CN104882463A - Oled背板结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED背板结构，在OLED的阴极下方设有与阴极相接触的数层辅助导电层，可减小阴极的电阻，增强阴极的导电能力，使面内电压均匀，改善OLED显示的均一性，避免显示亮度不均等问题，并可以减小阴极的厚度，节省生产成本。

Description

OLED背板结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED背板结构。
背景技术
OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。
请参阅图1，为一种现有的OLED背板结构的剖面示意图，包括基板100、设于基板100上的TFT层700、设于所述TFT层700上的第一绝缘层710、设于所述第一绝缘层710上的第二绝缘层720、设于所述第二绝缘层720上的第一电极810、设于所述第一电极810与第二绝缘层720上的像素定义层830、设于所述像素定义层830与第一电极810上的发光层900、设于所述像素定义层830上的光阻间隙物840、设于所述像素定义层830、光阻间隙物840、及发光层900上的第二电极820。
所述像素定义层830上对应所述第一电极810上方设有第一过孔3110，所述第一绝缘层710、及第二绝缘层720上对应所述TFT层700上方设有第二过孔3150。所述发光层900经由所述第一过孔3110与所述第一电极810相接触，所述第一电极810经由所述第二过孔3150与所述TFT层700相接触。
在上述OLED背板结构中，所述第一电极810作为像素电极即OLED的阳极，第二电极820作为OLED的阴极，且所述第二电极820的厚度一般较薄；尤其是在顶发光型OLED背板结构中，需制作透明阴极，因此需要更薄的第二电极820，然而在第二电极820较薄的情况下，电阻较大，尤其在大尺寸显示器中，有可能造成面内电压不均，影响显示的均一性，造成亮度不均(mura)等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED背板结构，阴极的电阻较小，导电能力强，面内电压均匀，可改善OLED显示的均一性，且阴极较薄，透光性较好，生产成本低。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED背板结构，包括基板、设于所述基板上的TFT层、设于所述TFT层上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第二绝缘层、设于所述第二绝缘层上的第一电极、设于所述第一电极与第二绝缘层上的像素定义层、设于所述像素定义层与第一电极上的发光层、设于所述像素定义层上的光阻间隙物、设于所述像素定义层、光阻间隙物、及发光层上的第二电极；
所述第二电极下方设有与所述第一电极相间隔的数层辅助导电层，所述第二电极与所述辅助导电层相接触。
所述像素定义层上对应所述第一电极上方设有第一过孔，所述第一绝缘层、及第二绝缘层上对应所述TFT层上方设有第二过孔；所述发光层经由所述第一过孔与所述第一电极相接触，所述第一电极经由所述第二过孔与所述TFT层相接触；
所述第一电极作为像素电极即OLED的阳极，所述第二电极作为OLED的阴极。
所述第二绝缘层上设有辅助导电层，所述像素定义层上对应所述辅助导电层上方设有第三过孔，所述第二电极经由所述第三过孔与所述辅助导电层相接触。
所述辅助导电层与所述第一电极采用同一道光罩制备。
所述第一绝缘层上设有辅助导电层，所述像素定义层、及第二绝缘层上对应所述辅助导电层上方设有第三过孔，所述第二电极经由所述第三过孔与所述辅助导电层相接触。
所述辅助导电层单独制作或与其他导电电极同时制作。
所述第一绝缘层上设有第一辅助导电层，所述第二绝缘层上设有第二辅助导电层，所述像素定义层上对应所述第二辅助导电层上方设有第三过孔，所述第二绝缘层上对应所述第一辅助导电层上方设有第四过孔；所述第二辅助导电层经由所述第四过孔与所述第一辅助导电层相接触，所述第二电极经由所述第三过孔与所述第二辅助导电层相接触。
所述辅助导电层的材料为ITO。
所述辅助导电层呈连续网格状分布，或者由数个间隔设置的辅助导电块组成。
各层辅助导电层的排布方式相同或不同。
本发明的有益效果：本发明的OLED背板结构，在OLED的阴极下方设有与阴极相接触的数层辅助导电层，从而减小了阴极的电阻，增强了阴极的导电能力，使面内电压均匀，改善了OLED显示的均一性，避免了显示亮度不均等问题，并可以减小阴极的厚度，节省生产成本。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为一种现有的OLED背板结构的剖面示意图；
图2为本发明的OLED背板结构的第一实施例的剖面示意图；
图3为本发明的OLED背板结构的第二实施例的剖面示意图；
图4为本发明的OLED背板结构的第三实施例的剖面示意图；
图5为本发明的OLED背板结构的辅助导电层的一种分布方式的俯视示意图；
图6为本发明的OLED背板结构的辅助导电层的另一种分布方式的俯视示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请同时参阅图2至图4，本发明提供一种OLED背板结构，包括基板1、设于所述基板1上的TFT层70、设于所述TFT层上的第一绝缘层71、设于所述第一绝缘层71上的第二绝缘层72、设于所述第二绝缘层72上的第一电极81、设于所述第一电极81与第二绝缘层72上的像素定义层83、设于所述像素定义层83与第一电极81上的发光层90、设于所述像素定义层83上的光阻间隙物84、设于所述像素定义层83、光阻间隙物84、及发光层90上的第二电极82。
所述第二电极82下方设有与所述第一电极81相间隔的数层辅助导电层，所述第二电极82与所述辅助导电层相接触。
具体地，所述像素定义层83上对应所述第一电极81上方设有第一过孔311，所述第一绝缘层71、及第二绝缘层72上对应所述TFT层70上方设有第二过孔315。
所述发光层90经由所述第一过孔311与所述第一电极81相接触，所述第一电极81经由所述第二过孔315与所述TFT层70相接触。
其中，所述第一电极81作为像素电极即OLED的阳极，所述第二电极82作为OLED的阴极。
具体地，所述第一电极81的材料为ITO(氧化铟锡)。
请参阅图2，为本发明OLED背板结构第一实施例的剖面示意图。所述第二绝缘层72上设有辅助导电层85，所述像素定义层83上对应所述辅助导电层85上方设有第三过孔316，所述第二电极82经由所述第三过孔316与所述辅助导电层85相接触。
具体地，所述辅助导电层85可以与所述第一电极81采用同一道光罩制备。
具体地，所述辅助导电层85的材料可以是ITO或其他导电材料。
请参阅图3，为本发明OLED背板结构第二实施例的剖面示意图。所述第一绝缘层71上设有辅助导电层85’，所述像素定义层83、及第二绝缘层72上对应所述辅助导电层85’上方设有第三过孔316’，所述第二电极82经由所述第三过孔316’与所述辅助导电层85’相接触。
具体地，所述辅助导电层85’可以单独制作，也可以与其他导电电极如TFT层70的源/漏电极同时制作。
具体地，所述辅助导电层85’的材料可以是ITO或其他导电材料。
请参阅图4，为本发明OLED背板结构第三实施例的剖面示意图。所述第一绝缘层71上设有第一辅助导电层851，所述第二绝缘层72上设有第二辅助导电层852，所述像素定义层83上对应所述第二辅助导电层852上方设有第三过孔316”，所述第二绝缘层72上对应所述第一辅助导电层851上方设有第四过孔317；所述第二辅助导电层852经由所述第四过孔317与所述第一辅助导电层851相接触，所述第二电极82经由所述第三过孔316”与所述第二辅助导电层852相接触。
具体地，所述第一辅助导电层851、及第二辅助导电层852的材料可以是ITO或其他导电材料。
值得一提的是，在上述第一至第三实施例中，所述辅助导电层可以呈连续分布，如图5所示呈连续网格状分布，或者以其他形状连续分布；所述辅助导电层也可以呈非连续分布，如图6所示，所述辅助导电层由数个间隔设置的辅助导电块组成。在上述第三实施例中，各层辅助导电层的排布方式可以相同，也可以不同。
综上所述，本发明的OLED背板结构，在OLED的阴极下方设有与阴极相接触的数层辅助导电层，从而减小了阴极的电阻，增强了阴极的导电能力，使面内电压均匀，改善了OLED显示的均一性，避免了显示亮度不均等问题，并可以减小阴极的厚度，节省生产成本。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED背板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的TFT层(70)、设于所述TFT层(70)上的第一绝缘层(71)、设于所述第一绝缘层(71)上的第二绝缘层(72)、设于所述第二绝缘层(72)上的第一电极(81)、设于所述第一电极(81)与第二绝缘层(72)上的像素定义层(83)、设于所述像素定义层(83)与第一电极(81)上的发光层(90)、设于所述像素定义层(83)上的光阻间隙物(84)、设于所述像素定义层(83)、光阻间隙物(84)、及发光层(90)上的第二电极(82)；
所述第二电极(82)下方设有与所述第一电极(81)相间隔的数层辅助导电层，所述第二电极(82)与所述辅助导电层相接触。
2.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述像素定义层(83)上对应所述第一电极(81)上方设有第一过孔(311)，所述第一绝缘层(71)、及第二绝缘层(72)上对应所述TFT层(70)上方设有第二过孔(315)；所述发光层(90)经由所述第一过孔(311)与所述第一电极(81)相接触，所述第一电极(81)经由所述第二过孔(315)与所述TFT层(70)相接触；
所述第一电极(81)作为像素电极即OLED的阳极，所述第二电极(82)作为OLED的阴极。
3.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述第二绝缘层(72)上设有辅助导电层(85)，所述像素定义层(83)上对应所述辅助导电层(85)上方设有第三过孔(316)，所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316)与所述辅助导电层(85)相接触。
4.如权利要求3所述的OLED背板结构，其特征在于，所述辅助导电层(85)与所述第一电极(81)采用同一道光罩制备。
5.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述第一绝缘层(71)上设有辅助导电层(85’)，所述像素定义层(83)、及第二绝缘层(72)上对应所述辅助导电层(85’)上方设有第三过孔(316’)，所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316’)与所述辅助导电层(85’)相接触。
6.如权利要求5所述的OLED背板结构，其特征在于，所述辅助导电层(85’)单独制作或与其他导电电极同时制作。
7.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述第一绝缘层(71)上设有第一辅助导电层(851)，所述第二绝缘层(72)上设有第二辅助导电层(852)，所述像素定义层(83)上对应所述第二辅助导电层(852)上方设有第三过孔(316”)，所述第二绝缘层(72)上对应所述第一辅助导电层(851)上方设有第四过孔(317)；所述第二辅助导电层(852)经由所述第四过孔(317)与所述第一辅助导电层(851)相接触，所述第二电极(82)经由所述第三过孔(316”)与所述第二辅助导电层(852)相接触。
8.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述辅助导电层的材料为ITO。
9.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述辅助导电层呈连续网格状分布，或者由数个间隔设置的辅助导电块组成。
10.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，各层辅助导电层的排布方式相同或不同。
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