JP4618990B2 - 有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置 - Google Patents
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本実施の形態では、注入法により有機半導体膜を所定の部分に形成する方法について説明する。
本実施の形態では、第1の基板の端と、第2の基板との端とを一致させないように重ね合わせたオフセット構造であって、有機材料を含む溶液を滴下する場合の例を、図13に示す。
本実施の形態では、有機半導体材料等が嫌気性のものである場合、TFTの作製工程、特に有機半導体膜の形成である有機材料の注入工程を嫌気雰囲気下で行い、この状態を維持したまま封止を行い密閉する場合の例を、図5を用いて説明する。
本実施の形態では、ある程度の大きさの基板なら、土手の面積を多少大きくした後、有機TFTを形成すればよいが、基板サイズが大きく、有機半導体膜の成膜範囲が広く配置されている場合の例を、図6を用いて説明する。
本実施の形態では、有機TFTを作製する例を、図7を用いて説明する。なお、図7(A)は上面図であり、図7(B)は図7(A)のA−A’での断面図である。
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なり、土手を形成後、ソース電極及びドレイン電極を形成する有機TFTの作製例を、図8を用いて説明する。
本実施の形態では、有機材料を用いて形成する有機TFTの作製方法を、図9を用いて説明する。
本実施の形態では、有機TFTを半導体装置の画素部のTFTに用いた例を、図14及び図15を用いて説明する。
本実施例では、本発明の有機TFTを用いて、Vd−Id特性、VG−Id特性を測定した。なお測定試料の有機TFTは図10に示すように、大気中において、石英基板上にタングステンからなるゲート電極1003を設け、ゲート電極上にゲート絶縁膜を設け、ゲート絶縁膜上にタングステンからなるソース電極1001とドレイン電極1002とがくし状に交差するように設け、ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体膜が設けられている構成である。そして、各ソース電極1001、ドレイン電極1002、ゲート電極1003には測定電圧を印加したり、電流を検出したりするための測定用パッド(ソース電極用パッド1011、ドレイン電極用パッド1012、ゲート電極用パッド1013)が設けられている。
Claims (17)
- 絶縁表面を有する第1の基板上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上であって、前記第1の導電膜の端部と重なるように、一対の第2の導電膜を形成し、
前記一対の第2の導電膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第1の導電膜上であって、前記一対の第2の導電膜の両端が現れるように前記第2の絶縁膜に線状の開口部を形成し、
第2の基板の辺のうち、前記線状の開口部に平行で、かつ互いに対向する2辺にシール材を形成し、
前記第2の基板に前記第1の基板を重ね合わせ、前記シール材を硬化させて前記第1の基板と前記第2の基板とを固定し、
前記線状の開口部に有機材料と溶媒とを含む溶液を注入し、
前記溶媒を乾燥させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記線状の開口部は複数の前記第1の導電膜に渡って形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 - 絶縁表面を有する第1の基板上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第1の導電膜上の前記第2の絶縁膜に線状の開口部を形成し、
前記第2の絶縁膜を覆って、前記第1の導電膜の端部と重なるように前記線状の開口部の底部に及ぶ、一対の第2の導電膜を形成し、
第2の基板の辺のうち、前記線状の開口部に平行で、かつ互いに対向する2辺にシール材を形成し、
前記第2の基板に前記第1の基板を重ね合わせ、前記シール材を硬化させて前記第1の基板と前記第2の基板とを固定し、
前記線状の開口部に有機材料と溶媒とを含む溶液を注入し、
前記溶媒を乾燥させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記線状の開口部は複数の前記第1の導電膜に渡って形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1または2において、前記線状の開口部は前記第2の絶縁膜と、前記第2の基板とで形成された間隙であることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、重ね合わせた前記第1の基板及び前記第2の基板の角部を、前記溶液に浸たして、前記線状の開口部に前記溶液を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、前記シール材が形成されず、かつ前記第1の基板の端と前記第2の基板の端とが一致した辺の領域から、前記線状の開口部に前記溶液を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、前記シール材が形成されず、かつ前記第1の基板の端と前記第2の基板の端とが一致しない辺の領域から、前記線状の開口部に前記溶液を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項6において、前記第1の基板の端と前記第2の基板の端とが一致しない辺の領域に前記溶液を滴下し、前記線状の開口部に前記溶液を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至7のいずれか一において、嫌気雰囲気下において、前記線状の開口部に前記有機材料と溶媒とを含む溶液を注入し、前記溶媒を乾燥させた後、封止材により前記線状の開口部及び前記第1の基板と第2の基板とを封止することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記第1の導電膜又は前記一対の第2の導電膜は導電性ペーストから形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項9において、スクリーン印刷法、ロールコーター法又はインクジェット法により前記導電性ペーストを形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
- 絶縁表面を有する基板上に設けられた複数の有機薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
前記有機薄膜トランジスタは前記絶縁表面上に設けられた第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上であって、前記第1の導電膜の端部と重なるように設けられた一対の第2の導電膜と、前記一対の第2の導電膜の両端が現れるような線状の開口部を有する第2の絶縁膜と、前記線状の開口部内に設けられた有機半導体膜と、を有し、
前記基板の辺のうち、前記線状の開口部に平行で、かつ互いに対向する2辺にシール材が設けられたことを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上に設けられた複数の有機薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
前記有機薄膜トランジスタは前記絶縁表面上に設けられた第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた線状の開口部を有する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜を覆って、前記第1の導電膜の端部と重なるように前記線状の開口部の底部に及んで設けられた一対の第2の導電膜と、前記線状の開口部内に設けられた有機半導体膜と、を有し、
前記基板の辺のうち、前記線状の開口部に平行で、かつ互いに対向する2辺にシール材が設けられたことを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上に設けられた複数の有機薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
前記有機薄膜トランジスタは前記絶縁表面上に設けられた第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上であって、前記第1の導電膜の端部と重なるように設けられた一対の第2の導電膜と、前記一対の第2の導電膜の両端が現れるような線状の開口部を有する第2の絶縁膜と、前記線状の開口部内に設けられた有機半導体膜と、を有し、
前記第1の導電膜は複数の前記有機薄膜トランジスタで共有して設けられ、
前記基板の辺のうち、前記線状の開口部に平行で、かつ互いに対向する2辺にシール材が設けられたことを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上に設けられた複数の有機薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
前記有機薄膜トランジスタは前記絶縁表面上に設けられた第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた線状の開口部を有する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜を覆って、前記第1の導電膜の端部と重なるように前記線状の開口部の底部に及んで設けられた一対の第2の導電膜と、前記線状の開口部内に設けられた有機半導体膜と、を有し、
前記第1の導電膜は複数の前記有機薄膜トランジスタで共有して設けられ、
前記基板の辺のうち、前記線状の開口部に平行で、かつ互いに対向する2辺にシール材が設けられたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項11又は14において、前記線状の開口部は信号線と平行に設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項11乃至14において、前記第1の導電膜は信号線と平行に設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項11乃至14において、前記第1の導電膜は信号線と交差して設けられていることを特徴とする半導体装置。
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JP2007214015A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Kokusai Kiban Zairyo Kenkyusho:Kk | 水及び酸素の捕捉剤、有機電子デバイス |
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JP5521270B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2014-06-11 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、および薄膜トランジスタアレイを用いたアクティブマトリクス型ディスプレイ |
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JP2009105258A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび表示装置 |
WO2009087793A1 (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | National Institute Of Japan Science And Technology Agency | 電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法、中間体及び第2中間体 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000269504A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
Family Cites Families (2)
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---|---|---|---|---|
JPH086041A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子およびその製造方法 |
US6033202A (en) * | 1998-03-27 | 2000-03-07 | Lucent Technologies Inc. | Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures |
-
2003
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000269504A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
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