。
【００５２】
保護膜８０の形成後、実施形態１と同様に保護膜８０側から例えばＹＡＧレーザの３次高調波を端子形成領域に選択的に照射する。これにより、実施形態１と同様に端子７０を覆って形成された有機絶縁材料からなるベース層４２が加熱されてアブレーションを起こし、上層の保護膜８０と共にベース層４２は除去され、端子７０を露出させることができる。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、レーザを選択的に照射することで端子を露出させることができるため、保護膜を基板全面に形成することができ、被覆性よく有機ＥＬ素子を保護膜で覆うことができる。
【００５４】
また、レーザ除去層として有機ＥＬ素子の形成工程で用いる有機絶縁層を採用することが可能であり、これにより特別な工程の追加なく端子上にレーザ除去層を選択的に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルの平面構成を示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った概略断面を示す図である。
【図３】本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルの製造工程を示す図である。
【図４】本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルの製造方法を説明する概略断面図である。
【図５】本発明の実施形態３に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルの概略断面を示す図である。
【符号の説明】
１０ パネル基板、１２ 表示部、１４，１４Ｈ，１４Ｖ ドライバ回路、１６ 層間絶縁層、１８ 平坦化絶縁層、４０ 平坦化絶縁層、４２ ベース層、５０ 有機ＥＬ素子、５２ 下部電極（陽極）、５４ 上部電極（陰極）、６０有機層、７０ 端子、８０ 保護膜、８２ 第１保護膜、８４ 第２保護膜。
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機電界発光パネル、特にその外部接続用の端子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自発光素子であるエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬ）素子を各画素に発光素子として用いたＥＬパネルは、自発光型であると共に、薄く消費電力が小さい等の有利な点があり、液晶表示装置（ＬＣＤ）やＣＲＴなどの表示装置に代わる表示装置等として注目され、研究が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に有機発光分子を含む有機層を挟んだ構造であり、陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子とが有機層中で再結合して有機発光分子が励起され、この分子が基底状態に戻る際に発光が起きる原理を利用している。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子は、有機発光分子によって様々な色の光を高輝度で得ることが可能である一方で、有機層が水分や酸素等に弱く、また機械的強度が低いため、素子、特に有機層を水分や酸素等から保護するための保護手段が必要とされる。
【０００５】
保護の手段として、基板上に形成された有機ＥＬ素子の基板と反対側の面を保護膜で覆うことは、より薄型化、小型化、そして軽量化の観点から非常に有利である。
【特許文献１】
特開昭６１−６１３９７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
有機ＥＬパネルとして実際に動作させるには、素子を駆動するための何らかの外部電源との接続をするための外部接続用端子を基板上に形成する必要があり、この端子を露出させる必要がある。
【０００７】
一方、被覆性よく有機ＥＬ素子を覆う保護膜を形成するためには、基板全面に保護膜を形成することが望ましいと考えられる。そこで、端子部分については、基板全面に保護膜を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて保護膜をウエットエッチングで除去するという方法が考えられるが、有機層を水分などから確実に保護するためには、有機層形成後にウエットエッチングを行うことは避けた方が好ましい。
【０００８】
従って、上記保護膜を形成する際、金属マスクなどを用いて端子部分だけ選択的に保護膜を形成しないようにする方法を採用せざるを得ないが、マスクを用いて保護膜を形成すると、例えばスピンコートなど、保護膜の形成方法として高い被覆性、平坦性を実現可能な方法を採用することが困難となる。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、有機層に悪影響を与えることなくパネル上に形成された端子を接続可能とすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下部電極と上部電極との間に発光分子を含む有機層を備えた有機電界発光素子と、該有機電界発光素子を駆動するための外部接続用端子とを同一パネル基板上に備える有機電界発光パネルの製造方法であって、前記外部接続用端子の形成領域を覆ってレーザ吸収材料からなるレーザ除去層を形成し、前記レーザ除去層を形成した後に、前記有機電界発光素子及び前記レーザ除去層を覆って基板全面に保護膜を形成し、前記レーザ除去層の形成された領域に向けて、前記レーザ吸収材料の吸収波長域のレーザを照射して前記レーザ除去層及びその上に形成されている前記保護膜を除去し、前記外部接続用端子の上面を露出させる。
【００１１】
レーザを吸収するレーザ吸収材料を外部接続用端子を覆って形成し、このレーザ吸収材料からなるレーザ除去層の形成領域に選択的にレーザを照射すれば照射領域においてレーザ除去層が加熱され、レーザ除去層及びその上に形成された保護膜を同時に除去され、レーザ除去層の下層の端子を露出させることができる。従って、保護膜は制限無くパネル領域全面に形成することができ、被覆性よく、かつ均一な保護膜で有機電界発光素子を覆って有機層などを確実に保護することができる。また、レーザ照射によるドライエッチングであるため有機層に影響を及ぼすことなく外部接続用端子を露出させることができる。
【００１２】
本発明の他の態様では、画素毎に個別に形成された前記下部電極のそれぞれの端部を覆うように有機絶縁層を形成し、同時に前記外部接続用端子の形成領域に前記レーザ除去層として前記有機絶縁層を形成する。
【００１３】
本発明の他の態様では、パネル基板上には前記有機電界発光素子が複数形成され、該有機電界発光素子の前記有機層の少なくとも一部を前記下部電極又は前記上部電極毎に分離するように有機絶縁層を形成し、同時に前記外部接続用端子の形成領域に前記レーザ除去層として前記有機絶縁層を形成する。
【００１４】
このように有機電界発光素子を形成する工程中に用いる有機絶縁層をレーザ除去層として用いることで、特別な工程を追加することなくまた水分等の有機層への侵入の恐れなく外部接続用端子を露出させることが可能となる。
【００１５】
更に、本発明の他の態様において、前記有機絶縁層及びレーザ除去層は、感光材料を含有する平坦化絶縁層を用いることができる。感光材料を含有する平坦化絶縁層を用いるので、基板全面に平坦化絶縁層を形成した後、外部接続用端子の形成領域と、下部電極の端部領域や下部又は上部電極毎の領域に選択的に平坦化絶縁層を残すことが容易である。また平坦化絶縁層の材料は、レーザを選択的に吸収する材料が多いためレーザ除去層としても優れている。従って、平坦化絶縁層を利用して端子を容易に露出させることが可能となる。
【００１６】
また、本発明の他の態様では、前記保護膜は、前記レーザを透過するレーザ透過膜である。このため、レーザ透過膜でのレーザの吸収が少なく、このレーザ透過膜を介してレーザ除去層に効率的にレーザを照射することができ、このレーザ透過膜とレーザ除去層と共に除去できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態（以下、実施形態）について、図面に基づいて説明する。
【００１８】
［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの概略平面構造を示しており、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００１９】
ガラスなどのパネル基板１０上には、複数の画素が配列された表示部１２が形成されており、各画素にはそれぞれ有機ＥＬ素子５０が設けられている。有機ＥＬ素子５０は、下部電極と上部電極の間に発光分子を含む有機層を備えて構成されている。
【００２０】
有機ＥＬパネルは、本実施形態１ではアクティブマトリクス型であり、有機ＥＬ素子５０の発光を画素毎に個別に制御するためのスイッチ素子（ここでは薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）が各画素に形成されている。また、上下いずれかの電極を画素毎の個別電極としてＴＦＴに接続し、他方の電極を共通電極として形成されており、本実施形態では、下部電極５２が個別電極を構成しておりＴＦＴに接続されている。下部電極５２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料からなり陽極として機能し、上部電極５４は、Ａｌなどの金属材料からなり陰極として機能しており、基板側から下部電極５２、有機層６０、上部電極５４が順に積層され、下部電極が陽極、上部電極が陰極として機能し、陽極から正孔を注入し、陰極から電子を注入して有機層中で再結合させ、これにより有機発光分子を励起して基底状態に戻る際の発光を透明な下部電極５２及びパネル基板１０側を透過させて外部に射出させている。
【００２１】
本実施形態のアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルでは、画素用のＴＦＴには、能動層に多結晶シリコンを用いたｐ−ＳｉＴＦＴを用いており、パネル基板上１０の表示部１２の周囲にはこの画素用のＴＦＴを駆動するためのドライバ回路１４が画素ＴＦＴと同様の構成でほぼ同時に形成されたｐ−ＳｉＴＦＴを利用して形成されている。
【００２２】
以上のような構成において、各画素のＴＦＴを制御するためドライバ回路１４で用いられるクロック信号や、各有機ＥＬ素子５０の発光量を決めるため画素ＴＦＴに供給されるデータ信号、或いは各有機ＥＬ素子５０の陽極５２，陰極５４間に実際に電流を流すための駆動電流源など、一枚のガラス基板上に構成される有機ＥＬパネルには、外部から信号や電力を供給する必要がある。そこで、パネル基板１０上の周辺部には図１に示されるように外部接続用端子７０（Ｔ１〜Ｔｎ）を設け、完成したパネルの端子７０を外部の信号供給源や電力源に接続して実際に表示装置や発光装置として用いる。
【００２３】
外部接続用端子７０は、導電性材料であれば特に材料に制限される訳ではないが、基板１０上に形成される配線や電極材料等、パネル製造工程で用いる導電性材料を用いて配線又は電極の形成と同時に形成することが好ましい。本実施形態では、この端子材料として有機ＥＬ素子５０の下部電極５２と同一材料のＩＴＯを用いており、ＩＴＯ下部電極５２の画素毎のパターニングの際、同時にパネル周辺領域に端子７０を形成している。但し、下部電極５２よりも先に基板１０上に形成されるＴＦＴのゲート電極材料（例えばＣｒ）や、ソース又はドレイン電極或いはデータ信号線材料（例えばＡｌ）を用いても良い。
【００２４】
既に説明したように、有機ＥＬ素子５０は、特にその有機層が水や酸素などにより劣化するので、素子寿命や信頼性の向上などを図るためには有機層に外部から水や酸素などが侵入しないようにする必要がある。そこで、本実施形態においても、有機ＥＬ素子５０の上部電極（ここでは陰極）５４まで形成した後、有機ＥＬ素子５０を覆うように基板１０の素子形成面側の全面に保護膜８０を形成する。
【００２５】
保護膜８０は、ここでは多層構造であり、素子側には表面被覆性に優れ厚く形成することの可能なＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＳｉＯ２層８２が形成され、外界側には比較的厚く形成可能であり、緻密で（即ち水分などの遮蔽性が高く）、機械的強度にも優れたＳｉＮｘ層８４が形成されている。
【００２６】
保護膜８０は多層構造には限られないが、有機ＥＬ素子を含む基板上の段差をできる限り確実に覆うため、基板全面に一括して形成する方法で形成することが好適であり、本実施形態においても保護膜８０は、まず、上記端子７０も含め基板全体を覆うように形成する。また保護膜８０の材料は上記ＴＥＯＳ（ＳｉＯ２）、ＳｉＮｘには限られないが、本実施形態においては、後述するように端子露出時に用いるレーザが少なくとも平坦化絶縁層４０に到達できる程度まで該レーザに対して透過性を備えることが必要である。
【００２７】
ここで、本実施形態１では、端子７０の形成領域には保護膜８０と端子７０との間に端子露出時に照射するレーザを選択的に吸収してアブレーションを起こし、これにより自動的に除去されるレーザ除去層を端子７０上に形成しておく。このレーザ除去層の採用により、本実施形態１では、基板全面に保護膜８０を形成した後、端子形成領域に選択的にレーザを照射し、レーザ除去層ごと上記保護膜８０を除去し、端子７０を露出させる。
【００２８】
以下、保護膜８０を除去し端子を露出させる本実施形態１に係る方法について更に図３を参照して具体的に説明する。
【００２９】
図３（ａ）に示すように、ガラス等からなるパネル基板１０上に各有機ＥＬ素子５０を制御するＴＦＴを形成後、これを覆って層間絶縁層１６を形成し、ＴＦＴを制御するための電極、配線を形成した後、基板全体を覆うように平坦化絶縁層１８を形成する。平坦化絶縁層１８を形成し、必要な位置にコンタクトホールを形成した後、ＩＴＯ層を積層し、露光してエッチングすることで、有機ＥＬ素子５０の下部電極５２及び端子７０の形状にパターニングする。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、下部電極５２の端部を覆って平坦化絶縁層４０を形成する。ＩＴＯを用い陽極として機能する下部電極５２は、それぞれＴＦＴに接続して画素毎に個別にパターニングするので、画素毎に電極端部が存在する。この下部電極５２の端部においては、電界の集中が発生しやすく、また通常、有機層６０は薄いので、陽極と陰極とが短絡して表示不良が発生する可能性がある。平坦化絶縁層４０は、この問題を解決するために採用され、図３（ｂ）に示すように下部電極５２の各端部を覆って画素の間隙を埋めるように形成される。なお、本実施形態では、上記平坦化絶縁層４０には下部電極５２を覆う端部カバー領域の他、真空蒸着法によって有機層６０を形成する際に用いる蒸着マスクが多層構造の有機層の形成済みの層に接触して損傷を与えないよう、蒸着マスクを支持可能な部分的に厚いマスク支持領域が形成されている。もちろん、真空蒸着法によって形成される有機層６０に限らず、インクジェット方式やその他の印刷法によって有機層６０を各画素に形成する場合にも下部電極５２の端部を覆い画素を分離するために同様な平坦化絶縁層４０を用いること好適である。
【００３１】
平坦化絶縁層４０は、厚く形成することが可能であり、より好ましくは上面の平坦性の高い材料が用いられ、アクリル系樹脂などの有機絶縁材料などが優れている。平坦化絶縁層４０は、まず、パターニングされた各下部電極５２を覆う基板全面にスピンコートなどによって積層した後に、下部電極５２の形成領域の内その端部を除く領域を選択的にエッチング除去することで下部電極５２を端部を除き露出させる。ここで積層される平坦化絶縁材料には予め感光剤を混入しておくことができ、感光剤を含むため、平坦化絶縁層４０をパターニングする際に、レジスト材料を別途形成する必要が無く、マスクを用いて直接平坦化絶縁層４０を露光し、エッチングして所望パターンとすることができる。
【００３２】
ここで、本実施形態１では、各画素の発光領域とする部分で平坦化絶縁層４０を開口して下部電極５２の表面を露出させる際、パネル周辺部の端子形成領域から平坦化絶縁層４０を除去せず、端子７０は露出させずに平坦化絶縁層４０で覆ったままにしておく。
【００３３】
平坦化絶縁層４０の形成及びパターニング後、各画素において露出した下部電極５２の上には有機層６０を形成する。有機層６０は、少なくとも有機発光材料を含む層であり、一例として、陽極（下部電極）５２側から正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層が順に積層された多層構造を備える。真空蒸着法によって有機層６０の各層を形成する際、適宜、画素毎に開口部を備えた蒸着マスクを用いて成膜する。これにより、図３（ｃ）に示すように平坦化絶縁層４０によって画素毎に隔てられた有機層６０が形成されることとなる。但し、有機層６０を単層構造とするか多層構造であるか、また画素毎の個別パターンとするかどうかなどについては、有機層６０に用いる材料によって最適な構造、パターンを選択する。
【００３４】
有機層６０を形成した後、図３（ｄ）に示すように各画素で共通の上部電極（陰極）５４を形成する。上部電極５４は、例えばＡｌを真空蒸着法などによって積層して形成する。パネルの表示部１２の外側など上部電極の不要な部分はＡｌの蒸着時に形成目的領域のみ開口した蒸着マスクで覆い、Ａｌ蒸着と同時にこのＡｌ層を所望形状にパターニングする。
【００３５】
以上のように有機ＥＬ素子５０の上部電極５４まで形成した後、次は、上部電極５４の上から基板１０の素子形成面側の全面を覆うように保護膜８０を形成する。保護膜８０は上述のように例えばＴＥＯＳによるＳｉＯ２からなる第１保護膜８２とＳｉＮｘからなる第２保護膜８４の積層構造を備え、第１及び第２保護膜８２，８４はいずれもメタルマスクなどを用いることなくそれぞれ基板の素子形成面側の全面に形成される。このため、端子形成領域において、端子７０は、該端子７０を覆って形成された平坦化絶縁層４０の上から保護膜８０によって覆われる。
【００３６】
保護膜８０形成後、図３（ｅ）に示すように、端子７０を露出させるために基板の素子形成面側から端子形成領域に向けてレーザを照射する。これにより図２に示すように端子７０を覆う平坦化絶縁層４０と保護膜８０を除去する。なお、図３（ｅ）には、ＴＦＴ形成層は省略し陽極５２の層より上の層を示している。照射するレーザとしては、保護膜８０の材料であるＴＥＯＳ（ＳｉＯ２）やＳｉＮｘには吸収されず、平坦化絶縁層４０の材料である合成樹脂等には選択的に吸収され、平坦化絶縁層４０の下層に形成されているＩＴＯ端子には到達しない波長のレーザを選択する。
【００３７】
このような波長のレーザを照射することで、端子形成領域を覆って形成した平坦化絶縁層４０がレーザを吸収し、端子７０の上を覆う平坦化絶縁層４０が急速に加熱されてアブレーションを起こし、レーザの照射された平坦化絶縁層４０とその上層の保護膜８０が同時に除去される。このように保護膜８０を平坦化絶縁層４０ごといわゆるドライエッチングでき、平坦化絶縁層４０の形成領域において選択的にその下層に形成されている端子７０を露出させることができる。そして、露出した端子７０に対して、必要な信号源、電源（例えば駆動電源、陰極電源等）を接続することで、表示装置や発光装置として機能させることが可能となる。なお、レーザの照射領域については、予め決めた照射域になるように光学系を調整したり、レーザビームを端から走査したり、或いはレーザ光源とパネルとの間に端子形成領域のみ開口したマスクを配置するなどの方法により規定する。
【００３８】
ここで、端子７０を覆う平坦化絶縁層４０と保護膜８０を選択的に除去するレーザとしては、ＹＡＧレーザやエキシマレーザ等が採用可能であり、特にＹＡＧレーザは、装置コストが安価であることから好ましい。なおＹＡＧレーザは３次高調波（３５５ｎｍ：基本波長１０６４ｎｍ）を採用することが好ましい。３５５ｎｍの波長のレーザを用いることで、上述のように保護膜８０を透過し、平坦化絶縁層４０には吸収され、ＩＴＯなどからなる端子７０に到達せず、端子７０と除去すべき平坦化絶縁層４０との間で十分な選択比を得ることができ、端子７０にダメージを与えることなく確実にこの端子７０を覆う平坦化絶縁層４０と保護膜８０とを除去することが可能となる。
【００３９】
なお、上述のように照射するレーザとして最適な波長を用いることで、保護膜８０側から照射した場合に端子７０までは到達しないので、上述のように、端子材料として有機ＥＬ素子５０の上部電極（陽極）５２と同じＩＴＯには限られず、ＴＦＴのゲート電極やデータラインなどの信号配線と同じ金属材料を用いることもできる。また、照射するレーザとして最適な波長を用いることにより、レーザをガラス基板側から照射して、ＩＴＯ膜を透過し平坦化絶縁層でアブレーションが生じるようにして、保護膜とともに平坦化絶縁層を除去してもよい。
【００４０】
［実施形態２］
次に、実施形態２として、積層構造の保護膜８０のいずれかの層、例えば最外層等に金属材料を用いた場合の端子露出方法について説明する。
【００４１】
このように保護膜８０に金属材料層が含まれる場合、レーザが保護膜８０を透過できない。従って、本実施形態２１では、保護膜８０側からではなく、図４に示すように、ガラスなどの透明なパネル基板１０側から端子に向けてレーザを照射する。
【００４２】
この場合に用いるレーザとしては、実施形態１と同様、例えばＹＡＧレーザを採用できるが、例えばその２次高調波（５３２ｎｍ）等、より長波長のレーザが好ましく、また端子７０の材料としては透明導電材料である例えばＩＴＯが好ましい。さらに、有機ＥＬ素子５０の下部電極５２の下層に形成される平坦化絶縁層１８の材料としては、ＴＥＯＳ（ＳｉＯ２）などレーザを吸収しない材料を用いることが好ましい。
【００４３】
このような条件を満たす場合に、５３２ｎｍ程度の波長のレーザを基板１０側から照射すれば、ガラスの基板１０からＩＴＯ端子７０まではこのレーザを透過し、ＩＴＯの端子７０を覆う平坦化絶縁層４０で吸収が起こる。また、このレーザは、ある程度平坦化絶縁層４０を透過するが、保護膜８０の金属層で反射及び吸収が起こる。
【００４４】
従って、この場合にもＩＴＯ端子７０を覆う平坦化絶縁層４０がレーザを吸収してアブレーションを起こし、上層の保護膜８０と共に除去することができ、ＩＴＯ端子７０の表面を露出させることができる。
【００４５】
［実施形態３］
実施形態３として、実施形態１及び２のようにアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルではなく、いわゆるパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルを用いた場合の端子の露出方法について説明する。
【００４６】
パッシブマトリクス型有機ＥＬパネルでは、各画素に上記実施形態１，２のようなＴＦＴは形成されず、各画素は、基板上にそれぞれストライプ状に形成された下部電極と上部電極が間に有機層を挟んで互い直交する領域に形成されるダイオード構造の有機ＥＬ素子によって構成される。
【００４７】
このようなパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルにおいても、画素間での発光のにじみ防止や、フルカラーパネルでの混色防止などのため有機層中の少なくとも発光層を画素毎に分離することがある。そして、その場合、下部電極（ここでは透明陽極）５２を形成した後、実施形態１及び２で平坦化絶縁層４０に用いた感光剤を含んだアクリル系樹脂などからなる有機絶縁層を形成する。
【００４８】
図５は、本実施形態３に係るパッシブ型有機ＥＬパネルの１本の下部電極５２に沿った位置での概略断面構造を示している。行方向に延びる下部電極５２上には、有機絶縁材料からなる断面が逆テーパ状で列方向に延びるベース層４２が１画素領域毎に形成されている。また、パネル基板の周辺には有機ＥＬ素子５０の下部電極５２の形成時に、該下部電極５２と同一の例えばＩＴＯからなる端子７０を形成しておき、上記ベース層４２のパターニング時、端子７０の上にはレーザを吸収するベース層４２を選択的に残す。
【００４９】
ベース層４２形成パターニング後は、真空蒸着法などにより必要に応じて蒸着マスクを用いながら、有機層６０を積層する。一本の下部電極５２に対し、これを横切る方向に複数のベース層４２が形成されているため、有機層６０は、各ベース層４２により列毎に分断される。
【００５０】
ベース層４２によって分断された有機層６０の上には、ベース層４２に沿って列方向に延びるストライプ状のＡｌなどからなる上部電極５４が形成され、上部電極５４と下部電極５２とが有機層６０を間に挟んで交差する部分に各画素が形成される。
【００５１】
上部電極５４まで形成した後、上部電極５４を含め基板の素子形成面全体を覆って上記実施形態１と同様な保護膜８０が形成され、この保護膜８０によって端子７０の上に形成されたベース層４２も覆われる。
【００５２】
保護膜８０の形成後、実施形態１と同様に保護膜８０側から例えばＹＡＧレーザの３次高調波を端子形成領域に選択的に照射する。これにより、実施形態１と同様に端子７０を覆って形成された有機絶縁材料からなるベース層４２が加熱されてアブレーションを起こし、上層の保護膜８０と共にベース層４２は除去され、端子７０を露出させることができる。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、レーザを選択的に照射することで端子を露出させることができるため、保護膜を基板全面に形成することができ、被覆性よく有機ＥＬ素子を保護膜で覆うことができる。
【００５４】
また、レーザ除去層として有機ＥＬ素子の形成工程で用いる有機絶縁層を採用することが可能であり、これにより特別な工程の追加なく端子上にレーザ除去層を選択的に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルの平面構成を示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った概略断面を示す図である。
【図３】本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルの製造工程を示す図である。
【図４】本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルの製造方法を説明する概略断面図である。
【図５】本発明の実施形態３に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルの概略断面を示す図である。
【符号の説明】
１０ パネル基板、１２ 表示部、１４，１４Ｈ，１４Ｖ ドライバ回路、１６ 層間絶縁層、１８ 平坦化絶縁層、４０ 平坦化絶縁層、４２ ベース層、５０ 有機ＥＬ素子、５２ 下部電極（陽極）、５４ 上部電極（陰極）、６０有機層、７０ 端子、８０ 保護膜、８２ 第１保護膜、８４ 第２保護膜。
Claims (5)
- 下部電極と上部電極との間に発光分子を含む有機層を備えた有機電界発光素子と、該有機電界発光素子を駆動するための外部接続用端子とを同一パネル基板上に備える有機電界発光パネルの製造方法であって、
前記外部接続用端子の形成領域を覆ってレーザ吸収材料からなるレーザ除去層を形成し、
前記レーザ除去層を形成した後に、前記有機電界発光素子及び前記レーザ除去層を覆って基板全面に保護膜を形成し、
前記レーザ除去層の形成された領域に向けて、前記レーザ吸収材料の吸収波長域のレーザを照射して前記レーザ除去層及びその上に形成されている前記保護膜を除去し、前記外部接続用端子の上面を露出させることを特徴とする有機電界発光パネルの製造方法。 - 請求項１に記載の有機電界発光パネルの製造方法において、
画素毎に個別に形成された前記下部電極のそれぞれの端部を覆うように有機絶縁層を形成し、同時に前記外部接続用端子の形成領域に前記レーザ除去層として前記有機絶縁層を形成することを特徴とする有機電界発光パネルの製造方法。 - 請求項１に記載の有機電界発光パネルの製造方法において、
パネル基板上には前記有機電界発光素子が複数形成され、該有機電界発光素子の前記有機層の少なくとも一部を前記下部電極又は前記上部電極毎に分離するように有機絶縁層を形成し、同時に前記外部接続用端子の形成領域に前記レーザ除去層として前記有機絶縁層を形成することを特徴とする有機電界発光パネルの製造方法。 - 前記有機絶縁層及びレーザ除去層は、感光材料を含有する平坦化絶縁層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機電界発光パネルの製造方法。
- 前記保護膜は、前記レーザを透過するレーザ透過膜であり、前記レーザが照射されると前記レーザ除去層と共に除去されることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の有機電界発光パネルの製造方法。
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