CN101055887A - 有机el显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种明亮且显示品质高的有机EL显示装置。在基板上具有多个有源元件和由有源元件控制而进行发光的多个有机EL元件，有机EL元件从基板侧开始按照下部电极、有机层及上部电极(CD)的顺序进行层叠，多个有机EL元件的上部电极(CD)为全部有机EL元件公用的电极，在上部电极(CD)和有机层之间具有电极，使夹着该电极的上部电极(CD)上的2点间的薄膜电阻比不夹着该金属电极的2点间的薄膜电阻低。

Description

有机EL显示装置
技术领域
本发明涉及有机EL显示装置。
背景技术
顶部发光型(以下称为“TE型”)的有源矩阵式有机EL(electroluminescence)显示装置(以下称为“AM-OLED”)与在先开发的产品的底部发光型(以下称为“BE型”)AM-OLED的较大不同点是发光的出射方向。
BE型AM-OLED在由有源元件来驱动矩阵状配置的各像素PXL的有源矩阵基板(以下称为“TFT基板”)上具有TFT基板侧的下部电极、包括由有机层构成的发光层的功能层OLBF、上部电极CD的层叠构造的结构(以下称为“有机EL元件”)，按每个像素PXL形成透明导电膜即ITO作为其下部电极，通过用有源元件控制流入形成在该ITO之上的发光层的电流来进行显示。因为在TFT基板侧射出由发光层产生的光，所以在发光层之上形成的上部电极CD成为在有效显示区域AR前面一并形成具有高反射特性的金属的结构。因为该具有高反射特性的金属的薄膜电阻低，所以能作为各像素PXL的公共电极使电位充分回归至驱动电路。
而在TE型AM-OLED中，因为并不是在TFT基板侧而是在上部电极CD侧射出由发光层产生的光，所以需要将下部电极取为具有反射特性的金属，将上部电极CD取为透明导电膜。这里的所谓透明导电膜并不仅仅是一般被称为透明导电膜的IZO、ITO、ZnO这样的In、Zn、Sn族氧化膜，而且也含有薄膜Ag、薄膜Al。因为由这些透明导电膜形成的电极的薄膜电阻大，所以作为上部电极CD，若仅是在有效显示区域AR的整个面一并形成，则会产生电位梯度，进而产生画面内的亮度倾斜。
在专利文献1和2中公开了如下技术：为了表面上降低光射出侧的透明导电膜的电阻而利用金属辅助电极将透明导电膜划分成某种程度的微小区域。在专利文献1中公开了下部电极间的作为绝缘膜的堤(bank)之下设置有与下部电极同层且被分离的辅助布线，而且通过接触孔使该辅助布线与上部电极CD连接的结构。在专利文献2中，公开了在有机EL元件的上部电极CD的上层、与堤相重叠的区域设置辅助布线的结构。
专利文献1：日本特开2001-230086号公报
专利文献2：日本特开2002-318556号公报
发明内容
在专利文献1中，通过接触孔使辅助电极和有机EL元件的下部电极之下的下层布线之间连接。若接触孔内形成包括发光层的有机EL元件的一个功能层OLBF，则由于电连接变得不可能，所以需要在接触孔附近设置功能层OLBF的形成偏移量以上的非形成区域。即若根据专利文献1的技术，则不得不降低开口率(平均1个像素PXL的发光面积(堤开口面积)在1个像素PXL全部面积中所占的比例)。
在专利文献2中，在上部电极CD之上形成辅助电极，即在比专利文献1更接近显示面的位置上形成辅助电极，因此，利用辅助电极和下部电极的反射特性差，将会在画面上看到清晰的辅助电极的反射现象。
本发明的目的在于提供一种明亮且画面上的亮度不均少的TE型AM-OLED。
本发明为了实现上述目的，例如采用以下方案。
在有机EL元件具有从TFT基板侧开始按照下部电极、包括有机发光层的功能层OLBF、上部电极CD的顺序层叠的结构的TE型AM-OLED中，将上部电极CD取为全部有机EL元件公用的电极，也就是，取为β电极，在其上部电极CD和功能层OLBF之间，形成由电导率比上部电极CD高的材料构成的辅助电极。
另外，换一种角度而言，当采用那样的结构时，是在作为β电极的上部电极CD和功能层OLBF之间形成辅助电极，则夹着该辅助电极的上部电极CD上的2点间的薄膜电阻比不夹着辅助电极的上部电极CD上的2点间的薄膜电阻低。
这样，通过使用电阻值比上部电极CD低的金属作为辅助电极，使在与上部电极CD重合的功能层OLBF之上的全部电极的薄膜电阻降低，能够抑制在面内的电压降。
通过在上部电极CD和功能层OLBF之间形成该辅助电极，具体而言是采用在上部电极CD的正下方将该辅助电极电连接在上部电极CD上的结构，在至显示面之间夹着上部电极CD，因此，因为辅助电极的反射光变得模糊，所以能够减少由辅助电极的反射引起的画面上的亮度不均，使显示品质得到提高。
作为该辅助电极的形状、结构、形成位置等，优选方式如下。
(1)法线方向的结构：堤上
当采用在下部电极和功能层OLBF之间具有通常被称为堤的、划分像素PXL的绝缘膜的结构的情况下，优选形成在与该堤重叠的位置。该堤为不发光区域，能够维持高开口率(发光面积/像素PXL的全部面积)。另外，当在功能层OLBF上添加辅助电极时，电场集中在该辅助电极的边缘，可能会在辅助电极和下部电极之间发生漏电电流，但若在堤上，因为离从堤露出的下部电极的距离远，所以几乎不发生漏电流。
对该配置换而言之，则也可以说是其结构具有按照下部电极、堤、至少一层的功能层OLBF、辅助电极、上部电极CD的顺序层叠的结构A和按照下部电极的下层的绝缘膜、堤、至少一层的功能层OLBF、辅助电极、上部电极CD的顺序层叠的结构B。在该结构A、B的层叠体中，形成“至少一层的功能层OLBF”是因为这样的原因：当进行涂敷蒸镀时，由于蒸镀偏差，有可能在堤上产生未进行蒸镀的区域。但相反地，通常，因为至少存一层进行β蒸镀的层，所以隔着至少一层功能层OLBF。
(2)平面配置：发光区域之间(像素PXL之间)
作为辅助电极的平面位置优选的是位于各像素PXL的发光区域之间。该区域是非发光区域，因此能够原样地维持高开口率(平均1个像素PXL的发光面积/1个像素PXL的面积)。换而言之，也可以说是在相邻的有机EL元件之间的区域、下部电极之间的区域。另外，根据布线的线路图，与源电极层的布线(垂直系统驱动电路VDRV、电流供给线路、控制线路)重叠的区域、与栅电极层的布线(扫描线、电流供给线路、控制线路)重叠的区域相当于这些区域。如后述那样，这些区域在堤上得到更高平坦度的可能性高。
(3)形状和平面线路图
在矩阵状地配置有机EL元件的情况下，当在画面的行或列方向延伸时，能够使其与垂直系统驱动电路VDRV、电流供给线路这样的列方向的布线和扫描线等行方向的布线重叠。即使在辅助电极的下层的绝缘膜使用了有机物的平坦层的情况下，也会存在缓和的凹凸，另外，当使用了无机绝缘膜时，能够在辅助布线的下层形成较大的凹凸。这些布线跨在多个像素PXL上而平坦面延伸，因此相对的凹凸小，易形成均匀厚度的电极。
(4)有效显示区域AR之外的布线布局
当在有效显示区域AR(所有发光像素PXL的区域)的外侧形成辅助电极时，即使不经由上部电极CD也能够施加公共电压VCOM，另外，能够实现不牺牲开口率的辅助电极的平面布局，因此能够提高设计的自由度。另外，因为能够从有效显示区域AR的各个方向供给公共电压VCOM，所以能够有效地抑制电压下降。具体而言，优选配置在有效显示区域AR的列方向(被称为漏极驱动的垂直系统驱动电路VDRV存在的方向，换而言之，垂直系统驱动电路VDRV的延伸方向)、行方向(被称为栅极驱动的水平系统驱动电路HDRV存在的方向，换而言之，扫描线的延伸方向)的外侧。能够最大限度地抑制电压降的是呈框架状地包围所有像素PXL的形状。
(5)公共电压VCOM的供给结构
在有效显示区域AR的外侧，使该辅助电极与在功能层OLBF之下的下层的布线连接，则能够不经由高电阻的上部电极CD，用薄膜电阻更低的辅助电极对画面供给公共电压VCOM，因此能够抑制有效显示区域AR中的电压下降。
(6)公共电压VCOM的稳定供给结构1
若在(5)的连接部分使得在辅助电极的上方也具有上部电极CD，则能够配置为覆盖全部功能层OLBF，因此，也能够起到保护层、密封层的作用。另外，也能够作为辅助电极和连接在辅助电极上的布线的抗氧化膜、保护膜发挥作用。
(7)公共电压VCOM的稳定供给结构2
作为配置对上部电极CD施加公共电压VCOM的电极的层，优选与有源元件的源电极相同的层。当用低温多晶硅构成有源元件的沟道时，由受激准分子激光器等对栅极电极进行退火。因此，使用钨、钛、钼这些高熔点金属作为栅电极层。这些高熔点金属的电阻高。与有源元件的源极电极同层、同材料的布线，通常使用铝合金等电阻小的材料。形成该源极电极层之后，不存在激光退火步骤这样的溶化铝合金的高温工艺，因此能够采用。因此，为了抑制公共电压VCOM的下降，优选使用布线电阻小的源电极层。但是，也可以连接在与栅电极同层的布线上。但是，在该情况下，布线的电阻稍高，但使用该层能够提高布线的布置自由度。
(8)公共电压VCOM的稳定供给结构3
在源极电极层和辅助布线层之间形成有较厚的绝缘膜。因此，若形成较大的接触孔，则不能够稳定地得到与源极电极的电连接。因此，从稳定供给公共电压VCOM的观点出发，优选使与包括在下部电极中的电极层同层且同材料的电极夹在上部电极CD和下部电极下面的布线之间而与这两个电极连接的结构。
(9)发光类型和电极的材质、厚度
使用辅助布线最有效的结构是TE型，本发明人认为，作为上部电极CD优选透明导电膜，也就是将银、铝这样的低电阻金属形成为透过光这种程度的较薄的金属薄膜和ITO、IZO或ZnO这样的电极，作为下部电极优选使用完全不透光的较厚的金属电极。
另外，作为透光电极，优选采用ITO、IZO、ZnO、金属薄膜。根据该结构，能够不牺牲开口率且抑制面内的斑状等的画面上的亮度不均。
根据本发明，能够维持高开口率并缓和面内的亮度不均和反射特性的不均匀性。
附图说明
图1是OLED的外观立体图。
图2是本发明的有机EL显示装置的剖面图。
图3表示第一基板SUB1和第二基板SUB2的框图。
图4是第一基板SUB1上的框结构图。
图5是第一基板SUB1的层结构图。
图6是有机EL元件的示意图。
图7是第一基板SUB1上的框结构图。
图8是设置了辅助电极的第一基板SUB1上的框结构图。
图9是图8的C-D、E-F位置的第一基板SUB1的剖面结构图。
图10是图8的G-H、I-J位置的第一基板SUB1的剖面结构图。
图11是图8的C-D、E-F位置的第一基板SUB1的剖面结构图。
图12是图8的C-D、E-F位置的第一基板SUB1的剖面结构图。
图13是图8的C-D、E-F位置的第一基板SUB1的剖面结构图。
图14是图8的C-D、E-F位置的第一基板SUB1的剖面结构图。
图15是图8的C-D、E-F位置的第一基板SUB1的剖面结构图。
图16是图8的C-D、E-F位置的第一基板SUB1的剖面结构图。
图17是图8的C-D、E-F位置的第一基板SUB1的剖面结构图。
图18是具有虚拟像素DPXL PXL时的第一基板SUB1的框图。
图19是设置了辅助电极的第一基板SUB1的框图。
图20是图19的G-H、I-J处的第一基板SUB1的剖面结构图。
图21是图19的I-J、C-D、E-F处的第一基板SUB1的剖面结构图。
图22是辅助电极的平面线路图。
图23是辅助电极的平面线路图。
图24是辅助电极的平面线路图。
图25是辅助电极的平面线路图。
图26是辅助电极的平面线路图。
图27是辅助电极的平面线路图。
图28是辅助电极的平面线路图。
图29是辅助电极的平面线路图。
图30是辅助电极的平面线路图。
图31是辅助电极的平面线路图。
具体实施方式
以下说明本实施例。
【实施例1】
图1是有机EL显示装置的外观立体图。图2是本发明的有机EL显示装置的剖面图。图2的(A)是图1的A-A’位置的剖面图。图2的(B)是图1的B-B’位置的剖面图。包括：TFT基板，形成有机EL元件和有源元件；第二基板SUB2，密封在第一基板SUB1的有机EL元件之上；前框架FF和内框架BF，安装有上述第一基板SUB1的密封结构体；挠性电路基板FPC1，连接在第一基板SUB1上；以及第三基板SUB3，连接在挠性电路基板FPC1上。
在前框架FF上设有开口。该开口比形成有第一基板SUB1上的有机EL元件的有效显示区域AR大一圈，隔着第二基板SUB2可看到有机EL元件的下部电极(功能层OLBF因为透明所以不可见)。另外，材质由不锈钢或铁合金构成。但是，也可以由塑料构成。
内框架BF与前框架FF同样由不锈钢或铁合金构成。也可以由塑料构成。前框架FF和内框架BF使用搭扣配合(Snap fit)而进行嵌合，保持一定的空间。在该所保持的空间容纳第一基板SUB1、第二基板SUB2、光学薄膜OF。
图3表示第一～3基板SUB1～3的框图。图4是第一基板SUB1上面的框结构图。利用接合剂将第一基板SUB1固定在内框架BF(图2)上。在第一基板SUB1上，用COG封装由半导体IC构成的垂直系统驱动电路VDRV，挠性电路基板FPC1连接在端子PAD上。利用在第一基板SUB1上使间隔物混入的密封剂，将第二基板SUB2固定在第一基板SUB1上。该第二基板SUB2是配置在显示面和第一基板SUB1之间的基板，因此是透光基板。具体而言，由玻璃构成。在该第二基板SUB2上形成凹部，在其空间涂敷具有透光性的干燥剂。但是，当未涂敷干燥剂时，也可以用树脂来填充。
第三基板SUB3被固定在第二基板SUB2的内表面，挠性基板的相反侧的端子连接在该第三基板SUB3的端子上。另外，在该第三基板SUB3上具有作为有机EL元件的驱动电源发挥功能的OLED电源电路、驱动由低温多晶硅构成的薄膜晶体管的LTPS电源电路、以及输出灰阶(灰度)信号和时序信号的时序控制电路。经由挠性基板FPC1将这些信号供给至第一基板SUB1。
图2所示的光学薄膜OF是自前框架FF开始的防静电·防反射层、直线偏振层、接合层、λ/2相位板、接合层、λ/4相位板、接合层、视角补偿层、接合层、胆甾醇型液晶层、接合层、保护层的层叠结构。视角补偿层是补偿由胆甾醇型液晶层引起的透射光的视角依赖性的层。该光学薄膜OF由直线偏振板和2层相位板构成圆偏振板，由胆甾醇型液晶层构成偏振分离薄膜，由视角补偿层补偿由该偏振分离薄膜引起的视角依赖性。光学薄膜OF接合在第二基板SUB2上，另外，用由前框架FF和内框架BF的嵌合力来固定。
在图4中，第一基板SUB1具有焊盘PAD、垂直系统驱动电路VDRV、第一电流供给总线线路CSBL1、第二电流供给总线线路CSBL2、阴极总线线路CBL、水平系统驱动电路HDRV、水平系统驱动电路HDRV用信号线路、阴极触点CCH、有效显示区域AR(图3)。焊盘PAD与挠性基板FPC1连接在一起。
垂直系统驱动电路VDRV如上所述，采用COG封装，经由焊盘PAD接受图像信号、电源、时序信号等的信号Sig的供给，经由在垂直方向延伸的垂直系统驱动电路VDRV，对在有效显示区域AR内的像素PXL(如后述的图7)供给灰阶数据。另外，垂直系统驱动电路VDRV，对水平系统驱动电路HDRV和三角波发生电路SGEN提供进行与时序信号、LTPS电源、信号电源、垂直系统驱动电路VDRV的同步的同步信号。
阴极总线线路CBL施加供给到后述的有机EL元件的上部电极CD的公共电压(称为VCOM)。并且，该阴极总线线路CBL从焊盘PAD开始，沿垂直方向布置于垂直系统驱动电路VDRV的两肋，在垂直系统驱动电路VDRV和有效显示区域AR之间沿水平方向布置，左右相连。另外，该阴极总线线路CBL，布置在各个水平系统驱动电路HDRV和三角波发生电路SGEN与有效显示区域AR之间，也就是，沿垂直方向布置于有效显示区域AR的行方向的外侧区域，沿水平方向布置于有效显示区域AR的下侧(与垂直系统驱动电路VDRV相对的边)，左右相连。但在图4中省略了该部分。详细内容将在后面使用图5进行叙述。
第一电流供给总线线路CSBL1，从焊盘PAD开始，沿垂直方向布置于垂直系统驱动电路VDRV的两肋，沿水平方向布置于阴极总线线路CBL与有效显示区域AR之间而左右相连。沿图4的上下方向来形成第一电流供给总线线路CSBL1，也就是沿垂直系统驱动电路VDRV延伸的方向来形成，连接有对沿着该方向排列的像素PXL供给电流的电流供给线路CSL。在图4中，相对于有效显示区域AR的顶边形成有阴极触点CCH，用该阴极触点CCH与上部电极CD连接，对上部电极CD供给公共电压VCOM。该阴极触点CCH处的连接结构如后面所述。在图4中为了将图简化，阴极触点CCH形成在有效显示区域AR的上侧，但实际上是形成在有效显示区域AR的外侧4边上。对于该结构将用图7详细描述。
第二电流供给总线线路CSBL2从焊盘PAD开始，布置在垂直系统驱动电路VDRV的两肋，进而沿垂直方向布置在水平系统驱动电路HDRV和三角波发生电路SGEN的外侧，在水平方向朝有效显示区域AR的下侧布置，左右相连。
水平系统驱动电路HDRV是一般被称为栅极驱动器的电路，在本实施例中，用LTPS内置于基板上。另外，在本实施例的情况下，每个像素PXL行有3条扫描线，该扫描线自水平系统驱动电路HDRV开始沿水平方向(行方向)延伸。
三角波发生电路是本申请人先前开发出的像素PXL电路所需的电路，是每1帧供给1个三角波的电路。
这些驱动电路和三角波发生电路使用本申请人先前申请的日本特愿2006-51346号、尤其是图23至图25所记载的内容和驱动波形。详细说明记载于其申请内容中，因此这里彼此相互参照，在本说明书中不进行说明。
图5表示第一基板SUB1的层结构。第一基板SUB1是按照玻璃基板SUB、基础层UC、多晶硅层FG、第一绝缘层GI、第一电极层SG，第二绝缘层ILI1、第二电极层SD、第三绝缘层ILI2、第三电极层AD、第四绝缘层BANK、功能层OLBF、第四电极层SUP、第五电极层CD的顺序形成的结构。
基础层UC形成在玻璃基板SUB上，是SiO与SiN的层叠膜。该层叠膜是避免从玻璃扩散的Na扩散至多晶硅层FG的防止扩散膜，由低压化学气相淀积法(LPCVD法)形成。
然后，在玻璃基板SUB上使用低压化学气相淀积法(LPCVD法)形成膜厚50nm的无定形硅层a-Si。接着，通过用受激准分子激光器进行整个膜表面的激光退火，使a-Si膜结晶，形成由多晶硅p-Si构成的多晶硅层FG。
接着，用干蚀刻图案化多晶硅层FG，形成晶体管的沟道(活性层)区域。然后，使用等离子增强化学气相淀积法(PECVD法)，用膜厚100nm的SiO2膜形成第一绝缘层GI。该第一绝缘层GI起到栅极绝缘膜的作用。
接着，由溅射法制作膜厚50nm的TiW膜作为第一电极层SG，进行图案化。在该图案化中，形成薄膜晶体管的栅电极、从上述水平系统驱动电路HDRV和三角波发生电路SGEN开始沿水平方向延伸的布线及其它布线。该布线也可以是MoW。
然后，利用离子注入法，从栅极绝缘膜的上部注入n离子到已经图案化了的多晶硅层。对在上部存在栅极电极的区域不注入n离子，成为活性层。
接着，将第一基板SUB1置于惰性N2气体环境中进行加热激活处理，有效地进行掺杂。在其上形成了氮化硅(SiNx)膜作为第二绝缘层ILI1。膜厚为200nm。
接着，在活性层的两端上部的第一绝缘层GI和第二绝缘层ILI1上形成了接触孔。在其上，通过溅射法形成由膜厚500nm的Al构成的第二电极层SD。通过光刻步骤进行图案化，由此形成垂直系统驱动电路VDRV和电流供给线CSL等垂直地延伸的布线、阴极总线线路CBL、薄膜晶体管的源漏电极等。经由接触孔，第一电极层SG、多晶硅层FG连接在一起。
然后，形成SiNx膜作为第三绝缘层ILI2。膜厚为500nm。在薄膜晶体管的源电极上设置接触孔。在其上使用溅射法，形成在厚度150nm的Al上层叠ITO的第三电极层AD。进而，通过使用光刻法使该第三电极层图案化，来形成有机EL元件的下部电极AD1、阴极总线线路CBL上的阴极触点CH的中继电极(焊盘)AD2。
这些驱动电路和三角波发生电路使用本申请人之前申请的日本特愿2006-51346号、尤其是该申请的图12至图22中记载的内容。详细的说明记载于其申请内容中，因此在这里彼此相互参照，在本说明书中不进行说明。
接着，作为第四绝缘层BANK，使用旋涂法形成正感光性保护膜，进行烘干(baked)处理。第四绝缘膜BANK的膜厚为1μm，在下部电极的边缘覆盖3μm。另外，也覆盖在阴极触点CH的周围。该第四绝缘层BANK是被称为堤的层。
图6表示有机EL元件的示意图。是在下部电极AD1上层叠了空穴注入层HIL、空穴输送层HTL、有机发光层OLE、电子输送层ETL、电子注入层EIL、缓冲层BF、上部电极CD的结构。首先，按照丙酮、纯水的顺序分别对形成到下部电极AD 为止的玻璃基板SUB进行3分钟的超声波清洗。清洗后，使之旋转干燥。接着，由二维同时真空蒸镀法，形成膜厚50nm的F4-TCNQ和酞菁铜的共蒸镀膜。使用荫罩(shadow mask)形成图案。F4-TCNQ和酞菁铜的摩尔比取为1∶1。该共蒸镀膜作为空穴注入层HIL发挥功能。
然后，由真空蒸镀法形成膜厚50nm的4，4-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨]联苯膜(以下，简称为α-NPD膜)。使用荫罩形成图案。蒸镀区域取为下部电极各边的1.2倍。该α-NPD膜起到空穴输送层HTL的作用。在其上，由二维同时真空蒸镀法形成膜厚20nm的三羟甲基氨基甲烷(8-羟基喹啉)铝(以下简称为Alq)和奎丫啶酮(以下简称为Qc)的共蒸镀膜。将蒸镀速度以40∶1进行控制来进行蒸镀。Alq+Qc共蒸镀膜作为发光层EML发挥功能。使用荫罩形成图案。
在其上由真空蒸镀法形成膜厚10nm的Alq膜。Alq膜作为电子输送层ETL发挥作用。使用荫罩形成图案。接着，作为电子注入层EIL，由二维同时真空蒸镀法形成10nm的掺杂了Li的Alq膜。Alq和Li的摩尔比取为1∶1。使用荫罩形成图案。缓冲层BF由EB蒸镀形成氧化钒。膜厚取为15nm。使用荫罩形成图案。蒸镀后的氧化钒的组成是：氧与钒之比为2.2，透射率为95％。该缓冲层也可以用ZnO、SnO2、WO3、MoO3、V2O5的某一种作为材料。这些是将成膜时分解生成的氧元素比上部电极CD材料少的氧化物取为主要成分的层。
接着，通过溅射法用膜厚100nm的Al形成第四电极层SUP。并且，通过图案化形成辅助电极。该布线如后面所述。该第四电极层SUP也可以不是Al而是Cu或这些的合金，电阻比第五电极层CD小，在夹着该被图案化了的辅助电极而从第五电极上测量出薄膜电阻的情况下，可以形成为夹着该辅助电极的2点间的电阻值比不夹着该辅助电极的2点间的薄膜电阻低。
然后，通过溅射法形成膜厚100nm的In-Zn-O膜(以下简称为IZO膜)作为第四电极层SUP。该膜作为上部电极CD125发挥作用，为非晶氧化物膜。作为靶(target)使用In/(In+Zn)＝0.83的靶。成膜条件取为以Ar:O2混合气体为环境气体，真空度为1Pa，溅射输出取为0.2W/cm2。由In-ZnO膜组成的上部电极CD起到阴极的作用，其透射率为80％。
接着，通过溅射法，形成膜厚50nm的SiOxNy膜。该膜作为保护层发挥作用。在图中省略该保护膜。这里所说的空穴注入层HIL，使作为阳极的下部电极AD和空穴输运层HIL的注入势垒减少，因此优选具有合适的电离势的材料。具体而言，列举出酞菁钢、聚苯胺化合物、聚噻吩等，但并不限定于这些。另外，空穴注入层优选掺杂能提供空穴的掺杂物。能提供空穴的掺杂物具体而言优选2，3，5，6-四氟四氰基醌二甲烷(tetracyanoquinodimethane)(F4-TCNQ)、氯化铁、二氯二氰基苯醌。另外，当然不限于这些材料，也可以并用2种以上的这些材料。
这里所说的空穴输运层HTL具有输运空穴、注入至发光层的作用。因此，优选空穴迁移速度快的材料。另外，优选化学性质稳定的材料。另外，优选玻璃转移温度高的材料。具体而言，优选N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’二胺(TPD)、4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)、4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)苯基氨基]苯(p-DPA-TDAB)。另外，当然并不限于这些材料，也可以并用2种以上的这些材料。
这里所说的发光层EML指再结合被输入的空穴和电子、以材料固有的波长发光的层。包括形成发光层的主材料本身发光的情况和在主材料中微量添加的掺杂物材料发光的情况。作为不同的主材料优选二苯乙烯基联苯衍生物(DPVBi)、在骨架中具有苯环的噻咯(silole)衍生物(2PSP)、在两端具有三苯基胺结构的噁二唑衍生物(EM2)、具有菲基的perynone衍生物(P1)、在两端有三苯基胺结构的寡聚噻吩衍生物(BMA-3T)、苝衍生物(tBu-PTC)、三(8-羟基喹啉)铝、聚对苯撑亚乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯撑衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物。另外，当然并不限定于这些材料，也可以并用2种以上的这些材料。
接着，作为具体而言掺杂物材料，优选喹吖啶酮、香豆素6、尼罗红、红荧烯、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、二咔唑衍生物。另外，当然并不限定于这些材料，也可以并用2种以上的这些材料。
这里所说的电子输运层ETL具有输运电子、注入至发光层的作用。因为，优选电子迁移速度快的材料。具体而言，优选三(8-羟基喹啉)铝、噁二唑衍生物、噻咯衍生物、苯并噻唑锌络合物。另外当然并不限定于这些材料，也可以并用2种以的上这些材料。
这里所说的电子注入层EIL用于提高从掺杂着提供电子的掺杂物的有机化合物阴极至电子输运层ETL的电子注入效率。提供电子的掺杂物具体而言优选锂、镁、钙、锶、钡、镁、铝、碱金属化合物、碱土类金属化合物、稀土类金属化合物、含有碱金属离子的有机金属络合物、含有碱土类金属离子的有机金属络合物、含有稀土类金属离子的有机金属络合物。另外，当然并不限定于这些材料，也可以并用2种以上的这些材料。作为电子注入层EIL的主材料具体而言，优选三(8-羟基喹啉)铝、噁二唑衍生物、噻咯衍生物、苯并噻唑锌络合物。另外，当然并不限定于这些材料，也可以并用2种以上的这些材料。
在上述结构中，也可以考虑没有电子注入层EIL或空穴注入层HIL的结构。另外，也可以考虑没有电子输送层ETL或空穴输送层HTL的结构。即，缓冲层有与有机发光层EML接触的情况、与电子输送层ETL接触的情况、与电子注入层EIL接触的情况这3种情况。
用于下部电极AD1的阳极材料优选提高空穴的注入效率的功函数大的导电膜。具体而言，列举出钼、镍、铬等金属、使用上述金属的合金、聚硅氧烷、无定形硅、锡氧化物、氧化铟、铟·锡氧化物(ITO)等无机材料，但并不限定于这些材料。
在In2O3-SnO2类导电膜中，在溅射法中，在将基板温度提高到200度的条件进行制作而成为多结晶状态。在多结晶状态中，在结晶粒内和结晶粒界面中，蚀刻速度不同，因此用于下部电极AD1的情况下优选无定形状态。
另外，也可考虑下部电极AD1为阴极、上部电极CD为阳极的结构。该情况下，按下部电极AD1、电子注入层EIL、电子输送层ETL、发光层EML、空穴输送层HTL、空穴注入层HIL、上部电极CD的顺序进行层叠。在上述结构中，也可以考虑没有电子注入层EIL或空穴注入层HIL的结构。另外，也可以考虑没有电子输送层ETL或空穴输送层HTL的结构。即，缓冲层有与有机发光层EML接触的情况、与空穴输送层HTL接触的情况、与空穴注入层EIL接触的情况这3种情况。
在使用下部电极AD1作为阴极的情况下，阴极材料优选提高电子输入效率的功函数小的导电膜。具体而言，列举出铝、铝·钕合金、镁·银合金、铝·锂合金、铝·钙合金、铝·镁合金、金属钙、铈化合物等，但并不限定于这些材料。
在使用上部电极CD作为阳极的情况下，阳极材料优选以氧化铟为主要原料的氧化物。尤其优选In2O3-SnO2系透明导电膜、In2O3-ZnO系透明导电膜。透明导电膜的制造方法列举出溅射法、对靶式溅射法、EB蒸镀法、离子镀法等。
在上部电极CD成膜时，作为上部电极CD的构成材料的氧化物一部分分解，生成的活性氧元素氧化有机膜，使发光电压上升。详细研究的结果为，通过在有机膜和上部电极CD之间设置缓冲层，其中上述缓冲层以氧结合力比上部电极CD强的导电性氧化膜为主要成分，由此能够降低由在上部电极CD形成时的有机膜的氧化而引起的发光电压上升。
以氧结合力比上部电极CD强的导电性氧化物为主成分的缓冲层BF，例如在使用以氧化铟为主要成分的上部电极CD的情况下，列举出以氧化钒、氧化钼、氧化钨、氧化钽、氧化钛、氧化铌、氧化铬等为主要成分的材料。另一方面，以氧化锗、氧化铜、氧化钌等为主要成分的材料与氧元素的结合力比氧化铟弱，缓冲层成膜时比上部电极成膜时产生较多的活性氧，因此，不能够抑制发光电压的上升。
另外，对缓冲层BF换而言之，则能够称为在有机层OLE和上部电极CD之间，以位于熔点附近的生成吉布斯能比上部电极CD的构成材料低的氧化物为主要成分的层。对缓冲层使用在熔点附近生成吉布斯能比上部电极CD材料的主要原料低的材料，也能够减少成膜前和成膜初期分解生成的活性氧元素的量，进一步降低有机层的氧化。
另外，换而言之，也能够称为在有机层和上部电极CD之间形成的、以位于熔点附近的生成吉布斯能比-300kJ/mol低的氧化物为主要成分的层。通过在缓冲层BF使用生成吉布斯能在-300kJ/mol以下的材料，能够将电压上升抑制在1V以下。
另外，缓冲层BF优选由以电阻率为1×107Ω·cm以下的氧化物为主要成分的材料组成，膜厚优选5nm～50nm。当在缓冲层使用电阻率1×107Ω·cm以上的材料时，在高亮度发光时的缓冲层的电压降增大为0.1V以上，抵消了防止氧化的效果，另外，通过使膜厚为5nm以上，能够抑制有机膜的氧化，但增厚至50nm以上时，则不能忽视由透射率下降而导致的效率低下，因此取为上述那样的结构。
另外，将上部电极CD取为阳极的情况下，缓冲层优选以钒氧化物为主要成分的材料。将上部电极CD取为阳极，通过在缓冲层使用钒氧化物，能够将电压上升抑制为大约0V。钒氧化物的组成，优选氧元素比钒为2～5的比例。另外，将上部电极CD取为阳极，当在缓冲层使用氧化钒时，氧化钒也具有空穴输送层的功能，因此能够没有空穴输送层HTL、空穴注入层HIL地直接对发光层EML供给空穴。
另外，在上部电极CD上，保护层形成在上部电极CD上，目的在于防止空气中的H2O、O2进入上部电极CD或其下面的有机层，列举出SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3等无机材料和聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚甲醛、聚氯乙烯、聚偏1，1-二氟乙烯、氰基乙基支链淀粉、聚甲基丙烯酸甲酯、聚砜、聚碳酸酯、聚酰亚胺等有机材料，但并不限定于这些材料。
图7表示更详细地示出图4的第一基板SUB1上的框结构图。为了简化说明，示出3×3的9个像素PXL的情况，但不言而喻，本发明也以VGA、XGA这样的高精细显示装置为对象。
从配置在有效显示区域AR之上的垂直系统驱动电路VDRV，延伸着包括灰阶信号线路DATA的多条垂直系统布线。该垂直系统布线由第二电极层SD构成。从在有效显示区域AR的上下左右方向延伸的第一和第二电流供给总线线路CSBL1、2沿着纵方向即垂直方向延伸着由第二电极层的电极构成的电流供给线路CSL。由于从水平系统驱动电路HDRV供给3种信号，因此每1个像素PXL行延伸着3条布线。该布线由第一电极层SG构成。
电流供给总线线路CSBL大致由第二电极层SD构成，但仅在与垂直系统驱动电路VDRV的交叉部绕至第一电极层SG。沿垂直系统驱动电路VDRV形成电流供给线路CSL，该电流供给线路CSL由第二电极层SD构成。
阴极总线线路CBL通过垂直系统驱动电路VDRV的左右，布置在有效显示区域AR的外侧的上(图5中，从有效显示区域AR朝向垂直系统驱动电路VDRV的方向)下左右。在该阴极总线线路CBL上，在垂直系统驱动电路VDRV、电流供给线CSL的沿垂直方向延伸的布线组之间具有接触孔CH1～CH4，或者在从水平系统驱动电路HDRV延伸的3条布线和从三角波发生电路SGEN延伸的一条布线的沿水平方向延伸的布线组之间具有接触孔CH1～CH4。第一接触孔CH1配置在第一电流供给总线线路CSBL1和垂直系统驱动电路VDRV之间，第二接触孔CH2配置在水平系统驱动电路HDRV和有效显示区域AR之间，第三接触孔CH3配置在第二电路供给总线线路CSBL2和有效显示区域AR之间，第四接触孔CH4配置在三角波发生电路SGEN和有效显示区域AR之间。
在用第二电极层SD形成该阴极总线线路CBL的情况下，当与其它同层布线交叉时，使之绕在第一电极层SG和第三电极层上。另外，在用第三电极层形成该阴极总线线路CBL的情况下，当与其它同层布线交叉时，使之绕在第二电极层SD和第三电极层上。
图8是表示配置辅助电极的第一基板SUB1上的框图。在该图8中，在构成显示像素PXL的最外边缘的像素PXL的全部外侧，设有阴极触点CH1～4。另外，在所有像素PXL与像素PXL之间形成有第一、第二辅助电极SUP1、SUP2。位于沿水平方向邻接的像素PXL之间的堤上的第一辅助电极SUP1为沿垂直方向延伸的长方形。并且，该第一辅助电极SUP1沿垂直方向虚线状地排列有多列。在该实施例中，虚线的实线部与发光区域的宽度相同，虚线的间隔与不发光的区域的宽度相同。位于沿垂直方向邻接的像素PXL之间的堤上的第二辅助电极为SUP2为沿水平方向延伸的长方形。并且，该第二辅助电极SUP2沿垂直方向虚线状地排列有多列。在该实施例中，虚线的实线部分是与发光区域的长度相同的长度，虚线的间隔是与不发光区域的长度相同的长度。
利用第一辅助电极SUP1和第二辅助电极SUP2，能够抑制在这些延伸方向产生的电压降，因此能够抑制各个方向的亮度不均。在有效显示区域AR周围的第三辅助电极SUP3，从第一形成区域线CDC1开始，以框缘状、框架状形成到从有效显示区域AR的外侧起最外围的像素PXL的堤上的第二形成区域CDC2为止。该第三辅助电极SUP3由在各像素PXL外侧的第一～第四阴极触点CH1～CH4供给公共电压VCOM。通过具有第三辅助电极SUP3而能够抑制在水平及垂直方向产生的电压降，因此，能够抑制在水平和垂直方向的亮度不均。另外，对于沿该水平和垂直方向延伸的第三辅助电极SUP3，水平和垂直方向存在阴极触点CH，因此，也能够进一步地抑制电压降。上部电极CD为各像素PXL共用，越过第一形成区域线路CDC1而延伸到第二形成区域线路CDC2。辅助电极SUP1、SUP2、SUP3因为是抑制电压降的电极，所以使用电阻低的金属材料。例如，Al的电阻低，并且能够便宜且容易地形成。另外，Zn有耐腐蚀的优点。
图9、图10表示图8的C-D、E-F、G-H、I-J处的第一基板SUB1的剖面结构图。图9是图8的C-D、E-F处的第一基板SUB1的剖面结构图。图9的左侧表示像素区域PXL的剖面结构，右侧表示阴极触点CDC区域的剖面结构。基本的层结构与图5相同。阴极触点区域CDC为从由第一形成区域线路CDC1到第二形成区域线路CDC2的区域除去了包含在像素区域PXL的部分的结构。
在像素区域PXL上形成有：第三绝缘层ILI2，位于栅极电极由第一电极层SG构成、源漏电极由第二电极层SD构成的薄膜晶体管上；下部电极AD1，连接在薄膜晶体管的源-漏电极上；堤BANK，下部电极AD1之间进行划分；功能层OLBF，包括在下部电极AD1上形成的有机层EML和缓冲层；第一辅助电极SUP1；第二辅助电极(SUP2)；全部像素PXL共用的上部电极CD；以及第三辅助电极SUP3的一部分，堤在该下部电极AD上有开口，覆盖在下部电极AD的周围和第三绝缘层ILI2之上，延伸到阴极触点区域的接触孔CH的前端。
阴极触点区域CDC，在第三绝缘膜上形成从像素区域PXL延伸的功能层OLBF、第三辅助电极SUP3层、上部电极CD层，在接触孔部CH中形成有与下部电极AD1同层、即第三电极层的中继电极AD2。因此，在接触孔CH中，成为由第二电极层SD构成的阴极总线线路CBL、由在阴极总线线路CBL的接触焊盘PAD上形成的第三电极层AD构成的中继电极AD2、构成在中继电极AD2上形成的第三辅助电极SUP3的第四电极层SUP、构成上部电极CD的第五电极层CD的层叠体。
图10是图8的G-H、I-J处的第一基板SUB1的剖面结构图。是排列2个像素PXL区域PXL的结构的剖面图。
图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17表示图8的C-D、E-F处的第一基板SUB1的剖面结构图。图11与图9的不同点是将上部电极CD取为几乎与功能层OLBF相同的图案。图12与图9的不同点是在平面方向错开作为堤开口部的堤内的第一接触孔CH1和第三绝缘层ILI2的开口部的第二接触孔CH2。在第三绝缘层ILI2的厚度和堤BANK的厚度厚的情况下，接触孔的锥形角变得陡峭，有可能在中继电极AD2、第三辅助电极SUP3和上部电极CD发生连接不良，但通过这样地在平面方向错开，能够提高连接可靠性。
图13与图12的不同点是形成上部电极CD到紧挨第一接触孔CH1之前。图14与图9的不同点是使功能层OLBF中的至少1层边缘突出的结构和覆盖上部电极到该边缘突出的位置的结构。图15与图12的不同点是不在第二电极层SD上形成阴极总线线路CBL，而在第一电极层SG上形成阴极总线线路CBL。图16与图9的不同点是不在第二电极层SD上形成阴极总线线路CBL，而在第一电极层SG上形成阴极总线线路CBL。图17与图9的不同点是形成上部电极CD到紧挨阴极触点CH之前，在其上形成辅助电极。
图18、图19表示具有虚拟像素DPXL时的第一基板SUB1的框图。图18与图7的不同点是最外围的像素为虚拟像素DPXL。图19与图8的不同点也是最外围的像素为虚拟像素DPXL。这两个图都是在虚拟像素DPXL没有开口。
图20表示图19的G-H处的第一基板SUB1的剖面结构例。图20是沿水平方向邻接的虚拟像素DPXL和显示像素PXL的2个像素PXL的剖面图。图21表示图19的I-J处的第一基板SUB1的剖面结构例。
从图22到图31是说明辅助电极的平面布局的俯视图。图22的结构，在有效显示区域(AR)的周围以框架状形成第三辅助电极SUP3，分别在其垂直方向、水平方向的4边由接触孔(阴极触点)CH(CH1、CH2、CH3、CH4)连接在阴极总线线路CBL(例如，参照图18)上。阴极触点CH是以排列在有效显示区域(AR)的矩形像素PXL(参照图7)的行、列单位而形成的。另外，在各像素PXL之间，形成有第一辅助电极SUP1和第二辅助电极SUP2。第一辅助电极SUP1是形成在沿垂直方向(图的上下方向)相邻的像素PXL之间的堤上的辅助电极，是在水平方向延伸的矩形电极。在各像素PXL的上下和左右(水平方向)的位置上按像素PXL单位相互独立。第二辅助电极SUP2是形成在沿水平方向相邻的像素PXL之间的堤上的辅助电极，是在垂直方向延伸的矩形电极，在各像素PXL的上下左右位置上按像素PXL单位相互独立。但是，并不是必须位于全部像素PXL间，只要形成单位也在堤上，则并不需要位于发光区域间。即，也可以取为这样的布局：使在发光区域间没有第一辅助电极SUP1的区域和在发光区域间有第一辅助电极SUP1的区域并存。
图23与图22的不同点是未形成图22所示的第二辅助电极SUP2。图24与图23的不同点是所有的第一辅助电极SUP1连接在一起。另外，也可以不全部连接在一起，而是将任意的第一辅助电极SUP1连接在一起。即，也可以是，当垂直方向有x个像素PXL，在垂直方向有y个第一辅助电极SUP1时，成为x＞y的关系。
图25与图24的不同点是所有的第一辅助电极SUP1和第三辅助电极SUP3连接在一起。在图25中，所有的第一辅助电极SUP1和第三辅助电极SUP3连接在一起，但并不需要所有的都连接在一起，也可以是至少一个第一辅助电极SUP1和第三辅助电极SUP3连接在一起。
图26与图22的不同点是未形成图22所示的第一辅助电极SUP1。
图27与图26的不同点是所有的第二辅助电极SUP2连接在一起。也可以不连接所有的第二辅助电极SUP2，而是连接任意的第二辅助电极SUP2。即，也可以是，当在水平方向有v个像素PXL，在水平方向有w个辅助电极SUP2时，取为v＞w的关系。
图28与图27的不同点是所有的第二辅助电极SUP2和第三辅助电极SUP3连接在一起。在该图28中，所有的第二辅助电极SUP2和第三辅助电极SUP3连接在一起，但并不需要所有的都连接在一起，也可以至少一个第二辅助电极SUP2和第三辅助电极SUP3连接在一起。
图29与图22的不同点是分离第三辅助电极SUP3。该分离位置，在图29的情况下，是在所有4条边分离，但也可以在任意的边分离。另外，在图29中是每2个像素PXL有1处分离位置，但不限定于此，也可以取为每1个像素PXL有1处分离位置、每多个像素PXL有1处分离位置的比例。另外，分离位置也可以不是发光区域之间的水平垂直方向位置，而是发光区域的水平垂直方向的位置。
图30与图22的不同点是未形成第三辅助电极SUP3。
图31与图28的不同点是将设置在第三辅助电极SUP3的分离部设置在第二辅助电极SUP2的延伸方向，也就是仅设置在有效显示区域AR的垂直方向。

Claims (20)

1.一种有机EL显示装置，  其在基板上具有多个有源元件和通过利用有源元件进行控制而以多灰阶进行发光的多个有机EL元件，其特征在于：
上述有机EL元件从基板侧开始按照下部电极、具有有机层的功能层以及上部电极的顺序层叠，
上述多个有机EL元件的上部电极相对于所有有机EL元件为公共电极，
在上述上部电极和上述功能层之间形成有由电导率与上部电极相等或比上部电极高的材料构成的辅助电极。
2.一种有机EL显示装置，  在基板上具有多个有源元件和通过利用有源元件进行控制而以多灰阶进行发光的多个有机EL元件，其特征在于：
上述有机EL元件从基板侧开始按照下部电极、具有有机层的功能层以及上部电极的顺序层叠，
上述多个有机EL元件的上部电极是上述多个有机EL元件公用的电极，
在上述上部电极和上述功能层之间具有金属电极，
夹着该金属电极的上部电极上的2点间的薄膜电阻比不夹着该金属电极的2点间的薄膜电阻低。
3.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：
在上述下部电极和上述有机层之间具有绝缘膜，
在与上述绝缘膜重叠的位置上具有上述辅助电极。
4.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述辅助电极配置在上述多个有机EL元件之间。
5.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述辅助电极被配置在相邻的上述下部电极之间。
6.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述多个有机EL元件被配置成矩阵状，
上述辅助电极在图像的行或列方向延伸。
7.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述辅助电极形成在有效显示区域的外侧。
8.根据权利要求7所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述辅助电极的至少一部分在有效显示区域的外侧与位于上述有机层之下的下层布线电连接。
9.根据权利要求8所述的有机EL显示装置，其特征在于：
在上述电连接部分中，在上述辅助电极的上方具有上述上部电极。
10.根据权利要求8所述的有机EL显示装置，其特征在于：
与上述下部电极同层的电极介于上述下层布线和上述辅助电极之间。
11.根据权利要求8所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述辅助电极的电连接部分的上述下层布线是与上述有源元件的源电极或漏电极同层的布线。
12.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述上部电极是透明导电膜。
13.根据权利要求12所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述透明导电膜包括透光性的金属薄膜、ITO、IZO或ZnO。
14.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述下部电极包含不透光性的金属薄膜。
15.根据权利要求14所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述下部电极包括在不透光性的金属薄膜上层叠透明导电膜的结构。
16.一种有机EL显示装置，其在基板上具有：有机EL元件；垂直系统驱动电路；扫描线；由该垂直系统驱动电路和该扫描线对各像素输入数据信号的第一有源元件；以及根据由该第一有源元件输入各像素的数据信号来控制流过有机EL元件的电流量的第二有源元件，其特征在于：
上述有机EL元件从基板侧开始以包括金属电极的下部电极、有机层以及透光性的上部电极的顺序层叠，
在上述有源元件和上述下部电极之间形成有第一绝缘膜，
在上述垂直系统驱动电路和上述扫描线的上方且是在上述下部电极的外围和上述第一绝缘膜之间的位置上，形成有在下部电极上具有开口的第二绝缘膜，
上述有机层形成在上述开口和上述第二绝缘膜上，
上述上部电极配置在上述开口的上方，并且对多个像素共同形成，
在上述上部电极和上述有机层之间，且是在与上述第二绝缘膜重叠的位置上，在上部电极和上述第二绝缘膜之间形成有金属层。
17.根据权利要求16所述的有机EL显示装置，其特征在于：
形成上述金属层时的上述上部电极的薄膜电阻小于未形成上述金属层时的上述上部电极的薄膜电阻。
18.根据权利要求2所述的有机EL显示装置，其特征在于：
在上述下部电极和上述有机层之间具有绝缘膜，
在与上述绝缘膜重叠的位置上具有上述金属电极。
19.根据权利要求2所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述金属电极配置在上述多个有机EL元件之间。
20.根据权利要求2所述的有机EL显示装置，其特征在于：
上述金属电极配置在相邻的上述下部电极之间。
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