CN1610460A - 发光器件以及电子器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种体积小且包括多个显示面的发光器件，以及提供通过使用该发光器件实现了高附加价值化的便携信息终端。本发明的发光器件的特征是：在其像素部分具备多个发光元件，这些发光元件互相向相反方向发光，而且，一方的发光元件中提供像素驱动元件。本发明的发光器件可以在正背两个面执行显示，而且可以独立显示每个显示面的图像，并且，可以提高两个面合计的开口率。另外，应用本发明的显示器件的电子器件不但可以在两个显示面浏览不同的图像，而且可以实现轻量化和薄型化。

Description

发光器件以及电子器件
技术领域
本发明涉及一种用发光元件形成其像素部分的发光器件，其中的发光元件包括一对电极之间的包含电致发光(Electro-Luminescence)物质的发光层，本发明尤其涉及一种能够在双面显示的发光器件。而且，本发明还涉及包括正面和背面两个显示面的电子器件。
背景技术
近几年，电子器件尤其是便携信息终端(移动计算机、移动电话、便携式游戏机或电子书)由于其目的的多元化，被要求有高附加价值。最近出现了在一般的显示面的背面提供副显示面的电子器件(参考专利文献1)。
对使用自发光型发光元件的发光器件比如有机EL(ElectroLuminescence)显示器、无机EL显示器等的研究非常活跃。尤其是有机EL显示器，由于有其自身发光类型所带来的高分辨率；适用于动感画面显示的诸如快速响应速度、低电压、低功耗驱动；以及因不使用背光灯而带来的厚度薄、重量轻等特征，所以该发光器件作为用于比如移动电话的下一代显示器备受关注。
上述包括在发光器件中的发光元件的结构是：在由一对的其中的一方具有透光性的阳极和阴极构成的电极之间，插入包含发光物质的层，通过给阳极和阴极施加电场，从含有发光物质的层电致发光。请注意，在此，将提供在阴极和阳极之间的所有的层统称为“含有发光物质的层”。
另外，这些发光器件采用将发光元件按矩阵形状排列的点矩阵方式，其驱动方式粗略地被分为被动(passive，也可称为无源)矩阵驱动方式(也称为单纯矩阵方式)和主动(active，也可称为有源)矩阵驱动方式。
被动矩阵驱动方式的显示器件的结构是：以条状提供阴极和阳极，并将阴极和阳极以矩阵形状交叉，在交叉位置的各个电极之间形成含有发光物质的层从而构成像素。在阴极或阳极上分别提供亮度信号电路或内藏移位寄存器的控制电路，根据这些电路，以时间序列给各个电极施加信号电压，从而使在交叉位置上提供的像素选择性地发光。被动矩阵驱动方式的显示器件由于制造工序少，所以可以减少制造成本(参考专利文件2)。
主动矩阵驱动方式的显示器件的结构是：由阴极、阳极以及提供在两个电极之间的包含发光材料的层构成的像素按矩阵形状排列，并给各个像素提供像素驱动元件(晶体管、二极管等)。像素驱动元件根据扫描信号发挥交替更换ON/OFF状态的开关作用，经由处于ON状态的像素驱动元件，数据信号(显示信号、视频信号)被传送到发光元件的像素电极，该数据信号被写入发光元件，这样，发光元件就发光。主动矩阵驱动方式的显示器件由于其像素驱动元件提供在各个像素中，所以，响应速度快，适合显示动感画面(参考专利文件3)。注意，主动矩阵驱动方式的显示器件主要被用于有机EL显示器。
专利文件1
专利公开2002-101160
专利文件2
专利公开2001-155856
专利文件3
专利公开2001-013893
除原有的显示面之外，还提供有副显示面的便携信息终端不但要考虑多个模块所占的体积，还不能忽视安装了驱动多个模块的控制器IC(芯片)等的衬底所占的体积。尤其是，最近出现的便携用信息终端明显倾向于轻薄袖珍化，和高附加价值化难以两立。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种能够实现体积小的模块化的发光器件，以及提供使用该发光器件而实现高附加价值化的其典型为便携信息终端的电子器件。
本发明的发光器件的特征是：在其像素部分具备多个发光元件，这些发光元件互相向相反方向发光，而且，一方的发光元件中提供有像素驱动元件。也就是，提供在像素内部的多个发光元件中，一方的发光元件是主动矩阵驱动方式的发光元件，另一方的发光元件是被动矩阵驱动方式的发光元件或用于区域颜色(areacolor)的发光元件。根据该结构，可以用一个显示器件在正背两个面独立发光，而且可以在每个显示部分提供能够满足所需功能的发光元件。典型的是，可以在主显示器用主动矩阵驱动方式的发光元件显示，在副显示器用被动矩阵驱动方式的发光元件或区域颜色用的发光元件显示。在副显示器中，可以使显示面整体发光从而作为灯光被使用。而且，由于一方的发光元件覆盖他方的发光元件的非发光区域的大部分，所以跟由常规的发光元件形成的像素相比，开口率格外高。因此，提高了对比度，这样，高分辨率的显示成为可能。
另外，这里，本说明书中使用的术语“发光器件”表示使用发光元件的发光器件或图像显示器件。包括在发光器件定义范畴内的还有：连接器如FPC(柔性印刷电路)、TAB(带自动接合)胶带或TCP(带载体封装)被附加到发光元件的模块；在TAB带或TCP的端头提供了印刷线路板的模块；以及IC(集成电路)或CPU(中央处理器)通过COG(玻璃上载芯片)法直接被安装到发光元件的模块。
以上述要点为本的本发明的发光器件可以包含以下所示结构。
本发明的发光器件的特征是：一种发光器件，其中，
包括第一发光元件和第二发光元件的像素在衬底上以矩阵形状被排列；
所述第一发光元件向第一方向发光，且所述第二发光元件向与所述第一方向相反的第二方向发光；
所述第一发光元件的第一电极和半导体元件电连接在一起。
另外，所述半导体元件和所述第二发光元件在所述第一发光元件和所述衬底之间形成。并且，所述第一发光元件和所述半导体元件也可以在所述第二发光元件和所述衬底之间形成。
本发明的发光器件的特征是：一种发光器件，其中，
包括第一发光元件、第二发光元件、以及和所述第一发光元件的第一电极电连接的半导体元件的像素在衬底上以矩阵形状被排列；
绝缘膜形成在所述第一发光元件和所述第二发光元件之间；
所述第一发光元件是一种叠层结构，包括按顺序从所述衬底一侧层叠的第一电极、第一含有发光物质的层、以及第二电极；
所述第二发光元件是一种叠层结构，包括按顺序从所述衬底一侧层叠的第三电极、第二含有发光物质的层、以及所述第四电极；
所述第二发光元件和所述半导体元件形成在所述第一发光元件和所述衬底之间，且所述第二电极和所述第三电极具有透光性。
另外，所述第一电极和所述第四电极可以具有透光性且所述绝缘膜带色。也可以是所述第一电极或所述第四电极具有透光性且所述绝缘膜带色。
本发明的发光器件的特征是：一种发光器件，其中，
包括第一发光元件、第二发光元件、以及和所述第一发光元件的第一电极电连接的半导体元件的像素在衬底上以矩阵形状被排列；
绝缘膜形成在所述第一发光元件和所述第二发光元件之间；
所述第一发光元件是一种叠层结构，包括按顺序从所述衬底一侧层叠的第一电极、第一含有发光物质的层、以及第二电极；
所述第二发光元件是一种叠层结构，包括按顺序从所述衬底一侧层叠的第三电极、第二含有发光物质的层、以及所述第四电极；
所述第一发光元件和所述半导体元件形成在所述第二发光元件和所述衬底之间，且所述第一电极和所述第四电极具有透光性。
另外，所述第二电极以及所述第三电极可以具有透光性，且所述绝缘膜带色。也可以是所述第二电极或所述第三电极具有透光性，且所述绝缘膜带色。
所述带色的绝缘膜是金属颗粒、碳颗粒、或黑色颜料被分散的有机树脂。
所述第一发光元件是主动矩阵驱动方式的发光元件；所述第二发光元件是被动矩阵驱动方式的发光元件。另外，所述第一发光元件是主动矩阵驱动方式的发光元件；所述第二发光元件是用于区域颜色的发光元件。
所述第一发光元件或所述第二发光元件是从有机化合物发射光的发光元件。
所述半导体元件是薄膜晶体管、MOS晶体管、有机晶体管、或二极管。
附图说明
图1是说明本发明的发光器件的剖面图；
图2是说明本发明的发光器件的剖面图；
图3A和3B是说明本发明的发光元件的视图；
图4A和4B是说明制作本发明的发光器件的工艺图；
图5A和5B是说明制作本发明的发光器件的工艺图；
图6A和6B是说明制作本发明的发光器件的工艺图；
图7是说明本发明的发光器件的视图；
图8是说明本发明的发光器件的驱动方法的电路图；
图9A至9D是说明本发明电子器件的一个例子的图；
图10是说明本发明电子器件的一个例子的图；
图11是说明发光器件的系统方框图。
注：本发明的选择图为图1
实施方案模式
下文中将用图详细说明本发明的实施方案模式。在此，虽然使用薄膜晶体管(TFT)作为像素驱动元件进行说明，但是像素驱动元件并不局限于薄膜晶体管。例如，MOS晶体管、有机晶体管、二极管等的半导体元件也可以同样被使用。而且，发光元件只要在一对电极之间包括含有发光物质的发光层就可以，例如以有机化合物为发光物质的有机EL元件或以无机化合物为发光物质的无机EL元件等。在以下的实施方案模式将说明作为发光元件的有机EL元件。
实施方案模式1
本实施方案模式将用图1说明本发明的发光器件的结构。图1是一个剖面图，示出了发光器件的像素部分的一个像素的剖面。在图1中，参考数字101表示衬底；102、109和114是绝缘层；107是TFT；111和121是各个像素的第一电极；112、122是含有发光物质的层；113、123是第二电极；124是透明保护层；125是密封材料；130是对面衬底(counter substrate)；141是第一发光元件的发光区域；142是第二发光元件的发光区域。
另外，第一发光元件是没有提供比如被动矩阵型发光元件或区域颜色用发光元件等像素驱动元件的发光元件，其从第一衬底一侧发光(也就是底面发射型发光元件)。本实施方案模式中，第一发光元件使用被动矩阵型发光元件。在此，第一电极111是行电极(相对于面垂直延伸的电极)，第二电极113是竖列电极(相对于面左右延伸的电极)，两者也可以互换角色。
另一方面，第二发光元件配备有像素驱动元件(TFT 107)，其从第二衬底一侧发光(也就是顶面发射型发光元件)。以下将就各个发光元件的结构给于详细的说明。
第一发光元件由第一电极111、第一含有发光物质的层112、以及第二电极113构成。第二发光元件则由第一电极121、第二含有发光物质的层122、以及第二电极123构成。给第一电极提供元件TFT 107，该元件TFT 107控制流至含有发光物质的层112的电流。而且，第一发光元件和第二发光元件被第三绝缘层114绝缘。
在衬底101上中间夹栅绝缘膜102提供第一发光元件。另外，第一发光元件和衬底之间的绝缘膜的结构不受上述的限制，也可以提供其他的有透光性的绝缘膜。在第一发光元件中，由于取光方向是第一电极111一侧，所以第一电极若是阳极，则采用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、掺杂了镓的氧化锌(GZO)、包含氧化硅的ITO等的透明导电性材料。另一方面，第一电极若是阴极，则采用有透光性且功函数小的导电性材料，例如包含Li或Cs等的碱金属、以及Mg、Ca、Sr等的碱土金属的超薄膜；和透明导电膜(ITO、IZO、ZnO、GZO、包含氧化硅的ITO等)构成的叠层结构。或者，采用共同蒸发淀积碱金属或碱土金属和电子传输材料从而形成电子注入层，并在其上层叠透明导电膜(ITO、IZO、ZnO、GZO、包含氧化硅的ITO等)而形成的叠层。
第一含有发光物质的层112通过蒸发淀积法或包括旋涂法、喷墨法等的涂敷法而形成。当发光材料是低分子基材料时，主要采用蒸发淀积法，当发光材料采用低聚物(oligomer)或树枝状分子(dendrimer)的中分子、高分子基时，主要采用涂敷法。在此，含有发光物质的层112用蒸发淀积设备来形成获取均匀的膜。另外，为了提高可靠性，在将要形成含有发光物质的层112之前，理想的是照射UV从而清洁，或执行真空加热(100度至250度)来脱气。至于第一含有发光物质的层112的详细结构，将在实施方案模式4中给出。
第二电极113是和第一电极111有相反极性的电极，且有遮光性。例如，当第一电极111是阳极时，第二电极就是阴极，其除了可以采用Li或Cs等碱性金属；以及Mg、Ca、Sr等的碱性土金属；以及包含这些元素的合金(Mg:Ag、Al:Li等)外，还可以采用Yb或Er等的稀土金属。当使用LiF、CsF、CaF2、Li2O等的电子注入层时，可以使用一般的导电性薄膜，如铝等。如果第一电极111是阴极而第二电极是阳极，则其除了可以采用TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Al等单层膜以外，还可以采用组合氮化钛和以铝为主要成分的膜而形成的叠层；或组合氮化钛、以铝为主要成分的膜以及氮化钛膜而形成的三层结构的叠层。
使第一发光元件和第二发光元件绝缘的第三绝缘膜114由层间绝缘膜114构成，该层间绝缘膜114又是由有机材料或无机材料构成的。无机材料(例如氧化硅、氮化硅、以及氧氮化硅)、光敏有机材料和非光敏有机材料(例如聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂、苯并环丁烯、硅氧烷)、或这些材料的叠层等能够被用作层间绝缘膜114。
本实施方案模式中，第三绝缘膜虽然采用非光敏性有机树脂，但也可以通过采用正性光敏丙烯酸作为有机树脂材料从而如图1的109那样，能够仅仅在绝缘物的上边沿部分形成具有曲率半径的弯曲表面。而且，由于光敏性的曝光而成为不溶于腐蚀剂的负性光敏有机材料，以及由于光敏性的曝光而成为可溶于腐蚀剂的正性光敏有机材料，都能够被用作此绝缘物。
第二发光元件由第一电极121、第二含有发光物质的层122以及第二电极123构成，且第二电极123一侧是获取发光的方向。因此，若TFT 107是p沟道型TFT，则第一电极121为阳极，第二电极123为阴极，且第二电极优选采用有透光性且功函数小的导电性材料，例如采用Li或Cs等的碱金属以及Mg、Ca、Sr等的碱土金属的超薄膜；透明导电膜(ITO、IZO、ZnO、GZO、包含氧化硅的ITO等)构成的叠层结构。或者，采用共同蒸发淀积碱金属或碱土金属和电子传输材料从而形成电子注入层，并在其上层叠透明导电膜(ITO、IZO、ZnO、GZO、包含氧化硅的ITO等)而形成的叠层。另一方面，若TFT 107是n沟道型TFT，则第一电极121为阴极，第二电极123为阳极，且采用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、掺了镓的氧化锌(GZO)、包含氧化硅的ITO等的透明导电性材料。注意，第一电极的极性和第二电极121相反，所以，和第一发光元件的第二电极同样，用显示各个极性的材料形成该电极。
第二含有发光物质的层122用和形成第一含有发光物质的层112相同的方法形成。注意，关于第二含有发光物质的层122的详细结构将在实施方案模式4中给出。
在衬底101上中间夹绝缘层102提供TFT，由沟道形成区域103、低浓度杂质区104、高浓度杂质区(源区或漏区)105构成的半导体区域；提供在半导体区域和栅电极之间的栅绝缘膜110；栅电极106；漏电极(或源电极)108一起构成该TFT。
在半导体区域和漏电极(或源电极)108之间形成由有机材料或无机材料构成的层间绝缘膜109。层间绝缘膜109可以使用和第三绝缘膜相同的材料。注意，在本实施方案模式中，由于有机树脂的材料使用正性光敏丙烯酸，所以可以仅仅在绝缘物的上边沿部分形成具有曲率半径的弯曲表面。
另外，虽然此处未图示出，但在一个第二发光元件中也可以制作额外的TFT(n沟道型TFT或p沟道型TFT)，或制作多个TFT。而且，虽然此处示出了具有一个沟道形成区103的TFT，但本发明不特别局限于此，具有多个沟道的TFT也可以被采用。而且，虽然此处示出了具有低浓度杂质区104的TFT，但TFT的结构不特别局限于此，也可以采用具有沟道形成区103以及高浓度杂质区(源区和漏区)105的TFT。
在非晶半导体区域或晶体半导体区域形成半导体区域103。作为半导体区域的材料可以使用半导体元素(硅、锗等)的单体或合金、有机半导体材料等。有机半导体材料是电阻率约为10-2Ωcm-1016Ωcm的显示半导体电性能的有机化合物，其优选由共轭双键骨架的π电子共轭系统聚合物材料组成。具体地说，可以使用可溶性聚合物材料，如聚噻吩、聚(3-烷基噻吩)以及聚噻吩衍生物。作为衬底和对面衬底可以使用诸如铝硅酸硼玻璃、钡硅酸硼玻璃、硅酸铝玻璃等无碱玻璃衬底，也可以使用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘酸乙酯(polyethylene naphthalate))、PES(聚醚砜)、聚丙烯、硫化聚丙烯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚苯醚(poly(phenylene oxide))、聚酰亚胺(polysulfone)、或聚酞酰胺(polyphthalamide)等的塑料衬底。
在第二发光元件的第二电极123的表面上形成透明保护层124。作为透明保护层124，可以使用通过溅射法或CVD法得到的氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜(SiNO膜(成分比N＞O)或SiON膜(成分比N＜O))或以碳作为主要成分的薄膜(诸如DLC膜，CN膜)，并且该保护层在保护由金属薄膜构成的第二电极123的同时，还起防止水分侵入的密封膜的作用。
而且，用密封材料125键合(bonding)对面衬底130和其上提供有第一发光元件和第二发光元件的衬底101。密封材料包含间隙材料，以便保持一对衬底之间的间距，并且该密封材料被排列成环绕像素部分的形状。
本实施方案模式中，第二发光元件的第一电极121覆盖被动矩阵型的第一发光元件的发光区域141。因此，像素中的发光区域的总和就是两个发光元件的发光区域141、142的面积的总和。由于传统的发光元件的开口率仅是第一发光元件或第二发光元件的发光区域，所以本发明可以提高开口率。
实施方案模式2
本实施方案模式中，将用图2说明在一个像素中具有多个发光元件的发光器件的和实施方案模式1不同的结构。注意，和图1相同的部位将使用和图1相同的符号并省略相关说明。
图2是一个剖面图，示出了发光器件的像素部分的一个像素的剖面。在图2中，参考数字101表示衬底；102、209、214、215和216是绝缘层；107是TFT；211和221是各个发光元件的第一电极；212、222是各个发光元件的含有发光物质的层；213、223是各个发光元件的第二电极；224是透明保护层；225是密封材料；230是对面衬底；241是第一发光元件的发光区域；242是第二发光元件的发光区域。
本实施方案模式中，第一发光元件中提供有作为像素驱动元件的TFT 107，其从第一衬底一侧发光(也就是底面发射型发光元件)。另一方面，第二发光元件是没有提供如被动矩阵型发光元件或区域颜色用发光元件等像素驱动元件的发光元件，其从第二衬底一侧发光(也就是顶面发射型发光元件)。本实施方案模式中，第二发光元件使用被动矩阵型发光元件。在此，第一电极是竖列电极(相对于纸面左右延伸的电极)，第二电极是行电极(相对于纸面垂直延伸的电极)，两者也可以互换角色。以下将就各个发光元件的结构给于详细的说明。
第一发光元件由第一电极211、第一含有发光物质的层212、以及第二电极213构成。给第二发光元件的第一电极提供作为元件的TFT 107，该TFT 107控制流至含有发光物质的层212的电流。另外，第一含有发光物质的层212形成在第一电极211和第三绝缘层214之上。在此，第三绝缘层214是覆盖第一电极211的边缘、第二绝缘层209和漏电极(或源电极)108的绝缘层，被称为堤坝、隔离物、障碍物、势垒等。
第二发光元件则由第一电极221、第二含有发光物质的层222、以及第二电极223构成。而且，第一发光元件和第二发光元件被第四绝缘层215绝缘。
首先说明第一发光元件。在衬底101上中间夹多个绝缘层(第一绝缘层102、栅绝缘膜110、第二绝缘膜209)提供第一发光元件。在第一发光元件中，第一电极211一侧是获取光的方向，因此，若TFT 107是p沟道型TFT，则第一电极211为阳极，并用相同于实施方案模式1的第一发光元件的作为阳极的第一电极的材料形成。另一方面，若TFT 107是n沟道型TFT，则第一电极211为阴极，并用相同于实施方案模式1的第一发光元件的作为阴极的第一电极的材料形成。另一方面，第一含有发光物质的层212和第二电极213用和实施方案模式1的第一发光元件同样的材料(分别是112、113)形成。
和第一发光元件的第一电极211连接的作为像素驱动元件的TFT 107用和实施方案模式1相同的材料形成。另外，在本实施方案模式中，在TFT 107的漏电极(或源电极)108形成后，形成第一电极211，但是本发明不受该结构的限制。例如，在第一电极211形成后，可以形成TFT 107的漏电极(或源电极)108，也可以用相同的材料同时形成TFT 107的漏电极(或源电极)108和第一电极211。
由有机材料或无机材料形成的层间绝缘膜209形成在半导体区域和漏电极(或源电极)108之间。层间绝缘膜209可以使用和实施方案模式1的第三绝缘层114相同的材料。注意，在本实施方案模式中，由于采用非光敏性丙烯酸作为有机树脂材料，所以不能够如图1的109那样仅仅在绝缘物的上边沿部分形成具有曲率半径的弯曲表面。
第一含有发光物质的层212用和实施方案模式1描述的形成第一发光元件的第一含有发光物质的层112的相同方法来形成。注意，第二含有发光物质的层222的详细结构将在实施方案模式4中给出。
第二电极和第一电极211的极性相反，第二电极用和实施方案模式1描述的形成第一发光元件的第二电极的相同方法来形成。
使第一发光元件和第二发光元件绝缘的第四绝源膜215由有机材料或无机材料构成的层间绝缘膜215形成。层间绝缘膜215用和实施方案模式1的第三层间绝缘层114相同的材料来形成。
第二发光元件由第一电极221、第二含有发光物质的层222、以及第二电极223构成，第二电极223一侧是获取光的方向。所以，第二电极223用和实施方案模式1的第二发光元件的第二电极123相同的材料来形成。另外，第一电极221和第二含有发光物质的层222也和实施方案模式1的第一电极121、第二含有发光物质的层122同样地形成。还有，第一电极221用和实施方案模式1的第二发光元件的第一电极121相同的材料来形成。
在本实施方案模式中，第二发光元件的第一电极221覆盖主动矩阵型的第一发光元件的发光区域241。因此，像素中的发光区域的总和就是两个发光元件的发光区域241、242的面积的总和。所以跟使用传统的发光元件的发光器件的像素相比，可以提高开口率。
实施方案模式3
本实施方案模式将说明一种具有以下特征的显示器件，即，实施方案模式1或实施方案模式2中的第一发光元件以及第二发光元件的各个电极全部用有透光性的电极形成，使第一发光元件和第二发光元件绝缘的层间绝缘层用带色的材料，理想的是用实际上不透过可视光的材料形成。下文中将用图1以实施方案模式1中描述的发光器件为例作为本实施方案模式的发光器件的结构进行说明。
第一发光元件以及第二发光元件的第一电极和第二电极由有透光性的导电膜形成。若第一电极是阳极，则采用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、掺杂了镓的氧化锌(GZO)、包含氧化硅的ITO等的透明导电性材料来形成该第一电极。这种情况下第二电极是阴极，其最好采用有透光性且功函数小的导电性材料，例如包含Li或Cs等的碱金属、以及Mg、Ca、Sr等的碱土金属的超薄膜；和透明导电膜(ITO、IZO、ZnO等)构成的叠层结构来形成。或者，第二电极还可以采用共同蒸发淀积碱金属或碱土金属和电子传输材料从而形成电子注入层，并在其上层叠透明导电膜(ITO、IZO、ZnO、GZO、包含氧化硅的ITO等)而形成的叠层。注意，当第一电极是阴极，第二电极是阳极时，同样地，用分别显示不同极性且具有透光性的电极材料适当地形成该第一电极和第二电极。
这种情况下，一方的发光元件发出的光也向其他的发光元件发出光，这样，各个显示面的显示内容就会重叠。因此，使各个发光元件绝缘的层间绝缘层(图1中的114，图2中的215)由带色的材料，最好是不反射且实质上不透过可视光的材料形成。层间绝缘层的材料包括金属膜(铬等)、碳颗粒、或包含黑色颜料的绝缘膜(优选有机树脂膜)。
依据本实施方案模式的结构，可以防止在使用对具有遮光性的电极(例如第一发光元件的第二电极、第二发光元件的第一电极等)有反射性的材料时出现的混映外部景色的现象(具有反射性的各个电极反射景色，外部景色映在显示屏幕(面对观赏者的面)的状态)。因此，即使不使用价格昂贵的圆偏振膜，而且由于没有圆偏振膜带来的发射光的损失，所以可以获取廉价且清晰度高的发光器件。
另外，第一发光元件的第二电极是有遮光性的电极，第二发光元件的第一电极是有透光性的电极，层间绝缘层是带色的层，且优选用不反射实质上不透过可视光的材料来形成。这种情况下，第一发光元件的第二电极如用有反射性的导电膜形成，则会出现混映现象，而如果第一发光元件构成的是副显示面，则相对来说不受混映的影响。
实施方案模式4
本实施方案模式用图3A和3B说明能够适用于实施方案模式1至3描述的发光元件的含有发光物质的层(在实施方案模式1中为112、122；在实施方案模式2中为212、222)的结构。
发光元件由一对电极即阳极和阴极、以及夹在所述一对电极之间的含有发光物质的层构成。下文中，将提供在衬底一侧的电极表示为第一电极，且将提供在所述衬底的相对(相反)一侧的电极表示为第二电极。
含有发光物质的层至少包括发光层，并且，由层叠选自具有不同载流子功能的层，如空穴注入层、空穴输运层、阻挡层、电子输运层和电子注入层中的一层或多层而形成。
图3A和3B表示发光元件的剖面结构的一个例子。
在图3A中，在第一电极(阳极)1301上层叠空穴注入层1304、空穴输运层1305、发光层1306、电子输运层1307和电子注入层1308从而形成含有发光物质的层1303，并且，邻接电子注入层1308形成第二电极(阴极)1302。在此，将该结构称为顺(正)层叠形式。
另外，在图3B中，在第一电极(阴极)1311上层叠电子注入层1318、电子输运层1317、发光层1316、空穴输运层1315和空穴注入层1314从而形成含有发光物质的层1313，并且，邻接空穴注入层1314形成第二电极(阳极)1312。在此，将该结构称为倒(反)层叠形式。
本实施方案模式的所述第一发光元件和第二发光元件可以使用图3A或图3B所示的任何一种模式。并且，所述第一发光元件和第二发光元件可以都是顺层叠形式元件或都是倒层叠形式元件，还可以一个是顺层叠形式元件，而另一个是倒层叠形式元件。本实施方案模式1和2的发光元件优选采用前者的顺层叠形式的结构。
请注意，本实施方案模式可以利用但不局限于包括比如以下列举的各种各样的发光元件结构：阳极/空穴注入层/发光层/电子输运层/阴极、阳极/空穴注入层/空穴输运层/发光层/电子输运层/电子注入层/阴极、阳极/空穴注入层/空穴输运层/发光层/空穴阻挡层/电子输运层/阴极、阳极/空穴注入层/空穴输运层/发光层/空穴阻挡层/电子输运层/电子注入层/阴极。另外，发光区域的布置方法，即像素电极的布置方法可以利用比如条形排列、三角形排列和嵌合型排列等。
含有发光物质的层1303、1313的材料可以是熟知的低分子基、高分子基、或以低聚物(oligomer)或树枝状分子(dendrimer)为典型的中分子的有机化合物。另外，含有发光物质的层1303、1313的材料也可以是通过单态激励发光(荧光)的发光材料(荧光材料，单态化合物)或者可以是通过三态激励发光(磷光)的发光材料(磷光材料，三态化合物)。
下文将描述形成含有发光物质的层1303和1313的材料的具体例子。
如果空穴注入层1304、1314是有机化合物，则卟啉作为形成空穴注入层的空穴注入材料是有效的，可使用比如酞菁(以下称H2-Pc)、酞菁铜(以下称Cu-Pc)之类。还有预先经过化学掺杂处理的导电高分子化合物材料，掺杂了聚苯乙烯砜(简称PSS)的聚乙烯二氧基噻吩(简称PEDOT)、聚苯胺(简称PAni)、聚乙烯基咔唑(简称PVK)以及诸如此类。另外，如五氧化二钒(vanadium pentoxide)、钼氧化物那样的无机半导体的薄膜、或氧化铝等无机绝缘体的超薄膜也是有效的。
作为可以形成空穴输运层1305、1315的空穴输运材料，优选一种芳族胺基(也就是，其中具有苯环-氮键的)的化合物。广泛使用的材料包括，例如，N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-联苯-1，1’-联苯-4，4’-二胺(简称TPD，芳族二胺)、或其衍生物的4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-联苯(简称α-NPD)。也使用星形芳族胺化合物，包括：4，4’，4”-三(N，N-联苯-氨基)-三苯基胺(以下称“TDATA”)、以及4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯基胺(以下称“MTDATA”)。
用于形成发光层1306、1316的发光材料的具体例子包括金属络合物如三(8-喹啉醇合)铝(以下称Alq3)、三(4-甲基-8-喹啉醇合)铝(以下称Almq3)以及双(10-羟基苯并[h]-喹啉醇合)铍(以下称BeBq2)以及双(2-甲基-8-喹啉醇合)-(4-羟基-联苯基)-铝(以下称BAlq)、双[2-(2-羟苯基)-苯并噁唑醇合]锌(以下称Zn(BOX)2)，和双[2-(2-羟苯基)-苯并噻唑醇合]锌(以下称Zn(BTZ)2)。还可使用各种荧光染料。也可使用三重态发光材料，其主要例子包括以铂或铱为中心金属的络合物。已知的三重发光材料包括三(2-苯基吡啶)铱(以下称Ir(ppy)3)，2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉-铂(以下称PtOEP)。
作为可以形成电子输运层1307、1317的电子输运材料，包括金属络合物如三(8-喹啉醇合)铝(以下称Alq3)、三(4-甲基-8-喹啉醇合)铝(以下称Almq3)以及双(10-羟基苯并[h]-喹啉醇合)铍(以下称BeBq2)、以及双(2-甲基-8-喹啉醇合)-(4-羟基-联苯基)-铝(以下称BAlq)、双[2-(2-羟苯基)-苯并噁唑醇合]锌(以下称Zn(BOX)2)、和双[2-(2-羟苯基)-苯并噻唑醇合]锌(以下称Zn(BTZ)2)。除了金属络合物外，还包括其他能输运电子的材料是噁二唑衍生物，如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(缩写成PBD)、以及1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(缩写成OXD-7)；三唑衍生物，如3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(缩写成TAZ)、以及3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(缩写成p-EtTAZ)；咪唑衍生物，如2，2’，2”-(1，3，5-benzenetryil)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(缩写成TPBI)；以及菲咯啉衍生物，如红菲绕啉(缩写成BPhen)和浴铜灵(缩写成BCP)。
作为可以形成电子注入层1308、1318的电子注入材料，可以使用上述电子输运材料。除此以外，还经常使用如LiF、CsF等碱性金属卤化物、或CaF2等碱性土卤化物、或Li2O等碱性金属氧化物那样的绝缘体的超薄膜。另外，碱性金属络合体也是有效的，如乙酸丙酮锂(lithiumacetylacetonate)(简称Li(acac))、或8-羟基喹哪啶-锂(8-quinolinolato-lithium)(简称Liq)。
在实施方案模式1至3所示的任一的发光元件的含有发光物质的层可以适当地选择上述结构和材料。
当以本实施方案模式的发光器件来进行全色显示时，用蒸发淀积掩膜淀积形成显示红色、绿色和蓝色发光的材料层作为含有发光物质的层1303、1313。另外，也可以适当地用旋涂法或喷墨法来代替上述方法，以选择性地形成材料层。
而且，当含有发光物质的层发射白色光时，通过另外提供滤色器，也能够进行全颜色显示。或者，当含有发光物质的层发射蓝色光时，通过另外提供颜色转换层等，也能够实现全颜色显示。
实施方案模式5
下文中将说明有关实施方案模式1至4中所示的本发明的发光器件的驱动方法。
本实施方案模式中，TFT的源区和漏区由于结构或运作条件，很难被分开，所以将一方表示为第一电极，将另一方表示为第二电极。另外，将第一发光元件当作底面发射型发光元件，而将第二发光元件当作顶面发射型发光元件，并且将能够分别为获取发射光的区域当作第一区域、第二区域，上述构件都分别包括在反复重复单位中。
图8示出了本实施方案模式的一个例子。在此所示的一例是：第二发光元件3007的发光、非发光的控制分别由第一、第二驱动用TFT 3004、3005来执行。
虚线3000包围的区域是发光器件反复重复的单位，包括第二发光元件3007、第二发光元件的源信号线3001、栅信号线3002、电源线(供应恒电压或恒电流的布线)3003、第二发光元件的开关用TFT 3004、驱动用TFT 3005、第一发光元件3008、第一发光元件的行电极信号线3011和竖列电极信号线3012。
第二发光元件的开关用TFT 3004的栅电极和栅信号线3002电连接在一起，第一电极和源信号线3001电连接，第二电极和驱动用TFT 3005的栅电极电连接在一起。驱动用TFT 3005的第一电极和电源线(供应恒电压或恒电流的布线)3003电连接在一起，第二电极和第二发光元件3007的第一电极电连接在一起。
另一方面，行电极信号线3011是第一发光元件的第一电极，竖列电极信号线3012是第一发光元件的第二电极。
输入到源信号线3001的图像信号在当开关用TFT 3004是ON时，被输入到驱动用TFT 3005的栅电极，根据图像信号，电流供应到第二发光元件007，第二发光元件3007发光。同样地，当行电极信号线3011和竖列电极信号线3012是ON时，第一发光元件3008发光。如以上所述，第一区域和第二区域分别可以从衬底的正面、背面获取发射出来的光。
注意，当第一发光元件是区域颜色用的发光元件时，电源线(供应恒电压或恒电流的布线)3003和竖列电极被共用，第一发光元件的ON、OFF由行电极控制。另外，虽然示出了控制第二发光元件的发光、非发光的驱动TFT提供在像素内的例子，但驱动TFT的布局并不局限于此，也可以在像素外部(驱动电路等周围的部分)提供驱动TFT，或使用外部附带的IC芯片。
根据上述驱动方法，可以在第一区域和第二区域，也就是在发光器件的正面、背面同时显示不同的图像。所以可以形成一种发光器件，该发光器件包括的发光元件适合不同的各个显示面所需的显示内容。
实施例
实施例1
本实施例将用图4A-图7说明具有实施方案模式1的结构的发光元件的制作工艺。
图4A和4B表示形成第一发光元件的第一电极和第二发光元件的TFT的一部分的工艺，图4A表示其俯视图，图4B表示沿图4A的A-A’线切割的剖面图。
如图4A所示，在玻璃衬底(第一衬底401)上形成底膜绝缘膜402。本实施例中，底膜绝缘膜是两层结构，使用SiH4、NH3、N2O作为反应气体以形成厚50-100nm的第一氧氮化硅膜；使用SiH4、N2O作为反应气体以形成厚100-150nm的第二氧氮化硅膜，层叠以后就构成了两层叠层。
然后，在底膜绝缘膜上用众所周知的等离子体CVD法或减压CVD法，或溅射法等层叠形成非晶硅膜，并进行加热处理以晶化上述非晶硅膜。在这种情况下，硅化物在半导体膜的部分形成，该部分和促进半导体膜晶化的金属元素接触，晶化是以硅化物作为核来进行的。这里，进行用于去氢化的热处理之后(450℃，1小时)，进行用于晶化的热处理(550℃-650℃，4-24小时)。
其次，用熟知的方法来执行晶体硅膜中的金属元素的吸取(gettering)，以除去晶体硅膜中的金属元素或减少金属元素浓度。接下来，为了提高晶化率(在膜的全体积中晶体所占的比例)，修补晶粒中残存的缺陷，理想的是对晶体硅膜照射激光。
接着，用晶体硅膜通过熟知的方法形成TFT。将晶体硅膜按所希望形状蚀刻，以形成半导体区域403a、403b、403c。403a成为第二发光元件的开关TFT的半导体区域，403b成为第二发光元件的驱动TFT的半导体区域，403c成为形成在上述驱动TFT的源区域和栅电极之间的电容元件的一部分。接着，在用含氢氟酸的腐蚀剂清洗硅膜的表面后，形成作为栅绝缘膜404的以硅为主要成分的绝缘膜。
接着，形成众所周知的导电膜，在此具体形成氮化钽膜和钨膜的叠层膜，并按所希望形状执行蚀刻以形成栅电极(栅布线)405a、405b。
其次，给半导体添加赋予n型的杂质元素(P、As等)或添加赋予p型的杂质元素(B等)，在此具体掺杂磷或硼以形成n沟道型TFT和p沟道型TFT的源区和漏区。
然后，蚀刻开关TFT 407a的一部分，使半导体区域403a的源区域的一部分暴露出来后，形成导电膜，并按所希望形状执行蚀刻以形成和开关TFT 407a的源区域连接的源电极406。
然后，在衬底上形成第二绝缘膜(没有图示出)后，执行加热处理，或照射强光从而激活添加的杂质元素。该工艺在实现激活的同时还可以恢复栅绝缘膜的等离子体损伤或栅绝缘膜和半导体膜之间界面的等离子体损伤。
接着，在第二绝缘膜上涂敷丙烯酸树脂。在本实施例中，采用正性光敏丙烯酸树脂。之后，通过光刻工艺对正性光敏丙烯酸树脂执行曝光处理，使有机树脂显像，从而形成第一层间绝缘膜408。第一层间绝缘膜的第一开口部分由于具有弯曲率，所以有提高后面形成的电极的被覆盖率(coverage)的效果。另外，因为使用光敏丙烯酸树脂，所以即使不形成抗蚀膜掩膜也可以通过显像和曝光形成第一开口部分，而且没有必要执行抗蚀膜掩膜的灰化(ashing)或用剥离液来清除，因此可以减少工序。
然后，形成熟知的透明导电膜，这里具体为ITO膜，并按所希望的形状执行蚀刻，从而形成行电极409。
图5A和5B表示形成第一发光元件的含有发光物质的层和第二电极，以及第二发光元件的TFT的工艺，图5A表示其俯视图，图5B表示沿图4A的A-A’线切割的剖面图。
在第一发光元件的第一像素电极(行电极)409上形成第一含有发光物质的层419。层叠20nm的CuPc、30nm的α-NPD、50nm的Alq3而形成的叠层作为绿色的发光元件。接着，层叠形成1-10nm的Ag-Mg和50-200nm的ITO的叠层膜，并按所希望的形状蚀刻该叠层膜，从而形成第一发光元件的第二像素电极(竖列电极)412。图5A中，第一发光元件的发光区域为420。注意，第一含有发光物质的层在适当时候用实施方案模式4中描述的材料，不但形成绿色发光元件，而且形成红色发光元件或蓝色发光元件。
然后，蚀刻第一层间绝缘膜408、第二绝缘膜、和栅绝缘膜404，使开关TFT的漏区、驱动TFT的源区和漏区暴露出来后，形成熟知的导电膜，在此具体为钛膜(膜厚100nm)/铝-硅合金膜(膜厚350nm)/钛膜(膜厚100nm)(Ti/Al-Si/Ti)，并按所希望的形状蚀刻该导电膜，从而形成源电极411和漏电极410a、410b。注意，在本实施例中，驱动TFT 407b的源电极411是源电极信号线的一部分。另外，第一发光元件的发光区域为420。
另外，可以用喷墨法喷射金属溶液并使其附着在第一开口部分区域从而形成源电极和漏电极。这种情况下，可以省去抗蚀膜掩膜的形成和清除的工序。
图6A和6B表示形成第二发光元件的工艺，图6A表示其俯视图，图6B表示沿图6A的A-A’线切割的剖面图。
在整个衬底上形成绝缘膜作为第二层间绝缘膜413。在本实施例中，用非光敏性丙烯酸树脂作为第二层间绝缘膜。然后，蚀刻第二层间绝缘膜的一部分从而使驱动TFT 407b的漏电极暴露出来后，形成熟知的导电膜，在此为Ag膜，接着层叠ITO，并按所希望的形状蚀刻该叠层以形成第二发光元件的第一像素电极414。
然后，在像素部分形成第二含有发光物质的层415，在其上形成第二像素电极416。将层叠50nm的Alq3、30nm的α-NPD、和20nm的CuPc而形成的叠层作为第二含有发光物质的层。另外，和第一含有发光物质的层相同，除了绿色的发光元件，适当地形成红色发光元件或蓝色发光元件。
其次，在整个衬底上形成由氧氮化硅膜SiON(O＞N)、氮氧化硅膜SiNO(N＞O)构成的透明保护膜417，以抑制湿气和氧的侵入。
另外，如图7所示，在提供有像素部分的衬底上提供像素驱动电路，用该像素驱动电路形成包括n沟道型TFT和p沟道型TFT的CMOS电路，这样，可以获得在同一衬底上形成驱动电路和像素区域的显示器件。
图7是表示发光器件的俯视图。在图7中，虚线1101表示像素部分；1102表示第一发光元件的源信号线驱动电路；1104表示第一发光元件的栅信号线驱动电路。另外，1103表示第二发光元件的竖列电极驱动电略；1105表示第二发光元件的行电极驱动电路。1108表示对面衬底；1106表示包含间隙材料的密封材料，其中的间隙材料是为了保持一对衬底之间的间距的，该密封材料1106包围的内侧填充有密封剂。在本实施例中，使用包含间隙材料且粘度高的环氧基树脂作为密封材料。
进一步提供FPC(柔性印刷电路)、TAB(带自动接合)或TCP(带载体封装)等的外部输入端子1110，输入到源信号线驱动电路1102、竖列电极驱动电路1103；栅信号线驱动电路1104、行电极驱动电路1105的视频信号或时钟信号等信号经由连接布线1109被传输。注意，在此虽然只图示出FPC，但是也可以给该FPC附带印刷线路板(PWB)。
注意，虽然本实施例就实施方案模式1所示的发光器件的制作工艺进行了描述，但本实施例也适用于实施方案模式2所示的发光器件的制作工艺。
实施例2
本实施例将说明一种在有绝缘表面的衬底上至少形成包括像素部分、驱动像素的驱动电路和像素处理电路的发光器件的结构例子，以及减少功耗的运作方法。
图11所示的是在玻璃衬底上形成显示部分的系统的一个例子，在玻璃衬底上提供像素部分801、源线驱动电路802、栅线驱动电路803、功能不同的三个图像处理电路804-806、存储器807、接口电路808、电源供给计时控制电路809。
图11所示的方框图中，像素部分801是显示图像的部分；源线驱动电路802和栅线驱动电路803是驱动像素的驱动电路。像素数据被输入到源线驱动电路802。另外，接口电路808输入来自外部的图像数据或作为图像根基的数据，在转换为适当的内部信号后，输出到源线驱动电路802、图像处理电路804-806、或存储器807。
可以认为使用三个图像处理电路804-806和存储器807执行各种图像处理的发光器件是本发光器件的一个功能。例如，通过使用一个或多个这些图像处理电路，可以进行图像歪斜修正、改变大小(resize)、镶嵌(mosaic)处理、卷动(scroll)、反转等图像转换；或多窗处理；使用存储器807的图像生成；以及上述的复合处理。
与此对应的各种各样的运作方式也是可能的，在本结构的发光器件中，将有非易失性的锁存电路应用于像素处理电路804-806包括的寄存器和锁存电路是有效的。也就是说，依据非易失性锁存电路，能够复原像素处理电路804-806的逻辑状态的结构是有效的，所以，在保持图像处理电路804-806的运作状态的情况下切断电源是可能的，切断不使用的图像处理电路的电源是可能的。其结果，可以减少功耗。
另外，在待命时，在保持系统的状态的情况下可以切断电源供应，所以可以同时实现待命时和运作时的高速转移；以及待命时的功耗减少。
运作方式的转换控制由电源供给计时控制电路809执行。具体地，可以对应运作方式，在转换运作方式的前后，针对不使用的图像处理电路执行收藏和复原的工艺。
注意，本实施例虽然说明了可以复原像素处理电路804-806整体的情况，但是不一定受此限制。是能够复原构成像素处理电路804-806的一部分的电路(比如是电路C)的逻辑状态的结构也无妨。在这样的情况下，仅在使用电路C时，可以给电路C供应电源，这样就可以减少功耗。
注意，非易失性锁存电路也可以适用于接口电路、或源线驱动电路、栅线驱动电路。其结果，各个逻辑电路在不运作时，通过切断该逻辑电路可以减少功耗。
注意，本实施例可以和实施方案模式1至5以及实施例1的结构任意组合。
实施例3
在本实施例中将描述包括根据实施方案模式1至5、实施例1和2而形成的发光器件的电子器件。典型的例子包括摄像机、数码相机、笔记本式计算机、便携信息终端(便携用计算机、手提电话、便携用游戏机或电子书等)，包括记录媒质的放像设备(具体地说是能够处理诸如数字通用碟盘(DVD)之类的记录媒质中的数据并具有能够显示数据图像的显示器的装置)、电视接收机、电子通报板、出纳机等。本实施例示出将本发明的发光器件应用到手提电话的例子。
图9A至9D表示本发明的手提电话的外观图，图9A表示打开状态的斜透视图，图9B表示折叠状态的斜透视图，也是从提供有第二显示面的第一框架一侧所看到的斜透视图。
手提电话包括两个框架(第一框架8000a以及第二框架8000b)，由合页(binge)8101连接在一起。手提电话可以以合页8101为中心转动。
第一框架8000a上提供有第一显示面8001a、第二显示面8001b、操作按钮8002b、扬声器8003a、8003b、天线8004、相机用镜头8005。
另一方面，第二框架8000b上提供有操作按钮8002a、麦克风8102等。
当手提电话打开时，第一显示面8001a作为主要显示面被使用。屏面操作由操作按钮8002a执行。当手提电话折叠时，第二显示面8001b作为主要显示面被使用。这时，由提供在第一框架的操作按钮8002b来执行显示信息的操作。
图9C是从正横方向看到的图9A的手提电话的剖面。第一框架8000a的内部提供有和显示部分连接的显示控制器8008，从而控制显示内容。另外，第二框架8000b内部提供有电池8010和主体驱动用模块8009，用电池8010产生的电力来驱动显示部分、显示控制器8008、主体驱动用模块8009。
图9D是将图9C的区域A扩大了的图。第一显示面8001a和第二显示面8001b将显示部分8013(包括在衬底8011和对面衬底8012之间形成的发光元件)发射过来的图像的光显示在各个显示面上。
通过将实施方案模式1至5、实施例1-2所示的发光器件应用到本实施例的显示部分8013，可以用一个显示器件来显示两个显示面(第一显示面8001a和第二显示面8001b)，并且可以显示根据各个显示部分的内容的信息。例如，用主动矩阵驱动方式的发光元件作为能够在第一显示部分显示的发光元件；用被动矩阵驱动方式的发光元件或区域颜色用发光元件作为能够在第二显示部分显示的发光元件，这样，可以在第一显示部分显示高清晰图像和动感图像等；在第二显示部分显示钟表、电子邮件的来信状况等简易信息。
传统上，需要两个显示器件来显示第一显示面和第二显示面，但本实施例中，由于可以用一个显示器件来显示不同的显示面，所以手提电话的容积和重量可以被减小，从而实现器具的精巧化。
另外，传统上因为空间的关系，只能搭载显示面小的具有第二显示面的显示部分，但是通过本发明，可以提供和第一显示面8001a相同面积的第二显示面8001b，所以可以实现高附加价值。
实施例4
本实施例将用出纳机作为应用了实施方案模式1至5、实施例1和2的电子器件的一个例子。
图10表示应用本发明的出纳机的侧面图，包括由合页(hinge)9001连接在一起的第一框架9000a和第二框架9000b。第二框架9000b可以旋转。
第一框架9000a中提供有操作按钮9003和取出收据9004的部分。另一方面，第二框架9000b包括第一显示部分9002a和第二显示部分9002b两个显示面。第一显示部分9002a面对售货员9005，而第二显示部分9002b则面对顾客9006。
若第一显示部分9002a和第二显示部分9002b应用本发明的显示器件，则可以在一个显示器件上提供两个显示面，所以可以减薄显示部分的厚度，减少显示部分的重量，实现薄型化。另外，如在第一显示部分显示商品的计算值，并在第二显示部分显示广告或电视图像等，这样，在售货员进行商品的计算期间，顾客可以观看广告或电视图像等，于是，顾客不仅不会无法消磨时间，而且还能获得商品宣传信息。
根据本发明，能够在正背两个面显示的发光器件可以独立显示两个面的图像，而且，可以制作两个面合计的开口率高的发光器件。
使用本发明的显示器件的电子器件由于可以在正背两个面独立地显示图像，所以可以同时在两个显示面浏览相同的图像而没有异样感。另外，可以在两个屏面浏览不同的图像，而且可以实现包括多个显示部分的电子器件的包括轻巧化、薄型化等的高附加价值化。

Claims (28)

1.一种发光器件包括：
以矩阵形状被排列在衬底上的像素，每个像素包括第一发光元件和第二发光元件，
其中，所述第一发光元件向第一方向发光；
所述第二发光元件向与所述第一方向相反的第二方向发光；
所述第一发光元件的第一电极和半导体元件电连接在一起。
2.根据权利要求1的发光器件，其中所述半导体元件和所述第二发光元件形成在所述第一发光元件和所述衬底之间。
3.根据权利要求1的发光器件，其中所述半导体元件和所述第一发光元件形成在所述第二发光元件和所述衬底之间。
4.一种发光器件包括：
以矩阵形状被排列在衬底上的像素，每个像素包括第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件的第一电极和半导体元件电连接，
在所述第一发光元件和所述第二发光元件之间形成的绝缘膜；
其中，所述第一发光元件是一种叠层结构，包括按顺序从所述衬底一侧层叠的所述第一电极、第一含有发光物质的层、以及第二电极；
所述第二发光元件是一种叠层结构，包括按顺序从所述衬底一侧层叠的第三电极、第二含有发光物质的层、以及第四电极：
所述半导体元件和所述第二发光元件形成在所述第一发光元件和所述衬底之间；
所述第二电极和所述第三电极具有透光性。
5.根据权利要求4的发光器件，其中所述第一电极和所述第四电极具有透光性，且所述绝缘膜带色。
6.根据权利要求4的发光器件，其中所述第一电极或所述第四电极具有透光性，且所述绝缘膜带色。
7.一种发光器件包括：
以矩阵形状被排列在衬底上的像素，每个像素包括第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件的第一电极和半导体元件电连接，
在所述第一发光元件和所述第二发光元件之间形成的绝缘膜；
其中，所述第一发光元件是一种叠层结构，包括按顺序从所述衬底一侧层叠的所述第一电极、第一含有发光物质的层、以及第二电极；
所述第二发光元件是一种叠层结构，包括按顺序从所述衬底一侧层叠的第三电极、第二含有发光物质的层、以及第四电极；
所述半导体元件和所述第一发光元件形成在所述第二发光元件和所述衬底之间；
所述第一电极和所述第四电极具有透光性。
8.根据权利要求7的发光器件，其中，所述第二电极以及所述第三电极具有透光性，且所述绝缘膜带色。
9.根据权利要求7的发光器件，其中，所述第二电极或所述第三电极具有透光性，且所述绝缘膜带色。
10.根据权利要求5的发光器件，其中所述带色的绝缘膜包括其中金属颗粒、碳颗粒或黑色颜料被分散的有机树脂。
11.根据权利要求6的发光器件，其中所述带色的绝缘膜包括其中金属颗粒、碳颗粒或黑色颜料被分散的有机树脂。
12.根据权利要求8的发光器件，其中所述带色的绝缘膜包括其中金属颗粒、碳颗粒或黑色颜料被分散的有机树脂。
13.根据权利要求9的发光器件，其中所述带色的绝缘膜包括其中金属颗粒、碳颗粒或黑色颜料被分散的有机树脂。
14.根据权利要求1的发光器件，其中所述第一发光元件是主动矩阵驱动方式的发光元件，而所述第二发光元件是被动矩阵驱动方式的发光元件。
15.根据权利要求4的发光器件，其中所述第一发光元件是主动矩阵驱动方式的发光元件，而所述第二发光元件是被动矩阵驱动方式的发光元件。
16.根据权利要求7的发光器件，其中所述第一发光元件是主动矩阵驱动方式的发光元件，而所述第二发光元件是被动矩阵驱动方式的发光元件。
17.根据权利要求1的发光器件，其中所述第一发光元件是主动矩阵驱动方式的发光元件，而所述第二发光元件是用于区域颜色(area color)的发光元件。
18.根据权利要求4的发光器件，其中所述第一发光元件是主动矩阵驱动方式的发光元件，而所述第二发光元件是用于区域颜色的发光元件。
19.根据权利要求7的发光器件，其中所述第一发光元件是主动矩阵驱动方式的发光元件，而所述第二发光元件是用于区域颜色的发光元件。
20.根据权利要求1的发光器件，其中所述第一发光元件或所述第二发光元件是从有机化合物发射光的发光元件。
21.根据权利要求4的发光器件，其中所述第一发光元件或所述第二发光元件是从有机化合物发射光的发光元件。
22.根据权利要求7的发光器件，其中所述第一发光元件或所述第二发光元件是从有机化合物发射光的发光元件。
23.根据权利要求1的发光器件，其中所述半导件元件是薄膜晶体管、MOS晶体管、有机晶体管、或二极管。
24.根据权利要求4的发光器件，其中所述半导体元件是薄膜晶体管、MOS晶体管、有机晶体管、或二极管。
25.根据权利要求7的发光器件，其中所述半导体元件是薄膜晶体管、MOS晶体管、有机晶体管、或二极管。
26.一种包括根据权利要求1的发光器件的电子器件。
27.一种包括根据权利要求4的发光器件的电子器件。
28.一种包括根据权利要求7的发光器件的电子器件。
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