KR100742368B1 - 유기전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유연하고 휴대가 용이하며, 양면발광 및 박형화가 가능한 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 투명기판; 상기 투명기판의 일면에 위치하는 블랙 매트릭스; 상기 블랙 매트릭스 상에 위치하는 제 1 하부전극; 상기 제 1 하부전극 상에 위치하는 제 1 유기막층; 상기 제 1 유기막층 상에 위치하는 제 1 상부전극; 상기 투명기판의 다른 일면에 위치하는 제 2 하부전극; 상기 제 2 하부전극 상에 위치하는 제 2 유기막층; 상기 제 2 유기막층 상에 위치하는 제 2 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
유기전계발광소자, 블랙 매트릭스

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{Organic Electroluminescence Device And The Method For Fabricating Of The Same}
도 1은 종래 유기전계발광소자의 단면도.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도.
<도면 주요부호에 대한 부호의 설명>
100 : 투명기판 110 : 블랙 매트릭스
120,230 : 버퍼층 130,240 : 게이트 전극
140,250 : 게이트 절연막 151,152,261,262 : 소스/드레인 전극
160,270 : 반도체층
170,280 : 평탄화막 175,285 : 반사막
180,290 : 제 1 및 제 2 하부전극
190,300 : 화소 정의막 200,310 : 제 1 및 제 2 유기막층
210,320 : 제 1 및 제 2 상부전극
220 : 무기막
본 발명은 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 유연하고 휴대가 용이하며, 양면발광 및 박형화가 가능한 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 평판표시장치는 박형화와 아울러 플렉서블(flexible)한 특성이 요구되고 있다. 이러한 플렉서블한 특성을 위해 종래의 글라스 기판을 사용하던 것과 달리 플라스틱 기판을 사용하려는 시도가 많이 이뤄지고 있는데, 플라스틱 기판을 사용할 경우에는 고온 공정을 사용하지 않고, 저온 공정을 통해 제조될 수 있는 박막 트랜지스터에 대한 연구가 진행되고 있다.
최근 그러한 박막 트랜지스터로 각광을 받고 있는 것이 유기물로 형성된 반도체층을 갖는 유기 박막 트랜지스터이다. 유기 박막 트랜지스터는 저온 공정이 가능하여 저가격형 박막 트랜지스터를 실현할 수 있는 장점을 갖는다.
도 1은 종래의 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(5)상에 블랙 매트릭스(10)를 형성하고, 상기 블랙 매트릭스(10) 상에 버퍼층(15)을 형성한다. 이어, 상기 버퍼층(15) 상에 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터(20)를 형성한다.
이후 상기 박막 트랜지스터(20) 상에 비어홀을 구비한 평탄화막(25)을 형성하고, 상기 평탄화막(25) 상에 반사막(30)을 포함하는 제 1 전극(35)을 형성한다. 이어서, 상기 제 1 전극(35) 상에 개구부를 구비한 화소정의막(40)을 형성하고, 상기 화소정의막(40) 상에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층(45)을 형성한다.
이어서, 상기 유기막층(45) 상에 제 2 전극(50)을 형성하여 종래 유기전계발광소자를 완성한다.
그러나, 종래의 유기전계발광소자는 글라스기판을 사용하여 플렉서블하지 못하고, 또한 양면발광을 할 수 없는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 플렉서블하고, 두께가 얇으며, 양면발광이 가능한 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 투명기판; 상기 투명기판의 일면에 위치하는 블랙 매트릭스; 상기 블랙 매트릭스 상에 위치하는 제 1 하부전극; 상기 제 1 하부전극 상에 위치하는 제 1 유기막층; 상기 제 1 유기막층 상에 위치하는 제 1 상부전극; 상기 투명기판의 다른 일면에 위치하는 제 2 하부전극; 상기 제 2 하부전극 상에 위치하는 제 2 유기막층; 상기 제 2 유기막층 상에 위치하는 제 2 상부전극을 포함하 는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 제 1 투명기판 및 제 2 투명기판; 상기 제 1 투명기판과 제 2 투명기판 사이에 위치하는 블랙 매트릭스; 상기 제 1 투명기판 상에 위치하는 제 1 하부전극; 상기 제 1 하부전극 상에 위치하는 제 1 유기막층; 상기 제 1 유기막층 상에 위치하는 제 1 상부전극; 상기 제 2 투명기판 상에 위치하는 제 2 하부전극; 상기 제 2 하부전극 상에 위치하는 제 2 유기막층; 및 상기 제 2 유기막층 상에 위치하는 제 2 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 발명의 유기전계발광소자는 하나의 기판을 사용하여 기판의 양면에 각각 유기전계발광소자를 형성하여 본 발명의 유기전계발광소자를 형성할 수 있다. 또한 각각 하나의 기판에 유기전계발광소자를 형성하여 상기 기판들을 합착함으로써 본 발명의 유기전계발광소자를 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 대해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2 내지 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면 도이다.
도 2를 참조하면, 투명기판(100)을 제공한다. 상기 투명기판(100)은 캡톤, PEN, PES 및 PET로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하여 플렉서블한 특성이 우수할 수 있다. 또한 이와는 달리 일반적인 유리기판을 사용할 수 있다.
상기 투명기판(100) 상에 블랙 매트릭스(110)를 형성한다. 상기 블랙 매트릭스(110)는 Mo 또는 Cr 등과 같은 반사율이 낮은 금속물질을 사용하거나, 착색된 ITO, IZO 등과 같은 물질을 사용할 수 있는데, 바람직하게는 탄소계 수지, MIHL, 그래파이트 및 Cr/CrOx로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(110) 상에 버퍼층(120)을 형성한다. 상기 버퍼층(120)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(120) 상에 잉크젯 프린팅법등을 이용하여 게이트 전극(130)을 형성한다. 상기 게이트 전극(130)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.
상기 투명기판(100) 전면에 게이트 절연막(140)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(140)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물이 사용될 수 있다.
이어서, 상기 게이트 절연막(140) 상에 소스/드레인 전극(151,152)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(151,152)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.
상기 소스/드레인 전극(151,152) 상에 반도체층(160)을 형성한다. 상기 반도체층(160)은 유기반도체 물질로 형성하며, 상기 유기 반도체 물질로는, 고분자로 서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이돌의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다.
이후에, 상기 투명기판(100) 상에 평탄화막(170)을 형성하고, 상기 평탄화막(170)을 식각하여 비어홀을 형성한다. 상기 평탄화막(170) 상에 반사막(175)을 형성한다. 상기 반사막(175)은 Ag, Al 또는 이들의 합금일 수 있다.
이어, ITO와 같은 투명도전막을 상기 투명기판(100) 상에 적층한 후, 투명도전막을 패터닝하여 상기 반사막(175)을 포함하는 제 1 하부전극(180)을 형성한다. 상기 제 1 하부전극(180)은 ITO 또는 IZO를 사용할 수 있다.
상기 투명기판(100) 전면에 개구부를 구비한 화소 정의막(190)을 형성한다. 상기 개구부에 제 1 유기막층(200)을 형성한다. 상기 제 1 유기막층(200)은 적어도 유기발광층을 포함하며 그 외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다. 이후에 상기 투명기판(100) 전면에 제 1 상부전극(210)을 형성한다. 이때, 상기 제 1 상부전극(210)은 투명하면서 일함수가 낮은 Mg, Ag, Al, Ca 및 이들의 합금으로 사용할 수 있다.
이후에, 상기 유기 박막 트랜지스터, 제 1 하부전극, 제 1 유기막층 및 제 1 상부전극을 포함하도록 무기막(220)을 형성한다. 상기 무기막(220)은 후속 공정을 할때 소자를 보호하기 위한 것으로써 산화규소계 또는 질화규소계중에 선택된 하나의 재료로 형성된다.
다음, 도 3을 참조하면, 상기 투명기판(100)의 다른 일면 상에 버퍼층(230)을 형성한다. 상기 버퍼층(230)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(230) 상에 잉크젯 프린팅법등을 이용하여 게이트 전극(240)을 형성한다. 상기 게이트 전극(240)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.
상기 투명기판(100) 전면에 게이트 절연막(250)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(250)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물이 사용될 수 있다.
이어서, 상기 게이트 절연막(250) 상에 소스/드레인 전극(261,262)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(261,262)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.
상기 소스/드레인 전극(261,262) 상에 반도체층(270)을 형성한다. 상기 반도체층(270)은 유기반도체 물질로 형성하며, 상기 유기 반도체 물질로는, 고분자로서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리 티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이돌의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다.
이후에, 상기 투명기판(100) 상에 평탄화막(280)을 형성하고, 상기 평탄화막(280)을 식각하여 비어홀을 형성한다. 상기 평탄화막(280) 상에 반사막(285)을 형성한다. 상기 반사막(285)은 Ag, Al 또는 이들의 합금일 수 있다.
이어, ITO와 같은 투명도전막을 상기 투명기판(100) 상에 적층한 후, 투명도전막을 패터닝하여 상기 반사막(285)을 포함하는 제 2 하부전극(290)을 형성한다. 상기 제 2 하부전극(290)은 ITO 또는 IZO를 사용할 수 있다.
상기 투명기판(100) 전면에 개구부를 구비한 화소 정의막(300)을 형성한다. 상기 개구부에 제 2 유기막층(310)을 형성한다. 상기 제 2 유기막층(310)은 적어도 유기발광층을 포함하며 그 외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다. 이후에 상기 투명기판(100) 전면에 제 2 상부전극(320)을 형성한다. 이때, 상기 제 2 상부전극(320)은 투명하면서 일함수가 낮은 Mg, Ag, Al, Ca 및 이들의 합금으로 사용할 수 있다.
이후에, 상기 무기막(220)을 제거하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자를 완성한다.
상기와 같이, 플렉서블한 기판을 사용함으로써, 유기전계발광소자가 유연하고 휴대가 용이할 수 이점이 있다.
또한, 하나의 블랙 매트릭스 및 기판을 사용하여 유기전계발광소자의 두께가 얇아질 수 있는 이점이 있다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 제 1 투명기판(390)을 제공한다. 상기 제 1 투명기판(390)은 캡톤, PEN, PES 및 PET로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하여 플렉서블한 특성이 우수할 수 있다. 또한 이와는 달리 일반적인 유리기판을 사용할 수 있다.
상기 제 1 투명기판(390)의 일면에 블랙 매트릭스(400)를 형성한다. 상기 블랙 매트릭스(400)는 Mo 또는 Cr 등과 같은 반사율이 낮은 금속물질을 사용하거나, 착색된 ITO, IZO 등과 같은 물질을 사용할 수 있는데, 바람직하게는 탄소계 수지, MIHL, 그래파이트 및 Cr/CrOx로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.
상기 제 1 투명기판(390)에 상기 블랙 매트릭스(400)가 형성되어 있지 않은 다른 일면에 버퍼층(410)을 형성한다. 상기 버퍼층(410)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(410) 상에 잉크젯 프린팅법등을 이용하여 게이트 전극(420)을 형성한다. 상기 게이트 전극(420)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.
상기 제 1 투명기판(390) 전면에 게이트 절연막(430)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(430)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물이 사용될 수 있다.
이어서, 상기 게이트 절연막(430) 상에 소스/드레인 전극(441,442)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(441,442)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.
상기 소스/드레인 전극(441,442) 상에 반도체층(450)을 형성한다. 상기 반도체층(450)은 유기반도체 물질로 형성하며, 상기 유기 반도체 물질로는, 고분자로서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이돌의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다.
이후에, 상기 제 1 투명기판(390) 상에 평탄화막(460)을 형성하고, 상기 평탄화막(460)을 식각하여 비어홀을 형성한다. 상기 평탄화막(460) 상에 반사막(465)을 형성한다. 상기 반사막(465)은 Ag, Al 또는 이들의 합금일 수 있다.
이어, ITO와 같은 투명도전막을 상기 제 1 투명기판(390) 상에 적층한 후, 투명도전막을 패터닝하여 상기 반사막(465)을 포함하는 제 1 하부전극(470)을 형성한다. 상기 제 1 하부전극(470)은 ITO 또는 IZO를 사용할 수 있다.
상기 제 1 투명기판(390) 전면에 개구부를 구비한 화소 정의막(480)을 형성한다. 상기 개구부에 제 1 유기막층(490)을 형성한다. 상기 제 1 유기막층(490)은 적어도 유기발광층을 포함하며 그 외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다. 이후에 상기 제 1 투명기판(390) 전면에 제 1 상부전극(500)을 형성한다. 이때, 상기 제 1 상부전극(500)은 투명하면서 일함수가 낮은 Mg, Ag, Al, Ca 및 이들의 합금으로 사용할 수 있다.
이어서, 도 5를 참조하면, 제 2 투명기판(510)을 제공한다. 상기 제 2 투명기판(510)은 상기 제 1 투명기판(390)과 동일한 플렉서블한 기판을 사용할 수 있다.
상기 제 2 투명기판(510) 상에 버퍼층(520)을 형성한다. 상기 버퍼층(520)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(520) 상에 잉크젯 프린팅법등을 이용하여 게이트 전극(530)을 형성한다. 상기 게이트 전극(530)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.
상기 제 2 투명기판(510) 전면에 게이트 절연막(540)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(540)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물이 사용될 수 있다.
이어서, 상기 게이트 절연막(540) 상에 소스/드레인 전극(551,552)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(551,552)은 Al, Cr 또는 Cu로 이루어진 군에서 하나를 사용할 수 있다.
상기 소스/드레인 전극(551,552) 상에 반도체층(560)을 형성한다. 상기 반도체층(560)은 유기반도체 물질로 형성하며, 상기 유기 반도체 물질로는, 고분자로서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이돌의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다.
이후에, 상기 제 2 투명기판(510) 상에 평탄화막(570)을 형성하고, 상기 평탄화막(570)을 식각하여 비어홀을 형성한다. 상기 평탄화막(570) 상에 반사막(575)을 형성한다. 상기 반사막(575)은 Ag, Al 또는 이들의 합금일 수 있다.
이어, ITO와 같은 투명도전막을 상기 제 2 투명기판(510) 상에 적층한 후, 투명도전막을 패터닝하여 상기 반사막(575)을 포함하는 제 2 하부전극(580)을 형성한다. 상기 제 2 하부전극(580)은 ITO 또는 IZO를 사용할 수 있다.
상기 제 2 투명기판(510) 전면에 개구부를 구비한 화소 정의막(590)을 형성한다. 상기 개구부에 제 2 유기막층(600)을 형성한다. 상기 제 2 유기막층(600)은 적어도 유기발광층을 포함하며 그 외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전 자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다. 이후에 상기 제 2 투명기판(510) 전면에 제 2 상부전극(610)을 형성한다. 이때, 상기 제 2 상부전극(610)은 투명하면서 일함수가 낮은 Mg, Ag, Al, Ca 및 이들의 합금으로 사용할 수 있다.
이후에, 도 6을 참조하면, 상기 제 1 투명기판과 제 2 투명기판을 합착하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자를 완성한다.
상기와 같이, 플렉서블한 기판을 사용함으로써, 유기전계발광소자가 유연하고 휴대가 용이할 수 이점이 있다.
또한, 하나의 블랙 매트릭스 및 기판을 사용하여 유기전계발광소자의 두께가 얇아질 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 유기전계발광소자 및 그 제조방법은 유연하고 휴대가 용이하며, 양면발광 및 박형화가 가능한 이점이 있다.

Claims (9)

  1. 투명기판;
    상기 투명기판의 일면에 위치하는 블랙 매트릭스;
    상기 블랙 매트릭스 상에 위치하는 제 1 하부전극;
    상기 제 1 하부전극 상에 위치하는 제 1 유기막층;
    상기 제 1 유기막층 상에 위치하는 제 1 상부전극;
    상기 투명기판의 다른 일면에 위치하는 제 2 하부전극;
    상기 제 2 하부전극 상에 위치하는 제 2 유기막층;
    상기 제 2 유기막층 상에 위치하는 제 2 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명기판은 캡톤, PEN, PES 및 PET로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하거나 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 탄소계 수지, MIHL, 그래파이트 및 Cr/CrOx로 이루어 진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 반사막 및 투명도전막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 투명기판을 제공하는 단계;
    상기 투명기판의 일면에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스 상에 제 1 하부전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 하부전극 상에 제 1 유기막층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 유기막층 상에 제 1 상부전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 하부전극, 제 1 유기막층 및 제 1 상부전극을 포함하는 무기막을 형성하는 단계;
    상기 투명기판의 다른 일면에 제 2 하부전극을 형성하는 단계;
    상기 제 2 하부전극 상에 제 2 유기막층을 형성하는 단계;
    상기 제 2 유기막층 상에 제 2 상부전극을 형성하는 단계; 및
    상기 무기막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  6. 제 1 투명기판 및 제 2 투명기판;
    상기 제 1 투명기판과 제 2 투명기판 사이에 위치하는 블랙 매트릭스;
    상기 제 1 투명기판 상에 위치하는 제 1 하부전극;
    상기 제 1 하부전극 상에 위치하는 제 1 유기막층;
    상기 제 1 유기막층 상에 위치하는 제 1 상부전극;
    상기 제 2 투명기판 상에 위치하는 제 2 하부전극;
    상기 제 2 하부전극 상에 위치하는 제 2 유기막층; 및
    상기 제 2 유기막층 상에 위치하는 제 2 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 탄소계 수지, MIHL, 그래파이트 및 Cr/CrOx로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 투명기판은 캡톤, PEN, PES 및 PET로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  9. 제 1 투명기판을 제공하는 단계;
    상기 제 1 투명기판의 일면에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;
    상기 제 1 투명기판의 다른 일면에 제 1 하부전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 하부전극 상에 제 1 유기막층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 유기막층 상에 제 1 상부전극을 형성하는 단계;
    제 2 투명기판을 제공하는 단계;
    상기 제 2 투명기판 상에 제 2 하부전극을 형성하는 단계;
    상기 제 2 하부전극 상에 제 2 유기막층을 형성하는 단계;
    상기 제 2 유기막층 상에 제 2 상부전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 투명기판과 제 2 투명기판을 합착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100824881B1 (ko) 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100770127B1 (ko) * 2006-11-10 2007-10-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824880B1 (ko) 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
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KR102608416B1 (ko) * 2016-09-06 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071246A (ja) 2002-08-02 2004-03-04 Harison Toshiba Lighting Corp 両面発光表示装置
KR20040073649A (ko) * 2003-02-14 2004-08-21 오리온전기 주식회사 유기 전계발광 소자
KR20050002656A (ko) * 2003-06-30 2005-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스 및 전자 디바이스
KR20050076464A (ko) * 2004-01-20 2005-07-26 엘지전자 주식회사 유기 이엘 디스플레이 패널
KR20050102360A (ko) * 2004-04-22 2005-10-26 (주)케이디티 유기 전계 발광 소자용 투명 전도성 전극의 형성방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071246A (ja) 2002-08-02 2004-03-04 Harison Toshiba Lighting Corp 両面発光表示装置
KR20040073649A (ko) * 2003-02-14 2004-08-21 오리온전기 주식회사 유기 전계발광 소자
KR20050002656A (ko) * 2003-06-30 2005-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스 및 전자 디바이스
KR20050076464A (ko) * 2004-01-20 2005-07-26 엘지전자 주식회사 유기 이엘 디스플레이 패널
KR20050102360A (ko) * 2004-04-22 2005-10-26 (주)케이디티 유기 전계 발광 소자용 투명 전도성 전극의 형성방법

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