CN1753202A - 有机薄膜晶体管及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器 - Google Patents

有机薄膜晶体管及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种有机薄膜晶体管，一种平板显示装置以及制造它们的方法。有机薄膜晶体管包括：源和漏电极以及有机半导体层，形成在基板的表面上；栅电极，与源和漏电极以及有机半导体层绝缘；栅极，至少形成在每个源极和漏极的上方和有机半导体层的通道区域的上方，其中，在源和漏电极上方的至少一部分栅极绝缘体的厚度大于在有机半导体层的通道区域上方的至少一部分栅极绝缘体的厚度。

Description

有机薄膜晶体管及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器
本申请要求于2004年9月20日在韩国知识产权局提交的第10-2004-0075095号韩国专利申请的利益，该申请完全公开于此，以资参考。
                         技术领域
本发明涉及一种有机薄膜晶体管和包括该有机薄膜晶体管的平板显示装置，更具体地讲，涉及一种能够精确地传输信号的有机薄膜晶体管、该有机薄膜晶体管的制造、包括该有机薄膜晶体管的一种平板显示装置。
                         背景技术
例如液晶显示装置、有机场致发光显示装置、无机场致发光显示装置等平板显示装置，包括薄膜晶体管(TFT)。TFT用作控制象素操作的开关装置或用作用于驱动象素的驱动装置。
TFT包括：半导体层，具有掺杂了高浓度杂质的源极区域和漏极区域以及形成在源极区域和漏极区域之间的通道区域；栅电极，与半导体层绝缘并位于通道区域的上方；源电极和漏电极，分别与源极区域和漏极区域接触。
平板显示装置已经变薄变柔。为了获得柔性的平板显示装置，塑料基板被用来代替玻璃基板。然而，塑料基板的使用需要低温处理。因此，不能采用由多晶硅组成的传统的晶体管。
为了解决这个问题，已经开发出有机半导体。有机半导体可在低温下处理，从而可以低成本制造TFT。
图1是传统有机TFT的剖视图。参照图1，源和漏电极11、有机半导体层12、栅电极14形成在基板10的表面上。源和漏电极11通过栅极绝缘体13与栅电极14绝缘。栅极绝缘体13具有在预定范围内的厚度。当栅极绝缘体13的厚度太大时，有机半导体层12的通道区域和栅电极14之间的相互作用横过整个通道区域是不一致的，从而降低了操作性能。另一方面，当栅极绝缘体13的厚度太小时，在通道区域内，栅电极14与源和漏电极11之间的寄生电容会增加，该寄生电容用AC表示。栅电极14与源和漏电极11之间的电容用 C = k A r d 来显示，其中，k是栅极绝缘体13的介电常数，Ar是源和漏电极11与栅电极14交迭的区域，d是源和漏电极11与栅电极14之间的距离。例如，当栅极绝缘体13的厚度减小时，C增大，由此造成了源和漏电极11与栅电极14之间的寄生电容，这并非所需要的。寄生电容导致信号延迟，使得装置的操作速度变慢。由于平面显示装置必须以精确和快速的响应来显示色彩层次，所以必须克服这样的信号延迟。
                          发明内容
根据第一实施例，提供了一种有机薄膜晶体管，其包括：源和漏电极以及有机半导体层，形成在基板上，有机半导体层包括在源电极和漏电极之间的通道区域；栅电极，与源和漏电极以及有机半导体层绝缘；栅极绝缘体，至少形成在栅电极与每个源和漏电极之间，以及在栅电极与有机半导体的通道区域之间，在栅电极与每个源和漏电极之间至少一部分栅极绝缘体的厚度大于在栅电极与有机半导体的通道区域之间至少一部分栅极绝缘体的厚度。
源和漏电极可各与有机半导体层形成欧姆接触，并且包括选自由以下物质组成的组中的至少一个成分：Au、Au/Ti、Au/Cr、Pt、Pt/Pd和Ni。。
栅极绝缘体可包括选自由以下物质组成的组中的至少一种化合物：SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST、PZT、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、含酚聚合物、含丙烯聚合物、含酰亚胺聚合物、含芳醚聚合物、含酰胺聚合物、含氟聚合物、含亚对二甲苯聚合物、含乙烯醇聚合物、聚对二甲苯。
有机半导体层可选自以下化合物中的至少一种：并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、苝四羧基二酰亚胺及其衍生物、苝四羧基二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩亚乙烯基及其衍生物、聚噻吩芳香杂环共聚物及其衍生物、萘的低聚并苯类物质及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、含金属酞菁或不含金属酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物；苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物；萘四羧酸二酰亚胺及其衍生物、萘四羧酸二酐及其衍生物
至少一部分栅极绝缘体可变成锥形。
根据另一实施例，提供了一种平面显示装置包括：基板，具有显示区域；有机薄膜晶体管；象素层，形成在显示区域上。所述有机薄膜晶体管包括：源和漏电极以及有机半导体层，形成在基板上，所述有机半导体层包括在源和漏电极之间的通道区域；栅电极，与源和漏电极以及有机半导体层绝缘；栅极绝缘体，形成在至少栅电极与每个源和漏电极之间以及在栅电极与有机半导体的通道区域之间，在栅电极与每个源和漏电极之间至少一部分栅极绝缘体的厚度大于栅电极与有机半导体的通道区域之间至少一部分栅极绝缘体的厚度。
源和漏电极可各与有机半导体层形成欧姆接触，并且包括选自由以下物质组成的组中的至少一个成分：Au、Au/Ti、Au/Cr、Pt、Pt/Pd和Ni。
栅极绝缘体可包括选自由以下物质组成的组中的至少一种化合物：SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST、PZT、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、含酚聚合物、含丙烯聚合物、含酰亚胺聚合物、含芳醚聚合物、含酰胺聚合物、含氟聚合物、含亚对二甲苯聚合物、含乙烯醇聚合物、聚对二甲苯。
有机半导体层可选自以下化合物中的至少一种：并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、苝四羧基二酰亚胺及其衍生物、苝四羧基二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩亚乙烯基及其衍生物、聚噻吩芳香杂环共聚物及其衍生物、萘的低聚并苯类物质及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、含金属酞菁或不含金属酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物；苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物；萘四羧酸二酰亚胺及其衍生物、萘四羧酸二酐及其衍生物
至少一部分栅极绝缘体可变成锥形。
根据另一实施例，提供了一种制造有机薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在基板上形成源和漏电极；在源和漏电极的上方形成有机半导体层，所述有机半导体层包括在源和漏电极之间的通道区域；在有机半导体层的上方形成第一栅极绝缘体；在第一栅极绝缘体的上方形成第二栅极绝缘体，其中，在栅电极与每个源和漏电极之间至少一部分第二栅极绝缘体的厚度大于在栅电极与通道区域之间至少一部分第二栅极绝缘体的厚度；在至少通道区域的上方形成栅电极。
形成第二栅极绝缘体可包括：在第一栅极绝缘体的基本整个上表面上形成第二栅极绝缘体；移除在有机半导体层的通道区域上方的至少一部分第二栅极绝缘体。
移除至少一部分第二栅极绝缘体可包括采用激光束。
移除至少一部分第二栅极绝缘体可包括掩模和蚀刻。
根据另一实施例，提供了一种制造有机薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在基板的表面上方形成源和漏电极；在源和漏电极的上方形成有机半导体层，该有机半导体层包括在源和漏电极之间的通道区域；在有机半导体层的上方形成栅极绝缘体，其中，在栅电极与每个源和漏电极之间至少一部分栅极绝缘体的厚度大于栅电极与通道区域之间至少一部分栅极绝缘体的厚度。
形成栅极绝缘体还可包括：在有机半导体层的基本整个表面上形成栅极绝缘体，移除在通道区域上方至少一部分栅极绝缘体。
移除至少一部分栅极绝缘体可包括采用激光束。
移除至少一部分栅极绝缘体可包括掩模和蚀刻。
                          附图说明
参照附图，通过进一步详细的示例性实施例来讨论本发明的上述和其他特点和优点，其中：
图1(现有技术)是传统有机薄膜晶体管的剖视图；
图2A至图2G是示出根据实施例的制造有机薄膜晶体管的方法的剖视图；
图3是根据另一实施例的有机场致发光显示装置的剖视图。
                        具体实施方式
现在将参照示出本发明的示例性实施例的附图来更充分地描述某些实施例。
图2A至图2G是示出根据一个实施例的制造有机薄膜晶体管的方法的剖视图。参照图2A，导电层形成在基板110的表面上，并通过使导电层形成图案来形成源电极120a和漏电极120b。
基板110可由玻璃、塑料、另一合适的材料，或这些材料的组合组成。例如，塑料可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯硫化物(PEN)、聚醚砜(PES)、聚醚酰亚胺、聚亚苯基硫化物(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、醋酸-丙酸纤维素(CAP)等。
选择组成源电极120a和漏电极120b的导电材料，会至少考虑到与有机半导体所需要的欧姆接触。例如，可以采用Au、Au/Ti、Au/Cr、Pt、Pt/Pd、Ni等。如果需要的话，还可形成缓冲层(未示出)，以防止当制造源电极120a和漏电极120b时对基板110的损害。
参照图2B，在形成源电极120a和漏电极120b后，有机半导体层130覆盖源电极120a和漏电极120b。有机半导体层130可选自以下化合物中的至少一种：并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、苝四羧基二酰亚胺及其衍生物、苝四羧基二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩亚乙烯基及其衍生物、聚噻吩芳香杂环共聚物及其衍生物、萘的低聚并苯类物质及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、含金属酞菁或不含金属酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物；苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物；萘四羧酸二酰亚胺及其衍生物、萘四羧酸二酐及其衍生物。也可以采用其它的材料。
这里所用的术语“衍生物”指包括选自由以下基组成的组中的基的化合物：氨基羧基、碘代基、氟代基、氯代基、溴代基、羟基、C1-C6烷基(alcoxy)、苯基和苯氧基。
有机半导体层130包括有源区域130′和无源区域130″。有源区域130′限定为位于在下面的源电极120a和漏电极120b之间和上方的有机半导体层130的部分，无源区域130″限定为有机半导体层130的剩余部分。有源区域130′包括源极区域130a、漏极区域130b和通道区域130c。无源区域130″位于源极区域130′的外部。
在形成有机半导体层130后，多个绝缘体形成在有机半导体层130上。参照图2C，第一栅极绝缘体140a形成在有机半导体层130上。选择组成第一栅极绝缘体140a的材料，会至少考虑到它需要与在下面的有机半导体层130粘着并且容易制造。第一栅极绝缘体140a可包括通过旋转等方法沉积得到的聚合物有机绝缘体或无机绝缘体。无机绝缘体可通过比如溅射从SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST和PZT中选择的至少一种化合物来形成。在一些实施例中，也可使用其他这样的化合物。聚合物有机绝缘体可通过比如旋压选自以下化合物中的至少一种来形成：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、含酚聚合物、含丙烯聚合物、含酰亚胺聚合物、含芳醚聚合物、含酰胺聚合物、含氟聚合物、含亚对二甲苯聚合物、含乙烯醇聚合物、聚对二甲苯。在一些实施例中，也可以采用其他这样的化合物及制造方法。
参照图2D，第二栅极绝缘体140b形成在第一栅极绝缘体140a的表面上。第二栅极绝缘体140b可由与第一栅极绝缘体140a相同的材料组成。然而，第一栅极绝缘体140a和第二栅极绝缘体140b可由不同的材料制成。这样有助于防止当形成第一栅极绝缘体140a和第二栅极绝缘体140b时形成的销钉孔和/或过孔对绝缘体140a和140b的绝缘能力的不利影响。例如，当第一栅极绝缘体140a由有机聚合物绝缘材料组成时，第二栅极绝缘体140b可由无机绝缘材料组成，反之亦然。
参照图2E，形成在第一栅极绝缘体140a的表面上的第二栅极绝缘体140b可具有变化的厚度。即，位于源电极120a和漏电极120b上方并位于随后将要形成的栅电极150下方的至少一部分第二栅极绝缘体140b的厚度，大于位于栅电极150(未示出)下方并位于源电极120a与漏电极120b之间的至少一部分第二栅极绝缘体140b的厚度。即，参照图2E，第二栅极绝缘体140b形成图案的方式是，位于源电极120a和漏电极120b上方的第二栅极绝缘体140b的厚度ta和tb的每个，大于位于有机半导体层130的通道区域上方的第二栅极绝缘体140b的厚度tc。
为了提供第二栅极绝缘体140b的不同的厚度ta、tb、tc，可采用不同的方法使第二栅极绝缘体140b形成图案，在这里将讨论其中的一些。为了确保制造工艺容易且制造成本低，可通过蚀刻或利用激光束的层削蚀(layer ablation)使第二栅极绝缘体140b形成图案。由于结构不平坦，所以会难以在第一栅极绝缘体140a与第二栅极绝缘体140b上形成层。为了解决这个问题，可以控制激光束的强度使得可以选择性地移除部分第二栅极绝缘体140b。结果，第二栅极绝缘体140b的移除部分和剩余部分之间的区域变成锥形。例如，在图2E中，通过控制辐射到第二栅极绝缘体140b的激光束的强度来形成锥形部分141和142。
虽然根据一个实施例的第二栅极绝缘体140b是通过在第一栅极绝缘体140a的整个上表面上形成栅极绝缘体然后使该栅极绝缘体形成图案来形成，但是第二栅极绝缘体140b可采用其它方法来形成。例如，可通过掩模和蚀刻来形成在第二栅极绝缘体140b中的想要的图案。此外，参照图2G，可采用单个栅极绝缘体140代替多个栅极绝缘体。在此情况下，通过掩模来形成栅极绝缘体140的方式是，位于栅电极150下方并位于源极和漏极区域上方的部分栅极绝缘体140的厚度大于位于有机半导体层130的通道区域上方的部分栅极绝缘体140的厚度。或者，可通过在有机半导体层的整个上表面上形成栅极绝缘体，然后移除在有机半导体层130的通道区域上方的至少一部分栅极绝缘体，形成栅极绝缘体140。
参照图2F，在第二栅极绝缘体140b形成图案后，栅电极150形成在有机半导体层130的至少通道区域的上方。栅电极150可由比如Al、Mo、W、Au、Cr等金属材料、导电聚合物材料等组成。
具有上述结构的有机薄膜晶体管可用于形成各种显示装置。图3是根据本发明的实施例的有机场致发光显示装置200的剖视图。场致发光显示装置200是平板显示装置。在此情况下，示出的仅有有机薄膜晶体管和显示象素，不过还可想到其它的实施例。
场致发光显示装置200的显示区域包括具有象素单元200a和有机薄膜晶体管层200b的显示区域。有机薄膜晶体管层200b与先前讨论的有机薄膜晶体管具有相似的结构。参照图3，源电极220a和漏电极220b形成在基板210的表面上。有机半导体层230覆盖源电极220a和漏电极220b。第一栅极绝缘体240a和第二栅极绝缘体240b顺序地形成在有机半导体层230上。栅电极250形成在第二栅极绝缘体240b上。所得到的结构被由绝缘体组成的平坦化(planarization)层260覆盖。虽然在图3中栅电极250被平面层260覆盖，但是无机绝缘体(未示出)还可在栅电极250和平面层260之间形成。
电容器的下电极220c连接到源电极220a，而且电容器还包括上电极250c。
作为阳极的第一电极层270形成在平面层260的表面上。第一电极层270通过形成在第一栅极绝缘体240a、第二栅极绝缘体240b、平面层260中的通孔电连接到漏电极220b。
第一电极层270可具有各种结构。如果有机场致发光显示装置200是前发射型场致发光显示装置，那么第一电极层270可包括形成在其上的反射电极和透明电极。反射电极可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或这些物质的结合。如果有机场致发光显示装置200是后发射型场致发光显示装置，那么第一电极层270可为由比如ITO、IZO、ZnO或In2O3等透明导电材料组成的透明电极。虽然在一些实施例中第一电极270是单层或双层，但是第一电极270可包括多于两层。
象素限定层280形成在平面层260上。象素限定层280具有象素开口，光可通过该象素开口从第一电极270发射出。有机场致发光发射单元290形成在第一电极层270上。
有机场致发光发射单元290可包括低分子量有机层或聚合物有机层。低分子量有机层可为空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、有机发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)或这些层的结合等。有机层可由铜酞菁(CuPc)、氮，氮′-二(1-萘基)-氮，氮′-二苯基-联苯胺(NPB)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等组成。可以用真空沉积或其它方法形成有机层。
聚合物有机层可包括HTL和EML。HTL可由PEDOT组成，EML可由含有聚亚苯基亚乙烯(PPV)的聚合物、含聚芴聚合物等组成。可以采用丝网印刷术、喷墨印刷术等来形成聚合物有机层。可采用其它方法来形成有机场致发光发射单元290。
类似地，至少根据电极层的极性和有机场致发光显示装置200的类型，作为阴极的第二电极层300可具有不同的结构。即，如果有机场致发光显示装置200是后发射型场致发光显示装置，那么可通过在有机场致发光发射电源290上形成由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或这些物质的结合形成的用于调节其功函数的电极，然后在所述电极上形成ITO、IZO、ZnO、In2O3等透明电极，形成第二电极层300。如果有机场致发光显示装置200是后发射型场致发光显示装置，那么作为阴极的第二电极层300可包括由比如Li、Ca、Li、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg的低功函数材料或这些物质的结合等组成的至少一层。虽然第二电极层300可覆盖整个基板，但是不限于这种结构。在一个实施例中，第一电极层270作为阳极，而第二电极层300作为阴极。但是，第一电极层270可作为阴极，而第二电极层300可作为阳极。
此外，包括形成在基板210上的象素单元200b和有机薄膜晶体管层200a的显示区域可通过密封元件(未示出)来密封。密封结构可不同。例如，密封基板可形成在第二电极层300上，使得至少显示区域200被密封。或者，包括至少一层的密封膜层可形成在第二电极层300的表面上。
在这里描述的有机薄膜晶体管的实施例和其他实施例也可用在液晶显示装置中，并可用于形成驱动电路以及其他数字和/或模拟电路。
上述的实施例不打算限制本发明的范围，而且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对形式和细节做各种改变。
在这里描述的实施例至少具有以下的优点。
降低了涉及相邻的晶体管之间的串扰的不良性能。
也具有某些制造优点。可采用光阻图案，具体地讲是负光阻图案，形成在有机半导体层上的绝缘体形成绝缘直通单元(insulating through unit)。因此，可简化制造工艺、获得高分辨率、增加绝缘体和在绝缘体下面的有机半导体层之间的粘附性。这些优点有助于降低制造成本和提高性能。
此外，可减少包括有机薄膜晶体管的平面显示装置的象素故障，从而提高了平面显示装置的质量。
此外，通过栅极和通道之间的所需要的增加的电容可获得晶体管的更大的增益，而不造成在栅电极和源电极之间以及栅电极和漏电极之间所不需要的更高的电容。
虽然以上描述已经指出应用于各种实施例的本发明的新颖特点，但是技术人员将理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以对所示出的装置或工艺的形式和细节做各种省略、替换和改变。因此，本发明的范围由权利要求限定而不是由上述描述限定。落入权利要求等同物的范围和含义的所有的变形都包含在它们的范围内。

Claims (19)

1、一种薄膜晶体管，包括：
源和漏电极以及半导体层，形成在基板上，
所述半导体层包括在所述源和漏电极之间的通道区域；
栅电极，与所述源和漏电极以及所述半导体层绝缘；
栅极绝缘体，至少形成在所述栅电极与每个所述源和漏电极之间，以及在所述栅电极与所述半导体层的所述通道区域之间，在所述栅电极与每个所述源和漏电极之间至少一部分所述栅极绝缘体的厚度大于在所述栅电极与所述半导体层的所述通道区域之间至少一部分所述栅极绝缘体的的厚度。
2、如权利要求1中所述的薄膜晶体管，其中，所述源和漏电极包括选自由以下物质组成的组中的至少一个成分：Au、Au/Ti、Au/Cr、Pt、Pt/Pd和Ni。
3、如权利要求1中所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极绝缘体可包括选自由以下物质组成的组中的至少一种化合物：SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST、PZT、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、含酚聚合物、含丙烯聚合物、含酰亚胺聚合物、含芳醚聚合物、含酰胺聚合物、含氟聚合物、含亚对二甲苯聚合物、含乙烯醇聚合物、聚对二甲苯。
4、如权利要求1中所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层包括选自由以下化合物组成的组中的至少一种化合物：并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、苝四羧基二酰亚胺及其衍生物、苝四羧基二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩亚乙烯基及其衍生物、聚噻吩芳香杂环共聚物及其衍生物、萘的低聚并苯类物质及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、含金属酞菁或不含金属酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物；苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物；萘四羧酸二酰亚胺及其衍生物、萘四羧酸二酐及其衍生物。
5、如权利要求1中所述的薄膜晶体管，其中，至少一部分栅极绝缘体是锥形的。
6、一种平板显示装置，包括：
基板，具有显示区域；
薄膜晶体管；
象素层，形成在所述显示区域上，
所述薄膜晶体管包括源和漏电极以及半导体层、栅电极、栅极绝缘体，所述源和漏电极以及半导体层形成在基板上，所述半导体层包括在所述源和漏电极之间的通道区域；所述栅电极与所述源和漏电极以及所述半导体层绝缘；所述栅极绝缘体至少形成在所述栅电极与每个所述源和漏电极之间，以及在所述栅电极与所述半导体层的所述通道区域之间，在所述栅电极与每个所述源和漏电极之间至少一部分所述栅极绝缘体的厚度大于所述栅电极与所述半导体层的所述通道区域之间至少一部分所述栅极绝缘体的厚度。
7、如权利要求6所述的平板显示装置，其中，所述源和漏电极各形成了与半导体层的欧姆接触。
8、如权利要求7所述的平板显示装置，其中，所述源和漏电极包括选自由以下物质组成的组中的至少一个成分：Au、Au/Ti、Au/Cr、Pt、Pt/Pd和Ni。
9、如权利要求6所述的平板显示装置，其中，所述栅极绝缘体包括由选自由以下物质组成的组中的至少一种化合物组成的至少一层：SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST、PZT、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、含酚聚合物、含丙烯聚合物、含酰亚胺聚合物、含芳醚聚合物、含酰胺聚合物、含氟聚合物、含亚对二甲苯聚合物、含乙烯醇聚合物、聚对二甲苯。
10、如权利要求6所述的平板显示装置，其中，所述半导体层包括选自由以下化合物组成的组中的至少一种化合物：并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、苝四羧基二酰亚胺及其衍生物、苝四羧基二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩亚乙烯基及其衍生物、聚噻吩芳香杂环共聚物及其衍生物、萘的低聚并苯类物质及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、含金属酞菁或不含金属酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物；苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物；萘四羧酸二酰亚胺及其衍生物、萘四羧酸二酐及其衍生物。
11、如权利要求6所述的平板显示装置，其中，所述至少一部分栅极绝缘体是锥形的。
12、一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：
在基板上形成源和漏电极；
在所述源和漏电极的上方形成半导体层，所述半导体层包括在所述源和漏电极之间的通道区域；
在所述半导体层的上方形成第一栅极绝缘体；
在所述第一栅极绝缘体的上方形成第二栅极绝缘体，其中，在将在随后形成的栅电极与每个所述源和漏电极之间至少一部分所述第二栅极绝缘体的厚度大于将在随后形成的所述栅电极与所述通道区域之间至少一部分所述第二栅极绝缘体的厚度；
在至少所述通道区域的上方形成所述栅电极。
13、根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第二栅极绝缘体包括：
在所述第一栅极绝缘体的基本整个上表面上形成所述第二栅极绝缘体；
移除在所述半导体层的所述通道区域上方的至少一部分所述第二栅极绝缘体。
14、如权利要求13所述的方法，其中，移除至少一部分所述第二栅极绝缘体包括采用激光束。
15、如权利要求13所述的方法，其中，移除至少一部分所述第二栅极绝缘体包括掩模和蚀刻。
16、一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：
在基板的表面上方形成源和漏电极；
在所述源和漏电极的上方形成半导体层，所述半导体层包括在所述源和漏电极之间的通道区域；
在所述半导体层的上方形成栅极绝缘体，其中，在将在随后形成的栅电极与每个所述源和漏电极之间至少一部分所述栅极绝缘体的厚度大于将在随后形成的所述栅电极与所述通道区域之间至少一部分所述栅极绝缘体的厚度；
在至少所述通道区域的上方形成所述栅电极。
17、如权利要求16所述的方法，其中，形成所述栅极绝缘体还包括：
在所述半导体层的基本整个上表面上形成所述栅极绝缘体；
移除在所述通道区域上方的至少一部分所述栅极绝缘体。
18、如权利要求17所述的方法，其中，移除至少一部分所述栅极绝缘体包括使用激光束。
19、如权利要求17所述的方法，其中，移除至少一部分所述栅极绝缘体包括掩模和蚀刻。
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Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121116

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Effective date of registration: 20121116

Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Applicant after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon

Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20060329