CN111710795A - 发光器件、显示面板及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 230
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 13
- 230000007480 spreading Effects 0.000 abstract description 6
- 238000003892 spreading Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种发光器件、显示面板及制备方法，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及有机功能层，所述有机功能层包括一有机发光层，所述有机功能层具有与所述第一电极接触的第一表面以及位于所述有机发光层背离所述第一电极表面上的第二表面，所述有机功能层在所述第一表面和所述第二表面之间具有一第一预设厚度，所述第一电极与所述有机功能层的厚度之和具有一第二预设厚度，所述第二预设厚度使得所述发光器件的出光强度范围为150‑250nits；本发明所述发光器件、显示面板及制备方法能避免因打印墨水膜层过薄而出现的短路和因打印墨水膜厚过厚而出现的墨水铺展均一性差的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、显示面板及制备方法。
背景技术
当前，OLED显示器在显示色域、色深、对比度和响应速度等方面都优于LCD显示器。其中，IJP-OLED作为新技术，由于其具有的极高的材料利用率得到越来越多的关注。但是，由于IJP-OLED技术不成熟和材料限制，IJP-OLED显示器面临着很多问题。
例如，在IJP-OLED显示器中，HIL、HTL和EML等有机层采用打印制程进行制作。当打印膜层厚度相对较薄时，OLED器件发出的光会在各膜层中发生反射、折射和干涉等，从而引发微腔效应。通过调整打印膜层的厚度，调整上述微腔效应。
当HIL、HTL和EML的膜层厚度总和在100nm左右时，OLED器件出现第一节点的出光强度峰值；当HIL、HTL和EML的膜层厚度总和在200-300nm时，OLED器件出现第二节点的出光强度峰值。
如图1A所示，当IJP-OLED的厚度较薄时，IJP-OLED器件极易由于阳极210表面凸起结构201的影响产生平整度和洁净度不佳的问题，进而出现器件短路等异常，极大地影响了面板的显示品质。
如图1B所示，当IJP-OLED的厚度较厚时，IJP-OLED器件的有机层220会由于打印的墨水厚度太厚，会出现打印的墨水铺展均匀性差的情况。
因此，亟需提供一种发光器件、显示面板及制备方法，以解决上述问题。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明所述发光器件、显示面板及制备方法，将有机功能层在第一表面和第二表面之间具有一第一预设厚度，并通过在第一电极中增设一调整层，能使所述发光器件的有机功能层和第一电极的厚度之和具有一第二预设厚度，进而能能避免因打印墨水膜层过薄而出现的短路和因打印墨水膜厚过厚而出现的墨水铺展均一性差的问题。
为了实现上述目的，本发明所述发光器件、显示面板及制备方法采取了以下技术方案：
本发明提供一种发光器件，包括相对设置的一第一电极与一第二电极，以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的一有机功能层，其特征在于，所述有机功能层包括一有机发光层；所述有机功能层具有与所述第一电极接触的第一表面以及位于所述有机发光层背离所述第一电极表面上的第二表面，所述有机功能层在所述第一表面和所述第二表面之间具有一第一预设厚度；所述第一电极与所述有机功能层的厚度之和具有一第二预设厚度，所述第二预设厚度使得所述发光器件的出光强度范围为150-250nits。
进一步，所述第一电极包括一反射电极层、一透明电极层和一调整层，其中：所述反射电极层与所述第二电极之间构成一微腔，所述第二预设厚度被配置为使得所述微腔具有一预设腔长，所述预设腔长使得所述发光器件的出光强度保持在150-250nits；所述透明电极层位于所述反射电极层与所述有机功能层之间；以及，所述调整层位于所述反射电极层和所述透明电极层之间并具有第一过孔，所述第一过孔用于所述透明电极层和所述反射电极层的电性连接；并且，所述调整层被配置为使得所述第一电极的厚度适配于所述第一预设厚度和所述第二预设厚度。
进一步，不同颜色的所述发光器件对应的所述调整层的厚度不同。
进一步，所述反射电极层包括一反射导电层和一透明导电层，所述透明导电层设置于所述反射导电层背离所述透明电极层的表面上并与所述反射导电层电性连接。
进一步，所述第一预设厚度的范围为80-120nm。
进一步，不同颜色的所述发光器件对应的所述第一电极的厚度不同。
进一步，不同颜色的所述发光器件对应的所述有机功能层的厚度相同。
进一步，所述有机功能层包括层叠于所述第一电极和有机发光层之间至少一第一有机功能层；所述第一预设厚度为所述有机发光层和所述第一有机功能层的厚度之和；所述第一有机功能层为电子注入层、电子阻挡层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴注入层或空穴传输层中的至少一种。
本发明还提供一种显示面板，包括一衬底基板和设置在所述衬底基板上的至少一权利要求1-8中任一项所述的发光器件。
本发明还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的复数个不同颜色的发光器件，所述发光器件为权利要求1-8中任一项所述的发光器件，所述制备方法包括：在不同颜色的所述发光器件中，制备厚度适配于所述第一预设厚度和所述第二预设厚度的第一电极的步骤。
进一步，所述第一电极的包括以下步骤：
在所述衬底基板上制备反射电极层的步骤；在所述反射电极层上制备调整层的步骤，在不同颜色的发光器件中，所述调整层的厚度不同，并且所述调整层使得所述第一电极的厚度适配于所述第一预设厚度和所述第二预设厚度；以及，在所述调整层上制备透明电极层的步骤。
作为一优选实施例，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：
提供一衬底基板的步骤；
在所述衬底基板上制备第一电极的步骤，在不同颜色的发光器件中：所述第一电极厚度不同，并且所述第一电极的厚度适配于所述第一预设厚度和所述第二预设厚度；
在制备有所述第一电极的所述衬底基板上制备像素定义层的步骤；以及，
在制备有像素定义层的衬底基板上制备有机功能层和第二电极的步骤。
本发明所述发光器件、显示面板及制备方法具有以下有益效果：
本发明所述发光器件、显示面板及制备方法，其将所述有机功能层在第一表面和第二表面之间维持在第一预设厚度内，通过调整第一电极的厚度，使得第一电极和有机功能层具有第二预设厚度，能保障所述发光器件、显示面板的出光强度；同时，通过将所述有机功能层在第一表面和第二表面之间维持在第一预设厚度内，能避免因打印墨水膜层过薄而出现的短路和因打印墨水膜厚过厚而出现的墨水铺展均一性差的问题，还能节省打印墨水，降低物料成本，同时还有利于提升所述发光器件或显示面板的平坦性。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1A为现有显示面板的示意图一。
图1B为现有显示面板的示意图二。
图2为本发明所述发光器件与现有发光器件的架构对比图，图2左侧为现有发光器件的架构示意图，图2右侧为本发明所述发光器件的架构示意图。
图3本发明所显示面板结构示意图。
图4-图6为本发明所述显示面板的制备方法的一实施例的工艺流程图，其中图5A-图5C为制备所述第一电极的工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
图2为现有发光器件与本发明所述发光器件的架构对比图，图2左侧为现有发光器件的架构示意图，图2右侧为本发明所述发光器件的架构示意图。以下将结合图2对本申请所述发光器件的结构和效果的进行阐述。
请参考图2左侧，现有发光器件100中，阳极110作为反射电极，阴极130作为透明反射电极，其中所述阳极110的反射层和所述阴极130之间构成微腔L。在所述发光器件100的架构中，多通过调整位于阳极110和阴极130之间的有机功能层120，尤其是HIL、HTL或EML等膜层的厚度，微腔L的长度，以使得该发光器件能获得比较好的出光强度。
然而，在发光器件的制程中，HIL、HTL或EML等膜层多采用打印制程制备，其厚度较厚或较薄都容易出现器件不良，造成显示问题。例如，打印膜层较厚，容易出现墨水(ink)铺展均一性差，而打印膜层较薄则容易出现由表面平整度和洁净度不佳而造成的器件短路异常。
为解决上述问题，本申请发明人提出了图2右侧所示意的发光器件架构。
请参考图2右侧，在本发明所述发光器件200中，所述第一电极210作为反射电极，第二电极230作为透明反射电极，两者之间构成微腔L。很显然地，本发明所述发光器件利用第一电极210的厚度贡献部分腔长，使得在有机功能层220整体维持于一较薄的厚度时，所述发光器件200能具有比较好的出光强度。
请参考图2右侧，在本申请所述发光器件200中，所述有机功能层220具有与所述第一电极210接触的第一表面2201以及位于所述有机发光层221背离所述第一电极210的表面上的第二表面2202，所述有机功能层220在所述第一表面2201和所述第二表面2202之间具有一第一预设厚度L1，并通过调整所述第一电极210的厚度d，使得所述第一电极210和所述有机功能层220具有一第二预设厚度L2，所述第二预设厚度L2使得所述发光器件200的出光强度范围为150-250nits。
综上，所述第一预设厚度L1实质上为：位于所述第一表面2201和第二表面2202之间的各有机功能层220的厚度的总和。例如，所述第一预设厚度L1可以为所述有机发光层221的厚度，或者为，所述有机发光层221以及位于所述有机发光层221和所述第一电极210之间的一个或多个其他有机功能层220的厚度的总和。
进一步，所述有机功能层220包括层叠于所述第一电极210和有机发光层221之间至少一第一有机功能层。此时，所述第一预设厚度L1实质上为所述有机发光层221和所述第一有机功能层的厚度之和。
具体地，所述第一有机功能层为电子注入层、电子阻挡层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴注入层或空穴传输层中的至少一种。
例如，在本实施例中，所述第一电极210用作阳极，所述第一有机功能层包括依次层叠于所述第一电极210的表面上的空穴注入层(HTL)和空穴传输层(HIL)。
很显然地，本发明所述发光器件200，将所述发光器件200的第一预设厚度L1维持于打印效果最佳的范围内，能防止在采用IJP方法制备所述发光器件200时出现打印膜层厚度的短路或铺展均一性较差的情况；与此同时，所述第一电极210的厚度还能使得所述发光器件200中第一电极210和有机功能层220的厚度之和维持于第二预设厚度L2，从而保障所述发光器件200出光效果。通过调整
具体地，所述第一预设厚度L1的范围为80-120nm。在上述范围内时，采用IJP方法制备第一有机功能层和/或有机发光层221时，能保障比较好的打印效果。
具体地，不同颜色的所述发光器件200对应的所述有机功能层220的厚度相同。
具体地，所述第二预设厚度的范围为180-300nm。但在具体实施时，不同颜色的发光器件200对应于实现将所述发光器件200的出光强度维持在150-250nits范围内的所述第二预设厚度L2具体取值范围可能不同。例如，红色发光器件200的第二预设厚度L2的厚度大于蓝色发光器件中的第二预设厚度L2；绿色发光器件中的第二预设厚度L2大于所述蓝色发光器件中的第二预设厚度L2。
具体地，不同颜色的所述发光器件200对应的所述第一电极210的厚度d不同。
如图2右侧所示，所述第一电极210包括一反射电极层211、一透明电极层212和一调整层213。
如图2右侧所示，其中：所述透明电极层212与所述有机功能层220背离所述第二电极230的表面相接触，所述反射电极层211位于所述透明电极层212背离所述有机功能层220的表面上并与所述透明电极层212电性连接；所述调整层213位于所述透明电极层212和所述反射电极层211之间，并且所述调整层213上具有第一过孔2131，所述第一过孔2131用于所述反射电极层211和透明电极层212的电性连接。
其中，所述反射电极层211用于与所述第二电极230之间构成一微腔，所述第二预设厚度L2被配置为使得所述微腔具有一预设腔长，所述预设腔长使得所述发光器件200的出光强度范围为150-250nits；所述调整层213被配置为用以调整所述第一电极210的厚度，以使得所述第一电极210的厚度d适配于所述第一预设厚度L1和所述第二预设厚度L2。
具体地，不同颜色的所述发光器件200对应的所述透明电极层212的厚度不同。
具体地，所述反射电极层211可以采用单层膜层结构或多层层叠复合膜层结构。例如，在本实施例中，在本实施例中，所述反射电极层211为采用一层反射金属层，所述反射金属层的材料，可以为但不限于，材料为铝、铜或银中的至少一种。
具体地，所述调整层213可以采用具有Half-tone性能的光敏性光阻材料，还可以采用无Half-tone性能材料。例如，所述调整层213可以为一OC(Over Coating，绝缘覆盖)层。所述调整层213可以采用树脂材料。
具体地，所述透明电极层212由具有透光性的导电材料制成，例如，所述具有透光性的导电材料可以为氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌和透明导电聚合物中的至少一种。
图3本发明所显示面板结构示意图。如图3所示，本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括一衬底基板100和设置在所述衬底基板100上的本发明所述的发光器件200。
如图3所示，所述衬底基板100包括一阵列基板110和覆盖于所述基板110上的平坦化层120。
如图3所示，所述阵列基板110包括一基底和阵列于所述基底上的复数个TFT，所述TFT用于驱动或开关作用。在具体实施时，所述TFT可以为非晶硅TFT、氧化物半导体TFT或低温多晶硅TFT中的至少一种。也就是说，本发明并未对所述TFT的类型或结构进行限定。
如图3所示，所述平坦化层120上具有多个第二过孔1201，所述第一过孔120暴露出所述基板110的电极或走线，用于所述发光器件120的第一电极210与所述基板110的接触或电性连接。
在具体实施时，所述平坦化层110的材料采用有机光敏性光阻材料，其图案化采用黄光制程。
如图3所示，所述显示面板包括位于所述平坦化层120上的不同颜色的发光器件200。例如，在本实施例中，所述发光器件200包括红色发光器件201、绿色发光器件202及蓝色发光器件203。
如图3所示，所述第一电极210位于在所述平坦化层120上，并且所述第一电极210的至少部分区域填充或穿过所述第二过孔1201以与所述基板110接触或电性连接。
如图3所示，不同颜色的所述发光器件200中，所述第一电极210的厚度不同。例如，在本实施例中，红色发光器件的第一电极210的厚度d大于蓝色发光器件中的第一电极210的厚度d；绿色发光器件中第一电极210的厚度d大于所述蓝色发光器件中的第一电极210的厚度d。
如图3所示，所述第一电极210包括反射电极层211、透明电极层212和调整层213。
如图3所示，所述反射电极层211位于所述平坦化层120上，并且所述反射电极层211包括反射导电层2112和透明导电层2111。
如图3所示，所述透明导电层2111与所述平坦化层120接触并至少部分区域填充于所述第二过孔1201，以实现所述第一电极210与所述基板110的电性连接。在具体实施时，所述透明导电层2111材料为氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌和透明导电聚合物中的至少一种。
如图3所示，所述反射导电层2112覆盖于所述透明导电层2111上并与所述透明导电层2111电性连接，并且所述反射导电层2112为用于构成所述微腔。
在具体实施时，所述反射导电层2112采用能用作反射金属层的材料。例如，所述能用作反射金属层的材料，可以为但不限于，铝、铜或银。
如图3所示，所述调整层213位于所述反射导电层2112上，并且所述调整层213上具有暴露出所述反射电极层211的第一过孔2131。其中，所述调整层213配置为用以调整所述第一电极210的厚度d，以使得所述第一电极210的厚度d适配于所述第一预设厚度L1和所述第二预设厚度L2,使得所述发光器件200和所述显示面板的有机功能层220维持于较适宜打印的范围时，还能保障较好的出光强度。
具体地，不同颜色的所述发光器件200对应的所述调整层213的厚度不同。
如图3所示，所述透明电极层212位于所述调整层213上，并且，所述透明电极层212至少部分区域填充于所述第一过孔2131以与所述反射电极层211的反射导电层2112电性连接。
在具体实施时，所述透明电极层212材料为氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌和透明导电聚合物中的至少一种。
如图3所示，所述衬底基板100上还设置有一像素定义层240，所述像素定义层240覆盖于所述第一电极210的外围区域或边缘区域，并形成暴露所述第一电极210的像素开口，所述像素开口用于限定所述发光器件200。例如，在本实施例中，所述像素开口暴露出所述透明电极层212的部分区域。
例如，所述像素定义层240可以涂覆诸如聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂的光敏有机材料，然后可以执行曝光工艺和显影工艺以形成像素定义层240。在一些实施例中，可以通过印刷工艺(例如，喷墨印刷工艺)由聚合物材料或无机材料来形成像素定义层240。
如图3所示，在所述透明电极层212由所述像素开口暴露的区域上形成有机功能层220。所述有机功能层220至少包括有机发光层221(图3中未标示)，所述有机发光层221由用于产生不同颜色的光的有机发光材料形成。例如，在本实施例中，在不同的所述发光器件200内，分别采用发红光、蓝光或绿光的有机发光材料制备所述有机发光层221，以获得红色发光器件201、绿色发光器件202及蓝色发光器件203。
具体地，不同颜色的所述发光器件200对应的所述有机功能层220的厚度相同。在上述设定下，一个或者多个有机功能层220可以针对多个不同发光器件200同时设置。例如，在具体实施时，所述有机发光层221可以针对不同颜色的发光器件同时设置，从而能简化制程。
如图3所示，所述第二电极230形成于所述有机发光层220和像素定义层240的表面上。在本实施例中，所述第二电极230为针对多个发光器件200共同地设置的共电极。在其他实施例中，所述第二电极230可以针对不同的所述发光器件200而被单独的设置。
本发明还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括一衬底基板100和排布于所述衬底基板100上的复数个不同颜色的发光器件200，所述发光器件为本发明所述发光器件，所述制备方法包括以下步骤：
在不同颜色的所述发光器件中，制备厚度适配于所述第一预设厚度L1和所述第二预设厚度L2所述第一电极的步骤。
图4-图6为本发明所述显示面板的制备方法的一实施例的工艺流程图，其中图5A-图5C为制备所述第一电极的工艺流程图。如图4-图6所示，本实施例所述显示面板的制备方法包括：
S1、提供一衬底基板的步骤；
S2、在所述衬底基板上制备第一电极的步骤，在不同颜色的发光器件中：所述第一电极厚度不同，并且所述第一电极的厚度适配于所述第一预设厚度和所述第二预设厚度；
S3、在制备有所述第一电极的所述衬底基板上制备像素定义层的步骤；以及，
S4、在制备有像素定义层的衬底基板上制备有机功能层和第二电极的步骤。
如图4所示，在所述步骤S1中，获得所述衬底基板100。
请参考图4，所述衬底基板100包括一阵列基板110和位于所述阵列基板110上的平坦化层120。其中，阵列基板110包括一基底和阵列于所述基底上的多个TFT。所述平坦化层120覆盖所述TFT和所述基底，以用于平坦所述TFT的段差；并且，平坦化层120上具有暴露出所述阵列基板110上TFT的源极的第二过孔1201，以用于后续发光器件200的电性连接。
通过所述步骤S2中，在所述衬底基板100上制备第一电极210。其中，在不同颜色的所述发光器件200中，所述第一电极210的厚度不同，以使得所述第一电极210的厚度适配于其所属发光器件200的所述第一预设厚度L1和所述第二预设厚度L2。
图5A-图5C为制备所述第一电极的工艺流程图。如图5A-5C所示，所述第一电极制备方法包括以下步骤：
S21、在所述衬底基板上制备反射电极层的步骤；
S22、在所述反射电极层上制备调整层的步骤，在不同颜色的发光器件中，所述调整层的厚度不同，并且所述调整层使得所述第一电极的厚度适配于所述第一预设厚度和所述第二预设厚度；以及，
S23、在所述调整层上制备透明电极层的步骤。
在所述步骤S21中，如图5A所示，采用图案化工艺在所述平坦化层120上制备依次形成透明导电层2111和反射导电层2112，其中透明导电层2111填充所述第二过孔1201以与所述阵列基板110中的TFT的源极或漏极电性连接或接触。
在所述步骤S22中，如图5B所示，在所述步骤S22中，在所述反射导电层2112上形成调整层213，所述调整层213上具有暴露出所述反射导电层2112的第一过孔2131；并且，在对不同颜色的发光器件200内，所述调整层213的厚度不同。
例如，如图5B所示，在所述反射导电层2112上形成分别厚度不同的第一调整层2131、第二调整层2132和第三调整层2133，以分别用于形成不同颜色的发光器件200。
具体地，所述调整层213的厚度可以依据被定义为第一预设厚度L1的有机发光层221的厚度或有机发光层221与第一有机功能层的厚度，以及，对应于使得所述发光器件200的出光强度保持于150-250nits范围内的第二预设厚度L2，计算获得。
在本实施例中，所述调整层213的材料选用有Half-tone性能的高穿透率材料。此时，所述调整层213的图案化过程采用黄光制程，通过给予不同的曝光量实现不同厚度的保留，从而所述调整层213在用于形成不同颜色的发光器件100的区域内的厚度不同。
在其他实施例中，所述调整层213的材料选用无Half-tone性能材料。在所述调整层213制程中，完成成膜和图形化后，首先使用普通的array光阻配合Half tone光罩制作出在不同颜色的发光器件100的区域内的普通array光阻不同厚度的保留图形；然后，用Dry(干法蚀刻)对保留图形整面进行减薄，通过刻蚀速率确认刻蚀时间将所述调整层213刻蚀到所需厚度，最后脱膜去掉不需要的array用PR。
如图5C所示，在所述步骤S23中，如图5C所示，在所述调整层213上形成透明电极层212，所述透明电极层212部分区域填充所述第一过孔2131以与所述反射电极层211的反射导电层2112电性连接。
如图6所示，在所述步骤S3中，在制备有透明电极层212的所述衬底基板100上制备像素定义层240。其中，所述像素定义层240位于所述平坦化层120上并覆盖所述第一电极210的边缘区域，以形成暴露所述透明电极层212的像素开口。
在所述步骤S5中，在所述像素开口内制备有机功能层220。其中，所述有机功能层220至少包括一有机发光层221。例如，所述有机功能层220还可以包括位于所有机发光层221和所述第一电极210之间第一有机功能层。在具体实施时，所述第一有机功能层可以为电子注入层、电子阻挡层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴注入层或空穴传输层中的至少一种。
具体地，所述有机发光层221和所述第一有机功能层分别通过喷墨打印法制备。其中，所述有机发光层221的厚度，或者，所述有机发光层221和所述第一有机功能层厚度总和为所述第一预设厚度L1。
具体地，所述第二电极230采用面阴极结构。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种发光器件、显示面板及制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (11)
1.一种发光器件，其特征在于，包括相对设置的一第一电极与一第二电极，以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的一有机功能层，其特征在于，所述有机功能层包括一有机发光层；
所述有机功能层具有与所述第一电极接触的第一表面以及位于所述有机发光层背离所述第一电极表面上的第二表面，所述有机功能层在所述第一表面和所述第二表面之间具有一第一预设厚度；
所述第一电极与所述有机功能层的厚度之和具有一第二预设厚度，所述第二预设厚度使得所述发光器件的出光强度的范围为150-250nits。
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极包括一反射电极层、一透明电极层和一调整层，其中：
所述反射电极层与所述第二电极之间构成一微腔，所述第二预设厚度被配置为使得所述微腔具有一预设腔长，所述预设腔长使得所述发光器件的出光强度保持在150-250nits；
所述透明电极层位于所述反射电极层与所述有机功能层之间；以及，
所述调整层位于所述反射电极层和所述透明电极层之间并具有第一过孔，所述第一过孔用于所述透明电极层和所述反射电极层的电性连接；
并且，所述调整层被配置为使得所述第一电极的厚度适配于所述第一预设厚度和所述第二预设厚度。
3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，不同颜色的所述发光器件对应的所述调整层的厚度不同。
4.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述反射电极层包括一反射导电层和一透明导电层，所述透明导电层设置于所述反射导电层背离所述透明电极层的表面上并与所述反射导电层电性连接。
5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一预设厚度的范围为80-120nm。
6.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，不同颜色的所述发光器件对应的所述第一电极的厚度不同。
7.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，不同颜色的所述发光器件对应的所述有机功能层的厚度相同。
8.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述有机功能层包括层叠于所述第一电极和有机发光层之间至少一第一有机功能层；
所述第一预设厚度为所述有机发光层和所述第一有机功能层的厚度之和；
所述第一有机功能层为电子注入层、电子阻挡层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴注入层或空穴传输层中的至少一种。
9.一种显示面板，其特征在于，包括一衬底基板和设置在所述衬底基板上的至少一权利要求1-8中任一项所述的发光器件。
10.一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的复数个不同颜色的发光器件，其特征在于，所述发光器件为权利要求1-8中任一项所述的发光器件，所述制备方法包括：
在不同颜色的所述发光器件中，制备厚度适配于所述第一预设厚度和所述第二预设厚度的第一电极的步骤。
11.如权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一电极的包括以下步骤：
在所述衬底基板上制备反射电极层的步骤；
在所述反射电极层上制备调整层的步骤，在不同颜色的发光器件中：所述调整层的厚度不同，并且所述调整层使得所述第一电极的厚度适配于所述第一预设厚度和所述第二预设厚度；以及，
在所述调整层上制备透明电极层的步骤。
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| CN202010511848.6A Pending CN111710795A (zh) | 2020-06-08 | 2020-06-08 | 发光器件、显示面板及其制备方法 |
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|---|---|
| CN (1) | CN111710795A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112993187A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN113871431A (zh) * | 2021-09-17 | 2021-12-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和移动终端 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2172991A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Thomson Licensing, Inc. | OLED with a composite semi-transparent electrode to enhance light-extraction over a large range of wavelengths |
| TW201618296A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-05-16 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光二極體顯示器 |
| CN106449700A (zh) * | 2016-08-18 | 2017-02-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种顶发射woled显示器 |
| CN108963108A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电极及其制作方法、发光器件和显示装置 |
| CN109103236A (zh) * | 2018-09-25 | 2018-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示基板、显示装置及其制作方法 |
| CN109273619A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板、压印模板及制作方法 |
| CN109817832A (zh) * | 2019-02-13 | 2019-05-28 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110164911A (zh) * | 2018-07-10 | 2019-08-23 | 上海视涯信息科技有限公司 | 一种顶发射式微腔oled显示装置 |
| CN110429119A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及采用该阵列基板的制备方法、显示装置 |
| CN110649075A (zh) * | 2019-09-27 | 2020-01-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微腔阳极结构、显示基板及其制作方法 |
-
2020
- 2020-06-08 CN CN202010511848.6A patent/CN111710795A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2172991A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Thomson Licensing, Inc. | OLED with a composite semi-transparent electrode to enhance light-extraction over a large range of wavelengths |
| TW201618296A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-05-16 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光二極體顯示器 |
| CN106449700A (zh) * | 2016-08-18 | 2017-02-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种顶发射woled显示器 |
| CN110164911A (zh) * | 2018-07-10 | 2019-08-23 | 上海视涯信息科技有限公司 | 一种顶发射式微腔oled显示装置 |
| CN108963108A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电极及其制作方法、发光器件和显示装置 |
| CN109273619A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板、压印模板及制作方法 |
| CN109103236A (zh) * | 2018-09-25 | 2018-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示基板、显示装置及其制作方法 |
| CN109817832A (zh) * | 2019-02-13 | 2019-05-28 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110429119A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及采用该阵列基板的制备方法、显示装置 |
| CN110649075A (zh) * | 2019-09-27 | 2020-01-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微腔阳极结构、显示基板及其制作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112993187A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN113871431A (zh) * | 2021-09-17 | 2021-12-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和移动终端 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200925 |