CN1832220A

CN1832220A - 制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示装置

Info

Publication number: CN1832220A
Application number: CNA2006100567578A
Authority: CN
Inventors: 徐旼徹; 具在本
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2005-03-04
Filing date: 2006-03-06
Publication date: 2006-09-13
Anticipated expiration: 2026-03-06
Also published as: KR100649189B1; CN1832220B; KR20060097144A

Abstract

本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，能提高有机半导体层的图案化精度并简化图案化工艺。该方法包括在基板上形成有机绝缘薄膜和在该有机绝缘薄膜中形成具有第一和第二凹入部分以及第三凹入部分的梯段，该第三凹入部分形成在第一和第二凹入部分上。该方法进一步包括在第一和第二凹入部分中形成源电极和漏电极和在第三凹入部分中形成有源层，有源层接触源电极和漏电极。

Description

制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示装置

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管，更具体地说，涉及利用有机半导体材料作为有源层制造薄膜晶体管的方法、用该方法制造的薄膜晶体管以及采用该薄膜晶体管的显示装置。

背景技术

诸如厚度小并且工作电压低的有机发光显示器和液晶显示器的显示装置，不同于体积大并且工作电压高的阴极射线管(CRT)，正作为下一代显示装置被广泛应用。

特别地，有机发光显示器是自发光显示装置，其中通过阳极和阴极注入有机材料的电子和空穴重组，以产生激子，并且通过产生的激子的能量发射一定波长的光。由于有机发光显示器与液晶显示器相比，不需要诸如背光的独立光源，功耗低，此外，易于保证宽的视角范围和高的响应速度，因此，有机发光显示器作为下一代显示装置正在引起重视。

有机发光显示器根据驱动方法可以分成无源矩阵型和有源矩阵型，由于低功耗、高精度、高响应速度、宽视角和厚度薄，近年来主要采用有源矩阵型。

在这样的有源矩阵型有机发光显示器中，作为用于显示图像的基本单元的像素布置成矩阵形，并且薄膜晶体管(TFT)作为用于独立控制每个像素的开关元件被布置。

近年来，随着笔记本式计算机、小型便携式终端等的广泛传播，柔韧的有机发光显示器已经发展起来，它利用适于这样装置的柔韧材料作为基板材料，例如塑料，塑料由于比玻璃轻并具有柔韧性，因此具有较小的破碎风险。

因为有机半导体材料允许低温加工并确保柔韧性，所以对于这样柔韧的有机发光显示器来说，采用利用有机半导体材料的有机TFT(OTFT)作为开关元件，而不是利用硅作为有源层的典型TFT是有利的。

典型地，OTFT具有这样的结构：栅电极和由有机半导体材料制成的有源层形成在基板上，栅极绝缘薄膜置于它们之间，源电极和漏电极接触有源层，并对应于栅电极的两侧彼此绝缘。

此外，OTFT可以根据形成有源层的有机半导体材料，分成由并五苯这样的材料制成的低分子OTFT和由诸如聚噻吩制成的高分子OTFT。

诸如并五苯和聚噻吩之类的有机半导体材料由于具有低化学和光学稳定性，所以图案化很难且很复杂。

此外，即使图案化后，这样的有机半导体材料在确保良好的图案化精度上有困难，导致产生粒子的高可能性，这可能造成相邻OTFT的串扰。

发明内容

本发明已经克服上述和其它问题，并且本发明的目的在于提供一种制造TFT的方法，能提高有机半导体材料的图案化精度并简化图案化工艺。

本发明的另一目的在于提供一种用本发明的方法制造的TFT。

本发明进一步的目的在于提供一种采用本发明的TFT的显示装置。

根据本发明的一方面，制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成有机绝缘薄膜；在该有机绝缘薄膜中形成具有第一、第二和第三凹入部分的梯段，该第三凹入部分形成在第一和第二凹入部分上；在第一和第二凹入部分中形成源电极和漏电极；和在第三凹入部分中形成有源层，该有源层接触源电极和漏电极。

所述梯段通过利用半色调掩膜曝光有机绝缘薄膜并显影所曝光的有机绝缘薄膜而形成。

所述有机绝缘薄膜由负性光刻胶或正性光刻胶制成。

所述源电极和漏电极通过利用喷射法将源电极材料和漏电极材料滴入第一和第二凹入部分并固化滴有源电极材料和漏电极材料的基板形成。

所述源电极和漏电极材料包括从包括聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)、导电性高分子、Ag纳米复合材料、Cu纳米复合材料、Au纳米复合材料和Pt纳米复合材料的组中选择的至少一种；或者包括通过图案化涂覆并烘烤含有金属纳米粒子或碳纳米粒子以及有机粘合剂的材料形成的材料，金属纳米粒子或碳纳米粒子具有大于从组成有源层的材料的最高占据分子轨道(HOMO)值扣除0.5eV得到的值的功函数值。金属纳米粒子包括Ag纳米粒子、Cu纳米粒子、Au纳米粒子和Pt纳米粒子的至少一种。

所述有源层通过利用喷射法将有机半导体材料滴入第三凹入部分并固化施加了有机半导体材料的基板形成。

所述有机半导体材料包括从以下材料组成的组中选择的至少一种：并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩(α-6-thiopene)、α-4-噻吩(α-4-thiopene)、二萘嵌苯及其衍生物、红荧烯及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二亚胺及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酐及其衍生物、聚对亚乙烯基二萘嵌苯及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚对二萘嵌苯及其衍生物、萘的寡并苯(olygoacene)及其衍生物、α-5-噻吩(α-5-thiopene)的寡并苯及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二亚胺及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酐及其衍生物、酞菁及其衍生物、萘四羧酸二亚胺及其衍生物、萘四羧酸二酐及其衍生物、含有取代或未取代噻吩的共轭聚合物衍生物和含有取代氟的共轭聚合物衍生物。

所述梯段的第一和第二凹入部分分别具有1至50μm(微米)的宽度和50至500nm(纳米)的高度，第一和第二凹入部分的距离是1至100μm，并且第三凹入部分具有3至400μm的宽度和10至1000nm的高度。

本发明还提供一种薄膜晶体管，包括：栅极绝缘薄膜；形成在该栅极绝缘薄膜一侧上的栅电极；形成在栅极绝缘薄膜另一侧上的有机绝缘薄膜；和通过填充该有机绝缘薄膜而形成的源电极、漏电极和有源层。有机绝缘薄膜具有源电极、漏电极和有源层位于其中的梯段。

本发明进一步提供一种显示装置，包括：基板；形成在该基板上的薄膜晶体管；和连接到该薄膜晶体管的发光元件。薄膜晶体管包括：栅极绝缘薄膜；形成在该栅极绝缘薄膜一侧上的栅电极；形成在栅极绝缘薄膜另一侧上的有机绝缘薄膜；通过填充该有机绝缘薄膜而形成的源电极、漏电极和有源层。有机绝缘薄膜具有源电极、漏电极和有源层位于其中的梯段。

所述梯段包括源电极和漏电极位于其中的第一和第二凹入部分，以及有源层位于其中、形成在第一和第二凹入部分上的第三凹入部分。

所述梯段的第一和第二凹入部分分别具有1至50μm的宽度和50至500nm的高度，第一和第二凹入部分的距离是1至100μm，并且第三凹入部分具有3至400μm的宽度和10至1000nm的高度。

所述发光元件具有第一电极、有机发光层和第二电极依次层叠的结构。

所述基板由诸如玻璃或塑料的绝缘材料或者诸如不锈钢的金属材料制成。

附图说明

结合附图，参照以下详细的描述，本发明更加完整的评价及许多附加的优点将很明显，同时变得更好理解，附图中相似的附图标记指示相同或相近的组件，其中：

图1A至图1F和图2是示出根据本发明一个实施例的制造TFT方法的横截面图；

图3是示出根据本发明另一个实施例的制造TFT方法的横截面图；

图4是根据本发明又一个实施例的TFT的横截面图；和

图5是采用根据本发明一个实施例的TFT的显示装置的横截面图。

具体实施方式

下面，参照附图详细描述本发明的较佳实施例。

首先，参照图1A至图1F和图2描述根据本发明第一实施例的制造TFT的方法。

参见图1A，有机绝缘薄膜120涂覆在基板110上。基板110可以由诸如玻璃或塑料的绝缘材料或者诸如不锈钢(SUS)的金属材料制成。塑料可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚(PPS)、多芳基化合物(PAR)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯酸酯、三乙酸纤维素和醋酸纤维素丙酸酯(CAP)等。有机绝缘薄膜120可以由负性光刻胶制成。

参见图1B，有机绝缘薄膜120利用半色调掩膜210曝光，并且曝光的有机绝缘薄膜120被显影，在有机绝缘薄膜120中形成具有第一凹入部分121a、第二凹入部分121b和第三凹入部分122的梯段(bank)123。

第一凹入部分121a和第二凹入部分121b是源电极130a和漏电极130b分别(参见图1D)位于其中的区域，并且具有矩形截面。

第一凹入部分121a和第二凹入部分121b的宽度W1可以是1至50μm，以便当使源电极材料131a和漏电极材料131b(参见图1C)流动时，源电极材料131a和漏电极材料131b不会溢出，从而形成高分辨率的装置。

第一凹入部分121a和第二凹入部分121b的高度H1可以是50至500nm，较佳地是200nm，以便当使源电极材料131a和漏电极材料131b流动时，源电极材料131a和漏电极材料131b不会溢出，并且它们可以均匀地充满第一凹入部分121a和第二凹入部分121b。

第一凹入部分121a和第二凹入部分121b之间的距离D1作为重要的通道长度可以是1至100μm，因为如果通道长度小于1μm，在通道中泄漏或接触阻抗可能增加，并且足够大的电流不能流过大于100μm的通道。

第三凹入部分122是有源层140(参见图1F)位于其中的区域并且具有矩形截面。

第三凹入部分122的宽度W2可以根据第一凹入部分121a和第二凹入部分121b的宽度W1和二者之间的距离D1确定，因此，宽度W2可以是3至400μm。

第三凹入部分122的高度H2可以是10至1000nm，以便当使有机半导体材料141(参见图1E)流动时，有机半导体材料141不会溢出，并且以下用于形成层的工艺可以容易地执行。

半色调掩膜210可以由用于完全遮光的遮光区域211a和211b、用于传输部分光(例如1/2)的部分透光区域212a、212b和212c以及用于完全传输光的透光区域213a和213b组成。

在本实施例中，当有机绝缘薄膜120是由负性光刻胶制成时，不被曝光的部分在显影中被移除。因此，有机绝缘薄膜120可以用布置成如下这样的半色调掩膜210曝光：遮光区域211a和211b与第一凹入部分121a和第二凹入部分121b对应；部分透光区域212a、212b和212c与除了第一凹入部分121a和第二凹入部分121b的第三凹入部分122对应；并且透光区域213a和213b与除了第一凹入部分121a、第二凹入部分121b和第三凹入部分122的部分对应。

可替代地，有机绝缘薄膜120可以由正性光刻胶制成。在这种情况下，与上述实施例相反，曝光的部分在显影过程中被移除。因此，如图3所示，有机绝缘薄膜120可以用布置成如下这样的半色调掩膜220曝光：透光区域221a和221b对应第一凹入部分121a和第二凹入部分121b；部分透光区域222a、222b和222c对应除了第一凹入部分121a和第二凹入部分121b的第三凹入部分122；并且遮光区域223a和223b对应除了第一凹入部分121a、第二凹入部分121b和第三凹入部分122的部分。

参见图1C，源电极材料131a和漏电极材料131b分别利用喷射法滴落到梯段123的第一凹入部分121a和第二凹入部分121b上。

这里，源电极材料131a和漏电极材料131b的滴落量可以近似是1×10^-15l。然而，该滴落量不局限于此，可以根据第一凹入部分121a和第二凹入部分121b的宽度和高度适当调整。

源电极材料131a和漏电极材料131b可以由诸如聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)的导电性材料、导电性高分子、金属纳米复合材料等制成。金属纳米复合材料可以是Ag纳米复合材料、Cu纳米复合材料、Au纳米复合材料、Pt纳米复合材料等。

可替代地，源电极材料131a和漏电极材料131b可以是通过图案化涂覆并固化含有金属纳米粒子或碳纳米粒子以及有机粘合剂的材料形成的材料。在这种情况下，金属纳米粒子可以具有大于从组成后面待形成的有源层140的有机半导体材料的最高占据分子轨道(HOMO)值扣除0.5eV(电子伏特)得到的值的功函数值。例如，金属纳米粒子可以是Ag纳米粒子、Cu纳米粒子、Au纳米粒子、Pt纳米粒子等。

接下来，执行诸如紫外固化和热固化的固化工艺，以在使源电极材料131a和漏电极材料131b流动的同时，蒸发包含在源电极材料131a和漏电极材料131b中的溶剂。

同时，由于源电极材料131a和漏电极材料131b按照梯段123在第一凹入部分121a和第二凹入部分121b中均匀流动，所以不会发生所谓的图案的边缘比其它部分厚的咖啡污点效应。

因此，如图1D所示，源电极130a和漏电极130b以填充有机绝缘薄膜120的梯段123的第一凹入部分121a和第二凹入部分121b的方式形成。

参见图1E，有机半导体材料141利用喷射法滴落在第三凹入部分122上。

这里，有机半导体材料141的滴落量近似是1×10^-12l。然而，该施加量不局限于此，可以根据第三凹入部分122的宽度和高度适当调整。

有机半导体材料141可以是并五苯、并四苯、蒽、萘、α(-6-噻吩(α-6-thiopene)、α-4-噻吩(α-4-thiopene)、二萘嵌苯及其衍生物、红荧烯及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二亚胺及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酐及其衍生物、聚对亚乙烯基二萘嵌苯及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚对二萘嵌苯及其衍生物、萘的寡并苯(olygoacene)及其衍生物、α-5-噻吩(α-5-thiopene)的寡并苯及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二亚胺及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酐及其衍生物、酞菁及其衍生物、萘四羧酸二亚胺及其衍生物、萘四羧酸二酐及其衍生物、含有取代或未取代噻吩的共轭聚合物衍生物、含有取代氟的共轭聚合物衍生物等。

接下来，执行诸如紫外固化和热固化的固化工艺，以在流动有机半导体材料141的同时，蒸发包含在有机半导体材料141中的溶剂。于是，参见图1F，有源层140就以填充有机绝缘薄膜120中的梯段123的第三凹入部分122同时接触源电极130a和漏电极130b的方式形成。

接下来，栅极绝缘薄膜150在基板110整个表面上形成，栅电极材料沉积在栅极绝缘薄膜150上并图案化，以形成栅电极160，从而形成具有图2所示结构的TFT“T”。

栅极绝缘薄膜150可以由诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、聚乙烯基酚(polyvinyphenol)或聚对二甲苯的有机绝缘材料制成。栅电极材料可以是Ag、Cu、Au、Pt、Mo、MoW、Al、AlNdCr、Al/Cr等。

于是，在根据本实施例制造TFT的方法中，梯段123利用半色调掩膜210形成在有机绝缘薄膜120中，源电极130a和漏电极130b以及有源层140位于梯段123中，并且它们以利用喷射法填充有机绝缘薄膜120的方式形成。

因此，可以取消用于形成源电极130a、漏电极130b和有源层140的附加图案化工艺，从而简化了制造TFT的工艺，并且进一步地，可以避免咖啡污点效应，获得好的图案化精度，因此避免FFT之间的串扰。

虽然已经在本实施例中示出栅电极160连同置于栅电极160和有源层140之间的栅极绝缘薄膜150形成在有源层140上，并且源电极130a和漏电极130b接触有源层140的底侧，但是栅电极160的形成位置不局限于本实施例。

例如，如图4所示，即使在栅电极165连同置于栅电极165和有源层145之间的栅极绝缘薄膜155形成在有源层145之下，并且源电极135a和漏电极135b接触有源层145的底侧的情况下，源电极135a和漏电极135b以及有源层145仍然可以以它们填充有机绝缘薄膜125的方式形成。

下面，参照图5描述采用根据本发明上述实施例的TFT的显示装置。在本实施例中，有机发光显示器作为显示装置的示例，并且与图2相同的组件在图5中用相同的附图标记表示，因此，省略其详细的解释。

参见图5，图2所示的TFT“T”作为基板110上的驱动装置形成，与TFT“T”的一部分相连的发光元件“L”连同置于它们之间的平坦化薄膜170形成在TFT“T”上，从而完成像素的形成。

基板110可以由诸如玻璃或塑料，或者诸如不锈钢(SUS)的金属材料制成。塑料可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚(PPS)、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、多芳基化合物(PAR)、三乙酸纤维素和醋酸纤维素丙酸酯(CAP)等。

发光元件“L”具有第一电极310、有机发光层330和第二电极340按顺序层叠的结构，并且可以与TFT“T”的一部分相连，例如，经由分别在栅极绝缘薄膜150和平坦化薄膜170中提供的孔151和171与漏电极130b相连。像素确定层320使第一电极310与相邻像素的第一电极(未示出)绝缘，并且第一电极310经由在像素确定层320中提供的开口321接触有机发光层330。

第一电极310和第二电极340可以由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、Al、Mg-Ag、Ca、Ca/Ag和Ba中的一种或多种组成。

有机发光层330可以是低分子有机材料，例如，铜酞菁(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等，或者，可替代地，是高分子有机材料。

例如，如果有机发光层330由低分子有机材料制成，那么它可以具有包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)和电子传输层(ETL)的多层结构。

可替代地，如果有机发光层330由高分子有机材料制成，那么它具有空穴传输层(HTL)和发光层(EML)。在这种情况下，HTL由PEDOT材料制成，并且EML由聚苯乙炔(PPV)型或聚芴型材料制成。

尽管未示出，但是像素仍然呈矩阵形布置在基板110上，构成在其上进行发光和显示的显示单元，并且被密封基板密封和保护。

虽然已经在本实施例中示出图2所示的TFT“T”作为有机发光显示器的驱动装置使用，然而，它也可以作为诸如液晶显示器之类的其它显示装置的驱动装置使用。

尽管已经描述和示出了本发明的几个实施例，但是本领域的技术人员应该理解不脱离本发明的原则和精神可以在本实施例中做出改动，本发明的范围限定在权利要求及其等同替换中。

Claims

1、一种薄膜晶体管，包括：

栅极绝缘薄膜；

形成在所述栅极绝缘薄膜一侧上的栅电极；

形成在所述栅极绝缘薄膜另一侧上的有机绝缘薄膜；和

通过填充所述有机绝缘薄膜而形成的源电极、漏电极和有源层，

该有机绝缘薄膜包括梯段，所述源电极、漏电极和有源层位于该梯段中。

2、如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述梯段包括所述源电极和所述漏电极分别位于其中的第一和第二凹入部分，以及所述有源层位于其中的第三凹入部分，所述第三凹入部分形成在所述第一和第二凹入部分上。

3、如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述有机绝缘薄膜由负性光刻胶或正性光刻胶制成。

4、如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述有源层由有机半导体材料制成。

5、如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第一和第二凹入部分包括1至50μm的宽度和50至500nm的高度，

所述第一和第二凹入部分之间的距离是1至100μm，并且

所述第三凹入部分具有3至400μm的宽度和10至1000nm的高度。

6、一种制造薄膜晶体管的方法，包括：

在基板上形成有机绝缘薄膜；

在所述有机绝缘薄膜中形成包括第一、第二和第三凹入部分的梯段，该第三凹入部分形成在所述第一和第二凹入部分上；

在所述第一和第二凹入部分中形成源电极和漏电极；和

在所述第三凹入部分中形成有源层，所述有源层接触所述源电极和所述漏电极。

7、如权利要求6所述的方法，其中所述梯段通过利用半色调掩膜曝光所述有机绝缘薄膜并显影所曝光的有机绝缘薄膜而形成。

8、如权利要求7所述的方法，其中所述有机绝缘薄膜由负性光刻胶或正性光刻胶制成。

9、如权利要求7所述的方法，其中所述源电极和所述漏电极通过利用喷射法将源电极材料和漏电极材料滴入所述第一和第二凹入部分并固化滴有源电极材料和漏电极材料的基板形成。

10、如权利要求9所述的方法，其中所述源电极材料和漏电极材料包括从由聚乙烯二氧噻吩PEDOT、聚苯胺PANI、导电性高分子、Ag纳米复合材料、Cu纳米复合材料、Au纳米复合材料和Pt纳米复合材料组成的组中选择的至少一种，或者

包括通过图案化涂覆并烘烤含有金属纳米粒子或碳纳米粒子以及有机粘合剂的材料形成的材料，该金属纳米粒子或碳纳米粒子具有大于从组成有源层的材料的最高占据分子轨道值扣除0.5eV得到的值的功函数值，并且

该金属纳米粒子包括Ag纳米粒子、Cu纳米粒子、Au纳米粒子和Pt纳米粒子中的至少一种。

11、如权利要求7所述的方法，其中所述有源层通过利用喷射法将有机半导体材料滴入所述第三凹入部分并固化施加了有机半导体材料的基板形成。

12、如权利要求11所述的方法，其中所述有机半导体材料包括从由以下物质组成的组中选择的至少一种：并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、红荧烯及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二亚胺及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酐及其衍生物、聚对亚乙烯基二萘嵌苯及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚对二萘嵌苯及其衍生物、萘的寡并苯及其衍生物、α-5-噻吩的寡并苯及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四酸二亚胺及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酐及其衍生物、酞菁及其衍生物、萘四羧酸二亚胺及其衍生物、萘四羧酸二酐及其衍生物、含有取代或未取代噻吩的共轭聚合物衍生物和含有取代氟的共轭聚合物衍生物。

13、如权利要求7所述的方法，其中该梯段的所述第一和第二凹入部分具有1至50μm的宽度和50至500nm的高度，

所述第一和第二凹入部分的距离是1至100μm，并且

所述第三凹入部分具有3至400μm的宽度和10至1000nm的高度。

14、一种显示装置，包括：

基板；

形成在所述基板上的薄膜晶体管；和

连接到所述薄膜晶体管的发光装置，

所述薄膜晶体管包括：

栅极绝缘薄膜；

形成在所述栅极绝缘薄膜一侧上的栅电极；

形成在所述栅极绝缘薄膜另一侧上的有机绝缘薄膜；和

所述有机绝缘薄膜包括梯段，所述源电极、所述漏电极和所述有源层位于该梯段中。

15、如权利要求14所述的显示装置，其中所述梯段包括所述源电极和所述漏电极位于其中的第一和第二凹入部分，以及所述有源层位于其中的第三凹入部分，所述第三凹入部分形成在所述第一和第二凹入部分上。

16、如权利要求14所述的显示装置，其中所述有机绝缘薄膜由负性光刻胶或正性光刻胶制成。

17、如权利要求14所述的显示装置，其中所述有源层由有机半导体材料制成。

18、如权利要求15所述的显示装置，其中所述第一和第二凹入部分包括1至50μm的宽度和50至500nm的高度，

所述第一和第二凹入部分之间的距离是1至100μm，并且

所述第三凹入部分具有3至400μm的宽度和10至1000nm的高度。

19、如权利要求14所述的显示装置，其中所述发光装置具有第一电极、有机发光层和第二电极依次层叠的结构。

20、如权利要求14所述的显示装置，其中所述基板包括是玻璃和塑料中的任何一种的绝缘材料，或者包括金属材料，金属材料包括不锈钢。