CN114725128B - 阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种阵列基板，具有开口区和非开口区，所述阵列基板包括衬底和依次设置于所述衬底上的遮光层、缓冲层和晶体管层，所述晶体管层还包括电容，所述电容包括相对设置的第一电极板和第二电极板，且所述第一电极板为透明层，所述第二电极板位于所述开口区的部分为透明层，所述第一电极板可位于所述衬底与所述遮光层和所述缓冲层之间，所述第二电极板与所述有源层同层设置，且所述第二电极板至少位于所述开口区，所述第一电极板在所述衬底上的正投影覆盖所述薄膜晶体管和所述第二电极板在所述衬底上的正投影；和现有技术相比，所述阵列基板使用透明状的电容，使开口区具有更大的设计空间，从而能够提高显示面板的开口率。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断革新，用户对大尺寸、高分辨率、高刷新频率的需求越来越高。有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示面板作为主流的显示面板，其发光面积与薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)及存储电容有关。对于底发光型显示面板，为了避免光线被TFT及存储电容中的不透明金属遮挡，显示面板分为互不交叠的TFT器件区、电容区和像素开口区，电容区的存在增大了非透光区的空间，从而使像素开口区的尺寸受限，开口率最大只能达到约40％，影响显示面板的显示效果。
发明内容
本申请旨在提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其可以在保持非开口区的TFT器件不变的情况下，极大地提高了开口区的可设计空间，有利于提升显示面板的开口率。同时，由于所述存储电容还可以从所述开口区延伸至所述非开口区，相比于现有技术，增加了存储电容的电极板面积，从而提高存储电容的电容量。
第一方面，本发明提供一种阵列基板，包括衬底、所述衬底上设有多个子像素；所述子像素的非开口区包括遮光层、缓冲层、晶体管层、钝化层以及平坦化层；所述子像素的开口区包括缓冲层、钝化层、色阻层以及平坦化层；
所述阵列基板还包括第一电极板和第二电极板，所述第一电极板和第二电极板为透明材料制成；所述第一电极板设于所述衬底和所述缓冲层之间，所述第一电极板至少位于所述开口区；所述第二电极板设于所述缓冲层和所述钝化层之间，所述第二电极板至少位于所述开口区；所述第二电极板和所述晶体管层的有源层电性连接；所述阵列基板还包括存储电容，所述存储电容的一极至少包括所述第一电极板，所述存储电容的另一极至少包括所述第二电极板和所述有源层。
可选的，所述遮光层采用金属材料制成；所述第一电极板和所述遮光层电性连接；所述第一电极板和所述遮光层构成所述存储电容的一极，所述第二电极板和所述有源层构成所述存储电容的另一极。
可选的，所述第一电极板延伸至所述非开口区；所述第一电极板在所述非开口区位于所述遮光层和衬底之间的位置；所述遮光层被所述缓冲层包裹；所述第一电极板和所述遮光层之间间隔有所述缓冲层；所述遮光层和所述有源层之间也间隔有所述缓冲层；所述第一电极板的一端和所述第二电极板的一端电性连接；所述第一电极板、所述遮光层、所述第二电极板、所述有源层以及所述缓冲层共同构成所述存储电容。
可选的，所述第一电极板和所述遮光层同层并列设置，所述第一电极板和所述遮光层均镶嵌于所述凹槽中。
可选的，所述衬底上设有凹槽；所述第一电极板镶嵌于所述凹槽中。
可选的，所述有源层采用非透明材料，所述有源层的两端与所述遮光层的两端对齐，两个相邻所述子像素的遮光层和有源层共同形成所述出射通道，以对光线起到校准和校直作用。
可选的，所述遮光层的两端位置设有第一挡光部，所述第一挡光部具有第一反射面，所述第一反射面为迎向光线入射方向的斜面；所述第一反射面的倾角范围是30°至80°。
可选的，所述有源层的两端位置设有第二挡光部，所述第二挡光部具有第二反射面，所述第二反射面为迎向光线入射方向的斜面；所述第二反射面的倾角范围是30°至80°。
第二方面，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板具有开口区和非开口区，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底上形成第一电极板，再在所述第一电极板上形成遮光层，其中，所述第一电极板位于所述衬底与所述遮光层之间，且所述第一电极板为透明层；
利用半色调掩膜工艺对所述第一电极板和所述遮光层进行分步刻蚀，在开口区下方刻蚀掉所述遮光层；
在所述遮光层和所述第一电极板上形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述第一电极板；
在所述缓冲层上形成晶体管层和第二电极板，其中，所述晶体管层包括有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和钝化层，所述第二电极板与所述有源层同层设置，所述第二电极板至少位于所述开口区，且所述第二电极板为透明层，所述第一电极板在所述衬底上的正投影覆盖所述晶体管层和所述第二电极板在所述衬底上的正投影。
第三方面，本发明还提供一种显示面板，包括：
所述的阵列基板；
发光层，位于所述阵列基板上，所述发光层包括阵列分布的多个发光元件，所述发光元件与所述阵列基板的像素开口对应；以及，
封装层，位于所述发光层背离所述阵列基板的一侧。
根据本申请实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板设有透明的第一电极板和第二电极板，所述第一电极板和第二电极板采用透明材料，所述第一电极板、第二电极板以及位于其间的透明的缓冲层形成电容区，由于所述电容区可以透光，本实用新型能将电容区和像素开口区在厚度方向上叠层设置为透光区，在保持非透光区的TFT器件不变的情况下，能够极大地提高了透光区的可设计空间，有利于提升显示面板的开口率；且所述有源层和所述第二电极板连接，所述第一电极板覆在所述衬底上的投影面积盖所述有源层和所述第二电极板在所述衬底上的投影面积，所述使由所述有源层、第二电极板、缓冲层以及第一电极板构成的存储电容具有更大的电容量。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例1提供的阵列基板的结构示意图；
图2为本申请实施例1提供的阵列基板的另一种的结构示意图；
图3为本申请实施例1提供的阵列基板的又一种结构的示意图；
图4为本申请实施例3提供的阵列基板的结构示意图；
图5为本申请实施例4提供的阵列基板的制备方法的流程框图；
图6为图5所示的阵列基板的制备方法中第一电极板和遮光层的制备工艺示意图。
图7为本申请实施例5提供的一种显示面板的结构示意图；
附图说明：1、衬底；101、凹槽；2、间隔层；3、第一电极板；4、遮光层；41、第一挡光部；411、第一反射面；5、缓冲层；6、第二电极板；7、有源层；71、第二挡光部；711、第二反射面；8、栅极绝缘层；9、第一金属层；10、层间绝缘层；11、第二金属层；12、钝化层；13、色阻单元；14、平坦化层；15、阳极；16、像素限定层；17、像素开口；100、阵列基板；200、发光层；300、封装层；NA、非开口区；AA、开口区；T、晶体管层；C、存储电容。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
实施例1
参考图1，本实施例提供一种阵列基板，包括衬底1、所述衬底1上设有多个子像素；所述子像素的非开口区NA包括遮光层4、缓冲层5、晶体管层T、钝化层12以及平坦化层14；所述子像素的开口区AA包括缓冲层5、钝化层12、色阻层、以及平坦化层14；
所述阵列基板还包括第一电极板3和第二电极板6，所述第一电极板3和第二电极板6为透明材料制成；所述第一电极板3设于所述衬底1和所述缓冲层5之间，所述第一电极板3至少位于所述开口区AA；所述第二电极板6设于所述缓冲层5和所述钝化层12之间，所述第二电极板6至少位于所述开口区AA；所述第二电极板6和所述晶体管层T的有源层7电性连接；所述阵列基板还包括存储电容C，所述存储电容C的一极至少包括所述第一电极板3，所述存储电容C的另一极至少包括所述第二电极板6和所述有源层7。
在本实施例中，由于构成所述存储电容C的所述第一电极板3、第二电极板6以及缓冲层5均为透明层，所以光线可透过所述存储电容C位于所述开口区AA的部分，因此，所述存储电容C可以设于所述开口区AA内，从而使所述阵列基板的空间可以得到更加合理的利用，从而使所述阵列基板的开口区AA可以设计得更大，有利于提高阵列基板的开口率，提升使用所述阵列基板的显示装置的显示效果。
在本实施例中，所述第一电极板3延伸至所述非开口区NA；所述第一电极板3在所述衬底1上的正投影覆盖所述有源层7和所述第二电极板6在所述衬底1上的正投影。所述存储电容C的一极至少包括所述第一电极板3，所述存储电容C的另一极至少包括所述第二电极板6和所述有源层7，上述设计使所述存储电容C的电极面积更大，有利于提高所述存储电容C的电容量。
在一些实施方式中，参考图1，所述有源层7和所述第二电极板6为独立的两个部分，所述有源层7和所述第二电极板6之间电性连接。
在一些实施方式中，参考图2，所述有源层7和所述第二电极板6采用同一种透明材质制成；所述有源层7和所述第二电极板6为一个整体，所述有源层7和所述第二电极板6于同一制成形成。
在一些实施方式中，所述缓冲层5的厚度为100nm至300nm，所述电容的两个电极之间的间隔越小，其电容量较大；在本实施方式中，使所述缓冲层除了具有有效的绝缘和阻挡氢离子的能力外，所述缓冲层5的厚度控制在100nm至300nm，相比于现有技术中的缓冲层厚度更小，有利于提高所述存储电容C的电容量。
在一些实施方式中，参考图3，所述衬底1上设有凹槽101；所述第一电极板3镶嵌于所述凹槽101中；上述设计有利于减薄所述阵列基板的厚度。
在一些实施方式中，所述有源层7采用非透光材料，所述有源层7的两端和所述遮光层4的两端对齐，从而使两个相邻所述子像素的遮光层4和有源层7共同形成所述出射通道，以对光线起到校准和校直作用，同时，在本实施方式中，所述开口区AA的大小由所述有源层7和所述遮光层4的尺寸进行限制，从而使所述阵列基板可以省掉像素限定层，以进一步减少显示面板的厚度，利于产品做薄。
在一些实施方式中，参考图3，所述遮光层4的边缘位置形成第一挡光部41；所述第一挡光部41包括第一反射面411，所述第一反射面411的倾角的范围为30°至80°，所述第一反射面411会对斜入射的光线起到反射作用，使反射光线继续沿其他方向从出光通道发射出去，而且相比于前实施例来说，其不受所述遮光层4厚度的限制，返射面积更大，从而更加有效的提高出光效率。
在一些实施方式中，参考图3，所述有源层7的边缘位置形成第二挡光部71；所述第二挡光部71包括第二反射面711，所述第二反射面711的倾角的范围为30°至80°，所述第二反射面711会对斜入射的光线起到反射作用，使反射光线继续沿其他方向从出光通道发射出去，而且相比于前实施例来说，其不受所述有源层7厚度的限制，返射面积更大，从而更加有效的提高出光效率。
在一些实施方式中，所述阵列基板还包括色阻层，色阻层位于晶体管层与像素限定层16之间，色阻层包括与多个像素开口17一一对应的多个色阻单元13，色阻单元13设于像素单元的开口区。应当理解的是，本实施例由于所述有源层7和遮光层4可以对光路进行限制，所以也可以将所述阵列基板的所述像素限定层16省去。
在一些实施方式中，所述色阻层包括具有不同颜色的多个色阻单元13。发光层200的发光元件发射白光(即为白光OLED面板)，通过多个色阻单元13将发光层发出的白光转换为相应颜色的光，以显示彩色图像。在一个示例中，色阻层包括红色色阻单元、绿色色阻单元和蓝色色阻单元。在另一个示例中，色阻层包括红色色阻单元、绿色色阻单元、蓝色色阻单元和其他颜色的色阻单元，例如黄色或者白色。
应当理解的是，如果发光元件发射不同颜色的光(即为RGB型OLED面板)，则阵列基板100不需要设置色阻层。在一些实施方式中，阵列基板100还包括平坦化层14和阳极15，平坦化层14覆盖晶体管层和色阻层，阳极15位于平坦化层14与像素限定层16之间，且像素开口17暴露阳极15。
在一些实施方式中，所述晶体管层T还包括像素电路，由于OLED发光元件为电流器件，电流不可稳定储存，故像素电路至少包括2个TFT和1个存储电容，存储电容C可以暂时储存电压，其中一个TFT用于将存储的电压转换为电流；晶体管层T还包括依次形成于有源层7上的栅极绝缘层8、第一金属层9、层间绝缘层10、第二金属层11和钝化层12。
在一些实施方式中，所述衬底1和所述第一电极板3或所述衬底1和所述遮光层4之间还设置有间隔层2，所述间隔层2起到绝缘和保护的作用。
在一个具体的实施例中，可选的，所述衬底1可以为玻璃基板、PI薄膜和高透塑料板中的至少一者。可选地，所述衬底1包括层叠且交替设置的两种不同的材料，例如PI薄膜等有机材料和高透塑料板等无机材料，且衬底1最外层的材质为有机材料。
可选的，所述间隔层2可以是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)薄膜或叠层结构薄膜。
可选的，所述缓冲层5可以是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)薄膜或叠层结构薄膜。
可选的，所述第一电极板3和所述第二电极板6的材质包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)、掺氟氧化锡(FTO)、锌氧化物(ZnOx)和铟氧化物(InOx)中的任一者；所述第二电极板6的材质还可以包括透明的非晶硅或者多晶硅。
可选的，所述遮光层4的材质可以为钼或者钼(Mo)与铜(Cu)的混合金属层。可选的，所述遮光层4还可以采用非金属，所述遮光层4对全波段遮挡是理想的状态。但是因为红色波段的光线对TFT晶体管性能影响相对比较小，因此遮光层4至少要可以遮挡住绿色和蓝色波段的光线，也就是波长在600nm以下的光线。
可选的，栅极绝缘层8可以是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)薄膜或叠层结构薄膜；所述栅极绝缘层8的作用是绝缘和阻挡外界的H离子。
可选的，所述第一金属层9包括栅极，第二金属层11包括源极和漏极。所述栅极可以采用钼(Mo)、铝(Al)、金(Au)，铜(Cu)，或者是合金中一种或多种材料制成；所述源极和漏极可以采用钼(Mo)、铝(Al)、金(Au)，铜(Cu)，或者是合金中一种或多种材料制成。可选的，所述钝化层12可以是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)薄膜或叠层结构薄膜。
可选地，所述平坦化层14的材质包括聚酰亚胺(Polyimide PI)。由于PI具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性，由此制成的平坦化层14具有良好的柔韧性。平坦化层14的材质还可以为其它透光率在80％至90％之间的普通有机胶材料。平坦化层14可以使晶体管层的凹凸不平的金属层实现平坦化，便于在平坦化层14上制作像素限定层16和发光层。
实施例2
本实施例也提供了一种阵列基板，其与实施例1的区别在于，所述遮光层4采用金属材料制成，所述第一电极板3和所述遮光层4电性连接；所述第一电极板3和所述遮光层4构成所述存储电容C的一极，所述第二电极板6和所述有有源层7成所述存储电容C的另一极。
在本实施例中，所述存储电容C的一级包括所述第一电极板3和所述遮光层4；所述存储电容C的另一级包括所述第二电极板6和所述有有源层7；上述设计使所述存储电容C从开口区AA延伸至非开口区NA，进一步增大了所述存储电容C的电容量。
在一些实施方式中，所述衬底1上设有凹槽101，所述凹槽101位于所述开口区AA和非开口区NA，所述第一电极板3和所述遮光层4同层并列设置，且所述第一电极板3和所述遮光层4均镶嵌于所述凹槽101中；
在一些实施方式中，所述第一电极板3可以延伸进所述非开口区NA，所述凹槽101位于所述开口区AA和非开口区NA，所述遮光层4位于所述第一电极板3的上方位置，所述凹槽101的深度大于等于所述遮光层4和所述第一电极板3叠加后的厚度，所述遮光层4和所述第一电极板3均位于所述凹槽101中；上述两个实施方式均有利于减薄所述阵列基板的厚度。
在一些实施方式中，上述的凹槽也可以设于所述间隔层2，所述第一电极板3和所述遮光层4位于所述凹槽中；在所述凹槽中，所述第一电极板3和所述遮光层4可以同层并列设置，也可以叠层设置，以减薄所述阵列基板的厚度。
实施例3
参考图4，本实施例也提供一种阵列基板，其与实施例1的区别在于，所述第一电极板3延伸至所述非开口区NA；所述第一电极板3在所述非开口区NA的部分位于所述遮光层4和衬底1之间的位置；所述遮光层4被所述缓冲层5包裹；所述第一电极板3和所述遮光层4之间间隔有所述缓冲层5；所述遮光层4和所述有源层7之间也间隔有所述缓冲层5；所述第一电极板3的一端和所述第二电极板6的一端电性连接；所述第一电极板3、所述遮光层4、所述第二电极板6、所述有源层7以及所述缓冲层5共同构成所述存储电容C。
在本实施例中，所述存储电容C为耦合电容，其相比于传统的电容，能够进一步提高电容的电容量，有助于提高薄膜晶体管的工作稳定性。
在一些实施方式中，所述衬底1上设有凹槽101，所述凹槽101的深度大于等于所述第一电极板3、所述遮光层4以及所述第一电极板3和所述遮光层4之间间隔的所述缓冲层5形成的三层叠加结构的总厚度；所述第一电极板3、遮光层4以及所述第一电极板3和所述遮光层4之间间隔的所述缓冲层5均位于所述凹槽101中，以减薄所述阵列基板的厚度。
在一些实施方式中，凹槽也可开设于所述间隔层2，所述遮光层4以及所述第一电极板3和所述遮光层4之间间隔的所述缓冲层5均位于所述间隔层2的所述凹槽中，以减薄所述阵列基板的厚度。
实施例4
参考图5，本申请实施例还提供一种如前所述的阵列基板的制备方法，该阵列基板具有开口区AA和非开口区NA，制备方法包括如下步骤S1-S4。
步骤S1：在衬底1上形成第一电极板3，再在所述第一电极板3上形成遮光层4，其中，第一电极板3位于衬底1与遮光层4之间，且第一电极板3为透明层；
步骤S2：利用半色调掩膜工艺对所述第一电极板3和所述遮光层4进行分步刻蚀，在开口区下方刻蚀掉所述遮光层4；
如图6所示，在间隔层2上涂布光阻，利用半调色掩膜板进行曝光，然后通过显影液显影，去除其他部分的光阻，再进行蚀刻转印掩膜板图案，通过灰化处理去除多余光阻，然后蚀刻，首先将位于所述遮光层4位于所述开口区AA的部分刻蚀掉；再对所述第一电极板3进行刻蚀，以形成所述存储电容C的一极。
步骤S3：在所述遮光层4和所述第一电极板3上形成缓冲层5，所述缓冲层5覆盖所述遮光层4和第一电极板3；
步骤S4：在缓冲层5上形成晶体管层T和第二电极板6，其中，晶体管层T位于非开口区NA，其包括有源层7、栅极绝缘层8、第一金属层9、层间绝缘层10和第二金属层11和钝化层12，第二电极板6与有源层7同层设置，第二电极板6至少位于开口区AA，且第二电极板6为透明层，第一电极板3在衬底1上的正投影覆盖薄膜晶体管和第二电极板6在衬底1上的正投影。第一金属层9包括薄膜晶体管的栅极，第二金属层11包括薄膜晶体管的源极和漏极。可选的，栅极可以采用Mo、Al、Au，Cu，或者是合金中一种或多种材料制成。可选的，源漏极可以采用Mo、Al、Au，Cu，或者是合金中一种或多种材料制成。
步骤S5：在晶体管层上形成像素限定层16，像素限定层对应所述第二电极板或色阻的地方形成像素开口17。
应当理解的是，由于所述有源层7采用非透光材料，所述有源层7的两端和所述遮光层4的两端对齐，从而使两个相邻所述子像素的遮光层4和有源层7共同形成所述出射通道，以对光线起到校准和校直作用，所述开口区AA的大小由所述有源层7和所述遮光层4的尺寸进行限制，从而使所述阵列基板可以省掉像素限定层16，以进一步减少显示面板的厚度，利于产品做薄。
图6为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
实施例5
如图7所示，本申请实施例提供了一种显示面板，该显示面板为OLED显示面板，其包括阵列基板100、发光层200和封装层300。
发光层200位于阵列基板100上，发光层200包括阵列分布的多个发光元件，发光元件与阵列基板100的像素开口17对应。发光元件包括阳极15、位于阳极15上的发光结构和位于发光结构上的阴极，像素开口17暴露阳极15。在一些实施方式中，发光层200还包括第一公共层和第二公共层。第一公共层包括位于阳极15表面上的空穴注入层(Hole InjectionLayer，HIL)以及位于空穴注入层上的空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)。第二公共层包括位于发光结构表面的电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)以及位于电子传输层背离发光结构一侧表面的电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)。
发光元件在电场的作用下，阳极15产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层HTL和电子传输层ETL注入，迁移到发光结构中。当二者在发光结构中相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
可选地，OLED显示面板为底发光型显示面板，发光元件的阳极15为透明金属电极，阴极为反射金属电极，发光元件发射的光线由阴极指向阳极15。进一步可选的，阳极15采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透光导电材料制成。可选的，阴极采用铝、银等不透明金属制成。
封装层300位于发光层200背离阵列基板100的一侧。封装层300包括依次层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层。第一无机层和第二无机层均为透明的无机膜层，其材质可以包括以下材料中的一种或多种：氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)、氧化铪(HFO2)、氧化钽(Ta2O5)、氮化硅(Si3N4)、氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO或SiO2)、碳化硅(SiC)、硅碳氮(SiCNx)、氧化烟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。无机材料既具有良好的透光性能，又具有很好的水氧阻挡性能。有机层为图案化的有机层，其具有较高的弹性，有机层夹设于第一无机层和第二无机层之间，既可以抑制无机薄膜开裂，释放无机物之间的应力，还可以在提高整个封装层300的柔韧性，从而实现可靠的柔性封装。
应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
文中使用的术语“衬底”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底本身可以被图案化。添加到衬底顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。
文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。驱动阵列层可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括衬底、所述衬底上设有多个子像素；所述子像素的非开口区包括遮光层、缓冲层、晶体管层、钝化层以及平坦化层；所述子像素的开口区包括缓冲层、钝化层、色阻层以及平坦化层；其特征在于，
所述阵列基板还包括第一电极板和第二电极板，所述第一电极板和第二电极板为透明材料制成；所述第一电极板设于所述衬底和所述缓冲层之间，所述第一电极板至少位于所述开口区；所述第二电极板设于所述缓冲层和所述钝化层之间，所述第二电极板至少位于所述开口区；所述第二电极板和所述晶体管层的有源层电性连接；所述阵列基板还包括存储电容，所述存储电容的一极至少包括所述第一电极板，所述存储电容的另一极至少包括所述第二电极板和所述有源层；
其中，所述第一电极板延伸至所述非开口区；所述第一电极板在所述非开口区的部分位于所述遮光层和衬底之间的位置；所述遮光层被所述缓冲层包裹；所述第一电极板和所述遮光层之间间隔有所述缓冲层；所述遮光层和所述有源层之间也间隔有所述缓冲层；所述第一电极板的一端和所述第二电极板的一端电性连接；所述第一电极板、所述遮光层、所述第二电极板、所述有源层以及所述缓冲层共同构成所述存储电容。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层采用金属材料制成；所述第一电极板和所述遮光层电性连接；所述第一电极板和所述遮光层构成所述存储电容的一极，所述第二电极板和所述有源层构成所述存储电容的另一极。
3.根据权利要求1至2任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底上设有凹槽，所述第一电极板和所述遮光层同层并列设置，所述第一电极板和所述遮光层均镶嵌于所述凹槽中。
4.根据权利要求1至2任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底上设有凹槽；所述第一电极板镶嵌于所述凹槽中。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层采用非透明材料，所述有源层的两端与所述遮光层的两端对齐，两个相邻所述子像素的遮光层和有源层共同形成出射通道，以对光线起到校准和校直作用。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层的两端位置设有第一挡光部，所述第一挡光部具有第一反射面，所述第一反射面为迎向光线入射方向的斜面；所述第一反射面的倾角范围是30°至80°。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的两端位置设有第二挡光部，所述第二挡光部具有第二反射面，所述第二反射面为迎向光线入射方向的斜面；所述第二反射面的倾角范围是30°至80°。
8.一种如权利要求1至7任一项所述的阵列基板的制备方法，所述阵列基板具有开口区和非开口区，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底上形成第一电极板，再在所述第一电极板上形成遮光层，其中，所述第一电极板位于所述衬底与所述遮光层之间，且所述第一电极板为透明层；
利用半色调掩膜工艺对所述第一电极板和所述遮光层进行分步刻蚀，在开口区下方刻蚀掉所述遮光层；
在所述遮光层和所述第一电极板上形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述第一电极板；
在所述缓冲层上形成晶体管层和第二电极板，其中，所述晶体管层包括有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和钝化层，所述第二电极板与所述有源层同层设置，所述第二电极板至少位于所述开口区，且所述第二电极板为透明层，所述第一电极板在所述衬底上的正投影覆盖所述晶体管层和所述第二电极板在所述衬底上的正投影。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求1至7任一项所述的阵列基板；
发光层，位于所述阵列基板上，所述发光层包括阵列分布的多个发光元件，所述发光元件与所述阵列基板的像素开口对应；以及，
封装层，位于所述发光层背离所述阵列基板的一侧。
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