KR100698695B1 - 발광 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

발광 표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100698695B1
KR100698695B1 KR1020040048319A KR20040048319A KR100698695B1 KR 100698695 B1 KR100698695 B1 KR 100698695B1 KR 1020040048319 A KR1020040048319 A KR 1020040048319A KR 20040048319 A KR20040048319 A KR 20040048319A KR 100698695 B1 KR100698695 B1 KR 100698695B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
pixel
light emitting
circuit
layer
Prior art date
Application number
KR1020040048319A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050122697A (ko
Inventor
김금남
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040048319A priority Critical patent/KR100698695B1/ko
Publication of KR20050122697A publication Critical patent/KR20050122697A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100698695B1 publication Critical patent/KR100698695B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 표시장치에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성되는 복수의 화소회로, 상기 기판 상에 형성되며 상기 화소회로에 연결되어 신호를 인가하는 회로부, 상기 화소회로 위에 형성되며 상기 화소회로에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극이 형성된 상기 화소회로와 상기 회로부 위에 형성되며 상기 제 1 전극이 노출되는 개구부를 구비하는 1~3㎛의 두께를 갖는 아크릴로 형성되는 PDL, 상기 제 1 전극의 상부에 형성된 발광층 및 상기 발광층과 상기 아크릴막의 상부에 증착되는 제 2 전극을 포함하는 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
따라서, 발광 표시장치는 PDL을 형성하는 아크릴 등의 절연막을 발광 표시장치의 회로부까지 연장하여 보호막으로 사용되어, 회로부가 외부의 충격이나 긁힘으로부터 보호 받을 수 있게 된다.
표시장치, 보호막, 제조방법, 발광소자

Description

발광 표시장치 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND MAKING METHOD THEREOF}
도 1은 종래 기술에 의한 액티브 매트릭스형 평판 표시장치의 구조도이다.
도 2는 본 발명에 따른 발광 표시장치의 화소의 제 1 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 표시장치의 화소의 제 2 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 4은 본 발명에 따른 발광 표시장치의 구성도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명에 따른 발광 표시장치의 제조공정을 나타내는 도이다.
***도면의 주요부분에 대한 부호설명***
10: 화소부 11: 화소
20: 데이터 구동회로 30: 주사 구동회로
115: PDL
본 발명은 발광 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세히 설명하면, 화소부를 구동하도록 하는 주변구동회로가 기판에 내장되며, 별도의 추가공정 없이 주변구동회로 상부에 보호막을 도포하여 주변구동회로를 보호하도록 하는 발광 표시장치에 관한 것이다.
퍼스널 컴퓨터, 휴대전화기, PDA 등의 휴대 정보단말기 등의 표시장치나 각종 정보기기의 모니터로서 박형 경량의 평판 표시장치가 이용되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 패널을 이용한 LCD, 유기발광 소자를 이용한 유기발광 표시장치, 플라즈마 패널을 이용한 PDP 등이 알려져 있다.
이러한 평판 표시장치는 기판 상에 매트릭스 형태로 복수의 화소를 배치하여 표시영역으로 하고, 각 화소에 주사선과 데이터선을 연결하여 화소에 데이터신호를 선택적으로 인가하여 디스플레이를 한다.
평판 표시장치는 화소의 구동방식에 따라 패시브(Passive)매트릭스형 평판 표시장치와 액티브(Active)매트릭스형 평판 표시장치로 구분되며, 해상도, 콘트라스트, 동작속도의 관점에서 단위화소 마다 선택하여 점등하는 액티브 매트릭스형이 주류가 되고 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 액티브 매트릭스형 평판 표시장치의 구조도이다. 도 1을 참조하여 설명하면, 액티브 매트릭스형 평판표시장치는 화상을 표시하는 화소부(10), 화소부(10)에 데이터신호를 인가하는 데이터 구동회로(20) 및 화소의 특 정행을 선택하여 데이터가 인가되도록 하는 주사 구동회로(30)를 포함한다.
화소부(10)는 행방향으로 형성되어 선택신호를 전달하는 n 개의 1 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 열방향으로 형성되며 데이터신호를 전달하는 m 개의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)이 구비되며, 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 데이터선 (D1, D2,....Dm-1, Dm)의 교차점에 화소(11)가 형성된다. 화소(11)는 하부에 TFT(Thin Film Transistor)가 형성되고, TFT의 스위칭 동작에 의해 화소(11)가 선택적으로 데이터신호를 인가 받아 화상을 표시한다.
데이터 구동회로(20)는 화소부(10)에 데이터 신호를 인가하는 수단으로, 데이터 구동회로(20)가 화소부(10)의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 연결되어 데이터 신호가 화소(11)에 인가된다.
주사 구동회로(30)는 선택신호를 출력하는 수단으로, 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 연결되어 데이터 구동회로(20)를 통해 입력되는 데이터 신호가 선택신호에 의해 선택된 화소(11)에 인가되도록 한다. 선택신호는 화소부(10)의 한 행을 선택하여 한 행 별로 데이터 신호가 인가되도록 한다.
상기와 같이 구성되는 액티브 매트릭스형 평판 표시장치는 주사 구동회로 (30) 등이 기판(미도시)에 실장되도록 구성하여 평판 표시장치의 크기를 작게 구현할 수 있다.
하지만, 액티브 매트릭스형 평판 표시장치를 제조하는 과정에서 주사 구동회로(30) 등이 긁히거나 외부의 충격에 의해 손상될 우려가 있으며, 주사 구동회로 (30)를 보호하기 위하여 주사 구동회로(30)를 보호하는 보호막을 형성하는 공정을 추가로 실시하였다.
이러한 추가적인 공정은 평판 표시장치의 제조원가를 높이고 대량 생산을 하기에 부적합하게 하며, 수율이 떨어지게 된다.
따라서, 본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 발광 표시장치의 화소부에 화소에 신호를 전달하는 회로부가 내장되게 하여 발광 표시장치의 크기를 작게 구현할 수 있으며, 발광 표시장치 제조공정시 회로부가 외부의 충격이나 긁힘으로부터 보호할 수 있는 보호막을 형성하도록 하는 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 별도의 추가적인 공정을 사용하지 않고 회로부에 보호막을 형성하는 발광 표시장치 제조방법을 제공하는 것이다.
삭제
삭제
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광 표시장치는, 기판, 상기 기판 상에 형성되는 복수의 화소회로, 상기 기판 상에 형성되며 상기 화소회로에 연결되어 신호를 인가하는 회로부, 상기 화소회로 위에 형성되며 상기 화소회로에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극이 형성된 상기 화소회로와 상기 회로부 위에 형성되며 상기 제 1 전극이 노출되는 개구부를 구비하는 1~3㎛의 두께를 갖는 아크릴로 형성되는 PDL, 상기 제 1 전극의 상부에 형성된 발광층 및 상기 발광층과 상기 아크릴막의 상부에 증착되는 제 2 전극을 포함하는 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
바람직하게는, 상기 화소회로는, 상기 화소회로는, 상기 기판 상에 형성되는 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 형성되며 소스 영역, 드레인 영역 및 채널영역을 구비하는 능동층, 상기 버퍼층과 상기 능동층 위에 형성되는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 위에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 절연층과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 층간절연막, 상기 층간절연막 위에 형성되며 상기 능동층의 소스 영역과 드레인 영역에 연결되는 소스 전극과 드레인 전극 및 상기 층간절연막, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 형성되는 평탄화층을 포함한다.
또한, 바람직하게는, 상기 회로부는 선택신호를 인가하는 주사 구동회로를 포함한다.
또한, 바람직하게는, 상기 회로부는 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동회로를 포함한다.
또한, 바람직하게는, 상기 화소회로는, 주사선에 인가되는 선택신호에 응답하여 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 제 1 노드에 인가하는 스위칭 소자; 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하여 일정기간 동안 유지하는 제 1 캐패시터; 상기 제 1 캐패시터에 충전된 전압에 응답하여 전류를 흐르게 하는 구동소자; 및 상기 구동소자를 흐르는 전류에 의해 빛을 발광하는 발광소자를 포함한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광 표시장치는 선택신호에 의해 제어되며 데이터 신호에 대응되는 화상을 표시하는 화소부 및 상기 선택신호를 상기 화소부에 인가하는 주사구동회로를 포함하며, 상기 화소부는 상기 공급되는 전류에 대응하여 빛을 발광하는 복수의 발광소자, 상기 복수의 발광소자에 상기 전류를 공급하는 복수의 화소회로 및 상기 복수의 발광소자 사이에 형성된 PDL을 포함하되, 상기 PDL은 1~3㎛ 의 두께를 갖는 아크릴막으로 형성되며 상기 PDL은 상기 주사구동회로를 덮는 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
바람직하게는, 상기 화소회로는,상기 기판 상에 형성되는 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 형성되며 소스 영역, 드레인 영역 및 채널영역을 구비하는 능동층, 상기 버퍼층과 상기 능동층 위에 형성되는 게이트절연막, 상기 게이트절연막 위에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트절연막과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 층간절연막, 상기 층간 절연막 위에 형성되며 상기 능동층의 소스 영역과 드레인 영역에 연결되는 소스 전극과 드레인 전극 및 상기 층간절연막, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 형성되는 평탄화층을 포함한다.
삭제
삭제
삭제
삭제
또한, 바람직하게는, 상기 화소회로는, 주사선에 인가되는 선택신호에 응답하여 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 제 1 노드에 인가하는 스위칭 소자; 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하여 일정기간 동안 유지하는 제 1 캐패시터; 상기 제 1 캐패시터에 충전된 전압에 응답하여 전류를 흐르게 하는 구동소자; 및 상기 구동소자를 흐르는 전류에 의해 빛을 발광하는 발광소자를 포함한다.
또한, 바람직하게는, 상기 화소는 제 1 주사선에 인가되는 제 1 선택신호에 응답하여 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 제 2 노드에 인가하는 제 1 스위칭 소자; 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하여 일정기간 유지하는 제 1 캐패시터; 상기 제 1 캐패시터에 충전된 전압에 대응하여 제 1 노드에 전류를 흐르게 하는 구동소자; 상기 구동소자에서 발생하는 전압차를 보상하는 제 2 캐패시터; 제 2 선택신호에 응답하여 상기 제 1 캐패시터에 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하게 하는 제 2 스위칭 소자; 상기 제 2 선택신호에 응답하여 상기 제 1 노드와 상기 구동 소자가 다이오드 역할을 수행하도록 하는 제 3 스위칭 소자; 및 발광 신호에 응답하며, 상기 제 1 노드에 연결되어 발광소자에 전류를 흐르게 하는 제 4 스위칭 소자를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광 표시장치 제조방법은 기판에 복수의 화소회로와 상기 화소회로에 신호를 인가하는 회로부를 형성하는 단계, 상기 화소회로 상부에 상기 화소회로에 접속된 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극이 형성된 상기 화소회로와 상기 회로부 위에 1~3㎛의 두께를 갖는 아크릴로 형성되는 PDL을 형성하는 단계, 상기 PDL에 개구부를 형성하여 상기 제 1 전극이 노출되는 단계; 및 상기 개구부에 발광층을 형성하고, 상기 발광층과 상기 PDL의 상부에 제 2 전극을 증착하는 단계를 포함하는 발광 표시장치 제조 방법을 제공하는 것이다.
바람직하게는, 상기 화소회로와 상기 회로부를 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 위에 소스 영역, 드레인 영역 및 채널영역을 구비하는 능동층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층과 상기 능동층 위에 게이트절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트절연막과 상기 게이트 전극 위에 층간절연막을 형성하는 단계, 상기 층간절연막 위에 상기 능동층의 소스 영역과 드레인 영역에 연결되는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계 및 상기 층간절연막, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 평탄화층을 형성하는 단계를 포함한다.
삭제
삭제
또한, 바람직하게는, 상기 회로부는 주사 구동회로를 포함한다.
또한, 바람직하게는, 상기 회로부는 데이터 구동회로를 포함한다.
또한, 바람직하게는, 상기 화소는, 제 1 주사선에 인가되는 제 1 선택신호에 응답하여 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 제 2 노드에 인가하는 제 1 스위칭 소자; 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하여 일정기간 유지하는 제 1 캐패시터; 상기 제 1 캐패시터에 충전된 전압에 대응하여 제 1 노드에 전류를 흐르게 하는 구동소자; 상기 구동소자에서 발생하는 전압차를 보상하는 제 2 캐패시터; 제 2 선택신호에 응답하여 상기 제 1 캐패시터에 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하게 하는 제 2 스위칭 소자; 상기 제 2 선택신호에 응답하여 상기 제 1 노드와 상기 구동 소자가 다이오드 역할을 수행하도록 하는 제 3 스위칭 소자; 및 발광 신호에 응답하며, 상기 제 1 노드에 연결되어 발광소자에 전류를 흐르게 하는 제 4 스위칭 소자를 포함한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 발광 표시장치의 화소의 제 1 실시예를 나타내는 회로도이다. 도 2를 참조하여 설명하면, 화소는 발광소자(LiSht EmittinS Device: 이하 LED라 한다), 구동 TFT(Thin Film Transistor:MD), 스토리지 캐패시터(Cst) 및 스위칭 TFT(MS)를 포함한다. 그리고, 주사선(Sk), 데이타선(Dl) 및 전원선(Vdd)이 화소에 연결된다. 주사선(Sk)은 행 방향으로 형성되고, 데이터선(Dl) 및 전원선 (Vdd)은 열 방향으로 형성된다. 여기서 k는 1에서 n 사이의 임의의 정수이고, l은 1에서 m 사이의 임의의 정수이다.
스위칭 TFT(MS)는 소스 전극은 데이터선(Dl)에 연결되고 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 연결되며 게이트 전극은 주사선(Sk)에 연결된다.
구동 TFT(MD)는 소스 전극은 전원선(Vdd)에 연결되고, 드레인 전극은 LED에 연결되며, 게이트 전극은 제 1 노드(N1)에 연결된다. 그리고, 게이트 전극에 입력되는 신호에 의해 LED에 발광을 위한 전류를 공급한다. 구동 TFT(MD)의 전류량은 스위칭 TFT(MS)를 통해 인가되는 데이터 신호에 의해 제어된다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 제 1 전극은 구동 TFT(MD)의 소스 전극에 연결되고, 제 2 전극은 제 1 노드(N1)에 연결되어, 데이터신호에 의하여 인가된 소스 전극과 게이트 전극 사이의 전압을 일정 기간 유지한다.
이와 같은 구성으로 인하여, 스위칭 TFT(MS)의 게이트 전극에 인가되는 주사 신호에 의하여 스위칭 TFT(MS)가 온 상태가 되면, 스토리지 캐패시터(Cst)에 데이터 신호에 대응되는 전압이 충전되고, 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압이 구동 TFT (MD)의 게이트 전극에 인가되어 구동 TFT(MD)는 전류를 흐르게 하여 LED가 발광하도록 한다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 표시장치의 화소의 제 2 실시예를 나타내는 회로도이다. 도 3을 참조하여 설명하면, 발광 표시장치의 화소는 제 1 주사선과 제 2 주사선(Sk, Sk-1)에 선택신호가 인가될 때 선택되고, 데이터선(Dl)에 공급되는 데이터 신호에 상응하는 빛을 발생하게 된다. 이를 위해, 각 화소는 LED와 화소회로를 포함하며, 데이터선(Dl), 제 1 주사선(Sk), 제 2 주사선(Sk-1) 및 발광 신호선 (EMl)에 접속한다. 여기서 k는 1에서 n 사이의 임의의 정수이고, l은 1에서 m 사이의 임의의 정수이다.
화소는 전원선(Vdd)과 LED 사이에 접속된 구동 TFT(MD), 발광신호선(EMl)과 LED 및 구동 TFT(MD)에 접속된 제 4 스위칭 TFT(MS4), 제 1 주사선(Sk)과 데이터선 (Dl)에 접속된 제 1 스위칭 TFT(MS1), 제 1 스위칭 TFT(MS1)와 전원선(Vdd) 및 제 2 주사선(Sk-1)에 접속된 제 2 스위칭 TFT(MS2), 구동 TFT(MD)와 제 4 스위칭 TFT (MS4) 사이인 제 1 노드(N1)와 제 2 주사선(Sk-1) 및 구동 TFT(MD)의 게이트 전극에 접속된 제 3 스위칭 TFT(MS3), 제 1 및 제 2 스위칭 TFT(MS1, MS2) 사이인 제 2 노드(N2)와 전원선(Vdd) 사이에 접속된 스토리지 캐패시터(Cst) 및 제 2 노드(N2)와 구동 TFT(MD)의 게이트 전극 사이에 접속된 보상용 캐패시터(Cvth)를 구비한다.
제 1 스위칭 TFT(MS1)의 게이트 전극은 제 1 주사선(Sk)에 접속되고 소스 전극은 데이터선(Dl)에 접속되며 드레인 전극은 제 2 노드(N2)에 접속된다. 이러한, 제 1 스위칭 TFT(MS1)는 주사 구동회로(미도시)로부터 제 2 주사선(Sk-1)에 공급되는 선택신호에 응답하여 데이터선(Dl)으로부터의 데이터 신호를 제 2 노드(N2)에 공급한다.
제 2 스위칭 TFT(MS2)의 게이트 전극은 제 2 주사선(Sk-1)에 접속되고 소스 전극은 전원선(Vdd)에 접속되며 드레인 전극은 제 2 노드(N2)에 접속된다. 이러한, 제 2 스위칭 TFT(MS2)는 제 2 주사선(Sk-1)에 공급되는 선택신호에 응답하여 전원선(Vdd)으로부터의 전압을 제 2 노드(N2)에 공급한다.
제 3 스위칭 TFT(MS3)의 게이트 전극은 제 2 주사선(Sk-1)에 접속되고 소스 전극은 제 1 노드(N1)에 접속되며 드레인 전극은 구동 TFT(MD)의 게이트 전극에 접속된다. 이러한, 제 3 스위칭 TFT(MS3)는 제 2 주사선(Sk-1)에 공급되는 선택신호에 응답하여 구동 TFT(MD)의 게이트 전극을 제 1 노드(N1)에 접속시킨다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 제 1 주사선(Sk)에 선택신호가 공급되는 구간에 제 1 스위칭 TFT(MS1)를 경유하여 제 2 노드(N2) 상에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한 후, 제 1 스위칭 TFT(MS1)가 오프되면 구동 TFT(MD)의 온 상태를 한 프레임 동안 유지시키게 된다.
보상용 캐패시터(Cvth)는 제 2 주사선(Sk-1)에 선택신호가 공급되는 구간에 전원선(Vdd)으로부터 구동 TFT(MD)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 전압을 저장한다. 즉, 보상용 캐패시터(Cvth)는 제 2 및 제 3 스위칭 TFT(MS2, MS3)의 스위칭에 따라 구동 TFT(MD)의 문턱전압(Vth)을 보상하기 위한 보상전압을 저장하게 된다.
구동 TFT(MD)의 게이트 전극은 제 3 스위칭 TFT(MS3)의 소스 전극과 보상용 캐패시터(Cvth)에 접속되고 소스 전극은 전원선(Vdd)에 접속되며 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 접속된다. 이러한, 구동 TFT(MD)는 자신의 게이트 전극에 공급되는 전압에 따라 전원선(Vdd)으로부터 공급되는 자신의 소스 전극과 드레인 전극간의 전류를 조절하여 제 4 스위칭 TFT(MS4)에 공급한다.
제 4 스위칭 TFT(MS4)의 게이트 전극은 발광 신호선(El)에 접속되고 소스 전극은 제 1 노드(N1)에 접속되며 드레인 전극은 LED의 애노드 전극에 접속된다. 이러한, 제 4 스위칭 TFT(MS4)는 발광신호선(El)으로부터 공급되는 발광신호에 응답하여 구동 TFT(MD)로부터 공급되는 전류를 LED에 공급함으로써 LED를 발광시키게 된다.
한편, 제 4 스위칭 TFT(MS4)는 발광신호선(El)으로부터 공급되는 발광신호에 의해 스위칭되어 데이터 신호를 기입하는 동안 구동 TFT(MD)에 전류가 흐르는 것을 차단하게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 발광 표시장치의 구성도이다. 도 4를 참조하여 설명 하면, 발광 표시장치는 투명기판(미도시) 상에 형성되는 복수의 TFT를 포함하며 화상을 표시하는 화소부(10), 화소부(10)에 연결되어 화소부(10)에 선택신호를 인가하는 주사구동회로(30), 화소부(10)에 연결되어 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동회로(20) 및 화소부(10)와 주사구동회로(30)의 상부에 형성되어 화소부(10)와 주사구동회로(30)을 보호하는 절연막(115)를 포함한다.
화소부(10)는 투명기판(미도시) 상에 도 2 또는 도 3에 도시된 것과 같은 발광 소자를 포함된 화소가 n×m 매트릭스 형태로 배열되며, 선택신호를 전달하는 복수의 주사선, 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선 및 화소(11)에 전원을 공급하는 복수의 전원공급선이 배열되어 화소(11)에 선택신호, 데이터 신호 및 전원에 따라 화상을 표시한다.
주사 구동회로(30)는 복수의 TFT를 이용하여 시프트 레지스터를 형성하며, 복수의 출력선을 통해 선택신호가 순차적으로 화소(11)에 인가되어 화소(11)가 선택되도록 한다. 또한, 주사 구동회로(30)는 화소부(10)의 한쪽 측면에 구성되어 선택신호를 인가할 수 있다.
데이터 구동회로(20)는 화소부(10)에 연결되어, 선택신호가 인가된 화소(11)에 데이터신호가 인가되도록 하여 화상을 표시하도록 한다. 데이터 구동회로(20)는 투명기판(미도시)에 내장될 수도 있고, 기판(미도시)의 외부에 구성되어 화소부 (10)에 데이터 신호를 인가할 수 있다.
절연막(115)는 화소부(10)와 주사 구동회로(30)의 상부에 형성되며, 약 1 내지 3㎛ 의 두께를 갖는 아크릴층 등으로 형성되고, 화소부(10)와 주사구동회로(30)를 외부의 충격이나 긁힘으로부터 보호한다. 그리고, 화소부(10)의 상부에 형성되는 절연막(115)은 화소(11)의 애노드 전극 상부에 형성되지 않게 되어 PDL(Pixel Definition Layer)이 된다. 화소에 포함된 LED 는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 전류가 흐르면 빛을 발광하는 발광층을 포함하며 애노드 전극을 제 1 전극, 캐소드 전극을 제 2 전극으로 칭할 수 있다.
또한, 데이터 구동회로(20)가 TFT 등에 의해 형성되는 경우에는 절연막(115)이 데이터 구동회로(20)의 상부까지 덮도록 하여 데이터 구동회로(20)를 보호하도록 한다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명에 따른 유기 발광 표시장치의 제조공정을 나타내는 도이다. 도 5a 내지 도 5f는 화소부(10)에 내장되어 있는 회로의 가장 끝단의 화소와 화소와 연결되어 있는 주사 구동회로(30)를 나타낸다. 또한, 화소부 (10)와 주사 구동회로(30)는 간단하게 표시하여 화소부(10)와 주사 구동회로(20)에 형성되는 TFT 간의 연결만을 나타냈다.
유리 등의 투명 절연기판(100)상에 산화막을 증착하여 도 5a 에 도시된 것과 같이 버퍼층(101)을 형성한다. 버퍼층(101)은 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘 (SiO2) 등으로 구성할 수 있다. 그리고, 도 5b에 도시된 것과 같이 버퍼층(101)의 상부에 능동층(102, 103)을 형성한다. 편의상 화소부(10)에 형성되는 능동층을 제 1 능동층(102)라 하고 주사구동회로(30)에 형성되는 능동층을 제 2 능동층(103)이라 칭한다.
삭제
삭제
제 1 능동층(102)과 제 2 능동층(103)으로는 비정질 실리콘(Amorphous Silicon)을 열처리하여 얻어진 폴리 실리콘(Polycrystalline Silicon)이 사용될 수 있다.
그리고, 제 1 능동층(102)와 제 2 능동층(103) 위에 산화막으로 이루어진 게이트 절연층(104)이 형성되며, 게이트 절연층(104) 위에 알루미늄 등의 이용하여 금속층을 형성하고 패터닝을 하여 제 1 게이트 전극(105), 하부전극(106), 주사선 107), 제 2 게이트전극(108)을 형성한다.
그리고, 이온 주입을 하여 제 1 능동층(102)와 제 2 능동층(103)에 채널과 소스영역과 드레인영역을 형성한다. 제 1 게이트 전극(105)과 제 2 게이트 전극 (108)의 아래에 위치하는 영역이 채널(102b, 103b)에 해당하고, 채널의 양측에는 이온 주입에 의해 P형 불순물이 도핑된 영역이 소스영역(102c, 103c)과 드레인영역 (102a, 103a)에 해당한다.
그리고, 제 1 게이트전극(105), 하부전극(106), 주사선(107) 및 제 2 게이트 전극(108)의 상부에 층간 절연막(109)을 증착하고 패터닝하여 제 1 능동층(102)의 소스영역(102c)과 드레인영역(102a) 상부에 제 1 컨텍홀(118b)과 제 2 컨텍홀 (118a)이 형성되고, 제 2 능동층(103)의 소스영역(103c)과 드레인 영역(103a) 상부에 제 4 컨텍홀(120b)과 제 5 컨텍홀(120a)을 형성한다. 또한, 주사선(107)의 상부에 제 3 컨텍홀(119)을 형성한다. 따라서, 제 1 능동층(102)의 소스 영역(102c)과 드레인 영역(102a)의 상부, 제 2 능동층(103)의 소스 영역(103c)과 드레인 영역 (103a)의 상부 및 주사선(107)의 상부가 노출되도록 한다.
그리고, 도 5c에 도시된 바와 같이 금속층을 층간 절연막(109)의 상부에 증 착하고 패터닝하여 제 1 능동층(102)의 상부에 소스 전극(110b)과 드레인 전극 (110a), 제 2 능동층(103)의 상부에 소스 전극(112b)과 드레인 전극(112a) 및 전원 공급선(111)을 형성한다. 이때, 제 1 컨텍홀(118b), 제 2 컨택홀(118a), 제 4 컨텍홀(120b) 및 제 5 컨텍홀(120a)에 의해 각 소스 전극(110b,112b)과 드레인 전극 (110a,112b)이 각 소스 영역(102c,103c)과 드레인 영역(102a, 103a)에 전기적으로 연결되며, 제 3 컨텍홀(119)에 의해 제 2 능동층(103)의 소스 전극(112a)이 주사선 (107)에 연결된다. 제 1 능동층(102)에 의해 형성되는 TFT를 제 1 TFT라 칭하고, 제 2 능동층(103)에 의해 형성되는 TFT를 제 2 TFT라고 칭한다.
그리고, 도 5d에 도시된 것과 같이 소스 전극, 드레인 전극, 주사선의 상부에 절연막을 증착하고 그 상부를 평탄화하여 평탄화층(113)을 증착한다. 그리고, 평탄화층(113)을 패터닝하여 제 1 TFT의 드레인 전극(110a)의 상부에 제 6 컨텍홀 (121)을 형성하며, 제 6 컨텍홀(121)의 상부에 금속층을 형성하여 애노드 전극 (114)을 형성한다. 애노드 전극(114)은 제 6 컨텍홀(121)에 의해 제 1 TFT의 드레인 전극(110a)에 연결된다.
그리고, 도 5e에 도시된 바와 같이 평탄화층(113)과 애노드 전극의 상부에 아크릴 등을 이용한 PDL(Pixel Definiton Layer: 115)을 형성한다. PDL(115)은 애노드 전극(114)이 노출되도록 PDL(115)을 식각하여 개구부(122)를 형성한다. 그리고, PDL(115)은 아크릴 등의 절연물질을 이용하며 약 1㎛ 내지 3㎛의 두께를 갖도록 한다.
그리고, 도 5f에 도시된 것과 같이 개구부(122)에 유기발광층(116)을 형성하 고 유기발광층(116)과 PDL(115)의 상부에 캐소드 전극(117)이 증착되도록 한다.
캐소드 전극(117)은 화소부의 전면에 증착되며, PDL(115)은 캐소드 전극 (117)의 하부에 따라서, 애노드 전극(114), 유기발광층(116) 및 캐소드 전극(117)에 의해 LED가 형성된다.
상기와 같이 구성된 유기 발광 표시장치는 PDL(115)이 회로부의 상부까지 연장되어 있어, PDL(115)이 화소부(50)에 내장되어 있는 주사 구동회로(60)를 보호하여 발광 표시장치를 제조하는 과정에서 긁힘이나 외부의 충격으로부터 주사 구동회로(60)를 보호할 수 있게 된다.
본 발명의 바람직한 실시예가 특정 용어들을 사용하여 기술되어 왔지만, 그러한 기술은 단지 설명을 하기 위한 것이며, 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것으로 이해되어져야 한다.
본 발명에 따른 발광 표시장치 및 그 제조방법에 의하면, 회로부가 실장되도록 하여 발광 표시장치의 화소부 이외의 크기를 줄일 수 있으며, 화소부에 형성되는 PDL을 형성하는 아크릴 등의 절연막을 발광 표시장치의 회로부까지 연장하여 보호막으로 사용되어, 회로부가 외부의 충격에서 보호를 받을 수 있으며 긁힘을 방지할 수 있게 된다.
그리고, 회로부에 형성되는 TFT와 그 상부에 형성되는 캐소드 전극 사이에 기생 캐패시터가 형성되지만, 이때, 보호막에 의해 TFT와 캐소드 전극 사이의 거리가 멀어지게 되어 TFT와 캐소드 전극 사이에 형성되는 기생 캐패시터의 용량이 줄어들게 한다.
또한, 화소부에 PDL을 증착하는 과정에서 회로부에 보호막이 형성되므로, 보호막을 형성하는 별도의 공정이 필요 없게 된다. 따라서, 유기 발광 표시장치의 제조 공정이 간단해져 생산성을 향상시키고 비용을 줄일 수 있다.

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성되는 복수의 화소회로;
    상기 기판 상에 형성되며 상기 화소회로에 연결되어 신호를 인가하는 회로부;
    상기 화소회로 위에 형성되며 상기 화소회로에 연결되는 제 1 전극;
    상기 제 1 전극이 형성된 상기 화소회로와 상기 회로부 위에 형성되며 상기 제 1 전극이 노출되는 개구부를 구비하는 1~3㎛의 두께를 갖는 아크릴로 형성되는 PDL;
    상기 제 1 전극의 상부에 형성된 발광층; 및
    상기 발광층과 상기 아크릴막의 상부에 증착되는 제 2 전극을 포함하는 발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소회로는,
    상기 기판 상에 형성되는 버퍼층;
    상기 버퍼층 위에 형성되며 소스 영역, 드레인 영역 및 채널영역을 구비하는 능동층;
    상기 버퍼층과 상기 능동층 위에 형성되는 게이트 절연층;
    상기 게이트 절연층 위에 형성되는 게이트 전극;
    상기 게이트 절연층과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 층간절연막;
    상기 층간절연막 위에 형성되며 상기 능동층의 소스 영역과 드레인 영역에 연결되는 소스 전극과 드레인 전극; 및
    상기 층간절연막, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 형성되는 평탄화층을 포함하는 발광 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 회로부는 선택신호를 인가하는 주사 구동회로를 포함하는 발광 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 회로부는 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동회로를 포함하는 발광 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소회로는, 주사선에 인가되는 선택신호에 응답하여 데이터선에 인가 되는 데이터 신호를 제 1 노드에 인가하는 스위칭 소자;
    상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하여 일정기간 동안 유지하는 제 1 캐패시터;
    상기 제 1 캐패시터에 충전된 전압에 응답하여 전류를 흐르게 하는 구동소자; 및
    상기 구동소자를 흐르는 전류에 의해 빛을 발광하는 발광소자를 포함하는 발광 표시장치.
  6. 선택신호에 의해 제어되며 데이터 신호에 대응되는 화상을 표시하는 화소부; 및
    상기 선택신호를 상기 화소부에 인가하는 주사구동회로를 포함하며,
    상기 화소부는
    상기 공급되는 전류에 대응하여 빛을 발광하는 복수의 발광소자;
    상기 복수의 발광소자에 상기 전류를 공급하는 복수의 화소회로; 및
    상기 복수의 발광소자 사이에 형성된 PDL을 포함하되,
    상기 PDL은 1~3㎛ 의 두께를 갖는 아크릴막으로 형성되며 상기 PDL은 상기 주사구동회로를 덮는 발광 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 화소회로는,
    상기 기판 상에 형성되는 버퍼층;
    상기 버퍼층 위에 형성되며 소스 영역, 드레인 영역 및 채널영역을 구비하는 능동층;
    상기 버퍼층과 상기 능동층 위에 형성되는 게이트절연막;
    상기 게이트절연막 위에 형성되는 게이트 전극;
    상기 게이트절연막과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 층간절연막;
    상기 층간 절연막 위에 형성되며 상기 능동층의 소스 영역과 드레인 영역에 연결되는 소스 전극과 드레인 전극; 및
    상기 층간절연막, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 형성되는 평탄화층을 포함하는 발광 표시장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 화소회로는, 주사선에 인가되는 선택신호에 응답하여 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 제 1 노드에 인가하는 스위칭 소자;
    상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하여 일정기간 동안 유지하는 제 1 캐패시터;
    상기 제 1 캐패시터에 충전된 전압에 응답하여 전류를 흐르게 하는 구동소자; 및
    상기 구동소자를 흐르는 전류에 의해 빛을 발광하는 발광소자를 포함하는 발광 표시장치.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 화소는, 제 1 주사선에 인가되는 제 1 선택신호에 응답하여 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 제 2 노드에 인가하는 제 1 스위칭 소자;
    상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하여 일정기간 유지하는 제 1 캐패시터;
    상기 제 1 캐패시터에 충전된 전압에 대응하여 제 1 노드에 전류를 흐르게 하는 구동소자;
    상기 구동소자에서 발생하는 전압차를 보상하는 제 2 캐패시터;
    제 2 선택신호에 응답하여 상기 제 1 캐패시터에 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하게 하는 제 2 스위칭 소자;
    상기 제 2 선택신호에 응답하여 상기 제 1 노드와 상기 구동 소자가 다이오드 역할을 수행하도록 하는 제 3 스위칭 소자; 및
    발광 신호에 응답하며, 상기 제 1 노드에 연결되어 발광소자에 전류를 흐르게 하는 제 4 스위칭 소자를 포함하는 발광 표시장치.
  12. 기판에 복수의 화소회로와 상기 화소회로에 신호를 인가하는 회로부를 형성하는 단계;
    상기 화소회로 상부에 상기 화소회로에 접속된 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극이 형성된 상기 화소회로와 상기 회로부 위에 1~3㎛의 두께를 갖는 아크릴로 형성되는 PDL을 형성하는 단계;
    상기 PDL에 개구부를 형성하여 상기 제 1 전극이 노출되는 단계; 및
    상기 개구부에 발광층을 형성하고, 상기 발광층과 상기 PDL의 상부에 제 2 전극을 증착하는 단계를 포함하는 발광 표시장치 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 화소회로와 상기 회로부를 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층 위에 소스 영역, 드레인 영역 및 채널영역을 구비하는 능동층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층과 상기 능동층 위에 게이트절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트절연막과 상기 게이트 전극 위에 층간절연막을 형성하는 단계;
    상기 층간절연막 위에 상기 능동층의 소스 영역과 드레인 영역에 연결되는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 층간절연막, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 평탄화층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 표시장치 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 회로부는 주사 구동회로를 포함하는 발광 표시장치 제조방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 회로부는 데이터 구동회로를 포함하는 발광 표시장치 제조방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 화소는, 제 1 주사선에 인가되는 제 1 선택신호에 응답하여 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 제 2 노드에 인가하는 제 1 스위칭 소자;
    상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하여 일정기간 유지하는 제 1 캐패시터;
    상기 제 1 캐패시터에 충전된 전압에 대응하여 제 1 노드에 전류를 흐르게 하는 구동소자;
    상기 구동소자에서 발생하는 전압차를 보상하는 제 2 캐패시터;
    제 2 선택신호에 응답하여 상기 제 1 캐패시터에 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전하게 하는 제 2 스위칭 소자;
    상기 제 2 선택신호에 응답하여 상기 제 1 노드와 상기 구동 소자가 다이오드 역할을 수행하도록 하는 제 3 스위칭 소자; 및
    발광 신호에 응답하며, 상기 제 1 노드에 연결되어 발광소자에 전류를 흐르게 하는 제 4 스위칭 소자를 포함하는 발광 표시장치 제조방법.
KR1020040048319A 2004-06-25 2004-06-25 발광 표시장치 및 그 제조방법 KR100698695B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040048319A KR100698695B1 (ko) 2004-06-25 2004-06-25 발광 표시장치 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040048319A KR100698695B1 (ko) 2004-06-25 2004-06-25 발광 표시장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050122697A KR20050122697A (ko) 2005-12-29
KR100698695B1 true KR100698695B1 (ko) 2007-03-23

Family

ID=37294470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040048319A KR100698695B1 (ko) 2004-06-25 2004-06-25 발광 표시장치 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100698695B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102088429B1 (ko) 2013-10-11 2020-03-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000068382A (ko) * 1997-07-02 2000-11-25 야스카와 히데아키 표시 장치
KR20000068846A (ko) * 1997-08-29 2000-11-25 야스카와 히데아키 액티브 매트릭스형 표시 장치
KR20040033395A (ko) * 2002-10-14 2004-04-28 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20040042861A (ko) * 2002-11-14 2004-05-20 산요덴키가부시키가이샤 유기 전계 발광 패널의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000068382A (ko) * 1997-07-02 2000-11-25 야스카와 히데아키 표시 장치
KR20000068846A (ko) * 1997-08-29 2000-11-25 야스카와 히데아키 액티브 매트릭스형 표시 장치
KR20040033395A (ko) * 2002-10-14 2004-04-28 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20040042861A (ko) * 2002-11-14 2004-05-20 산요덴키가부시키가이샤 유기 전계 발광 패널의 제조 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020000068382 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050122697A (ko) 2005-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6956283B2 (ja) 表示装置
US10163944B2 (en) Thin film transistor substrate having a plurality of stacked storage capacitors
JP6239684B2 (ja) 発光装置
US10083990B2 (en) Thin film transistor substrate and display device using the same
KR101142994B1 (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101080351B1 (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법
US20150154915A1 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
KR20060054603A (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법
US20080074363A1 (en) Pixel circuit and display apparatus
KR20120072948A (ko) 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
KR102387791B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
JP2007041571A (ja) 半導体装置、表示装置及びに電子機器
JP6844283B2 (ja) 電気光学装置、及び、電子機器
JP2007058202A (ja) 表示装置及びその駆動方法
US10482816B2 (en) Method for driving display element, display device, and electronic device
KR101174588B1 (ko) 반도체 장치, 및 발광 장치와 전자기기
KR100698695B1 (ko) 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102491261B1 (ko) 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치
KR100639010B1 (ko) 발광표시장치 및 그 제조방법
JP4490403B2 (ja) 発光装置
US20240282251A1 (en) Display apparatus
KR101240658B1 (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법
CN117037738A (zh) 一种显示面板及显示装置、显示驱动方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160229

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 13