CN104716091A - 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 356
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 57
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 54
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 38
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 3
- -1 Wherein Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 36
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/13—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body combined with thin-film or thick-film passive components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件。该制备方法包括：1）在基底上依次形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的第一金属层、第一绝缘材料层和第二金属层；2）在第二金属层上利用光刻胶和半色调掩膜对第二金属层、第一绝缘材料层和第一金属层刻蚀，在薄膜晶体管区形成分隔开的源极和漏极、栅极绝缘层和底栅极，在电容器区形成第二电极、第一介电层和第一电极。依此，薄膜晶体管的源漏极、栅极绝缘层和底栅极仅通过一个半色调掩膜即可刻蚀形成，同时形成了电容器的第二电极、第一介电层和第一电极，简化了工艺。本发明的阵列基板具有双栅极薄膜晶体管和并联两个电容的电容器，在增加驱动力的基础上，提高了电容容量。
Description
技术领域
本发明属于有机发光显示器件领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法，通过该方法制备的阵列基板以及该阵列基板构成的有机发光显示器件。
背景技术
有机发光显示器件（OLED）通过使用有机发光元件来显示图像。当电子和空穴在有机发射层中结合所产生的激子从激发态下降至基态时，释放出一定的能量来产生光，有机发光显示器件（OLED）通过使用这种光来显示图像。
一般来说，有机发光显示器件（OLED）需要使用多个薄膜晶体管，其中至少一个薄膜晶体管需要高电流驱动特性，以保证稳定地供给有机材料发光所需的电流。薄膜晶体管的驱动特性取决于晶体管的材料特性与晶体管结构。
传统的薄膜晶体管为单一栅极结构的设计，当半导体层（如a-Si，金属氧化物）的载流子迁移率比较低时，通过此薄膜晶体管充入像素电极的电荷流量有一定的极限，特别是当此薄膜晶体管用于有机电致发光显示器件的驱动晶体管时，可能存在驱动能力不足的问题。
为了提高显示器的分辨率而使得像素尺寸缩小之时，每一个像素内可以用于放置储存电容器的面积也必须相对地缩小，因此研究者一直不断地寻求将储存电容器所需的面积最小化的方法。
现有技术中薄膜晶体管和电容器各层的形成需要经过多道掩膜遮挡的刻蚀工艺，工艺复杂。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板的制备方法，该方法利用一道半色调掩膜即可形成薄膜晶体管的底栅极以及源极和漏极，并同时形成了电容器的第一电极和第二电极，可省略多道掩膜和刻蚀步骤。本发明提供了利用该方法制备得到的阵列基板，其具有双栅极结构的薄膜晶体管和并联两个电容的电容器。本发明还提供了由该阵列基板构成的有机发光显示器件。
本发明提供的有机发光显示器件的阵列基板的制备方法，包括如下步骤：
1）在基底上依次形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的第一金属层、第一绝缘材料层和第二金属层；
2）在第二金属层上利用光刻胶和半色调掩膜形成位于薄膜晶体管区的第一光刻胶层和位于电容器区的第二光刻胶层，第一光刻胶层具有相间设置的两个凹部和两个凸部；以第一光刻胶层和第二光刻胶层为遮挡对第二金属层、第一绝缘材料层和第一金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区依次形成源漏极层、栅极绝缘层和底栅极，在电容器区形成第二电极、第一介电层和第一电极；除去第一光刻胶层的凹部和凸部的上半部，以凸部的下半部为遮挡对源漏极层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成分隔开的源极和漏极。
优选地，步骤2）为在第二金属层上涂覆一层光刻胶，利用半色调掩膜进行光刻；在薄膜晶体管区形成具有不同厚度区域的第一光刻胶层，第一光刻胶层具有相间设置的两个凹部和两个凸部，在电容器区形成厚度与第一光刻胶层的凸部相同的第二光刻胶层；以第一光刻胶层和第二光刻胶层为遮挡对第二金属层、第一绝缘材料层和第一金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区依次形成源漏极层、栅极绝缘层和底栅极，在电容器区形成第二电极、第一介电层和第一电极；对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行灰化，除去第一光刻胶层的凹部和凸部的上半部，以凸部的下半部为遮挡对源漏极层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成分隔开的源极和漏极。
上述的制备方法，还包括如下步骤：
3）在薄膜晶体管区的源极和漏极上形成有源层，有源层包括形成于源极上的源区、形成于漏极上的漏区以及形成于源极和漏极之间的栅极绝缘层上的沟道区；
4）在薄膜晶体管区的有源层和电容器区的第二电极上形成一覆盖薄膜晶体管区和电容器区的连续的层间绝缘层；
5）在层间绝缘层上形成位于薄膜晶体管区的顶栅极和位于电容器区的第三电极。
优选地，步骤5）为在层间绝缘层上形成第三金属层，对第三金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成顶栅极，顶栅极对应位于有源层的上方；在电容器区形成第三电极，第三电极对应位于第二电极上方。
其中，上述的制备方法，还包括如下步骤：
6）在薄膜晶体管区的顶栅极和电容器区的第三电极上形成一覆盖薄膜晶体管区和电容器区的平坦化层；
7）在薄膜晶体管区，通过对平坦化层、层间绝缘层和栅极绝缘层的对应位置刻蚀，形成显露出底栅极的第一通孔；通过对平坦化层的对应位置刻蚀，形成显露出顶栅极的第二通孔；通过对平坦化层和层间绝缘层的对应位置刻蚀，形成显露出漏极的第三通孔；
8）在平坦化层上形成分隔开的第一导电层和第二导电层；在薄膜晶体管区第一导电层通过形成于平坦化层、层间绝缘层和栅极绝缘层对应位置的第一通孔与底栅极耦合并通过形成于平坦化层的对应位置的第二通孔与顶栅极耦合；第二导电层通过形成于平坦化层和层间绝缘层对应位置的第三通孔与漏极耦合；在电容器区，第二导电层连续覆盖于平坦化层上；
9）在导电层上形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的像素限定层，该像素限定层形成有显露出第二导电层的像素开口部。
优选地，步骤8）为在平坦化层上形成一覆盖薄膜晶体管区和电容器区的导电层，对导电层进行刻蚀，形成分隔开的第一导电层和第二导电层；在薄膜晶体管区第一导电层通过形成于平坦化层、层间绝缘层和栅极绝缘层对应位置的第一通孔与底栅极耦合并通过形成于平坦化层的对应位置的第二通孔与顶栅极耦合；第二导电层通过形成于平坦化层和层间绝缘层对应位置的第三通孔与漏极耦合；在电容器区，第二导电层连续覆盖于平坦化层上。
进一步优选地，步骤8）为在平坦化层上形成导电层，通过刻蚀导电层形成分隔开的第一导电层和第二导电层，第一导电层连续覆盖于第一通孔内壁面、第二通孔内壁面、第一通孔显露出的底栅极部分以及第二通孔显露出的顶栅极部分； 第二导电层则连续覆盖第三通孔的内壁面和第三通孔显露出的漏极部分；
步骤9）为在导电层上形成像素限定层，像素限定层覆盖导电层并填充第一通孔、第二通孔和第三通孔内除导电层之外的空间，并在像素限定层上形成显露出第二导电层的像素开口部。
作为优选技术方案，步骤1）在基底上依次形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的缓冲层、第一金属层、第一绝缘材料层和第二金属层。
本发明提供上述的制备方法得到的有机发光显示器件的阵列基板，包括：形成于同一基底上的薄膜晶体管和电容器，
其中，薄膜晶体管包括：
基底，
底栅极，形成于所述基底上，
栅极绝缘层，形成于所述底栅极上，
分隔开的源极和漏极，形成于所述栅极绝缘层上，
有源层，包括形成于源极上的源区、形成于漏极上的漏区以及形成于源极和漏极之间的栅极绝缘层上的沟道区，
层间绝缘层，形成于有源层上，并包覆底栅极、栅极绝缘层、源极和漏极以及有源层的边缘，
顶栅极，形成于层间绝缘层上，对应位于有源层的上方；
电容器包括：
基底，
第一电极，形成于基底上，
第一介电层，形成于第一电极上，
第二电极，形成于第一介电层上，
层间绝缘层，形成于所述第二电极上，包覆第一电极、第一介电层和第二电极的边缘，该层间绝缘层与薄膜晶体管的层间绝缘层为一连续的绝缘材料层，
第三电极，形成于层间绝缘层上，对应位于第二电极上方。
其中，上述阵列基板还包括依次形成于薄膜晶体管和电容器上的平坦化层、导电层和像素限定层，
平坦化层，形成于顶栅极和第三电极上，并对应覆盖整个基底；
导电层，形成于平坦化层上，该导电层包括分隔开的第一导电层和第二导电层；第一导电层通过形成于平坦化层、层间绝缘层和栅极绝缘层对应位置的第一通孔与底栅极耦合并通过形成于平坦化层的对应位置的第二通孔与顶栅极耦合；第二导电层通过形成于平坦化层和层间绝缘层对应位置的第三通孔与漏极耦合；
像素限定层，形成于导电层上，覆盖整个基底，并形成有显露出第二导电层的像素开口部。
优选地，在平坦化层、层间绝缘层和栅极绝缘层的对应位置形成显露出底栅极的第一通孔；在平坦化层的对应位置形成显露出顶栅极的第二通孔；在平坦化层和层间绝缘层的对应位置形成显露出漏极的第三通孔；
导电层，形成于平坦化层上，包括分隔开的第一导电层和第二导电层，第一导电层连续覆盖于第一通孔内壁面、第二通孔内壁面、第一通孔显露出的底栅极部分以及第二通孔显露出的顶栅极部分； 第二导电层则连续覆盖第三通孔的内壁面和第三通孔显露出的漏极部分；
像素限定层，形成于导电层上，填充第一通孔、第二通孔和第三通孔内除导电层之外的空间，并形成有显露出第二导电层的像素开口部。
优选地，电容器的第一电极与薄膜晶体管的底栅极由同一金属层刻蚀形成；电容器的第一介电层与薄膜晶体管的栅极绝缘层由同一绝缘材料层刻蚀形成；电容器的第二电极与薄膜晶体管的源极和漏极由同一金属层刻蚀形成；电容器的第三电极与薄膜晶体管的顶栅极由同一金属层刻蚀形成。
优选地，基底之上、底栅极和第一电极之下还设有覆盖基底的缓冲层。
本发明还提供由上述的阵列基板构成的有机发光显示器件，所述有机发光显示器件包括：
所述阵列基板；
有机发光层，形成于所述阵列基板的像素开口部，像素开口部显露出的第二导电层即为有机发光二极管的下电极，有机发光层形成于有机发光二极管的下电极上；
有机发光二极管的上电极，形成于有机发光层上，并对应覆盖整个基底。
其中，有机发光显示器件还包括：保护材料层，形成于有机发光二极管的上电极上，覆盖有机发光二极管的上电极。
进一步地，上述述有机发光显示器件还包括：密封元件，形成于保护材料层上，以密封材料将密封元件与基板结合密封。
本发明能够达到以下技术效果：
1、本发明的制备方法中，薄膜晶体管的源漏极、栅极绝缘层和底栅极仅通过一个半色调掩膜即可刻蚀形成，简化了制备工艺，节省成本。
2、本发明阵列基板的具有双栅极薄膜晶体管和并联两个电容的电容器，在增加驱动力的基础上，提高电容容量，相应减小电容电极面积，从而可有效减小像素尺寸，增大像素密度，提高显示器件的分辨率。
附图说明
图1是本发明的阵列基板制备方法截面示意图一；
图2是本发明的阵列基板制备方法截面示意图二；
图3是本发明的阵列基板制备方法截面示意图三；
图4是本发明的阵列基板制备方法截面示意图四；
图5是本发明的阵列基板制备方法截面示意图五；
图6是本发明的阵列基板制备方法截面示意图六；
图7是本发明的阵列基板制备方法截面示意图七；
图8是本发明的阵列基板制备方法截面示意图八；
图9是本发明的阵列基板制备方法截面示意图九；
图10是本发明的阵列基板制备方法截面示意图十；
图11是本发明的阵列基板的截面示意图；
图12是本发明的有机发光器件的截面示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
由于现有技术中阵列基板的形成过程需要经过多道掩膜和刻蚀工艺，制程复杂，本发明提供了一种全新的制备方法，其利用一道半色调掩膜即可形成薄膜晶体管的底栅极以及源极和漏极，并同时形成了电容器的第一电极和第二电极，可省略多道掩膜和刻蚀步骤。并且利用该制备方法，本发明提供了一种具有双栅极薄膜晶体管的阵列基板，该阵列基板还具有并联两个电容的电容器，在增加驱动力的基础上，提高电容容量。
结合图1~11所示，作为最优选的实施方式，本发明提供的阵列基板的制备方法，具体步骤包括：
1）如图1所示，基底10分为薄膜晶体管区A和电容器区B，在基底上形成覆盖薄膜晶体管区A和电容器区B的第一金属层20、第一绝缘材料层30和第二金属层40（基底10和第一金属层20间还可设置形成一缓冲层，图中未示出）。第一金属层20可以由金属或金属合金形成，例如Al，Mo，Cr，Cu，Au，Ag，Ta，Ti，Al-Nd合金或Mo-W合金中的至少一种组成，但不限于此。实际生产中也可在基底10和第一金属层20之间沉积一层缓冲层（图中未示出），缓冲层可以由SiOx和/或SiNx形成。第一绝缘材料层30可以是SiOx，SiNx，SiON，Al2O3，TiO2，ZrO2等单层或组合的多层结构。第二金属层40可以是由Al，Mo，Cr，Pt，Cu，Ag，W，Ta，Ti，Al-Nd合金，Mo-W合金中的至少一种构成，但不限于此。
2）如图2所示，在第二金属层40上涂覆一层光刻胶，利用半色调掩膜在薄膜晶体管区A，形成具有不同厚度区域的第一光刻胶层700，第一光刻胶层700具有相间设置的凹部701和凸部702（如图所示一个凹部701相邻一个凸部702再相邻一个凹部701再一个凸部702），在电容器区B形成厚度与第一光刻胶层700的凸部702相同的第二光刻胶层800。
图3所示，以第一光刻胶层700和第二光刻胶层800为遮挡对第二金属层40、第一绝缘材料层30和第一金属层20进行刻蚀，在薄膜晶体管区A依次形成源漏极层41、栅极绝缘层31和底栅极21，在电容器区B形成第二电极42、第一介电层32和第一电极22；对第一光刻胶层700和第二光刻胶层800进行灰化，除去第一光刻胶层700的凹部701和凸部702的上半部，以凸部702的下半部为遮挡对源漏极层41进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成分隔开的源极411和漏极412；
本步骤中，利用半色调掩膜仅以一次光刻工艺形成了薄膜晶体管的底栅极、栅极绝缘层和源极、漏极，大大简化了生产工艺，节约成本。
3）在步骤2）形成的薄膜晶体管区A和电容器区B的最上层上，沉积一半导体材料层，其覆盖薄膜晶体管区A和电容器区B（图中未示出），该半导体材料层可以是由a-Si，金属氧化物如IGZO、IZO，或有机半导体材料形成。对该半导体层进行刻蚀，其在薄膜晶体管区A的源极411和漏极412形成有源层50，其余部分除去，有源层50包括形成于源极411上的源区、形成于漏极412上的漏区以及形成于源极411和漏极412之间的栅极绝缘层31上的沟道区（如图6所示）；
4）如图7所示，在薄膜晶体管区A的有源层50和电容器区B的第二电极42上形成一覆盖薄膜晶体管区A和电容器区B的连续的层间绝缘层60，其包覆薄膜晶体管区A底栅极21、栅极绝缘层31、源极411和漏极412、有源层50的边缘，以及电容器区B第一电极22、第一介电层32和第二电极42的边缘；
5）在层间绝缘层60上形成第三金属层（图中未示出），该第三金属层的可选的材质与第一金属层可选的材质相同。如图8所示，对第三金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区A形成顶栅极71，顶栅极71对应位于有源层50的上方；在电容器区B形成第三电极72，第三电极72对应位于第二电极42上方；
6）如图9所示，在薄膜晶体管区A的顶栅极71和电容器区B的第三电极72上形成一覆盖薄膜晶体管区A和电容器区B的平坦化层80，其包覆薄膜晶体管区A的顶栅极71边缘和电容器区B的第三电极72边缘，同时覆盖层间绝缘层60未被顶栅极71和第三电极72覆盖的部分，平坦化层的材质可以是有机或无机材料或有机材料和无机材料的组合，有机材料可以是聚酰亚胺，丙烯酸树脂酚树脂中的至少一种，无机材料可以是SiNx，SiOx或它们的组合形成；
7）在薄膜晶体管区A，通过对平坦化层80、层间绝缘层60和栅极绝缘层31的对应位置刻蚀（采用光刻与干刻），形成显露出底栅极21的第一通孔801；通过对平坦化层80的对应位置刻蚀，形成显露出顶栅极71的第二通孔802；通过对平坦化层80和层间绝缘层60的对应位置刻蚀，形成显露出漏极412的第三通孔803；
8）如图10所示，在平坦化层80上形成一覆盖薄膜晶体管区A和电容器区B的导电层。该导电层可以是透明材料层或反射材料层，当为透明导电材料时，可以是由ITO，IZO，ZnO以及In2O3中的一种以上形成；当为反射材料层时，可以为Ag，Al，Mg，Pt，Au，Cr，Ni，Nd或它们中的任意混合物中的一种以上形成的导电层，并且可以在反射材料层之上或者在反射材料层之上和之下形成透明材料层，透明材料层由 ITO，IZO，ZnO以及In2O3中的一种以上形成。
对导电层进行刻蚀，形成分隔开的第一导电层901和第二导电层902，第一导电层901通过形成于平坦化层80、层间绝缘层60和栅极绝缘层31对应位置的第一通孔801与底栅极21耦合并通过形成于平坦化层80的对应位置的第二通孔802与顶栅极71耦合；第二导电层902通过形成于平坦化层80和层间绝缘层60对应位置的第三通孔803与漏极412耦合，第二导电层902连续覆盖于平坦化层上；（具体的形状可如图10所示，在薄膜晶体管区A，导电层，形成于平坦化层80上，通过刻蚀形成分隔开的第一导电层901和第二导电层902，第一导电层901连续覆盖于第一通孔801内壁面、第二通孔802内壁面、第一通孔801显露出的底栅极21部分以及第二通孔802显露出的顶栅极71部分，以实现顶栅极71与底栅极21的电连接； 第二导电层902则连续覆盖第三通孔803的内壁面、第三通孔803显露出的漏极412部分）；
9）在导电层上形成像素限定层100（如图11所示，像素限定层100对应覆盖薄膜晶体管区A和电容器区B，并填充第一通孔801、第二通孔802和第三通孔803内除导电层之外的空间）。像素限定层的材质可以从聚酰亚胺，苯并环丁烯系列树脂，酚醛树脂和聚丙烯酸树脂中选择。该像素限定层100通过例如黄光工艺形成有显露出第二导电层902的像素开口部1001。（如图所示，第二导电层902在该开口部1001以及与第三通孔803之间之间连续覆盖，通过第三通孔与薄膜晶体管的漏极412耦合，由此实现有机发光二极管下电极与薄膜晶体管漏极412的电连接。）
如图11所示，经过上述方法制备得到的本发明的有机发光显示器件的阵列基板，包括：形成于同一基底10上的薄膜晶体管和电容器，以及依次形成于薄膜晶体管和电容器上的平坦化层80、导电层90和像素限定层100，
其中，薄膜晶体管包括：
基底10，
底栅极21，形成于基底10上，
栅极绝缘层31，形成于底栅极21上，
源极411和漏极412，形成于栅极绝缘层31上，源极411和漏极412分隔开，
有源层50，包括形成于源极411上的源区、形成于漏极412上的漏区以及形成于源极411和漏极412之间的栅极绝缘层31上的沟道区，
层间绝缘层60，形成于有源层50上，并包覆底栅极21、栅极绝缘层31、源极411和漏极412以及有源层50的边缘，
顶栅极71，形成于层间绝缘层60上，对应位于有源层50的上方；
电容器包括：
基底10，
第一电极22，形成于基底10上，
第一介电层32，形成于第一电极22上，
第二电极42，形成于第一介电层32上，
层间绝缘层60，形成于第二电极42上，包覆第一电极22、第一介电层32和第二电极42的边缘，该层间绝缘层60与薄膜晶体管的层间绝缘层60为一连续的绝缘材料层，
第三电极72，形成于层间绝缘层60上，对应位于第二电极42上方；
平坦化层80，形成于顶栅极71和第三电极72上，并对应覆盖整个基底10；
导电层，形成于平坦化层80上，该导电层包括分隔开的第一导电层901和第二导电层902；第一导电层901通过形成于平坦化层80、层间绝缘层60和栅极绝缘层31对应位置的第一通孔801与底栅极21耦合并通过形成于平坦化层80的对应位置的第二通孔802与顶栅极72耦合；第二导电层902通过形成于平坦化层80和层间绝缘层60对应位置的第三通孔803与漏极412耦合；
像素限定层100，形成于导电层上，覆盖整个基底10，并形成有显露出第二导电层902的像素开口部1001。
基底10和底栅极21之间还可形成一缓冲层（图中未示出），以避免薄膜晶体管受到诸如碱性离子等杂质的影响。
本发明阵列基板的具有双栅极薄膜晶体管和并联两个电容的电容器（第一电极22、第一介电层32和第二电极42构成第一电容，第二电极42、层间绝缘层60和第三电极72构成第二电容，两个电容为并联），在增加驱动力的基础上，提高电容容量，相应减小电容电极面积，从而可以减小像素尺寸，增大像素密度，提高显示器件的分辨率。
如图12所示，本发明的有机发光显示器件，包括：
通过本发明的上述阵列基板；
有机发光层200，形成于阵列基板的像素开口部1001，像素开口部1001显露出的第二导电层902为有机发光二极管的下电极，有机发光层200形成于有机发光二极管的下电极上。有机发光层200为包括但不限于空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层（EML）、电子传输层（ETL）、电子注入层（EIL）等构成的单层或多层结构。
有机发光二极管的上电极300，形成于有机发光层200上，并连续覆盖薄膜晶体管的平坦层80和电容器的平坦层80。上电极300可以形成为透明电极或反射电极。当形成为透明电极时，上电极300可以由包括Li，Ca，LiF/Ca，LiF/Al，Al，Mg，Ag，Pt，Pd，Au，Ni或它们中的任意混合物组成，并且可以包括由例如ITO，IZO，ZnO以及In2O3的透明电极材料形成的辅助电极层或汇流电极线。当形成为反射电极时，上电极300可以由包括Li，Ca，LiF/Ca，LiF/Al，Al，Mg，Ag，Pt，Pd，Au，Ni或它们中的任意混合物组成。
保护材料层400，形成于有机发光二极管的上电极300上，覆盖有机发光二极管的上电极300。
密封元件500，形成于保护材料层上；
密封元件500可以形成为面对阵列基板直接形成在保护层400上（未示出），也可以如图12所示用密封材料600将基底10和密封元件500结合进行密封。此密封结构保护有机发光装置不受外部湿气或氧气侵蚀。密封元件500可以是玻璃基板、塑料基板或者包括有机和无机材料的多层结构。当密封元件500是玻璃基板时，密封材料600可以采用UV胶固化封装或者玻璃粉用激光烧结封装，也可同时使用UV胶与玻璃粉进行激光烧结封装。
本发明的上述实施方式的有机发光显示器件，可以增大驱动薄膜晶体管（TFT）的电流驱动能力，并且可以形成增大了容量的像素电容，可以有效减少像素电容面积，由此图像质量得到改善,并且可以增大像素密度,提高分辨率。
以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。
Claims (16)
1.一种有机发光显示器件的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）在基底上依次形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的第一金属层、第一绝缘材料层和第二金属层；
2）在第二金属层上利用光刻胶和半色调掩膜形成位于薄膜晶体管区的第一光刻胶层和位于电容器区的第二光刻胶层，第一光刻胶层具有相间设置的两个凹部和两个凸部；以第一光刻胶层和第二光刻胶层为遮挡对第二金属层、第一绝缘材料层和第一金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区依次形成源漏极层、栅极绝缘层和底栅极，在电容器区形成第二电极、第一介电层和第一电极；除去第一光刻胶层的凹部和凸部的上半部，以凸部的下半部为遮挡对源漏极层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成分隔开的源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2）为在第二金属层上涂覆一层光刻胶，利用半色调掩膜进行光刻；在薄膜晶体管区形成具有不同厚度区域的第一光刻胶层，第一光刻胶层具有相间设置的两个凹部和两个凸部，在电容器区形成厚度与第一光刻胶层的凸部相同的第二光刻胶层；以第一光刻胶层和第二光刻胶层为遮挡对第二金属层、第一绝缘材料层和第一金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区依次形成源漏极层、栅极绝缘层和底栅极，在电容器区形成第二电极、第一介电层和第一电极；对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行灰化，除去第一光刻胶层的凹部和凸部的上半部，以凸部的下半部为遮挡对源漏极层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成分隔开的源极和漏极。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：
3）在薄膜晶体管区的源极和漏极上形成有源层，有源层包括形成于源极上的源区、形成于漏极上的漏区以及形成于源极和漏极之间的栅极绝缘层上的沟道区；
4）在薄膜晶体管区的有源层和电容器区的第二电极上形成一覆盖薄膜晶体管区和电容器区的连续的层间绝缘层；
5）在层间绝缘层上形成位于薄膜晶体管区的顶栅极和位于电容器区的第三电极。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤5）为在层间绝缘层上形成第三金属层，对第三金属层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成顶栅极，顶栅极对应位于有源层的上方；在电容器区形成第三电极，第三电极对应位于第二电极上方。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：
6）在薄膜晶体管区的顶栅极和电容器区的第三电极上形成一覆盖薄膜晶体管区和电容器区的平坦化层；
7）在薄膜晶体管区，通过对平坦化层、层间绝缘层和栅极绝缘层的对应位置刻蚀，形成显露出底栅极的第一通孔；通过对平坦化层的对应位置刻蚀，形成显露出顶栅极的第二通孔；通过对平坦化层和层间绝缘层的对应位置刻蚀，形成显露出漏极的第三通孔；
8）在平坦化层上形成分隔开的第一导电层和第二导电层；在薄膜晶体管区第一导电层通过形成于平坦化层、层间绝缘层和栅极绝缘层对应位置的第一通孔与底栅极耦合，并通过形成于平坦化层的对应位置的第二通孔与顶栅极耦合；第二导电层通过形成于平坦化层和层间绝缘层对应位置的第三通孔与漏极耦合；在电容器区，第二导电层连续覆盖于平坦化层上；
9）在导电层上形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的像素限定层，该像素限定层形成有显露出第二导电层的像素开口部。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤8）为在平坦化层上形成一覆盖薄膜晶体管区和电容器区的导电层，对导电层进行刻蚀，形成分隔开的第一导电层和第二导电层；在薄膜晶体管区第一导电层通过形成于平坦化层、层间绝缘层和栅极绝缘层对应位置的第一通孔与底栅极耦合并通过形成于平坦化层的对应位置的第二通孔与顶栅极耦合；第二导电层通过形成于平坦化层和层间绝缘层对应位置的第三通孔与漏极耦合；在电容器区，第二导电层连续覆盖于平坦化层上。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
步骤8）为在平坦化层上形成导电层，通过刻蚀导电层形成分隔开的第一导电层和第二导电层，第一导电层连续覆盖于第一通孔内壁面、第二通孔内壁面、第一通孔显露出的底栅极部分以及第二通孔显露出的顶栅极部分； 第二导电层则连续覆盖第三通孔的内壁面和第三通孔显露出的漏极部分；
步骤9）为在导电层上形成像素限定层，像素限定层覆盖导电层并填充第一通孔、第二通孔和第三通孔内除导电层之外的空间，并在像素限定层上形成显露出第二导电层的像素开口部。
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤1）在基底上依次形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的缓冲层、第一金属层、第一绝缘材料层和第二金属层。
9.权利要求3或4所述的制备方法得到的有机发光显示器件的阵列基板，其特征在于，包括：形成于同一基底上的薄膜晶体管和电容器，
其中，薄膜晶体管包括：
基底，
底栅极，形成于所述基底上，
栅极绝缘层，形成于所述底栅极上，
分隔开的源极和漏极，形成于所述栅极绝缘层上，
有源层，包括形成于源极上的源区、形成于漏极上的漏区以及形成于源极和漏极之间的栅极绝缘层上的沟道区，
层间绝缘层，形成于有源层上，并包覆底栅极、栅极绝缘层、源极和漏极以及有源层的边缘，
顶栅极，形成于层间绝缘层上，对应位于有源层的上方；
电容器包括：
基底，
第一电极，形成于基底上，
第一介电层，形成于第一电极上，
第二电极，形成于第一介电层上，
层间绝缘层，形成于所述第二电极上，包覆第一电极、第一介电层和第二电极的边缘，该层间绝缘层与薄膜晶体管的层间绝缘层为一连续的绝缘材料层，
第三电极，形成于层间绝缘层上，对应位于第二电极上方。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，还包括依次形成于薄膜晶体管和电容器上的平坦化层、导电层和像素限定层，
平坦化层，形成于顶栅极和第三电极上，并对应覆盖整个基底；
导电层，形成于平坦化层上，该导电层包括分隔开的第一导电层和第二导电层；第一导电层通过形成于平坦化层、层间绝缘层和栅极绝缘层对应位置的第一通孔与底栅极耦合并通过形成于平坦化层的对应位置的第二通孔与顶栅极耦合；第二导电层通过形成于平坦化层和层间绝缘层对应位置的第三通孔与漏极耦合；
像素限定层，形成于导电层上，覆盖整个基底，并形成有显露出第二导电层的像素开口部。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，在平坦化层、层间绝缘层和栅极绝缘层的对应位置形成显露出底栅极的第一通孔；在平坦化层的对应位置形成显露出顶栅极的第二通孔；在平坦化层和层间绝缘层的对应位置形成显露出漏极的第三通孔；
导电层，形成于平坦化层上，包括分隔开的第一导电层和第二导电层，第一导电层连续覆盖于第一通孔内壁面、第二通孔内壁面、第一通孔显露出的底栅极部分以及第二通孔显露出的顶栅极部分； 第二导电层则连续覆盖第三通孔的内壁面和第三通孔显露出的漏极部分；
像素限定层，形成于导电层上，填充第一通孔、第二通孔和第三通孔内除导电层之外的空间，并形成有显露出第二导电层的像素开口部。
12.根据权利要求10或11所述的阵列基板，其特征在于，电容器的第一电极与薄膜晶体管的底栅极由同一金属层刻蚀形成；电容器的第一介电层与薄膜晶体管的栅极绝缘层由同一绝缘材料层刻蚀形成；电容器的第二电极与薄膜晶体管的源极和漏极由同一金属层刻蚀形成；电容器的第三电极与薄膜晶体管的顶栅极由同一金属层刻蚀形成。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述基底之上、底栅极和第一电极之下还设有覆盖基底的缓冲层。
14.一种由权利要求10~13任一项所述的阵列基板构成的有机发光显示器件，其特征在于，所述有机发光显示器件包括：
所述阵列基板；
有机发光层，形成于所述阵列基板的像素开口部，像素开口部显露出的第二导电层即为有机发光二极管的下电极，有机发光层形成于有机发光二极管的下电极上；
有机发光二极管的上电极，形成于有机发光层上，并对应覆盖整个基底。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述有机发光显示器件还包括：
保护材料层，形成于有机发光二极管的上电极上，覆盖有机发光二极管的上电极。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述有机发光显示器件还包括：
密封元件，形成于保护材料层上，以密封材料将密封元件与基板结合密封。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310677480.0A CN104716091B (zh) | 2013-12-13 | 2013-12-13 | 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310677480.0A CN104716091B (zh) | 2013-12-13 | 2013-12-13 | 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104716091A true CN104716091A (zh) | 2015-06-17 |
| CN104716091B CN104716091B (zh) | 2018-07-24 |
Family
ID=53415283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310677480.0A Active CN104716091B (zh) | 2013-12-13 | 2013-12-13 | 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104716091B (zh) |
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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