KR20050102360A - 유기 전계 발광 소자용 투명 전도성 전극의 형성방법 - Google Patents

유기 전계 발광 소자용 투명 전도성 전극의 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 RF 마그네트론 플라즈마 장비는 전면 발광용 유기 발광 소자를 구성하는 유기 층의 손상 없이 투명 전도성 전극을 제조하기 위해, 반응 실에서 발생한 산소 플라즈마 상태의 산소 음이온의 일부를 포획하거나 이온의 속도를 조절하고 낮은 복사열을 발생시키기 위해 소정의 전압(0 내지 100 V)이 인가된 그리드 막을 설치하는 단계, 그리드 막의 양측에 투명 전도성 재료의 스퍼터 타겟와 냉각 장치가 구비된 기판을 일정한 거리로 대향되게 배치하는 단계, 투명 전도성 전극이 유기 발광 소자를 구성하는 유기 층 위에 우수한 특성의 균일한 막을 형성하기 위한 방법으로 반응실 내의 플라즈마 전위에 의해 자체적으로 발생하는 바이어스 전압의 효과를 증대하기 위해 플라즈마 차폐물(shield)를 스퍼터 타겟 가까이에 두어 유기 층 위의 투명 전도성 막의 투과도와 저항의 성능을 향상하는 단계, 별도의 산소 가스 주입 및 저 운동 에너지를 가진 산소이온을 공급하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 RF 마그네트론 스파터에 의한 유기 발광 소자를 구성하는 유기 발광 부 위에 투명 전도성 막을 제작 시 유기물 보호 층으로 LiF(1nm)/Al(2 nm)/Ag(10nm)와 Ca(10nm)/Ag(10nm)의 구조의 반투명성 보호 층(semitransparent protecting layer)을 사용한 것을 특징으로 한다.
따라서 투명 전도성 전극을 형성할 때 산소 플라즈마에서 발생되는 산소 음이온 에너지, 산소 음이온 속(oxygen anion flux), 복사열, 빛에 대한 유기 층의 손상에 의한 발광 특성의 저하를 방지하는데 효과가 있다.

Description

투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법{THE MANUFACTURING METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTING ELECTRODE FOR TRANSPARENT ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 투명 전도성 전극 형성 과정에서 발광 부를 구성하는 유기물의 손상을 적게 주는 방법으로 고 효율의 발광 소자를 구성하도록 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light-emitting diode)는 구동방식에 따라 별도의 구동원이 필요한 수동형(passive matrix type)과 스위치 소자로 기능하는 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 일치로 구비한 능동형(active matrix type)으로 구분할 수 있다. 또한, 유기 발광 소자는 발광 층에서 발광 빛을 기판의 아래쪽 방향으로 방출하는 배면 발광 구조와 기판의 위쪽 방향으로 방출하는 전면 발광 구조로 나눌 수 있다.
도 1은 배면 발광 구조로서 종래의 수동형 유기 발광 소자의 대표적인 구조를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
수동형 유기 발광 소자의 각 화소의 발광은 최대 휘도를 전체 픽셀수로 나눈 값에 대응되므로 고 휘도와 높은 구동 전압을 요구하기 때문에 5인치 이상, XVGA 급 이상의 고 해상도를 지닌 유기 발광 소자를 제작하기 위해서는 능동형 구조의 유기 발광 소자를 구성하는 것이 안정한 소자 구동을 위해서 중요하다.
수동형 유기 발광 소자에 비해 능동형 유기 발광 소자는 각 화소가 스위칭 소자인 박막 트랜지스터에 의해서 간접적으로 구동되므로 각 화소에 공급되는 전압은 서로 완전히 독립적으로 지속 될 수 있어서 고 해상도, 고 화질 및 대면적화 등의 장점을 가지고 있다.
상기와 같이 구성되는 일반적인 발광 소자의 구조에 있어서, 본 발명과 관련이 있는 투명 전도성 음전극과 유기 발광 부를 구성하는 유기 막 층, 양전극에 대하여 도 2 및 도 3을 참고하여 구체적으로 설명한다.
도 2와 도 3은 능동형 유기 발광 소자의 종래 배면 발광과 전면 발광의 소자 구조를 각각 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이 능동형 배면 발광용 유기 발광 패널의 제조 방법은 TFT(thin film transistor) 에레이(array) 부를 형성하는 단계와 유기 발광 부를 형성하는 단계 및 투명 전도성 전극을 형성하는 단계로 크게 분리된다. 소오스(source) 전극/드레인(drain) 전극이 형성된 기판 전면에 평탄 화 막을 형성하는 단계, 상기 소오스 전극/드레인 전극 중의 하나를 개방하도록 상기 평탄 화 막을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계, 상기 화소를 분리하는 소정 패턴의 세퍼레이터를 형성하는 단계, 상기 비아홀을 매몰하는 양극(120)을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 배면 발광을 하는 발광 층(150)을 형성하는 단계 및 상기 기판 상에 음극(80)을 형성하는 단계로 이루어진다.
상기 유기 발광 층은 순차적으로 형성된 정공 수송 층/발광 층, 정공 수송 층/발광 층/전자 주입 층, 정공 수송 층/발광 층/정공 차단 층/전자 주입 층/및 정공 주입 층/정공 수송 층/발광 층/전자 수송 층/전자 주입 층으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 구조를 구비하도록 되어 있다.
도 3에 도시된 능동형 전면 발광용 유기 발광 소자의 제조 방법 중 도 2와 다른 것은 양극(120)은 주로 고반사율을 나타내는 니켈(Ni), 인듐 주석 산화물(ITO)/알루미늄(Al) 등이 사용되고 고 투과성과 낮은 저항의 특성이 요구되는 음극의 경우는 일반적으로 금속(알루미늄, 마그네슘:은, 칼슘)/인듐 주석 산화 막의 구조가 사용되는데 인듐 주석 산화 막은 일함수가 높다.
인듐 주석 산화 막과 같은 투명 전도성 전극(transparent conducting electrode)으로 인듐 진크 산화 막(IZO), 인듐 산화 막 (In2O3), 진크 산화 막(ZnO), 주석 산화 막(SnO) 등의 사용되고 있다. 또한, 능동형 전면 유기 발광 소자로서 양극과 음극이 바뀐 구조도 많은 연구의 대상이 되고 있다.
상기 능동형 전면 유기 발광 소자는 양전극과 음전극 사이에 유기 발광 층을 개재하여 구성된다. 유기 박막은 광 투과율이 우수하고, 고효율 발광 특성을 갖는 저분자 및 고분자 물질로 구성된다.
상기 유기 발광 소자를 접착제(200)를 통해 기판에 유리판 또는 메탈케이스를 부착하거나 무기 층/유기 층을 반복하여 증착하여 유기 발광 소자를 공기 중에 산소나 수분을 차단하여 수명을 향상시킨다. 그리고 상기 유리 캔의 안쪽에는 수분을 흡수하는 흡습제를 부착하다.
상기 유기 발광 부(A)의 유기 막 층은 수용액 또는 유기 용액에서 딥코팅 (dip coating) 또는 스핀코팅과 같은 단순한 과정에 의하여 박막으로 형성하거나 진공 열 증착 법에 의하여 수 Å에서 수백 Å 이내로 구성된다.
상기와 같이 발광 소자에 구성되는 유기 발광 부(A)는 휘도를 더 향상시키거나 복수의 발광 원을 일정한 공간상에 형성시키기 위하여 유기 발광 부를 2층 이상으로 구성하는 연구가 시도되고 있다.
상기 도 3과 같이 유기 막의 적층으로 이루어진 유기 발광 부(A)를 복수 층으로 구성하는 경우에는 그 발광 부 층 사이에 투명 전도성 전극으로 추가 전극을 형성하여 주는 과정을 거쳐야 한다.
투명 전도성 전극 중 인듐 주석 산화 막은 마그네트론 스퍼터 증착(magnetron sputtering deposition), 금속유기 증기 증착(metaloganic chemical vapor deposition), 펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition) 또는 아크 방전 이온 플레이팅(arc-discharge ion plating) 법 등으로 형성할 수 있으나, 진공 증착 법으로 형성할 경우 스퍼터 법으로 형성하는 막에 비하여 면저항 및 투명도 등이 현저하게 나빠지므로 스퍼터 법을 이용하는 것이 일반적이다.
스퍼터 법으로 인듐 주석 산화 막을 형성하는 방법은 도 5와 같이 반응실(300) 내에 유기 막이 형성된 기판(310)과 인듐 주석 산화 막을 형성하기 위한 스퍼터 타겟(320)을 일정 거리만큼 이격시킨 후 산소가스와 아르곤 가스를 주입하여 스퍼터 타겟의 이온을 플라즈마 여기 시킴으로서 이루어진다.
그러나 상기와 같이 유기 발광 층의 유기 막을 형성한 후 그 유기 막 위에 전극 즉, 인듐 주석 산화 막을 형성하는 경우에는 인듐 주석 산화 막의 형성과정에서 발생하는 산소 이온 및 고온으로 인하여 적층된 유기막이 손상되거나 열화하기 때문에 종래의 인듐 주석 산화 막의 형성 방법으로는 기술의 한계가 있다.
물론, 도 3의 구조와 같이 유기 발광 부가 1층으로만 구성되는 경우에는 유리나 플라스틱 재질의 기판 위에 양전극으로 기능하는 인듐 주석 산화 막을 형성하게 되며, 그 위에 유기 발광부로 구성하는 유기 막과 반투명 보호 층으로 음전극(Semitransparent anion electrode)을 형성하고 그 위에 투명 전도성 양전극을 형성하는 기술이 사용된다. 한편, RF 마그네트론 스퍼터에 의해 투명 전도성 양전극을 형성할 때, 반투명 보호 층의 전체두께가 15 nm 이하를 지니고 반투명한 LiF/Al의 박막일 경우, 투명 전도성 전극인 인듐 주석 산화물을 형성할 때 알루미늄이 산화되거나 유기 층을 구성하는 유기막이 손상을 입는다. 그에 따라, 전면 발광 형 투명 유기 발광 소자의 구동 특성은 높은 문턱전압, 낮은 발광 효율, 낮은 발광 수명 등을 나타내는 것이 문제가 되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 그 목적은 발광 층으로 기능하는 다층의 유기 막으로 구성된 기판에 투명 전도 막을 후 공정에서 형성하였을 때 발광 층으로 기능하는 다층의 유기막이 RF(radio frequency) 플라즈마 발생할 때 산소이온과 열에 손상되지 않고 막질이 균일성(uniformity)을 지니며 낮은 저항과 높은 투과성을 지닌 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명은 유기 막으로 된 발광 층에 양전극(anode)과 음전극(cathode)이 접촉되어 이루어지는 발광 소자의 전극에 있어서, 본 발명은 반응 실(300) 내의 투명 전도 막의 스퍼터 타겟(320)과 유기막이 증착된 기판(310) 사이에 0 내지 100V의 전압으로 컨트롤되는 매쉬 형의 그리드(grid, 340) 막을 형성하고, 상기 그리드 막이 반응실 내에 플라즈마 상태의 산소 이온을 일부 포획하거나 산소 이온의 이동 속도를 조절하도록 한다. 상기 그리드 막은 유기막이 형성된 기판 쪽으로 향하는 플라즈마 상태의 산소 이온의 농도 및 속도를 적절히 조절하도록 함으로써 산소 이온에 의한 유기 막의 손상을 최소로 한다.
또한, 플라즈마 전위에 의한 바이어스 전압의 효과를 증대시켜 주기 위해서 프라즈마 차페 층(shield)을 스퍼터 타겟 가까이에 두고 유기 막 위에 별도의 산소 주입 및 저 운동 에너지를 가진 산소 이온을 공급한다.
상기 음전극은 인듐 틴 산화물(ITO), 인듐 진크 산화물(IZO), 진크 산화물(ZnO), 인듐 산화물(In2O3), 주석 산화물(SnO) 및 그들의 복합 산화물로 구성된 투명 전도성 재료로 이루어진다.
상기 발광 층은 순차적으로 형성된 정공 수송 층/발광 층, 정공 수송 층/발광 층/전자 주입 층, 정공 수송 층/발광 층/정공 차단 층/전자 주입 층/및 정공 주입 층/정공 수송 층/발광 층/전자 수송 층/전자 주입 층으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 구조를 구비하고 상기 전자 주입 층에 상기 투명 전도 막이 접촉되도록 구성된다.
상기 ITO(280) 코팅된 유기 기판 위에 유기 막을 적어도 2층 이상 연속 적층하고, 상기 전자 주입 층 위에는 반투명 보호 층이 접촉되도록 구성된다. 또한, 유기 막으로 된 발광 층에 인듐 주석 산화 막으로 된 양전극(anode)과 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg) 등으로 된 반투명성 보호 층(semitransparent protecting layer)이 접촉되어 이루어지는 유기 발광 소자 위에 추가 투명 전도성 전극 제조방법에 있어서,
소정의 전압인가(0 내지 100V)에 의하여 산소 이온을 컨트롤하는 그리드 막을 설치하고, 상기 그리드 막의 양측에 스퍼터 타겟 및 상기 유기막이 형성된 기판을 일정한 거리로 대향되게 배치한 반응실 내에서 상기 양전극의 스퍼터 타겟의 이온 및 산소 이온을 플라즈마 여기시켜 상기 유기 막 위에 상기 음전극이 형성되도록 제조된다.
따라서 본 발명의 기술적 과제는, 유기 발광 층을 구성하는 다층의 유기 막의 손상이 없이 투명 전도성 전극을 증착하는 방법과 제조 장비에 대한 기술을 제공하는 것이다.
반투명 보호 층이 LiF/Al인 경우나 반투명성 보호 층이 없는 경우에는 전면 유기 발광 소자를 구성하는 유기 막이 음전극인 인듐 주석 산화 막을 RF 스파터를 이용하여 증착하는 경우 손상을 입는다. 본 발명은 반투명성 보호 층인 (semitransparent protecting layer) LiF(1nm)/Al(2nm)/Ag(10nm)와 Ca(10nm)/Ag (10nm)의 구조는 RF 마그네트론 스파터 방법에 의해 인듐 주석 산화 막의 투명 전도성 막을 제작할 때 유기물의 손상을 입히지 않은 유기물의 보호 층이며 반투명 보호 층의 은(Ag)은 알루미늄이나 칼슘의 산화를 방지하는 효과가 있다. 본 발명의 반투명 보호 층은 전면 유기 발광 소자를 구성하는 알루미늄 막과 인듐 주석 산화 막 사이에 밀착력을 증가시키는 효과를 나타낸다. 또한, 상기 LiF, Al, Ag, Ca의 조합으로 구성된 반투명성 보호 층중에서 상기 두 구조는 투과도와 비저항 면에서 가장 우수한 특성을 나타낸다.
도 7 은 다층의 유기 발광 부로 구성된 전면 유기 발광 소자의 구조를 도시한 개략적인 단면도이다. 제2 전극(206)의 상하층에 구성되는 일함수 조정 막(51, 52)에 따라서는 상기 제1 전극(106)을 양전극으로 할 경우 상기 제2 전극(206)은 제1 전극에 대하여 음전극으로 기능하도록 할 수 있고, 제3 전극(308)을 음전극으로 할 경우 제3 전극에 대하여 제2 전극은 양전극으로 기능하도록 할 수 있다. 상기 일함수 조정 막(51, 52)으로는 리튬 프로라이드(LiF)와 세슘 프로라이(CsF)가 이용된다.
본 발명의 발광소자의 구조 및 제조방법은 상기 설명된 구조에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술사상 및 특허 청구 범위 내에서 다양하게 변형할 수 있다.
본 발명은 상기 기술한 적·녹·청의 삼원색을 이용하거나 보색 관계를 이용하여 백색 유기 발광 소자를 제작할 때의 문제점을 보안하기 위하여 종래에 사용하던 효율이 높은 제1 층인 심청색 유기 발광 소자에서 방출되는 빛을 제2 층의 무기 형광체, 유기 안료, 유기 염료, 나노 복합 재료 및 나노 금속의 양자 점(metal quantum dot)이 흡수하는 원리를 이용하여 효율적인 백색광을 얻고자 한다. 제2 층인 에폭시 수지에 용융되거나 분산되어 빛을 흡수하고 여기 할 수 있는 여기 도포 층을 이용한 평면 백색 발광원은 디스플레이 소자에서 요구하는 칼라필터와 결합하여 액정 표시 장치의 백라이트, 각종 조명기구, 인디케이터 등의 특성을 소화할 수 있을 것으로 기대된다. 또한, 백색 발광 소자를 제작할 때 제 2 층인 에폭시 여기 도포 층을 적, 녹색 발광 원으로 이용할 경우 기존의 제1 층인 백색 유기 발광 다이오드에서 발생하는 단점을 보완해 장 수명 고효율 고 안정성의 평면 백색광원으로 제품화 될 것으로 기대되며, 구동 중 시간이 증가함에 따라 발생하는 적, 녹, 청색 등 각각의 수명의 차이, 이에 따른 백색광 색도의 변화 등을 예방할 수 있으며, 또한, LED(electroluminescent device)와 무기 형광체를 이용하여 백색 발광 소자를 제작할 때, 도광 판 및 광학필름들을 사용하여 발생되는 저 휘도를 증가시키고 색도의 다양화 및 안정성 등을 개선할 수 있다.
따라서 본 발명의 기술적인 과제는, 점광원인 LED 백색광에서 주로 사용되는 에폭시 여기 층 및 고 효율, 고 휘도, 고 안정성 청색 유기 발광 소자를 사용하여 색도, 휘도, 고효율 및 구동 안정성 면에서 우수한 평면 백색 발광 소자 제작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 하기의 화학식으로 나타내어지는 전면 유기 발광 소자의 발광 층을 구성하는 청색 유기 발광 재료를 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 제공한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시될 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1과 실시예 2는 능동형 전면 유기 발광 소자의 유기 발광 부의 제작 방법에 대한 일 예를 대해, 실시예 3은 도 6의 RF 스퍼터 장비를 이용하여 인듐 틴 산화물을 제작하는 일예에 대해 상세하게 기술한다.
실시예 1
본 전면 발광 유기 발광 소자를 구성하는 반투명성 보호 층을 포함하는 유기 발광 부의 제작하는 대표적인 일예는 다음과 같다.
유리 기판 위에 증착된 인듐 주석 산화 막을 포토리소그래피 공정을 이용하여 소정의 모양으로 패터닝한다. 이 패터닝 된 인듐 주석 산화 막의 양전극을 초음파 세척기를 이용하여 에틸렌, 탈 이온수, 이소-프로필알코올, 탈 이온수, 아세톤, 탈 이온수, 메탄올, 탈 이온수의 순으로 각각 10분씩 세척한다.
세척된 인듐 주석 산화 막 기판을 로딩 챔버에 위치시키고 산소 플라즈마를 이용한 전처리는 25sccm의 산소 유량일 때 공정압력이 3mTorr이고 20W의 플라즈마 파워에서 약 3분간 처리했다.
이 인듐 주석 산화물 기판을 열 증발 증착기에 이동시키고 그 위에 정공 이송 물질인 N,N'-디페닐-N,N'-비스(1-나프틸)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(NPB)을 초당 0.04 내지 0.07nm의 속도로 60nm의 두께로 진공 증착한다. 상기 정공 이송층 위에 발광 층 역할을 하도록 트리스(8-퀴놀리나토)알루미늄(III)(Alq3)를 초당 0.04 내지 0.06nm의 속도로 60nm 속도로 증착한다. 또한 상기 발광 층 위에 초당 리튬 플로라이드(LiF)를 0.02 내지 0.03nm의 속도로 1nm 증착한다. 마지막으로 전극 형성을 위한 마스크를 위치시킨 후 알루미늄(Al)을 초당 0.05 내지 0.15nm의 속도로 2nm를 증착한다. 마지막으로 은(Ag)을 초당 0.05 내지 0.15nm의 속도로 10nm를 증착한다. 이 때 형성된 유기 발광부의 소자 구조를 도 4에 도시했다.
실시예 2
실시예 1과 다른 것은 소자 구조 중 반투명성 유기 보호 층이 LiF(1nm)/Al(2nm)/Ag(10nm)에서 Ca(10nm)/Ag(10nm)로 구성되는 것을 특징으로 한다. 칼슘(Ca)은 초당 0.05 내지 0.15nm의 속도로 증착하고 은(Ag)은 초당 0.05 내지 0.15nm의 속도로 증착했다. 형성된 유기 발광부의 소자 구조를 도 4에 도시했다.
실시예 1과 실시예 2의 소자 구조 중에 상기 두께를 지닌 반투명성 보호 층은 알루미늄, 은, 칼슘, 리튬 플로라이드의 조합으로 구성된 조합 군중에서 투과도와 비저항 면을 고려할 때 가장 우수한 특성을 나타낸다.
실시예 3
상기한 기술적 과제 및 다른 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명의 제 2 측면에서, 본 전면 유기 발광 소자를 구성하는 음극의 투명성 전도성 막 중에서 인듐 주석 산화 막의 전극을 제작하는 일예를 도 6의 마그네트론 RF 스퍼터 장비를 이용한 실시예를 제공한다.
실시예 1 또는 실시예 2의 전면 유기 발광 소자를 스퍼터 챔버로 이동시킨 후, 스퍼터 기판에 재위치 시킨다. 반응실 내의 스퍼터 타겟과 스퍼터 기판의 거리는 20cm를 유지했고 산소 그리드(grid) 막은 0 내지 100V의 전압으로 컨트롤 되는 메쉬 형을 사용했고 스퍼터 타겟 사이의 거리는 5cm를 유지했다.
Glass/ITO/α-NPD(60nm)/Alq3(60nm)/LiF(1nm)/Al(2nm)/Ag(10nm)의 소자의 유리면을 냉각 장치가 장착된 스퍼터 기판에 고정시킨 후, 10% 주석이 함유된 인듐 주석 산화물을 스퍼터 타겟으로 하고 산소 유량을 0.05 내지 0.4sccm로 변화시켰다. 공정압력은 아르곤을 100sccm으로 흘려주며 5mTorr로 고정했다. RF 파워는 100 내지 500W 로 변화시켰다.
실시예 1과 실시예 2의 유기 발광 소자를 구성하는 LiF(1nm)/Al(2nm)/ Ag(10nm)과 Ca(10nm)/Ag(10nm)의 반투명 음전극은 인듐 주석 산화 막을 RF 스퍼터를 이용하여 증착할 때 유기 발광 소자를 구성하는 유기 막의 손상을 막아주는 층이다. 도 11과 도 12의 전면 유기 발광 소자의 휘도-전압 곡선 및 발광효율-전류밀도 곡선은 glass/ITO/α-NPD(60nm)/Alq3(60nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)의 구조를 가진 배면소자에 발광특성을 비교할 때 거의 일치한다. 이것은 RF 스퍼터를 이용하여 투명 전도성 음전극인 인듐 주석 산화 막을 유기발광 부 위에 증착할 때 전면 유기 발광 소자를 구성하는 유기 막의 손상이 없다는 것을 나타낸다.
표 1은 산소 유량과 RF 파워를 변화시킬 때 얻어진 인듐 주석 산화 막의 증착 속도와 증착된 인듐 주석 산화 막의 4 포인트 프로브(four point prove)를 이용하여 측정한 비저항 값과 자외선/가시광선 분광광도계(Ultraviolet/Visible Spectrophotometer)를 이용하여 측정된 스펙트럼의 555nm에서 투과도를 나타낸 도표이다. 또한, 증착된 인듐 주석 산화 막은 RF 파워가 500 W이고 산소 유량이 0.4 sccm 일 때 가장 우수한 투명 전도성 막의 특성을 나타낸다. 2.6Å/sec의 높은 증착속도와 555nm에서 96%의 투과도 및 가장 낮은 비저항을 보여준다.
도 8은 RF 파워 함수에 대해 도시한 비저항, 캐리어 농도(carier concentration) 및 홀 이동도 (holl mobility)를 도시한 그림이다. RF 파워가 증가함에 따라 인듐 주석 산화 막의 홀 이동도는 증가하고 캐리어의 농도는 감소하는 경향을 나타내다. 500 W의 RF 파워를 인가할 때 4×1019 cm-3의 캐리어 농도와 40 cm2/V·s의 홀 이동도를 나타낸다. 또한, 도 9는 RF 파워 함수에 대한 투과도를 도시한 그래프이다.
도 10과 도 11은 실시예 1과 실시예 3에 의해 증착된 glass/ITO/α-NPD(60nm)/Alq3(60nm)/LiF(1nm)/Al(2nm)/Ag(10nm)/ITO(100nm, x power)의 구조를 가진 양면 유기 발광 소자의 전면 발광과 배면 발광의 휘도-전압 곡선과 발광효율-전류밀도 곡선을 각각 도시한 그래프이다. RF 파워를 변화시키며 음극의 인듐 주석 산화 막을 증착 시 500W일 때, 배면 발광의 최대 휘도 값은 약 10V에서 26,000Cd/m2을 보이며 최대 발광 효율은 2.0Cd/A을 나타낸다. 전면 발광의 최대 휘도는 약 10V에서 6,400Cd/m2를 나타내며 최대 발광 효율은 0.3Cd/A를 보인다. 전면과 배면 발광의 문턱 전압은 약 2.5V이다.
RF Power (W)/O2 Flow Rate(sccm) Dep. Rate(Å/sec) ρ(10-4 Ω·cm) T % at 555 nm
100/0.05 0.27 4.18 93
300/0.3 1.7 4.38 95
500/0.4 2.6 4.06 96
본 발명은 5인치 이상의 전면 발광 유기 발광 패널을 구비하는데 있어 핵심적인 기술 중에 하나는 투명 전도성 전극을 형성하는 기술이다. 실시예 3에서 투명 전도성 전극 재료를 증착할 때 유기 층의 손상 없이 높은 투과도, 낮은 비저항 및 반투명성(semitransparent) 금속과의 낮은 접촉 저항 을 나타내는 무정형 형태의 막을 형성하는 기술은 대면적의 막질의 균일성이 강화된 유기 발광 패널을 개발하는데 많은 제약 요인으로 작용하고 있다.
본 발명에 의한 그리드 막을 이용한 RF 마그네트론 스파터 장치에 의한 투명 전도성 전극의 형성 기술은 자국의 핵심 원천 기술을 보유하려는 시대에 부응하여 산업적 시너지 효과를 표출하는데 중요한 동반 기술이다.
본 발명의 실시예 1과 실시예 2에서 제작된 반투명 보호 층인 (semitransparent protecting layer) LiF(1nm)/Al(2nm)/Ag(10nm)와 Ca(10nm)/Ag(10nm)의 구조는 RF 마그네트론 스파터 방법에 의해 인듐 주석 산화 막의 투명 전도성 막을 제작할 때 유기 층의 손상을 입히지 않은 유기물의 보호 층이며, 반투명성 보호 층을 구성하는 은 박막은 알루미늄과 칼슘의 산화를 방지하는 효과가 있고, 본 발명의 전면 유기 발광 소자를 구성하는 알루미늄 층과 인듐 주석 산화 막 사이에 밀착력을 증가시키는 효과를 나타낸다. 또한, 상기 반투명성 보호 층은 리듐 프로라이드, 알루미늄, 은으로 구성 조합에서 투과도와 비저항 면에서 가장 우수한 특성을 나타낸다.
본 발명의 플라즈마 상태의 산소 이온이 포함된 반응실 내에 소정의 전압 (0 내지 10V) 인가에 의하여 상기 플라즈마 상태의 산소 이온을 컨트롤하는 그리드 막을 설치하고 상기 그리드 막의 양측에 인듐 주석 산화 막 전극의 스파터 타겟 및 유기 발광 층이 형성된 기판을 대향되게 배치한 후, 상기 인듐 주석 산화 막 전극의 스파터 타겟의 이온 및 산소 이온을 플라즈마 여기시켜 상기 전극이 형성되도록 함으로써, 유기 발광 층이 손상되지 않는 효과를 얻을 수 있다.
또, 발광 층 위에 유기 발광 층의 손상 없이 인듐 주석 산화 막 전극을 형성할 수 있으므로 유기 발광 부의 복수 층으로 적층할 수 있는 구조를 제공할 수 있고, 유기 발광 소자의 발광효율을 크게 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 종래 수동형 배면 발광 형 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 개략적인 단면도
도 2는 종래 능동형 타입의 배면 발광 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 개략적인 단면도
도 3은 종래 능동형 타입의 전면 발광 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 개략적인 단면도
도 4는 본 발명에 사용된 양면 발광 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 개략적인 단면도
도 5는 종래 RF 스퍼터 장비의 구조를 나타낸 개략적인 단면도
도 6은 본 발명에 적용되는 RF 스퍼터링 장비의 구조를 나타낸 개략적인 단면도
도 7은 유기 발광부가 2층으로 수성될 때 전면 발광 소자의 구조를 나타낸 개략적인 단면도
도 8은 본 발명의 실시예에서 제작한 인듐 주석 산화 막의 RF 파워의 함수에 대해 비저항, 캐리어 농도 및 홀 이동도로 도시한 그래프
도 9는 본 발명의 실시예에서 제작한 인듐 주석 산화 막의 RF 파워의 함수에 대해 투과도를 도시한 그래프
도 10은 본 발명의 실시예에 의해 제작한 양면 유기 발광 소자의 휘도-전압 곡선
도 11은 발명의 실시예에 의해 제작한 양면 유기 발광 소자의 발광효율-전류밀도 곡선
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 기판 20, 120 : 양극
30 : 정공 주입 층 40 : 정공 수송 층
50, 150 : 발광 층 51, 52 : 일함수 조정 막
60 : 전자 수송 층 70 : 버퍼 층
80 : 음극, 제 1 전극 90 : 알루미늄 배선
A : 유기 발광 부 A1 : 제 1 유기 발광 부
A2 : 제 2 유기 발광 부 B : 트랜지스터 어레이부
180 : 투명 전도성 전극 200 : 봉지 층 및 패시베이션 층
206 : 제 2 전극 210 : 유기 기판
220, 280 : 인듐 틴 산화 막(ITO)
230 : N,N'-비스(1-나프틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(α-NPB)
240 : 트리스(8-퀴놀라토)알루미늄(III)(Alq3)
250 : 리튬 프로라이드(LiF) 260 : 알루미늄(Al)
265 : 세미투명 보호층(Semitransparent Protecting Layer)
270 : 은(Ag) 300 : 반응실
308 : 제 3 전극 310 : 스퍼터 용 기판
320 : 타겟(target) 330 : 산소/아르곤 혼합가스 주입구
340 : 그리드 막

Claims (19)

  1. 능동형과 수동형의 전면 유기 발광 소자를 구성하는 인듐 주석 산화막이 코팅된 유리 또는 가요성 기판 위에 유기 막과 반투명성 보호 층(semitransparent protecting layer)을 순차적으로 증착된 유기 발광 부 위에 투명 전도성 전극을 제조하는 방법에 있어서,
    대면적 유기 발광 패널을 막질의 우수한 균일성과 유기 막의 손상 없이 높은 증착속도를 얻기 위하여 RF 플라즈마 상태의 산소 이온이 포함된 반응실 내에서 소정의 전압 인가에 의하여 O-, O2-, O3- 등의 산소 이온을 포획하는 그리드 막을 스퍼터 기판과 투명 전도성 재료의 스퍼터 타겟의 양측에 대향되게 설치하고 상기 전극의 스퍼터 타겟의 이온 및 산소 이온을 일정한 RF 파워를 가하여 플라즈마로 여기 시켜 상기 유기 발광 부 위에 투명 전도성 전극이 증착되는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반투명 보호 층은 LiF/Al/Ag, Ca/Ag, 또는 Ag/Ca의 구조를 포함한 전자 주입 층/메탈 층/메탈 보호 층, 전자 주입 층/메탈 층으로 단독 또는 복수로 구성되고 배열 순서는 바뀔 수 있으며 메탈 보호 층은 메탈 층의 산화를 억제하고 메탈 층과 투명 전도성 전극과의 사이에 좋은 밀착력(adhesion)을 유지시키며, 반투명성 보호 층 위에 투명 전도성 전극을 제작할 때 유기 발광 소자를 구성하는 유기 막에 손상을 주지 않는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    높은 플라즈마 파워에 의한 유기 막의 손상을 줄이고 대면적의 고 생산성 전면 유기 발광 패널을 제작하기 위해, 고 투명 전도성 전극을 제작할 때, 유기 발광 부의 최상위층을 구성하는 Li/Al/Ag, Ca/Ag, 또는 Ag/Ca등을 포함하는 반투명성 보호막에 의해 유기물이 투명 전도막 제작 시 보호되는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전면 유기 발광 소자를 구성하는 전극은 인듐 주석 산화 막 (ITO)과 인듐 산화 막(In2O3), 주석 산화 막(SnO2), 진크 산화 막 (ZnO)로 구성된 군으로부터 선택된 단독 또는 복합체로 이루어진 구조를 갖도록 제조하거나, 프로라이드 (F), 브로마이드 (Br) 및 크로라이드 (Cl)가 산소 원자에 치환된 n형 투명 전도성 전극 및 p형 투명 전도성 전극으로 이루어지도록 제조하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자는 전면 발광은 물론 양면, 배면발광에 응용될 수 있으며, 유기 발광 부는 기판, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 발광 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층, 반투명성 금속(semitransparent metal)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 구조를 구비하도록 제조하고, 유기 발광 부를 구성하는 발광 층에는 화학식1 내지 화학식 6의 청색 발광재료를 사용하며, 상기 반투명 금속 위에 상기 투명 전도성 전극이 접촉되도록 제조되어지는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 전도막이 접촉된 유기 발광 부를 적어도 2층 이상 연속 적층하고, 각각의 유기 발광 부의 가장 상층에 상기 투명 전도성 막인 양전극이나 음전극이 접촉되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자의 전극.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 전도성 막은 유기 발광부가 2 층 이상인 전면 유기 발광 소자의 구조에서 막질의 균일성(uniformity)을 지닌 무정형(amorphousness) 또는 결정 (crystallization)의 형상을 지니도록 하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    유기 발광부가 2층 이상인 전면 유기 발광 소자의 제작에 있어서, 중간 투명 전도 막은 이어서 적층되는 유기 층과 표면 특성을 조화롭게 조절하기 위해 UV 및 산소 플라즈마(plasma) 처리를 해주는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전면 유기 발광 소자를 구성하는 유기 막은 정공 주입 층, 정공 수송 층, 발광 층으로 인듐 주석 산화 막 위에 순차적으로 제작되고, 순차적으로 상기 전자 주입 층, 메탈 층, 메탈 보호 층 등의 반투명성 보호 층이 형성되고 메탈 보호 층 위에 상기 투명 전도막이 접촉되도록 제조되는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    각각 산소 주입구와 아르곤 주입구가 따로 설치되고, 상기 산소 주입구는 상기 그리드 막을 경계로 하여 스퍼터 타겟 쪽에 설치되고, 상기 아르곤 주입구는 상기 스퍼터 타겟과 그리드 사이에 설치되는 반응실의 구조를 지닌 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 그리드 막의 성분은 철, 니켈, 동, 아연, 알루미늄, 주석, 스테인레스, 인바 등을 포함하는 독립재료 및 합금재료이며 메쉬 형과 CRT (Cathode-Ray Tube) 마스크와 그림자 마스크 (shadow mask) 등의 마스크 형인 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 그리드 막에 인가되는 전압은 0 내지 100V인 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 반응실 내에 인가되는 플라즈마의 파워는 다양한 증착 속도를 위하여 1 내지 1000W인 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    반응실 내에 플라즈마 전위에 의해 자체적으로 발생하는 바이어스 전압의 효과를 극대화시키기 위해 플라즈마 보호 층으로 그리드 막을 스퍼터 타겟 가까이에 두어 막질의 균일성을 지닌 투명 전도성 전극을 제조하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    막질의 우수한 균일성과 증착 시 유기 막의 손상 없이 높은 증착속도를 지닌 대면적 유기 발광 패널을 얻기 위해 DC 플라즈마, DC pulse 플라즈마, pulse laser, 아이온 beam, 아이온 빔 assist, Cs adsorption Ar DC 플라즈마, Cs adsorption Ar RF 플라즈마 증착방법 등을 포함한 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    별도의 산소 이온 및 다른 가스 주입 부를 이용하여 상기 ITO 내의 적정의 산소 농도를 주입하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  17. 제 1 항에 있어서,
    플라즈마 복사열에 의한 유기물의 손상을 줄여주기 위해, 스퍼터 타겟과 디바이스와의 거리가 10 내지 50cm가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  18. 제 1 항에 있어서,
    플라즈마에서 발생되는 열에 의한 유기물의 손상을 줄여주기 위해, -20℃ 내지 30℃ 범위의 칠러(chiller)를 포함하는 냉각 장치를 기판에 장착시켜 스퍼터 기판의 열을 제거하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
  19. 제 1 항에 있어서,
    유기 발광 부를 구성하는 기판은 얇은 실리콘 웨이퍼, PES, PET, PC 등을 포함하는 가요성 플라스틱 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 유기 발광 소자용 투명 전도성 전극의 제조방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100742368B1 (ko) * 2005-11-02 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR20140130894A (ko) * 2013-05-02 2014-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8969864B2 (en) 2013-05-30 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device having a bulk layer comprising a first and second material
KR20170082968A (ko) * 2016-01-07 2017-07-17 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 전극의 제조 방법 및 전극을 구비하는 표시 장치의 제조 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259124A (ja) * 1992-03-12 1993-10-08 Kojundo Chem Lab Co Ltd 半導体装置の製造法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100742368B1 (ko) * 2005-11-02 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR20140130894A (ko) * 2013-05-02 2014-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8969864B2 (en) 2013-05-30 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device having a bulk layer comprising a first and second material
KR20170082968A (ko) * 2016-01-07 2017-07-17 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 전극의 제조 방법 및 전극을 구비하는 표시 장치의 제조 방법

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