CN111987136B - Oled显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种OLED显示面板及其制备方法，所述OLED显示面板包括TFT阵列基板、钝化层、平坦化层、平坦化补偿层、阳极金属层、像素限定层及有机发光层；所述TFT阵列基板具有多个像素区，所述像素区包括发光区以及限定区，所述TFT阵列基板表面还具有至少一个凸起部，所述凸起部对应所述发光区；所述平坦化层具有第一平坦部以及第二平坦部，所述第一平坦部具有凹凸不平的表面且对应所述发光区，所述第二平坦部与所述第一平坦部的边缘两端相接触且对应所述限定区以及部分所述发光区，所述第一平坦部的厚度小于所述第二平坦部的厚度；所述平坦化补偿层的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度与所述第二平坦部的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度平齐。

Description

OLED显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)具有自发光性、应答速度快、广视角等特点，应用前景广阔。对于蒸镀AMOLED(Active-matrix organic lightemitting diode，主动式有机发光二极体)来讲，蒸镀材料到达像素区膜厚均匀性好，对像素区基底平坦度的要求相对较松，而IJP(Ink Jet Printing，喷墨印刷)工艺的AMOLED的ink(油墨)打印到像素区是流动的，ink铺展性的主要影响因素之一是像素区基底的平坦度，要求整个像素区最大段差越小越好，超过该规格时ink的铺展性不均，则烘干后膜厚不均，最终影响发光效果，因此IJP-AMOLED的平坦化层(Planarization Layer，PLN)的平坦能力有了更苛刻的要求。
PLN是有机感光材料，目前的应对方案是PLN膜层的加厚，段差越大需要越厚的PLN，所以存在的问题及可能的风险：1、PLN的一次平坦化能力是有限的，即当基底段差达到一定程度，PLN已经增加至很厚(4um以上)平坦度依然不能达到要求；2、PLN都有开孔设计，开孔过深对后续的薄膜沉积有影响，比如爬坡断线等不良。
综上所述，现有技术的IJP-AMOLED在制程中，平坦化层难以达到制备需求的平整度，整个像素区最大段差较大，ink的铺展性不均匀，烘干后的发光层膜厚不均匀，进而影响OLED显示面板的显示效果。
发明内容
本申请提供一种OLED显示面板及其制备方法，能够提高IJP-AMOLED基底的平坦程度，以解决现有技术中因平坦化层难以达到制备需求的平整度而使得发光层膜厚不均匀，影响OLED显示面板的显示效果的技术问题。
本申请实施例提供一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括TFT阵列基板、钝化层、平坦化层、平坦化补偿层、阳极金属层、像素限定层以及有机发光层；
其中，所述TFT阵列基板具有多个像素区，所述像素区包括发光区以及围绕所述发光区的限定区，所述TFT阵列基板表面还具有至少一个凸起部，所述凸起部对应所述发光区；所述钝化层制备于所述TFT阵列基板表面并完全覆盖所述凸起部；所述平坦化层具有第一平坦部以及第二平坦部，所述第一平坦部具有凹凸不平的表面且对应所述发光区，所述第二平坦部与所述第一平坦部的边缘两端相接触且对应所述限定区以及部分所述发光区，所述第一平坦部的厚度小于所述第二平坦部的厚度；所述平坦化补偿层的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度与所述第二平坦部的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度平齐；所述阳极金属层制备于所述第二平坦部以及所述平坦化补偿层上；所述像素限定层制备于所述第二平坦部上并覆盖部分所述阳极金属层；所述有机发光层制备于所述阳极金属层上且对应所述发光区。
在一些实施例中，所述平坦化补偿层由有机墨水经喷墨打印工艺制备而成。
在一些实施例中，所述平坦化层的材料为疏水性的有机材料。
在一些实施例中，所述阳极金属层为三层ITO/Ag/ITO导电层或者单层ITO透射型导电层。
在一些实施例中，所述TFT阵列基板为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化型薄膜晶体管以及固相结晶多晶硅薄膜晶体管中的任意一种。
本申请实施例还提供一种OLED显示面板的制备方法，所述方法包括：
S10，提供TFT阵列基板，所述TFT阵列基板具有多个像素区，所述像素区包括发光区以及围绕所述发光区的限定区，所述TFT阵列基板表面还具有至少一个凸起部，所述凸起部对应所述发光区；
S20，在所述TFT阵列基板表面依次制备钝化层以及平坦化层，所述钝化层完全覆盖所述凸起部，所述平坦化层对应部分所述发光区的区域具有凹凸不平的表面；
S30，使用半色调掩膜版对位于所述发光区的部分所述平坦化层进行减薄处理，形成第一平坦部以及第二平坦部；
S40，以所述第二平坦部为阻挡在所述第一平坦部上打印平坦化补偿层，所述平坦化补偿层的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度与所述第二平坦部的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度平齐；
S50，在所述平坦化补偿层以及所述第二平坦部上制备阳极金属层，之后在所述第二平坦部上制备像素定义层，所述像素定义层覆盖部分所述阳极金属层；
S60，以所述像素定义层为阻挡在所述阳极金属层对应所述发光区的部分打印有机发光层。
在一些实施例中，所述S10中，所述TFT阵列基板为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化型薄膜晶体管以及固相结晶多晶硅薄膜晶体管中的任意一种。
在一些实施例中，所述S20中，所述平坦化层的材料为疏水性的有机材料。
在一些实施例中，所述S30中，所述第一平坦部具有凹凸不平的表面且对应所述发光区，所述第二平坦部与所述第一平坦部的边缘两端相接触且对应所述限定区以及部分所述发光区，所述第一平坦部的厚度小于所述第二平坦部的厚度。
在一些实施例中，所述S30还包括：S301，在所述平坦化层对应所述限定区的部分开设第一通孔，所述第一通孔贯穿所述平坦化层以及所述钝化层并暴露出所述TFT阵列基板。
本申请实施例所提供的OLED显示面板及其制备方法，将位于发光区中的具有凹凸不平表面的部分平坦化层减薄，并填充平坦化补偿层，在发光区中可得到较高平坦度的有机膜层，解决了现有技术的IJP-AMOLED在制程中，平坦化层难以达到制备需求的平整度，整个像素区最大段差较大，有机喷墨的铺展性不均匀，烘干后的发光层膜厚不均匀，进而影响OLED显示面板的显示效果。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的OLED显示面板的制备方法流程示意图。
图3A-图3F为本申请实施例提供的OLED显示面板的制备方法结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有技术的IJP-AMOLED在制程中，平坦化层难以达到制备需求的平整度，整个像素区最大段差较大，喷涂材料(ink)的铺展性不均匀，烘干后的发光层膜厚不均匀，进而影响OLED显示面板的显示效果的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，本申请实施例提供一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括TFT阵列基板101、钝化层103、平坦化层104、平坦化补偿层105、阳极金属层106、像素限定层107以及有机发光层108；其中，所述TFT阵列基板101具有多个像素区110，所述像素区110包括发光区1101以及围绕所述发光区1101的限定区1102。
具体地，在制备所述TFT器件时，同时制备扫描线和数据线，所述扫描线对应连接所述TFT器件的栅极，所述数据线对应连接所述TFT器件的源极。所述扫描线与所述数据线的设置，使得所述扫描线与所述数据线对应的区域高于其他区域，形成至少一个凸起部，所述凸起部包括第一凸起部1021以及第二凸起部1022。所述TFT阵列基板101为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化型薄膜晶体管以及固相结晶多晶硅薄膜晶体管中的任意一种
优选地，所述钝化层103的材料为硅氮化物或者硅氧化物，所述钝化层103完全覆盖所述第一凸起部1021以及所述第二凸起部1022。
优选地，所述平坦化层104的材料为疏水性的有机材料，优选为聚酰亚胺材料或者聚甲基丙烯酸甲酯。所述平坦化层104具有第一平坦部1041以及第二平坦部1052，所述第一平坦部1041具有凹凸不平的表面且对应所述发光区1101，所述第二平坦部1042与所述第一平坦部1041的边缘两端相接触且对应所述限定区1102以及部分所述发光区1101，所述第一平坦部1041的厚度小于所述第二平坦部1042的厚度。
具体地，以所述第二平坦部1042为阻挡通过喷墨打印工艺在所述第一平坦部1041上打印所述平坦化补偿层105，由于有机墨水本身具有流动性，所述有机墨水干燥后会根据地势自动填充，将所述第一平坦部1041的凹凸不平的表面填平；最终，使得所述平坦化补偿层105的表面距离所述TFT阵列基板101表面的高度与所述第二平坦部的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度平齐，均为H。优选的，所述平坦化补偿层105的材料为有机绝缘材料。
具体地，在所述平坦化补偿层105以及所述第二平坦部1042上制备所述阳极金属层106，所述阳极金属层106经由所述第一通孔10421与所述TFT阵列基板101相连；所述阳极金属层106的材料优选为三层ITO/Ag/ITO导电层或者单层ITO透射型导电层，即所述OLED显示面板可以是顶发光或底发光，对应阳极电极为ITO/Ag/ITO等反射型阳极和ITO透射型阳极。
具体地，在所述第二平坦部1042上制备所述像素定义层107，所述像素定义层107覆盖所述阳极金属层106的两端边缘，所述像素定义层107的材料为无机绝缘层材料，所述像素定义层107定义出所述发光区1101以及所述限定区1102。
具体地，所述有机发光层108经由喷墨打印工艺制备于所述发光区1101中。
本申请实施例所提供的OLED显示面板采用具有疏水性的有机材料作为平坦化层，并利用半色调掩膜版将像素区段差弱曝，显影后该区域的平坦化层随地势均匀降低一定的膜厚，以像素区周围的平坦化层(未曝光部分)为阻挡堤坝(Barrier Bank)，打印平坦补偿层的有机墨水，由于有机墨水本身具有流动性，会根据地势自动填充，最终将整个像素区填平，改善了制备有机发光层的有机墨水干燥后厚度不均匀，影响OLED器件寿命或效率的问题。
如图2所示，本申请实施例还提供一种所述OLED显示面板的制备方法，所述方法包括如下步骤：
S10，提供TFT阵列基板101，所述TFT阵列基板101具有多个像素区110，所述像素区包括发光区1101以及围绕所述发光区1101的限定区1102，所述TFT阵列基板101表面还具有至少一个凸起部，所述凸起部对应所述发光区1101。
具体地，所述S10还包括：
步骤S101，提供一基板；步骤S102，在所述基板表面制备TFT(薄膜晶体管)器件，形成TFT阵列基板101。在制备所述TFT器件时，同时制备扫描线和数据线，所述扫描线对应连接所述TFT器件的栅极，所述数据线对应连接所述TFT器件的源极。所述扫描线与所述数据线的设置，使得所述扫描线与所述数据线对应的区域高于其他区域，形成至少一个凸起部，所述凸起部包括第一凸起部1021以及第二凸起部1022。
具体地，所述TFT阵列基板101具有多个像素区110，所述像素区110包括发光区1101以及围绕所述发光区1101的限定区1102，所述第一凸起部1021以及所述第二凸起部1022均对应所述发光区1101。优选地，所述TFT阵列基板101为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化型薄膜晶体管以及固相结晶多晶硅薄膜晶体管中的任意一种，如图3A所示。
S20，在所述TFT阵列基板101表面依次制备钝化层103以及平坦化层104，所述钝化层103完全覆盖所述凸起部，所述平坦化层104对应部分所述发光区1101的区域具有凹凸不平的表面。
具体地，所述S20还包括：
首先，在所述TFT阵列基板101表面沉积制备一层钝化层103，所述钝化层103的材料为硅氮化物或者硅氧化物，所述钝化层103完全覆盖所述第一凸起部1021以及所述第二凸起部1022；之后，在所述钝化层103上沉积一层平坦化层104，所述平坦化层104的材料为疏水性的有机材料，优选为聚酰亚胺材料或者聚甲基丙烯酸甲酯。由于所述凸起部的存在，所述平坦化层104对应部分所述发光区1101的区域具有凹凸不平的表面，如图3B所示。
S30，使用半色调掩膜版20对位于所述发光区1101的部分所述平坦化层104进行减薄处理，形成第一平坦部1041以及第二平坦部1042。
具体地，所述S30还包括：
首先提供一半色调掩膜版20(Half tone mask)，所述半色调掩膜版20具有半曝光部201、完全不曝光部202以及完全曝光部203。之后，使用所述半色调掩膜版20对所述平坦化层104进行曝光减薄处理。所述平坦化层104在对应于所述半曝光部201的部分形成第一平坦部1041，所述平坦化层104在对应于所述完全不曝光部202的部分形成第二平坦部1042，所述平坦化层104在对应于所述完全曝光部203的部分形成第一通孔10421。其中，由于所述半曝光部201的曝光能量相同，则所述平坦化层104减薄的厚度ΔH相同。因此所述第一平坦部1041具有凹凸不平的表面且对应所述发光区1101，所述第二平坦部1102与所述第一平坦部1101的边缘两端相接触且对应所述限定区1102以及部分所述发光区1101，所述第二平坦部1102具有平坦的表面；所述第一平坦部1041的厚度小于所述第二平坦部1042的厚度。具体地，所述第一通孔10421对应所述限定区1102，所述第一通孔10421贯穿所述平坦化层104以及所述钝化层103并暴露出所述TFT阵列基板101，如图3C所示。
S40，以所述第二平坦部1042为阻挡在所述第一平坦部1041上打印平坦化补偿层105，所述平坦化补偿层105的表面距离所述TFT阵列基板101表面的高度与所述第二平坦部的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度平齐。
具体地，所述S40还包括：
以所述第二平坦部1042为阻挡通过喷墨打印工艺在所述第一平坦部1041上打印平坦化补偿层105，由于有机墨水本身具有流动性，所述有机墨水干燥后会根据地势自动填充，将所述第一平坦部1041的凹凸不平的表面填平；最终，使得所述平坦化补偿层105的表面距离所述TFT阵列基板101表面的高度与所述第二平坦部的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度平齐，均为H。优选的，所述平坦化补偿层105的材料为有机绝缘材料，如图3D所示。
S50，在所述平坦化补偿层105以及所述第二平坦部1042上制备阳极金属层106，之后在所述第二平坦部1042上制备像素定义层107，所述像素定义层107覆盖部分所述阳极金属层106。
具体地，所述S50还包括：
在所述平坦化补偿层105以及所述第二平坦部1042上制备阳极金属层106，所述阳极金属层106经由所述第一通孔10421与所述TFT阵列基板101相连；所述阳极金属层106的材料优选为三层ITO/Ag/ITO导电层或者单层ITO透射型导电层，即所述OLED显示面板可以是顶发光或底发光，对应阳极电极为ITO/Ag/ITO等反射型阳极和ITO透射型阳极。之后，在所述第二平坦部1042上制备像素定义层107，所述像素定义层107覆盖所述阳极金属层106的两端边缘，所述像素定义层107的材料为无机绝缘层材料，所述像素定义层107定义出所述发光区1101以及所述限定区1102，如图3E所示。
S60，以所述像素定义层107为阻挡在所述阳极金属层106对应所述发光区1102的部分打印有机发光层108。
具体地，所述S60还包括：
以所述像素定义层107为阻挡，通过喷墨打印工艺在所述阳极金属层106对应所述发光区1102的部分打印有机发光层108，所述有机发光层108用于使所述OLED显示面板发光，如图3F所示。
本申请实施例提供的OLED显示面板的制备方法，能够在不增加光罩情况下，提高IJP-AMOLED基底平坦程度，使打印有机墨水的铺展厚度均匀，防止背板点亮发光不均，影响OLED器件寿命或效率。
综上所述，本申请实施例所提供的OLED显示面板及其制备方法，将位于发光区中的具有凹凸不平表面的部分平坦化层减薄，并填充平坦化补偿层，在发光区中可得到较高平坦度的有机膜层，解决了现有技术的IJP-AMOLED在制程中，平坦化层难以达到制备需求的平整度，整个像素区最大段差较大，有机喷墨的铺展性不均匀，烘干后的发光层膜厚不均匀，进而影响OLED显示面板的显示效果。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种OLED显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括：
TFT阵列基板，所述TFT阵列基板具有多个像素区，所述像素区包括发光区以及围绕所述发光区的限定区，所述TFT阵列基板表面还具有至少一个凸起部，所述凸起部对应所述发光区；
钝化层，制备于所述TFT阵列基板表面并完全覆盖所述凸起部；
平坦化层，制备于所述钝化层上，所述平坦化层具有第一平坦部以及第二平坦部，所述第一平坦部具有凹凸不平的表面且对应所述发光区，所述第二平坦部与所述第一平坦部的边缘两端相接触且对应所述限定区以及部分所述发光区，所述第一平坦部的厚度小于所述第二平坦部的厚度；
平坦化补偿层，制备于所述第一平坦部上，所述平坦化补偿层的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度与所述第二平坦部的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度平齐；
阳极金属层，制备于所述第二平坦部以及所述平坦化补偿层上；
像素限定层，制备于所述第二平坦部上并覆盖部分所述阳极金属层；
有机发光层，制备于所述阳极金属层上且对应所述发光区；
其中，所述平坦化补偿层由有机墨水经喷墨打印工艺制备而成。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述平坦化层的材料为疏水性的有机材料。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阳极金属层为三层ITO/Ag/ITO导电层或者单层ITO透射型导电层。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述TFT阵列基板为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化型薄膜晶体管以及固相结晶多晶硅薄膜晶体管中的任意一种。
5.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，提供TFT阵列基板，所述TFT阵列基板具有多个像素区，所述像素区包括发光区以及围绕所述发光区的限定区，所述TFT阵列基板表面还具有至少一个凸起部，所述凸起部对应所述发光区；
S20，在所述TFT阵列基板表面依次制备钝化层以及平坦化层，所述钝化层完全覆盖所述凸起部，所述平坦化层对应部分所述发光区的区域具有凹凸不平的表面；
S30，使用半色调掩膜版对位于所述发光区的部分所述平坦化层进行减薄处理，形成第一平坦部以及第二平坦部，其中，所述第一平坦部具有凹凸不平的表面且对应所述发光区，所述第二平坦部与所述第一平坦部的边缘两端相接触且对应所述限定区以及部分所述发光区，所述第一平坦部的厚度小于所述第二平坦部的厚度；
S40，以所述第二平坦部为阻挡在所述第一平坦部上打印平坦化补偿层，所述平坦化补偿层的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度与所述第二平坦部的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度平齐；
S50，在所述平坦化补偿层以及所述第二平坦部上制备阳极金属层，之后在所述第二平坦部上制备像素定义层，所述像素定义层覆盖部分所述阳极金属层；
S60，以所述像素定义层为阻挡在所述阳极金属层对应所述发光区的部分打印有机发光层。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述S10中，所述TFT阵列基板为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化型薄膜晶体管以及固相结晶多晶硅薄膜晶体管中的任意一种。
7.根据权利要求5所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述S20中，所述平坦化层的材料为疏水性的有机材料。
8.根据权利要求5所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述S30还包括：
S301，在所述平坦化层对应所述限定区的部分开设第一通孔，所述第一通孔贯穿所述平坦化层以及所述钝化层并暴露出所述TFT阵列基板。
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