JP2023544658A

JP2023544658A - 表示パネル及び携帯端末

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Publication number: JP2023544658A
Application number: JP2021560016A
Authority: JP
Inventors: 甲唐
Original assignee: 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司
Priority date: 2021-09-17
Filing date: 2021-09-27
Publication date: 2023-10-25
Also published as: CN113871431A; WO2023039937A1

Abstract

本発明は、表示パネル及び携帯端末を提供し、基板と、基板上に位置するアノード反射層と、アノード反射層上に位置するアノード層と、アノード層上に位置する発光層と、アノード反射層とアノード層との間に位置する、厚さが第１閾値以上である補助層と、を含み、アノード層における複数のアノード部がアノード反射層における複数のアノード反射部と一対一で対応して電気的に接続され、発光層における複数の発光部が複数のアノード部と一対一で対応して電気的に接続される。【選択図】図１

Description

本発明は、表示の技術分野に関し、特に表示装置の製造に関し、具体的には表示パネル及び携帯端末に関する。

ＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔ－ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ、有機発光ダイオード）表示パネルは、キャリアの注入及び再結合により発光するものであり、薄型化、高輝度、低消費電力、高速応答、高精細度などの利点を有する。

各発光材料は、異なるマイクロキャビティ長において異なる発光効率を有し、異なる発光材料の高い発光効率に対応するマイクロキャビティ長も異なる。現在、一般的に使用される発光材料の高い発光効率に対応するマイクロキャビティ長は長く、高い発光効率を実現するために、マイクロキャビティを構成する複数の膜層の厚さを大きく設定する必要がある。トップエミッション型のＯＬＥＤ表示パネルでは、発光層を厚く設定すると光の吸収が大きくなり、アノード層を厚く設定すると、エッチング品質に影響を及ぼすため、結果としてマイクロキャビティ長の増加には限界がある。

そのため、従来のトップエミッション型のＯＬＥＤ表示パネルでは、限られたマイクロキャビティ長が発光材料の発光効率を低下させ、ＯＬＥＤ表示パネルの画面輝度を低下させる。

本発明の目的は、従来の発光材料の発光効率が低いため、表示パネルの画面輝度が低くなるという技術的課題を解消するために、表示パネル及び携帯端末を提供することにある。

本発明の実施例は、
基板と、
前記基板上に位置し、アノード反射部を複数含むアノード反射層と、
前記アノード反射層上に位置し、複数の前記アノード反射部に対応する複数のアノード部を含み、各前記アノード部が対応する前記アノード反射部に電気的に接続されるアノード層と、
前記アノード層上に位置し、複数の前記アノード部に一対一で対応する複数の発光部を含み、各前記発光部が対応する前記アノード部に電気的に接続される発光層と、
前記アノード反射層と前記アノード層との間に位置し、厚さが第１閾値以上である補助層と、を含み、
前記補助層には、複数の前記アノード部に対応する複数の第１ビアホールが設けられ、前記補助層の構成材料が絶縁材料を含み、各前記アノード部が対応する前記第１ビアホールを介して対応する薄膜トランジスタに電気的に接続され、
前記補助層の厚さと前記アノード層の厚さとの合計が６００オングストローム以上である表示パネルと提供する。

一実施例において、前記補助層の構成材料は、酸化アルミニウム又は酸化ケイ素を含む。

一実施例において、前記補助層は、複数の前記アノード部に対応する複数の補助部を含み、複数の前記補助部の構成材料が導電材料を含み、対応する前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるように、各前記アノード部が対応する前記補助部に電気的に接続される。

一実施例において、前記第１閾値は２００オングストロームである。

一実施例において、複数の前記発光部は第１発光部及び第２発光部を含み、前記第１発光部から放射される光の波長と、前記第２発光部から放射される光の波長とが異なり、
前記補助層及び前記アノード層の前記第１発光部に対する部分の厚さの合計を第１厚さとし、前記補助層及び前記アノード層の前記第２発光部に対する部分の厚さの合計を第２厚さとし、前記第１厚さと前記第２厚さとが異なる。

一実施例において、前記表示パネルは、
前記アノード反射層の前記補助層から遠い側に位置し、複数の前記アノード反射部に一対一で対応する複数の薄膜トランジスタを含み、各前記薄膜トランジスタが対応する前記アノード反射部に電気的に接続される薄膜トランジスタ層をさらに含み、
前記補助層の水素バリア率が８０％よりも大きい。

一実施例において、前記表示パネルは、
前記薄膜トランジスタ層と前記アノード反射層との間に全体的に設けられ、複数の前記薄膜トランジスタに対応する複数の第２ビアホールが設けられる平坦化層をさらに含み、
対応する前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるように、各前記アノード反射部が対応する前記第２ビアホールの底部まで延びる。

本発明の実施例は、
基板と、
前記基板上に位置し、アノード反射部を複数含むアノード反射層と、
前記アノード反射層上に位置し、複数の前記アノード反射部に対応する複数のアノード部を含み、各前記アノード部が対応する前記アノード反射部に電気的に接続されるアノード層と、
前記アノード層上に位置し、複数の前記アノード部に一対一で対応する複数の発光部を含み、各前記発光部が対応する前記アノード部に電気的に接続される発光層と、
前記アノード反射層と前記アノード層との間に位置し、厚さが第１閾値以上である補助層と、を含む表示パネルを提供する。

一実施例において、前記補助層には、複数の前記アノード部に対応する複数の第１ビアホールが設けられ、前記補助層の構成材料が絶縁材料を含み、各前記アノード部が対応する前記第１ビアホールを介して対応する薄膜トランジスタに電気的に接続される。

一実施例において、前記補助層の厚さと前記アノード層の厚さとの合計が６００オングストローム以上である。

本発明の実施例は、端末本体部と、上述したいずれかに記載の表示パネルとを含み、前記端末本体部が前記表示パネルと一体化される携帯端末を提供する。

本発明は、表示パネル及び携帯端末を提供し、前記表示パネルは、基板と、前記基板上に位置し、アノード反射部を複数含むアノード反射層と、前記アノード反射層上に位置し、複数の前記アノード反射部に対応する複数のアノード部を含み、各前記アノード部が対応する前記アノード反射部に電気的に接続されるアノード層と、前記アノード層の前記基板から遠い側に位置し、複数の前記アノード部に一対一で対応する複数の発光部を含み、各前記発光部が対応する前記アノード部に電気的に接続される発光層と、前記アノード反射層と前記アノード層の前記発光層から遠い側との間に位置し、厚さが第１閾値以上である補助層と、を含む。本発明では、前記補助層の厚さを前記第１閾値以上にすることにより、前記補助層の厚さを十分に大きくすることで、前記発光層に対応するマイクロキャビティ長を増加させ、前記発光層が高い発光効率を有することで、前記表示パネルの画面輝度を向上させることができる。

以下、図面を参照しながら、本発明をさらに説明する。なお、以下の説明における図面は、本発明のいくつかの実施例を解釈するためのものに過ぎず、当業者にとっては、創造的努力なしにこれらの図面から他の図面を導き出すこともできる。
図１は本発明の実施例に係る第１の表示パネルの断面概略図である。図２は本発明の実施例に係る第２の表示パネルの断面概略図である。図３は本発明の実施例に係る第３の表示パネルの断面概略図である。図４は本発明の実施例に係る第４の表示パネルの断面概略図である。

以下、本発明の実施例における図面を参照しながら、本発明の実施例における技術的手段を、明確かつ完全に説明する。説明した実施例はすべての実施例ではなく、本発明の一部の実施例であることは明らかである。本発明における実施例に基づいて、当業者が創造的努力なしに取得したすべての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属している。

本発明の説明において、「上」、「下」、「近く」、「遠く」などの用語によって示される方位又は位置関係は、図面に示される方位又は位置関係に基づくものである。例えば、「上」は、表面が物体の上方にあるだけであり、具体的には、物体の水平面よりも上にある限り、真上、斜め上、上面のいずれも指してもよい。「両側」又は「両端」は、物体と直接的又は間接的に接触してもよい、図に表され得る物体の対向する２つの位置を指す。これらの方位又は位置関係は、単に本発明の説明を容易にするためのものであり、及び説明を簡略化するためのものに過ぎず、言及されるデバイス又は要素が特定の方位を有し、特定の方位で構成及び動作しなければならないと指示又は暗示するためではなく、したがって、本発明を限定するものとして理解されるべきではない。

また、図面は、本発明との関係が密接な構造及び工程のみを提供し、本発明との関係があまり密接ではない詳細を省略し、図面を簡略化して発明の内容を一目で理解できるようにしており、実際の装置及び方法が図面と同一であることを示すものではなく、実際の装置及び方法を限定するものではない。

本発明は、以下の実施例及びそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない表示パネルを提供する。

一実施例において、図１～図３に示すように、前記表示パネル１００は、基板１０と、前記基板１０上に位置し、アノード反射部６０を複数含むアノード反射層と、前記アノード反射層上に位置し、複数の前記アノード反射部６０に対応する複数のアノード部２０を含み、各前記アノード部２０が対応する前記アノード反射部６０に電気的に接続されるアノード層と、前記アノード層上に位置し、複数の前記アノード部２０に一対一で対応する複数の発光部３０を含み、各前記発光部３０が対応する前記アノード部２０に電気的に接続される発光層と、前記アノード反射層と前記アノード層との間に位置し、厚さが第１閾値以上である補助層４０と、を含む。前記基板１０は、リジッド基板又はフレキシブル基板であってもよく、前記リジッド基板がガラス又はシリコンウェハであってもよい。前記リジッド基板の構成材料は、石英粉末、炭酸ストロンチウム、炭酸バリウム、ホウ酸、無水ホウ酸、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、硝酸バリウム、酸化マグネシウム、酸化スズ、酸化亜鉛の少なくとも１種を含んでもよいが、これらに限定されるものではない。前記フレキシブル基板は、ポリマー材料基板、金属箔基板、超薄板ガラス基板、ポリマーと無機物との複合基板、又はポリマーと有機物と無機物との複合基板であってもよい。前記ポリマー材料は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミドの少なくとも１種を含んでもよい。

前記表示パネル１００は、トップエミッション型表示パネルであってもよい。前記アノード反射層の構成材料は、光反射材料であってもよい。さらに、前記アノード反射層の構成材料は、前記発光層から発された光を光出射面に反射させて光の利用効率を高めるための金属材料であってもよい。例えば、前記アノード反射層の構成材料は、銀又はアルミニウムであってもよいが、これらに限定されるものではない。具体的には、パターニングにより複数の前記アノード反射部６０を形成してもよく、さらに前記アノード反射層上に前記補助層４０を形成し、前記補助層４０上に、パターニングにより複数の前記アノード反射部６０に対応する複数の前記アノード部２０を形成してもよい。

具体的には、前記発光層上にカソード層がさらに設けられ、前記カソード層が全面的に設けられてもよいか、又は前記カソード層が複数の前記発光部３０に対応して設けられてもよい。各前記発光部３０は、対応するマイクロキャビティ長を有する。前記マイクロキャビティ長は、前記アノード反射層の上面から前記カソード層の下面までの垂直距離として定義されてもよく、対応する前記アノード部２０と対応する前記発光部３０との厚さの合計を含んでもよく、対応する前記発光部３０の発光効率に影響を与えてもよい。さらに、前記発光層は、白色有機発光ダイオード技術を用いて作製することができる。即ち、各前記発光部３０は、「青色＋黄色」等の２層又は「青色＋赤色＋緑色」等の３層の積層構造により白色光を実現することができる。この場合、再結合された前記発光部３０は、対応するマイクロキャビティ長を有することができる。前記アノード部２０の構成材料は、酸化インジウムスズであってもよいが、これに限定されるものではない。前記発光部３０は、有機発光ダイオード発光素子、マイクロ発光ダイオード、又はその他の自発光素子であってもよいが、これらに限定されるものではない。前記発光部３０は、インクジェットプリンタ又は蒸着により形成されてもよい。

具体的には、本実施例では、前記アノード層の前記発光層から遠い側に前記補助層４０が追加されている。前記第１閾値は、前記補助層４０の厚さの最小値であると理解され、前記第１閾値の値は前記発光部３０の構成材料とマイクロキャビティを構成するための他の膜層の厚さとの合計に基づいて決定され得る。ここでは、前記補助層４０の厚さが少なくとも前記第１閾値であることを強調することで、前記発光層の発光効率は要求に応えることができる。本実施例では、前記アノード層及び前記発光層の両方の厚さを増加させることなく、各前記発光部３０に対応するマイクロキャビティ長を増加させることにより、前記発光部３０の発光効率を大幅に向上させ、表示パネルの表示画面の輝度を向上させることができることを理解されたい。

一実施例において、図１に示すように、前記補助層４０の厚さと前記アノード層の厚さとの合計が６００オングストローム以上である。具体的には、以上の説明から分かるように、前記発光部３０の構成材料、放射された光の波長の少なくとも一方に基づいて高い発光効率の最低値に対応するマイクロキャビティ長を決定し、マイクロキャビティを構成する他の膜層の厚さの合計に基づいて、対応する前記補助層４０の厚さと前記アノード層の厚さとの合計を決定することができる。シミュレーションにより「高い発光効率の最低値に対応するマイクロキャビティ長」を求めることができ、さらに「対応する前記補助層４０の厚さと前記アノード層の厚さとの合計」を、前記補助層４０の厚さと前記アノード層の厚さとの合計の最小値として求めることができる。

一実施例において、前記第１閾値は２００オングストロームである。以上の説明から分かるように、図１に示すように、前記補助層４０の厚さは第１閾値以上であり、即ち、第１閾値が前記補助層４０の厚さの最小値である。以上の説明から分かるように、前記補助層４０の厚さと前記アノード層の厚さとの合計の最小値をシミュレーションにより得ることができる。ここで、さらに前記アノード層の構成材料の特性及びその製造方法の特性に基づいて前記補助層４０の厚さの最小値を決定することができる。具体的には、ここで、酸化インジウムスズを含む材料を用いてエッチングにより複数の前記アノード部２０を形成する場合、前記アノード層の厚さの最大値が４００オングストロームであるので、前記補助層４０の厚さの最小値が２００オングストローム、即ち前記第１閾値が２００オングストロームとすることができる。

具体的には、酸化インジウムスズを含む材料を用いてエッチングにより複数の前記アノード部２０を形成する場合、前記補助層４０の厚さと前記アノード層の厚さとの合計を８００オングストロームとしてもよい。例えば、前記アノード層の厚さが４００オングストロームである場合に、前記補助層４０の厚さを４００オングストロームとしてもよく、前記アノード層の厚さが２００オングストロームである場合に、前記補助層４０の厚さを６００オングストロームとしてもよい。

一実施例において、図２に示すように、複数の前記発光部３０は、第１発光部３０１及び第２発光部３０２を含む。前記第１発光部３０１から放射される光の波長と前記第２発光部３０２から放射される光の波長とは異なる。前記補助層４０及び前記アノード層の前記第１発光部３０１に対する部分Ａ１の厚さを第１厚さＬ１とし、前記補助層４０及び前記アノード層の前記第２発光部３０２に対する部分Ａ２に対する厚さを第２厚さＬ２とすると、前記第１厚さＬ１と前記第２厚さＬ２とが異なる。

具体的には、ここで、前記第１発光部３０１及び前記第２発光部３０２からそれぞれ色の異なる光が放射される。即ち、第１発光部３０１から放射される光の波長と前記第２発光部３０２から放射される光の波長とが異なると考えられる。以上の説明に合わせると、放射される光の波長が異なる２つの前記発光部３０の高い発光効率の最低値に対応するマイクロキャビティ長は一般的に異なる。即ち、高い発光効率を同時に考慮する場合に、前記第１発光部３０１の好ましいマイクロキャビティ長は前記第２発光部３０２の好ましいマイクロキャビティ長と異なる。同様に、図２に示すように、複数の前記発光部３０は、放射される光の波長が前記第１発光部３０１から放射される光の波長、前記第２発光部３０２から放射される光の波長のいずれとも異なる第３発光部３０３をさらに含む場合、前記補助層４０及び前記アノード層の前記第３発光部３０３に対する部分Ａ３の厚さを第３厚さＬ３とすると、前記第３厚さＬ３は前記第１厚さＬ１、前記第２厚さＬ２のいずれとも異なる。具体的には、ここで、前記補助層４０及び前記アノード層の前記第１発光部３０１に対する部分Ａ１の厚さを第１厚さＬ１とすることを例として説明すると、第１厚さＬ１は、対応するアノード反射部６０の上面と対応するアノード部２０の上面との間の距離であると理解することができる。

各前記発光部３０について、前記マイクロキャビティ長は対応する前記アノード部２０と、前記補助層４０に対応する部分との厚さの合計を含み得る。本実施例は、放射される光の波長が異なる複数の前記発光部３０について、前記補助層４０と、前記アノード層の対応する複数の部分との厚さを異なるように設定し、複数の前記発光部３０から放射される光の波長の違いを十分に考慮して、放射される光の波長が異なる複数の前記発光部３０に対応するマイクロキャビティ長を差別化して設定することを実現することに寄与し、各前記発光部３０の発光効率を向上させることに寄与することを理解されたい。

一実施例において、図３に示すように、前記表示パネル１００は、前記アノード反射層の前記補助層４０から遠い側に位置し、複数の前記アノード反射部６０に一対一で対応する複数の薄膜トランジスタ５０を含む。各前記薄膜トランジスタ５０は、対応する前記アノード反射部６０に電気的に接続される薄膜トランジスタ層をさらに含み、前記補助層４０の水素バリア率が８０％よりも大きい。

具体的には、図３に示すように、各前記薄膜トランジスタ５０は、活性層５０１と、前記活性層５０１上に位置するゲート絶縁層５０２と、前記ゲート絶縁層５０２上に位置するゲート層５０３と、活性層５０１、前記ゲート絶縁層５０２及び前記ゲート層５０３を覆う層間絶縁層５０４と、前記層間絶縁層５０４上に位置するソース５０５及びドレイン５０６と、を含む。前記活性層５０１は、本体部５０７と、前記本体部５０７の両端に位置する２つのドーピング部５０８とを含む。前記層間絶縁層５０４には、複数の第３ビアホール５０９が設けられ、前記ソース５０５が一方の前記第３ビアホール５０９を介して一方の前記ドーピング部５０８に電気的に接続され、前記ドレイン５０６が他方の前記第３ビアホール５０９を介して他方の前記ドーピング部５０８に電気的に接続される。前記薄膜トランジスタ５０は、ボトムゲート構造又はトップゲート構造であり得るが、前記トップゲート構造は図３に示すような前記薄膜トランジスタ５０の構造であり得るが、これに限定されるものではない。

前記活性層５０１の構成材料は金属酸化物を含む。具体的には、前記活性層５０１の構成材料として、インジウムガリウム亜鉛酸化物、インジウムガリウムスズ酸化物、インジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウムインジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛スズ酸化物又はその他の金属酸化物を含んでもよい。さらに、前記活性層５０１の構成材料として、非晶質金属酸化物を含んでもよい。なお、金属酸化物からなる前記活性層５０１は水素元素に対して極めて敏感であり、水素元素が発光層の前記基板１０から遠い側から前記活性層５０１に拡散すると、前記薄膜トランジスタ５０の閾値電圧等のパラメータに影響を与え、前記薄膜トランジスタ５０の動作信頼性を低下させる。

本実施例における前記補助層４０は、前記薄膜トランジスタ層の前記基板１０から遠い側に位置して、前記薄膜トランジスタ層と前記アノード反射層との間に位置している。即ち、前記補助層４０は、前記薄膜トランジスタ層の外部水素元素に近い側に位置して、前記薄膜トランジスタ層との距離が近い。即ち、本実施例の前記補助層４０は、各前記発光部３０に対応するマイクロキャビティ長を増加させて前記発光部３０の発光効率を向上させることに加えて、合理的な材料及び厚さによって前記水素元素が前記薄膜トランジスタ層に拡散することを遮断するように構成される。さらに、ここで、前記補助層４０の水素バリア率が８０％よりも大きいことを限定し、前記補助層４０の水素バリア効果をより一層確保することができることを理解されたい。

ここで、ＴＤＳ（ＴｈｅｒｍａｌＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、熱脱着）法によって水素バリア率が８０％よりも大きい前記補助層４０を決定することができる。熱脱着とは、加熱及び不活性ガスパージを用いて固体又は液体試料から揮発物を溶出させて、キャリアガスを用いて揮発物を分析システムに輸送する脱着方法である。具体的には、ガラス基板と、前記ガラス基板上に位置する窒化シリコン層とを含む第１基板を予め製造し、密閉環境で予め設定された温度に加熱して密閉環境中の水素元素の含有量を第１含有量として測定する。これに基づいて、前記窒化シリコン層上にシミュレーション層を製造することができ、一致させるようにシミュレーション層の材料、厚さなどのパラメータを複数回調整することができる。そして、密閉環境で前記予め設定された温度に加熱し、密閉環境中の水素元素の含有量を第２含有量として測定する。前記第２含有量と前記第１含有量との比率は８０％よりも大きく、例えば８５％であってもよい。このときの前記シミュレーション層を前記補助層４０とすることができる。ここで、前記予め設定された温度は、前記薄膜トランジスタ５０を製造するのに必要な温度であってもよく、前記予め設定された温度が３００℃であってもよい。さらに、上記ＴＤＳ法と組み合わせて、本実施例における前記補助層４０は、前記補助層４０が設けられていない場合に比べて、前記活性層５０１中に拡散する水素元素の含有量を２０％に低減して、８０％の水素元素へのバリアを実現することができる。

一実施例において、図３に示すように、前記表示パネル１００は、前記薄膜トランジスタ層と前記アノード反射層との間に全体的に設けられ、複数の前記薄膜トランジスタ５０に対応する複数の第２ビアホール９０１が設けられる平坦化層１１をさらに含む。各前記アノード反射部６０は、対応する前記薄膜トランジスタ５０に電気的に接続されるように、対応する前記第２ビアホール９０１の底部まで延びる。

前記平坦化層１１の構成材料は絶縁材料であってもよい。具体的には、図３に示すように、前記表示パネル１００は、前記基板１０の前記薄膜トランジスタ層に近い側に位置する複数の遮光部７０と、複数の前記遮光部７０及び前記基板１０を覆うバッファ層８０と、複数の前記薄膜トランジスタ５０を覆うパッシベーション層９０と、前記パッシベーション層９０上に位置する前記平坦化層１１と、前記平坦化層１１上に位置する複数の前記アノード反射部６０と、前記平坦化層１１及び複数の前記アノード部２０を覆うことができる前記補助層４０と、をさらに含む。さらに、前記補助層４０上において隣り合う２つの前記発光部３０の間に画素定義部１２が形成されてもよく、複数の前記画素定義部１２及び複数の前記発光部３０には、連続したカソード層１３で覆われてもよく、前記カソード層１３上に封止層１４及びカバープレート１５が順次設けられてもよい。

複数の前記遮光部７０の構成材料は金属材料を含み、各前記遮光部７０が前記基板１０側からの光を前記活性層５０１から遠い側に反射して光の利用効率を高めるとともに、前記基板１０側からの光の透過率を低減して、光が前記活性層５０１へ照射して前記薄膜トランジスタ５０の動作信頼性を低下させることを防止する。前記バッファ層８０の構成材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸窒化シリコンを含んでもよいが、これに限定されるものではない。前記ゲート層５０３の構成材料は、銅、アルミニウム、モリブデン又はチタンを含んでもよいが、これに限定されるものではなく、金属酸化物、金属窒化物又は金属酸窒化物を含んでもよいことは勿論である。前記ゲート絶縁層５０２の構成材料としては、酸化シリコン又は窒化シリコンを含んでもよいが、これに限定されるものではない。前記層間絶縁層５０４の構成材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸窒化シリコンを含んでもよいが、これに限定されるものではない。前記ソース５０５及び前記ドレイン５０６の構成材料は、モリブデン、アルミニウム、銅、チタン、酸化インジウムスズ又は銅ニオブ合金を含んでもよいが、これらに限定されるものではない。さらに、前記第２ビアホール９０１は、前記パッシベーション層９０を貫通するように延びることができ、対応する前記ドレイン５０６に電気的に接続されるように、各前記アノード反射部６０が第２ビアホール９０１の底部まで延びる。上記の説明と組み合わせて、第１電圧が印加されるように、各前記アノード部２０は前記アノード反射部６０を介して対応する前記ドレイン５０６に電気的に接続される。前記カソード層１３は第２電圧を有してもよい。各前記発光部３０は、第１電圧及び第２電圧の作用により電流を発生して発光する。

なお、前記封止層１４の製造中及び表示パネル１００の信頼性の測定中において、複数の前記画素定義部１２の構成材料は有機材料を含むので、外部の水素元素が複数の前記画素定義部１２を透過して複数の前記薄膜トランジスタ５０に拡散し、前記活性層５０１に拡散すると、前記薄膜トランジスタ５０の動作信頼性が低下する。本発明は、前記アノード層と前記アノード反射層との間に前記補助層４０を設けることにより、前記活性層５０１への水素元素の拡散を阻止し、前記薄膜トランジスタ５０の動作の信頼性を向上させることができることを理解されたい。

一実施例において、図３に示すように、前記補助層４０には、複数の前記アノード部２０に対応する複数の第１ビアホール４０１が設けられる。前記補助層４０の構成材料は、絶縁材料を含み、各前記アノード部２０が対応する前記第１ビアホール４０１を介して対応する前記薄膜トランジスタ５０に電気的に接続される。具体的には、図３に示すように、前記補助層４０において、前記補助層４０の前記アノード層における投影が前記アノード部２０と隣り合う２つの前記アノード部２０の間の領域とを覆うように、隣り合う２つの前記第１ビアホール４０１の間の部分を連続的に設けてもよい。各前記アノード部２０は、対応する前記第１ビアホール４０１を介して対応する前記薄膜トランジスタ５０に延びて電気的に接続されてもよい。

本実施例における前記補助層４０のうち、複数の前記第１ビアホール４０１を除く部分は連続的に設けられて、前記補助層４０の前記アノード層から遠い側に位置する膜層を覆うことができ、複数の前記薄膜トランジスタ５０への外部水素元素の拡散経路を十分に遮断することができ、前記補助層４０の水素バリア効果をさらに高めることができることを理解されたい。なお、前記補助層４０の隣り合う２つの前記第１ビアホール４０１の間の部分は、隣り合う２つの前記アノード部２０の間に接続されており、本実施例における前記補助層４０の構成材料は絶縁材料を含むため、隣り合う２つの前記アノード部２０の間が電気的に接続されて短絡することを防止することができる。具体的には、パターニングにより複数の前記アノード反射部６０を形成し、さらに酸化アルミニウムを堆積し、複数の前記第１ビアホール４０１を開口して前記補助層４０を形成し、酸化インジウムスズをさらに堆積し、パターニングにより複数の前記第１ビアホール４０１内に延びる複数の前記アノード部２０を形成することができ、複数の前記アノード部２０と前記補助層４０との厚さの合計は、上記の関連説明を参照することができる。

一実施例において、図３に示すように、前記補助層４０の構成材料は酸化アルミニウム又は酸化ケイ素を含む。酸化アルミニウム及び酸化ケイ素は、いずれも前記薄膜トランジスタ層への水素元素の拡散を遮断することができ、光の透過率を高めるために透明な前記補助層４０として形成することができ、前記補助層４０の光透過率が２０％よりも大きく、さらに９８％よりも大きくてもよい。さらに、緻密性の高い酸化アルミニウムで前記補助層４０を製造し、さらに前記補助層４０の水素バリア率を高めることができる。

一実施例において、図４に示すように、前記補助層４０は、複数の前記アノード部２０に対応する複数の補助部４０２を含む。複数の前記補助部４０２の構成材料は導電材料を含む。各前記アノード部２０は、対応する前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるように、対応する前記補助部４０２に電気的に接続される。なお、図３では、前記補助層４０の前記アノード層における投影が、前記アノード部２０と隣り合う２つの前記アノード部２０の間の領域とを覆うが、本実施例は、隣り合う２つの前記アノード部２０の間に前記補助層４０が設けられておらず、各前記補助部４０２は、対応する前記アノード部２０と対応する前記薄膜トランジスタとの間に位置する。本実施例における複数の前記補助部４０２の構成材料は、各前記アノード部２０を対応する前記薄膜トランジスタに電気的に接続するように、複数の前記補助部４０２が高い導電性を有する導電材料を含む。

本発明は、端末本体部と、上述したいずれかに記載の表示パネルとを含み、前記端末本体部が前記表示パネルと一体化される携帯端末を提供する。

以上、本発明の実施例に係る表示パネル及び携帯端末について詳細に説明した。本明細書では本発明の原理及び実施形態について具体例を用いて述べたが、以上の実施例の説明は、本発明の技術的手段及びその核心的な思想の理解を助けるためのものに過ぎず、当業者にとっては、対応する技術的手段の旨が本発明の各実施例の技術的手段の範囲から逸脱しない限り、依然として上記の各実施例に記載した技術的手段を修正するか、又はその一部の技術的特徴を同等に置き換えることができると理解すべきである。

Claims

基板と、
前記基板上に位置し、アノード反射部を複数含むアノード反射層と、
前記アノード反射層上に位置し、複数の前記アノード反射部に対応する複数のアノード部を含み、各前記アノード部が対応する前記アノード反射部に電気的に接続されるアノード層と、
前記アノード層上に位置し、複数の前記アノード部に一対一で対応する複数の発光部を含み、各前記発光部が対応する前記アノード部に電気的に接続される発光層と、
前記アノード反射層と前記アノード層との間に位置し、厚さが第１閾値以上である補助層と、を含み、
前記補助層には、複数の前記アノード部に対応する複数の第１ビアホールが設けられ、前記補助層の構成材料が絶縁材料を含み、各前記アノード部が対応する前記第１ビアホールを介して対応する薄膜トランジスタに電気的に接続され、
前記補助層の厚さと前記アノード層の厚さとの合計が６００オングストローム以上である表示パネル。
前記補助層の構成材料は、酸化アルミニウム又は酸化ケイ素を含む請求項１に記載の表示パネル。
前記補助層は、複数の前記アノード部に対応する複数の補助部を含み、複数の前記補助部の構成材料が導電材料を含み、対応する前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるように、各前記アノード部が対応する前記補助部に電気的に接続される請求項１に記載の表示パネル。
前記第１閾値は２００オングストロームである請求項１に記載の表示パネル。
複数の前記発光部は第１発光部及び第２発光部を含み、前記第１発光部から放射される光の波長と、前記第２発光部から放射される光の波長とが異なり、
前記補助層及び前記アノード層の前記第１発光部に対する部分の厚さの合計を第１厚さとし、前記補助層及び前記アノード層の前記第２発光部に対する部分の厚さの合計を第２厚さとし、前記第１厚さと前記第２厚さとが異なる請求項１に記載の表示パネル。
前記表示パネルは、
前記アノード反射層の前記補助層から遠い側に位置し、複数の前記アノード反射部に一対一で対応する複数の薄膜トランジスタを含み、各前記薄膜トランジスタが対応する前記アノード反射部に電気的に接続される薄膜トランジスタ層をさらに含み、
前記補助層の水素バリア率が８０％よりも大きい請求項１に記載の表示パネル。
前記表示パネルは、
前記薄膜トランジスタ層と前記アノード反射層との間に全体的に設けられ、複数の前記薄膜トランジスタに対応する複数の第２ビアホールが設けられる平坦化層をさらに含み、
対応する前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるように、各前記アノード反射部が対応する前記第２ビアホールの底部まで延びる請求項６に記載の表示パネル。
基板と、
前記基板上に位置し、アノード反射部を複数含むアノード反射層と、
前記アノード反射層上に位置し、複数の前記アノード反射部に対応する複数のアノード部を含み、各前記アノード部が対応する前記アノード反射部に電気的に接続されるアノード層と、
前記アノード層上に位置し、複数の前記アノード部に一対一で対応する複数の発光部を含み、各前記発光部が対応する前記アノード部に電気的に接続される発光層と、
前記アノード反射層と前記アノード層との間に位置し、厚さが第１閾値以上である補助層と、を含む表示パネル。
前記補助層には、複数の前記アノード部に対応する複数の第１ビアホールが設けられ、前記補助層の構成材料が絶縁材料を含み、各前記アノード部が対応する前記第１ビアホールを介して対応する薄膜トランジスタに電気的に接続される請求項８に記載の表示パネル。
前記補助層の構成材料は、酸化アルミニウム又は酸化ケイ素を含む請求項９に記載の表示パネル。
前記補助層は、複数の前記アノード部に対応する複数の補助部を含み、複数の前記補助部の構成材料が導電材料を含み、対応する薄膜トランジスタに電気的に接続されるように、各前記アノード部が対応する前記補助部に電気的に接続される請求項８に記載の表示パネル。
前記補助層の厚さと前記アノード層の厚さとの合計が６００オングストローム以上である請求項８に記載の表示パネル。
前記第１閾値は２００オングストロームである請求項１２に記載の表示パネル。
複数の前記発光部は第１発光部及び第２発光部を含み、前記第１発光部から放射される光の波長と、前記第２発光部から放射される光の波長とが異なり、
前記補助層及び前記アノード層の前記第１発光部に対する部分の厚さの合計を第１厚さとし、前記補助層及び前記アノード層の前記第２発光部に対する部分の厚さの合計を第２厚さとし、前記第１厚さと前記第２厚さとが異なる請求項８に記載の表示パネル。
前記表示パネルは、
前記アノード反射層の前記補助層から遠い側に位置し、複数の前記アノード反射部に一対一で対応する複数の薄膜トランジスタを含み、各前記薄膜トランジスタが対応する前記アノード反射部に電気的に接続される薄膜トランジスタ層をさらに含み、
前記補助層の水素バリア率が８０％よりも大きい請求項８に記載の表示パネル。
前記表示パネルは、
前記薄膜トランジスタ層と前記アノード反射層との間に全体的に設けられ、複数の前記薄膜トランジスタに対応する複数の第２ビアホールが設けられる平坦化層をさらに含み、
対応する前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるように、各前記アノード反射部が対応する前記第２ビアホールの底部まで延びる請求項１５に記載の表示パネル。
端末本体部と、請求項８に記載の表示パネルとを含み、前記端末本体部が前記表示パネルと一体化される携帯端末。
前記補助層には、複数の前記アノード部に対応する複数の第１ビアホールが設けられ、前記補助層の構成材料が絶縁材料を含み、各前記アノード部が対応する前記第１ビアホールを介して対応する薄膜トランジスタに電気的に接続される請求項１７に記載の携帯端末。
前記補助層の構成材料は、酸化アルミニウム又は酸化ケイ素を含む請求項１８に記載の携帯端末。
前記補助層は、複数の前記アノード部に対応する複数の補助部を含み、複数の前記補助部の構成材料が導電材料を含み、対応する薄膜トランジスタに電気的に接続されるように、各前記アノード部が対応する前記補助部に電気的に接続される請求項１７に記載の携帯端末。