PL213928B1 - Sposób wytwarzania folii z co najmniej jednym elementem elektronicznym w organicznej technologii pólprzewodnikowej oraz folia wytworzona tym sposobem - Google Patents

Sposób wytwarzania folii z co najmniej jednym elementem elektronicznym w organicznej technologii pólprzewodnikowej oraz folia wytworzona tym sposobem

Info

Publication number
PL213928B1
PL213928B1 PL374836A PL37483603A PL213928B1 PL 213928 B1 PL213928 B1 PL 213928B1 PL 374836 A PL374836 A PL 374836A PL 37483603 A PL37483603 A PL 37483603A PL 213928 B1 PL213928 B1 PL 213928B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
layers
foil
organic semiconductor
film
Prior art date
Application number
PL374836A
Other languages
English (en)
Other versions
PL374836A1 (pl
Inventor
Norbert Lutz
Ludwig Brehm
Heinrich Wild
Original Assignee
Kurz Leonhard Fa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kurz Leonhard Fa filed Critical Kurz Leonhard Fa
Publication of PL374836A1 publication Critical patent/PL374836A1/pl
Publication of PL213928B1 publication Critical patent/PL213928B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/046—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania folii z co najmniej jednym elementem elektronicznym w organicznej technologii półprzewodnikowej oraz folia wytworzona tym sposobem.
Organiczne tranzystory polowe (OFETs) składają się z organicznej warstwy półprzewodnikowej pomiędzy i nad źródłem i co najmniej jednym drenem, organicznej warstwy izolacyjnej nad warstwą półprzewodzącą i bramką. Źródło, dren i bramka mogą być wykonane z metali lub przewodzących polimerów organicznych. Organiczne materiały elektrodowe stanowią przykładowo polianilina i polipirol. Jako półprzewodniki stosuje się na przykład politiofen, zaś jako izolator poliwinylofenol.
Do wytwarzania OFETs lub innych elementów podstawowych z polimerów organicznych potrzebne jest nadanie struktury przewodzącym warstwom elektrodowym. Nadawanie struktury innym warstwom nie jest konieczne, może jednak poprawić wydajność elementów podstawowych z polimerów organicznych.
W WO 02/25750 opisane jest wytwarzanie elektrod lub ścieżek przewodzących za pomocą metody litograficznej. Przewodząca warstwa organiczna z domieszkowanej polianiliny (PANI) lub polietylenodioksytiofenu (PEDOT) nakłada się płasko na podłoże, na przykład folię, w drodze wcierania, natryskiwania, wirowania lub sitodruku. Na to nakłada się cienką warstwę fotomaski i naświetla ją, tworząc strukturę.
Przy wywoływaniu odsłaniana warstwa polianiliny zostaje pod działaniem wywoływacza pozbawiona protonów, a co za tym idzie, staje się nieprzewodząca. Przy użyciu rozpuszczalnika pozostałość fotomaski ulega rozpuszczeniu. Przed lub po tym etapie nieprzewodzącą osnowę warstwy organicznej rozpuszcza się rozpuszczalnikiem niezasadowym.
Alternatywnie można również odsłonięte obszary usunąć utleniająco przed rozpuszczeniem fotomaski poprzez trawienie reaktywne.
W WO 02/25750 mówi się ponadto, że na płaską warstwę polimeru funkcyjnego nadrukowuje się celem wytworzenia struktury związek chemiczny, który eliminuje protony. Związkiem tym jest korzystnie zasada. W drodze następującego potem płukania usuwa się selektywnie obszary nieprzewodzące.
Niekorzystne jest to, że metoda litograficzna funkcjonuje tylko w przypadku polianiliny. W stanie techniki nie jest ponadto znane nadawanie struktury przy użyciu litografii produktom w postaci rolek. Za pomocą innych metod wytwarzania struktury, na przykład drukowania, minimalny możliwy odstęp pomiędzy źródłem i drenem wynosi co najmniej 30 do 50 μm. Potrzebne są jednak długości około 10 μm, aby zwiększyć wydajność OFET.
WO 02/47183 proponuje w zakresie nadawania struktury przewodzącej warstwie organicznej oraz innym warstwom w OFET umieszczenie polimeru funkcyjnego w zagłębieniach warstwy formowanej. Warstwa formowana jest wykonana z innego materiału organicznego o własnościach izolacyjnych, w którą wciskany jest stempel. Materiał ten stanowi przykładowo utwardzalny promieniami ultrafioletowymi lub termoutwardzalny lakier, który nakłada się na całą powierzchnię podłoża. W wyniku napromieniowania, na przykład światłem ultrafioletowym, lakier ulega utwardzeniu i w warstwie formowanej wytwarzane są zagłębienia. W te zagłębienia wciera się następnie polimer funkcyjny. Przy użyciu tego sposobu można zatem wytwarzać bardzo drobne struktury o poprzecznych wymiarach w zakresie 2-5 μm. Metoda wcierania nie jest przy tym zależna od materiału, co oznacza, że nadaje się do wytwarzania struktury we wszystkich warstwach OFET. Poza polianiliną można wcierać, a zatem nadawać strukturę innym przewodzącym lub półprzewodzącym materiałom organicznym, jak na przykład polipirol, politiofen, a także poliwinylofenol. Poza tym przedział lepkości dla wcierania jest nieporównywalnie większy niż w przypadku drukowania, w związku z czym można w dużym stopniu zachować konsystencję polimerów funkcyjnych. Ponadto można wytwarzać stosunkowo grube warstwy w zakresie do 1 μm. Poza tym zaproponowano zastosowanie sposobu w ciągłym drukowaniu zwojowym. Taśma składa się przy tym z materiału podłoża z naniesionym nań polimerem formowanym, którym może być lakier utwardzalny światłem ultrafioletowym, ale także utwardzalny termicznie. Zagłębienia wytłacza się najpierw wałkiem stemplowym, po czym utwardza się polimer formowany, naświetlając go promieniami ultrafioletowymi.
Za pomocą umieszczonej dalej lampy ultrafioletowej dotwardza się lakier. W zaopatrzony w strukturę lakier wciera się raklą polimer funkcyjny.
W DE 10033112 opisany jest sposób, w którym wypełniający formę polimer funkcyjny zbiera się za pomocą tamponu, a następnie nanosi na podłoże lub już istniejące warstwy.
PL 213 928 B1
Celem wynalazku jest poprawa wytwarzania wysokowydajnych elementów podstawowych w organicznej technologii półprzewodnikowej i/lub zaproponowanie budowy ulepszonych elementów podstawowych w organicznej technologii półprzewodnikowej.
Sposób wytwarzania folii zawierającej co najmniej jeden element elektroniczny w organicznej technologii półprzewodnikowej, zwłaszcza co najmniej jeden tranzystor polowy, według wynalazku charakteryzuje się tym, że strukturę co najmniej jednej warstwy co najmniej jednego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej wytwarza się przy użyciu replikacji przeprowadzonej termicznie lub za pomocą światła ultrafioletowego, rozdzielając w drodze replikacji całkowicie część warstwy replikowanej i tworząc z niej podzieloną na obszary, ukształtowaną w postaci wzoru, elektryczną warstwę funkcyjną elementu podstawowego.
Korzystnie w replikowanej warstwie replikuje się strukturę przestrzenną, której głębokość jest większa lub równa grubości replikowanej warstwy, w związku z czym część replikowanej warstwy oddziela się całkowicie w drodze replikacji i tworzy się elektryczną warstwę funkcyjną, mającą strukturę w postaci wzoru, która odpowiada strukturze przestrzennej.
Korzystnie strukturę przestrzenną replikuje się w warstwie elektrodowej z materiału przewodzącego prąd elektryczny, po czym na tę warstwę nakłada się następną warstwę funkcyjną z materiału nieprzewodzącego lub półprzewodzącego.
Korzystnie co najmniej jedną, potrzebną do funkcjonowania co najmniej jednego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej, warstwę elektrodową, izolacyjną i półprzewodzącą wprowadza się w strukturę folii na części lub na całej powierzchni za pomocą metody drukarskiej.
Korzystnie w procesie replikacji wytwarza się co najmniej jeden element podstawowy w organicznej technologii półprzewodnikowej, oraz optyczne cechy funkcjonalne, zwłaszcza optyczne struktury dyfrakcyjne.
Folia do tłoczenia lub laminowania, wytworzona opisanym powyżej sposobem według wynalazku, która zawiera co najmniej jeden elektroniczny element podstawowy w organicznej technologii półprzewodnikowej, zwłaszcza co najmniej jeden organiczny tranzystor polowy, według wynalazku charakteryzuje się tym, że element podstawowy zawiera co najmniej jedną warstwę ze strukturami wytworzonymi przy użyciu replikacji przeprowadzonej termicznie lub za pomocą światła ultrafioletowego, które to warstwy tworzą co najmniej jedną, podzieloną na obszary, ukształtowaną w postaci wzoru, elektryczną warstwę funkcyjną elementu podstawowego.
Korzystnie co najmniej jedna, podzielona na obszary, ukształtowana w postaci wzoru, elektryczna warstwa funkcyjna ma rozdzielczość poprzeczną w zakresie od 100 nm do 5 μm, zwłaszcza w zakresie od 100 nm do 0,5 μm.
Korzystnie folia według wynalazku jako folia do tłoczenia zawiera folię nośną i odrywalną od niej warstwę przenoszoną, przy czym warstwa przenoszona ma na swej odwrotnej względem folii nośnej stronie warstwę kleju, zaś jako folia do laminowania zawiera folię nośną i na odwrotnej względem folii nośnej stronie warstwę kleju.
Korzystnie folia do tłoczenia lub do laminowania zawiera ponadto co najmniej jedną warstwę z organicznego materiału półprzewodnikowego, zwłaszcza politiofenu, co najmniej jedną warstwę z materiału elektroizolacyjnego i co najmniej dwie, ukształtowane lokalnie w postaci wzoru, warstwy z materiału przewodzącego prąd elektryczny.
Korzystnie warstwy przewodzące prąd elektryczny są z organicznego materiału przewodzącego, zwłaszcza polianiliny lub polipirolu.
Korzystnie warstwa elektroizolacyjna jest z organicznego materiału izolacyjnego, zwłaszcza poliwinylofenolu.
Korzystnie folia stanowi folię do tłoczenia, która zawiera folię nośną i nałożoną na folię nośną oraz odrywalną od folii nośnej warstwę przenoszoną.
Korzystnie folia do tłoczenia zawiera warstwę odrywalną i warstwę kleju.
Korzystnie folia do tłoczenia lub do laminowania zawiera co najmniej jedną, graniczącą z warstwami polimeru funkcyjnego, warstwę lakieru.
Korzystnie warstwy przewodzące prąd elektryczny, warstwa z materiału półprzewodnikowego i warstwa z materiału elektroizolacyjnego są przezroczyste.
Korzystnie folia ma postać elementu foliowego, który zawiera warstwę z materiału półprzewodnikowego, zwłaszcza politiofenu, warstwę z materiału elektroizolacyjnego i co najmniej dwie warstwy z materiału przewodzącego prąd elektryczny, ukształtowane lokalnie w postaci wzoru.
PL 213 928 B1
Korzystnie co najmniej jeden elektroniczny element podstawowy w organicznej technologii półprzewodnikowej jest połączony w kombinację ze strukturami wytwarzającymi cechy optyczne.
Korzystnie pomiędzy warstwami folii jest odwzorowana struktura przestrzenna do generowania cechy optycznej w postaci efektu dyfrakcyjnego i nadawania warstwie elektronicznego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej struktury w postaci wzoru.
Korzystnie struktura przestrzenna jest utworzona z superpozycji mikrostruktury do generowania cechy optycznej i makrostruktury do nadawania warstwie elektronicznego elementu podstawowego struktury w postaci wzoru.
Korzystnie folia zawiera ciąg warstw cienkich do wytwarzania za pomocą interferencji przesunięcia barw zależnego od kąta obserwacji.
Korzystnie folia zawiera co najmniej dwie umieszczone jedna na drugiej warstwy do generowania optycznej cechy zabezpieczającej, przy czym co najmniej jedna warstwa funkcyjna elektronicznego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej jest umieszczona pomiędzy takimi czynnymi optycznie warstwami.
Wytwarzanie układów elektronicznych w organicznej technologii półprzewodnikowej nie jak dotychczas na płytce, lecz jako część folii, przynosi znaczne korzyści technologiczne. Sprawdzone i wypróbowane metody technologii folii oraz istniejące linie produkcyjne można zastosować do wytwarzania takich układów elektronicznych, co daje znaczne oszczędności.
Szczególne korzyści przynosi implementowanie takich elementów podstawowych w organicznej technologii półprzewodnikowej w foliach do tłoczenia lub laminowania. Stwarza to możliwość różnorodnego aplikowania tego typu układów elektronicznych do produktów i półproduktów. Stworzony został tani do wykonania półprodukt, który można na różne sposoby zastosować i dopasować do indywidualnego klienta. Proces wytwarzania stał się dzięki temu bardziej elastyczny, zaś koszty produkcji obniżone. Ponadto okazało się, że technologia folii i metody produkcji, stosowane do wytwarzania folii do tłoczenia i laminowania, nadają się wyjątkowo dobrze do realizacji tego rodzaju układów elektronicznych.
Jeżeli warstwa przewodząca prąd elektryczny, warstwa z materiału półprzewodnikowego i warstwa z materiału elektroizolacyjnego są przezroczyste, wówczas można oddziaływać na wygląd folii poprzez kształtowanie innych warstw folii do tłoczenia lub laminowania i uprościć wielorakie wykorzystanie folii, na przykład jako układu elektronicznego i jako w elementu dekoracyjnego.
Jeżeli co najmniej jeden elektroniczny element podstawowy w organicznej technologii półprzewodnikowej jest połączony w kombinację z cechami optycznymi, wówczas folia zawiera po pierwsze układ elektroniczny z co najmniej jednym elektronicznym elementem podstawowym w organicznej technologii półprzewodnikowej, po drugie zaś oferuje obserwatorowi co najmniej jedną cechę optyczną (zabezpieczającą). W tym celu folia może mieć na przykład odwzorowaną pomiędzy warstwami folii strukturę przestrzenną, która po pierwsze nadaje strukturze elektronicznego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej strukturę w postaci wzoru, po drugie zaś generuje efekt dyfrakcyjny, stanowiący cechę optyczną. Struktura przestrzenna może być przy tym utworzona z superpozycji mikro- i makrostruktury, przy czym makrostruktura służy do nadania elektrycznej warstwie funkcyjnej struktury w postaci wzoru, zaś mikrostruktura jest odpowiedzialna za wytwarzanie optycznego efektu dyfrakcyjnego, a co za tym idzie, generowanie (zabezpieczającej) cechy optycznej. W ten sposób struktura przestrzenna pełni dwie funkcje, po pierwsze implementowania elektronicznego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej, po drugie zaś generowania cechy optycznej dla obserwatora folii.
Ponadto folia może zawierać co najmniej jedną warstwę holograficzno-optyczną lub dyfrakcyjną do wytwarzania dyfrakcyjnej cechy zabezpieczającej, co najmniej jeden ciąg warstw cienkich do wytwarzania optycznej cechy zabezpieczającej za pomocą interferencji oraz co najmniej jedną warstwę dekoracyjną, za pomocą których dodatkowo poza funkcjonalnością elektryczną realizuje się funkcjonalność optyczną, na przykład generowanie co najmniej jednej (zabezpieczającej) cechy optycznej lub efektów dekoracyjnych.
Tak ukształtowana folia może zatem służyć jako optyczny element zabezpieczający do zabezpieczania dowodów osobistych, banknotów, kart kredytowych lub kart płatniczych oraz towarów. Tego rodzaju folia może przy tym poza optycznymi cechami zabezpieczającymi oferować także elektryczne cechy zabezpieczające. W wyniku kombinacji takich optycznych i elektrycznych cech zabezpieczających następuje znaczne zwiększenie skuteczności zabezpieczenia przed fałszerstwami. Ponadto folia może zawierać co najmniej dwie, umieszczone jedna na drugiej warstwy, które wytwarzają optyczną
PL 213 928 B1 cechę zabezpieczającą, przy czym co najmniej jedna warstwa funkcyjna elektronicznego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej jest umieszczona pomiędzy takimi czynnymi optycznie warstwami. Zwiększa to znacząco skuteczność zabezpieczenia przed fałszerstwami, ponieważ każda próba manipulacji optyczną lub elektryczną cechą zabezpieczającą jest natychmiast rozpoznawana, w związku z czym cechy te chronią siebie wzajemnie.
Szczególnie efektywny i tani sposób wytwarzania folii według wynalazku polega na tym, że struktura co najmniej jednej warstwy co najmniej jednego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej jest wytwarzana w drodze replikacji przeprowadzonej termicznie lub za pomocą światła ultrafioletowego.
W korzystnym przykładzie wykonania wynalazku w replikowanej warstwie replikuje się strukturę przestrzenną, której głębokość jest większa lub równa grubości replikowanej warstwy, w związku z czym część replikowanej warstwy oddziela się całkowicie w drodze replikacji. Wskutek replikacji powstaje elektryczna warstwa funkcyjna, zaopatrzona w strukturę w postaci wzoru odpowiednio do struktury przestrzennej. Sposób ten pozwala uzyskać bardzo wysokie rozdzielczości, na przykład w zakresie od 10 μm do 100 nm. Dzięki możliwości realizacji tego rodzaju małych struktur można poprawić gęstość upakowania, jak też sprawność implementowanych układów elektrycznych. Inne zalety tego sposobu polegają na tym, że w jednym etapie możliwe jest nadanie elektrycznej warstwie funkcyjnej struktury o wysokiej rozdzielczości. Nadawanie struktury elektrycznej warstwie funkcyjnej może odbywać się z dużą szybkością, zwłaszcza przy zastosowaniu procesu „wałek do wałka, i przy stosunkowo niskich kosztach produkcji.
W innym korzystnym przykładzie wykonania wynalazku w warstwie replikowanej replikuje się strukturę przestrzenną, której głębokość jest mniejsza od grubości warstwy replikowanej. Na warstwę replikowaną nakłada się elektryczną warstwę funkcyjną z materiału, który przy utwardzaniu wykazuje zadaną na wstępie redukcję objętości. Materiał ten nakłada się na warstwę replikowaną w ilości, która jest tak dobrana, że wskutek skurczu objętościowego przy utwardzaniu pozostaje warstwa funkcyjna o strukturze w postaci wzoru, odpowiadającej strukturze replikowanej. Ponadto można również na warstwę replikowaną nakładać elektryczną warstwę funkcyjną, po czym zdejmować elektryczną warstwę funkcyjną na głębokość, która jest tak dobrana, że pozostaje warstwa funkcyjna o strukturze w postaci wzoru, odpowiadającej strukturze replikowanej. Również za pomocą tego rodzaju sposobu można osiągnąć wysokie rozdzielczości elektrycznych warstw funkcyjnych, w związku z czym także ten sposób postępowania przynosi opisane powyżej korzyści.
Alternatywnie lub dodatkowo można również jedną lub kilka, potrzebnych do funkcjonowania co najmniej jednego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej, warstw elektrodowych, izolacyjnych i półprzewodzących wprowadzać w strukturę folii na części lub na całej powierzchni za pomocą metody drukarskiej, zwłaszcza za pomocą druku tamponowego.
Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia folię w pierwszym przykładzie wykonania wynalazku, w przekroju, fig. 2 - folię w następnym przykładzie wykonania wynalazku, w przekroju, fig. 3 - urządzenie do replikacji struktur elementów podstawowych w organicznej technologii półprzewodnikowej, zwłaszcza organicznych tranzystorów polowych, fig. 4a - funkcjonalne ujęcie nadawania struktury warstwie elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej, w pierwszym przykładzie wykonania, fig. 4b i 4c - funkcjonalne ujęcia nadawania warstwie struktury w pierwszym przykładzie wykonania, fig. 5 - przekrój folii, w której replikowano jedną lub więcej warstw elementu podstawowego organicznej technologii półprzewodnikowej przy użyciu sposobu z fig. 4, fig. 6 do 6e - funkcyjne ujęcia nadawania struktury warstwie elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej w drodze replikacji, w następnym przykładzie wykonania, fig. 7 - przekrój folii, w której co najmniej jednej warstwie elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej nadano strukturę przy użyciu sposobu z fig. 6a do 6e, fig. 8a - funkcjonalne ujęcie replikacji warstwy elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej w innym przykładzie wykonania, fig. 8b - funkcjonalne ujęcie replikacji warstwy elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej w następnym przykładzie wykonania, oraz fig. 9a i 9b - przekroje folii w kolejnych przykładach wykonania wynalazku.
Na fig. 1 ukazana jest folia do tłoczenia, która zawiera co najmniej jeden element podstawowy w organicznej technologii półprzewodnikowej, zwłaszcza organiczne tranzystory polowe (OFETs). W przypadku takiej folii do tłoczenia chodzi w szczególności o folię do tłoczenia na gorąco. Na fig. 2 ukazana jest budowa folii do laminowania, która zawiera co najmniej jeden element podstawowy
PL 213 928 B1 w organicznej technologii półprzewodnikowej, zwłaszcza organiczne tranzystory polowe (OFETs). Wynalazek nie jest jednak ograniczony do tego typu folii.
Na fig. 1 ukazana jest folia 1 do tłoczenia z folią nośną 11 i umieszczoną na niej warstwą przenoszoną 2. Pomiędzy folią nośną 11 i warstwą przenoszoną 2 znajduje się warstwa odrywalna 12, która służy do tego, by ułatwić odrywanie warstwy przenoszonej 2 od folii nośnej 11. Z warstwy odrywalnej 12 można również zrezygnować.
Warstwa przenoszona 2 zawiera pierwszą warstwę lakieru 13 i drugą warstwę lakieru 18, warstwę izolacyjną 15 z materiału elektroizolacyjnego i warstwę 16 z organicznego materiału półprzewodnikowego. Ponadto warstwa przenoszona 2 zawiera dwie, ukształtowane w postaci wzoru warstwy elektrodowe z materiału przewodzącego prąd elektryczny, z których to warstw na fig. 1 ukazany jest częściowy obszar 14, który tworzy bramkę, i dwa częściowe obszary 17 i 19, które tworzą źródło względnie dren.
Alternatywnie można również zamienić układ bramki, w źródła i drenu w warstwie przenoszonej 2, to znaczy źródło i dren umieścić na rysunku na dole, nad warstwą lakieru 13, zaś bramkę umieścić na rysunku na górze, obok i powyżej warstwy półprzewodzącej 16.
Na fig. 2 ukazana jest folia 3 do laminowania o analogicznej budowie warstwowej. Dokładna budowa warstw jest objaśniona poniżej jedynie na przykładzie folii 1 do tłoczenia.
W przypadku folii nośnej 11 chodzi o folię z tworzywa sztucznego o grubości od 6 do 200 μm, korzystnie od 19 do 38 μm. W przypadku folii nośnej 11 chodzi korzystnie o folię poliestrową.
Na folię nośną 11 nakłada się wówczas, na całą jej powierzchnię, warstwę odrywalną 12 o grubości od 0,01 do 0,2 μm. Jest ona korzystnie warstwą mięknącą pod wpływem ciepła, która przy nakładaniu na podłoże folii do tłoczenia na gorąco zapewnia odrywanie następnych warstw od folii nośnej 11.
W przypadku pierwszej warstwy lakieru 13 chodzi o warstwę lakieru ochronnego, którą nakłada się w ogólności na całą powierzchnię warstwy odrywalnej i która ma grubość od 0,5 do 5,0 μm, korzystnie od 1 do 2 μm.
Na warstwę lakieru 13 nakłada się teraz pierwszą warstwę elektrodową z bramką 14. Pierwsza warstwa elektrodowa jest przy tym wykonana korzystnie z przewodzącego prąd elektryczny polimeru, korzystnie polianiliny i polipirolu. Ponadto na pierwszą warstwę elektrodową można zastosować metale, na przykład złoto lub srebro.
Pierwszą warstwę elektrodową można przy tym, stosując metodę drukarską (wklęsłodruk, sitodruk) lub powlekanie, nakładać częściowo i w postaci wzoru na warstwę lakieru 13. Pierwszą warstwę elektrodową można jednak również nakładać na całą lub na część powierzchni warstwy lakieru 13, a następnie przy użyciu opisanej poniżej metody replikacji, w drodze naświetlania i trawienia lub zmywania, ponownie częściowo usuwać.
Zależnie od zastosowanej metody nakładania materiał przewodzący prąd elektryczny jest nakładany na warstwę lakieru 13 w postaci płynnej, rozpuszczonej lub jako zawiesina.
Warstwa izolacyjna 15 jest korzystnie wykonana z organicznego materiału izolacyjnego, na przykład poliwinylofenolu. Jako materiał na warstwę izolacyjną 15 można jednak również zastosować warstwy tlenkowe, na przykład tlenki metali. Organiczne warstwy izolacyjne nakłada się przy tym za pomocą jednego z opisanych powyżej sposobów w postaci płynnej, rozpuszczonej lub jako zawiesinę na warstwę elektrodową o strukturze wytworzonej w postaci wzoru. Następnie utwardza się warstwę izolacyjną 15 za pomocą suszenia lub w inny sposób. Warstwy tlenkowe nakłada się w drodze naparowywania termicznego lub napylania w próżni.
Na warstwę izolacyjną 15 nakłada się, na całą lub na część jej powierzchni, warstwę 16 z organicznego materiału półprzewodnikowego. Jako organiczny materiał półprzewodnikowy można zastosować politiofen. Organiczny materiał półprzewodnikowy nakłada się przy tym za pomocą jednego z opisanych powyżej sposobów w postaci płynnej, rozpuszczonej lub jako zawiesinę na warstwę izolacyjną 15, a następnie utwardza. Warstwę 16 można przy tym, w taki sam sposób jak pierwszą warstwę elektrodową, zaopatrzyć w strukturę w postaci wzoru, co powoduje ukształtowanie warstwy 16 ukazane na fig. 1 i 2.
Następnie na warstwę 16 nakłada się w taki sam sposób, jak opisano powyżej, drugą warstwę elektrodową ze źródłem względnie drenem 17 względnie 19. Co do materiałów i sposobów wytwarzania struktur, użytych do wykonania tej warstwy, należy się odnieść do informacji zamieszczonych w związku z pierwszą warstwą elektrodową.
PL 213 928 B1
Następnie na całą powierzchnię nakłada się warstwę lakieru 18 i warstwę kleju 20. Grubość warstwy 18 wynosi korzystnie około 2-10 μm. W przypadku warstwy kleju 20 chodzi o typową warstwę kleju, znaną w związku z foliami transferowymi względnie foliami do tłoczenia na gorąco i mającą grubość około 1 do 10 μm, przy czym warstwa kleju dla folii do tłoczenia na gorąco ma taki skład, że staje się kleista dopiero przy odpowiednim działaniu ciepła.
Warstwy 12, 13, 18 i 20 mogą być wytwarzane według następujących receptur:
warstwa odrywalna 12 (warstwa rozdzielcza):
toluen 99,5 części
wosk estrowy (temperatura kropienia 90°C) 0,5 części
warstwa lakieru 13 (warstwa lakieru ochronnego):
metyloetyloketon 61,0 części
dwuketonoalkohol 9,0 części
metakrylan metylu (Tg = 122°C) 18,0 części
dyspersja polietylenu (23% w ksylenie)
(temperatura mięknienia 140°C) 7,5 części
wielkocząsteczkowy dodatek dyspergujący
(40%, liczba aminowa 20) 0,5 części
zmiękczacz (krzemian glinu) 20,0 części
warstwa lakieru 18 (warstwa pośrednia):
metyloetyloketon 40,0 części
toluen 22,0 części
terpolimer etylen-octan winylu (Fp. = 60°C) 2,5 części
polichlorek winylu (Tg: 89°C) 5,5 części
polichlorek winylu (Tg: 40°C) 3,0 części
dodatek dyspergujący (50%, liczba kwasowa 51) 1,0 część
dwutlenek tytanu (d = 3,8 - 4,2 g/cm3) 26,0 części
warstwa kleju 20: metyloetyloketon 55,0 części
toluen 12,5 części
etanol 3,5 części
polichlorek winylu (temperatura mięknienia 80°C) 6,0 części
metakrylan metylowo-butylowy (Tg: 80°C) 8,0 części
żywica etylometakrylowa (Tg: 63°C) 3,0 części
kopolimery metakrylowe (Tg: 800°C) 5,0 części
nienasycona żywica poliestrowa
(temperatura mięknienia 103°C) 3,5 części
dwutlenek krzemu 3,5 części
Warstwy lakieru 13 i 18 mają tutaj po pierwsze własności elektroizolacyjne, ponadto pełnią
funkcję warstw ochronnych dla otoczonych nimi, elektrycznych warstw polimeru funkcyjnego.
Z pierwszej warstwy lakieru 13 i drugiej warstwy lakieru 18 można by było również zrezygnować.
Organiczne materiały półprzewodnikowe, organiczne materiały przewodzące i organiczne materiały izolacyjne są przy tym wykonane z organicznych, metaloorganicznych i/lub nieorganicznych tworzyw sztucznych o danych własnościach elektrycznych. Polimerem funkcyjnym nazywa się tutaj takie materiały organiczne, metaloorganiczne i/lub nieorganiczne, które mogą znaleźć zastosowanie do wytwarzania elementów podstawowych w organicznej technologii półprzewodnikowej. Pojęcie polimeru funkcyjnego obejmuje zatem również komponenty niepolimerowe.
Ukazany na fig. 1 fragment folii 1 ma bramkę 14, źródło 17 i dren 19, w związku z czym z ukazanego na fig. 1 obszaru folii 1 w wyniku współdziałania tych elektrod z warstwą izolacyjną 15 i warstwą 16 z organicznego materiału półprzewodnikowego implementowany jest organiczny tranzystor polowy. Zależnie od utworzenia struktury pierwszej i drugiej warstwy elektrodowej oraz ewentualnie utworzenia struktury warstwy izolacyjnej 15 i warstwy 16 z materiału półprzewodnikowego w folię 1 można implementować złożony obwód elektroniczny, który składa się z dużej liczby elementów podstawowych w organicznej technologii półprzewodnikowej.
Pod pojęciem elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej należy przy tym rozumieć element elektroniczny, który jako komponent funkcjonalny zawiera organiczną warstwę półprzewodnikową lub obszar warstwy półprzewodnikowej, na przykład tranzystory, FETs, triaki, diody i inne.
PL 213 928 B1
Możliwe jest także rozwiązanie, w którym kilka przedstawionych na fig. 1 warstw 13 do 16 jest umieszczonych jedna na drugiej, aby w ten sposób zrealizować w folii 1 dwa lub więcej umieszczonych jeden na drugim elementów podstawowych w organicznej technologii półprzewodnikowej.
W celu zrealizowania elementów podstawowych w organicznej technologii półprzewodnikowej można przy tym zarówno pierwszą warstwę elektrodową, jak też drugą warstwę elektrodową, jak opisano powyżej, w postaci strukturyzowanej w kształcie wzoru.
Również warstwę izolacyjną 15 i warstwę 16 można jednak wykonać z półprzewodzącego materiału, nadając im strukturę w postaci wzoru, aby osiągnąć odpowiednią funkcjonalność elektryczną. Do wytwarzania tego rodzaju struktur w postaci wzorów proponuje się przy tym następujące sposoby lub kombinację następujących sposobów:
Proponuje się, aby wymagane do działania elementów podstawowych warstwy elektrodowe, izolacyjne i półprzewodzące wprowadzać w strukturę folii metodą drukowania części lub całej powierzchni.
Znane sposoby drukowania części powierzchni, charakteryzujące się wysoką rozdzielczością, mają jednak dotychczas rozdzielczość poprzeczną 50 μm, w związku z czym nadają się jedynie warunkowo do wytwarzania elektrod źródeł i drenów.
W korzystnym tutaj sposobie przewiduje się natomiast, najpierw wykonanie nadruku na całej powierzchni, a następnie w drodze replikacji termicznej lub pod działaniem promieniowania ultrafioletowego nadaje się warstwie odpowiednią strukturę. Odpowiednie urządzenie do tego celu jest ukazane na fig. 3, zaś rezultat jest przedstawiony na fig. 4a do 4c. Do replikacji światłem ultrafioletowym jest zastosowana dodatkowo nie pokazana lampa ultrafioletowa oraz również nie przedstawiona maska. Za pomocą tego rodzaju metod replikacji osiąga się bardzo wysokie rozdzielczości poprzeczne w zakresie od 0,5 do 5 μm.
Na fig. 3 ukazany jest wałek replikacyjny 51, wałek dociskowy 52, folia nośna 41, warstwa 42 i strukturyzowana warstwa 43. Korpus foliowy, składający się z warstwy 42 i folii nośnej 41, jest przy obrocie wałka replikacyjnego 51 i wałka dociskowego 52 przemieszczany w zaznaczonym na fig. 3 kierunku posuwu 53. W warstwie 42 zachodzi przy tym, jak widać na fig. 3, odtwarzanie struktury, w związku z czym warstwa 42 uzyskuje strukturę widoczną na fig. 3, tworząc strukturyzowaną warstwę 43.
W przypadku warstwy 42 chodzi o warstwę funkcyjną elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej, na przykład o warstwę ukazanego na fig. 1 i fig. 2 organicznego tranzystora polowego, na przykład o pierwszą warstwę elektrodową, warstwę z materiału izolacyjnego, drugą warstwę elektrodową lub warstwę z organicznego materiału półprzewodnikowego. W przypadku folii nośnej 41 może chodzić o folię nośną 11 lub o wielowarstwowy korpus foliowy z folią nośną 11 i jedną lub więcej leżących na niej warstw, na przykład o wielowarstwowy korpus foliowy z folią nośną 11, warstwą odrywalną 12 i warstwą lakieru 13.
Jako sposoby replikacji znajduje korzystnie zastosowanie replikacja termiczna i replikacja światłem ultrafioletowym.
W przypadku replikacji termicznej odtwarzanie odbywa się w drodze termicznego odkształcania warstwy 42. Na warstwę 42 stosuje się materiał o własnościach termoplastycznych. Za pomocą nagrzanego wałka replikacyjnego 41 w warstwie 42 wytłacza się wówczas strukturę, która odpowiada ukształtowaniu powierzchni wałka replikacyjnego 51.
Przykładowo roztwór polianiliny lub polipirolu o gramaturze 2,2 g/m2 nakłada się po wysuszeniu na korpus foliowy folii nośnej 41 za pomocą rastrowego wałka wklęsłodrukowego. Suszenie odbywa się przy tym w suszarni kanałowej w temperaturze od 100 do 120°C. Za pomocą wałka replikacyjnego wytłacza się wówczas w warstwie 42 w temperaturze około 130°C strukturę, wykonanego przykładowo z niklu. W celu wytłaczania struktury wałek replikacyjny nagrzewa się przy tym, korzystnie elektrycznie. Zamiast wałka replikacyjnego można tutaj również zastosować matrycę replikacyjną. Tego rodzaju matrycę można ponownie oziębić przed podniesieniem jej z warstwy 42. Po wytłoczeniu struktury warstwa 43 utwardza się w drodze sieciowania lub w inny sposób.
W przypadku replikacji światłem ultrafioletowym na warstwę 42 stosuje się materiał utwardzalny promieniami ultrafioletowymi. Wewnątrz wałka replikacyjnego 51 lub za wałkiem replikacyjnym 51 umieszczona jest lampa ultrafioletowa, która powoduje utwardzenie warstwy 43, uformowanej odpowiednio do struktury powierzchni wałka replikacyjnego 51. Ponadto możliwe jest również rozwiązanie, w którym wałek replikacyjny 51 ma gładką powierzchnię, która w postaci maski powoduje częściowe naświetlanie warstwy 42. W naświetlonych obszarach następuje utwardzanie warstwy 42. W nienaPL 213 928 B1 świetlonych obszarach warstwa 42 nie utwardza się i zostaje usunięta w procesie zmywania, w związku z czym powstaje strukturyzacja warstwy 43, ukazana na fig. 3.
Jak widać na fig. 4a, w warstwie 42 odtwarza się przy tym strukturę przestrzenną, której głębokość jest większa lub równa grubości warstwy replikowanej. Część replikowanej warstwy 42 ulega zatem wskutek replikacji całkowitemu oddzieleniu, co sprawia, że powstaje elektryczna warstwa funkcyjna 43, mająca ukształtowaną w postaci wzoru strukturę, która odpowiada strukturze przestrzennej.
Szczególnie korzystne jest przy tym to, że przy replikacji termicznej głębokość struktury jest większa niż grubość warstwy 42. Korzystne jest przy tym, jak widać na fig. 4b, umieszczenie pod warstwą 42 następnej warstwy lakieru 44, korzystnie lakieru replikacyjnego. Matryca wałka replikacyjnego może w ten sposób przetłaczać warstwę 42, przy czym nie obserwuje się wówczas uszkodzeń leżącej pod warstwą lakieru 44 folii nośnej względnie następnych warstw. Na fig. 4c ukazany jest przykład wykonania, w którym grubość warstwy 42 jest o wiele mniejsza niż głębokość replikacji. Dzięki temu osiąga się niezawodne rozdzielenie obszarów elektrycznej warstwy funkcyjnej 43.
Na fig. 5 przedstawiona jest folia 6 do tłoczenia, w której pierwsza i druga warstwa elektrodowa zostały zaopatrzone w strukturę ukształtowaną w postaci wzoru przy użyciu sposobu z fig. 3 do 4c.
Na fig. 5 ukazana jest folia 6 do tłoczenia z folią nośną 61, warstwą odrywalną 62, warstwą lakieru 63, pierwszą warstwą elektrodową 64, warstwą izolacyjną 65, warstwą 67 z organicznego materiału półprzewodnikowego, drugą warstwą elektrodową 66, warstwą lakieru 68 i warstwą kleju 69.
Warstwa lakieru 63 jest wykonana z lakieru replikacyjnego. Na całą powierzchnię warstwy lakieru 63 nakłada się pierwszą warstwę elektrodową 64, a następnie za pomocą sposobu replikacji, objaśnionego na podstawie fig. 3 i fig. 4a, 4b lub 4c, nadaje się jej strukturę w postaci wzoru. Wówczas na całą powierzchnię nakłada się warstwę izolacyjną 65. Następnie na całą powierzchnię nakłada się warstwę 67 z organicznego materiału półprzewodnikowego. Na nią nanosi się drugą warstwę elektrodową 66 i ponownie przy użyciu metody replikacji z fig. 3 do fig. 4c wytwarza się strukturę w postaci wzoru. Można również drugą warstwę elektrodową 66 nakładać częściowo przy użyciu metod drukowania i powlekania, zwłaszcza wówczas, gdy źródło i bramka znajdują się w strukturze warstwowej na dole, zaś bramka na górze.
Następnie na całą powierzchnię nakłada się warstwy 68 i 69.
Jak już objaśniono powyżej, można jednak również zarówno warstwę izolacyjną 65, jak też warstwę 67 z organicznego materiału półprzewodnikowego zaopatrzyć przy użyciu sposobów z fig. 3 do 4c w strukturę w postaci wzoru, implementując tym samym złożone obwody elektroniczne w folię 6 do tłoczenia.
Ponadto można również w warstwie replikowanej odtworzyć strukturę przestrzenną, której głębokość jest mniejsza niż grubość warstwy replikowanej. Jest to przedstawione przykładowo na fig. 6a. W warstwie 42 odtwarza się w ten sposób, przy użyciu metod replikacyjnych opisanych w odniesieniu do fig. 3, strukturę, która nie przechodzi na wskroś przez warstwę 42, w związku z czym jako rezultat replikacji otrzymuje się warstwę 48 ukazaną na fig. 6a. W następnym etapie, jak widać na fig. 6b, na strukturyzowaną warstwę 48 nakłada się elektryczną warstwę funkcyjną 49 w drodze nadruku, powlekania lub napylania. Na elektryczną warstwę funkcyjną 49 stosuje się przy tym materiał o wysokiej lepkości, w związku z czym zagłębienia warstwy 48 zostają całkowicie wypełnione przez warstwę 49. Ponadto na elektryczną warstwę funkcyjną 49 stosuje się materiał, który przy utwardzaniu wykazuje zadaną na wstępie redukcję objętości. Tak na przykład można zastosować materiał utwardzalny promieniami ultrafioletowymi, korzystnie układ akrylowy, który przy utwardzaniu promieniami ultrafioletowymi doznaje zdefiniowanego uprzednio ściśle skurczu objętościowego. Ponadto skurcz objętościowy można również osiągnąć poprzez odparowanie rozpuszczalnika, w którym rozpuszczony jest zastosowany polimer funkcyjny.
Materiał warstwy 49 nakłada się przy tym w takiej ilości na jednostkę powierzchni, przy której po pierwsze zagłębienia warstwy 48 są całkowicie wypełnione materiałem warstwy 43, po drugie jednak przy utwardzaniu warstwy 49 następuje skurcz objętościowy, prowadzący do tego, że warstwa 49 wypełnia zagłębienia warstwy 48 całkowicie lub częściowo, nie pokrywa jednak płaskiego obszaru warstwy 48. Jest to ukazane przykładowo na fig. 6c, gdzie widać, że warstwa 49 po utwardzeniu wypełnia zagłębienia warstwy 48 jedynie w 95%. Dzięki temu po utwardzeniu warstwy 49 pozostaje elektryczna warstwa funkcyjna 49, mająca ukształtowaną w postaci wzoru strukturę odpowiadającą strukturze replikowanej.
Alternatywnie lub dodatkowo można również, jak widać na fig. 6d, nałożyć na warstwę 48 elektryczną warstwę funkcyjną 50, która po utwardzeniu pokrywa całkowicie warstwę 48, a następnie usunąć
PL 213 928 B1 warstwę 50, jak pokazuje fig. 6e, na takiej głębokości, że pozostaje elektryczna warstwa funkcyjna 50, mająca strukturę w postaci wzoru odpowiadającego strukturze replikowanej. Zdejmowanie elektrycznej warstwy funkcyjnej 50 może się tutaj odbywać na przykład w drodze trawienia lub innej metody zmywania, na przykład zmywania laserowego.
W przypadku warstw 49 i 50 może chodzić o organiczną warstwę izolacyjną, warstwę z organicznego materiału przewodzącego lub warstwę z organicznego materiału półprzewodnikowego, która jako warstwa funkcyjna elementu podstawowego znajduje zastosowanie w organicznej technologii półprzewodnikowej. W przypadku warstwy 48 może również chodzić o tego rodzaju warstwę funkcyjną lub o warstwę pomocniczą, która wspomaga jedynie wytwarzanie struktury elektrycznej warstwy funkcyjnej.
Na fig. 7 ukazany jest przykład wykonania folii według wynalazku, zawierającej elektryczne warstwy funkcyjne, zaopatrzone w struktury w postaci wzorów, wykonane przy użyciu sposobu opisanego w odniesieniu do fig. 6a do 6e.
Na fig. 7 ukazana jest folia 7 do tłoczenia z folią nośną 71, warstwą odrywalną 72, warstwą lakieru 73, warstwą izolacyjną 75, warstwą 76 z organicznego materiału półprzewodnikowego, dwiema warstwami elektrodowymi 74 i 77, warstwą lakieru 78 i warstwą kleju 79.
Warstwę 73 stanowi warstwa lakieru replikacyjnego, wykonana z przezroczystego, termoplastycznego tworzywa sztucznego.
Warstwa lakieru 73 może mieć przykładowo następujący skład:
Składnik Części wagowe
wielkocząsteczkowa żywica PMMA 2000
bezolejowy alkid silikonowy 300
niejonowy środek powierzchniowo czynny 50
nitroceluloza o małej lepkości 750
metyloetyloketon 1200
toluen 2000
dwuacetonoalkohol 2500
W warstwie 73 odtwarza się teraz strukturę przestrzenną, po czym za pomocą metody powlekania nakłada się warstwę 74 z organicznego materiału przewodzącego, na przykład polianiliny lub polipirolu, a następnie utwardza, otrzymując rezultat opisany w związku z fig. 6b i 6c. Następnie na całą powierzchnię nakłada się, na przykład w drodze drukowania, warstwę izolacyjną 75. Warstwa izolacyjna 75 może być przy tym wykonana z tego samego materiału, co warstwa lakieru 73. W kolejnym etapie na całej powierzchni nadrukowuje się warstwę 76 z organicznego materiału półprzewodnikowego, na przykład politiofenu. W warstwie 76 replikuje się teraz strukturę, nakłada się i utwardza warstwę 77 z materiału przewodzącego prąd elektryczny, uzyskując efekt opisany w odniesieniu do fig. 6b i 6c. Następnie na całej powierzchni nadrukowuje się warstwę lakieru 78 i warstwę kleju 79, na przykład za pomocą wałka wklęsłodrukowego.
Można również oczywiście wykonać opisaną w stanie techniki warstwę formowaną przy użyciu metody replikacji, a następnie w drodze przecierania zaopatrzyć warstwy OFET w strukturę. W odniesieniu do tego stanu techniki wskazuje się na stan techniki podany we wstępie niniejszego opisu.
Ponadto można oczywiście zastosować dodatkowe, nie przedstawione na fig. 1 i 2 warstwy, zwłaszcza warstwy holograficzno-optyczne, działające optycznie warstwy cienkie, warstwy ochronne i inne.
Korzystne jest przy tym połączenie funkcjonalności elektrycznej (organicznego obwodu półprzewodnikowego) z cechami optycznymi. Oba te rodzaje cech wytwarza się w jednym etapie podczas procesu replikacji, jak przedstawiono na fig. 8. W szczególności możliwe jest takie rozmieszczenie struktur elementów podstawowych, zaopatrzonych w struktury dyfrakcyjno-optyczne, że powstaje szczególne wrażenie optyczne, na przykład logo firmy. Szczególne zabezpieczenie przed fałszerstwami osiąga się w ten sposób, że struktury dyfrakcyjne mogą być umieszczone na różnych wysokościach układu warstwowego, zwłaszcza także jedna nad drugą. Otrzymany w ten sposób element optycznoPL 213 928 B1 elektryczny nadaje się zatem wyśmienicie do zastosowania jako element zabezpieczający dla banknotów, dokumentów oraz do zabezpieczania towarów i nośników danych przed fałszowaniem.
Na fig. 8a ukazany jest w sposób funkcjonalny proces replikacji, w którym równocześnie wprowadza się dyfrakcyjną strukturę optyczną celem wytworzenia optycznej cechy zabezpieczającej i wytwarza się strukturę elektrycznej warstwy funkcyjnej. Na fig. 8a ukazana jest zatem folia nośna 41 i warstwa 42 z fig. 4a, 4b, 4c lub 6a. Jak widać na fig. 8a, w warstwie 42 odtworzona jest struktura 47, która składa się z superpozycji makrostruktury i mikrostruktury. Makro-struktura powoduje wytworzenie ukształtowanej w postaci wzoru struktury warstwy 42, wskutek czego powstaje elektryczna warstwa funkcyjna o strukturze w postaci wzoru. Makrostruktura opisuje drobną strukturyzację powierzchni replikowanej warstwy 46. Mikrostrukturę stanowi korzystnie struktura dyfrakcyjno-optyczna, która przykładowo generuje hologram lub zjawiska związane z dyfrakcją światła, jak kinegram, kineform i temu podobne. W przypadku mikrostruktury może oczywiście chodzić także o strukturę dyfrakcyjną zerowego rzędu, która wytwarza szczególne efekty barwne i efekty związane ze zmianą barwy przy przechylaniu. Ponadto można również utworzyć mikrostrukturę z izotropowej lub anizotropowej struktury matowej.
Szczególnie korzystne jest przy tym to, że przy replikacji termicznej głębokość struktury jest większa niż grubość warstwy 42. Korzystne jest przy tym, jak pokazuje fig. 8b, umieszczenie pod warstwą 42 następnej warstwy lakieru 44, korzystnie lakieru replikacyjnego. Matryca wałka replikacyjnego może wówczas przetłaczać warstwę 42, przy czym nie obserwuje się wówczas uszkodzeń leżącej pod warstwą lakieru 44 folii nośnej względnie następnych warstw.
Na warstwę 46 nakłada się następnie warstwę (lakieru) z materiału, którego współczynnik załamania różni się wyraźnie od współczynnika załamania materiału użytego na warstwę 46, wskutek czego generowane przez mikrostrukturę zjawiska optyczne stają się widoczne dla obserwatora. Alternatywnie można dodatkowo na warstwę 46 nałożyć warstwę odbijającą w postaci nałożonej całkowicie lub częściowo warstwy metalu lub warstwy HRI (High Refraction Index). Jako materiały na warstwę odbijającą w grę wchodzi w zasadzie chrom, aluminium, miedź, żelazo, nikiel, srebro, złoto lub stop tych materiałów.
Na fig. 9a ukazana jest następna możliwość, polegająca na połączeniu w obrębie folii funkcji elektronicznego elementu podstawowego w elektronicznej technologii półprzewodnikowej z optycznymi cechami zabezpieczającymi.
Na fig. 9a ukazana jest folia 18 do tłoczenia z folią nośną 81, warstwą odrywalną 82, dwiema warstwami lakieru 83 i 84, pierwszą warstwą elektrodową 86, warstwą izolacyjną 8L, warstwą 88 z organicznego materiału półprzewodnikowego, drugą warstwą elektrodową 89, warstwą lakieru 90, warstwą lakieru 91, układem warstw cienkich, składającym się z warstwy absorpcyjnej 94 i warstwy dystansowej 95, warstwy odbijającej 96 i warstwy kleju 97.
Pierwsza i druga warstwa elektrodowa 86 i 89, warstwa izolacyjna 8L i warstwa 88 z organicznego materiału półprzewodnikowego są ukształtowane jak odpowiednie warstwy z fig. 1 i 2. Strukturyzację warstw elektrodowych 86 i 89 można przeprowadzić na przykład za pomocą metody replikacji, opisanej w związku z fig. 3 do 4c.
W przypadku warstwy 83 chodzi o warstwę lakieru replikacyjnego, w której przetłoczona jest optyczna struktura dyfrakcyjna 85. Następnie nakłada się warstwę lakieru 84, wykonaną z materiału, którego współczynnik załamania różni się wyraźnie od współczynnika załamania warstwy lakieru 83. Jak ukazano na fig. 9a, struktura dyfrakcyjna 85 nie jest utworzona na całej powierzchni, lecz na jej części. W przypadku warstwy 90 chodzi również o warstwę replikacyjną, w której przetłoczona jest struktura dyfrakcyjna 93. Na warstwę 90 nakłada się częściowo i w postaci wzoru warstwę lakieru 91, której współczynnik załamania różni się wyraźnie od współczynnika załamania warstwy 90. Także struktura dyfrakcyjna 93 jest wykonana jedynie częściowo, w związku z czym wytwarzana przez nią cecha optyczna nakłada się i uzupełnia z cechą optyczną, wytwarzaną przez strukturę 85.
Układ warstw cienkich składa się z warstwy absorpcyjnej 94 (korzystnie o transmisji od 30 do 65%), przezroczystej warstwy dystansowej 85 jako warstwy wytwarzającej efekt zmiany barw (na przykład warstwa równa jednej czwartej λ lub połowie λ) i warstwy odbijającej 96 lub optycznej warstwy rozdzielczej, jeżeli układ warstw cienkich ma działać jako element przenoszący.
Warstwy 94, 95 i 96 wytwarzają wskutek interferencji przesunięcie barw, zależne od kąta patrzenia. Przesunięcia barw, wytwarzane przez układ warstw cienkich, leżą korzystnie w zakresie światła widzialnego dla ludzkiego obserwatora.***
PL 213 928 B1
Ponadto element cienkowarstwowy można utworzyć z ciągu warstw o wysokim i niskim współczynniku załamania. Przykładowo taki element cienkowarstwowy może się składać z trzech do dziewięciu takich warstw lub z dwóch do dziesięciu takich warstw. Im wyższa liczba warstw, tym ostrzej można ustawić długości fal dla uzyskania efektu zmiany barw.
Warstwę odbijającą 96 może stanowić nałożona na całej lub na części powierzchni warstwa metalu lub warstwa HRI (High Refraction Index). Jako materiały na warstwę odbijającą w grę wchodzą w zasadzie chrom, aluminium, miedź, żelazo, nikiel, srebro, złoto lub stop tych materiałów.
Ponadto warstwy lakieru 83, 84, 90 i 91 mogą być barwione. Warstwy 86, 87, 88 i 89 są korzystnie przezroczyste lub barwione na całej powierzchni, w związku z czym te elektryczne warstwy funkcyjne nie mają wpływu na optyczne wrażenie, jakie wywołuje element foliowy. Ponadto możliwe jest oczywiście także rozwiązanie, w którym przy replikacji warstw elektrodowych 86 i 87 stosuje się sposób replikacji z fig. 8a lub 8b, w związku z czym na uwidocznione dotychczas na fig. 9a efekty optyczne nakładają się dodatkowe efekty optyczne. Również tutaj korzystne jest, jeżeli tak uzyskane efekty optyczne uzupełniają się wzajemnie na przykład z wytwarzanymi przez struktury dyfrakcyjne 85 i 93 efektami optycznymi, wskutek czego manipulowanie jednym z tych efektów lub ich zmiana jest bezpośrednio widoczna dla obserwatora.
Możliwe jest oczywiście także rozwiązanie, polegające na tym, że w folii według wynalazku nie są zrealizowane wszystkie efekty optyczne, opisane w związku z fig. 9a, lecz że w takiej folii implementowane są jedynie niektóre z tych efektów.
Na fig. 9b ukazany jest wariant budowy folii, w którym dodatkowe warstwy odbijające 98 i 99 jako warstwy metaliczne lub warstwy HRI są nałożone na całą lub na część powierzchni warstwy 83 względnie warstwy 90. Nie jest przy tym konieczne, aby współczynniki załamania materiałów użytych na warstwy 84 względnie 83 różniły się między sobą. Podobnie nie jest konieczne, aby różniły się między sobą współczynniki załamania materiałów użytych na warstwę 90 względnie 91.

Claims (21)

1. Sposób wytwarzania folii zawierającej co najmniej jeden element elektroniczny w organicznej technologii półprzewodnikowej, zwłaszcza co najmniej jeden tranzystor polowy, znamienny tym, że strukturę co najmniej jednej lub warstwy (43, 49, 50) co najmniej jednego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej wytwarza się przy użyciu replikacji przeprowadzonej termicznie lub za pomocą światła ultrafioletowego, rozdzielając w drodze replikacji całkowicie część warstwy replikowanej (42) i tworząc z niej podzieloną na obszary, ukształtowaną w postaci wzoru, elektryczną warstwę funkcyjną (43) elementu podstawowego.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że w replikowanej warstwie (42) replikuje się strukturę przestrzenną, której głębokość jest większa lub równa grubości replikowanej warstwy (42), w związku z czym część replikowanej warstwy oddziela się całkowicie w drodze replikacji i tworzy się elektryczną warstwę funkcyjną (43), mającą strukturę w postaci wzoru, która odpowiada strukturze przestrzennej.
3. Sposób według zastrz. 2, znamienny tym, że strukturę przestrzenną replikuje się w warstwie elektrodowej z materiału przewodzącego prąd elektryczny, po czym na tę warstwę nakłada się następną warstwę funkcyjną z materiału nieprzewodzącego lub półprzewodzącego.
4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że co najmniej jedną, potrzebną do funkcjonowania co najmniej jednego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej, warstwę elektrodową, izolacyjną i półprzewodzącą wprowadza się w strukturę folii na części lub na całej powierzchni za pomocą metody drukarskiej.
5. Sposób według zastrz. 1 albo 2, albo 3, albo 4, znamienny tym, że w procesie replikacji wytwarza się co najmniej jeden element podstawowy w organicznej technologii półprzewodnikowej, oraz optyczne cechy funkcjonalne, zwłaszcza optyczne struktury dyfrakcyjne.
6. Folia do tłoczenia lub laminowania, wytworzona sposobem określonym w zastrz. 1 albo 2, albo 3, albo 4, albo 5, która zawiera co najmniej jeden elektroniczny element podstawowy w organicznej technologii półprzewodnikowej, zwłaszcza co najmniej jeden organiczny tranzystor polowy, znamienna tym, że element podstawowy zawiera co najmniej jedną warstwę ze strukturami wytworzonymi przy użyciu replikacji przeprowadzonej termicznie lub za pomocą światła ultrafioletowego, które to
PL 213 928 B1 warstwy tworzą co najmniej jedną, podzieloną na obszary, ukształtowaną w postaci wzoru, elektryczną warstwę funkcyjną (43) elementu podstawowego.
7. Folia według zastrz. 6, znamienna tym, że co najmniej jedna, podzielona na obszary, ukształtowana w postaci wzoru, elektryczna warstwa funkcyjna (43) ma rozdzielczość poprzeczną w zakresie od 100 nm do 5 μm, zwłaszcza w zakresie od 100 nm do 0,5 μm.
8. Folia według zastrz. 6, znamienna tym, że jako folia do tłoczenia zawiera folię nośną (11; 61; 71; 81) i odrywalną od niej warstwę przenoszoną (2), przy czym warstwa przenoszona (2) ma na swej odwrotnej względem folii nośnej (11; 61; 11; 81) stronie warstwę kleju (20; 69; 79; 89), zaś jako folia do laminowania (3) zawiera folię nośną (11; 61; 71; 81) i na odwrotnej względem folii nośnej (11; 61; 71; 81) stronie warstwę kleju (20; 69; 79; 89).
9. Folia według zastrz. 8, znamienna tym, że folia do tłoczenia lub do laminowania zawiera ponadto co najmniej jedną, warstwę (16; 67; 76; 88) z organicznego materiału półprzewodnikowego, zwłaszcza politiofenu, co najmniej jedną warstwę (15; 65; 75; 87) z materiału elektroizolacyjnego i co najmniej dwie, ukształtowane lokalnie w postaci wzoru, warstwy (14; 17; 19, 64; 66, 74; 77; 86, 89) materiału przewodzącego prąd elektryczny.
10. Folia według zastrz. 9, znamienna tym, że warstwy (14; 17, 19; 64, 66; 74, 77; 86, 89) przewodzące prąd elektryczny są z organicznego materiału przewodzącego, zwłaszcza polianiliny lub polipirolu.
11. Folia według zastrz. 9 albo 10, znamienna tym, że warstwa elektroizolacyjna (15; 65; 75; 87) jest z organicznego materiału izolacyjnego, zwłaszcza poliwinylofenolu.
12. Folia według zastrz. 8, znamienna tym, że folia stanowi folię do tłoczenia, która zawiera folię nośną (11) i nałożoną na folię nośną (11) oraz odrywalną od folii nośnej (11) warstwę przenoszoną (2).
13. Folia według zastrz. 12, znamienna tym, że folia do tłoczenia zawiera warstwę odrywalną (12; 62; 72; 82) i warstwę kleju (20; 69; 79; 97).
14. Folia według zastrz. 8, znamienna tym, że folia do tłoczenia lub do laminowania zawiera co najmniej jedną, graniczącą z warstwami polimeru funkcyjnego, warstwę lakieru (13, 18; 63, 68; 73, 78; 84, 90).
15. Folia według zastrz. 9, znamienna tym, że warstwy przewodzące prąd elektryczny, warstwa z materiału półprzewodnikowego i warstwa z materiału elektroizolacyjnego są przezroczyste.
16. Folia według zastrz. 6, znamienna tym, że folia ma postać elementu foliowego (2), który zawiera warstwę (16) z materiału półprzewodnikowego, zwłaszcza politiofenu, warstwę (15) z materiału elektroizolacyjnego i co najmniej dwie warstwy (14, 17, 19) z materiału przewodzącego prąd elektryczny, ukształtowane lokalnie w postaci wzoru.
17. Folia według zastrz. 6, znamienna tym, że co najmniej jeden elektroniczny element podstawowy w organicznej technologii półprzewodnikowej jest połączony w kombinację ze strukturami wytwarzającymi cechy optyczne.
18. Folia według zastrz. 17, znamienna tym, że pomiędzy jej warstwami jest odwzorowana struktura przestrzenna (47) do generowania cechy optycznej w postaci efektu dyfrakcyjnego i nadawania warstwie (46) elektronicznego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej struktury w postaci wzoru.
19. Folia według zastrz. 18, znamienna tym, że struktura przestrzenna (47) jest utworzona z superpozycji mikrostruktury do generowania cechy optycznej i makrostruktury do nadawania warstwie (46) elektronicznego elementu podstawowego struktury w postaci wzoru.
20. Folia według zastrz. 6, znamienna tym, że zawiera ciąg warstw cienkich (94, 95) do wytwarzania za pomocą interferencji przesunięcia barw zależnego od kąta obserwacji.
21. Folia według zastrz. 6, znamienna tym, że zawiera co najmniej dwie umieszczone jedna na drugiej warstwy (83, 84, 90, 91, 94, 95) do generowania optycznej cechy zabezpieczającej, przy czym co najmniej jedna warstwa funkcyjna (86, 87, 88, 89) elektronicznego elementu podstawowego w organicznej technologii półprzewodnikowej jest umieszczona pomiędzy takimi czynnymi optycznie warstwami.
PL374836A 2002-10-02 2003-09-30 Sposób wytwarzania folii z co najmniej jednym elementem elektronicznym w organicznej technologii pólprzewodnikowej oraz folia wytworzona tym sposobem PL213928B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10246241 2002-10-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL374836A1 PL374836A1 (pl) 2005-11-14
PL213928B1 true PL213928B1 (pl) 2013-05-31

Family

ID=32049195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL374836A PL213928B1 (pl) 2002-10-02 2003-09-30 Sposób wytwarzania folii z co najmniej jednym elementem elektronicznym w organicznej technologii pólprzewodnikowej oraz folia wytworzona tym sposobem

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7655498B2 (pl)
EP (2) EP2261979B1 (pl)
JP (1) JP4841841B2 (pl)
KR (1) KR101196591B1 (pl)
CN (1) CN100454602C (pl)
AU (1) AU2003281923A1 (pl)
DE (1) DE10393887D2 (pl)
ES (1) ES2439446T3 (pl)
PL (1) PL213928B1 (pl)
RU (1) RU2317613C2 (pl)
WO (1) WO2004032257A2 (pl)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10330062A1 (de) * 2003-07-03 2005-01-27 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von organischen Schichten
JP4549751B2 (ja) * 2004-06-17 2010-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100659061B1 (ko) * 2004-09-20 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치
US8089062B2 (en) * 2005-03-23 2012-01-03 Xerox Corporation Wax encapsulated electronic devices
US9024298B2 (en) * 2005-07-26 2015-05-05 Xerox Corporation Encapsulation layer for electronic devices
GB0523163D0 (en) * 2005-11-14 2005-12-21 Suisse Electronique Microtech Patterning of conductive layers with underlying compressible spacer layer or spacer layer stack
US8174262B2 (en) 2006-07-21 2012-05-08 Halliburton Energy Services, Inc. Fluid saturation estimation
DE102006047388A1 (de) 2006-10-06 2008-04-17 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung
US8542442B2 (en) * 2007-05-07 2013-09-24 Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA—Recherche et Developpement Isotropic zero-order diffractive filter
DE102007061587A1 (de) * 2007-12-18 2009-06-25 Abb Ag Isolationsmaterial mit Lack und Materialzusatz sowie Isolationsband
GB2467316B (en) * 2009-01-28 2014-04-09 Pragmatic Printing Ltd Electronic devices, circuits and their manufacture
JP5676985B2 (ja) * 2010-09-09 2015-02-25 キヤノン株式会社 ホログラム形成装置及びホログラム形成方法
DE102011084437A1 (de) * 2011-10-13 2013-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements
US9648751B2 (en) 2012-01-13 2017-05-09 Arjo Wiggins Fine Papers Limited Method for producing a sheet
US9846874B2 (en) * 2012-04-25 2017-12-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Performing a user related operation
FR2996338B1 (fr) 2012-09-28 2020-10-16 Hologram Ind Composant optique de securite a effet reflectif, fabrication d'un tel composant et document securise equipe d'un tel composant
CN103594624B (zh) * 2013-11-07 2015-12-09 电子科技大学 一种有机场效应晶体管及其制备方法
RU2573903C1 (ru) * 2014-09-02 2016-01-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова Российской академии наук (ИСПМ РАН) Способ получения гибкой электропроводящей полимерной пленки
CN104459833A (zh) * 2014-12-13 2015-03-25 中国科学技术大学先进技术研究院 一种新型光学聚合物复合薄膜及其制作方法和应用
CN108811400B (zh) * 2018-07-24 2020-09-25 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备外壳及其制备方法以及电子设备
DE102019132140A1 (de) * 2019-11-27 2021-05-27 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer funktionalen Dekorschicht

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3527412A1 (de) * 1985-07-31 1987-02-12 Kurz Leonhard Fa Mehrlagige folie, insbesondere heisspraegefolie und verfahren zu deren herstellung
FI91573C (sv) * 1990-01-04 1994-07-11 Neste Oy Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar
JPH1096808A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微細パタン形成法
CN1187793C (zh) * 1998-01-28 2005-02-02 薄膜电子有限公司 制作导电或半导电三维结构的方法和擦除该结构的方法
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
ATE549753T1 (de) * 1999-07-21 2012-03-15 E Ink Corp Reaktive herstellung von dielektrischen schichten und schutz von organischen schichten in organischen halbleiteranordnungen
CN1181546C (zh) * 2000-03-28 2004-12-22 皇家菲利浦电子有限公司 带可编程存储器单元的集成电路
JP4815659B2 (ja) * 2000-06-09 2011-11-16 ソニー株式会社 液晶表示装置
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US6586791B1 (en) * 2000-07-19 2003-07-01 3M Innovative Properties Company Transistor insulator layer incorporating superfine ceramic particles
WO2002025750A1 (de) 2000-09-22 2002-03-28 Siemens Aktiengesellschaft Elektrode und/oder leiterbahn für organische bauelemente und herstellungsverfahren dazu
US6814898B1 (en) * 2000-10-17 2004-11-09 Seagate Technology Llc Imprint lithography utilizing room temperature embossing
DE10061297C2 (de) 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
US6620657B2 (en) 2002-01-15 2003-09-16 International Business Machines Corporation Method of forming a planar polymer transistor using substrate bonding techniques
US6653030B2 (en) * 2002-01-23 2003-11-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features
DE10219905B4 (de) * 2002-05-03 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
DE10393887D2 (de) 2005-08-25
JP4841841B2 (ja) 2011-12-21
KR20050073468A (ko) 2005-07-13
RU2005113274A (ru) 2006-01-27
EP2261979A1 (de) 2010-12-15
AU2003281923A8 (en) 2004-04-23
KR101196591B1 (ko) 2012-11-02
CN1689175A (zh) 2005-10-26
EP1559147B1 (de) 2014-11-12
US7655498B2 (en) 2010-02-02
JP2006501659A (ja) 2006-01-12
US20060180805A1 (en) 2006-08-17
PL374836A1 (pl) 2005-11-14
EP1559147A2 (de) 2005-08-03
WO2004032257A2 (de) 2004-04-15
RU2317613C2 (ru) 2008-02-20
CN100454602C (zh) 2009-01-21
ES2439446T3 (es) 2014-01-23
WO2004032257A3 (de) 2005-06-09
AU2003281923A1 (en) 2004-04-23
EP2261979B1 (de) 2013-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL213928B1 (pl) Sposób wytwarzania folii z co najmniej jednym elementem elektronicznym w organicznej technologii pólprzewodnikowej oraz folia wytworzona tym sposobem
JP5475474B2 (ja) レーザー誘起熱エンボス加工を使用する微細複製工具及びパターン
US8343779B2 (en) Method for forming a pattern on a substrate and electronic device formed thereby
AU2010214906B2 (en) Surface relief microstructures, related devices and method of making them
US7700402B2 (en) Method for production of a film
US9238383B2 (en) Method for the production of security elements having mutually registered designs
JP6649275B2 (ja) 多層体およびその製造方法
RU2004129336A (ru) Оптически изменяемое защитное устройство
JP2019073019A (ja) 多層体を生産する方法、および多層体
RU2337832C2 (ru) Способ получения поверхностного рисунка с высоким разрешением
JP2006501659A5 (pl)
AU2004275005B2 (en) Method and film system for producing a personalised, optically variable element
WO1995027925A1 (en) Protected relief patterns
TW202406762A (zh) 包含圖案化微胞陣列之重力致動顯示器

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20140930