CN1909260A

CN1909260A - 平板显示器和平板显示器的制造方法

Info

Publication number: CN1909260A
Application number: CNA2006100993274A
Authority: CN
Inventors: 金保成; 吴俊鹤; 李容旭
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2005-08-01
Filing date: 2006-07-17
Publication date: 2007-02-07
Anticipated expiration: 2026-07-17
Also published as: US7619245B2; TWI320603B; US20090111211A1; JP4884120B2; US20070063195A1; TW200707750A; CN100593869C; KR20070015656A; JP2007043160A; US7682886B2; KR101240656B1

Abstract

本申请涉及一种显示装置，包括：绝缘基板；源电极和漏电极，在绝缘基板上，并被沟道区隔开；有机半导体层，在沟道区内以及在源电极的至少一部分和漏电极的至少一部分上形成；以及自组装单层，具有设置在有机半导体层和源电极之间的第一部分和设置在有机半导体层和漏电极之间的第二部分，以减小电极和有机半导体层之间的接触电阻。因此，本发明的实施例提供了包括性能增强的TFT的显示装置。

Description

平板显示器和平板显示器的制造方法

相关申请的交叉参考

本发明要求于2005年8月1日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第2005-0070111号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种显示装置和显示装置的制造方法。更具体地，本发明涉及一种包括有机薄膜晶体管(O-TFT)的显示装置和显示装置的制造方法，其中，显示装置设置了有机半导体层。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)用作开关元件来控制显示像素的操作，以及用作驱动元件来驱动显示像素。TFT用在许多显示器类型中，例如，液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、无机发光二极管显示器、平板显示器、电泳指示显示器等。TFT包括：栅电极、在栅电极上形成的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的半导体层、以及越过半导体层彼此分离以限定沟道区的源电极和漏电极。

最近，随着对柔性显示装置的关注，已经研究了使用塑料基板的平板显示器设计。然而，由于使用硅作为半导体层的平板显示器在300℃或更高的温度下制造，所以一般不能使用塑料基板。因此，使用有机半导体材料来代替硅作为半导体层的有机薄膜晶体管(O-TFT)被用来制造柔性显示装置。

通常，源电极和漏电极由金属(例如，金(Au)、钯(Pd)、铂(Pt)等)制成。这些材料具有高的功函数，所以电荷流动比较平稳。然而，使用这些金属的源极和漏极结构难以通过溅射来形成，并且难以在其上蚀刻精密的图样。因此，这些材料一般不适合用于O-TFT的源电极和漏电极的制造工艺。

另一方面，导电金属氧化物(例如，氧化锡铟(ITO)或氧化锌铟(IZO))具有以下优点：它们的功函数很高，使用溅射方法很容易形成ITO和IZO结构，以及很容易在ITO或IZO上容易形成精密的图样。因此，诸如IZO和/或ITO的材料一般代替前述的金属材料用于O-TFT的源电极和漏电极。然而，ITO和IZO在与有机半导体层的接触界面上产生接触电阻，从而减小了TFT的漏电流开关比特性。

发明内容

本发明提供一种包括性能提高的TFT的显示装置。

本发明的另一方面在于提供一种包括性能提高的TFT的显示装置的制造方法。

根据本发明的实施例，显示装置包括：绝缘基板；由沟道区隔开的源电极和漏电极；在沟道区内以及在漏电极的至少一部分上和源电极的至少一部分上形成的有机半导体层；以及自组装单层，包括设置在有机半导体层和源电极之间的第一部分和设置在有机半导体层和漏电极之间的第二部分，以减小电极和有机半导体层之间的接触电阻。

根据本发明的实施例，自组装单层覆盖源电极和漏电极。

根据本发明的实施例，源电极和漏电极包括透明导电金属氧化物。

根据本发明的实施例，源电极和漏电极包括ITO或IZO的其中之一。

根据本发明的实施例，自组装单层以化学方法与源电极和漏电极结合。

根据本发明的实施例，显示装置还包括围绕有机半导体层并露出沟道区的堤(bank)。

根据本发明的实施例，自组装单层包括卤代芳基二卤磷酸酯、卤代芳基卤磷酸酯、卤代芳基磺酰基卤化物、卤代苯甲酰基卤化物、卤代芳基卤化物、卤代芳基三卤硅烷、卤代烷基三卤硅烷、以及其衍生物中的至少一种。

根据本发明的实施例，自组装单层包括卤代萘基二卤磷酸酯、卤代萘基卤磷酸酯、卤代萘基磺酰基卤化物、卤代萘基卤化物、卤代萘基三卤硅烷、以及其衍生物中的至少一种。

根据本发明的实施例，绝缘基板为塑料基板。

根据本发明的实施例，有机半导体层包括并五苯、3，4，9，10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、低聚噻吩(oligothiopene)、聚噻吩、以及聚噻吩乙炔(polythienylenevinylene)中的至少一种。

根据本发明的实施例，显示装置包括液晶显示装置、有机发光二极管装置、平板显示装置、以及电泳指示显示装置中的至少一种。

根据本发明的实施例，提供了一种显示装置的制造方法，包括：设置绝缘基板；在绝缘基板上形成源电极和漏电极，其中，源电极和漏电极被沟道区隔开；在邻近源电极和漏电极的区域引入自组装单层材料；形成自组装单层，自组装单层具有在源电极的至少一部分上的第一部分和在漏电极的至少一部分上的第二部分；以及形成有机半导体层，其邻近自组装单层的至少一部分以及在沟道区内。

根据本发明的实施例，制造方法还包括：在形成源电极和漏电极之前，在绝缘基板上形成栅电极，以及在栅电极上形成栅极绝缘层，其中，形成有机半导体层包括：在栅极绝缘层上形成有机半导体材料的区域、形成自组装单层、以及使用光刻法使有机半导体材料的区域图样化。

根据本发明的实施例，制造方法还包括在形成源电极和漏电极之后，形成围绕(encompassing)沟道并至少露出源电极的一部分和漏电极的一部分的堤。

根据本发明的实施例，有机半导体层通过喷墨法在堤内形成。

根据本发明的实施例，提供了一种显示器，包括：基板；在基板上形成的有机薄膜晶体管，有机薄膜晶体管包括：源极、漏极、位于源极和漏极之间的沟道区，沟道区包括有机半导体材料；第一自组装单层，在邻近沟道区的源极的一部分和有机半导体材料之间；以及第二自组装单层，在邻近沟道区的漏极的一部分和有机半导体材料之间。

根据本发明的实施例，源极和漏极中的至少之一包括透明导电氧化物。

根据本发明的实施例，第一自组装单层包括芳香族化合物。

根据本发明的实施例，基板包括塑料。

本发明的其他特征将在以下的描述中进行阐述，并且部分地从该描述中显而易见，或者可以通过本发明的实施而被理解。

附图说明

附图结合在说明书中并构成说明书的一部分，其有助于进一步理解本发明，这些附图示出了本发明的实施例，并且与说明书一起通过典型实施例来说明本发明的原理。。

图1是根据本发明的第一实施例的显示装置的截面图；

图2A是示出根据第一实施例在没有形成自组装单层时的有机半导体层的表面的视图；

图2B是示出根据第一实施例在形成了自组装单层时的有机半导体层的表面的视图；

图3是根据本发明的第一实施例的图表；

图4A到图4F是示出根据本发明的第一实施例的显示装置的制造方法的截面图；以及

图5是根据本发明的第二实施例的显示装置的截面图。

具体实施方式

现在将详细参照本发明的实施例(其实例在附图中示出)，其中，在文中相同的参考标号表示相同的元件。下面将参照附图描述

实施例。

应当理解，当提到诸如层、膜、区域、或基板位于另一元件“之上”时，其可直接位于另一元件之上，或者也可以存在中间元件。

图1是根据本发明的第一实施例的平板显示器的剖视图。更具体地说，图1是设置有TFT“T”的基板的剖视图。

根据本发明的设置有有机TFT“T”的平板显示器，包括：绝缘基板110；栅电极120，在绝缘基板110上形成；栅极绝缘层130，覆盖栅电极120；源电极141和漏电极143，在栅极绝缘层130上，用于限定沟道区A。源电极141和漏电极143越过栅电极120彼此隔开。TFT T还包括自组装单层150，在源电极141和漏电极143上形成，以及有机半导体层160，设置在自组装单层150上和沟道区A内。

绝缘基板110包括诸如玻璃、石英、陶瓷或塑料的绝缘材料。当TFT T用于柔性平板显示器时，基板110优选由塑料制成。例如，塑料基板包括，例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、以及聚降冰片烯(polynorborneen)(PNB)的其中之一。

栅电极120在绝缘基板110上形成。栅电极120是导电金属层，包括例如金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、铬(Cr)、铝/铜(Al/Cu)、以及钼钨合金(MoW)的至少其中之一。

栅极绝缘层130在栅电极120上形成，栅极绝缘层130包括绝缘材料，如氮化硅(SiNx)或硅氧化物(SiOx)，设置在绝缘基板110的整个表面上同时覆盖栅电极120。栅极绝缘层130具有在用自组装单层材料处理时不会发生化学反应的结构，并且优选地在其表面上不包括羟基。

源电极141和漏电极143位于栅极绝缘层130上，并越过栅电极120彼此隔开。沟道区A是在栅电极120上方、源电极141和漏电极143之间的区域。

通常，源电极141和漏电极143由诸如Au、Pd、Pt等金属形成。这些材料具有高的功函数，所以电荷流动比较平稳。然而，如上所述，这些材料一般不适合用于形成O-TFT的源电极141和漏电极143的工艺。这些金属层难以通过溅射来形成(它们通常通过蒸发法来形成)，并且难以通过蚀刻在其上形成精密的图样。

因此，使用具有高的功函数、通过溅射处理能够容易形成、并且能够容易地形成精细图样的透明导电金属氧化物来形成源电极141和漏电极143，。透明导电金属氧化物可以是ITO或IZO。

有机半导体层160在源电极141和漏电极143上形成。然而，当ITO或IZO接触(有机半导体)层160的有机半导体材料时，由于ITO或IZO和有机半导体层160之间不同的特性(ITO或IZO的功函数和有机半导体层160的亲电性之间的不同)，产生高势垒。高势垒阻止电子流动，使得电流流动不是很平稳，从而减小了O-TFT的驱动电流开关比特性。

因此，为了减小势垒，自组装单层150在源电极和漏电极141、143及有机半导体层160之间形成。自组装单层150减小势垒，减小有机半导体层160与源电极141和漏电极143之间的接触电阻。

根据实施例，自组装单层150在源电极141和漏电极143上形成，而不在栅极绝缘层130上形成。也就是说，形成自组装单层150的表面处理选择性地仅在源电极141和漏电极143上进行，而不在栅极绝缘层130的沟道区A进行。

因此，源电极141和漏电极143的选择性的表面处理起因于自组装单层150的特性。通过与源电极141和漏电极143的分子的化学结合，自组装单层材料的分子自然地粘附在固体(源电极141和漏电极143)的表面。因此，自组装单层150是稳定的薄单层，并变得高度规则，与特定分子起反应。结果，在自组装单层150上形成的有机半导体层160具有校大的粒度和较低的接触电阻。

如上所述，自组装单层150形成与源电极141和漏电极143的规则的化学结合。结果，在源电极141和漏电极143与有机半导体层160之间生成空间电荷。空间电荷降低势垒，并减小源电极141和漏电极143与有机半导体层160之间的接触电阻。因此，增强了O-TFT的电流比特性。

这里，自组装单层材料包括以下材料中的至少一个：以结构式1表示的卤代芳基二卤磷酸酯；以结构式2表示的卤代芳基卤磷酸酯；以结构式3表示的卤代芳基磺酰基卤化物；以结构式4表示的卤代苯甲酰基卤化物；以结构式5表示的卤代芳基卤化物；以结构式6表示的卤代芳基三卤硅烷或卤代烷基三卤硅烷。

这里，X为卤素，例如，氯(Cl)、溴(Br)、氟(F)、以及碘(I)，其中，位于芳基或烷基中的卤素可以位于邻位、间位、和对位中的任何取代位。结构式6中的R为芳基或烷基。

在结构式1到6中的芳基可以是结构式7中的苯基、氯代苯基(chlror phenayl)和氟代苯基、或结构式7中的萘基(naphtyl)。

此外，结构式1到7中的芳香族化合物的衍生物可以用于自组装单层。

<结构式1> <结构式2> <结构式3>

<结构式4> <结构式5> <结构式6>

<结构式7>

有机半导体层160在自组装单层150上形成。为了防止对有机半导体层160的损坏，在形成栅电极120、源电极141、和漏电极143之后，在沟道区A上形成有机半导体层160。使用这样的制作工艺是因为用于有机半导体层160的有机材料具有低的耐化学性和耐等离子体性。也就是说，如果在形成有机半导体层160之后形成栅电极120、源电极141、和漏电极143，有机半导体层160的有机材料就会被用于形成栅电极120、源电极141、和漏电极143的化学材料、等离子体等侵蚀。所得到的半导体层160不能够正常起作用。

然而，在与图4A到4F所示的工艺结构不同、将栅电极120设置在有机半导体层160上的工艺结构(PA)中，自组装单层150也可置于电极141、143与有机半导体层160之间，以便减小电极141、143与有机半导体层160之间的接触电阻。

有机半导体层160使用具有5个相连的苯环的并五苯、3，4，9，1O-苝四甲酸二酐(PTCDA)、低聚噻吩、聚噻吩、以及聚噻吩乙炔等。在一些实施例中，可以使用传统的有机半导体材料。

利用上述原理，可以制造改进的O-TFT并将其结合到平板显示器中。O-TFT可以用在许多显示器类型中，例如，LCD、OLED显示器、无机发光二极管显示器等。可以根据常规方法制造显示器。

下面，将参照图2A到图3来描述根据本发明实施例的O-TFT的功能和效率。

图2A是在没有形成自组装单层时，使用原子力显微镜(AFM)拍摄的有机半导体层的表面的照片，图2B是在形成了自组装单层时有机半导体层的表面的照片。

参照图2A，在没有形成自组装单层时，有机半导体层160的粒度很小。相反地，如图2B所示，在形成了自组装单层时，有机半导体层160的粒度很大。较大的粒度示出在形成有自组装单层150的源电极141和漏电极143上的有机半导体材料改进的生长和稳定性。也就是说，有机半导体材料在形成有自组装单层150的源电极141和漏电极143上生长得很好，所以提高了电荷的传递速率。

图3是示出在形成了自组装单层150的情况以及没有形成自组装单层150的情况下，O-TFT的漏极的电流值与施加在O-TFT的栅极上的电压值的曲线关系。

参照图3，‘B’为在形成了自组装单层150时，电流值与电压值的曲线关系，以及‘C’为在没有形成自组装单层150时，电流值与电压值的曲线关系。图3示出了对于施加的电压的特定值，具有自组装单层150的电流值大于没有自组装单层150的电流值的结果。因此，示出了在形成了自组装单层150时，减小了接触电阻，从而增加了电流值。

一般来说，TFT的开关电流比特性可用下面的表达式表示：

\frac{I_{on}}{I_{off}} = (\frac{μ}{σ}) (\frac{C_{o}^{2}}{q N_{A} t^{2}}) V_{D}^{2}

这里，I_on为最大电流值；I_off为关状态的漏电流；μ为电荷的传递速率；σ为薄膜的传导率；q为电荷量；N_A为电荷密度；t为半导体层的厚度；C_O为氧化膜电容；以及V_D为漏电压。该表达式示出电流比I_on/I_off与电荷传递速率μ成比例。

图3示出了具有自组装单层150的电流比I_on/I_off大于没有自组装单层150的电流比I_on/I_off。图3示出在形成了自组装单层时，O-TFT的电荷的传递速率增加，从而提高了TFT的性能的原理。

接下来，将参照图4A到4F描述包括O-TFT的平板显示器的制造方法。

参照图4A，设置了绝缘基板110。在一些实施例中，基板110包括玻璃、石英、陶瓷、或塑料。当根据本发明实施例的TFT T用于柔性平板显示器时，其优选地由塑料制成。

参照图4B，通过首先沉积栅电极材料(例如，包括Au、Pt、Pd、Al、Cr、Al/Cu、以及MoW的至少其中之一，通过溅射或化学气相淀积(CAD))，然后通过光刻法和蚀刻处理除去不需要的栅电极材料，从而在绝缘基板110上形成栅电极120。。因此，在基板110上形成具有期望图样的栅电极120。

参照图4C，形成栅极绝缘层130。栅极绝缘层130由与选择的自组装单层材料基本不反应的材料制成。例如，栅极绝缘材料130可能包括在其表面上不含有羟基的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，并且具有当附加自组装单层材料时不发生化学反应的结构。

参照图4D，通过溅射或蒸发将透明导电金属氧化物(例如，ITO或IZO)涂覆在栅极绝缘层130上。然后，使用光刻法和蚀刻处理将不需要的材料除去，以形成源电极141和漏电极143。源电极141和漏电极143越过栅电极120彼此隔开。沟道区A被限定在栅电极120之上的源电极141和漏电极143之间的区域。

参照图4E，将自组装单层材料涂覆在源电极141和漏电极143上。自组装单层材料的分子自发地粘附在特定的固体(这里，是源电极和漏电极的材料)上，并且化学地结合来形成自组装单层150。

也就是说，当处理自组装单层150时，选择性地仅在源电极141和漏电极143上进行表面处理，而不在栅极绝缘层130的沟道区A上进行表面处理。在形成了自组装单层150之后，通过选择性清洁将残留在栅极绝缘层130上的自组装单层材料去除。在源电极141和漏电极143包括透明导电材料(例如，ITO或/或IZO)的实施例中，自组装单层材料包括芳香族化合物和/或其衍生物。

参照图4F，通过蒸发在自组装单层150上形成有机半导体材料，例如，并五苯、3，4，9，10-四甲酸二酐(PTCDA)、低聚噻吩、聚噻吩、以及聚噻吩乙炔(polythienylenevinylene)等。通过光刻工艺形成有机半导体层160，以保留在沟道区A和源电极141和漏电极143的至少一部分，从而完成图1所示的O-TFT结构。

其后，制造了包括O-TFT的平板显示器(例如，LCD、OLED、无机发光二极管等)。例如，可以使用常规的或其它方法来制造平板显示器。

因此，如果由合适的材料(例如，芳香族化合物，如上面所披露的)制造，自组装单层150与源电极141和漏电极143的材料形成规则的化学结合。从而，自组装单层150在电极141、143与有机半导体层160之间产生空间电荷，以降低势垒并减小有机半导体层160与电极141、143之间的接触电阻。因此，增强了O-TFT的开关电流比特性。

下面，将参照图5描述根据本发明的第二实施例的包括O-TFT的平板显示器。在第二实施例中，提到了该平板显示器不同于第一实施例中的特征的特征。在第二实施例中，通过喷墨法(而不是以上披露的用于第一实施例的蒸发和光刻技术)形成有机半导体层260。

参照图5，在形成源电极241和漏电极243之后，在包括源电极241和漏电极243的至少一部分的周界的周围形成堤(bank)270。堤270围绕沟道区A，并露出其上将要形成自组装单层的源电极241和漏电极243的至少一部分。堤270被成形并构造为使得有机半导体层260可以通过喷墨法在沟道区A内形成。在堤270上形成接触孔281，以露出漏电极243。

然后，将前述的自组装单层材料涂覆到堤270的内部来形成自组装单层250。由于自组装单层材料的物理/化学特性，自组装单层250仅在源电极241和漏电极243上形成。其后，将溶解在溶剂中的有机半导体材料喷射进堤270内。当溶剂挥发时形成有机半导体层260。

通过常规的或其他方法形成有机钝化层280，并形成接触孔281。接触孔281露出漏电极243，然后，在有机钝化层280上形成像素电极290，其通过接触孔281电连接到漏电极243。

在第二实施例中，通过比在第一实施例中的方法更简单的方法形成有机半导体层。此外，减小有机半导体层260与电极241、243之间的接触电阻，以增强O-TFT的开关电流比特性。

本发明不限于所描述和所示出的实施例，而是在权利要求的范围内，不同的实施例的细节可以有多种修改和组合。本发明能够在多种显示器类型中实现，例如，在有机发光二极管显示器、平板显示器、以及电泳指示显示器的至少其中之一。

本领域的技术人员应该明白，在不背离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和改变。因此，本发明试图涵盖在权利要求和其等同物的范围内的本发明的修改和改变。

Claims

1.一种显示装置，包括：

绝缘基板；

源电极，在所述绝缘基板上；

漏电极，在所述绝缘基板上，所述漏电极通过沟道区与所述源电极隔开；

有机半导体层，在所述沟道区内以及与所述源电极和所述漏电极的至少一部分的相邻处形成；以及

自组装单层，具有设置在所述有机半导体层与所述源电极的至少一部分之间的第一部分，以及设置在所述有机半导体层与邻近所述沟道区的所述漏电极的至少一部分之间的第二部分，所述自组装单层构造用于减小所述源电极和所述有机半导体层之间的接触电阻，以及还构造用于减小所述漏电极和所述有机半导体层之间的接触电阻。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述自组装单层覆盖所述源电极和所述漏电极。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述源电极和所述漏电极包括透明导电金属氧化物。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述源电极和所述漏电极包括ITI和IZO中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述自组装单层的分子与所述源电极和所述漏电极的分子化学地结合。

6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括围绕所述有机半导体层并露出所述沟道区的堤。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述自组装单层包括卤代芳基二卤磷酸酯、卤代芳基卤磷酸酯、卤代芳基磺酰基卤化物、卤代苯甲酰基卤化物、卤代芳基卤化物、卤代芳基三卤硅烷、卤代烷基三卤硅烷、以及它们的衍生物中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述自组装单层包括卤代萘基二卤磷酸酯、卤代萘基卤磷酸酯、卤代萘基磺酰基卤化物、卤代萘基卤化物、卤代萘基三卤硅烷、以及它们的衍生物中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘基板为塑料基板。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机半导体层包括并五苯、3，4，9，10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、低聚噻吩、聚噻吩、以及聚噻吩乙炔中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置包括液晶显示装置、有机发光二极管显示装置、平板显示装置、以及电泳指示显示装置中的至少一种。

12.一种显示装置的制造方法，包括：

设置绝缘基板；

在所述绝缘基板上形成源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极被沟道区隔开；

将自组装单层材料引入邻近所述源电极和所述漏电极的区域；

形成自组装单层，所述自组装单层具有在所述源电极的至少一部分上的第一部分和在所述漏电极的至少一部分上的第二部分；以及

形成有机半导体层，邻近所述自组装单层的至少一部分以及在所述沟道区内。

13.根据权利要求12所述的制造方法，还包括在形成所述源电极和所述漏电极之前，在所述绝缘基板上形成栅电极，以及在所述栅电极上形成栅极绝缘层，其中，所述形成所述有机半导体层包括在所述栅极绝缘层和所述自组装单层上形成有机半导体材料的区域，并使用光刻法将所述有机半导体材料的区域图样化。

14.根据权利要求12所述的制造方法，还包括在形成所述源电极和所述漏电极之后形成堤，其中，所述堤围绕所述沟道，并至少露出所述源电极的一部分和所述漏电极的一部分。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述有机半导体层通过喷墨法在所述堤中形成。

16.根据权利要求12所述的制造方法，其中，所述显示装置包括液晶显示装置、有机发光二极管显示装置、平板显示装置、以及电泳指示显示装置中的至少一种。

17.一种显示器，包括：

基板；

有机薄膜晶体管，在所述基板上形成，所述有机薄膜晶体管包括：

源极；

漏极；

沟道区，位于所述源极和所述漏极之间，所述沟道区包括有机半导体材料；

第一自组装单层，在邻近所述沟道区的所述源极的一部分与所述有机半导体材料之间；以及

第二自组装单层，在邻近所述沟道区的所述漏极的一部分与所述有机半导体材料之间。

18.根据权利要求17所述的显示器，其中，所述源极和所述漏极的至少一个包括透明导电氧化物。

19.根据权利要求18所述的显示器，其中，所述第一自组装单层包括芳香族化合物。

20.根据权利要求17所述的显示器，其中，所述基板包括塑料。