JPH086041A

JPH086041A - 液晶表示素子およびその製造方法

Info

Publication number: JPH086041A
Application number: JP14013294A
Authority: JP
Inventors: Junko Asayama; 純子朝山; Kazuhiro Nishiyama; 和廣西山; Yukio Tanaka; 幸生田中; Akio Takimoto; 昭雄滝本; Kuni Ogawa; 久仁小川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-06-22
Filing date: 1994-06-22
Publication date: 1996-01-12

Abstract

(57)【要約】【目的】液晶の配向乱れを押え、均一で高コントラス
トな液晶表示素子を提供する。【構成】シール樹脂の第１の樹脂１０９に注入用の第
１の穴１１０と、第１の穴１１０と脱気用の第２の穴１
１１を設け、封止樹脂の第２の樹脂１１２により第１の
穴１１０及び第２の穴１１１を覆う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、反射型または透過型デ
ィスプレイに用いられる液晶表示装置、投写型ディスプ
レイ、ホログラフィ−テレビジョンまたは光演算装置に
用いられる空間光変調素子に関し、特に受光層部である
光導電層の画素表示部の高コントラスト化を実現できる
液晶表示素子およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】大画面、高密度画素からなる高品位テレ
ビが様々な方式で開発され実用化されている。中でも従
来のブラウン管（ＣＲＴ）方式に変わって、液晶技術を
使った投写型ディスプレイの開発が盛んである。ブラウ
ン管方式であると高密度画素に対して画面の輝度が低下
し暗くなる。また、ブラウン管自身、大型化が困難であ
る。一方、トランジスタ駆動方式の液晶素子による投写
型ディスプレイ装置は有力な方法ではあるが、開口率が
大きくならないこと、素子が高価であること等の問題が
ある。また、ＣＲＴを光入力装置とする液晶ライトバル
ブは従来より素子形状が簡単で且つＣＲＴと液晶素子の
利点を組み合わせた装置として注目されている（特開昭
６３−１０９４２２号公報）。

【０００３】近年は高感度な受光層アモルファスシリコ
ン材料と、液晶を組合せ１００インチ以上の大画面で動
画像を映し出すことが可能となった。また液晶材料も高
速応答可能な強誘電性液晶を用いて、より高解像度な液
晶ライトバルブができるようになった。この素子は強誘
電性液晶の持つメモリ−性と２値化特性を使い次世代の
並列演算装置、光コンピュ−ティング装置の核としても
期待されている。

【０００４】ところで、液晶層と光導電層とからなる空
間光変調素子または液晶ライトバルブにおいては、通
常、空間光変調素子の液晶部は真空注入法を用いて行っ
ている。真空注入法とは、２枚のガラス基板をシール樹
脂により張り合わせた（以下、「パネル」と記す）後、
高真空下に設置してパネル内の気体を排気する脱気を行
い、この後液晶が溶ける温度までパネルを加熱すると、
シール部に設けた注入口用の穴より液晶が溶けて注入さ
れ、パネル内に液晶が充填される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
真空注入法によれば、注入完了直後に配向乱れが生じ、
画像欠陥となった。これは、注入工程において、注入口
が液晶で埋まってしまうため、注入が進むほど未注入部
（まだ液晶の注入が進んでいない部分）に過大な圧力が
蓄積されるためである。更に、注入終了後の基板冷却時
にシール材料が収縮することによって、蓄積された圧力
が液晶層内の注入を押さえるように印加され、その結果
配向乱れを発生させると考えられる。また、パネル内と
パネル外との圧力差が大きいと、圧力差を小さくするた
めに排気能力の大きい真空装置を用いる必要があるた
め、コストが高くつく。また、注入速度が急速になる
と、パネル内に気泡が多数発生し、配向乱れが発生し画
像欠陥になるという欠点を有していた。

【０００６】本発明は上記課題を解決するもので、液晶
の配向乱れを押え、均一で高コントラストな液晶表示素
子およびその製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の液晶表示素子は、表面に第１の電極が形成
された第１の基板と、表面に第２の電極が形成された第
２の基板と、前記第１の電極及び第２の電極に設けられ
た配向膜と、前記配向膜間に空隙を形成するように第１
の基板および第２の基板を支持するスペーサーと、前記
配向膜間の空隙に設けられた液晶層と、前記液晶層を被
覆するように、前記第１の基板及び前記第２の基板の重
なり合う周辺部の間に形成され、前記２枚の基板を接着
する第１の樹脂と、前記第１の樹脂の一部分を貫通して
いる第１の穴と、前記第１の樹脂の他の一部分を貫通し
ている第２の穴と、前記第１の穴及び前記第２の穴を覆
う第２の樹脂とを備えた構成である。

【０００８】

【作用】前記本発明の構成によれば、シール部に第１の
穴と第２の穴の２つの穴が形成されている。液晶注入工
程において、第１の穴は液晶を注入するための注入口と
なる。第２の穴は、注入口と隣接しない位置、好ましく
は向かいあう位置に形成され、パネル内の脱気を行う。
パネルを真空装置に設定し、高真空に排気し、パネル内
の脱気を行った後、基板を加熱し液晶をとかし、真空装
置をリークして注入口より液晶を注入する。液晶がパネ
ル内に満たされていくに従って、残留する気体のため未
注入部の圧力が増すが、第２の穴に当たる脱気口よりパ
ネル内外の圧力差でこの残留する気体を押し出しながら
注入することになる。この結果、液晶が満たされた部分
は、液晶層厚を一定に保つことができる。

【０００９】また、脱気口は注入口と向かいあう位置に
設けられていると、注入は脱気口方向へ進み、注入終了
地点が脱気口となる。このため、注入最後まで脱気を行
うことができる。パネル内全体が液晶で満たされたら、
注入口と脱気口を樹脂により封止する。この時、基板が
冷却されるためシール樹脂が収縮するが、パネル内部に
かかっていた圧力は脱気口を通して残留気体が外部へ放
出されることで低下し、配向乱れを防ぐことができる。
よって、配向乱れを防止でき、画像欠陥を抑えることが
でき、良好な特性が得られる。

【００１０】また、脱気口を設けることにより脱気口よ
り残留気体が徐々に自然放出されるため、従来のような
急激に液晶が注入されることがなくなり、気泡が液晶層
に混在しなくなくなり、画像欠陥を抑えることができ
た。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における液
晶表示素子を模式的に示した図、図２から図７は本実施
例の液晶表示素子の製造方法の各工程（１）〜（６）を
模式的に示している図であって、(a),(d)は平面、(b),
(e)は側面からみた穴と側面のほぼ中央部分の断面、
(c),(f)は正面からみた液晶表示素子のほぼ中央部分の
断面の概略を示している。

【００１２】まず図１を用いて、本実施例の液晶表示素
子について説明する。図１に示すように液晶表示素子
は、一対の基板として、ガラス基板である第１の基板１
０１及び第２の基板１０２上に、透明導電性電極である
第１の電極１０３及び第２の電極１０４が形成され、さ
らに第１の電極１０３及び第２の電極１０４上に、液晶
を配向させるための配向膜１０５、１０６が形成され、
配向膜１０５、１０６の間の空隙には強誘電性液晶が注
入されて液晶層１０７が形成されている。配向膜１０
５、１０６の間の空隙は、スペーサー１０８によって所
定の間隔になるようにスペーサー１０８の径が決められ
ている。なお、スペーサー１０８の断面は便宜上、矩形
状となっているが、矩形状以外の形状でも良く、グラス
ファイバーなどの線状で断面が略円状のものを用いれ
ば、断面は略円状となり、その径とは、円の直径を表す
こととなる。

【００１３】ガラス基板の重なり合う部分には、スペー
サー１０８を含んだシール樹脂である第１の樹脂１０９
が形成されている。シール樹脂である第１の樹脂１０９
は、注入口である第１の穴１１０と脱気口である第２の
穴１１１とが貫通しており、これらの穴は封止樹脂であ
る第２の樹脂１１２により覆われている。以上のように
構成された液晶表示素子は、例えば図２から図７に示す
ような方法により得ることができる。

【００１４】図２に示すように、工程（１）で、６５ｍ
ｍ×５５ｍｍのガラス基板２０１、２０２上に、透明導
電性電極として０.０５μｍ〜０.５μｍ厚、インジウム
・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）等の透明電極材料をス
パッタ法を用いて透明導電性電極２０３、２０４を形成
する。各透明導電性電極２０３、２０４上にポリアミッ
ク酸をスピンコートにより塗布、２００℃、１時間の条
件で加熱することにより約２００Åのポリイミド高分子
膜を形成した。次に強誘電性液晶分子の配向が素子の厚
さ方向と平行になるように配向処理を施し、配向膜２０
５、２０６を形成する。配向処理はレーヨン樹脂布を用
いてラビング処理を行なった。

【００１５】次に、図３に示すように、工程（２）で、
ガラス基板２０１上にスペーサー１０８となる１．０μ
ｍのガラスファイバーを混合した熱硬化樹脂であるシー
ル樹脂２０７を、２つの開口部を除いてスクリ−ン印刷
（パターン幅０．４ｍｍ）する。１つの開口部は液晶の
注入口２０８で、もう一つは注入口２０８と向かい合う
ように形成される脱気口２０９である。樹脂内の溶媒を
除去するため、約９０℃雰囲気で３０分程度加熱する。

【００１６】次に図４に示すように、工程（３）で、も
う一方のガラス基板２０２の上に、イソプロピルアルコ
ールに約１．０μｍ直径の樹脂製等のビーズ２１０を混
合した溶液をスプレーにより分散して、ビーズ２１０を
ガラス基板２０２の全体に付着させる。

【００１７】次に図５に示すように、工程（４）で、こ
れら一対のガラス基板をはり合わせ真空袋に入れ、減圧
して密閉した後、内部を真空状態に保ちながら、約１５
０℃雰囲気で約２時間加熱し樹脂を硬化させる。次に、
組み合わせた２枚の基板（以下、パネルと記す）を真空
袋から取り出し、注入口２０８側の基板が重なり合った
角部分の２箇所に、液晶が脱気口２０９パネル内部へ流
入するのを防止するための流れ止め樹脂２１１を形成す
る。これは、ＵＶ硬化樹脂（ＬＣＢ−６１０、Ｅ.Ｈ.Ｃ
社製）を塗布し、ＵＶ照射装置により１００ｍＷ／ｃｍ
²、１０秒で樹脂を硬化させる。

【００１８】次に図６に示すように、工程（５）で、パ
ネルの注入口２０８の横に強誘電性液晶を塗布し、専用
の真空装置を用いて約０.１Torrの真空状態で液晶を脱
気した後、パネルを約１００℃で加熱し液晶を溶かす。
液晶がすべてとけ、注入口２０８を埋めるまで注入が進
んだ後、パネル上に膜厚分布に伴う干渉パターンが観察
できなくなる約２０Torrまで窒素ガスを導入しリークを
行うと、毛細管現象によりパネルの注入が進む。注入が
進み液晶が満たされた部分は均一な層厚をもち、未注入
部は脱気口より序々にリークされるため、パネルに干渉
が観察され基板間隙が膨らむが、注入が進むことにより
未注入部の空気を押し出しすため全体が均一な層厚をも
って強誘電性液晶２１２が充填される。

【００１９】図７に示すように、工程（６）で、液晶が
パネル内に満たされたら注入口２０８及び脱気口２０９
に、２液性硬化樹脂（主剤ＬＣＢ−３００：硬化剤ＬＣ
Ｂ−３６５＝１００：４４、Ｅ.Ｈ.Ｃ社製）を相転移温
度より低い温度になってから封止する。封止樹脂（第２
の樹脂）２１３が完全に硬化した後、液晶分子が均一配
向となるために、この素子を恒温槽にて液晶相転移温度
以上の、例えば約９０℃まで加熱し、１分間当り約０．
２℃の割合で室温まで徐冷した後、樹脂の開口部を樹脂
で密閉した。

【００２０】なお、液晶層の液晶材料は強誘電性液晶で
あるカイラルスメクティックＣ液晶を用いるのが好まし
い。また、出力光のコントラスト比を高くするために
は、本実施例の反射型空間光変調素子の場合、その厚み
は約１μｍに形成することが好ましい。このように、脱
気口（第２の穴）２０９を設けることにより、均一で高
コントラストな液晶表示素子を得ることができる。

【００２１】また、注入口（第１の穴）２０８は脱気口
（第２の穴）２０９より大きいことにより、パネル内の
圧力を安定にして注入が進むため、均一で高コントラス
トな特性を得ることができる。

【００２２】また、樹脂に含ませたグラスファイバー等
のスペーサーの径は、透明導電性電極（第１の電極）か
ら液晶層までの厚み、または透明導電性電極（第２の電
極）から液晶層までの厚みより厚いことにより、液晶層
厚を一定に保つことができ、高コントラストな液晶表示
素子が得られる。

【００２３】また、脱気口２０９を予め樹脂によりふさ
いで注入を行い、液晶がパネル全面にいきわたったら、
脱気口２０９の樹脂を取り除くことにより、パネル内部
の圧力を外へ逃がし、更に完全に液晶を満たらせること
ができ、均一な層厚の液晶表示素子を得ることができ
る。

【００２４】また、熱収縮によりパネル内部の圧力が高
くなるが、パネル内部の圧力を脱気口２０９から除去し
た後、つまり、基板の温度が液晶の層転移温度より低く
なった時に封じ樹脂を塗布する工程によって、液晶層厚
を均一に保つことができる。

【００２５】また、注入口２０８と脱気口２０９の位置
は、シール樹脂２０７の形状にもよるが、図２〜図７の
ように矩形状となる場合は、図に示すように互いに向か
いあう位置に設けるのが好ましいが、多少のずれは許容
される。また、向かいあっていなくても、隣接した位置
にないようにするのが好ましいことはいうまでもなく、
矩形状以外の形状であっても、隣接した位置にないよう
にするのが好ましいことはいうまでもない。

【００２６】次に、本発明の他の実施例について、図８
を説明しながら説明する。図８は本発明の他の実施例に
おける液晶表示素子を模式的に示す図で、(a)は平面、
(b)は側面からみた断面であって、穴と側面との間のほ
ぼ中央部分の断面、(c)は正面からみた断面であって、
液晶表示素子のほぼ中央部分の断面を示している。

【００２７】本実施例の空間光変調素子は、一対のガラ
ス基板３０１及び３０２上に、各々形成された透明導電
性電極３０３及び３０４と、その間に挟まれた強誘電性
液晶３０７とを備えている。一方の基板には光導電層３
０５を有している。ガラス基板の重なり合う部分には、
スペーサー３１０を含んだシール樹脂（第１の樹脂）３
１１が形成されている。シール樹脂３１１には、注入口
（第１の穴）３１２と脱気口（第２の穴）３１３とが設
けられ、封止樹脂（第２の樹脂）３１４により覆われて
いる。

【００２８】書き込み光は、光導電層３０５に情報を書
き込むために使用し、第１の基板３０１の下方から照射
される。読み出し光は、強誘電性液晶３０７に書き込ま
れた情報を読み出すために使用され、偏光子（図示せ
ず）により直線偏光された後に第２の基板３０２の下方
から照射される。読み出し光は強誘電性液晶３０７を通
過し、分離された画素の反射膜３０６で反射した後、再
び強誘電性液晶３０７を通過し、液晶表示素子の外側に
でる。その後、検光子（図示せず）を通り、出力光とな
る。このようにして、強誘電性液晶３０７に書き込まれ
た情報が読みだされる。

【００２９】この液晶表示素子は、例えば、以下のよう
な方法で形成することができる。ガラス基板３０１上
に、透明導電性電極として０.０５μｍ〜０.５μｍ厚、
インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）等の透明電
極材料をスパッタ法を用いて透明導電性電極３０３を形
成する。

【００３０】光導電層３０５としてｐ／ｉ／ｎダイオー
ド構造の水素化アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：
Ｈと称する）膜を、それぞれボロン４００ｐｐｍを添加
したｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を１０００Å、無添加のｉ型ａ
−Ｓｉ：Ｈ膜を１．７μｍ、リンを５０ｐｐｍ添加した
ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を２０００Åと全膜厚２μｍ程度に
なるように、プラズマＣＶＤ法を用いて積層して形成す
る。

【００３１】尚、光導電層に使用する他の材料として
は、例えば、ＣｄＳ，ＣｄＴｅ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳ，Ｚ
ｎＳｅ，ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓ，Ｉ
ｎＰ等の化合物半導体、Ｓｅ，ＳｅＴｅ，ＡｓＳｅなど
の非晶質半導体、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｉ_1-xＣ_x，Ｓｉ_1-xＧ
ｅ_x，Ｇｅ_1-xＣ_x（０＜ｘ＜１）の多結晶または非晶質
半導体、また、（１）フタロシアニン顔料（以下「Ｐ
ｃ」と略す）、例えば、無金属Ｐｃ，ＸＰｃ（Ｘ＝Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＴｉＯ，Ｍｇ，Ｓｉ（ＯＨ）₂な
ど）、ＡｌＣｌＰｃＣｌ，ＴｉＯＣｌＰｃＣｌ，ＩｎＣ
ｌＰｃＣｌ，ＩｎＣｌＰｃ，ＩｎＢｒＰｃＢｒなど、
（２）モノアゾ色素，ジスアゾ色素等のアゾ系色素、
（３）ペニレン酸無水化物およびペニレン酸イミドなど
のペニレン系顔料、（４）インジゴイド染料、（５）キ
ナクリドン顔料、（６）アントラキノン類、ピレンキノ
ン類などの多環キノン類、（７）シアニン色素、（８）
キサンテン染料、（９）ＰＶＫ／ＴＮＦなどの電荷移動
錯体、（１０）ビリリウム塩染料とポリカーボネイト樹
脂から形成される共晶錯体、（１１）アズレニウム塩化
合物など有機半導体等がある。また、非晶質のＳｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｉ_1-xＣ_x，Ｓｉ_1-xＧｅ_x，Ｇｅ_1-xＣ_x（以下、ａ
−Ｓｉ，ａ−Ｇｅ，ａ−Ｓｉ_1-xＣ_x，ａ−Ｓｉ_1-xＧ
ｅ_x，ａ−Ｇｅ_1-xＣ_xのように略す）を光導電層に使用
する場合は、水素またはハロゲン元素を含めることも好
ましく、誘電率を小さくする目的および抵抗率を増加す
る目的で、酸素または窒素を含めても好ましい。

【００３２】抵抗率を制御するために、ｐ型不純物であ
るＢ，Ａｌ，Ｇａ等の元素を添加するか、またはｎ型不
純物であるＰ，Ａｓ，Ｓｂなどの元素を添加することも
好ましい。このように不純物を添加した非晶質材料を積
層してｐ／ｎ型，ｐ／ｉ型，ｉ／ｎ型，ｐ／ｉ／ｎ型な
どの接合を形成し、光導電層内に空乏層を形成すること
により、誘電率および暗抵抗または動作電圧極性を制御
ことが可能である。また、非晶質材料だけでなく、上記
の材料を２種類以上積層してヘテロ接合を形成すること
によって、光導電層内に空乏層を形成してもよい。

【００３３】次に、光導電層３０５の面上にクロム等の
金属膜を抵抗加熱蒸着法等により、２０００Å成膜し、
フォトリソグラフィーを用いて、２０μｍ角、２５μｍ
ピッチ、１０００×１０００画素の約２μｍ厚のレジス
トパターンを形成し、過塩素酸等を含むエッチャントに
よりエッチングした後、発煙硝酸によりレジストを除去
し、第１の画素電極（反射膜３０６）を形成した。この
第１の画素電極をエッチングマスクとして酸素とフッ化
炭素の混合ガスをマイクロ波を用いて励起した等方性ド
ライエッチング法によって、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を１.３μ
ｍの溝を設けた。この後、基板全面に再びアルミニウム
を３０００Å蒸着すると、第２の画素電極（反射膜３０
６）、出力遮光層が形成できる。

【００３４】次に、各基板上にポリアミック酸をスピン
コートにより塗布し、２００℃、１時間の条件で加熱す
ることにより約２００Åのポリイミド高分子膜を形成し
た。次に強誘電性液晶分子の配向が素子の厚さ方向と平
行になるように配向処理を施し、配向膜３０８、３０９
を形成する。配向処理はレーヨン樹脂布を用いてラビン
グ処理を行なった。次に、もう一方のガラス基板３０２
の上には、イソプロピルアルコールに約１．０μｍ直径
の樹脂製等のビーズを混合した溶液をスプレーにより分
散して、ビーズを全体に付着させる。

【００３５】次に、透明導電性電極３０４上に１．０μ
ｍのガラスファイバーを混合した熱硬化樹脂を、２つの
開口部を除いて光導電層全体を包囲するようにスクリ−
ン印刷（パターン幅０．４ｍｍ）する。１つの開口部は
液晶の注入口３１２で、もう一つは注入口３１２と向か
い合うように形成される脱気口３１３である。樹脂の溶
媒を除去するため、約９０℃雰囲気で３０分程度加熱す
る。以下の工程は、図５から図７の工程（４）〜（６）
の製造方法と同じである。

【００３６】このような構造の空間光変調素子におい
て、液晶を注入すると、注入を進めながらパネル内部の
空気を脱気口３１３から押し出すことができ、液晶層厚
を均一に保つことができ、高コントラストで良好な特性
を得ることができる。

【００３７】本実施例に示す空間光変調素子を投写型デ
ィスプレイとして組み込んだ場合の実施例について、図
９を用いて説明する。図９に本実施例の投写型ディスプ
レイ装置の模式図を示す。

【００３８】本実施例の空間光変調素子４０１に光書き
込みをＣＲＴディスプレイ４０２によって行う。素子の
画素数は縦４８０、横６５０である。読み出しの為の光
源であるメタルハライドランプ４０５からの光をコンデ
ンサ−レンズ４０４で集め偏光ビ−ムスプリッタ４０３
によって照射する。出力像はレンズ４０６で拡大されス
クリ−ン４０７に映し出される。ＣＲＴ画面上の各ドッ
トが空間光変調素子４０１の分離された画素内に書き込
まれると、スクリ−ン４０７上では四角形状に変換され
る。開口率は８０％と大きく明るい画像が得られ、１０
０インチ相当の大きさに拡大した像はスクリ−ン上で１
０００ル−メン以上の照度が得られる。画像はコントラ
スト２００：１、解像度は縦方向６５０本ＴＶライン数
が確認された。動画像を出力したところビデオレ−トの
動きに対して残像はなく鮮明な高輝度画像が得られた。

【００３９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、液晶表示
素子の樹脂部に注入用穴と脱気用穴とを設けることによ
り、液晶が配向乱れすることなく注入することができ、
画素表示部のコントラストを向上することができ、良好
な液晶ディスプレイ、投射型ディスプレイ、ホログラフ
ィーテレビジョンなどを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(a)は本発明の一実施例における液晶表示素子
を模式的に示す平面図 (b)は同側面からみた断面図 (c)は同正面からみた断面図

【図２】(a)は本発明の一実施例における液晶表示素子
の製造方法の工程（１）を模式的に示す第１の基板の平
面図 (b)は同側面からみた断面図 (c)は同正面からみた断面図 (d)は同第２の基板の平面図 (e)は同側面からみた断面図 (f)は同正面からみた断面図

【図３】(a)は同製造方法の工程（２）を模式的に示す
平面図 (b)は同側面からみた断面図 (c)は同正面からみた断面図

【図４】(a)は同製造方法の工程（３）を模式的に示す
平面図 (b)は同側面からみた断面図 (c)は同正面からみた断面図

【図５】(a)は同製造方法の工程（４）を模式的に示す
平面図 (b)は同側面からみた断面図 (c)は同正面からみた断面図

【図６】(a)は同製造方法の工程（５）を模式的に示す
平面図 (b)は同側面からみた断面図 (c)は同正面からみた断面図

【図７】(a)は同製造方法の工程（６）を模式的に示す
平面図 (b)は同側面からみた断面図 (c)は同正面からみた断面図

【図８】(a)は本発明の他の実施例における液晶表示素
子を模式的に示す平面図 (b)は同側面からみた断面図 (c)は同正面からみた断面図

【図９】本発明の液晶表示素子を用いて作製した投射型
ディスプレイ装置を示す図

【符号の説明】

１０１第１の基板（ガラス基板）１０２第２の基板（ガラス基板）１０３第１の電極（透明導電性電極）１０４第２の電極（透明導電性電極）１０５配向膜１０６配向膜１０７液晶層（強誘電性液晶）１０８スペーサー１０９第１の樹脂（シール樹脂）１１０第１の穴（注入口）１１１第２の穴（脱気口）１１２第２の樹脂（封止樹脂）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者滝本昭雄大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者小川久仁大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に第１の電極が形成された第１の基板
と、表面に第２の電極が形成された第２の基板と、前記
第１の電極及び第２の電極に設けられた配向膜と、前記
配向膜間に空隙を形成するように第１の基板および第２
の基板を支持するスペーサーと、前記配向膜間の空隙に
設けられた液晶層と、前記液晶層を被覆するように、前
記第１の基板及び前記第２の基板の重なり合う周辺部の
間に形成され、前記２枚の基板を接着する第１の樹脂
と、前記第１の樹脂の一部分を貫通している第１の穴
と、前記第１の樹脂の他の一部分を貫通している第２の
穴と、前記第１の穴及び前記第２の穴を覆う第２の樹脂
とを備えたことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】第１の穴は、第２の穴より大きいことを特
徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】スペーサーの径は、第１の電極から液晶層
までの厚みまたは第２の電極から液晶層までの厚みより
厚いことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項４】２枚の基板上に各々電極を形成し、前記２
枚の電極上に各々有機高分子膜を形成し、前記有機高分
子膜を各々配向処理を施し、片側の基板上周辺に樹脂を
形成し、樹脂の一部に注入口と脱気口の２つの穴を設
け、前記電極面を対向させるように２枚の基板を組合
せ、前記脱気口をシール剤で塞ぎ、脱気し、基板を加熱
し、前記注入口より液晶を注入して、前記液晶を基板全
面に満たし、大気圧に戻し、前記脱気口のシール剤を取
り外し、前記注入口及び前記脱気口を樹脂により封じる
工程を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【請求項５】封止樹脂は、基板の温度が液晶の相転移温
度より低下した時に塗布することを特徴とする請求項４
記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項６】第１の基板と、前記第１の基板上の第１の
電極と、前記第１の電極に電気的に接続された光導電層
であって、複数の画素部分と、前記複数の画素部分の間
にある画素間部分とを有し、前記画素部分の各々が前記
画素間部分により電気的に実質的に分離されている光導
電層と、前記光導電層の前記画素部分に電気的に接続さ
れ、しかも相互に電気的に分離された複数の反射膜と、
前記第１の基板と向かい合う第２の基板と、前記第２の
基板上に積層される第２の電極と、前記複数の反射膜と
前記第２の電極との間にある液晶層と、前記液晶層を覆
うように前記第１の基板及び前記第２の基板の重なり合
う周辺部を覆い、前記第１の基板と第２の基板を支持し
接着する第１の樹脂と、前記第１の樹脂の一部分で貫通
している第１の穴と、前記第１の樹脂の他の一部分で貫
通している第２の穴と、前記第１の穴に向かい合うよう
に前記第１の穴及び前記第２の穴を覆う第２の樹脂とを
備え、前記光導電層の前記画素部分の各々は、前記反射
膜と前記第１の電極との間に整流性を有する液晶表示素
子。