CN204289455U - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了有机发光二极管显示装置，其包括：基板；多个发光元件，设置在所述基板上，所述发光元件包括依次设置的第一电极、有机发光层和第二电极；辅助电极，设置在所述基板上，并与所述第二电极连接，且远离所述第一电极。该有机发光二极管显示装置，将与第二电极连接的辅助电极设置在基板上，降低第二电极的电阻，从而降低整个第二电极的不同位置之间的电压差，可以降低功耗，并且减小发光元件之间的亮度差异。

Description

有机发光二极管显示装置

技术领域

本实用新型涉及有机发光二极管显示领域，特别是涉及一种有机发光二极管显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置由于其具有自发光、广视角、响应时间短、高发光率、色域广、工作电压低、可挠曲等特点，故被认为是21世纪的明星平面显示产品。OLED显示装置包括设置有发光元件的基板，所述发光元件均包括有机发光层，以及封装层。

OLED显示装置可以根据从有机发光层发射的光的方向分为底发光模式和顶发光模式。目前，大尺寸的OLED显示装置多为底发光模式，但是，有机发光层发出的光在经过基板时，势必会被建立在基板上的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)和金属线电路阻挡，开口率较低，实际发光面积受到限制，像素分辨率难以提升、发光亮度也会受到影响。高分辨率、高亮度、长寿命的面板是未来趋势，由于顶发光模式的OLED显示装置具有较高的开口率势必会成为未来的主流方向。

但是，顶发光模式的OLED显示装置的有机发光层的发光方向为朝向封装层的，为了保证光线的透过率，OLED的阴极的厚度需要很薄。特别是对于大尺寸的OLED显示装置，阴极具有非常大的方阻，这样会在整个阴极的不同位置之间产生电压差，引起发光亮度的均一性不同的问题。OLED显示装置的尺寸越大，阴极的面积也就越大，这样阴极的电压差也就越大，通常可以通过增加驱动电压的方法来减小电压差，但是这样会引起功耗的增加。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种解决阴极电阻较大、减小共阴极不同位置电压差的有机发光二极管显示装置。

一种有机发光二极管显示装置，其包括：基板；多个发光元件，设置在所述基板上，所述发光元件包括依次设置的第一电极、有机发光层和第二电极；辅助电极，设置在所述基板上，并与所述第二电极连接，且远离所述第一电极。

在其中一个实施例中，所述多个发光元件的第二电极连接，形成共电极。

在其中一个实施例中，所述辅助电极包括多个电极，所述电极与相应的发光元件的第二电极连接，所述多个电极成行成列或成行或成列设置。

在其中一个实施例中，所述辅助电极与所述第二电极之间还设置有导电层，所述导电层与所述第一电极的材料相同。

在其中一个实施例中，所述辅助电极与所述多个发光元件的第一电极之间设置钝化层。

在其中一个实施例中，还包括像素限定层，所述像素限定层设置在第一电极和所述钝化层上，用以限定有机发光层的区域。

在其中一个实施例中，所述辅助电极的电阻率低于所述第二电极的电阻率。

在其中一个实施例中，还包括与所述发光元件对应的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与对应的发光元件的第一电极连接。

在其中一个实施例中，还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层封装所有所述发光元件。

上述有机发光二极管显示装置，将与第二电极连接的辅助电极设置在基板上，降低第二电极的电阻，从而降低整个第二电极的不同位置之间的电压差，可以降低功耗，并且减小发光元件之间的亮度差异。

上述有机发光二极管显示装置，像素限定层设置在辅助电极的上方，易于后续薄膜封装，使得该有机发光二极管显示装置容易制造成柔性显示装置。

附图说明

图1为本实用新型的有机发光二极管显示装置具有单个发光元件的剖面示意图；

图2为本实用新型中的辅助电极的俯视示意图；

图3为本实用新型的有机发光二极管显示装置的局部剖面示意图。

具体实施方式

请参考图1和图3，图1和图3为本实用新型的有机发光二极管显示装置的局部剖面示意图，其内部器件的大小比例并不代表实际中的各个器件的大小比例。该有机发光二极管显示装置包括基板110和设置在基板110上的多个发光元件140以及辅助电极130。

每个发光元件140包括依次设置的第一电极141、有机发光层142和第二电极143，在本实施方式中，第一电极141作为发光元件140的阳极，第二电极作为发光元件140的阴极。第一电极141设置在基板110上，第一电极141上设置有机发光层142，有机发光层142可以包括发光层，还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等以提高发光效率。

辅助电极130也设置在基板110上，与第二电极143连接，并且辅助电极130远离第一电极141，避免辅助电极130和第一电极141短接。在本实施方式中，多个发光元件的第二电极143相互连接形成多个发光元件140的共阴极。通过辅助电极130与第二电极143连接，可以有效的降低辅助电极130和第二电极143组成的结构的电阻，从而降低或者最小化第二电阻143不同位置的电压差，进而降低功耗，并且减小发光元件之间的亮度差异。

辅助电极130包括多个电极，这些电极与发光元件140之间，可以为一一对应，也可以为一个电极对应多个发光元件140。现在请参考图2，图2为本实施方式中的辅助电极130的俯视图，在本实施方式中，辅助电极130包括多个经图案化后的金属层形成的电极131，当然，辅助电极130也可以为其他导电材料形成的电极131。在本实施方式中，电极131与发光元件140为一一对应的关系，即一个电极131与一个发光元件140的第二电极143连接，这些电极131成行成列的设置在基板110上，当多个发光元件140的第二电极143形成共阴极时，这些电极131与共阴极连接。当然，辅助电极130中的电极131还可以对应多个发光元件140，这样的电极131呈条状，成行或成列的设置在基板110上，并与相应的第二电极143连接，当多个发光元件140的第二电极143形成共阴极时，这些电极131与共阴极连接。

请继续参考图1，在本实施方式中，该有机发光二极管显示装置还包括薄膜晶体管1130，每个发光元件140对应一个薄膜晶体管1130，薄膜晶体管1130与对应的发光元件140的第一电极141连接。薄膜晶体管1130和电容(图未示)来为发光元件提供固定电流。薄膜晶体管1130包括半导体层1131、栅电极1133和源/漏电极1134。半导体层1131提供源极区域和漏极区域以及沟道区域。栅电极1133通过栅极绝缘层1132与半导体层1131绝缘。栅极绝缘层1132上设置有第一绝缘层112。源/漏电极1134通过形成在栅极绝缘层1132和第一绝缘层112上的接触孔连接半导体层1131。此外，该有机发光二极管显示装置还包括缓冲层111、第二绝缘层114，缓冲层111设置在基板110上，第二绝缘层114设置于第一绝缘层112之上，对该第二绝缘层114进行图案化，暴露源/漏电极1134。

在第二绝缘层114上沉积金属层或者导电材料层，并将该金属层或导电材料层图案化，形成相应形状的辅助电极130。并继续沉积钝化层120，并且对钝化层120进行刻蚀，以暴露辅助电极130和源/漏电极1134。然后，再沉积第一电极层，并对第一电极层图案化形成发光元件140的第一电极141，该第一电极141通过形成在第二绝缘层114和钝化层120上的接触孔连接源/漏电极1134。在本实施方式中，可以将沉积在辅助电极130上的第一电极层刻蚀，这样辅助电极130与发光元件140的第二电极143直接连接；也可以保留沉积在辅助电极130上的第一电极层，该第一电极层即为导电层150，这样发光元件140的第二电极143通过该导电层150连接该辅助电极130。

在本实施方式中，在第一电极141、钝化层120和辅助电极130/导电层150上沉积像素限定层160并将其图案化，该像素限定层160暴露全部或局部的第一电极141，在该第一电极141上设置有机发光层142，这样该像素限定层可以限定有机发光层142的区域，即限定了发光元件140的发光区域；该像素限定层160还暴露全部或局部的辅助电极130的连接区域，这样第二电极143可以与辅助电极130形成有效的连接。在此，该像素限定层160还隔离第一电极141和第二电极143，不会使上述两者之间短路。在本实施方式中，辅助电极130的电阻率低于第二电极143的电阻率，该辅助电极130可以由电阻率较低的金属形成，如Al、Mo、Cr、Pt、W、Cu、Ag、Au等形成。在本实施方式中，辅助电极130设置在像素限定层160的下方，这样易于后续薄膜封装，使得该有机发光二极管显示装置容易制造成柔性显示装置

请参考图3，图3示出的有机发光二极管显示装置包括了多个发光元件140和相对应的薄膜晶体管1130，该有机发光二极管显示装置还包括了薄膜封装层170，该薄膜封装层170将所有的发光元件140封装了，实现了全薄膜封装，这样可以制成柔性的显示装置。

本实施方式中的有机发光二极管显示装置通过设置与第二电极连接的辅助电极的结构，从而降低整个第二电极的不同位置之间的电压差，进而降低功耗，并且减小发光元件之间的亮度差异。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，包括：

基板；

多个发光元件，设置在所述基板上，所述发光元件包括依次设置的第一电极、有机发光层和第二电极；

辅助电极，设置在所述基板上，并与所述第二电极连接，且远离所述第一电极。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述多个发光元件的第二电极连接，形成共电极。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述辅助电极包括多个电极，所述电极与相应的发光元件的第二电极连接，所述多个电极成行成列或成行或成列设置。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述辅助电极与所述第二电极之间还设置有导电层，所述导电层与所述第一电极的材料相同。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述辅助电极与所述多个发光元件的第一电极之间设置钝化层。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，还包括像素限定层，所述像素限定层设置在第一电极和所述钝化层上，用以限定有机发光层的区域。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述辅助电极的电阻率低于所述第二电极的电阻率。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，还包括与所述发光元件对应的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与对应的发光元件的第一电极连接。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层封装所有所述发光元件。