CN109546000A - 一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置，该显示基板包括衬底基板，衬底基板具有多个像素区域，每一像素区域包括位于衬底基板之上依次层叠设置的阳极层、有机功能层和阴极层；还包括位于阴极层背离衬底基板一侧且与阴极层并联接触的辅助电极，辅助电极为透明电极。本发明通过设置与阴极层并联接触的辅助电极，该并联后的辅助电极和阴极层的等效电阻小于阴极层本身的电阻，因此可以有效降低阴极层的电阻压降(IR Drop)，从而可以获得相对较高的画面质量。并且，由于该辅助电极为透明电极，不会影响从阴极出射的光线。
Description
技术领域
本发明涉及柔性显示技术领域，特别涉及一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示面板的显示基板包括薄膜晶体管阵列和发光件阵列，薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，发光件阵列包括阳极层、阴极层和设置在阳极层和阴极层之间的有机功能层。阳极层包括多个阳极，阳极与薄膜晶体管的漏极一一对应的连接。
通常通过在有机功能层的上方溅射氧化铟锡(ITO)等透明或者蒸镀半透明的金属材料来形成阴极层。如果通过溅射ITO的方式形成阴极层的话，有机功能层容易受到损伤，并降低有机发光二极管显示面板的发光效率。还可以通过蒸镀半透明的金属材料来形成阴极层，但是通过这种方式形成的阴极层通常具有较大的电阻，在显示时会产生较大的电阻压降(IR Drop)，最终降低显示面板的画面质量。
因此如何防止有机发光二极管显示面板在显示时产生较大的电阻压降(IRDrop)，造成画面质量降低成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示基板，用以解决现有技术中采用蒸镀半透明的金属材料来形成阴极层，在显示时会产生较大的电阻压降(IRDrop)，最终降低显示面板的画面质量的问题。
因此，本发明实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板具有多个像素区域，每一所述像素区域包括位于所述衬底基板之上依次层叠设置的阳极层、有机功能层和阴极层；还包括位于所述阴极层背离所述衬底基板一侧且与所述阴极层并联接触的辅助电极，所述辅助电极为透明电极。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括位于所述阴极层与所述辅助电极之间、且与所述像素区域一一对应的透明介质层；其中所述透明介质层在所述衬底基板的正投影覆盖所述像素区域在所述衬底基板的正投影。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述透明介质层的材料为有机绝缘材料或无机绝缘材料。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述透明介质层的折射率为1.0-2.5。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述透明介质层的厚度为30nm-300nm。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述阴极层的材料为半透明的金属材料，所述辅助电极的材料包括氧化铟锡、铟锌氧化物其中之一或组合。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述显示基板。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：
在衬底基板的像素区域依次形成阳极层、有机功能层和阴极层；
在形成有所述阴极层的衬底基板上形成与所述阴极层并联接触的辅助电极；其中所述辅助电极为透明电极。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在形成所述阴极层之后，形成所述辅助电极之前，还包括：
在形成有所述阴极层的衬底基板上形成与所述像素区域一一对应的透明介质层；其中所述透明介质层在所述衬底基板的正投影覆盖所述像素区域在所述衬底基板的正投影。
本发明的有益效果包括：
本发明实施例提供的显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置，该显示基板包括衬底基板，衬底基板具有多个像素区域，每一像素区域包括位于衬底基板之上依次层叠设置的阳极层、有机功能层和阴极层；还包括位于阴极层背离衬底基板一侧且与阴极层并联接触的辅助电极，辅助电极为透明电极。本发明通过设置与阴极层并联接触的辅助电极，该并联后的辅助电极和阴极层的等效电阻小于阴极层本身的电阻，因此可以有效降低阴极层的电阻压降(IR Drop)，从而可以获得相对较高的画面质量。并且，由于该辅助电极为透明电极，不会影响从阴极出射的光线。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的不同厚度和不同折射率的透明介质层对应的阴极层出射的光的亮度示意图；
图3为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的流程图之一；
图4为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的流程图之二；
图5A、图5B分别为本发明实施例执行各步骤后的剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各层薄膜厚度和形状不反映显示基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种显示基板，如图1所示，包括衬底基板10，衬底基板10具有多个像素区域A，每一像素区域A包括位于衬底基板10之上依次层叠设置的阳极层11、有机功能层12和阴极层13(可以理解的是，阴极层13是一整层的结构)；还包括位于阴极层13背离衬底基板10一侧且与阴极层13并联接触的辅助电极14，辅助电极14为透明电极。
本发明实施例提供的显示基板包括衬底基板，衬底基板具有多个像素区域，每一像素区域包括位于衬底基板之上依次层叠设置的阳极层、有机功能层和阴极层；还包括位于阴极层背离衬底基板一侧且与阴极层并联接触的辅助电极，辅助电极为透明电极。本发明通过设置与阴极层并联接触的辅助电极，该并联后的辅助电极和阴极层的等效电阻小于阴极层本身的电阻，因此可以有效降低阴极层的电阻压降(IR Drop)，从而可以获得相对较高的画面质量。并且，由于该辅助电极为透明电极，不会影响从阴极出射的光线。
具体实施时，在向阴极层通电时，电流会同时传导至辅助电极，辅助电极与阴极层并联设置，形成组合件，该组合件的电阻小于阴极层本身的电阻。与未设置辅助电极的显示基板相比，本发明所提供的显示基板的阴极层的电阻压降(IR Drop)较小，因此，电信号在阴极层以及辅助电极中的损失也相对较小，从而可以获得相对较高的画面质量。
进一步地，在具体实施时，由于辅助电极是透明的金属氧化物电极，透明的金属氧化物电极需要采用磁控溅射法制备，磁控溅射的过程中的温度较高，会对阴极层有损伤，影响阴极层载流子的注入，因此在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1所示，还包括位于阴极层13与辅助电极14之间、且与像素区域A一一对应的透明介质层15；其中透明介质层15在衬底基板10的正投影覆盖像素区域A在衬底基板10的正投影；由于透明介质层15仅与像素区域A对应，在非像素区域(像素区域A之间)没有设置透明介质层15，阴极层13通过与位于非像素区域的辅助电极实现电连接，因此本发明在像素区域A可以实现不破坏阴极层，在非像素区域可以实现辅助电极14与阴极层13并联接触，从而在不破坏阴极层13的基础上实现降低阴极层13的电阻压降(IR Drop)，从而可以获得相对较高的画面质量。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，透明介质层的材料可以为有机绝缘材料或无机绝缘材料，具体的，只要是能够实现透明且绝缘的材料都属于本发明保护的范围。
在具体实施时，可以通过调节透明介质层的折射率或厚度来调节从阴极层出射的光的亮度，如图2所示，图2为不同厚度的透明介质层和不同折射率的透明介质层对应的从阴极层出射的光的亮度，从图中可以看出，改变透明介质层的折射率和厚度都会对器件亮度产生影响，因此合理的材料选择和厚度调节，可以对器件的出光特性进行改善。具体地，图2的横坐标表示透明介质层厚度，用thickness表示厚度，单位为nm；纵坐标表示阴极层出射的光的强度，用Luminance表示，图2右侧的从1.1至2.3表示不同折射率的透明介质层，折射率1.1至2.3对应的曲线是从下到上；以同一折射率来看，不同厚度的透明介质层对应的出射的光的强度不同，以同一厚度来看，不同折射率的透明介质层对应的出射的光的强度也不同，因此，可以通过调节透明介质层的厚度或折射率来调节阴极层出射的光的强度。
因此，在本发明实施例提供的上述显示基板中，透明介质层的折射率为1.0-2.5，在此不做限定。
因此，在本发明实施例提供的上述显示基板中，透明介质层的厚度为30nm-300nm，在此不做限定。当然，在具体实施时，透明介质层的厚度也可以比本发明实施例提供的厚度宽，具体地可以根据工艺的实际需要选择透明介质层的厚度，均属于本发明保护的范围。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，阴极层的材料为半透明的金属材料，这样可以采用蒸镀的方法形成阴极层，不会破坏有机功能层的性能；辅助电极的材料可以包括氧化铟锡、铟锌氧化物其中之一或组合。当然，辅助电极的材料还可以包括其它的透明导电材料，均属于本发明保护的范围。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，如图3所示，包括：
S301、在衬底基板的像素区域依次形成阳极层、有机功能层和阴极层；
S302、在形成有阴极层的衬底基板上形成与阴极层并联接触的辅助电极；其中辅助电极为透明电极。
本发明实施例提供的显示基板的制作方法，通过设置与阴极层并联接触的辅助电极，该并联后的辅助电极和阴极层的等效电阻小于阴极层本身的电阻，因此可以有效降低阴极层的电阻压降(IR Drop)，从而可以获得相对较高的画面质量。并且，由于该辅助电极为透明电极，不会影响从阴极出射的光线。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板的制作方法中，如图4所示，在形成阴极层之后，形成辅助电极之前，还包括：
S302’、在形成有阴极层的衬底基板上形成与像素区域一一对应的透明介质层；其中透明介质层在衬底基板的正投影覆盖像素区域在衬底基板的正投影。
在具体实施时，由于辅助电极是透明的金属氧化物电极，透明的金属氧化物电极需要采用磁控溅射法制备，磁控溅射的过程中的温度较高，会对阴极层有损伤，影响阴极层载流子的注入，因此在本发明实施例提供的上述显示基板的制作方法中，在阴极层与辅助电极之间形成仅与像素区域一一对应的透明介质层，采用磁控溅射制备辅助电极时不会破坏阴极层，并且在非像素区域可以实现辅助电极与阴极层并联接触，从而在不影响阴极层载流子的注入的基础上实现降低阴极层的电阻压降(IR Drop)，从而可以获得相对较高的画面质量。
下面通过具体实施例对图1所示的显示基板的制作方法进行详细阐述。
(1)在衬底基板10的像素区域A依次形成阳极层11、有机功能层12和阴极层13，如图5A所示；具体地，采用蒸镀的方法形成阳极层11、有机功能层12和阴极层13。
(2)在形成有阴极层13的衬底基板10上形成与像素区域A一一对应的透明介质层15，如图5B所示；具体地，可以在阴极层13的上方形成一整层的透明介质层15，通过光刻工艺保留位于像素区域A的透明介质层15，去除位于非像素区域的透明介质层15；或者，也可以利用高精度金属掩模板(Fine Metal Mask，FMM)采用蒸镀的方式直接仅在像素区域A形成图案化的透明介质层15；这样像素区域A的透明介质层15可以防止阴极层被破坏，非像素区域可以实现后续制备的辅助电极与阴极层13并联设置。
(3)采用磁控溅射法在形成有透明介质层15的衬底基板10上形成与阴极层13并联设置的透明的辅助电极14，如图1所示。
通过上述实施例一的步骤(1)至步骤(3)后可以得到本发明实施例提供的图1所示的显示基板。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述任一种显示基板。该显示面板解决问题的原理与前述显示基板相似，因此该显示面板的实施可以参见前述显示基板的实施，重复之处在此不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。由于该显示装置解决问题的原理与前述一种显示基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示基板的实施，重复之处不再赘述。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为全面屏显示装置，或者也可以为柔性显示装置等，在此不作限定。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为如图6所示的全面屏的手机。当然，本发明实施例提供的上述显示装置也可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置，该显示基板包括衬底基板，衬底基板具有多个像素区域，每一像素区域包括位于衬底基板之上依次层叠设置的阳极层、有机功能层和阴极层；还包括位于阴极层背离衬底基板一侧且与阴极层并联接触的辅助电极，辅助电极为透明电极。本发明通过设置与阴极层并联接触的辅助电极，该并联后的辅助电极和阴极层的等效电阻小于阴极层本身的电阻，因此可以有效降低阴极层的电阻压降(IR Drop)，从而可以获得相对较高的画面质量。并且，由于该辅助电极为透明电极，不会影响从阴极出射的光线。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板具有多个像素区域，每一所述像素区域包括位于所述衬底基板之上依次层叠设置的阳极层、有机功能层和阴极层；还包括位于所述阴极层背离所述衬底基板一侧且与所述阴极层并联接触的辅助电极，所述辅助电极为透明电极。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括位于所述阴极层与所述辅助电极之间、且与所述像素区域一一对应的透明介质层；其中所述透明介质层在所述衬底基板的正投影覆盖所述像素区域在所述衬底基板的正投影。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述透明介质层的材料为有机绝缘材料或无机绝缘材料。
4.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述透明介质层的折射率为1.0-2.5。
5.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述透明介质层的厚度为30nm-300nm。
6.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阴极层的材料为半透明的金属材料，所述辅助电极的材料包括氧化铟锡、铟锌氧化物其中之一或组合。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的显示基板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示面板。
9.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的像素区域依次形成阳极层、有机功能层和阴极层；
在形成有所述阴极层的衬底基板上形成与所述阴极层并联接触的辅助电极；其中所述辅助电极为透明电极。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在形成所述阴极层之后，形成所述辅助电极之前，还包括：
在形成有所述阴极层的衬底基板上形成与所述像素区域一一对应的透明介质层；其中所述透明介质层在所述衬底基板的正投影覆盖所述像素区域在所述衬底基板的正投影。
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108598120A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104022139A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
| US20150008458A1 (en) * | 2002-01-24 | 2015-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same |
| US20150243713A1 (en) * | 2007-07-06 | 2015-08-27 | Sony Corporation | Method for manufacturing organic el display and organic el display |
| CN106953026A (zh) * | 2017-03-21 | 2017-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN107611280A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管基板及其制造方法 |
| CN108807497A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种amoled显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101268532B1 (ko) * | 2012-01-18 | 2013-05-28 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자 |
| DE102013105905B4 (de) * | 2013-06-07 | 2023-04-27 | Pictiva Displays International Limited | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
| CN103545345B (zh) * | 2013-11-11 | 2016-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| KR102390441B1 (ko) * | 2015-10-15 | 2022-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| JP2017084549A (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US20190058024A1 (en) * | 2017-08-21 | 2019-02-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and method for manufacturing same |
| CN107863456A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-03-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器及其制作方法 |
-
2018
- 2018-11-22 CN CN201811396525.6A patent/CN109546000A/zh active Pending
-
2019
- 2019-05-10 US US16/409,369 patent/US10978664B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150008458A1 (en) * | 2002-01-24 | 2015-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same |
| US20150243713A1 (en) * | 2007-07-06 | 2015-08-27 | Sony Corporation | Method for manufacturing organic el display and organic el display |
| CN104022139A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
| CN106953026A (zh) * | 2017-03-21 | 2017-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN107611280A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管基板及其制造方法 |
| CN108807497A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种amoled显示面板及其制备方法 |
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