WO2018179047A1 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

有機ＥＬ表示装置（１）は、表示領域（５）と、ＴＦＴ基板（１０）の少なくとも一部の縁部（２ａ）との間に、上面に溝部（１７ｃ１）を有する第３有機絶縁膜パターン部（１７Ｃ）を備え、封止膜（３０）における第１無機層（３１）および第２無機層（３３）が、平面視で、第３有機絶縁膜パターン部（１７Ｃ）および少なくとも一部の縁部（２ａ）を覆っており、溝部（１７ｃ１）内で断裂している。

Description

表示装置およびその製造方法

　本発明は、表示装置およびその製造方法に関する。

　発光材料の電界発光（Electro luminescence；以下、「ＥＬ」と記す）を利用したＥＬ表示装置は、液晶表示装置に比べて応答速度が速く、視野角も広い表示装置として注目されている。

　このような表示装置は、例えば、ガラス基板等からなる支持体上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられてなるＴＦＴ基板上に、ＴＦＴに接続された、ＯＬＥＤ素子等の発光素子が設けられた構成を有している。

　しかしながら、このような発光素子は、一般的に、水分や酸素等による影響を受け易く、微量の水分や酸素と反応することでその特性が劣化し、表示装置の寿命を損なう。

　そこで、上記発光素子内への水分や酸素の浸入を防止するために、上記発光素子は、無機層を含む封止膜で封止される。無機層は、水分の浸入を防ぐ防湿機能を有し、バリア層として機能する。

　商用生産においては、大型のマザー基板に複数の表示装置を形成した後、隣接する表示装置の境界部で基板を分断することにより、複数の表示装置から個々の表示装置が得られる。

　しかしながら、このように基板を分断する際に、分断ライン上に、上記封止膜の無機層が存在していると、マザー基板の分断時に上記無機層を切断することで発生したクラックが、マザー基板の分断時に、もしくは分断後に、衝撃や振動等により上記無機層を伝搬して、分断した表示装置の表示領域に広がるおそれがある。

　このようにマザー基板の分断により発生したクラックが表示装置の表示領域まで進行すると、発光素子内に水分や酸素が浸入し、発光素子が破壊される等、表示装置の信頼性を低下させる。このため、従来は、マザー基板の分断によるクラック防止のために、分断領域と上記無機層の形成領域とを分離する必要があった（例えば、特許文献１、２参照）。

日本国公開特許公報「特開２０１０－１４１１８１号公報（２０１０年６月２４日公開）」 日本国公開特許公報「特開２０１４－１２７４３６号公報（２０１４年７月７日公開）」

　しかしながら、隣り合う封止膜が互いに接触しないように各封止膜を独立して形成する場合、ＣＶＤ用のマスクを使用して上記無機層を形成すると、該無機層の端部において、蒸着ボケが発生し、膜厚が薄くなるという問題がある。このため、蒸着ボケが表示領域に及ばないように、ＣＶＤ用のマスクの加工精度、アライメント精度を含めて、上記無機層の端部を、表示領域から十分に離す必要がある。このため、狭額縁化が困難となる等の問題がある。

　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、表示装置の縁部に封止膜が成膜されているとともに、マザー基板の分断で上記封止膜に発生したクラックが表示領域内に進行することを防止することができる、信頼性の高い表示装置およびその製造方法を提供することにある。

　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる表示装置は、支持体と、上記支持体上の表示領域に設けられた、複数の発光素子と、上記複数の発光素子を封止する封止膜と、を備えた表示装置であって、平面視で、上記表示領域と、上記支持体の少なくとも一部の縁部との間に、上記少なくとも一部の縁部から離間して設けられた、上面に溝部を有する樹脂層を備え、上記封止膜は、少なくとも無機層を含み、上記無機層は、平面視で、上記樹脂層および上記少なくとも一部の縁部を覆っており、上記溝部内で断裂している。

　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる表示装置の製造方法は、支持体と、上記支持体上の表示領域に設けられた、複数の発光素子と、上記複数の発光素子を封止する封止膜と、を備えた表示装置の製造方法であって、上記支持体の少なくとも一部を構成するマザー基板上に、平面視で、上記マザー基板を個々の表示装置に個片化するために分断する複数の分断予定線のうち少なくとも一部の分断予定線と、上記分断予定線で囲まれた領域内における上記表示領域との間に、上記少なくとも一部の分断予定線から離間して、上面に溝部を有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、上記封止膜を形成する封止膜形成工程と、上記封止膜が形成された上記マザー基板を、各表示領域をそれぞれ囲むように上記分断予定線に沿って分断する分断工程と、を含み、上記封止膜形成工程は、無機層を形成する無機層形成工程を含むとともに、上記無機層形成工程では、上記無機層が上記樹脂層を覆うとともに上記少なくとも一部の分断予定線を覆うように、上記無機層を形成することで、上記無機層が、上記溝部内で断裂する。

　本発明の一態様によれば、表示装置の縁部に封止膜が成膜されているとともに、マザー基板の分断で上記封止膜に発生したクラックが表示領域内に進行することを防止することができる、信頼性の高い表示装置およびその製造方法を提供することができる。

本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 個片化を行う前の、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ基板の要部の概略構成を示す平面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態１にかかる、溝部が形成された第３有機絶縁膜パターン部の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す第３有機絶縁膜パターン部上に第１無機層および第２無機層を形成したときの該第３有機絶縁膜パターン部の概略構成を示す断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程を工程順に示す断面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ基板の個片化時における分断ライン近傍の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、溝部を有する第３有機絶縁膜パターン部が形成されていない有機ＥＬ基板において、封止膜における第１無機層および第２無機層を分断ライン上に形成したときの、有機ＥＬ基板の個片化時における分断ライン近傍の概略構成を示す断面図であり、（ｃ）は、ＣＶＤ用のマスクを用いて、分断ラインから離間して封止膜を形成したときの、有機ＥＬ基板の個片化時における分断ライン近傍の概略構成を示す断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、それぞれ、本発明の実施形態１の変形例１にかかる溝部の形状の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態１の変形例２にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態１の変形例３にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すＣ－Ｃ線断面図であり、（ｃ）は、（ａ）に示すＤ－Ｄ線断面図である。 本発明の実施形態１の変形例４にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す平面図である。

　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。

　本発明の実施の一形態について、図１～図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。

　なお、以下では、本実施形態にかかる表示装置の一例として、発光素子として、有機ＥＬ素子と称されるＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）素子を含むＯＬＥＤ層を備えた有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。

　＜有機ＥＬ表示装置の概略構成＞
　図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。図２は、個片化を行う前の、上記有機ＥＬ表示装置１における有機ＥＬ基板２の要部の概略構成を示す平面図である。なお、図１は、個片化後の有機ＥＬ表示装置１の断面を示し、該断面は、図２に示す有機ＥＬ表示装置１のＡ－Ａ線矢視断面に相当する。

　なお、図２では、図示の便宜上、バンクＢＫ１～ＢＫ４、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ、各配線の端子となる複数の端子ＴＭが設けられた端子部１２Ｔ、以外の図示を省略している。また、図２では、図示の便宜上、表示領域５に対する額縁領域６の比率を、実際よりもかなり大きく記載している。

　図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ基板２と、図示しない駆動回路等と、を備えている。

　有機ＥＬ基板２は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板１０上に、ＯＬＥＤ素子（有機ＥＬ素子）を構成するＯＬＥＤ層２０、封止膜３０、および図示しないカバー体が、ＴＦＴ基板１０側からこの順に設けられた構成を有している。

　なお、上記有機ＥＬ表示装置１は、折り曲げ可能な可撓性を有するフレキシブル表示装置であってもよく、剛性を有する折り曲げできない表示装置であってもよい。

　（ＴＦＴ基板１０）
　ＴＦＴ基板１０は、絶縁性の支持体１１と、支持体１１上に設けられたＴＦＴ層１２と、を備えている。

　（支持体１１）
　支持体１１としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム等が挙げられる。なお、支持体１１は、プラスチックフィルム（樹脂層）上にバリア層（防湿層）が設けられた、可撓性を有する積層フィルムであってもよい。また、上記積層フィルムは、プラスチックフィルムにおけるバリア層とは反対面側に、接着層を介して、外部に面する下面フィルムがさらに設けられた構成を有していてもよい。

　上記プラスチックフィルムに使用される樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレン、ポリアミド等が挙げられる。

　バリア層は、水分や不純物が、支持体１１上に形成されるＴＦＴ層１２およびＯＬＥＤ層２０に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜、またはこれらの積層膜等で形成することができる。

　バリア層は、プラスチックフィルムの表面が露出しないように、プラスチックフィルムにおける一面全体に渡って設けられる。これにより、プラスチックフィルムとして、例えばポリイミド等の薬液に弱い材料を用いた場合であっても、薬液によるプラスチックフィルムの溶出および工程汚染を防止することができる。

　下面フィルムは、上記有機ＥＬ表示装置１がフレキシブル表示装置である場合に、ガラス基板を剥離したプラスチックフィルム（樹脂層）の下面に貼り付けることで、柔軟性に優れた有機ＥＬ表示装置１を製造するためのものである。下面フィルムには、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレン、アラミド、等の可撓性を有する樹脂からなるプラスチックフィルムが用いられる。

　（ＴＦＴ層１２）
　ＴＦＴ層１２は、複数の島状に形成された半導体層１３と、これら半導体層１３を覆うように支持体１１上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成された、複数のゲート電極Ｇ、および図示しない複数のゲート配線と、ゲート絶縁膜１４上に形成された上記ゲート電極Ｇおよび配線を覆う無機絶縁膜１５（第１パッシベーション膜）と、無機絶縁膜１５上に形成された複数の容量電極Ｃと、これら容量電極Ｃを覆うように無機絶縁膜１５上に形成された無機絶縁膜１６（第２パッシベーション膜）と、無機絶縁膜１６上に形成された、複数のソース電極Ｓ、複数のドレイン電極Ｄ、複数の配線Ｗ、図示しない複数のソース配線、図示しない複数の電源線と、無機絶縁膜１６上に形成された上記電極および配線を覆う有機絶縁膜１７と、外部接続用の複数の端子ＴＭ（端子電極）が設けられた端子部１２Ｔと、を含んでいる。

　半導体層１３は、例えば、アモルファスシリコン、低温ポリシリコン（ＬＰＴＳ）、あるいは、酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１４は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、または、これらの積層膜によって構成される。

　ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、容量電極Ｃ、配線Ｗ、図示しない引き回し配線、および端子ＴＭは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、等の金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。

　無機絶縁膜１５・１６は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）によって構成される。有機絶縁膜１７は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の感光性樹脂材料によって構成される。

　半導体層１３、ゲート電極Ｇ、無機絶縁膜１５・１６、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、ＴＦＴ１８を構成している。

　ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、ゲート絶縁膜１４、無機絶縁膜１５・１６に設けられたコンタクトホールを介して、半導体層１３と接続されている。ソース電極Ｓは、例えば電源線（図示せず）に接続されている。ドレイン電極Ｄは、有機絶縁膜１７を貫通するコンタクトホールを介して第１電極２１と接続されている。配線Ｗは、無機絶縁膜１６に設けられたコンタクトホールを介して容量電極Ｃと接続されている。

　また、ゲート電極Ｇにはゲート配線が接続されており、ソース電極Ｓにはソース配線が接続されている。ゲート配線とソース配線とは、平面視で、互いに直交するように交差している。

　ゲート配線とソース配線とによって格子状に囲まれた領域が副画素３であり、各色の副画素３のセットで、一つの画素４が形成されている。図１および図２に示す例では、副画素３として、赤色副画素３Ｒ、緑色副画素３Ｇ、青色副画素３Ｂが設けられており、これら赤色副画素３Ｒ、緑色副画素３Ｇ、青色副画素３Ｂで、一つの画素４が形成されている。各副画素３には、それぞれＴＦＴ１８が設けられている。

　なお、図１では、ＴＦＴ１８が、半導体層１３をチャネルとするトップゲート構造を有している場合を例に挙げて図示しているが、ＴＦＴ１８は、ボトムゲート構造を有していてもよい。

　図１および図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、副画素３がマトリクス状に配置され、画像が表示される表示領域５と、表示領域５の周囲を囲み、副画素３が配置されていない周辺領域である額縁領域６と、を有している。

　図１に示すように、端子ＴＭは、額縁領域６に設けられている。端子ＴＭは、図示しない引き回し配線を介して、例えばゲート配線と電気的に接続されている。ソース配線は、図示しない引き回し配線を介して、図示しない端子ＴＭと接続されている。

　端子ＴＭが設けられた端子部１２Ｔは、有機ＥＬ素子２４の配設領域である表示領域５と、ＴＦＴ基板１０の一部の縁部２ａとの間に設けられている。図１および図２に示す例では、端子部１２Ｔは、ＴＦＴ基板１０の一辺に面して、有機ＥＬ素子２４と、該有機ＥＬ素子２４を封止する封止膜３０における後述する有機層３２と、を封止する、後述するバンクＢＫ４で囲まれた封止領域８と、ＴＦＴ基板１０の一辺の縁部２ａとの間に設けられている。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、端子部１２Ｔは、ＴＦＴ基板１０の二辺に面して設けられていてもよい。なお、封止領域８は、図２に、斜線で示す領域に設けられており、図２では、図示の便宜上、封止領域８を、１つの有機ＥＬ表示装置１の封止領域８に対応する部分にのみ図示しているが、他の有機ＥＬ表示装置１に対しても同様に封止領域８が設けられていることは、言うまでもない。

　有機絶縁膜１７は、図１に示すように表示領域５内におけるＴＦＴ１８および配線Ｗ上の段差を平坦化するとともに、端子ＴＭのエッジ部を覆っている。

　有機絶縁膜１７で覆われていない端子ＴＭは、異方性導電接着フィルム（ＡＣＦ）等を介して、例えばフレキシブルフィルムケーブルや、フレキシブルプリント配線（ＦＰＣ）基板、集積回路（ＩＣ）等の外部回路と電気的に接続される。

　また、有機絶縁膜１７は、図１に示すように、無機絶縁膜１６の端面を覆っている。

　有機絶縁膜１７は、互いに離間して設けられた複数のパターンに分離されている。有機絶縁膜１７は、平坦化膜として表示領域５内に設けられる一方、額縁領域６にも設けられている。本実施形態にかかる有機絶縁膜１７は、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ、第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂ、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ、第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄを含んでいる。第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄは、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａと同じ材料からなり、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａと同層に、該第１有機絶縁膜パターン部１７Ａから離間して設けられている。なお、これら第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄについては、後述する。

　（ＯＬＥＤ層２０）
　ＯＬＥＤ層２０は、有機絶縁膜１７上に形成された第１電極２１（下部電極）と、バンクＢＫ（壁体、土手）と、第１電極２１上に形成された、少なくとも発光層を含む有機層からなる有機ＥＬ層２２と、有機ＥＬ層２２上に形成された第２電極２３（上部電極）と、を含んでいる。

　第１電極２１と、有機ＥＬ層２２と、第２電極２３とは、有機ＥＬ素子２４（ＯＬＥＤ素子）を構成している。なお、本実施形態では、第１電極２１と第２電極２３との間の層を総称して有機ＥＬ層２２と称する。

　また、第２電極２３上には、光学的な調整を行う図示しない光学調整層や、第２電極２３を保護し、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２４内に浸入することを阻止する保護層が形成されていてもよい。本実施形態では、各副画素３に形成された有機ＥＬ層２２、有機ＥＬ層２２を挟持する一対の電極層（第１電極２１および第２電極２３）、並びに、必要に応じて形成される、図示しない光学調整層や保護層をまとめて、有機ＥＬ素子２４と称する。

　第１電極２１は、表示領域５における有機絶縁膜１７上に形成されている。第１電極２１は、有機ＥＬ層２２に正孔を注入（供給）し、第２電極２３は、有機ＥＬ層２２に電子を注入する。有機ＥＬ層２２に注入された正孔と電子とは、有機ＥＬ層２２において再結合されることによって励起子が形成される。形成された励起子は励起状態から基底状態へと失活する際に光を放出し、その放出された光が、有機ＥＬ素子２４から外部に出射される。

　第１電極２１は、有機絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して、ＴＦＴ１８に電気的に接続されている。

　第１電極２１は、副画素３毎に島状にパターン形成されたパターン電極である。一方、第２電極２３は、各副画素３に共通に設けられた、ベタ状の共通電極である。

　図２に示すように、表示領域５の外側、具体的には、表示領域５の２組の対となる辺のうち、一方の組の対となる辺の外側に、それぞれ対向する辺に沿って、第２電極２３に接続される図示しない第２電極接続電極が設けられた第２電極接続部７が設けられている。

　バンクＢＫは、表示領域５内に配置されたバンクＢＫ１（格子状バンク）と、額縁領域６に配置されたバンクＢＫ２～ＢＫ４（枠状バンク）と、を備えている。なお、各バンクＢＫ１～バンクＢＫ４については、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄと併せて後で説明する。

　第１電極２１の周縁部は、バンクＢＫ１で覆われている。図１および図２に示すように、バンクＢＫ１には、副画素３毎に開口部ＢＫ１Ａが設けられている。この開口部ＢＫ１Ａによる第１電極２１の露出部が各副画素３の発光領域となっている。

　図１に示すように、有機ＥＬ素子２４の有機ＥＬ層２２が副画素３毎に異なる色の光を出射するように塗り分けを行う場合、有機ＥＬ層２２は、バンクＢＫ１によって囲まれた領域（副画素３）毎に形成される。このため、図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、赤色副画素３Ｒからは赤色光を出射し、緑色副画素３Ｇからは緑色光を出射し、青色副画素３Ｂからは青色光を出射する。このように、有機ＥＬ表示装置１が、ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬ素子２４を備えている場合、カラーフィルタを用いることなく、赤色光、緑色光、青色光によるフルカラーの画像表示を行うことができる。

　有機ＥＬ層２２は、例えば、第１電極２１側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。なお、一つの層が複数の機能を有していてもよい。例えば、正孔注入層および正孔輸送層に代えて、これら両層の機能を有する正孔注入層兼正孔輸送層が設けられていてもよい。また、電子注入層および電子輸送層に代えて、これら両層の機能を有する電子注入層兼電子輸送層が設けられていてもよい。また、各層の間に、適宜、キャリアブロッキング層が設けられていてもよい。

　なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２３を陰極とした場合の例であり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２３を陽極とした場合、有機ＥＬ層２２を構成する各層の順序は反転する。

　有機ＥＬ表示装置１が支持体１１の裏面側から光を放出するボトムエミッション型である場合には、第２電極２３を反射性電極材料で形成し、第１電極２１を透明または半透明の透光性電極材料で形成することが好ましい。

　第１電極２１には、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電膜、あるいは、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）等の金属薄膜が使用される。第２電極２３には、発光層に電子を注入する目的で、Ｌｉ（リチウム）、Ｃｅ（セリウム）、Ｂａ（バリウム）、Ａｌ（アルミニウム）等の仕事関数の小さい金属、またはこれらの金属を含有するマグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）等の合金が使用される。

　一方、有機ＥＬ表示装置１が、封止膜３０側から光を放出するトップエミッション型である場合には、第１電極２１を反射性電極材料で形成し、第２電極２３を透明または半透明の透光性電極材料で形成することが好ましい。

　第１電極２１および第２電極２３は、それぞれ、単層であってもよいし、積層構造を有していてもよい。例えば、有機ＥＬ素子２４がトップエミッション型の有機ＥＬ素子である場合、第１電極２１を、反射電極と透明電極との積層構造としてもよい。

　（有機絶縁膜１７およびバンクＢＫ）
　本実施形態では、ＴＦＴ基板１０における有機絶縁膜１７を、バンクＢＫ４で囲まれた封止領域８の外側まで形成することで、クラックストッパが設けられた樹脂層として、溝部１７ｃ１が形成された第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃを、上記封止領域８を囲むように形成する。

　前述したように、有機絶縁膜１７は、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄに分割されている。

　図１に示すように、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａは、表示領域５から額縁領域６にかけて一続きに形成されている。第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄは、額縁領域６に形成されている。これら第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄのうち、第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂは、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａを取り囲むように第１有機絶縁膜パターン部１７Ａから離間して枠状に形成されている。第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃは、第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂを取り囲むように第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂから離間して枠状に形成されている。第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄは、端子ＴＭのエッジ部を覆っている。

　第１有機絶縁膜パターン部１７Ａは、平坦化膜であり、前述したように、表示領域５内におけるＴＦＴ１８および配線Ｗ上の段差を平坦化する。なお、第１有機絶縁膜パターン部１７ＡにはＴＦＴ１８および有機ＥＬ素子２４が設けられているが、第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂ、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ、第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄには、ＴＦＴ１８および有機ＥＬ素子２４は設けられていない。

　上述したように表示領域５から額縁領域６にかけて形成されている第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ上には、表示領域５内にバンクＢＫ１が形成されている一方、額縁領域６内に、バンクＢＫ２が形成されている。

　バンクＢＫ１は、第１電極２１の周縁部で、電極集中や有機ＥＬ層２２が薄くなって第２電極２３と短絡することを防止するエッジカバーとして機能するとともに、隣接する副画素３に電流が漏れないように副画素３を分離する副画素分離層として機能する。

　バンクＢＫ１は、表示領域５内にマトリクス状に配置された第１電極２１の各エッジを覆うように、平面視で例えば格子状に設けられている。バンクＢＫ２は、表示領域５を囲むように枠状に形成されている。

　バンクＢＫ２は、互いに離間して設けられた複数のドット状バンクＢＫ２ａが、それぞれ断続的な枠状に複数列配置されている。図２に示すように、バンクＢＫ２は、隣り合う列のドット状バンクＢＫ２ａ同士が、平面視で千鳥状に規則的に配置された構成を有している。

　第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂは、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａの外側（言い換えれば、平面視で、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａと、有機ＥＬ基板２の縁部２ａとの間）に、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａを囲むように枠状に形成されている。第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂ上には、バンクＢＫ２を囲むように、バンクＢＫ３が枠状に形成されている。

　バンクＢＫ３は、互いに離間して設けられた複数のドット状バンクＢＫ３ａが、それぞれ断続的な枠状に複数列配置されている。図２に示すように、バンクＢＫ３は、隣り合う列のドット状バンクＢＫ３ａ同士が、平面視で千鳥状に規則的に配置された構成を有している。

　ＢＫ３が設けられた第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂは、第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂが第１有機絶縁膜パターン部１７Ａと分離されていることで、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ内のＴＦＴ１８および有機ＥＬ素子２４への水分の浸入を防ぐ第１ダム部ＤＭ１として用いられる。

　第１ダム部ＤＭ１の外側（言い換えれば、第１ダム部ＤＭ１と、有機ＥＬ基板２の縁部２ａとの間）には、第１ダム部ＤＭ１を囲むように、ドット状ではなく、連続したラインからなる枠状のバンクＢＫ４が形成されている。バンクＢＫ４は、額縁領域６における無機絶縁膜１５上に形成されている。バンクＢＫ４は、後述する封止膜３０における有機層３２となる有機絶縁材料を堰き止める有機層ストッパとして機能する。

　また、ＢＫ４は、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａおよび第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂと分離されていることで、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ内のＴＦＴ１８および有機ＥＬ素子２４への水分の浸入を防ぐ第２ダム部ＤＭ２として用いられる。

　なお、各バンクＢＫの断面は、それぞれが形成されている形成面のカバレッジを良くするため、順テーパ形状であることが好ましい。

　第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃは、バンクＢＫ４の外側（言い換えれば、バンクＢＫ４と、有機ＥＬ基板２の縁部２ａとの間）に、バンクＢＫ４を囲むように枠状に形成されている。

　第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの上面には、平面視で、微細な連続したライン状の溝部１７ｃ１が、バンクＢＫ４を囲むように枠状に形成されている。なお、溝部１７ｃ１については、後で詳述する。

　第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄは、前述したように、端子ＴＭのエッジ部を覆っている。

　本実施形態では、図２に示すように、表示領域５が四角形状に形成されている。このため、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａは、その外形が、四角形状である表示領域５に対応して、表示領域５の外形と略相似形を有する四角形状に形成されている。また、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａを囲む、第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂ、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ、およびバンクＢＫ４も、その外形（枠の外縁形状）が、表示領域５の外形と略相似形を有する四角形状に形成されている。

　なお、これら第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ、第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂ、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ、バンクＢＫ４における、それぞれ４つの角部は、図２に示すように曲線であってもよいし、直角であってもよい。

　第１有機絶縁膜パターン部１７Ａは、表示領域５の各縁部から、各縁部に対向する第１有機絶縁膜パターン部１７Ａの各内側側面までの直線距離が一定になるように形成される。また、第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂは、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａの各外側側面から、各外側側面に対向する第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂの各内側側面までの直線距離が一定になるように形成される。バンクＢＫ４は、第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂの各外側側面から、各外側側面に対向するバンクＢＫ４の各内側側面までの直線距離が一定になるように形成される。第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃは、バンクＢＫ４の各外側側面から、各外側側面に対向する第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの各内側側面までの直線距離が一定になるように形成される。

　上述したように、格子状のバンクＢＫ１が設けられた表示領域５の外側には、図１および図２に示すように、枠状のバンクＢＫ２、枠状のバンクＢＫ３および第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂからなる第１ダム部ＤＭ１、枠状のバンクＢＫ４からなる第２ダム部ＤＭ２、溝部１７ｃ１が設けられた第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが、格子状のバンクＢＫ１を中心として内側から外側に向かって、この順に設けられている。

　バンクＢＫ１～ＢＫ４は、有機絶縁材料からなる。バンクＢＫ１～ＢＫ４は、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の感光性樹脂で形成される。バンクＢＫ１～ＢＫ４は、例えば同一工程で形成することができる。

　バンクＢＫ２～ＢＫ４は、後述する、封止膜３０における有機層３２の成膜時に、有機層３２の材料となる液状の有機絶縁材料（インク）の流動速度を段階的に低下させ、有機絶縁材料の濡れ広がりを規制することで、有機層３２のエッジを規定する。

　特に、ドット状バンクＢＫ２ａ・ＢＫ３ａは、有機層３２を構成する液状の有機絶縁材料が、インクジェット法等によって塗布された後、濡れ広がっていく有機絶縁材料の縁を揃えると共に、濡れ広がっていく有機絶縁材料の流れを抑え、有機絶縁材料の縁部を、直線に近い形状に揃える。

　また、有機絶縁材料は、バンクＢＫ２・ＢＫ３を通過して濡れ広がることで、バンクＢＫ２・ＢＫ３は、抵抗として機能する。このため、有機絶縁材料は、バンクＢＫ２・ＢＫ３を通過することで、濡れ広がる速度が低下する。本実施形態によれば、このように、バンクＢＫ４よりも表示領域５側にバンクＢＫ２・ＢＫ３を設けることで、有機絶縁材料の流れを抑制することができ、有機絶縁材料がバンクＢＫ４を越えて外側に溢れる（特に、端子部１２Ｔ上に侵入する）ことを防止することができる。

　有機層３２となる有機絶縁材料は、バンクＢＫ４における、バンクＢＫ３側の縁部を覆う形で、バンクＢＫ４によって堰き止められる。これにより、有機層３２は、第１無機層３１を介して、バンクＢＫ４のバンクＢＫ３側の縁部と接触している。

　また、図示はしないが、本実施形態では、第２電極２３は、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａにおける、第２電極接続部７が設けられた辺に沿って形成されたバンクＢＫ２を覆うように形成されている。

　このため、バンクＢＫ２が複数のドット状バンクＢＫ２ａからなることで、第２電極２３は、ドット状バンクＢＫ２ａの段差を乗り越えて形成されているとともに、ドット状バンクＢＫ２ａ間の隙間の平坦部にも形成される。このようにバンクＢＫ２が複数のドット状バンクＢＫ２ａからなることで、第２電極２３と第２電極接続部７とを、確実に導通させることができる。

　（封止膜３０）
　封止膜３０は、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層された、第１無機層３１（下層無機封止層）と、有機層３２（第１有機封止層）と、第２無機層３３（上層無機封止層）と、を含む。

　第１無機層３１および第２無機層３３は、水分の浸入を防ぐ防湿機能を有し、水分や酸素による有機ＥＬ素子２４の劣化を防止するバリア層として機能する。

　有機層３２は、バッファ層（応力緩和層）として使用され、膜応力が大きい第１無機層３１および第２無機層３３の応力緩和や、表示領域５におけるＯＬＥＤ層２０の表面の段差部や異物を埋めることによる平坦化やピンホールの穴埋め、さらには、第２無機層３３下地を平坦化させることで、第２無機層３３の積層時に第２無機層３３にクラックが発生することを抑制する。

　第１無機層３１および第２無機層３３は、それぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。第１無機層３１の厚み、並びに、第２無機層３３の厚みは、それぞれ、例えば５００～１５００ｎｍである。

　有機層３２は、第１無機層３１および第２無機層３３よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の感光性樹脂によって構成することができる。有機層３２は、例えば、有機絶縁材料として、このような感光性樹脂を含むインクを第１無機層３１上にインクジェット塗布した後、ＵＶ硬化させることにより形成することができる。有機層３２の厚みは、例えば４～１２μｍである。

　第１無機層３１は、支持体１１上に、平面視で、第２電極２３、端子部１２Ｔの一部を除く有機絶縁膜１７（本実施形態では、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ～第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ、並びに、第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄにおける第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ側の縁部）、有機ＥＬ素子２４、無機絶縁膜１５、第２電極２３で覆われていないバンクＢＫ（本実施形態では、バンクＢＫ２の一部、バンクＢＫ３およびバンクＢＫ４）を覆うように、端子ＴＭ上を除く、表示領域５および額縁領域６の全面に渡って形成されている。

　但し、第１無機層３１は、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃに設けられた溝部１７ｃ１内で断裂（パターン切れ）している。

　有機層３２は、第１無機層３１を介して、望ましくは、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａおよび第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂ、有機ＥＬ素子２４、バンクＢＫ１～ＢＫ３を覆うとともに、有機層ストッパとして機能するバンクＢＫ４における、バンクＢＫ３側の縁部および上部の一部を覆っている。有機層３２は、有機層ストッパであるバンクＢＫ４で囲まれた、有機ＥＬ素子２４を封止する封止領域８（図２参照）に設けられている。

　第２無機層３３は、第１無機層３１と重畳するように形成されている。有機層３２の断面が露出すると、該断面から水分等が浸入する。このため、第２無機層３３は、有機層３２の断面が露出しないように、第１無機層３１との間に有機層３２を封止するように、第１無機層３１を覆っている。

　第２無機層３３は、第１無機層３１上に、第１無機層３１および有機層３２のうち少なくとも第１無機層３１を介して、平面視で、第２電極２３、端子部１２Ｔの一部を除く有機絶縁膜１７（本実施形態では、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ～第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ、並びに、第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄにおける第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ側の縁部）、有機ＥＬ素子２４、無機絶縁膜１５、第２電極２３で覆われていないバンクＢＫ（本実施形態では、バンクＢＫ２の一部、バンクＢＫ３およびバンクＢＫ４）を覆うように、端子ＴＭ上を除く、表示領域５および額縁領域６の全面に渡って形成されている。

　但し、第２無機層３３は、第１無機層３１と同じく、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃに設けられた溝部１７ｃ１内で断裂（パターン切れ）している。

　なお、第２電極２３と封止膜３０との間には、前述したように、光学調整層や電極保護層等の図示しない無機層あるいは有機層が形成されていてもよい。

　（溝部１７ｃ１）
　次に、上記溝部１７ｃ１について、図１～図３の（ａ）・（ｂ）を参照して以下に説明する。

　図３の（ａ）は、本実施形態にかかる、溝部１７ｃ１が形成された第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの概略構成を示す断面図であり、図３の（ｂ）は、図３の（ａ）に示す第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ上に第１無機層３１および第２無機層３３を形成したときの該第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの概略構成を示す断面図である。

　前述したように、バンクＢＫ４で囲まれた封止領域８の外側に形成された第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの上面には、図１～図３の（ａ）・（ｂ）に示すように、溝部１７ｃ１が形成されている。

　溝部１７ｃ１は、マザー基板５０（図２参照）の分断等により有機ＥＬ基板２の縁部２ａで封止膜３０に発生したクラックが表示領域５内に進行することを防止するクラックストッパとして機能する。

　一般的に、無機封止膜の形成に使用されるＣＶＤでは、発光素子における機能層（具体的には、有機ＥＬ層２２のようなＥＬ層）の熱ダメージを防ぐために、例えば８０℃以下の低温となっており、基板温度も同様である。このため、たとえプラズマＣＶＤであっても、基板上での膜成長が起こり難く、また、溝部１７ｃ１内への無機封止膜材料の回り込み、特に、影となる部分への無機封止膜材料の回り込みが少ない。

　このため、上述したように、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの上面に溝部１７ｃ１を形成し、上記第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ上に第１無機層３１および第２無機層３３を成膜すると、該溝部１７ｃ１に第１無機層３１および第２無機層３３が追随できず、これら第１無機層３１および第２無機層３３の成膜時に、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２で、第１無機層３１および第２無機層３３が自然と断裂（パターン切れ）する。

　このように溝部１７ｃ１として例えばＶ字溝が形成された第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ上に第１無機層３１および第２無機層３３を成膜すると、該溝部１７ｃ１に第１無機層３１および第２無機層３３が追随できず、これら第１無機層３１および第２無機層３３の成膜時に、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２を基点として、第１無機層３１および第２無機層３３が自然と断裂（パターン切れ）する。これにより、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２には、第１無機層３１および第２無機層３３が断裂している断裂部３４が形成される。

　本実施形態において、溝部１７ｃ１の幅（溝幅）および深さは、溝部１７ｃ１の形状・幅・深さ、並びに、第１無機層３１および第２無機層３３の厚み等に応じて、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ上に積層される第１無機層３１および第２無機層３３が、溝部１７ｃ１内で断裂する幅および深さに適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

　しかしながら、図３の（ｂ）に示すように、平面視での溝部１７ｃ１の幅（つまり、溝部１７ｃ１の上端の幅、溝幅）をｘ１とし、該溝部１７ｃ１を有する第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ（樹脂層）の最表面における上記幅ｘ１と同じ方向の幅をｘ２とし、第１無機層３１および第２無機層３３の合計の層厚をｔ１とすると、上記幅ｘ１は、ｔ１＜ｘ１＜ｘ２を満足することが好ましい。

　なお、ここで、平面視での溝部１７ｃ１の幅（溝幅）とは、溝部１７ｃ１の上端の短手方向の長さ、つまり、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの最表面と同一平面における溝部１７ｃ１の短手方向の長さを示す。また、溝部１７ｃ１の短手方向の長さとは、溝部１７ｃ１が伸びる方向（言い換えれば、有機ＥＬ基板２の縁部２ａに沿った方向）に直交する方向（言い換えれば、溝部２ａを横切る方向）の長さを示す。

　また、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ上（より具体的には、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの天面）には、表示領域５における第１無機層３１および第２無機層３３と同じ層厚の第１無機層３１および第２無機層３３が形成される。

　一例として、上記幅ｘ１は、例えば、２μｍ～５μｍの範囲内であることが好ましい。上記幅ｘ１を上述した幅とすることで、上記第１無機層３１および第２無機層３３の断裂が起こり易くなる。また、上記幅ｘ２は、パターン作成上の理由から、例えば、７μｍ～２５μｍの範囲内であることが好ましい。前述したように第１無機層３１の厚み、並びに、第２無機層３３の厚みは、それぞれ、例えば５００～１５００ｎｍであり、上記層厚ｔ１は、例えば、１μｍ～３μｍである。

　また、溝部１７ｃ１の深さ（法線方向の長さ）をｔ２とすると、溝部１７ｃ１の深さｔ２は、例えば、０．５μｍ～２μｍの範囲内であることが好ましい。上記ｔ２を上述した幅とすることで、上記第１無機層３１および第２無機層３３の断裂が起こり易くなる。

　有機絶縁膜１７は、上記溝部１７ｃ１を形成することができる厚みに形成される。本実施形態では、溝部１７ｃ１を有する樹脂層である第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが有機絶縁膜１７で構成されており、該有機絶縁膜１７の第１有機絶縁膜パターン部１７ＡがＴＦＴ１８による段差を補償する平坦化膜であることから、上記有機絶縁膜１７は、ＴＦＴ１８による段差を補償するとともに、上記溝部１７ｃ１を形成することができる厚みに形成される。上記有機絶縁膜１７の厚みは、例えば、１～３μｍである。

　また、図３の（ａ）に示すように上記溝部１７ｃ１の内壁と、ＴＦＴ基板１０の表面に平行な面とがなす角度（言い換えれば、上記溝部１７ｃ１の内壁と水平面とがなす角度：以下、「テーパ角θ」と称する）は、例えば、７０°～１２０°の範囲内であることが好ましい。上記テーパ角θを上述した角度とすることで、上記第１無機層３１および第２無機層３３の断裂が起こり易くなる。

　（カバー体）
　上述したように、封止膜３０上には、図示しないカバー体が設けられている。カバー体は、保護機能、光学補償機能、タッチセンサ機能の少なくとも１つを有する機能層であり、例えば、有機ＥＬ表示装置１がフレキシブル表示装置である場合、ガラス基板を剥離したときの支持体として機能する保護フィルムであってもよい。また、有機ＥＬ表示装置１が、剛性を有する折り曲げできない表示装置である場合、カバー体としては、ガラス基板等の対向基板であってもよく、上記対向基板と有機ＥＬ基板２との間には、図示しない充填材からなる充填層がさらに設けられていてもよい。

　また、カバー体は、偏光フィルムおよびタッチセンサフィルム等の機能性フィルム、あるいは、偏光板およびタッチパネル等を備えていてもよい。

　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　次に、有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図１～図４の（ａ）～（ｃ）を参照して以下に説明する。

　図４の（ａ）～（ｃ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程を工程順に示す断面図である。図４の（ａ）～（ｃ）は、図２に示す有機ＥＬ表示装置１のＢ－Ｂ線矢視断面を示している。

　まず、図１に示すように、支持体１１を構成する、大型のガラス基板等からなるマザー基板５０（図２参照）上に、公知の方法で、半導体層１３と、これら半導体層１３を覆うようにマザー基板５０上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に形成された、複数のゲート電極Ｇ、図示しない複数のゲート配線と、ゲート絶縁膜１４上に形成された上記ゲート電極Ｇおよびゲート配線を覆う無機絶縁膜１５と、無機絶縁膜１５上に形成された複数の容量電極Ｃと、これら容量電極Ｃを覆うように無機絶縁膜１５上に形成された無機絶縁膜１６と、無機絶縁膜１６上に形成された、複数のソース電極Ｓ、複数のドレイン電極Ｄ、複数の配線Ｗ、図示しない複数のソース配線、図示しない複数の電源線、および複数の端子ＴＭを有する端子部１２Ｔと、を形成する。

　なお、有機ＥＬ表示装置１がフレキシブル表示装置である場合、上記マザー基板５０としては、ガラス基板等の大型のキャリア基板上に、支持体１１を構成する、ポリイミド層等の樹脂層（プラスチックフィルム）、防湿層が成膜された基板を使用する。

　次に、これら配線等が形成されたマザー基板５０上に、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ等によってパターニングを行うことで、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄを有する有機絶縁膜１７を形成する。

　なお、このとき、図４の（ａ）に示すように、第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄを、端子部１２Ｔにおける端子ＴＭを覆うように形成する。

　また、このとき、例えば、光の透過率が部分的に異なるハーフトーンマスクを利用することで、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄの形成と同時に溝部１７ｃ１を形成することができる。

　但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、例えば、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄの形成後に、再度フォトリソグラフィ等を行うか、または、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃにおける溝部１７ｃ１の形成位置にレーザ照射を行う等することにより、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄと溝部１７ｃ１とを、別工程で形成してもよい。

　これにより、図１、図２、図３の（ａ）に示すように、各有機ＥＬ表示装置１の有機ＥＬ基板２となる、分断ラインＤＬで囲まれた領域内に、上記マザー基板５０を各分断ラインＤＬで分断したときに、有機ＥＬ基板２における、端子部１２Ｔに面する辺以外の各辺の有機ＥＬ基板２の縁部２ａを形成する分断ラインＤＬに沿ってそれぞれ溝部１７ｃ１を形成するとともに、溝部１７ｃ１が表示領域５と端子部１２Ｔとの間を通って表示領域５を囲むように、表示領域５と端子部１２Ｔとの間にも溝部１７ｃ１を形成する。

　なお、ここで、分断ラインＤＬとは、マザー基板５０を個々の有機ＥＬ表示装置１に対応した有機ＥＬ基板２に個片化するために分断する分断予定線を示す。

　上記工程により、ＴＦＴ基板１０として、ＴＦＴ層１２が形成されたマザー基板５０が形成される。

　次いで、スパッタ法等によって、第１電極２１をマトリクス状にパターン形成する。このとき、有機絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して、第１電極２１は、ドレイン電極Ｄと接続される。

　次いで、上記第１電極２１、有機絶縁膜１７および無機絶縁膜１５・１６を覆うように、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の感光性樹脂等からなる図示しない有機膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィ等によって、図１および図２に示すように、上記有機膜からなるバンクＢＫ（バンクＢＫ１～ＢＫ４）をパターン形成する。なお、各バンクＢＫ１～ＢＫ４は、同一の材料により、同一の工程にてパターン形成することができる。但し、バンクＢＫ１～ＢＫ４を、互いに異なるマスクを用いて別工程によって形成してもよい。

　その後、図１に示すように、有機ＥＬ層２２を、各色の発光層が、バンクＢＫ１で囲まれた領域（つまり、開口部ＢＫ１Ａ）を覆うように、それぞれ、副画素３Ｒ・３Ｇ・３Ｂに対応して塗り分け蒸着する。なお、有機ＥＬ層２２の成膜には、塗布法、インクジェット法、印刷法等、蒸着法以外の方法を用いてもよい。

　フルカラー表示を行うためには、一例として、発光層は、上述したように、発光色毎に塗り分け蒸着によりパターン形成することができる。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、フルカラー表示を行うために、発光色が白（Ｗ）色の発光層を使用した白色発光の有機ＥＬ素子２４と、図示しないカラーフィルタ（ＣＦ）層とを組み合せて各副画素３における発光色を選択する方式を用いても構わない。また、発光色がＷ色の発光層を使用し、各副画素３にマイクロキャビティ構造を導入することでフルカラーの画像表示を実現する方式を採用してもよい。なお、ＣＦ層あるいはマイクロキャビティ構造等の方法で各副画素３の発光色を変更する場合には、発光層を副画素３毎に塗り分ける必要はない。

　次に、第２電極２３を、有機ＥＬ層２２およびバンクＢＫ１を覆うように上記ＴＦＴ基板１０における表示領域５全面に形成するとともに、第２電極接続部７の第２電極接続電極と電気的に接続し、それら以外の領域を露出するように、例えば蒸着マスクを用いた蒸着法によりパターン形成する。

　これにより、ＴＦＴ基板１０上に、第１電極２１、有機ＥＬ層２２、および第２電極２３からなる有機ＥＬ素子２４を形成することができる。

　次いで、有機ＥＬ素子２４が形成された上記ＴＦＴ基板１０上に、ＣＶＤ用のマスクを使用せず、上記マザー基板５０上の全面に、ＣＶＤ法等によって、第１無機層３１をマスクレスで形成する。これにより、図３の（ａ）に示すように、マザー基板５０の各分断ラインＤＬ上を覆う第１無機層３１を成膜する。

　次に、表示領域５の全面に、感光性樹脂を含む、液状の有機絶縁材料（インク）を、インクジェット法等により塗布する。

　次いで、バンクＢＫ４で囲まれた領域内に濡れ広がった上記液状の有機絶縁材料を硬化させる。これにより、バンクＢＫ４に沿った縁部の層厚が均一な有機層３２が成膜される。

　その後、上記第１無機層３１上に、上記第１無機層３１と第２無機層３３とで有機層３２が封止されるように、上記第１無機層３１と同じ方法で、第２無機層３３をマスクレス形成する。

　これにより、第１無機層３１、有機層３２、第２無機層３３からなる封止膜３０が形成される。

　上記第１無機層３１および第２無機層３３の成膜には、前述したように例えばプラズマＣＶＤを使用する。有機層３２は、バンクＢＫ４によって、バンクＢＫ４で囲まれた領域内に堰き止められている。このため、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ上および第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの周囲の封止膜３０は、有機層３２を含まず、第１無機層３１および第２無機層３３のみが積層されている。

　本実施形態によれば、前述したように、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの上面に溝部１７ｃ１が形成されていることで、第１無機層３１および第２無機層３３の成膜時に、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２で、第１無機層３１および第２無機層３３が自然と断裂（パターン切れ）する。これにより、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２には、第１無機層３１および第２無機層３３が断裂している断裂部３４が形成される。

　なお、上記断裂部３４は、それぞれの膜の成膜時（すなわち、第１無機層３１の成膜時、および、第２無機層３３の成膜時）に自然に形成される断裂である。このため、無機封止膜形成後（例えば、第１無機層３１および第２無機層３３の成膜後）に該無機封止膜を物理的に切断した場合とは異なり、上記第１無機層３１の断裂時および上記第２無機層３３の断裂時に、上記第１無機層３１および第２無機層３３に、後発的なクラックは発生しない。

　なお、前述したように、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ上（より具体的には、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの天面）には、表示領域５における第１無機層３１および第２無機層３３と同じ層厚の第１無機層３１および第２無機層３３が形成される。

　その後、上記端子部１２Ｔにレーザを照射して、図４の（ｂ）に示すように、上記端子部１２Ｔの端子ＴＭを露出させる端子出し工程を行う。

　次いで、図示しない保護フィルム等を上記封止膜３０上に貼り合せた後、上記ＴＦＴ層１２、ＯＬＥＤ層２０、および封止膜３０が成膜されたマザー基板５０を、該マザー基板５０上の各表示領域５をそれぞれ囲むように分断ラインＤＬで分断（ダイシング）する。これにより、上記ＴＦＴ層１２、ＯＬＥＤ層２０、および封止膜３０が成膜されたマザー基板５０を、図４の（ｃ）に示すように、個々の有機ＥＬ基板２に個片化する。なお、上記分断には、レーザや金属刃等を使用することができる。

　得られた有機ＥＬ基板２は、第１無機層３１および第２無機層３３が、平面視で、有機ＥＬ基板２の縁部２ａ（エッジ）を覆っており、第１無機層３１および第２無機層３３の周縁部（つまり、全てのエッジ）が、有機ＥＬ基板２の周縁部（つまり、全てのエッジ（縁部２ａ））と重なっている。

　なお、有機ＥＬ表示装置１がフレキシブル表示装置である場合、保護フィルム等を上記封止膜３０上に貼り合せた後、レーザ照射により、マザー基板５０におけるキャリア基板と樹脂層（プラスチックフィルム）との界面でキャリア基板をアブレーション剥離し、剥離面に下面フィルムを貼り付けた後、有機ＥＬ基板２の個片化が行われる。

　その後、必要に応じて、上記有機ＥＬ基板２に、偏光フィルムおよびタッチセンサフィルム等の機能性フィルム、あるいは、偏光板およびタッチパネル等が貼り合わされる。

　＜効果＞
　図５の（ａ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ基板２の個片化時における分断ラインＤＬ近傍の概略構成を示す断面図であり、図５の（ｂ）は、溝部１７ｃ１を有する第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが設けられていない有機ＥＬ基板２において、封止膜３０における第１無機層３１および第２無機層３３を分断ラインＤＬ上に形成したときの、有機ＥＬ基板２の個片化時における分断ラインＤＬ近傍の概略構成を示す断面図であり、図５の（ｃ）は、ＣＶＤ用のマスクを用いて、分断ラインＤＬから離間して封止膜３０を形成したときの、有機ＥＬ基板２の個片化時における分断ラインＤＬ近傍の概略構成を示す断面図である。

　図５の（ａ）・（ｂ）に示すように、分断ラインＤＬ上に第１無機層３１および第２無機層３３のような無機封止膜が存在していると、分断ラインＤＬ上の無機封止膜には、該無機封止膜が切断されることでクラックＣＲが発生するおそれがある。

　このとき、図５の（ｂ）に示すように、溝部１７ｃ１を有する第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃのような、クラックストッパが設けられた樹脂層が形成されていないと、上記無機封止膜に発生したクラックが、該無機封止膜を伝搬して、分断した有機ＥＬ基板２の表示領域５内に広がるおそれがある。

　しかしながら、本実施形態によれば、前述したように表示領域５の外側（例えば封止領域８の外側）に、表示領域５を囲むように、溝部１７ｃ１を有する第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが設けられていることで、上記無機封止膜の成膜時に、上記無機封止膜が、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２で自然と断裂する。

　このため、本実施形態によれば、図５の（ａ）に示すように、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２には、第１無機層３１および第２無機層３３が断裂してなる断裂部３４が設けられている。

　このため、本実施形態によれば、図５の（ａ）に示すように、封止膜３０の切断によって、分断ラインＤＬ上の封止膜３０にクラックＣＲが発生したとしても、上記断裂部３４でクラックＣＲの進行が停止する。このため、本実施形態によれば、上記無機封止膜に発生したクラックＣＲが表示領域５内に進行して表示領域５内に水分や酸素が浸入することがなく、信頼性が高い有機ＥＬ表示装置１を形成することができる。

　なお、マザー基板５０において隣り合う有機ＥＬ基板２における封止膜３０が互いに接触しないように、ＣＶＤ用のマスクを用いて、各有機ＥＬ基板２における封止膜３０を独立して形成した場合、図５の（ｃ）に示すように、分断ラインＤＬ上に無機封止膜が存在せず、無機封止膜に発生したクラックが表示領域５内に進行することはない。

　しかしながら、ＣＶＤ用のマスクを使用して無機封止層を形成すると、図５の（ｃ）に示すように、無機封止層の端部において、蒸着ボケが発生する。

　このときの蒸着ボケの発生領域（ボケ領域Ｐ）は、３００～４００μｍ程度である。ボケ領域Ｐでは無機封止膜の膜厚が小さくなるため、バリア性が低下する。このため、ボケ領域Ｐが表示領域５内に存在しないように、ＣＶＤ用のマスクの加工精度、アライメント精度を含めて、無機封止層の端部を、表示領域５から十分に離す必要がある。そのため、ＣＶＤ用のマスクを用いて、分断ラインＤＬと封止膜３０の形成領域とを分離した場合、狭額縁化することが不可能となる。

　これに対し、本実施形態によれば、ボケ領域Ｐを無くすことができるため、上記制限がない。本実施形態によれば、分断ラインＤＬ上に無機封止膜を設けることが可能となるため、無機封止膜の形成精度のマージンを稼ぐことができる。本実施形態によれば、無機封止膜の端部と分断領域とを分離配置する必要性がなく、狭額縁化を行うことができる。

　なお、図５の（ａ）～（ｃ）では、分断ラインＤＬの位置を揃えているが、溝部１７ｃ１（より厳密には、溝部１７ｃ１が設けられた第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ）を表示領域５に近づけた位置に配置すれば、容易に狭額縁化を行うことが可能となる。溝部１７ｃ１は、分断ラインＤＬのごく内側（言い換えれば、有機ＥＬ基板２の縁部２ａのごく内側）に形成することができる。

　また、図示はしないが、封止膜３０形成後に、分断ラインＤＬ上の無機封止膜を除去することで分断ラインＤＬ上に溝を形成する場合には、封止膜３０を形成後に、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ、エッチング、剥離工程が必要となり、しかも、これらの工程は、有機ＥＬ素子２４にダメージを与えない低温プロセスで行う必要がある。このため、上述したように分断ラインＤＬ上に溝を形成する場合、設備コスト、ランニングコストの負荷となるばかりか、工程数が多いことで、歩留りの低下を招くことになる。

　これに対し、本実施形態によれば、上記庇体４１を形成するためのフォトリソグラフィ工程のみを追加すればよく、工程数追加の負荷は、比較的低い。また、封止膜３０の成膜工程前、特に、有機ＥＬ２２の形成工程前に上記庇体４１を形成することで、上記庇体４１のパターン不良が生じた際の材料損失を各段に小さくすることができる。

　＜変形例１＞
　図６の（ａ）～（ｃ）は、それぞれ、本変形例にかかる溝部１７ｃ１の形状の一例を示す断面図である。

　図１、図３の（ａ）・（ｂ）～図５の（ａ）では、溝部１７ｃ１が断面視でＶ字形状を有するＶ字溝である場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。溝部１７ｃ１は、図６の（ａ）に示すように、テーパ角θが９０°未満であり、例えば断面視で逆テーパ状の内壁面を有する、逆テーパ状の凹溝であってもよい。

　この場合、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２（下端）が平坦な部分を有することから、溝部１７ｃ１の内壁、並びに、底部１７ｃ２の平坦な部分に第１無機層３１および第２無機層３３が積層される（付着する）。しかしながら、底部１７ｃ２のエッジ部分に第１無機層３１および第２無機層３３が追随しないことから、該エッジ部分で第１無機層３１および第２無機層３３が断裂し、該エッジ部分に断裂部３４が形成される。

　また、上記図１および図６の（ａ）等では、テーパ角θが９０°未満である場合を例に挙げて図示したが、前述したように、テーパ角θは、９０°以上に設定されていても構わない。

　このため、溝部１７ｃ１は、図６の（ｂ）に示すように、テーパ角θが９０°であり、内壁面が垂直な凹溝であってもよい。

　また、溝部１７ｃ１は、図６の（ｃ）に示すように、テーパ角θが９０°よりも大きく、例えば断面視で順テーパ状の内壁面を有する、順テーパ状の凹溝であってもよい。

　上述した説明では、例えば、有機絶縁膜１７にポジ型の感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィにより溝部１７ｃ１を形成する場合を例に挙げて説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、溝部１７ｃ１は、例えば、レーザ加工、切削加工等により形成しても構わない。

　例えば、図６の（ｃ）に示す溝部１７ｃ１は、溝部１７ｃ１が形成されていない第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃを形成後に、該第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃにレーザ光を照射することにより形成することができる。

　また、図６の（ｃ）に示すように、有機絶縁膜１７は、複数の樹脂層で形成されていてもよい。この場合、有機絶縁膜１７全体が複数の樹脂層で形成されていてもよく、例えば、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃのみ、あるいは、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃを含む一部の有機絶縁膜パターン部が、複数の樹脂層で形成されていてもよい。

　一例として、図６の（ｃ）では、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが、第１樹脂層１８上に第２樹脂層１９が積層された積層構造を有している場合を例に挙げて示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。

　なお、このように第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが複数の樹脂層が積層された積層構造を有する場合、各樹脂層は、例えば、光の透過率および吸収率が異なる樹脂で形成されていてもよく、ポジ型感光性樹脂とネガ型感光性樹脂とを組み合わせて使用してもよい。

　このように、溝部１７ｃ１は、例えば、材料の選択、加工方法の選択、露光量あるいはレーザ出力等のエネルギーの出力条件の調整等により、公知の方法で、所望の形状に加工することが可能である。

　上述したように溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２が平坦な部分を有する場合、図６の（ａ）～（ｃ）に示すように、上記溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２の平坦な部分の幅（溝幅）をｘ３とし、第１無機層３１および第２無機層３３の合計の層厚をｔ１とすると、上記幅ｘ３は、０＜ｘ３＜ｔ１を満足することが好ましい。

　なお、ここで、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２の平坦な部分の幅（溝幅）とは、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２の平坦な部分の短手方向（前記幅ｘ１と同じく、溝部１７ｃ１が伸びる方向に直交する方向）の長さを示す。

　また、この場合にも、前述したように、溝部１７ｃ１の上端の幅（溝幅）をｘ１とし、該溝部１７ｃ１を有する第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの最表面における上記幅ｘ１と同じ方向の幅をｘ２とし、第１無機層３１および第２無機層３３の合計の層厚をｔ１とすると、上記幅ｘ１は、ｔ１＜ｘ１＜ｘ２を満足することが好ましい。

　上記幅ｘ３は、０＜ｘ３＜ｔ１を満足していれば、特に限定されるものではないが、例えば、０．５μｍ～２μｍの範囲内であることが好ましい。幅ｘ１・ｘ２、層厚ｔ１、深さｔ２については、前述した通りである。

　＜変形例２＞
　図７は、本変形例にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。

　本変形例にかかる有機ＥＬ表示装置１は、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃに、バンクＢＫ４を囲むように、連続したラインからなる枠状のバンクＢＫ５が設けられており、溝部１７ｃ１が、上記第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃに、バンクＢＫ５を囲むように、該バンクＢＫ５の外側に、溝部１７ｃ１が設けられている点で、図１～図５の（ａ）に示す有機ＥＬ表示装置１と異なっている。

　本変形例では、バンクＢＫとして、格子状のバンクＢＫ１の外側に、枠状のバンクＢＫ２、枠状のバンクＢＫ３、枠状のバンクＢＫ４、枠状のバンクＢＫ５が、格子状のバンクＢＫ１を中心として内側から外側に向かって、この順に設けられている。

　バンクＢＫ５は、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等、バンクＢＫ１～ＢＫ４と同じ材料で形成することができ、バンクＢＫ１～ＢＫ５は、例えば同一工程で形成することができる。

　バンクＢＫ５は、バンクＢＫ４によって有機層３２を堰き止めることができなかった場合に有機層３２を構成する有機絶縁材料を堰き止めるとともに、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ、バンクＢＫ４、および第２有機絶縁膜パターン部１７Ｂと分離されていることで、第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ内のＴＦＴ１８および有機ＥＬ素子２４への水分の浸入を防ぐ第３ダム部として用いられる。

　本変形例では、このように、第３ダム部として用いられる第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃを、有機ＥＬ基板２の縁部２ａ側、言い換えれば、分断パターンＤＬ側に延設し、該第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃに溝部１７ｃ１を形成することで、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃを、第３ダム部とクラックストッパの形成体とに共有し、複数の機能をもたせることができる。

　なお、図示はしないが、第３ダム部用と、溝部１７ｃ１用とに、それぞれ有機絶縁膜パターン部を形成しても構わない。例えば、溝部１７ｃ１が形成された第３有機絶縁膜パターン部１７ＣとバンクＢＫ４との間に、第３ダム部として、バンクＢＫ５が設けられた、バンクＢＫ４を囲む図示しない有機絶縁膜パターン部をさらに形成し、該第３ダム部を囲むように、溝部１７ｃ１が形成された第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが形成されている構成としてもよい。

　また、図１および図４の（ｂ）では、端子部１２Ｔにレーザを照射して端子出しを行うことで、第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄおよび該第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄを覆う第１無機層３１および第２無機層３３に、端子ＴＭを露出させる同一形状の開口部が形成されている場合を例に挙げて図示した。

　しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。バンクＢＫ５の有無に拘らず、第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄに形成される、端子ＴＭを露出させる開口部の形状（平面視のサイズ）と、第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄを覆う第１無機層３１および第２無機層３３に形成される、端子ＴＭを露出させる開口部の形状（平面視のサイズ）とは、図１および図４の（ｂ）に示したように互いに同じであってもよく、図７に示すように互いに異なっていてもよい。

　なお、上記開口部の形状の違いは、例えば、端子出しに使用するレーザの吸収率の違いによって生じるものであってもよい。また、第１無機層３１および第２無機層３３に対するレーザ強度と、第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄに対するレーザ強度とを変えることで、それぞれに形成される上記開口部の形状を変更してもよい。

　また、上記有機ＥＬ表示装置１は、前述したように、溝部１７ｃ１が形成された第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃを設けることで、第１無機層３１および第２無機層３３をマスクレスで形成することができる。しかしながら、予め端子ＴＭが露出するように開口部が設けられた第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄを形成するとともに、第１無機層３１および第２無機層３３の形成工程において、複数のマスク開口を有し、分断ラインＤＬを挟んで隣り合う複数の端子部１２Ｔの各端子ＴＭ上を通るラインが被覆され、分断ラインＤＬで囲まれた領域の４つの辺のうち、少なくとも、端子部１２Ｔが設けられていない辺の分断ラインＤＬが上記マスク開口内に位置するように、端子部１２Ｔが設けられていない辺の分断ラインＤＬを囲む領域が開口されたＣＶＤ用のマスクを用いて、第１無機層３１および第２無機層３３を形成しても構わない。この場合でも、溝部１７ｃ１が形成された第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃを設けることで、第１無機層３１および第２無機層３３を断裂させることができ、表示領域５内へのクラックの進行を防止することができる。また、端子部１２Ｔが設けられていない辺の狭額縁化を図ることができる。

　＜変形例３＞
　図８の（ａ）は、本変形例にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す平面図であり、図８の（ｂ）は、図８の（ａ）に示すＣ－Ｃ線断面図であり、図８の（ｃ）は、図８の（ａ）に示すＤ－Ｄ線断面図である。

　本変形例にかかる有機ＥＬ表示装置１は、図８の（ａ）～（ｃ）に示すように、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃに、溝部１７ｃ１として、溝部１７ｃ１Ａと、溝部１７ｃ１Ａよりも深い溝部１７ｃ１Ｂと、が設けられていてもよい。溝部１７ｃ１Ａ・１７ｃ１Ｂは、例えば周期的に形成されていてもよく、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃに、相対的に浅い溝部１７ｃ１Ａが設けられた浅溝部Ｄ１と、相対的に深い溝部１７ｃ１Ｂが設けられた深溝部Ｄ２とが、一定の周期で交互に設けられていてもよい。

　また、本変形例にかかる有機ＥＬ表示装置１は、溝部１７ｃ１の形状が部分的に異なっていてもよい。本変形例にかかる有機ＥＬ表示装置１は、例えば、図８の（ａ）～（ｃ）に示すように、形状が異なる溝部１７ｃ１Ａ・１７ｃ１Ｂを有していてもよく、形状が異なる溝部１７ｃ１Ａ・１７ｃ１Ｂが、周期的に形成された構造を有していてもよい。例えば、浅溝部Ｄ１と深溝部Ｄ２とで、異なる形状を有する溝部１７ｃ１Ａ・１７ｃ１Ｂが設けられていてもよい。

　なお、図８の（ａ）～（ｃ）では、浅溝部Ｄ１に、溝部１７ｃ１ＡとしてＶ字溝が設けられ、深溝部Ｄ２に、溝部１７ｃ１Ｂとして凹溝が設けられている場合を例に挙げて図示しているが、本変形例は、これに限定されるものではない。例えば浅溝部Ｄ１に溝部１７ｃ１Ａとして凹溝が設けられ、深溝部Ｄ２に、溝部１７ｃ１ＢとしてＶ字溝が設けられていてもよい。

　また、溝部１７ｃ１Ａと溝部１７ｃ１Ｂとは、例えば溝形状の違いにより異なるテーパ角度を有していてもよく、深さの違いにより異なるテーパ角度を有していてもよい。例えば、浅溝部Ｄ１に、溝部１７ｃ１Ａとして相対的に浅いＶ字溝が設けられ、深溝部Ｄ２に、溝部１７ｃ１Ｂとして相対的に深いＶ字溝が設けられ、溝部１７ｃ１Ａと溝部１７ｃ１Ｂとの深さの違いによりテーパ角θが異なっていてもよい。

　なお、図８では、有機ＥＬ基板２の角部に浅溝部Ｄ１が設けられている場合を例に挙げて図示しているが、有機ＥＬ基板２の角部に深溝部Ｄ２が設けられていてもよい。例えば、図８の（ａ）において、浅溝部Ｄ１と深溝部Ｄ２とは、位置が逆転していてもよい。

　また、図８では、溝部１７ｃ１Ａ・１７ｃ１Ｂが設けられた第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが、一重枠状に形成されている場合を例に挙げて図示しているが、本変形例は、これに限定されるものではない。例えば、浅溝部Ｄ１と深溝部Ｄ２とが設けられた第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃは、二重枠状あるいは三重枠状等、複数の枠からなる多重枠状に形成されていてもよく、隣り合う枠で、浅溝部Ｄ１と深溝部Ｄ２とが、千鳥状に配置されていてもよい。

　なお、溝部１７ｃ１（溝部１７ｃ１Ａ・１７ｃ１Ｂ）のテーパ角θは、前述したように、例えば、７０°～１２０°の範囲内であることが好ましい。

　また、溝部１７ｃ１（溝部１７ｃ１Ａ・１７ｃ１Ｂ）の幅ｘ１は、溝部１７ｃ１Ａであるか溝部１７ｃ１Ｂであるかに拘らず、前述したようにｔ１＜ｘ１＜ｘ２を満足することが好ましい。また、溝部１７ｃ１は、溝部１７ｃ１Ａであるか溝部１７ｃ１Ｂであるかに拘らず、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２が平坦な部分を有する場合、０＜ｘ３＜ｔ１を満足することが好ましい。

　また、浅溝部Ｄ１の溝部１７ｃ１Ａの深さをｔ２Ａとし、深溝部Ｄの溝部１７ｃ１Ｂの深さをｔ２Ｂとすると、ｔ２Ａ＜ｔ２Ｂであり、これら溝部１７ｃ１Ａ・１７ｃ１Ｂの深さｔ２Ａ・ｔ２Ｂ（つまり、溝部１７ｃ１の深さｔ２）は、前述したように、例えば、０．５μｍ～２μｍの範囲内であることが好ましい。

　＜変形例４＞
　図９は、本変形例にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す平面図である。

　本変形例にかかる有機ＥＬ表示装置１は、図９に示すように、平面視における第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの幅が部分的に異なっていてもよく、平面視で、溝部１７ｃ１として、溝部１７ｃ１Ｃと、溝部１７ｃ１Ｃよりも溝幅が太い溝部１７ｃ１Ｄと、が周期的に設けられていてもよい。

　例えば、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの幅が相対的に細い細幅部Ｄ１１には、細溝として、相対的に溝幅が細い溝部１７ｃ１Ｃが設けられ、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの幅が相対的に太い太幅部Ｄ１２には、太溝として、相対的に溝幅が太い溝部１７ｃ１Ｄが設けられていてもよい。なお、図９は、例えば、細幅部Ｄ１１と太幅部Ｄ１２とが、一定の周期で交互に設けられている場合を例に挙げて示しているが、本変形例は、これに限定されるものではない。

　また、細幅部Ｄ１１と太幅部Ｄ１２とでは、深さが異なる溝部１７ｃ１Ｃ・１７ｃ１Ｄが設けられていてもよく、細幅部Ｄ１１と太幅部Ｄ１２とでは、異なる形状を有する溝部１７ｃ１Ｃ・１７ｃ１Ｄが設けられていてもよい。

　また、図９では、有機ＥＬ基板２の角部に細幅部Ｄ１１が設けられている場合を例に挙げて図示しているが、有機ＥＬ基板２の角部に太幅部Ｄ１２が設けられていてもよい。例えば、図９において、細幅部Ｄ１１と太幅部Ｄ１２とは、位置が逆転していてもよい。

　また、図９では、細幅部Ｄ１１と太幅部Ｄ１２とが設けられた第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが、一重枠状に形成されている場合を例に挙げて図示しているが、本変形例は、これに限定されるものではない。例えば、細幅部Ｄ１１と太幅部Ｄ１２とが設けられた第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃは、二重枠状あるいは三重枠状等、複数の枠からなる多重枠状に形成されていてもよく、隣り合う枠で、細幅部Ｄ１１と太幅部Ｄ１２とが、千鳥状に配置されていてもよい。

　図９に示すように、細幅部Ｄ１１における、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの最表面における上記幅ｘ１と同じ方向の幅ｘ２をｘ２Ａとし、太幅部Ｄ１２における、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの最表面における上記幅ｘ１と同じ方向の幅ｘ２をｘ２Ｂとすると、ｘ２Ａ＜ｘ２Ｂである。

　上記幅ｘ２Ａは、狭額縁化の理由から、例えば、７μｍ～１５μｍの範囲内であることが好ましい。上記幅ｘ２Ｂは、狭額縁化の理由から、例えば、９μｍ～２５μｍの範囲内であることが好ましい。

　また、溝部１７ｃ１（溝部１７ｃ１Ｃ・１７ｃ１Ｄ）の幅ｘ１は、溝部１７ｃ１Ｃであるか溝部１７ｃ１Ｄであるかに拘らず、前述したようにｔ１＜ｘ１＜ｘ２を満足することが好ましい。また、溝部１７ｃ１は、溝部１７ｃ１Ｃであるか溝部１７ｃ１Ｄであるかに拘らず、溝部１７ｃ１の底部１７ｃ２が平坦な部分を有する場合、０＜ｘ３＜ｔ１を満足することが好ましい。上記ｘ２は、上記溝部１７ｃ１が細幅部Ｄ１１に設けられた溝部であるか太幅部Ｄ１２に設けられた溝部であるかによって、ｘ２Ａまたはｘ２Ｂに適宜置き換えることができる。なお、幅ｘ１・ｘ３、層厚ｔ１、深さｔ２については、前述した通りである。

　また、本実施形態でも、溝部１７ｃ１（溝部１７ｃ１Ｃ・１７ｃ１Ｄ）のテーパ角θは、前述したように、例えば、７０°～１２０°の範囲内であることが好ましい。

　＜変形例５＞
　また、図１では、有機絶縁膜１７が第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ～第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄを有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。

　例えば、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃと、第４有機絶縁膜パターン部１７Ｄとは、分離して設けられている必要は必ずしもなく、第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが、端子ＴＭを露出するように端子部１２Ｔを覆っていてもよい。

　＜変形例６＞
　また、図２では、溝部１７ｃ１が形成された第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが、バンクＢＫ４を囲むように枠状に形成されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。

　例えば、端子ＴＭ上に第１無機層３１および第２無機層３３が形成されないように、ＣＶＤ用のマスクを用いて、端子ＴＭ上を除く領域に第１無機層３１および第２無機層３３を形成する場合、表示領域５と端子部１２Ｔとの間には、溝部１７ｃ１、もしくは、溝部１７ｃ１が形成された第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃが形成されていなくても構わない。

　＜変形例７＞
　本実施形態では、封止膜３０が、第１無機層３１および第２無機層３３を含み、有機ＥＬ基板２の縁部２ａ（言い換えれば、分断ラインＤＬ上）および第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの天面に、第１無機層３１と第２無機層３３とが積層されている場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、有機ＥＬ基板２の縁部２ａおよび第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃの天面に、第１無機層３１および第２無機層３３のうち何れか一方の無機層のみが形成されている構成としてもよい。

　＜変形例８＞
　本発明の目的は、前述したように封止膜３０に発生したクラックが表示領域５内に進行することを防止することであり、図１では、有機ＥＬ基板２の縁部２ａ上（言い換えれば、分断ラインＤＬ上）に、ＴＦＴ工程で形成される、ゲート絶縁膜１４、無機絶縁膜１５（パッシベーション膜）等の無機膜が形成されている場合を例に挙げて図示した。これらの無機膜は、通常、無機封止膜に比べて高温のプラズマＣＶＤで形成されるため、強固な耐クラック性を有している。

　しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。これらＴＦＴ工程で形成される無機膜のクラックの抑制のため、これらの無機膜の形成工程において、分断ライン上のこれらの無機膜を、フォトリソグラフィ、エッチング等により除去しておいてもよい。

　＜変形例９＞
　本実施形態では、上述したように、本実施形態にかかる表示装置の一例として、発光素子として有機ＥＬ素子２４（ＯＬＥＤ素子）を含む有機ＥＬ表示装置１を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、上記発光素子は、無機ＥＬ素子であってもよく、ＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）素子であってもよい。

　〔まとめ〕
　本発明の態様１にかかる表示装置（有機ＥＬ表示装置１）は、支持体（ＴＦＴ基板１０）と、上記支持体上の表示領域５に設けられた、複数の発光素子（有機ＥＬ素子２４）と、上記複数の発光素子を封止する封止膜３０と、を備えた表示装置であって、平面視で、上記表示領域５と、上記支持体の少なくとも一部の縁部（上記ＴＦＴ基板１０を備えた有機ＥＬ基板２の縁部２ａ）との間に、上記少なくとも一部の縁部から離間して設けられた、上面に溝部（溝部１７ｃ１）を有する樹脂層（第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ）を備え、上記封止膜３０は、少なくとも無機層（第１無機層３１、第２無機層３３）を含み、上記無機層は、平面視で、上記樹脂層および上記少なくとも一部の縁部を覆っており、上記溝部内で断裂している。

　本発明の態様２にかかる表示装置は、上記態様１において、上記樹脂層は、上記無機層が設けられた、上記少なくとも一部の縁部に面して設けられていてもよい。

　本発明の態様３にかかる表示装置は、上記態様１または２において、上記表示領域５は、複数の副画素３を備え、上記発光素子は、第１電極２１と、発光層を含む機能層（有機ＥＬ層２２）と、第２電極２３と、がこの順に積層されており、少なくとも上記第１電極２１が上記副画素３毎に設けられており、上記表示領域５の外側に、上記第２電極２３に電気的に接続される第２電極接続部７を備え、上記樹脂層は、上記第２電極接続部７よりも外側に設けられていてもよい。

　本発明の態様４にかかる表示装置は、上記態様１～３の何れかにおいて、上記封止膜３０は、第１無機層３１と、第２無機層３３と、上記第１無機層３１と上記第２無機層３３との間に封止され、上記表示領域５を覆う有機層３２と、を備え、上記樹脂層は、上記有機層３２の縁部よりも外側（つまり、封止領域８よりも外側）に設けられていてもよい。

　本発明の態様５にかかる表示装置は、上記態様１～４の何れかにおいて、上記支持体は、平面視で四角形状を有し、上記支持体の４つの辺のうち一部の辺と上記表示領域５との間に、上記一部の辺に沿って端子部１２Ｔが設けられており、上記樹脂層は、上記支持体における、少なくとも、上記端子部１２Ｔが設けられていない辺の縁部に面して設けられていてもよい。

　本発明の態様６にかかる表示装置は、上記態様５において、上記樹脂層は、上記表示領域５と上記端子部１２Ｔとの間にさらに設けられていてもよい。

　本発明の態様７にかかる表示装置は、上記態様１～６の何れかにおいて、上記樹脂層は、平面視で上記表示領域５を囲むように枠状に形成されていてもよい。

　本発明の態様８にかかる表示装置は、上記態様１～７の何れかにおいて、平面視で、上記無機層の周縁部と上記支持体の周縁部（全縁部２ａ）とが重なっていてもよい。

　本発明の態様９にかかる表示装置は、上記態様１～８の何れかにおいて、上記樹脂層は、上記溝部の深さが相対的に浅い浅溝部Ｄ１と、上記溝部の深さが相対的に深い深溝部Ｄ２とを有していてもよい。

　本発明の態様１０にかかる表示装置は、上記態様９において、上記深溝部Ｄ２が周期的に設けられていてもよい。

　本発明の態様１１にかかる表示装置は、上記態様９または１０において、上記浅溝部Ｄ１における上記溝部と上記深溝部Ｄ２における上記溝部とは、異なる形状を有していてもよい。

　本発明の態様１２にかかる表示装置は、上記態様１～１１の何れかにおいて、上記樹脂層は、上記樹脂層の幅が相対的に細い細幅部Ｄ１１と、上記樹脂層の幅が相対的に太い太幅部Ｄ１２とを有していてもよい。

　本発明の態様１３にかかる表示装置は、上記態様１２において、上記細幅部Ｄ１１には、上記溝部として、上記の幅が相対的に細い細溝が設けられており、上記太幅部Ｄ１２には、上記溝部として、上記の幅が相対的に太い太溝が設けられていてもよい。

　本発明の態様１４にかかる表示装置は、上記態様１～１１の何れかにおいて、上記樹脂層は、上記溝部の幅が相対的に細い細幅部Ｄ１１と、上記溝部の幅が相対的に太い太幅部Ｄ１２とを有していてもよい。

　本発明の態様１５にかかる表示装置は、上記態様１２～１４の何れかにおいて、上記太幅部Ｄ１２が周期的に設けられていてもよい。

　本発明の態様１６にかかる表示装置は、上記態様１～１５の何れかにおいて、上記発光素子は、上記表示領域５に設けられた平坦化膜（第１有機絶縁膜パターン部１７Ａ）上に設けられており、上記樹脂層は、上記平坦化膜と同じ材料からなり、上記平坦化膜と同層に、上記平坦化膜から離間して設けられていてもよい。

　本発明の態様１７にかかる表示装置は、上記態様１～１６の何れかにおいて、上記樹脂層は、上記表示領域５を囲む枠状の壁体（バンクＢＫ５）をさらに備え、上記溝部は、上記枠状の壁体を囲んで設けられていてもよい。

　本発明の態様１８にかかる表示装置は、上記態様１～１７の何れかにおいて、上記溝部の内壁と、上記支持体の表面に平行な面とがなす角度は、７０°～１２０°の範囲内であってもよい。

　本発明の態様１９にかかる表示装置は、上記態様１～１８の何れかにおいて、上記溝部の深さは、０．５μｍ～２μｍの範囲内であってもよい。

　本発明の態様２０にかかる表示装置は、上記態様１～１９の何れかにおいて、平面視で上記支持体の縁部に沿った方向に直交する方向の上記溝部の上端の幅をｘ１とし、上記溝部の上端の幅と同じ方向における上記樹脂層の最表面の幅をｘ２とし、上記樹脂層上の上記無機層の層厚をｔ１とすると、ｔ１＜ｘ１＜ｘ２であってもよい。

　本発明の態様２１にかかる表示装置は、上記態様１～２０の何れかにおいて、上記溝部は、底部（底部１７ｃ２）に平坦な部分を有し、平面視で上記支持体の縁部に沿った方向に直交する方向の上記溝部の底部に平坦な部分の幅をｘ３とし、上記樹脂層上の上記無機層の層厚をｔ１とすると、０＜ｘ３＜ｔ１であってもよい。

　本発明の態様２２にかかる表示装置は、上記態様１～２１の何れかにおいて、上記溝部の幅は、２μｍ～５μｍの範囲内であってもよい。

　本発明の態様２３にかかる表示装置は、上記態様１～２２の何れかにおいて、フレキシブル表示装置であってもよい。

　本発明の態様２４にかかる表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の製造方法は、支持体（ＴＦＴ基板１０）と、上記支持体上の表示領域５に設けられた、複数の発光素子（有機ＥＬ素子２４）と、上記複数の発光素子を封止する封止膜３０と、を備えた表示装置の製造方法であって、上記支持体の少なくとも一部を構成するマザー基板５０上に、平面視で、上記マザー基板５０を個々の表示装置に個片化するために分断する複数の分断予定線（分断ラインＤＬ）のうち少なくとも一部の分断予定線と、上記分断予定線で囲まれた領域内における上記表示領域５との間に、上記少なくとも一部の分断予定線から離間して、上面に溝部（溝部１７ｃ１）を有する樹脂層（第３有機絶縁膜パターン部１７Ｃ）を形成する樹脂層形成工程と、上記封止膜３０を形成する封止膜形成工程と、上記封止膜３０が形成された上記マザー基板５０を、各表示領域５をそれぞれ囲むように上記分断予定線に沿って分断する分断工程と、を含み、上記封止膜形成工程は、無機層（第１無機層３１、第２無機層３３）を形成する無機層形成工程を含むとともに、上記無機層形成工程では、上記無機層が上記樹脂層を覆うとともに上記少なくとも一部の分断予定線を覆うように、上記無機層を形成することで、上記無機層が、上記溝部内で断裂する。

　本発明の態様２５にかかる表示装置の製造方法は、上記態様２４において、上記樹脂層形成工程では、上記少なくとも一部の分断予定線に面して上記樹脂層を形成してもよい。

　本発明の態様２６にかかる表示装置の製造方法は、上記態様２４または２５において、上記樹脂層形成工程では、平面視で、上記分断予定線で囲まれた領域の内側に、上記表示領域５を囲むように枠状に上記樹脂層を形成してもよい。

　本発明の態様２７にかかる表示装置の製造方法は、上記態様２４または２５において、上記分断工程では、上記マザー基板５０を、上記分断予定線に沿って平面視で四角形状に分断するとともに、上記四角形状の領域の４つの辺にそれぞれ対応する分断予定線のうち一部の分断予定線と、上記分断予定線で囲まれた上記四角形状の領域における表示領域５との間に、上記一部の分断予定線に沿って端子部１２Ｔを形成する端子部形成工程をさらに含み、上記樹脂層形成工程では、上記四角形状の領域の４つの辺のうち、少なくとも、上記端子部１２Ｔが設けられていない辺の上記分断予定線に面して上記樹脂層を形成してもよい。

　本発明の態様２８にかかる表示装置の製造方法は、上記態様２７において、上記端子部形成工程で形成された端子部１２Ｔを樹脂で覆う端子部被覆工程をさらに含むとともに、上記樹脂層形成工程では、上記四角形状の領域内における上記表示領域５と上記端子部１２Ｔとの間を通って上記表示領域５を囲むように、枠状に上記樹脂層を形成し、上記無機層形成工程では、上記樹脂層および上記各分断予定線が上記無機層で覆われるように、上記マザー基板５０上の全面に上記無機層をマスクレスで形成し、上記無機層形成工程の後で、上記端子部１２Ｔの端子ＴＭを露出させる端子出し工程をさらに含んでいてもよい。

　本発明の態様２９にかかる表示装置の製造方法は、上記態様２８において、上記端子出し工程は、上記端子部１２Ｔにレーザを照射することにより行われてもよい。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　　１　　　有機ＥＬ表示装置
　　２　　　有機ＥＬ基板
　　２ａ　　縁部
　　３、３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ　　副画素
　　４　　　画素
　　５　　　表示領域
　　６　　　額縁領域
　　７　　　第２電極接続部
　　８　　　封止領域
　１０　　　ＴＦＴ基板（支持体）
　１２Ｔ　　端子部
　１４　　　ゲート絶縁膜
　１５、１６　　無機絶縁膜
　１７　　　有機絶縁膜
　１７Ａ　　第１有機絶縁膜パターン部（平坦化膜）
　１７Ｂ　　第２有機絶縁膜パターン部
　１７Ｃ　　第３有機絶縁膜パターン部（樹脂層）
　１７Ｄ　　第４有機絶縁膜パターン部
　１７ｃ１、１７ｃ１Ａ、１７ｃ１Ｂ、１７ｃ１Ｃ、１７ｃ１Ｄ　　溝部
　１７ｃ２　　底部
　１８　　　第１樹脂層
　１９　　　第２樹脂層
　２１　　　第１電極
　２２　　　有機ＥＬ層（機能層）
　２３　　　第２電極
　２４　　　有機ＥＬ素子（発光素子）
　３０　　　封止膜
　３１　　　第１無機層
　３２　　　有機層
　３３　　　第２無機層
　３４　　　断裂部
　５０　　　マザー基板
　ＢＫ、ＢＫ１、ＢＫ２、ＢＫ３、ＢＫ４、ＢＫ５　　バンク
　ＤＬ　　　分断ライン（分断予定線）
　Ｄ１　　　浅溝部
　Ｄ２　　　深溝部
　Ｄ１１　　細幅部
　Ｄ１２　　太幅部

Claims (29)

1. 　支持体と、上記支持体上の表示領域に設けられた、複数の発光素子と、上記複数の発光素子を封止する封止膜と、を備えた表示装置であって、
   　平面視で、上記表示領域と、上記支持体の少なくとも一部の縁部との間に、上記少なくとも一部の縁部から離間して設けられた、上面に溝部を有する樹脂層を備え、
   　上記封止膜は、少なくとも無機層を含み、
   　上記無機層は、平面視で、上記樹脂層および上記少なくとも一部の縁部を覆っており、上記溝部内で断裂していることを特徴とする表示装置。
2. 　上記樹脂層は、上記無機層が設けられた、上記少なくとも一部の縁部に面して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 　上記表示領域は、複数の副画素を備え、
   　上記発光素子は、第１電極と、発光層を含む機能層と、第２電極と、がこの順に積層されており、少なくとも上記第１電極が上記副画素毎に設けられており、
   　上記表示領域の外側に、上記第２電極に電気的に接続される第２電極接続部を備え、
   　上記樹脂層は、上記第２電極接続部よりも外側に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
4. 　上記封止膜は、第１無機層と、第２無機層と、上記第１無機層と上記第２無機層との間に封止され、上記表示領域を覆う有機層と、を備え、
   　上記樹脂層は、上記有機層の縁部よりも外側に設けられていることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の表示装置。
5. 　上記支持体は、平面視で四角形状を有し、
   　上記支持体の４つの辺のうち一部の辺と上記表示領域との間に、上記一部の辺に沿って端子部が設けられており、
   　上記樹脂層は、上記支持体における、少なくとも、上記端子部が設けられていない辺の縁部に面して設けられていることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の表示装置。
6. 　上記樹脂層は、上記表示領域と上記端子部との間にさらに設けられていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
7. 　上記樹脂層は、平面視で上記表示領域を囲むように枠状に形成されていることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の表示装置。
8. 　平面視で、上記無機層の周縁部と上記支持体の周縁部とが重なっていることを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の表示装置。
9. 　上記樹脂層は、上記溝部の深さが相対的に浅い浅溝部と、上記溝部の深さが相対的に深い深溝部とを有していることを特徴とする請求項１～８の何れか１項に記載の表示装置。
10. 　上記深溝部が周期的に設けられていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 　上記浅溝部における上記溝部と上記深溝部における上記溝部とは、異なる形状を有していることを特徴とする請求項９または１０に記載の表示装置。
12. 　上記樹脂層は、上記樹脂層の幅が相対的に細い細幅部と、上記樹脂層の幅が相対的に太い太幅部とを有していることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の表示装置。
13. 　上記細幅部には、上記溝部として、上記の幅が相対的に細い細溝が設けられており、上記太幅部には、上記溝部として、上記の幅が相対的に太い太溝が設けられていることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
14. 　上記樹脂層は、上記溝部の幅が相対的に細い細幅部と、上記溝部の幅が相対的に太い太幅部とを有していることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の表示装置。
15. 　上記太幅部が周期的に設けられていることを特徴とする請求項１２～１４の何れか１項に記載の表示装置。
16. 　上記発光素子は、上記表示領域に設けられた平坦化膜上に設けられており、
    　上記樹脂層は、上記平坦化膜と同じ材料からなり、上記平坦化膜と同層に、上記平坦化膜から離間して設けられていることを特徴とする請求項１～１５の何れか１項に記載の表示装置。
17. 　上記樹脂層は、上記表示領域を囲む枠状の壁体をさらに備え、
    　上記溝部は、上記枠状の壁体を囲んで設けられていることを特徴とする請求項１～１６の何れか１項に記載の表示装置。
18. 　上記溝部の内壁と、上記支持体の表面に平行な面とがなす角度は、７０°～１２０°の範囲内であることを特徴とする請求項１～１７の何れか１項に記載の表示装置。
19. 　上記溝部の深さは、０．５μｍ～２μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１～１８の何れか１項に記載の表示装置。
20. 　平面視で上記支持体の縁部に沿った方向に直交する方向の上記溝部の上端の幅をｘ１とし、上記溝部の上端の幅と同じ方向における上記樹脂層の最表面の幅をｘ２とし、上記樹脂層上の上記無機層の層厚をｔ１とすると、ｔ１＜ｘ１＜ｘ２であることを特徴とする請求項１～１９の何れか１項に記載の表示装置。
21. 　上記溝部は、底部に平坦な部分を有し、平面視で上記支持体の縁部に沿った方向に直交する方向の上記溝部の底部に平坦な部分の幅をｘ３とし、上記樹脂層上の上記無機層の層厚をｔ１とすると、０＜ｘ３＜ｔ１であることを特徴とする請求項１～２０の何れか１項に記載の表示装置。
22. 　上記溝部の幅は、２μｍ～５μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１～２１の何れか１項に記載の表示装置。
23. 　フレキシブル表示装置であることを特徴とする請求項１～２２の何れか１項に記載の表示装置。
24. 　支持体と、上記支持体上の表示領域に設けられた、複数の発光素子と、上記複数の発光素子を封止する封止膜と、を備えた表示装置の製造方法であって、
    　上記支持体の少なくとも一部を構成するマザー基板上に、平面視で、上記マザー基板を個々の表示装置に個片化するために分断する複数の分断予定線のうち少なくとも一部の分断予定線と、上記分断予定線で囲まれた領域内における上記表示領域との間に、上記少なくとも一部の分断予定線から離間して、上面に溝部を有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
    　上記封止膜を形成する封止膜形成工程と、
    　上記封止膜が形成された上記マザー基板を、各表示領域をそれぞれ囲むように上記分断予定線に沿って分断する分断工程と、を含み、
    　上記封止膜形成工程は、無機層を形成する無機層形成工程を含むとともに、
    　上記無機層形成工程では、上記無機層が上記樹脂層を覆うとともに上記少なくとも一部の分断予定線を覆うように、上記無機層を形成することで、上記無機層が、上記溝部内で断裂することを特徴とする表示装置の製造方法。
25. 　上記樹脂層形成工程では、上記少なくとも一部の分断予定線に面して上記樹脂層を形成することを特徴とする請求項２４に記載の表示装置の製造方法。
26. 　上記樹脂層形成工程では、平面視で、上記分断予定線で囲まれた領域の内側に、上記表示領域を囲むように枠状に上記樹脂層を形成することを特徴とする請求項２４または２５に記載の表示装置の製造方法。
27. 　上記分断工程では、上記マザー基板を、上記分断予定線に沿って平面視で四角形状に分断するとともに、
    　上記四角形状の領域の４つの辺にそれぞれ対応する分断予定線のうち一部の分断予定線と、上記分断予定線で囲まれた上記四角形状の領域における表示領域との間に、上記一部の分断予定線に沿って端子部を形成する端子部形成工程をさらに含み、
    　上記樹脂層形成工程では、上記四角形状の領域の４つの辺のうち、少なくとも、上記端子部が設けられていない辺の上記分断予定線に面して上記樹脂層を形成することを特徴とする請求項２４または２５に記載の表示装置の製造方法。
28. 　上記端子部形成工程で形成された端子部を樹脂で覆う端子部被覆工程をさらに含むとともに、
    　上記樹脂層形成工程では、上記四角形状の領域内における上記表示領域と上記端子部との間を通って上記表示領域を囲むように、枠状に上記樹脂層を形成し、
    　上記無機層形成工程では、上記樹脂層および上記各分断予定線が上記無機層で覆われるように、上記マザー基板上の全面に上記無機層をマスクレスで形成し、
    　上記無機層形成工程の後で、上記端子部の端子を露出させる端子出し工程をさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載の表示装置の製造方法。
29. 　上記端子出し工程は、上記端子部にレーザを照射することにより行われることを特徴とする請求項２８に記載の表示装置の製造方法。

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