KR100659061B1 - 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 - Google Patents
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- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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Abstract
Description
Claims (18)
- 기판 일면 상부에 형성되는 소스/드레인 전극 및 유기 반도체 층;상기 소스/드레인 전극 및 유기 반도체 층과 절연되는 게이트 전극;을 구비하는 유기 박막 트랜지스터에 있어서,상기 소스/드레인 전극과 상기 게이트 전극 사이에는 하나 이상의 게이트 절연층이 구비되되,상기 소스/드레인 전극과 상기 게이트 전극과의 교차 영역 전부에 대응하는 부분의 게이트 절연층 두께는, 상기 유기 반도체 층의 채널 영역과 상기 게이트 전극과의 교차 영역 적어도 일부에서의 게이트 절연층 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 상기 유기 반도체 층과 오믹 콘택을 이루는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 2항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 Au, Au/Ti, Au/Cr, Pt, Pt/Pd, Ni 중의 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 절연층은, SiO2, SiNx, Al2O3, Ta2O5, BST, PZT, PMMA(poly methylmethacrylate), PS(polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드(polyimide)와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene), 및 이들의 하나 이상을 포함하는 화합물 중 하나 이상의 재료를 포함하는 하나 이상의 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 유기 반도체 층은, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 아트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르 복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 절연층의 서로 상이한 두께를 갖는 영역들 사이의 적어도 일부는 테이퍼 구조를 취하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 기판 일면 상에, 하나 이상의 화소를 구비하는 디스플레이 영역에 형성되는 유기 박막 트랜지스터 층과. 화소 층을 구비하는 평판 디스플레이 장치에 있어서,상기 유기 박막 트랜지스터 층은:기판 일면 상부에 형성되는 소스/드레인 전극 및 유기 반도체 층;상기 소스/드레인 전극 및 유기 반도체 층과 절연되는 게이트 전극;을 구비하고,상기 소스/드레인 전극과 상기 게이트 전극 사이에는 하나 이상의 게이트 절연층이 구비되되,상기 소스/드레인 전극과 상기 게이트 전극과의 교차 영역 전부에 대응하는 부분의 게이트 절연층 두께는, 상기 유기 반도체 층의 채널 영역과 상기 게이트 전극과의 교차 영역 적어도 일부에서의 게이트 절연층 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 상기 유기 반도체 층과 오믹 콘택을 이루는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 8항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 Au, Au/Ti, Au/Cr, Pt, Pt/Pd, Ni 중의 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 게이트 절연층은, SiO2, SiNx, Al2O3, Ta2O5, BST, PZT, PMMA(poly methylmethacrylate), PS(polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드(polyimide)와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene), 및 이들의 하나 이상을 포함하는 화합물 중 하나 이상의 재료를 포함하는 하나 이상의 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 유기 반도체 층은, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 아트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 게이트 절연층의 서로 상이한 두께를 갖는 영역들 사이의 적어도 일부는 테이퍼 구조를 취하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 기판 일면 상부에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극 상에, 소스/드레인 영역 및 채널 영역을 갖는 활성 영역을 포함하는 유기 반도체 층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체 층의 일면 상에 제 1 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 제 1 게이트 절연층 일면 상에 제 2 게이트 절연층을 형성하되, 상기 소스/드레인 전극과 교차되는 영역 적어도 일부의 두께가, 상기 채널 영역과 교차되는 영역 적어도 일부의 두께보다 크도록 제 2 게이트 절연층을 형성하는 단계;적어도 상기 채널 영역에 대응되도록 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제 13항에 있어서,상기 제 2 게이트 절연층 형성 단계는:상기 제 2 게이트 절연층을 이루는 재료 층을 제 1 게이트 절연층 일면 상에 전면 형성하는 단계;상기 제 2 게이트 절연층 중 적어도 상기 유기 반도체 층의 채널 영역에 대응되는 영역을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제 13항에 있어서,상기 제거 단계는, 레이저 광선을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.
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