CN113871431A - 显示面板和移动终端 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了显示面板和移动终端,包括:基板、位于基板上的阳极反射层、位于阳极反射层上的阳极层、位于阳极层上的发光层、位于阳极反射层和阳极层之间的辅助层,阳极反射层包括多个阳极反射部,阳极层包括和多个阳极反射部对应的多个阳极部,每一阳极部电性连接于对应的阳极反射部,发光层包括与多个阳极部一一对应的多个发光部,每一发光部电性连接于对应的阳极部,其中,本发明通过将辅助层的厚度设置为大于或者等于第一阈值,以使辅助层的厚度足够大来增加发光层对应的微腔长度,使得发光层可以具有较高的发光效率,从而提高显示面板的画面亮度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及显示器件的制造,具体涉及显示面板和移动终端。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光半导体)显示面板是通过载流子的注入和复合而致发光,具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高等优点。
其中,每一种发光材料在不同的微腔长度下具有不同的发光效率,且不同的发光材料的较高的发光效率所对应的微腔长度也不同。目前,常用的发光材料的较高的发光效率所对应的微腔长度较大,即需要将构成微腔的多个膜层的厚度设置的较大才能实现较高的发光效率;然而,对于顶发光的OLED显示面板而言,将发光层设置的较厚会增加对光线的吸收,将阳极层设置的较厚会影响刻蚀质量,综上,微腔长度的增加受到限制。
因此,现有的顶发光的OLED显示面板中受限的微腔长度会降低发光材料的发光效率,降低OLED显示面板的画面亮度。
发明内容
本发明的目的在于提供显示面板和移动终端,以解决现有的发光材料的发光效率较低,导致的显示面板的画面亮度较低的技术问题。
本发明实施例提供显示面板,包括:
基板;
阳极反射层,所述阳极反射层位于所述基板上,所述阳极反射层包括多个阳极反射部;
阳极层,所述阳极层位于所述阳极反射层上,所述阳极层包括和多个所述阳极反射部对应的多个阳极部,每一所述阳极部电性连接于对应的所述阳极反射部;
发光层,所述发光层位于所述阳极层上,所述发光层包括与多个所述阳极部一一对应的多个发光部,每一所述发光部电性连接于对应的所述阳极部;
辅助层,所述辅助层位于所述阳极反射层和所述阳极层之间,所述辅助层的厚度大于或者等于第一阈值。
在一实施例中,所述辅助层设有和多个所述阳极部对应的多个第一过孔,所述辅助层的组成材料包括绝缘材料,每一所述阳极部通过对应的所述过孔以电性连接至对应的所述薄膜晶体管。
在一实施例中,所述辅助层的组成材料包括氧化铝或者氧化硅。
在一实施例中,所述辅助层包括与多个所述阳极部对应的多个辅助部,多个所述辅助部的组成材料包括导电材料,每一所述阳极部电性连接至对应的所述辅助部,以电性连接至对应的所述薄膜晶体管。
在一实施例中,所述辅助层的厚度和所述阳极层的厚度之和大于或者等于600埃。
在一实施例中,所述第一阈值为200埃。
在一实施例中,多个所述发光部包括第一发光部和第二发光部,所述第一发光部发射的光线的波长和所述第二发光部发射的光线的波长不同;
其中,所述辅助层和所述阳极层相对于所述第一发光部的部分的厚度之和为第一厚度,所述辅助层和所述阳极层相对于所述第二发光部的部分的厚度之和为第二厚度,所述第一厚度和所述第二厚度不同。
在一实施例中,所述显示面板还包括:
薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层位于所述阳极反射层远离所述辅助层的一侧,所述薄膜晶体管层包括和多个所述阳极反射部一一对应的多个薄膜晶体管,每一所述薄膜晶体管电性连接于对应的所述阳极反射部;
其中,所述辅助层的阻氢率大于80%。
在一实施例中,所述显示面板还包括:
平坦层,所述平坦层整层设置于所述薄膜晶体管层和所述阳极反射层之间,所述平坦层上设有和多个所述薄膜晶体管对应的多个第二过孔;
其中,每一所述阳极反射部延伸至对应的所述第二过孔的底部以电性连接至对应的所述薄膜晶体管。
本发明实施例提供移动终端,所述移动终端包括终端主体部和如上文任一所述的显示面板,所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。
本发明提供了显示面板和移动终端,所述显示面板包括:基板;阳极反射层,所述阳极反射层位于所述基板上,所述阳极反射层包括多个阳极反射部;阳极层,所述阳极层位于所述阳极反射层基板上,所述阳极层包括和多个所述阳极反射部对应的多个阳极部,每一所述阳极部电性连接于对应的所述阳极反射部;发光层,所述发光层位于所述阳极层远离所述基板的一侧上,所述发光层包括与多个所述阳极部一一对应的多个发光部,每一所述发光部电性连接于对应的所述阳极部;辅助层,所述辅助层位于所述阳极反射层和所述阳极层远离所述发光层的一侧之间,所述辅助层的厚度大于或者等于第一阈值。其中,本发明中通过将所述辅助层的厚度设置为大于或者等于所述第一阈值,以使所述辅助层的厚度足够大来增加所述发光层对应的微腔长度,使得所述发光层可以具有较高的发光效率,从而提高所述显示面板的画面亮度。
附图说明
下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是,下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的第一种显示面板的剖面示意图;
图2为本发明实施例提供的第二种显示面板的剖面示意图;
图3为本发明实施例提供的第三种显示面板的剖面示意图;
图4为本发明实施例提供的第四种显示面板的剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“靠近”、“远离”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,例如,“上”只是表面在物体上方,具体指代正上方、斜上方、上表面都可以,只要居于物体水平之上即可;“两侧”或者“两端”是指代图中可以体现出的物体的相对的两个位置,所述两个位置可以和物体直接/间接接触,以上方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
另外,还需要说明的是,附图提供的仅仅是和本发明关系比较密切的结构和步骤,省略了一些与发明关系不大的细节,目的在于简化附图,使发明点一目了然,而不是表明实际中装置和方法就是和附图一模一样,不作为实际中装置和方法的限制。
本发明提供显示面板,所述显示面板包括但不限于以下实施例以及以下实施例的组合。
在一实施例中,如图1至图3所示,所述显示面板100包括:基板10;阳极反射层,所述阳极反射层位于所述基板10上,所述阳极反射层包括多个阳极反射部60;阳极层,所述阳极层位于所述阳极反射层上,所述阳极层包括和多个所述阳极反射部60对应的多个阳极部20,每一所述阳极部20电性连接至对应的所述阳极反射部60;发光层,所述发光层位于所述阳极层上,所述发光层包括与多个所述阳极部20一一对应的多个发光部30,每一所述发光部30电性连接于对应的所述阳极部20;辅助层40,所述辅助层40位于所述阳极反射层和所述阳极层之间,所述辅助层40的厚度大于或者等于第一阈值。其中,所述基板10可以为刚性基板或者柔性基板,所述刚性基板可以为玻璃或者硅片,所述刚性基板的组成材料可以包括但不限于石英粉、碳酸锶、碳酸钡、硼酸、硼酐、氧化铝、碳酸钙、硝酸钡、氧化镁、氧化锡、氧化锌中的至少一种,所述柔性基板可以为聚合物材料基板、金属箔片基板、超薄玻璃基板、聚合物/无机物基板或者聚合物/有机物/无机物基板,其中所述聚合物材料可以包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的至少一种。
其中,所述显示面板100可以为顶发光显示面板,所述阳极反射层的组成材料可以为反光材料,进一步的,所述阳极反射层的组成材料可以为金属材料以实现将所述发光层发出的光线的反射至出光面以提高光线的利用率,例如所述阳极反射层的组成材料可以为但不限于银或者铝。具体的,可以通过图案化形成多个所述阳极反射部60,再在所述阳极反射层上形成所述辅助层40,再所述辅助层40上通过图案化形成和多个所述阳极反射部60对应的多个所述阳极部20。
具体的,所述发光层上还设有阴极层,所述阴极层可以整面设置,或者所述阴极层也可以和多个所述发光部30对应设置,每一所述发光部30可以具有对应的微腔长度,所述微腔长度可以定义为即所述阳极反射层上表面至所述阴极层下表面之间的垂直距离,所述微腔长度可以包括对应的所述阳极部20和对应的所述发光部30的厚度之和,所述微腔长度可以影响对应的所述发光部30的发光效率。进一步的,所述发光层可以采用白光有机发光二极管技术制备,即每一所述发光部30可以通过“蓝色+黄色”等两叠层或“蓝色+红色+绿色”等三叠层结构实现白光,此时复合而成的所述发光部30仍然可以具有对应的微腔长度。其中,所述阳极部20的组成材料可以为但不限于氧化铟锡,所述发光部30可以为但不限于有机发光半导体发光器件、微型发光二极管或者其它自发光器件,所述发光部30可以通过喷墨打印或者蒸镀形成。
具体的,本实施例在所述阳极层远离所述发光层的一侧增设所述辅助层40,其中,所述第一阈值可以理解为所述辅助层40的厚度的最小值,所述第一阈值的取值可以根据所述发光部30的组成材料以及用于构成微腔的其它膜层的厚度之和而确定,此处旨在强调所述辅助层40的厚度至少为所述第一阈值,以满足所述发光层的发光效率可以达到需求。可以理解的,本实施例可以在避免增加所述阳极层和所述发光层这两者的厚度的前提下,仍然增加每一所述发光部30对应的微腔长度,使得所述发光部30的发光效率大大提高,从而提升了显示面板的显示画面的亮度。
在一实施例中,如图1所示,所述辅助层40的厚度和所述阳极层的厚度之和大于或者等于600埃。具体的,结合上文论述可知,可以先根据所述发光部30的组成材料、发出光线的波长中的至少一者确定较高的发光效率的最低值对应的微腔长度,再根据构成微腔的其它膜层的厚度之和,确定对应的所述辅助层40的厚度和所述阳极层的厚度之和。其中,可以通过模拟仿真得到“较高的发光效率的最低值对应的微腔长度”,进而得到“对应的所述辅助层40的厚度和所述阳极层的厚度之和”可以作为所述辅助层40的厚度和所述阳极层的厚度之和的最小值。
在一实施例中,所述第一阈值为200埃。根据上文论述可知,如图1所示,所述辅助层40的厚度大于或者等于第一阈值,即第一阈值为所述辅助层40的厚度的最小值;结合上文论述可知,可以通过模拟仿真得到所述辅助层40的厚度和所述阳极层的厚度之和的最小值,此处再根据所述阳极层的组成材料特性及其制作工艺的特性,可以进一步确定所述辅助层40的厚度的最小值。具体的,此处采用包括氧化铟锡的材料经过刻蚀形成多个所述阳极部20时,由于所述阳极层的厚度的最大值为400埃,则所述辅助层40的厚度的最小值可以为200埃,即所述第一阈值可以为200埃。
具体的,当采用包括氧化铟锡的材料经过刻蚀形成多个所述阳极部20时,所述辅助层40的厚度和所述阳极层的厚度之和可以为800埃,例如,所述阳极层的厚度为400埃时,所述辅助层40的厚度可以为400埃,所述阳极层的厚度为200埃时,所述辅助层40的厚度可以为600埃。
在一实施例中,如图2所示,多个所述发光部30包括第一发光部301和第二发光部302,所述第一发光部301发射的光线的波长和所述第二发光部302发射的光线的波长不同;其中,所述辅助层40和所述阳极层相对于所述第一发光部301的部分A1的厚度为第一厚度L1,所述辅助层40和所述阳极层相对于所述第二发光部302的部分A2的厚度为第二厚度L2,所述第一厚度L1和所述第二厚度L2不同。
具体的,此处可以认为所述第一发光部301和所述第二发光部302分别发出颜色不同的两光线,即第一发光部301发射的光线的波长和所述第二发光部302发射的光线的波长不同,结合上文论述,发出光线的波长不同的两所述发光部30的较高的发光效率的最低值所对应的微腔长度一般不同,即同时考虑较高的发光效率的情况下,所述第一发光部301优选的微腔长度不同于所述第二发光部302优选的微腔长度。同理,如图2所示,当多个所述发光部30还包括发射的光线的波长不同于所述第一发光部301发射的光线的波长、所述第二发光部302发射的光线的波长两者中任一者的第三发光部303时,所述辅助层40和所述阳极层相对于所述第三发光部303的部分A3的厚度为第三厚度L3,所述第三厚度L3也不等于所述第一厚度L1、所述第二厚度L2两者中任一者。具体的,此处以所述辅助层40和所述阳极层相对于所述第一发光部301的部分A1的厚度为第一厚度L1为例进行说明,第一厚度L1可以理解为对应的阳极反射部60的上表面与对应的阳极部20的上表面之间的距离。
可以理解的,对于每一所述发光部30而言,所述微腔长度可以包括对应的所述阳极部20和所述辅助层40中对应的部分的厚度之和,本实施例对于发射的光线的波长不同的多个所述发光部30而言,将所述辅助层40和所述阳极层中对应的多个部分的厚度也设置不同,可以充分考虑多个所述发光部30发射的光线的波长的差异性,有助于实现将发射的光线的波长不同的多个所述发光部30对应的微腔长度进行差异化设置,有助于提高每一所述发光部30的发光效率。
在一实施例中,如图3所示,所述显示面板100还包括:薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层位于所述阳极反射层远离所述辅助层40的一侧,所述薄膜晶体管层包括和多个所述阳极部反射部60一一对应的多个薄膜晶体管50,每一所述薄膜晶体管50电性连接至对应的所述阳极反射部60;其中,所述辅助层40的阻氢率大于80%。
具体的,如图3所示,每一所述薄膜晶体管50包括有源层501、位于所述有源层501上的栅极绝缘层502、位于所述栅极绝缘层502上的栅极层503、覆盖有源层501、所述栅极绝缘层502和所述栅极层503的层间绝缘层504、位于所述层间绝缘层504上的源极505和漏极506,所述有源层501包括主体部507和位于所述主体部507两端的两掺杂部508,所述层间绝缘层504上设有多个第三过孔509,所述源极505通过一所述第三过孔509电性连接至其中一所述掺杂部508,所述漏极506通过另一所述第三过孔509电性连接至另一所述掺杂部508。其中,所述薄膜晶体管50可以为底栅结构或者顶栅结构,所述顶栅结构可以为但不限于如图3所示的所述薄膜晶体管50的结构。
其中,所述有源层501的组成材料包括金属氧化物。具体的,所述有源层501的组成材料可以包括铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铟镓氧化物、铟锌氧化物、铝铟锌氧化物、铟镓锌锡氧化物或者其它金属氧化物,进一步的,所述有源层501的组成材料可以包括非晶金属氧化物。需要注意的是,采用金属氧化物制作的所述有源层501对于氢元素极其敏感,并且氢元素由发光层远离所述基板10的一侧扩散至所述有源层501时,会影响所述薄膜晶体管50的阈值电压等参数,以至于降低所述薄膜晶体管50工作的可靠性。
可以理解的,本实施例中的所述辅助层40位于所述薄膜晶体管层远离所述基板10的一侧,并且位于所述薄膜晶体管层和所述阳极反射层之间,即所述辅助层40的位于所述薄膜晶体管层靠近外界氢元素的一侧,并且与所述薄膜晶体管层的距离较近,即本实施例的所述辅助层40在增加每一所述发光部30对应的微腔长度以提升所述发光部30的发光效率的基础上,还可以通过合理的材料和厚度设置,以阻挡所述氢元素扩散至所述薄膜晶体管层,进一步的,此处限定所述辅助层40的阻氢率大于80%,可以进一步确保所述辅助层40的阻氢效果。
其中,可以通过TDS(Thermal Desorption Spectroscopy,热脱附)方法以确定阻氢率大于80%的所述辅助层40,热脱附是指采用加热和惰性气体吹扫将挥发物从固体或液体样品中洗脱出来,并利用载气将挥发物输送至分析系统的一种脱附方法。具体的,可以预先制备第一基板,所述第一基板包括玻璃基板和位于所述玻璃基板上的氮化硅层,可以在封闭环境中加热至预设温度,以测量封闭环境中氢元素的含量作为第一含量;在此基础上,可以在所述氮化硅层上制备模拟层,可以多次调整模拟层的材料、厚度等参数以符合:在封闭环境中加热至所述预设温度,测量封闭环境中氢元素的含量作为第二含量,所述第二含量和所述第一含量的比值大于80%,例如可以为85%,此时的所述模拟层可以作为所述辅助层40。其中,所述预设温度可以为制作所述薄膜晶体管50所需的温度,所述预设温度可以为300℃。进一步的,结合上文TDS方法,本实施例中的所述辅助层40可以满足:相对于未设置所述辅助层40而言,扩散至所述有源层501中的氢元素的含量降低至20%,即可以实现对于80%的氢元素的阻挡。
在一实施例中,如图3所示,所述显示面板100还包括:平坦层11,所述平坦层11整层设置于所述薄膜晶体管层和所述阳极反射层之间,所述平坦层11上设有和多个所述薄膜晶体管50对应的多个第二过孔901;其中,每一所述阳极反射部60延伸至对应的所述第二过孔901的底部以电性连接至对应的所述薄膜晶体管50。
其中,所述平坦层11的组成材料可以为绝缘材料。具体的,如图3所示,所述显示面板100还包括位于所述基板10靠近所述薄膜晶体管层的一侧的多个遮光部70、覆盖多个所述遮光部70和所述基板10上的缓冲层80、覆盖多个所述薄膜晶体管50上的钝化层90、所述平坦层11位于所述钝化层90上,多个所述阳极反射部60位于所述平坦层11上,所述辅助层40可以覆盖所述平坦层11和多个所述阳极部20上。进一步的,在所述辅助层40上相邻的两所述发光部30之间可以形成有一像素定义部12,多个所述像素定义部12和多个所述发光部30上可以覆盖有连续的阴极层13,所述阴极层13上可以依次设有封装层14和盖板15。
其中,多个所述遮光部70的组成材料包括金属材料,每一所述遮光部70不仅可以将来自于所述基板10一侧的光线反射至远离所述有源层501的一侧,以提高光线的利用率,而且可以减少来自于所述基板10一侧的光线的通过率,以避免光线照射至所述有源层501以降低所述薄膜晶体管50工作的可靠性。其中,所述缓冲层80的组成材料可以包括但不限于氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。其中,所述栅极层503的组成材料可以包括但不限于铜、铝、钼、或者钛,当然所述栅极层503的组成材料也可以包括金属氧化物、金属氮化物或者金属氮氧化物。其中,所述栅极绝缘层502的组成材料可以包括但不限于氧化硅或者氮化硅。其中,所述层间绝缘层504的组成材料可以包括但不限于氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。其中,所述源极505和所述漏极506的组成材料可以包括但不限于钼、铝、铜、钛、氧化铟锡或者铜铌合金。进一步的,所述第二过孔901还可以延伸以贯穿所述钝化层90,每一所述阳极反射部60延伸至第二过孔901的底部以电性连接至对应的所述漏极506,结合上文论述,每一所述阳极部20通过所述阳极反射部60电性连接至对应的所述漏极506以被加载有第一电压,所述阴极层13可以具有第二电压,每一所述发光部30在第一电压和第二电压的作用下产生电流以发光。
需要注意的是,在制作所述封装层14的过程中以及进行显示面板100的可靠性的测试过程中,由于多个所述像素定义部12的组成材料包括有机材料,外界的氢元素会透过多个所述像素定义部12向多个所述薄膜晶体管50扩散,当扩散至所述有源层501时,所述薄膜晶体管50工作的可靠性会降低。可以理解的,本发明通过在所述阳极层和所述阳极反射层之间设置所述辅助层40,可以阻止氢元素向所述有源层501扩散,提高了所述薄膜晶体管50工作的可靠性。
在一实施例中,如图3所示,所述辅助层40设有和多个所述阳极部20对应的多个第一过孔401,所述辅助层40的组成材料包括绝缘材料,每一所述阳极部20通过对应的所述第一过孔401以电性连接至对应的所述薄膜晶体管50。具体的,如图3所示,在所述辅助层40中,相邻两所述第一过孔401之间的部分可以连续设置使得所述辅助层40在所述阳极层上的投影覆盖所述阳极部20和相邻两所述阳极部20之间的区域,每一所述阳极部20可以通过对应的所述第一过孔401向对应的所述薄膜晶体管50延伸以电性连接。
可以理解的,本实施例中的所述辅助层40中除去多个所述第一过孔401的部分连续设置,可以覆盖位于所述辅助层40远离所述阳极层一侧的膜层,可以充分阻隔外界氢元素向多个所述薄膜晶体管50扩散的路径,进一步提高所述辅助层40的阻氢效果。需要注意的是,由于所述辅助层40中相邻两所述第一过孔401之间的部分连接于相邻两所述阳极部20之间,本实施例中的所述辅助层40的组成材料包括绝缘材料,可以避免相邻两所述阳极部20电性连接而发生短路。具体的,可以通过图案化形成多个所述阳极反射部60,再沉积氧化铝以及开设多个所述第一过孔401形成所述辅助层40,再沉积一层氧化铟锡,经过图案化形成多个延伸至多个所述第一过孔401中的所述阳极部20,其中,多个所述阳极部20和所述辅助层40的厚度之和可以参考上文的相关论述。
在一实施例中,如图3所示,所述辅助层40的组成材料包括氧化铝或者氧化硅。其中,氧化铝和氧化硅均可以阻挡氢元素向所述薄膜晶体管层扩散,并且两者也可以形成为透明的所述辅助层40以增加对于光线的透过率,所述辅助层40的透光率可以大于20%,甚至大于98%。进一步的,可以采用致密性较高的氧化铝制作所述辅助层40,进一步提高所述辅助层40的阻氢率。
在一实施例中,如图4所示,所述辅助层40包括与多个所述阳极部20对应的多个辅助部402,多个所述辅助部402的组成材料包括导电材料,每一所述阳极部20电性连接至对应的所述辅助部402,以电性连接至对应的所述薄膜晶体管。需要注意的是,本实施例相对于图3而言,所述辅助层40在所述阳极层上的投影覆盖所述阳极部20和相邻两所述阳极部20之间的区域,即相邻两所述阳极部20之间并没有设置所述辅助层40,同时每一所述辅助部402位于对应的所述阳极部20和对应的所述薄膜晶体管之间,即本实施例中的多个所述辅助部402的组成材料包括导电材料可以使得多个所述辅助部402具有较高的导电性,以将每一所述阳极部20电性连接至对应的所述薄膜晶体管。
本发明提供移动终端,所述移动终端包括终端主体部和如上文任一所述的显示面板,所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。
本发明提供了显示面板和移动终端,所述显示面板包括:基板;阳极反射层,所述阳极反射层位于所述基板上,所述阳极反射层包括多个阳极反射部;阳极层,所述阳极层位于所述阳极反射层基板上,所述阳极层包括和多个所述阳极反射部对应的多个阳极部,每一所述阳极部电性连接于对应的所述阳极反射部;发光层,所述发光层位于所述阳极层远离所述基板的一侧上,所述发光层包括与多个所述阳极部一一对应的多个发光部,每一所述发光部电性连接于对应的所述阳极部;辅助层,所述辅助层位于所述阳极反射层和所述阳极层远离所述发光层的一侧之间,所述辅助层的厚度大于或者等于第一阈值。其中,本发明中通过将所述辅助层的厚度设置为大于或者等于所述第一阈值,以使所述辅助层的厚度足够大来增加所述发光层对应的微腔长度,使得所述发光层可以具有较高的发光效率,从而提高所述显示面板的画面亮度。
以上对本发明实施例所提供的显示面板和移动终端进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
阳极反射层,所述阳极反射层位于所述基板上,所述阳极反射层包括多个阳极反射部;
阳极层,所述阳极层位于所述阳极反射层上,所述阳极层包括和多个所述阳极反射部对应的多个阳极部,每一所述阳极部电性连接于对应的所述阳极反射部;
发光层,所述发光层位于所述阳极层上,所述发光层包括与多个所述阳极部一一对应的多个发光部,每一所述发光部电性连接于对应的所述阳极部;
辅助层,所述辅助层位于所述阳极反射层和所述阳极层之间,所述辅助层的厚度大于或者等于第一阈值。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助层设有和多个所述阳极部对应的多个第一过孔,所述辅助层的组成材料包括绝缘材料,每一所述阳极部通过对应的所述过孔以电性连接至对应的所述薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述辅助层的组成材料包括氧化铝或者氧化硅。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助层包括与多个所述阳极部对应的多个辅助部,多个所述辅助部的组成材料包括导电材料,每一所述阳极部电性连接至对应的所述辅助部,以电性连接至对应的所述薄膜晶体管。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助层的厚度和所述阳极层的厚度之和大于或者等于600埃。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一阈值为200埃。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,多个所述发光部包括第一发光部和第二发光部,所述第一发光部发射的光线的波长和所述第二发光部发射的光线的波长不同;
其中,所述辅助层和所述阳极层相对于所述第一发光部的部分的厚度之和为第一厚度,所述辅助层和所述阳极层相对于所述第二发光部的部分的厚度之和为第二厚度,所述第一厚度和所述第二厚度不同。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层位于所述阳极反射层远离所述辅助层的一侧,所述薄膜晶体管层包括和多个所述阳极反射部一一对应的多个薄膜晶体管,每一所述薄膜晶体管电性连接于对应的所述阳极反射部;
其中,所述辅助层的阻氢率大于80%。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
平坦层,所述平坦层整层设置于所述薄膜晶体管层和所述阳极反射层之间,所述平坦层上设有和多个所述薄膜晶体管对应的多个第二过孔;
其中,每一所述阳极反射部延伸至对应的所述第二过孔的底部以电性连接至对应的所述薄膜晶体管。
10.一种移动终端,其特征在于,所述移动终端包括终端主体部和如权利要求1至9任一所述的显示面板,所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114864839A (zh) * | 2022-07-08 | 2022-08-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116568099B (zh) * | 2023-05-25 | 2024-05-28 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法,显示面板 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105590947A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-05-18 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
CN106531768A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-03-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制备方法 |
CN108878504A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及显示装置 |
JP2019179716A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびナノインプリント用モールド |
CN111710795A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光器件、显示面板及其制备方法 |
CN111900194A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-11-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
CN112670325A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-04-16 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112993187A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104752439B (zh) * | 2015-01-05 | 2017-12-26 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法 |
CN105097874B (zh) * | 2015-06-01 | 2019-02-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种oled显示器件及其制作方法、显示装置 |
CN108598279B (zh) * | 2018-04-24 | 2021-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105590947A (zh) * | 2014-11-07 | 2016-05-18 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
CN106531768A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-03-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制备方法 |
JP2019179716A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびナノインプリント用モールド |
CN108878504A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及显示装置 |
CN111710795A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光器件、显示面板及其制备方法 |
CN111900194A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-11-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
CN112670325A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-04-16 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112993187A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114864839A (zh) * | 2022-07-08 | 2022-08-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN114864839B (zh) * | 2022-07-08 | 2022-11-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Also Published As
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