KR100622152B1 - 발광 소자용 기판, 그 제조 방법, 발광 소자용 전극 및 이를 구비한 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 소자용 기판, 상세하게는 유기 발광 재료를 기초로 한 발광 소자용 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 기판 상에 사용된 유기 물질의 높은 내구 수명을 가능하게 하며 저렴하게 제조될 수 있고 높은 전기 전도율을 가져야 하는 발광 소자용 기판을 제공하는 것이다. 특히, 표준형 PEDT 용제를 사용하는 것이 가능해야 한다.
이러한 목적을 위해, 본 발명에 따른 기판은 금속으로 구성된 층구조체(2)와 상기 금속으로 구성된 층구조체(2) 상에 배치된 전도성 폴리머의 층구조체(3)를 구비한 기저기판(1)을 가진다.
Description
도 1은 기저기판, 라인 형상의 금속 구조체 및 연속된 폴리머층을 구비하는 본 발명에 따른 기판의 개략적인 단면도이다.
도 2는 기저기판, 라인 형상의 금속 구조체 및 라인 형상의 폴리머 구조체를 구비하는 본 발명에 따른 기판의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 실시예의 변형예를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 발광 소자의 여러 실시예들을 나타내는 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 기저기판 2 : 금속/금속 라인
3 : 전도성 폴리머/연속된 폴리머층
4 : 전도성 폴리머/폴리머 라인
401 : 기판 405 : 버퍼층
420 : 층간 절연막 421 : 개구
430 : 제1전극 431 : 금속 라인
432 : 폴리머층 440 : 제2전극
450 : 유기 발광층
본 발명은 발광 소자용 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 발광 재료를 기초로 한 발광 소자용 기판, 그 제조 방법, 발광 소자용 전극 및 이를 구비한 발광 소자에 관한 것이다.
통상 투명 기판이 예컨대 OLED 디스플레이 또는 발광 소자 내의 전극으로서 사용된다. OLED 디스플레이의 경우, 인듐 주석 산화물(indium tin oxide: ITO)로 구성되고 기저기판 상에 배치된 층이 애노드로서 통상 사용된다.
효율적인 작동을 위해, OLED 구성 요소는 각종 특성, 예컨대 전자 전도성, 정공 전도성 및 발광성을 가져야 한다. 대부분의 적용된 재료는 상술한 특성(전자 전도성, 정공 전도성, 발광성) 중의 단지 하나만을 만족스러운 수준까지 수행한다. 효율 개선을 위해, 상이한 층들이 서로 결합되어 있는 다층 구성 요소를 사용하는 것이 공지되어 있다. 이러한 방식에 있어서, 예를 들면 일 층은 정공 전도성에 관하여 현저한 기능을 가지며, 다른 층은 전자 전도성의 기능을 보다 양호하게 수행할 수 있다. 이들 상이한 층들은 구성 요소의 에너지 효율에 유익한 방식으로 OLED 구성 요소 내에 배치된다.
OLED의 응용예에 있어서, ITO층 위에 정공주입층(hole injection layer: HIL)을 사용함으로써 예컨대 기저기판/ITO층으로 구성되는 애노드의 효율을 증대시키는 것이 가능하다. 일반적으로, 폴리에틸렌 다이옥시티오펜-폴리스티렌 황산염(polyethylene dioxythiophene - polystyrene sulfonates: PEDT/PSS)이 HIL로서 사용된다. 불리한 점으로는, ITO층의 표면은 PEDT/PSS의 산성 특성 때문에 초기에 에칭되어, OLED의 유기층으로의 이온 확산 및 침투가 완전히 회피될 수 없다. 이러한 이온은 OLED 구성 요소의 내구 수명에 부정적인 영향을 미친다(Nucl. Inst. And Meth. In Physics Res. B194 (2002) 346; Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 1404; Appl. Phys. Lett. 81/6 (2002) 1119; Mat. Sci. Engin. B97 (2003) 1-4; J. Appl. Phys. 79 (1996) 2745).
동일 수준의 효율을 유지하면서 내구 수명의 증대를 달성하기 위해서는, ITO 대신 PEDT/PSS에 저항성이 보다 큰 전극 재료를 가지는 기판을 사용하는 것이 바람직하며, 이런 전극 재료는 저렴하고 반투명할 뿐만 아니라 전기 전도율이 높아야 한다. 이에 더하여, 전극으로서 사용된 재료는 유기 디스플레이 소자 또는 유기 태양 전지와 같은 플렉시블 구성 요소에의 적용이 가능하도록 플렉시블한 것이 요구된다.
ITO의 대체물로서 고전도성의 폴리에틸렌 다이옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene: PEDT)을 사용하는 것이 공지되어 있다. 불리한 점으로는, 한정된 PEDT의 전도율이다. 고전도성 PEDT 자체, 예컨대 베이어(Bayer)의 PEDT(전도율이 500S/㎝인 “인시투(in situ)”PEDT)는 대면적 OLED 구성 요소에서 ITO 대체물로서 사용되는 경우(ITO의 전도율은 104S/㎝임) 상당히 큰 전압 손실을 가진다. 이에 따라 OLED 구성 요소의 휘도는 전압 접점으로부터의 거리가 증가함에 따라 저하한다.
WO 03/106571 A1(지멘스)에는 용제를 대체함으로써 PEDT/PSS의 전도율을 증대시키는 것이 개시되어 있다. 일반적으로, PEDT/PSS는 수용성이며 10-3S/㎝ 까지의 전도율을 가진다(H.C. Starck Baytron P TP A1 4083). 가용성 폴리머의 제형화(formulation)에 의해, PEDT에 대하여 130S/㎝(H.C. Starck Baytron F CPP 105D M) 또는 120S/㎝(Agfa Orgacon foil) 또는 500S/㎝(“인시투(in situ)”PEDT로 코팅된 H.C. Starck polyester foil JOF 6073)까지 달성될 수 있다.
물을 예컨대 에틸렌 글리콜과 같은 알코올로 대체함으로써, PEDT/PSS의 전도율은 2배로 증대될 수 있다. 이 결과, WO 03/106571 A1에 따르면, 10-1S/㎝ 까지의 PEDT/PSS 용제의 전도율이 달성될 수 있다. 그러므로, 이 발명의 불리한 점은 유기 구성 요소에 대한 애노드 재료로서 ITO를 대체하는 것과 관련하여 전도율이 충분하게 증가하지 않는다는 것이다. 이 발명의 또 다른 불리한 점은 이러한 PEDT/PSS 알코올 용제의 안정성이 낮다는 것이다. 응집(aggolmeration) 및 응고(coagulation)가 일정 시간 후 발생하여 스핀 코팅시 인쇄성 또는 균질 처리가 문제가 된다. 용제의 내구성이 주로 감소된다.
그러므로 본 발명의 기술적 과제는, 기판 상에 사용된 유기 물질에 대한 높은 내구 수명을 가능하게 하며 저렴하게 제조될 수 있고 높은 전기 전도율을 가져 야 하는 발광 소자용 기판, 상세하게는 유기 발광 재료를 기초로 한 발광 소자용 기판을 제공하는 것이다. 특히, WO 03/106571과는 달리 높은 전도율을 가능하게 하는 표준 PEDT 용제의 사용이 가능하게 되어야 한다.
또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는 위와 같은 기판을 제조하는 방법, 위 기판을 이용한 전극 및 이러한 전극을 포함하는 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 기술적 과제는 청구항 제1항, 제11항, 제16항 및 제17항에 개시된 특징에 의해 해결된다. 본 발명의 의미 있는 실시예들은 종속항에 포함되어 있다.
본 발명에 따른 기판의 특별한 장점은 이 기판이 기판 상에 사용된 유기 물질에 대한 높은 내구 수명을 보장함과 동시에 높은 전기 전도율을 가진다는 것이다. 이를 위해, 본 발명에 따른 기판은 금속으로 구성된 층구조체를 구비한 기저기판을 가지며, 전도성 폴리머의 층구조체가 상기 금속 층구조체 상에 배치된다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 금속 층구조체는 50㎛ 내지 150㎛의 폭과 10㎚ 내지 200㎚의 높이를 가지는 금속 라인들을 가지며, 인접한 라인들 사이의 거리는 100㎛ 내지 1500㎛이다.
상기 금속은 은인 것이 바람직하고 상기 전도성 폴리머는 폴리에틸렌 다이옥시티오펜(PEDT)인 것이 바람직하다. 상기 금속용 재료는 구리 또는 금인 것이 보다 바람직하다. 상기 전도성 폴리머용 재료는 폴리아닐린(polyaniline)인 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 중심이 되는 아이디어는 박막의 금속 구조체를 도포함 으로써, 바람직하게는 전도성 폴리머, 바람직하게는 PEDT로 코팅되는 기저기판(글래스 또는 플라스틱 기판인 것이 바람직함) 상에 박막의 금속 잉크 라인들을 프린팅함으로써 PEDT와 같은 전도성 폴리머의 전도율을 증대시키는 것이다. 코팅 기술은 스핀 코팅 또는 프린팅 또는 임의의 다른 코팅 기술일 수 있다. 이러한 방식으로 PEDT와 같은 폴리머의 전도율은 도포된 금속 잉크의 유형 및 금속 라인들의 수에 따라서 20 내지 30배 증대될 수 있다.
전도성 폴리머의 층구조체는 층 두께가 30㎚ 내지 300㎚인 연속된 층으로 또는 라인 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 전도성 폴리머의 층구조체는 100㎛ 내지 400㎛의 폭과 10㎚ 내지 200㎚의 높이를 가지는 폴리머 라인들을 가지며 인접한 폴리머 라인들 사이의 거리는 100㎛ 내지 1500㎛이다. 바람직하게는, 상기 폴리머 라인들(전도성 폴리머의 층구조체)은 상기 금속 라인들(금속으로 구성된 층구조체)을 완전히 덮는다. 변형예로서, 상기 폴리머 라인들은 상기 금속 라인들을 부분적으로 덮는 것이 또한 가능하다.
본 원에 제시된 본 발명에 있어서, PEDT/PSS의 전도율을 증대하기 위해 WO 03/106571 A1에 기술된 해결책과는 다른 장점은 알코올 용제와는 달리 현저하게 긴 내구성의 용제를 보증하는 표준 PEDT/PSS 용제가 사용될 수 있다는 것이다.
본 원에 제시된 본 발명에 있어서, WO 03/106571 A1과는 다른 또 다른 이점은 고전도성 폴리머로서의 PEDT에 대하여 500S/㎝까지의 전도율이 얻어진다는 것이며, 반면에 WO 03/106571 A1은 단순히 10-3S/㎝의 전도율을 가지는 PEDT/PSS 용제의 전도율 증대를 나타내고 있다. WO 03/106571 A1에 진술된 바와 같이, 표준 PEDT/PSS 용제의 2배의 전도율 증대는 ITO를 애노드 재료로서 사용하기 위한 목적에는 충분하지 않다.
본 발명에 따른 전도율의 증대에 의해, ITO는 애노드 재료로서 포기될 수 있다. 이러한 방식으로 이온 확산 및 침투가 방지되기 때문에 구성 요소를 따라서 현저한 전압 저하가 없고 구성 요소의 수명이 높은 대형의 플렉시블 구성 요소가 실현될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면에 따른 발광 소자용 기판을 제조하는 방법은 금속으로 구성된 층구조체를 기저기판 상에 도포하는 단계; 및 전도성 폴리머의 층구조체를 도포하는 단계를 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 금속은 상기 기저기판 상에 라인 형상으로 직접 도포된다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 금속 라인들은 금속을 포함하는 잉크의 잉크젯 프린팅에 의해 도포된다.
상기 전도성 폴리머는 스핀 코팅 또는 프린팅에 의해 도포되는 것이 바람직하다. 금속으로 은이 사용되는 것이 바람직하고, 폴리머로서 폴리에틸렌 다이옥시티오펜이 사용되는 것이 바람직하다. 상기 전도성 폴리머는 금속으로 구성된 층구조체 상에 직접(또한 금속이 존재하지 않는 위치에서는 기판 상에 직접) 도포되는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 위에서 설명된 바와 같은 기판은 전극으로서, 바람직하게는 발광 재료를 기초로 한 발광 소자용 애노드로서 사용된 다.
한편, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 위에서 설명된 바와 같은 기판을 제1전극으로 하고, 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재되는 발광층;을 포함하는 발광 소자가 제공된다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 기저기판(1), 라인 형상의 금속 구조체(2) 및 연속된 폴리머 구조체(3)를 구비한 본 발명에 따른 기판의 개략적인 단면도이다.
기저기판(1)으로는 보론 실리케이트 글래스가 사용된다. 상기 기저기판(1)은 이소프로패놀(isopropanol) 내에서 5분간의 초음파욕(ultrasonic bath) 후 질소 유동에서의 건조와 10분간의 적외선/오존(UV/ozone) 처리에 의해 세정된다.
다음 단계로, 은 잉크(Harima NPS-J LOT C 040218)로 100㎛ 폭의 라인 형상의 금속 구조체(2)를 잉크젯 프린팅에 의해 상기 기저기판(1) 상에 프린팅하고 오븐 내에서 30분 동안 200℃로 템퍼링한다.
다음 단계로, 고전도성 PEDT(Bayer AG의 Baytron® F CPP 105D M)를 스핀 코팅에 의해 폐쇄형의 80㎚ 두께의 층으로서 부착하고 그 후 가열판 상에서 10분 동안 180℃로 건조한다. 도 1에 도시된 바와 같은 본 발명에 따른 기판은 이 공정으로 얻어진다. 이러한 기판에 후속되는 OLED 제조 공정(예컨대, 유기 발광 재료의 부착, 캐소드 및 봉지용 캡의 부착)을 수행할 수 있다.
도 1에 따른 연속된(폐쇄형의) 폴리머 구조체(3)에 대한 변형예로서, 라인 형상으로 폴리머 구조체를 배치하는 것이 또한 가능하다. 이 경우, 폴리머 라인(4)은 금속 라인(2)을 적어도 부분적으로 덮을 수도 있고(도 2 참조), 폴리머 라인(4)은 금속 라인(2)을 완전히 덮을 수도 있다(도 3 참조). 이를 위해, 폴리머 라인(4)들은 금속 라인들이 제공된 기저기판(1) 상에 프린팅에 의해 부착되며, 그 후 가열판 상에서 10분 동안 180℃로 건조된다. 도 2에 도시된 바와 같은 본 발명에 따른 기판은 이 공정에서 얻어진다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 기판은 발광 소자 내에서 전극으로서, 바람직하게는 유기 발광 재료를 기초로 한 발광 소자용 애노드로서 사용될 수 있다. 또한, 위에서 설명된 바와 같은 기판을 사용함으로써, 이러한 기판을 제1전극으로 하고, 이 제1전극에 대향된 제2전극과 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 발광 소자가 제공될 수 있다.
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 발광 소자용 기판을 전극으로서 채용한 발광 소자 중 유기 전계발광 소자의 다양한 실시예들의 단면도이다. 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 발광 소자를 설명한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계발광 소자는 기판(401) 상에 형성된 제1전극(430), 상기 제1전극(430)과 대향된 제2전극(440) 및 상기 제1전극(430)과 제2전극(440) 사이에 개재된 유기 발광층(450)을 포함한다. 상세하게는 기판(401) 상에 버퍼층(405)이 놓이고, 이 버퍼층(405) 상에 제1전극(430), 유기 발광층(450), 제2전극(440)이 순서대로 놓이며, 제1전극(430) 과 제2전극(440) 사이에 절연을 위한 층간 절연막(420)이 배치된다.
기판(401)은 본 발명에 따른 발광 소자용 기판(1)과 같은 보론 실리케이트 글래스, 또는 플라스틱으로 이루어진다. 이 기판(401) 상에 SiO2로 구성될 수 있는 버퍼층(405)이 배치되며, 상기 버퍼층(405)은 기판(401) 상의 오염물을 차단하거나 수분 또는 외기의 침투를 차단하는 기능을 수행한다.
상기 버퍼층(405) 상에 배치된 제1전극(430)은 라인 형상으로 형성될 수도 있고, 또는 아이콘(icon)과 같은 소정 형상의 화소에 대응하게 패턴화될 수도 있다. 상기 제1전극(430)은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 소자용 전극으로서 복수개의 라인 형상의 금속 구조체(431) 및 이들 금속 구조체를 모두 덮는 연속된 폴리머 구조체(432)를 구비한다. 이들 라인 형상의 금속 구조체(431) 및 연속된 폴리머 구조체(432)는 도 1 내지 도 3과 관련하여 설명된 금속 구조체(2) 및 폴리머 구조체(3)와 구성 및 배치 방식에 있어서 동일하다. 따라서, 금속 구조체(431) 및 폴리머 구조체(432)가 구비된 상기 제1전극(430)은 500S/㎝까지의 전기 전도율을 가질 수 있고 전압 저하가 없으며 내구 수명이 높은 플렉시블한 전극이 될 수 있다.
이 제1전극(430)을 덮도록 절연물질을 포함하는 층간 절연막(420)이 형성되고, 이 층간 절연막(420)에 개구(421)가 형성되어 상기 제1전극(430)이 노출되도록 한다. 층간 절연막(420)은 유기절연막, 무기절연막 또는 유기-무기 혼성막으로 형성될 수 있고, 이들의 단일 구조 또는 다층 구조로 이루어질 수 있으며, 잉크젯 프 린팅 방식에 의해 형성될 수 있다. 상기 제1전극(430)에 불소계 플라즈마를 이용하여 소수성을 가지도록 표면처리한 상태에서 버퍼층(405) 상에 증간 절연막용의 절연물즐을 포함하는 용액을 잉크젯헤드로부터 분사하여 층간 절연막(420)을 형성한다. 이 경우, 표면처리된 제1전극(430) 상에는 층간 절연막(420)이 형성되지 않으므로, 상기 제1전극(430)을 노출시키는 개구(421)가 형성될 수 있다.
그리고, 상기 층간 절연막(420)의 개구(421)에 대응하도록 유기 발광층(450)이 상기 제1전극(430)을 덮도록 형성하고, 이 유기 발광층(450) 위에 상기 제1전극(430)과 대향된 제2전극(440)이 형성된다. 상기 제2전극(440)은 발광 소자의 전체 화소를 모두 덮도록 형성될 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1전극(430)이 소정 형상의 화소에 대응하게 패턴화된 경우에는 이러한 패턴에 상응하도록 제2전극(440)도 패턴화될 수도 있다.
이와 같은 구성에 있어서, 상기 제1전극(430)은 애노드 전극의 기능을 수행하고 상기 제2전극(440)은 캐소드 전극의 기능을 수행할 수 있으며, 이와 반대로 구성되어도 무방하다. 또한, 도 5 및 도 6과 관련하여 설명된 실시예에 있어서도 상기 제1전극(430)이 애노드 전극으로서 기능하는 것으로 설명하지만, 이와 반대로 구성되어도 무방하다.
이러한 구성의 유기 전계발광 소자가 전면 발광형인 경우 상기 제1전극(430)은 반사 전극으로 구비될 수 있고, 상기 제2전극(440)은 투명 전극으로 구비될 수 있으며, 배면 발광형인 경우 상기 제1전극(430)은 투명 전극으로 상기 제2전극(440)은 반사 전극으로 구비될 수 있으며, 양면 발광형인 경우 상기 제1 및 제2전 극(430, 440) 모두 투명 전극으로 구비될 수 있다.
유기 발광층(450)은 저분자 또는 고분자 유기층이 사용될 수 있다. 저분자 유기층을 사용할 경우, 유기 발광층(450)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 유기 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합 구조로 열거된 순서대로 적층되어 형성될 수 있고, 상기 제1전극(430) 및 제2전극(440)의 기능이 반대로 된 경우, 즉 제1전극(430)이 캐소드 전극이고 제2전극(440)이 애노드 전극인 경우에는 유기 발광층(450)은 위에서 열거된 순서의 역으로 적층되어 형성될 수도 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기층은 진공증착의 방법으로 형성된다.
고분자 유기층의 경우, 유기 발광층(450)은 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 구비한 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄 방법 등으로 형성할 수 있다.
이와 같이 유기 전계발광 소자를 형성한 후, 그 상부를 밀봉하여 외기로부터 유기 전계발광 소자를 차단한다.
도 5는 도 4에 도시된 유기 전계발광 소자의 다른 실시예를 도시한다. 본 실시예에 따른 유기 전계발광 소자는 제1전극으로서 도 3에 도시된 본 발명에 따른 발광소자용 기판의 전극이 사용되고 제2전극이 평탄한 면으로 형성되어 있으며 층간 절연막이 라인 형상으로 형성되어 있다는 것을 제외하고는 도 4에 도시된 유기 전계발광 소자의 구성과 유사한 구성을 가진다.
본 실시예에 있어서, 제1전극(530)은 도 3에 도시된 구성으로 형성되어 있다. 즉, 기판(501)(버퍼층(505)) 상에 제1전극(530)이 형성되며 상기 제1전극(530)은 라인 형상으로 부착된 금속 라인(531)과 상기 금속 라인(531)을 완전히 덮는 전도성 폴리머의 폴리머 라인(532)을 구비한다. 따라서, 본 실시예에서의 제1전극(530)도 도 4의 실시예와 관련하여 설명된 제1전극(430)과 유사한 특성을 가진다.
기판(501) 상에(버퍼층(505) 상에) 금속 라인(531) 및 이 금속 라인(531)을 완전히 덮는 전도성 폴리머의 폴리머 라인(532)을 구비한 제1전극(530)을 라인 형상으로 형성하고, 상기 제1전극(530) 상에 도 4와 관련하여 설명한 바와 같은 표면처리를 한 후 제2전극(540)과의 절연을 위한 절연막(520)을 형성한다. 따라서, 표면처리된 제1전극(530) 상에는 절연막(520)이 형성되지 않고 인접한 제1전극(530)들 사이의 공간에 상기 절연막(520)이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 절연막(520)은 상기 제1전극(530) 상에 수행되는 표면처리의 패턴에 따라 상기 제1전극(530)들 사이의 공간에 라인 형상으로 형성될 수도 있고, 표면처리가 상기 제1전극 (530)을 따라서 단속적으로 수행된 경우에는 상기 절연막(520)은 격자 형상으로 형성될 수 있으므로, 상기 절연막(520)은 제1 및 제2전극(530, 540)의 절연 기능과 화소를 정의하는 기능을 수행할 수 있다.
상기 절연막(520)에 의해 드러난 상기 제1전극(530) 상에 유기 발광층(550)을 형성한다. 상기 유기 발광층(550)은 도 4와 관련하여 설명한 유기 발광층(550)과 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기 제1전극(530)과 대향된 제2전극(540)은 상기 유기 발광층(550) 및 상기 절연막(520)을 모두 덮도록, 즉 유기 전계발광 소자의 전면에 걸쳐 형성될 수도 있고, 상기 제1전극(530) 또는 유기 발광층(550) 중 어느 하나가 소정 패턴으로 형성된 경우에는 이 패턴에 대응하게 형성될 수도 있다.
또한, 도 5에서는 상기 폴리머 라인(532)이 상기 금속 라인(531)을 완전히 덮어 상기 제1전극(530)을 구성하는 것으로 도시되어 있지만, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 폴리머 라인(532)은 상기 금속 라인(531)을 부분적으로 덮어 상기 제1전극(530)을 구성할 수도 있다. 이 경우, 상기 절연막(520)은 상기 폴리머 라인(532)에 의해 덮여지지 않는 금속 라인(531)의 일부를 덮도록 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 도 4 및 도 5에 도시된 본 발명에 따른 발광소자용 전극을 채택한 유기 전계발광 소자는 수동 구동형(passive matrix type: PM type)의 일 예로서 설명한 것으로, 본 발명에 따른 발광소자용 전극을 채택하는 발광소자, 상세하게는 유기 전계발광 소자는 능동 구동형(active matrix type: AM type)으로 구성될 있으 며, 이러한 형태의 실시예가 도 6에 도시되어 있다.
도 6을 참조하면, 기판(101) 상에 버퍼층(605)이 형성되고, 이 버퍼층(605) 상에 게이트 전극(611)이 형성된다. 이 게이트 전극(611) 상에 소오스/드레인 전극(613)과 상기 게이트 전극(611)의 절연을 위해 게이트 절연막(612)이 형성되며, 이 게이트 절연막(612) 상에 소오스/드레인 전극(613)이 형성되고, 상기 소오스/드레인 전극(613) 상에 소오스/드레인 전극(613)과 콘택되도록 반도체층(614)이 형성된다. 이 상태에서 상기 소오스/드레인 전극(613) 중의 어느 하나(도 6에서는 613b)와 제1전극(630)의 접속을 위한 콘택홀을 구비한 평탄화막(615)이 형성되고, 상기 평탄화막(615) 상에 도 1 및 도 3과 관련하여 설명한 발광소자용 전극으로 이루어질 수 있는 제1전극(630)이 상기 소오스/드레인 전극 중의 어느 하나(613b)와 접속하도록 형성된다. 또한, 상기 제1전극(630) 상에 개구(621)를 구비하며 제2전극(640)과의 절연을 위한 화소정의막(620)이 형성되고, 발광 기능을 수행하는 유기 발광층(650)이 상기 화소정의막(620)에 형성된 개구(621)를 통해 상기 제1전극(630) 상에 형성되며, 상기 유기 발광층(650) 및 화소정의막(620)을 덮는 제2전극(640)이 형성된다.
상기 기판(601)은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전극에 사용된 기판(1)과 동일한 글라스 기판, 플라스틱 기판 또는 금속기판을 포함한다. 상기 기판(601) 상에 불순물 또는 이온의 침투 및 확산을 방지하는 버퍼층(605)이 형성되며, 상기 버퍼층(605)은 위에서 설명한 버퍼층(405, 505)과 동일한 구성을 가질 수 있다.
상기 버퍼층(605) 상에 게이트 전극(611)이 형성된다. 상기 게이트 전극(611) 상에 소오스/드레인 전극(613)과의 절연을 위한 게이트 절연막(612)이 형성되며, 상기 게이트 절연막(612)은 유기 절연막, 무기 절연막 또는 유기-무기 혼성막이 될 수 있고, 이들의 단일 구조 또는 다층 구조로 이루어진다. 상기 소오스/드레인 전극(613)은 소오스 전극(613a)과 드레인 전극(613b)을 구비하며, 이들을 서로 연결하는 채널 기능을 하는 반도체층(614)이 소오스 전극(613a), 게이트 절연막(612) 및 드레인 전극(613b)에 걸쳐 형성되어 있다. 상기 반도체층(614)은 무기 반도체 또는 유기 반도체를 사용하여 형성될 수 있다.
이와 같이, 게이트 전극(611), 게이트 절연막(612), 소오스/드레인 전극(613) 및 반도체층(614)이 결합되어 박막 트랜지스터(thin film transistor: TFT)가 구성될 수 있다. 이러한 구성의 TFT는 화소를 구동하기 위한 구동 TFT로서, 이 구동 TFT는 스위칭 TFT(미도시)를 통해 전달되는 데이터 신호에 따라 유기 전계발광 소자로 유입되는 전류량을 결정한다.
이러한 구동 TFT와 접속되는 제1전극(630)을 설치하기 위해, 상기 소오스/드레인 전극(613), 반도체층(614) 및 게이트 절연막(612)을 모두 덮는 평탄화막(615)이 형성된다. 상기 평탄화막(615)은 상기 제1전극(630)을 설치하기 위한 기초로서의 기능과 상기 소오스/드레인 전극(613)과 상기 제1전극(630)을 서로 절연시키는 기능을 수행하며, 상기 제1전극(630)이 소오스/드레인 전극(613) 중 하나와 접속될 수 있는 콘택홀(615a)을 구비한다. 상기 평탄화막(615)은 상기 게이트 절연막(612)과 동일하게 유기 절연막, 무기 절연막 또는 유기-무기 혼성막으로 이루어질 수 있고, 이들의 단일 구조 또는 적층 구조로 구성될 수 있다.
상기 평탄화막(615) 상에 콘택홀(615a)을 통해 소오스/드레인 전극(613) 중 하나와 접속하는 제1전극(630)이 배치된다. 상기 제1전극(630)은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광소자용 전극으로서, 기판(601) 상에(평탄화막(615) 상에) 배치된 금속 층구조체 또는 금속 라인(631)과 상기 금속 층구조체 또는 금속 라인(2)을 완전히 덮는 전도성 폴리머의 폴리머 층구조체 또는 폴리머 라인(632)을 구비한다. 상기 금속 층구조체 또는 금속 라인(631)과 상기 폴리머 층구조체 또는 폴리머 라인(632)은 도 1 내지 도 3과 관련하여 설명된 금속 층구조체 또는 금속 라인(2) 및 폴리머 층구조체 또는 폴리머 라인(3)에 각각 대응한다. 또한, 상기 폴리머 층구조체 또는 폴리머 라인(632)은 상기 평탄화막(615)을 관통하여 제공된 콘택홀(615a)을 통해 상기 소오스/드레인 전극(613) 중 하나와 접속한다. 이와 같이 구성된 상기 제1전극(630)은 도 4의 실시예와 관련하여 설명된 제1전극(430)과 유사한 특성을 가진다.
이 제1전극(630)을 덮도록 절연물질을 포함하는 화소정의막(620)이 형성되고, 이 화소정의막(620)에 개구(621)가 형성되어 상기 제1전극(630)이 노출되도록 한다. 화소정의막(620)은 유기절연막, 무기절연막 또는 유기-무기 혼성막으로 형성될 수 있고, 이들의 단일 구조 또는 다층 구조로 이루어질 수 있으며, 잉크젯 프린팅 방식에 의해 성형될 수 있다. 상기 화소정의막(620)의 형성 방식은 도 4의 실시예와 관련하여 설명된 층간 절연막(420)의 형성 방식과 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
그리고, 상기 화소정의막(620)의 개구(621)에 대응하도록 유기 발광층(650)이 상기 제1전극(630)을 덮도록 형성하고, 이 유기 발광층(650) 위에 상기 제1전극(630)과 대향된 제2전극(640)이 형성된다. 상기 유기 발광층(650)은 도 4 및 도 5와 관련하여 설명한 유기 발광층과 동일한 구성을 가질 수 있다. 상기 제2전극(640)은 발광 소자의 전체 화소를 모두 덮도록 형성될 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1전극(630)이 소정 형상의 화소에 대응하게 패턴화된 경우에는 이 패턴에 상응하게 패턴화될 수도 있다.
이상은 본 발명에 따른 발광 소자의 실시예로서 유기 전계발광 소자를 설명하였으나, 본 발명은 액정 디스플레이 소자 또는 전계방출 디스플레이 소자와 같은 다른 형태의 발광 소자에도 동일하게 적용될 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면 기판 상에 사용된 유기 물질에 대한 높은 내구 수명을 가능하게 하며 저렴하게 제조될 수 있고 높은 전기 전도율을 가지는 유기 발광 재료를 기초로 한 발광 소자용 기판이 얻어진다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
Claims (17)
- 기저기판;상기 기저기판 상에 배치되고, 금속으로 구성된 층구조체; 및상기 금속의 층구조체 상에 배치된 전도성 폴리머의 층구조체;를 포함하는 발광 소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속은 은, 구리 또는 금 중에서 선택되는 어느 하나인 발광 소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속으로 구성된 층구조체는 라인 형상으로 형성된 발광 소자용 기판.
- 제 3 항에 있어서,상기 금속 라인은 50㎛ 내지 150㎛의 폭과 10㎚ 내지 200㎚의 높이를 가지며, 인접한 금속 라인들 사이의 거리는 100㎛ 내지 1500㎛인 발광 소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 전도성 폴리머는 폴리에틸렌 다이옥시티오펜 또는 폴리아닐린 중에서 선택되는 어느 하나인 발광 소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 전도성 폴리머의 층구조체는 층 두께가 30㎚ 내지 300㎚인 연속된 층으로 형성된 발광 소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서,전도성 폴리머의 라인 구조체가 라인 형상으로 형성된 발광 소자용 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 폴리머 라인은 100㎛ 내지 400㎛의 폭과 10㎚ 내지 200㎚의 높이를 가지며, 인접한 폴리머 라인들 사이의 거리는 100㎛ 내지 1500㎛인 발광 소자용 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 폴리머 라인은 상기 금속 라인을 부분적으로 덮는 발광 소자용 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 폴리머 라인은 상기 금속 라인을 완전히 덮는 발광 소자용 기판.
- 기저기판 상에 금속으로 구성된 층구조체를 부착하는 단계; 및전도성 폴리머의 층구조체를 부착하는 단계;를 포함하는 발광 소자용 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 금속은 라인 형상으로 부착된 발광 소자용 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 금속 라인은 금속을 포함하는 잉크의 잉크젯 프린팅에 의해 부착된 발광 소자용 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 전도성 폴리머는 스핀 코팅 또는 프린팅에 의해 부착된 발광 소자용 기판의 제조 방법.
- 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,은, 구리 또는 금 중에서 선택되는 어느 하나가 상기 금속으로서 사용되고,폴리에틸렌 다이옥시티오펜 또는 폴리아닐린 중에서 선택되는 어느 하나가 상기 폴리머로서 사용된 발광 소자용 기판을 제조하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 기판이 사용된 유기 발광 재료를 기초로 한 발광 소자용 전극.
- 제 16 항의 전극을 제1전극으로 하고,상기 제1전극과 대향된 제2전극; 및상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재되는 발광층;을 포함하는 발광 소자.
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Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002124391A (ja) | 2000-08-08 | 2002-04-26 | Seiko Precision Inc | Ｅｌシート |
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| KR20030036230A (ko) * | 2000-06-20 | 2003-05-09 | 듀폰 디스플레이즈, 인크. | 고효율 유기 전자 장치에 사용하기 위한 안정한 홀-주입전극으로서의 다층 구조물 |
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| KR20040025381A (ko) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030036230A (ko) * | 2000-06-20 | 2003-05-09 | 듀폰 디스플레이즈, 인크. | 고효율 유기 전자 장치에 사용하기 위한 안정한 홀-주입전극으로서의 다층 구조물 |
| JP2002124391A (ja) | 2000-08-08 | 2002-04-26 | Seiko Precision Inc | Ｅｌシート |
| JP2002289359A (ja) | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Nec Kansai Ltd | 分散型ｅｌ素子 |
| WO2003106571A1 (de) | 2002-06-14 | 2003-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Material zur herstellung einer leitfähigen organischen funktionsschicht und verwendung dazu |
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