KR100696489B1 - 박막 트랜지스터, 이를 제조하는 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치 - Google Patents
박막 트랜지스터, 이를 제조하는 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100696489B1 KR100696489B1 KR1020050008342A KR20050008342A KR100696489B1 KR 100696489 B1 KR100696489 B1 KR 100696489B1 KR 1020050008342 A KR1020050008342 A KR 1020050008342A KR 20050008342 A KR20050008342 A KR 20050008342A KR 100696489 B1 KR100696489 B1 KR 100696489B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- source
- derivatives
- organic semiconductor
- semiconductor layer
- drain electrode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 17
- -1 atracene Chemical compound 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicarbamoylnaphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical class C1=CC=CC2=C(C(O)=N)C(C(=N)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 7,18-bis[2,6-di(propan-2-yl)phenyl]-7,18-diazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1(23),2,4,9,11,13,15,20(24),21,25-decaene-6,8,17,19-tetrone Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1N(C(=O)C=1C2=C3C4=CC=1)C(=O)C2=CC=C3C(C=C1)=C2C4=CC=C3C(=O)N(C=4C(=CC=CC=4C(C)C)C(C)C)C(=O)C1=C23 NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N perylene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
Claims (11)
- 기판;상기 기판 상부에 형성된 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극과 접하는 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 상부에 형성되는 게이트 절연층; 및상기 유기 반도체층과 절연되도록 상기 게이트 절연층 상부에 형성되는 게이트 전극;을 포함하고,상기 소스/드레인 전극의 상기 유기 반도체층과 접하는 부분에는 상기 유기 반도체층을 통한 소스/드레인 전극 간의 전기적 소통이 원활하게 이루어질 수 있도록 산화부가 구비된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 산화부를 구성하는 물질은 상기 유기 반도체층의 HOMO 에너지 레벨보다 큰 일함수를 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 중의 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 절연층은, SiO2, SiNx, Al2O3, Ta2O5, BST, PZT, PMMA(poly methylmethacrylate), PS(polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이 미드(polyimide)와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene), 및 이들의 하나 이상을 포함하는 화합물 중 하나 이상의 재료를 포함하는 하나 이상의 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 유기 반도체 층은, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 아트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 이들의 유도체 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 기판 상부에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극을 산화 처리하는 단계;상기 소스/드레인 전극 상부에 상기 소스/드레인 전극과 접하는 유기 반도체 층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층 상부에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 소스/드레인 전극의 산화 처리된 부분은 상기 유기 반도체층과 상기 소스/드레인 전극 간의 전기적 소통이 원활하게 되도록 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 소스/드레인 전극 형성 단계와 상기 소스/드레인 전극 산화 처리 단계는 동시에 실시되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 산화 처리 단계는 플라즈마 산화 방식에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 산화 처리 단계는 열처리 산화 방식에 의하여 이루어지는 것을 특징으 로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 산화 처리 단계는 오존수 산화 방식에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 디스플레이 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050008342A KR100696489B1 (ko) | 2005-01-29 | 2005-01-29 | 박막 트랜지스터, 이를 제조하는 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050008342A KR100696489B1 (ko) | 2005-01-29 | 2005-01-29 | 박막 트랜지스터, 이를 제조하는 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060087639A KR20060087639A (ko) | 2006-08-03 |
KR100696489B1 true KR100696489B1 (ko) | 2007-03-19 |
Family
ID=37176344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050008342A KR100696489B1 (ko) | 2005-01-29 | 2005-01-29 | 박막 트랜지스터, 이를 제조하는 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100696489B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101438038B1 (ko) | 2008-05-29 | 2014-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940006179A (ko) * | 1992-03-27 | 1994-03-23 | 순페이 야마자끼 | 반도체 장치와 그 제작방법 |
KR20050119889A (ko) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 제조한 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치 |
-
2005
- 2005-01-29 KR KR1020050008342A patent/KR100696489B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940006179A (ko) * | 1992-03-27 | 1994-03-23 | 순페이 야마자끼 | 반도체 장치와 그 제작방법 |
KR20050119889A (ko) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 제조한 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
1000917620000 |
1019940006179 |
1019950012745 |
1020050119889 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101438038B1 (ko) | 2008-05-29 | 2014-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060087639A (ko) | 2006-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100603349B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 이를 제조한 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치 | |
KR100829743B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 | |
KR100683766B1 (ko) | 평판표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR100659061B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 | |
KR100647683B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 | |
KR100544144B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 | |
KR20060055762A (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 채용한 평판표시장치 | |
KR100670379B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 구비한 유기발광 디스플레이 장치 | |
KR100647704B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치,유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 평판 디스플레이장치의 제조방법 | |
KR100683760B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 | |
JP2006270093A (ja) | 有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、及び有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
KR100696489B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 이를 제조하는 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치 | |
KR100751360B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 | |
KR100659096B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판표시장치, 상기유기 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
KR100730181B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 | |
KR100592277B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 이를 제조한 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치 | |
KR100683713B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비하는 평판 디스플레이장치 | |
KR100647686B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 | |
KR100669801B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치및 상기 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
KR20050077832A (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 | |
KR100670353B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 | |
KR100592270B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 | |
KR100708736B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
KR100730180B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 | |
KR100670378B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140303 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150227 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180302 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190304 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200227 Year of fee payment: 14 |