JP3070252B2 - 空間光変調素子および表示装置 - Google Patents
空間光変調素子および表示装置Info
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- JP3070252B2 JP3070252B2 JP4136581A JP13658192A JP3070252B2 JP 3070252 B2 JP3070252 B2 JP 3070252B2 JP 4136581 A JP4136581 A JP 4136581A JP 13658192 A JP13658192 A JP 13658192A JP 3070252 B2 JP3070252 B2 JP 3070252B2
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- light
- spatial light
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投写型ディスプレイ、
ホログラフィ−テレビジョンあるいは光演算装置に用い
られる空間光変調素子に関するものである。
ホログラフィ−テレビジョンあるいは光演算装置に用い
られる空間光変調素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】大画面、高密度画素からなる高品位テレ
ビが様々な方式で開発され実用化されている。中でも従
来のブラウン管方式に変わって液晶技術を使った投写型
ディスプレイの開発が盛んである。ブラウン管方式であ
ると高密度画素に対して画面の輝度が低下し暗くなる。
叉ブラウン管自身、大型化が困難である。トランジスタ
駆動方式の液晶素子による投写型ディスプレイ装置は有
力な方法ではあるが、開口率が大きくならないこと、素
子が高価であることが欠点として上げられている。一方
ＣＲＴを入力装置として液晶ライトバルブと組み合わせ
た方式は従来より素子形状が簡単で且つＣＲＴと液晶素
子の利点を組み合わせた装置として注目されている。
（特開昭６３−１０９４２２）近年は高感度な受光層ア
モルファスシリコン材料と、液晶を組合せ１００インチ
以上の大画面で動画像を映し出すことが可能となった。
また液晶材料も高速応答可能な強誘電性液晶を用いて、
より高解像度な液晶ライトバルブができるようになっ
た。この素子は強誘電性液晶の持つメモリ−性と２値化
特性を使い次世代の並列演算装置、光コンピュ−ティン
グ装置の核としても期待されている。
ビが様々な方式で開発され実用化されている。中でも従
来のブラウン管方式に変わって液晶技術を使った投写型
ディスプレイの開発が盛んである。ブラウン管方式であ
ると高密度画素に対して画面の輝度が低下し暗くなる。
叉ブラウン管自身、大型化が困難である。トランジスタ
駆動方式の液晶素子による投写型ディスプレイ装置は有
力な方法ではあるが、開口率が大きくならないこと、素
子が高価であることが欠点として上げられている。一方
ＣＲＴを入力装置として液晶ライトバルブと組み合わせ
た方式は従来より素子形状が簡単で且つＣＲＴと液晶素
子の利点を組み合わせた装置として注目されている。
（特開昭６３−１０９４２２）近年は高感度な受光層ア
モルファスシリコン材料と、液晶を組合せ１００インチ
以上の大画面で動画像を映し出すことが可能となった。
また液晶材料も高速応答可能な強誘電性液晶を用いて、
より高解像度な液晶ライトバルブができるようになっ
た。この素子は強誘電性液晶の持つメモリ−性と２値化
特性を使い次世代の並列演算装置、光コンピュ−ティン
グ装置の核としても期待されている。
【０００３】３次元立体動画映像を眼鏡なしに見ること
のできる装置としてホログラフィ−テレビジョンが注目
されている。特に書換え可能なホログラム記録媒体とし
て液晶表示素子が期待されている。現在のトランジスタ
駆動方式の液晶素子の解像度は１２〜２５ｌｐ／ｍｍで
あり、今後２００ｌｐ／ｍｍが実現されることが望まれ
ている。
のできる装置としてホログラフィ−テレビジョンが注目
されている。特に書換え可能なホログラム記録媒体とし
て液晶表示素子が期待されている。現在のトランジスタ
駆動方式の液晶素子の解像度は１２〜２５ｌｐ／ｍｍで
あり、今後２００ｌｐ／ｍｍが実現されることが望まれ
ている。
【０００４】表示素子或は光演算素子にとって、より多
数の情報を扱う素子が必要になる場合、その情報を高密
度に表示することが重要となる。強誘電性液晶層と光導
電層らなる光書き込み型空間光変調素子の解像度は数十
〜百数十ｌｐ／ｍｍとなることが報告されている。（応
用物理学会予稿集 １９９０年 ２６ａ−Ｈ−９）従来
の空間光変調素子構造の延長では高密度化に伴う界面エ
ネルギ−の増加の抑制は困難であり、表示素子における
限界解像度を律則する。
数の情報を扱う素子が必要になる場合、その情報を高密
度に表示することが重要となる。強誘電性液晶層と光導
電層らなる光書き込み型空間光変調素子の解像度は数十
〜百数十ｌｐ／ｍｍとなることが報告されている。（応
用物理学会予稿集 １９９０年 ２６ａ−Ｈ−９）従来
の空間光変調素子構造の延長では高密度化に伴う界面エ
ネルギ−の増加の抑制は困難であり、表示素子における
限界解像度を律則する。
【０００５】液晶層と光導電層からなる空間光変調素子
において、各画素に当たる微小形状の金属反射電極に照
射される読みだし光がクロストークの原因となる。この
漏れ光を押さえるため、液晶層と光導電層からなる空間
光変調素子あるいは液晶ライトバルブに於て遮光膜を設
けることが重要になる。
において、各画素に当たる微小形状の金属反射電極に照
射される読みだし光がクロストークの原因となる。この
漏れ光を押さえるため、液晶層と光導電層からなる空間
光変調素子あるいは液晶ライトバルブに於て遮光膜を設
けることが重要になる。
【０００６】液晶層と光導電層からなる空間光変調素子
あるいは液晶ライトバルブにおいて、微小電極と遮光膜
を設ける従来例として特開昭６２−４０４３０号公報、
６２−１６９１２０号公報に示すものがある。微小電極
は多層誘電体薄膜の反射層に対して製造が容易であるこ
とと、入射角度依存性の無いこと及び反射能が高いこと
が上げられる。また投写型ディスプレイの空間光変調素
子として用いられた場合は、開口率が大きく画素形状が
鮮明であることから高品位なテレビ画像が得られる。こ
の素子に於いて遮光膜は変調を受ける入射光が出力光に
重畳されるのを防ぐために設けられる入力遮光膜と、読
み出し光が光導電層に漏れ込んで、スイッチングさせる
のを防ぐ出力遮光膜の２種類が必要である。これらの遮
光層が光導電層と反射層の間に設けられる場合は、電気
絶縁性の膜が使われる。直接透明性電極上に設けられる
場合は電気絶縁性である必要はない。
あるいは液晶ライトバルブにおいて、微小電極と遮光膜
を設ける従来例として特開昭６２−４０４３０号公報、
６２−１６９１２０号公報に示すものがある。微小電極
は多層誘電体薄膜の反射層に対して製造が容易であるこ
とと、入射角度依存性の無いこと及び反射能が高いこと
が上げられる。また投写型ディスプレイの空間光変調素
子として用いられた場合は、開口率が大きく画素形状が
鮮明であることから高品位なテレビ画像が得られる。こ
の素子に於いて遮光膜は変調を受ける入射光が出力光に
重畳されるのを防ぐために設けられる入力遮光膜と、読
み出し光が光導電層に漏れ込んで、スイッチングさせる
のを防ぐ出力遮光膜の２種類が必要である。これらの遮
光層が光導電層と反射層の間に設けられる場合は、電気
絶縁性の膜が使われる。直接透明性電極上に設けられる
場合は電気絶縁性である必要はない。
【０００７】一方我々は遮光層を形成する以下の方法を
提案している。 １） 光導電層と強誘電性液晶層、反射膜とで構成され
る空間光変調素子において、光導電層上に一様に金属反
射膜を形成し、その上に一様に高分子配向膜を形成す
る。微小形状の画素パタ−ンをレジスト膜で前記した一
様な高分子膜上に形成し、画素間の配向膜を除去する。
続いて陽極酸化法によって画素間の金属反射膜を酸化絶
縁膜として遮光膜を形成する方法である。
提案している。 １） 光導電層と強誘電性液晶層、反射膜とで構成され
る空間光変調素子において、光導電層上に一様に金属反
射膜を形成し、その上に一様に高分子配向膜を形成す
る。微小形状の画素パタ−ンをレジスト膜で前記した一
様な高分子膜上に形成し、画素間の配向膜を除去する。
続いて陽極酸化法によって画素間の金属反射膜を酸化絶
縁膜として遮光膜を形成する方法である。
【０００８】２）或は、光導電層と液晶層、及びそれら
の層間の同一平面内に微小形状に分割された金属反射膜
とで構成される空間光変調素子において、金属からなる
出力遮光膜をこの微小形状の金属反射膜とは異なる平面
内に設ける構造とする方法である。
の層間の同一平面内に微小形状に分割された金属反射膜
とで構成される空間光変調素子において、金属からなる
出力遮光膜をこの微小形状の金属反射膜とは異なる平面
内に設ける構造とする方法である。
【０００９】３）少なくとも光導電層と液晶層、及び微
小形状に分割された金属反射膜と、それら全ての金属反
射膜と電気的に分離された金属からなる出力遮光膜から
なる空間光変調素子において、前記各々の分離された金
属反射膜の一部と前記出力遮光膜の一部が絶縁層を介し
て接するものとする。
小形状に分割された金属反射膜と、それら全ての金属反
射膜と電気的に分離された金属からなる出力遮光膜から
なる空間光変調素子において、前記各々の分離された金
属反射膜の一部と前記出力遮光膜の一部が絶縁層を介し
て接するものとする。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】電気絶縁性材料で一様
な遮光膜を光導電層と反射層の間に設置する構造（例え
ば特開昭６２−４０４３０号公報における素子構造）
は、入力遮光膜と出力遮光膜を兼用する。この場合製造
方法は容易であるが、光導電層と金属反射面の間に絶縁
層が介在し、駆動時の電荷蓄積による光導電特性、スイ
ッチング特性の劣化を伴う。一方画素に相当する部分に
遮光膜の存在しない素子構造、例えば特開昭６２−１６
９１２０号公報の第３図あるいは第６図は電気的絶縁層
の介在はない。しかし遮光膜形成には導電性の材料は不
向きであり、従って高分子中に色素あるいはカ−ボンを
含有させたものが用いられる。一般に含有量の増加に伴
って遮光度は増加するが高分子に対する含有量は膜形成
のための条件から上限があり、遮光度も限界がある。金
属薄膜を遮光膜と用いた場合、遮光度は膜厚数千Åで可
視光領域全域に渡ってほぼ完全に遮光することが可能で
ある。しかし出力光側の遮光層としては導電層を用いる
ことのできない素子構造であった。また前記した陽極酸
化膜を遮光膜で設ける場合も遮光度が不足する。
な遮光膜を光導電層と反射層の間に設置する構造（例え
ば特開昭６２−４０４３０号公報における素子構造）
は、入力遮光膜と出力遮光膜を兼用する。この場合製造
方法は容易であるが、光導電層と金属反射面の間に絶縁
層が介在し、駆動時の電荷蓄積による光導電特性、スイ
ッチング特性の劣化を伴う。一方画素に相当する部分に
遮光膜の存在しない素子構造、例えば特開昭６２−１６
９１２０号公報の第３図あるいは第６図は電気的絶縁層
の介在はない。しかし遮光膜形成には導電性の材料は不
向きであり、従って高分子中に色素あるいはカ−ボンを
含有させたものが用いられる。一般に含有量の増加に伴
って遮光度は増加するが高分子に対する含有量は膜形成
のための条件から上限があり、遮光度も限界がある。金
属薄膜を遮光膜と用いた場合、遮光度は膜厚数千Åで可
視光領域全域に渡ってほぼ完全に遮光することが可能で
ある。しかし出力光側の遮光層としては導電層を用いる
ことのできない素子構造であった。また前記した陽極酸
化膜を遮光膜で設ける場合も遮光度が不足する。
【００１１】続いて我々が提案する、金属からなる出力
遮光膜と、これらの微小形状の金属反射膜とを異なる平
面内に設ける構造によって光導電層を金属薄膜で覆う場
合、簡単な製造方法で遮光を達成することが可能となっ
た。しかし、これらの金属反射面の形成される平面の間
から光導電層に漏れ入ってくる読みだし光を有効に遮断
するには、これら二つの平面の段差を極力小さくするこ
とが必要である。この段差を薄くするためには薄い絶縁
膜を導入する第３の提案が有効であるが、通常光学的に
は可視光に透明であるため、画素間の出力遮光膜からの
反射光は大きく画素間の状態を黒に設定するための手段
が必要となる。
遮光膜と、これらの微小形状の金属反射膜とを異なる平
面内に設ける構造によって光導電層を金属薄膜で覆う場
合、簡単な製造方法で遮光を達成することが可能となっ
た。しかし、これらの金属反射面の形成される平面の間
から光導電層に漏れ入ってくる読みだし光を有効に遮断
するには、これら二つの平面の段差を極力小さくするこ
とが必要である。この段差を薄くするためには薄い絶縁
膜を導入する第３の提案が有効であるが、通常光学的に
は可視光に透明であるため、画素間の出力遮光膜からの
反射光は大きく画素間の状態を黒に設定するための手段
が必要となる。
【００１２】一方、フルカラ−の投写型ディスプレイ装
置を構成するとき、読みだし光としてＲ，Ｇ，Ｂ３原色
を別個の空間光変調素子に照射してスクリ−ン上で再合
成する方式が高精細で色相の良い画像が得られる。大型
で明るい画面を作るには、遮光度の高い遮光膜同様に、
画素間の黒を出すことが重要である。
置を構成するとき、読みだし光としてＲ，Ｇ，Ｂ３原色
を別個の空間光変調素子に照射してスクリ−ン上で再合
成する方式が高精細で色相の良い画像が得られる。大型
で明るい画面を作るには、遮光度の高い遮光膜同様に、
画素間の黒を出すことが重要である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】少なくとも光導電層、液
晶層、微小形状に分割された金属反射膜と、それら全て
の金属反射膜と電気的に分離された金属の出力遮光膜と
からなる空間光変調素子において、前記各々の分離され
た金属反射膜の一部と前記出力遮光膜の一部が有機高分
子膜を介して接するものとする。この有機高分子に特定
の波長域の光を吸収する炭素或は有機色素或は無機物質
を含有する。
晶層、微小形状に分割された金属反射膜と、それら全て
の金属反射膜と電気的に分離された金属の出力遮光膜と
からなる空間光変調素子において、前記各々の分離され
た金属反射膜の一部と前記出力遮光膜の一部が有機高分
子膜を介して接するものとする。この有機高分子に特定
の波長域の光を吸収する炭素或は有機色素或は無機物質
を含有する。
【００１４】吸収波長領域の互いに異なる有機色素を含
有する前記有機高分子を含む複数の空間光変調素子から
構成される投射型ディスプレイ装置とする。
有する前記有機高分子を含む複数の空間光変調素子から
構成される投射型ディスプレイ装置とする。
【００１５】
【作用】金属反射膜と出力遮光膜の間に接する様に有機
高分子層を設けることで、電気的に分離することができ
る。遮光膜と金属反射膜の間、有機高分子層から漏れ光
が光導電層に到達する程度はその有機高分子層の厚みと
吸収係数によって変わる。開口率の大きな素子構成は金
属反射膜を大きくする事で可能である。この有機高分子
に特定の波長域の光を吸収する炭素或は有機色素或は無
機物質を含有することによって、読みだし光の光導電層
への漏れを吸収によって光量を減少し防ぎ、また出力遮
光膜で反射して出力光となる成分を減少させて画素間の
反射光強度を弱めることができる。
高分子層を設けることで、電気的に分離することができ
る。遮光膜と金属反射膜の間、有機高分子層から漏れ光
が光導電層に到達する程度はその有機高分子層の厚みと
吸収係数によって変わる。開口率の大きな素子構成は金
属反射膜を大きくする事で可能である。この有機高分子
に特定の波長域の光を吸収する炭素或は有機色素或は無
機物質を含有することによって、読みだし光の光導電層
への漏れを吸収によって光量を減少し防ぎ、また出力遮
光膜で反射して出力光となる成分を減少させて画素間の
反射光強度を弱めることができる。
【００１６】
【実施例】図１の本発明の空間光変調素子の断面図に従
って作用を説明する。本発明の空間光変調素子１１９は
書き込み光１２０で光導電層のアモルファスシリコン受
光層１０７に情報を書き込む。書き込み光１２０の強度
に応じて受光層１０７の電気抵抗は減少し、各画素に相
当する微小形状の金属反射膜１１０と対抗する透明導電
性電極１１５に挟まれた液晶層１１３に印加される電圧
が増大する。この電圧の大きさに応じて液晶層１１３の
配向が変化する。この液晶層を通過する直線偏光の読み
出し光１２２は、各画素の金属反射膜１１０で反射し再
び液晶層を通過した後、検光子１２４を通り、出力光１
２１で、その光強度変化が読み出される。読み出し光１
２２の照射に依って光導電層１０７がスイッチングしな
いように遮光膜を光導電層１０７上に設ける必要があ
る。各画素においては、金属反射膜１１０が遮光膜を兼
ねる。一方画素間は遮光膜として出力遮光膜１０８を設
ける。尚入射側には画素間の入射光の漏れによるクロス
ト−クと読みだし側への漏れを防ぐために入力遮光膜１
０２を設ける。図１の様に金属反射膜１１０と出力遮光
膜１０８の間に接する様に有機高分子層１０９を設ける
ことで、電気的に分離することができる。出力遮光膜１
０８が金属反射膜１１０の下部に入り込むほど遮光度は
良くなる。遮光膜１０８と金属反射膜１１０の間、有機
高分子層１０９から漏れ光が光導電層１０７に到達する
程度はその有機高分子層の厚みと吸収係数によって変わ
る。開口率の大きな素子構成は金属反射膜１１０を大き
くする事で可能である。この有機高分子に特定の波長域
の光を吸収する炭素或は有機色素或は無機物質を含有す
ることによって、（１）読みだし光の光導電層への漏れ
を吸収によって光量を減少し防ぐ（２）出力遮光膜で反
射して出力光となる成分を減少させて画素間の反射光強
度を弱める。この二つの作用がある。
って作用を説明する。本発明の空間光変調素子１１９は
書き込み光１２０で光導電層のアモルファスシリコン受
光層１０７に情報を書き込む。書き込み光１２０の強度
に応じて受光層１０７の電気抵抗は減少し、各画素に相
当する微小形状の金属反射膜１１０と対抗する透明導電
性電極１１５に挟まれた液晶層１１３に印加される電圧
が増大する。この電圧の大きさに応じて液晶層１１３の
配向が変化する。この液晶層を通過する直線偏光の読み
出し光１２２は、各画素の金属反射膜１１０で反射し再
び液晶層を通過した後、検光子１２４を通り、出力光１
２１で、その光強度変化が読み出される。読み出し光１
２２の照射に依って光導電層１０７がスイッチングしな
いように遮光膜を光導電層１０７上に設ける必要があ
る。各画素においては、金属反射膜１１０が遮光膜を兼
ねる。一方画素間は遮光膜として出力遮光膜１０８を設
ける。尚入射側には画素間の入射光の漏れによるクロス
ト−クと読みだし側への漏れを防ぐために入力遮光膜１
０２を設ける。図１の様に金属反射膜１１０と出力遮光
膜１０８の間に接する様に有機高分子層１０９を設ける
ことで、電気的に分離することができる。出力遮光膜１
０８が金属反射膜１１０の下部に入り込むほど遮光度は
良くなる。遮光膜１０８と金属反射膜１１０の間、有機
高分子層１０９から漏れ光が光導電層１０７に到達する
程度はその有機高分子層の厚みと吸収係数によって変わ
る。開口率の大きな素子構成は金属反射膜１１０を大き
くする事で可能である。この有機高分子に特定の波長域
の光を吸収する炭素或は有機色素或は無機物質を含有す
ることによって、（１）読みだし光の光導電層への漏れ
を吸収によって光量を減少し防ぐ（２）出力遮光膜で反
射して出力光となる成分を減少させて画素間の反射光強
度を弱める。この二つの作用がある。
【００１７】この方法によれば、図１０に示す空間光変
調素子の従来構造に対して、金属反射膜間の書き込み光
を遮光でき、光導電層におけるクロストークが低減され
る。また画像は画素間のブラックマトリックスが実現さ
れ鮮明になる。
調素子の従来構造に対して、金属反射膜間の書き込み光
を遮光でき、光導電層におけるクロストークが低減され
る。また画像は画素間のブラックマトリックスが実現さ
れ鮮明になる。
【００１８】図８にＲ，Ｇ，Ｂの空間光変調素子のそれ
ぞれに使用される有機色素含有の高分子膜の透過率分光
特性を照射される光の３成分と併せて示した。照射され
る光の成分に併せて色素を選択することによって、黒を
確実に表現できるブラックマトリックスが得られる。
ぞれに使用される有機色素含有の高分子膜の透過率分光
特性を照射される光の３成分と併せて示した。照射され
る光の成分に併せて色素を選択することによって、黒を
確実に表現できるブラックマトリックスが得られる。
【００１９】本発明のより具体的な実施例について以下
に説明する。 （実施例１）図１の構造図に示す本発明の空間光変調素
子を図２および図３に示す製造方法に従って作製した。
図２の工程（１）で１.１ｍｍのガラス基板上２０１
に、アルミニウムまたはニクロムの単層、またはニクロ
ム上にアルミを形成した２層からなる１０００Å程度の
金属層を抵抗加熱法または電子ビーム（以下、ＥＢと称
する）法により蒸着し、フォトリソグラフィーによっ
て、幅５μｍ（開口部２０μｍ角、１０００×１０００
画素）のレジストパターンを形成後ウェットエッチン
グ、レジスト除去することにより遮光膜２０２を形成す
る。この基板上に、透明導電性電極２０３として０．０
５μｍ〜０．５μｍ厚のＩＴＯ等の透明電極材料をスパ
ッタ法を用いて成膜し形成する。次に光導電層としてｐ
／ｉ／ｎダイオード構造の水素化アモルファスシリコン
（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと称する）膜を、それぞれボロン４
００ｐｐｍを添加したｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜２０４を１０
００Å、無添加のｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜２０５を１．７μ
ｍ、リンを５０ｐｐｍ添加したｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜２０
６を２０００Åと全膜厚２μｍ程度になるように、プラ
ズマＣＶＤ法を用いて積層して形成する。
に説明する。 （実施例１）図１の構造図に示す本発明の空間光変調素
子を図２および図３に示す製造方法に従って作製した。
図２の工程（１）で１.１ｍｍのガラス基板上２０１
に、アルミニウムまたはニクロムの単層、またはニクロ
ム上にアルミを形成した２層からなる１０００Å程度の
金属層を抵抗加熱法または電子ビーム（以下、ＥＢと称
する）法により蒸着し、フォトリソグラフィーによっ
て、幅５μｍ（開口部２０μｍ角、１０００×１０００
画素）のレジストパターンを形成後ウェットエッチン
グ、レジスト除去することにより遮光膜２０２を形成す
る。この基板上に、透明導電性電極２０３として０．０
５μｍ〜０．５μｍ厚のＩＴＯ等の透明電極材料をスパ
ッタ法を用いて成膜し形成する。次に光導電層としてｐ
／ｉ／ｎダイオード構造の水素化アモルファスシリコン
（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと称する）膜を、それぞれボロン４
００ｐｐｍを添加したｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜２０４を１０
００Å、無添加のｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜２０５を１．７μ
ｍ、リンを５０ｐｐｍ添加したｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜２０
６を２０００Åと全膜厚２μｍ程度になるように、プラ
ズマＣＶＤ法を用いて積層して形成する。
【００２０】尚光導電層に使用する他の材料には例え
ば、ＣｄＳ，ＣｄＴｅ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，
ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＰ等の
化合物半導体、Ｓｅ，ＳｅＴｅ，ＡｓＳｅ等の非晶質半
導体、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｉ1-xＣx，Ｓｉ1-xＧｅx，Ｇｅ
1-xＣx(0<x<1)の多結晶または非晶質半導体、また、
（１）フタロシアニン顔料（以下「Ｐｃ」と略す）、例
えば無金属Ｐｃ，ＸＰｃ（Ｘ＝Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉ
Ｏ，Ｍｇ，Ｓｉ（ＯＨ）2等）、ＡｌＣｌＰｃＣｌ，Ｔ
ｉＯＣｌＰｃＣｌ，ＩｎＣｌＰｃＣｌ，ＩｎＣｌＰｃ，
ＩｎＢｒＰｃＢｒなど、（２）モノアゾ色素，ジスアゾ
色素等のアゾ系色素、（３）ペニレン酸無水化物および
ペニレン酸イミドなどのペニレン系顔料、（４）インジ
ゴイド染料、（５）キナクリドン顔料、（６）アントラ
キノン類、ピレンキノン類などの多環キノン類、（７）
シアニン色素、（８）キサンテン染料、（９）ＰＶＫ／
ＴＮＦなどの電荷移動錯体、（１０）ビリリウム塩染料
とポリカーボネイト樹脂から形成される共晶錯体、（１
１）アズレニウム塩化合物など有機半導体、等がある。
また、非晶質のＳｉ，Ｇｅ，Ｓｉ1-xＣx，Ｓｉ1-xＧ
ｅx，Ｇｅ1-xＣx（以下、ａ−Ｓｉ，ａ−Ｇｅ，ａ−Ｓ
ｉ1-xＣx，ａ−Ｓｉ1-xＧｅx，ａ−Ｇｅ1-xＣxのように
略す）を光導電層に使用する場合は、水素またはハロゲ
ン元素を含めることも好ましく、誘電率を小さくする目
的および抵抗率を増加する目的で、酸素または窒素を含
めても好ましい。抵抗率を制御するために、ｐ型不純物
であるＢ，Ａｌ，Ｇａなどの元素を添加するか、または
ｎ型不純物であるＰ，Ａｓ，Ｓｂなどの元素を添加する
ことも好ましい。このように不純物を添加した非晶質材
料を積層してｐ／ｎ型，ｐ／ｉ型，ｉ／ｎ型，ｐ／ｉ／
ｎ型などの接合を形成し、光導電層内に空乏層を形成す
ることにより、誘電率および暗抵抗または動作電圧極性
を制御ことが可能である。また、非晶質材料だけでな
く、上記の材料を２種類以上積層してヘテロ接合を形成
することによって、光導電層内に空乏層を形成してもよ
い。
ば、ＣｄＳ，ＣｄＴｅ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，
ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＰ等の
化合物半導体、Ｓｅ，ＳｅＴｅ，ＡｓＳｅ等の非晶質半
導体、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｉ1-xＣx，Ｓｉ1-xＧｅx，Ｇｅ
1-xＣx(0<x<1)の多結晶または非晶質半導体、また、
（１）フタロシアニン顔料（以下「Ｐｃ」と略す）、例
えば無金属Ｐｃ，ＸＰｃ（Ｘ＝Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉ
Ｏ，Ｍｇ，Ｓｉ（ＯＨ）2等）、ＡｌＣｌＰｃＣｌ，Ｔ
ｉＯＣｌＰｃＣｌ，ＩｎＣｌＰｃＣｌ，ＩｎＣｌＰｃ，
ＩｎＢｒＰｃＢｒなど、（２）モノアゾ色素，ジスアゾ
色素等のアゾ系色素、（３）ペニレン酸無水化物および
ペニレン酸イミドなどのペニレン系顔料、（４）インジ
ゴイド染料、（５）キナクリドン顔料、（６）アントラ
キノン類、ピレンキノン類などの多環キノン類、（７）
シアニン色素、（８）キサンテン染料、（９）ＰＶＫ／
ＴＮＦなどの電荷移動錯体、（１０）ビリリウム塩染料
とポリカーボネイト樹脂から形成される共晶錯体、（１
１）アズレニウム塩化合物など有機半導体、等がある。
また、非晶質のＳｉ，Ｇｅ，Ｓｉ1-xＣx，Ｓｉ1-xＧ
ｅx，Ｇｅ1-xＣx（以下、ａ−Ｓｉ，ａ−Ｇｅ，ａ−Ｓ
ｉ1-xＣx，ａ−Ｓｉ1-xＧｅx，ａ−Ｇｅ1-xＣxのように
略す）を光導電層に使用する場合は、水素またはハロゲ
ン元素を含めることも好ましく、誘電率を小さくする目
的および抵抗率を増加する目的で、酸素または窒素を含
めても好ましい。抵抗率を制御するために、ｐ型不純物
であるＢ，Ａｌ，Ｇａなどの元素を添加するか、または
ｎ型不純物であるＰ，Ａｓ，Ｓｂなどの元素を添加する
ことも好ましい。このように不純物を添加した非晶質材
料を積層してｐ／ｎ型，ｐ／ｉ型，ｉ／ｎ型，ｐ／ｉ／
ｎ型などの接合を形成し、光導電層内に空乏層を形成す
ることにより、誘電率および暗抵抗または動作電圧極性
を制御ことが可能である。また、非晶質材料だけでな
く、上記の材料を２種類以上積層してヘテロ接合を形成
することによって、光導電層内に空乏層を形成してもよ
い。
【００２１】次に、光導電層の面上にアルミニウム等の
反射層２０６を電子ビーム蒸着法等により、５００〜１
０００Å成膜する。
反射層２０６を電子ビーム蒸着法等により、５００〜１
０００Å成膜する。
【００２２】工程（２）でａ−Ｓｉ：Ｈ膜上に、フォト
リソグラフィーを用いて、２０μｍ角、２５μｍピッ
チ、１０００×１０００画素のレジストパターン２０７
を形成し、工程（３）でフッ硝酸溶液（ＨＦ：ＨＮ3＝
１：５０）によりａ−Ｓｉ：Ｈ膜を５０００Åエッチン
グした後、工程（４）で、再びアルミニウム２０８を１
０００Å蒸着し、工程（５）で、レジストを発煙硝酸に
より除去する。工程（６）で、およそ炭素を５０％含ん
た粘性の高い黒色高分子膜２０９をスピンコートにより
０.５μｍ塗布し、２００℃、３０分程度に加熱する。
前記高分子材料は、ポリカーボネート、ポリイミド、ポ
リエチレン等が良好である。図３の工程（７）で、黒色
高分子膜上に５μｍ幅（開口部２０μｍ角、１０００×
１０００画素）、厚さ１.０μｍのレジストパターン２
１０を形成し、工程（８）、（９）で、酸素プラズマア
ッシャーにより、レジスト溝部の高分子膜をエッチング
し、同時に、レジストパターンもエッチングすることに
より、高分子遮光層２１１を形成する。酸素プラズマア
ッシャーは０．１Ｔｏｒｒまで真空を引いた後、１Ｔｏ
ｒｒまで酸素を導入し、高周波電力４０Ｗ、３０分、基
板温度１００〜１２０℃で行う。工程（１０）で、ＥＢ
法によりアルミニウムを約１０００Å蒸着し、フォトリ
ソグラフィーの技術を用いて、２０μｍ角、２５μｍピ
ッチ、１０００×１０００画素、厚さ１.０μｍのレジ
ストパターンを形成し硝酸、燐酸、酢酸等を含む混酸エ
ッチング液によりエッチング、発煙硝酸によりレジスト
を除去することにより反射電極２１２を形成する。
リソグラフィーを用いて、２０μｍ角、２５μｍピッ
チ、１０００×１０００画素のレジストパターン２０７
を形成し、工程（３）でフッ硝酸溶液（ＨＦ：ＨＮ3＝
１：５０）によりａ−Ｓｉ：Ｈ膜を５０００Åエッチン
グした後、工程（４）で、再びアルミニウム２０８を１
０００Å蒸着し、工程（５）で、レジストを発煙硝酸に
より除去する。工程（６）で、およそ炭素を５０％含ん
た粘性の高い黒色高分子膜２０９をスピンコートにより
０.５μｍ塗布し、２００℃、３０分程度に加熱する。
前記高分子材料は、ポリカーボネート、ポリイミド、ポ
リエチレン等が良好である。図３の工程（７）で、黒色
高分子膜上に５μｍ幅（開口部２０μｍ角、１０００×
１０００画素）、厚さ１.０μｍのレジストパターン２
１０を形成し、工程（８）、（９）で、酸素プラズマア
ッシャーにより、レジスト溝部の高分子膜をエッチング
し、同時に、レジストパターンもエッチングすることに
より、高分子遮光層２１１を形成する。酸素プラズマア
ッシャーは０．１Ｔｏｒｒまで真空を引いた後、１Ｔｏ
ｒｒまで酸素を導入し、高周波電力４０Ｗ、３０分、基
板温度１００〜１２０℃で行う。工程（１０）で、ＥＢ
法によりアルミニウムを約１０００Å蒸着し、フォトリ
ソグラフィーの技術を用いて、２０μｍ角、２５μｍピ
ッチ、１０００×１０００画素、厚さ１.０μｍのレジ
ストパターンを形成し硝酸、燐酸、酢酸等を含む混酸エ
ッチング液によりエッチング、発煙硝酸によりレジスト
を除去することにより反射電極２１２を形成する。
【００２３】図１の空間光変調素子を作製するために、
もう一方のガラス基板１１６上に透明導電性電極１１５
を形成し、両基板上にポリアミック酸をスピンコートに
より塗布、２００℃１時間の条件で加熱することにより
約２００Åのポリイミド高分子膜を形成した後、強誘電
性液晶分子の配向が素子の厚さ方向と平行になるように
配向処理を施し、配向膜１１１、１１４を形成する。配
向処理はナイロン樹脂布を用いてラビング処理を行なっ
た。光導電層を積層した方のガラス基板１０１の上に
２．６μｍ直径の樹脂製ビーズを混合した熱硬化樹脂
を、液晶注入の開口部を除いて光導電層全体を包囲する
ようにスクリ−ン印刷する。もう一方のガラス基板１１
６の上には、イソプロピルアルコールに約１．０μｍ直
径の樹脂製等のビーズを混合した溶液をスプレーして、
ビーズ１１２を全体に付着させる。次に、これら一対の
ガラス基板をはり合わせ真空袋に入れ、真空引きして密
閉した後、内部を真空状態に保ちながら約９０℃雰囲気
で３０分程度加熱し、更に約１５０℃雰囲気で約２時間
加熱し樹脂を硬化させる。最後に真空状態で強誘電性液
晶を約８０℃で加熱しながら、窒素ガス導入による加圧
と毛管現象を利用して、均一にパネルへ充填されるよう
に、樹脂の開口部から注入する。液晶分子が均一配向と
なるために、この素子を恒温槽にて液晶相転移温度以上
の、例えば約９０℃まで加熱し、１分間当り約０．２℃
の割合で室温まで徐冷した後、樹脂の開口部を樹脂で密
閉した。なお、液晶層の液晶材料は強誘電液晶であるカ
イラルスメクティックＣ液晶を用いるのが好ましい。ま
た、出力光のコントラスト比を高くするためには、本実
施例の反射型空間光変調素子の場合、その厚みは約１μ
ｍに形成することが好ましい。このようにして本発明の
空間光変調素子を得ることができた。
もう一方のガラス基板１１６上に透明導電性電極１１５
を形成し、両基板上にポリアミック酸をスピンコートに
より塗布、２００℃１時間の条件で加熱することにより
約２００Åのポリイミド高分子膜を形成した後、強誘電
性液晶分子の配向が素子の厚さ方向と平行になるように
配向処理を施し、配向膜１１１、１１４を形成する。配
向処理はナイロン樹脂布を用いてラビング処理を行なっ
た。光導電層を積層した方のガラス基板１０１の上に
２．６μｍ直径の樹脂製ビーズを混合した熱硬化樹脂
を、液晶注入の開口部を除いて光導電層全体を包囲する
ようにスクリ−ン印刷する。もう一方のガラス基板１１
６の上には、イソプロピルアルコールに約１．０μｍ直
径の樹脂製等のビーズを混合した溶液をスプレーして、
ビーズ１１２を全体に付着させる。次に、これら一対の
ガラス基板をはり合わせ真空袋に入れ、真空引きして密
閉した後、内部を真空状態に保ちながら約９０℃雰囲気
で３０分程度加熱し、更に約１５０℃雰囲気で約２時間
加熱し樹脂を硬化させる。最後に真空状態で強誘電性液
晶を約８０℃で加熱しながら、窒素ガス導入による加圧
と毛管現象を利用して、均一にパネルへ充填されるよう
に、樹脂の開口部から注入する。液晶分子が均一配向と
なるために、この素子を恒温槽にて液晶相転移温度以上
の、例えば約９０℃まで加熱し、１分間当り約０．２℃
の割合で室温まで徐冷した後、樹脂の開口部を樹脂で密
閉した。なお、液晶層の液晶材料は強誘電液晶であるカ
イラルスメクティックＣ液晶を用いるのが好ましい。ま
た、出力光のコントラスト比を高くするためには、本実
施例の反射型空間光変調素子の場合、その厚みは約１μ
ｍに形成することが好ましい。このようにして本発明の
空間光変調素子を得ることができた。
【００２４】（実施例２）図１の構造図に示す本発明の
空間光変調素子において、高分子遮光層を形成するもう
ひとつの製造方法を図４および図５に従って製作した。
空間光変調素子において、高分子遮光層を形成するもう
ひとつの製造方法を図４および図５に従って製作した。
【００２５】実施例１の図２の工程（１）〜（５）と同
じく、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜上に、フォトリソグラフィーを用
いて、２０μｍ角、２５μｍピッチ、１０００×１００
０画素のレジストパターンを形成し、フッ硝酸溶液によ
りａ−Ｓｉ：Ｈ膜を５０００Åエッチングした後、アル
ミニウムを１０００Å蒸着し、レジストを発煙硝酸によ
り除去する。工程（１）で、炭素をおよそ５０％程含ん
た粘性の高いポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチ
レン等の黒色高分子膜３０１をスピンコートにより０.
５μｍ塗布し、２００℃、３０分程度に加熱する。工程
（２）で、黒色高分子膜上にクロム３０２を約１０００
Å抵抗加熱法またはＥＢ法により蒸着し、工程（３）
で、黒色高分子膜上に５μｍ幅、（開口部２０μｍ角、
１０００×１０００画素）、厚さ１.０μｍのレジスト
パターン３０３を形成し、工程（４）で、クロムを過塩
酸等を含む酸（(NH4)3Ce(NO3)6:HClO4:H2O=150g:60ml:1
l）によりエッチングし、工程（５）で、レジストをア
セトンにより除去し、工程（６）で、クロム３０４をエ
ッチングマスクとして、酸素プラズマアッシャー装置に
より高周波電力４０Ｗ、３０分により、黒色高分子膜を
エッチングし、図５に示す工程（７）で、エッチングマ
スクにしたクロムを過塩酸等を含む酸により全面エッチ
ングした後、工程（８）で高周波電力４０Ｗ、５分の条
件で酸素プラズマアッシャー処理を行うことにより高分
子遮光層３０５を形成する。工程（９）で、ＥＢ法によ
りアルミニウムを約１０００Å蒸着し、フォトリソグラ
フィーの技術を用いて、２０μｍ角、２５μｍピッチ、
１０００×１０００画素、厚さ１.０μｍのレジストパ
ターンを形成し硝酸、燐酸、酢酸等を含む混酸エッチン
グ液によりエッチング、発煙硝酸によりレジストを除去
することにより反射電極３０６を形成する。 以下、実
施例１の空間光変調素子と同様の方法で、もう一方のガ
ラス基板上に透明導電性電極を形成した後、両基板上に
配向処理を施したポリイミド高分子膜を形成し、もう一
方のガラス基板上にビーズを分散させ、スクリーン印刷
を用いてパネルを組合せ、強誘電液晶を注入し再配向処
理を行うことにより作製できる。
じく、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜上に、フォトリソグラフィーを用
いて、２０μｍ角、２５μｍピッチ、１０００×１００
０画素のレジストパターンを形成し、フッ硝酸溶液によ
りａ−Ｓｉ：Ｈ膜を５０００Åエッチングした後、アル
ミニウムを１０００Å蒸着し、レジストを発煙硝酸によ
り除去する。工程（１）で、炭素をおよそ５０％程含ん
た粘性の高いポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチ
レン等の黒色高分子膜３０１をスピンコートにより０.
５μｍ塗布し、２００℃、３０分程度に加熱する。工程
（２）で、黒色高分子膜上にクロム３０２を約１０００
Å抵抗加熱法またはＥＢ法により蒸着し、工程（３）
で、黒色高分子膜上に５μｍ幅、（開口部２０μｍ角、
１０００×１０００画素）、厚さ１.０μｍのレジスト
パターン３０３を形成し、工程（４）で、クロムを過塩
酸等を含む酸（(NH4)3Ce(NO3)6:HClO4:H2O=150g:60ml:1
l）によりエッチングし、工程（５）で、レジストをア
セトンにより除去し、工程（６）で、クロム３０４をエ
ッチングマスクとして、酸素プラズマアッシャー装置に
より高周波電力４０Ｗ、３０分により、黒色高分子膜を
エッチングし、図５に示す工程（７）で、エッチングマ
スクにしたクロムを過塩酸等を含む酸により全面エッチ
ングした後、工程（８）で高周波電力４０Ｗ、５分の条
件で酸素プラズマアッシャー処理を行うことにより高分
子遮光層３０５を形成する。工程（９）で、ＥＢ法によ
りアルミニウムを約１０００Å蒸着し、フォトリソグラ
フィーの技術を用いて、２０μｍ角、２５μｍピッチ、
１０００×１０００画素、厚さ１.０μｍのレジストパ
ターンを形成し硝酸、燐酸、酢酸等を含む混酸エッチン
グ液によりエッチング、発煙硝酸によりレジストを除去
することにより反射電極３０６を形成する。 以下、実
施例１の空間光変調素子と同様の方法で、もう一方のガ
ラス基板上に透明導電性電極を形成した後、両基板上に
配向処理を施したポリイミド高分子膜を形成し、もう一
方のガラス基板上にビーズを分散させ、スクリーン印刷
を用いてパネルを組合せ、強誘電液晶を注入し再配向処
理を行うことにより作製できる。
【００２６】（実施例３）実施例１に示す空間光変調素
子を投写型ディスプレイとして評価した。図６に投写型
ディスプレイ装置の模式図を示す。本発明の空間光変調
素子４０１に光書き込みをＣＲＴディスプレイ４０２に
よって行う。素子の画素数は縦４８０横６５０である。
読み出しの為の光源４０５（メタルハライドランプ）を
コンデンサ−レンズ４０４で偏光ビ−ムスプリッタ４０
３によって照射する。出力像はレンズ４０６で拡大され
スクリ−ン４０７に映し出される。ＣＲＴ画面上の各ド
ットが空間光変調素子の分離された画素内に書き込まれ
ると、スクリ−ン上では四角形状に変換される。そのた
め開口率は８０％と大きく明るい画像が得られ、１００
インチ相当の大きさに拡大した像はスクリ−ン上で２５
００ル−メンの照度を持つ。画像はコントラスト２５
０：１、解像度は縦方向６５０本ＴＶライイ数が確認さ
れた。動画像を出力したところビデオレ−トの動きに対
して残像はなく鮮明な高輝度画像が得られた。カラ−画
像をえるため、ＲＧＢそれぞれに対応したＣＲＴ管と空
間光変調素子をセットにしたものを３組用意して、スク
リ−ン上で合成した。
子を投写型ディスプレイとして評価した。図６に投写型
ディスプレイ装置の模式図を示す。本発明の空間光変調
素子４０１に光書き込みをＣＲＴディスプレイ４０２に
よって行う。素子の画素数は縦４８０横６５０である。
読み出しの為の光源４０５（メタルハライドランプ）を
コンデンサ−レンズ４０４で偏光ビ−ムスプリッタ４０
３によって照射する。出力像はレンズ４０６で拡大され
スクリ−ン４０７に映し出される。ＣＲＴ画面上の各ド
ットが空間光変調素子の分離された画素内に書き込まれ
ると、スクリ−ン上では四角形状に変換される。そのた
め開口率は８０％と大きく明るい画像が得られ、１００
インチ相当の大きさに拡大した像はスクリ−ン上で２５
００ル−メンの照度を持つ。画像はコントラスト２５
０：１、解像度は縦方向６５０本ＴＶライイ数が確認さ
れた。動画像を出力したところビデオレ−トの動きに対
して残像はなく鮮明な高輝度画像が得られた。カラ−画
像をえるため、ＲＧＢそれぞれに対応したＣＲＴ管と空
間光変調素子をセットにしたものを３組用意して、スク
リ−ン上で合成した。
【００２７】（実施例４）実施例３の方法で作製した空
間光変調素子を用いて、図７に示すホログラフィ−テレ
ビジョン装置を組み立てて、その実時間表示される立体
画像の再生を確認した。コヒ−レント光としてHe−Neレ
−ザ−５０１を用いて被写体５０５を照射し、コリメ−
タ５０５を通しての参照光とともにＣＣＤ５０７の撮像
面上に干渉縞パタ−ンを形成する。この画像デ−タをＣ
ＲＴ５０９に転送し空間光変調素子５１０に光書き込み
して干渉縞パタ−ンを再現する。読みだしにはコヒ−レ
ント光のHe−Neレ−ザ−５０１を使い反射モ−ドで立体
像を観測する。
間光変調素子を用いて、図７に示すホログラフィ−テレ
ビジョン装置を組み立てて、その実時間表示される立体
画像の再生を確認した。コヒ−レント光としてHe−Neレ
−ザ−５０１を用いて被写体５０５を照射し、コリメ−
タ５０５を通しての参照光とともにＣＣＤ５０７の撮像
面上に干渉縞パタ−ンを形成する。この画像デ−タをＣ
ＲＴ５０９に転送し空間光変調素子５１０に光書き込み
して干渉縞パタ−ンを再現する。読みだしにはコヒ−レ
ント光のHe−Neレ−ザ−５０１を使い反射モ−ドで立体
像を観測する。
【００２８】（実施例５）図９に図８の特性を有する色
素含有の有機高分子を用いた空間光変調素子Ｒ，Ｇ，Ｂ
３個で構成した投写型ディスプレイ装置の概略図を示
す。メタルハライドランプ７０１から照射された読みだ
し光は、３個の偏向ビ−ムスプリッタ−７０３、７０
４、７０５によって、Ｒ，Ｇ，Ｂ３原色に分離される。
各空間光変調素子では３原色の画像情報が書き込み用の
ＣＲＴ７０９、７１０、７１１によって与えられる。反
射光は拡大レンズ７１２、７１３、７１４によってスク
リ−ン７１５上で３個の画素が一致するように調製され
る。画面上では画素間の黒と画素の明るさとのコントラ
ストは良く、３００：１以上が実現されブラックマトリ
ックスが構成されることを確認した。
素含有の有機高分子を用いた空間光変調素子Ｒ，Ｇ，Ｂ
３個で構成した投写型ディスプレイ装置の概略図を示
す。メタルハライドランプ７０１から照射された読みだ
し光は、３個の偏向ビ−ムスプリッタ−７０３、７０
４、７０５によって、Ｒ，Ｇ，Ｂ３原色に分離される。
各空間光変調素子では３原色の画像情報が書き込み用の
ＣＲＴ７０９、７１０、７１１によって与えられる。反
射光は拡大レンズ７１２、７１３、７１４によってスク
リ−ン７１５上で３個の画素が一致するように調製され
る。画面上では画素間の黒と画素の明るさとのコントラ
ストは良く、３００：１以上が実現されブラックマトリ
ックスが構成されることを確認した。
【００２９】（実施例６）図１の空間光変調素子におい
て、有機高分子膜の膜厚とコントラストの関係を（表
１）に示す。コントラストは素子の画像部１１７と遮光
部１１８との比を測定した。
て、有機高分子膜の膜厚とコントラストの関係を（表
１）に示す。コントラストは素子の画像部１１７と遮光
部１１８との比を測定した。
【００３０】
【表１】
【００３１】有機高分子膜の膜厚が０．３μｍ以上であ
る時、コントラストは良好であり、特に膜厚が厚ければ
厚いほどコントラストが高い。但し、高分子膜の厚みの
上限は光導電層の厚みで決まる。よって、５μｍ以下が
適用範囲である。
る時、コントラストは良好であり、特に膜厚が厚ければ
厚いほどコントラストが高い。但し、高分子膜の厚みの
上限は光導電層の厚みで決まる。よって、５μｍ以下が
適用範囲である。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、高解像度で高輝度、大
画面の映像を映し出す投写型ディスプレイ装置に最適な
空間光変調素子を提供する。またこの素子を用いてホロ
グラフィ−テレビジョン装置は、実時間で鮮明な立体像
が得られる。また単純な構成素子を少ない工程で作製で
きる方法によって安価な素子が提供できる。
画面の映像を映し出す投写型ディスプレイ装置に最適な
空間光変調素子を提供する。またこの素子を用いてホロ
グラフィ−テレビジョン装置は、実時間で鮮明な立体像
が得られる。また単純な構成素子を少ない工程で作製で
きる方法によって安価な素子が提供できる。
【図１】本発明の作製方法による空間光変調素子の断面
図
図
【図２】本発明の空間光変調素子の作製方法を示す工程
図
図
【図３】同作製方法を示す工程図
【図４】本発明の空間光変調素子の実施例２で作製した
作製方法を示す工程図
作製方法を示す工程図
【図５】同作製方法を示す工程図
【図６】本発明の空間光変調素子を用いて作製した投写
型ディスプレイ装置の模式図
型ディスプレイ装置の模式図
【図７】本発明の空間光変調素子を用いて作製したホロ
グラフィ−テレビジョン装置の模式図
グラフィ−テレビジョン装置の模式図
【図８】本発明の空間光変調素子に用いられる有機色素
含有の高分子膜の分光透過率特性図
含有の高分子膜の分光透過率特性図
【図９】Ｒ，Ｇ，Ｂ用の高分子膜を有する空間光変調素
子を用いて作製したフルカラ−投写型ディスプレイ装置
の模式図
子を用いて作製したフルカラ−投写型ディスプレイ装置
の模式図
【図１０】従来の空間光変調素子の断面図
１０１ ガラス基板 １０２ 入力遮光膜 １０３ 透明導電性電極 １０４ ｐ型アモルファスシリコン層 １０５ ｉ型アモルファスシリコン層 １０６ ｎ型アモルファスシリコン層 １０７ アモルファスシリコン層 １０８ 出力遮光膜 １０９ 有機高分子層 １１０ 金属反射膜 １１１ 配向膜 １１２ ビ−ズ １１３ 強誘電性液晶層 １１４ 配向膜 １１５ 透明導電性電極 １１６ ガラス基板 １１７ 画素部 １１８ 遮光部 １１９ 空間光変調素子 １２０ 書き込み光 １２１ 出力光 １２２ 読み出し光 １２３ 偏光子 １２４ 検光子
フロントページの続き (72)発明者 藏富 靖規 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 小川 久仁 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 田中 幸生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−34435（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/135
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも光導電層、液晶層、微小形状
に分割された金属反射膜と、それら全ての金属反射膜と
電気的に分離された金属の出力遮光膜とからなる空間光
変調素子において、前記各々の分離された金属反射膜の
一部と前記出力遮光膜の一部が特定の波長域の光を吸収
する有機高分子膜を介して接することを特徴とする空間
光変調素子。 - 【請求項２】 有機高分子に特定の波長域の光を吸収す
る炭素或は有機色素或は無機物質を含有することを特徴
とする請求項１記載の空間光変調素子。 - 【請求項３】 有機高分子における高分子材料がポリカ
−ボネ−トまたは、ポリイミドまたはポリエチレンであ
ることを特徴とする請求項１記載の空間光変調素子。 - 【請求項４】 有機高分子の膜厚が０．３〜５μｍであ
ることを特徴とする請求項１記載の空間光変調素子。 - 【請求項５】 有機高分子に含有される有機色素の吸収
波長領域が、照射される読みだし光の波長領域を含むこ
とを特徴とする請求項２記載の空間光変調素子。 - 【請求項６】 吸収波長領域の互いに異なる有機色素を
含有する有機高分子を含む複数の請求項１記載の空間光
変調素子を備えた表示装置。
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|---|---|---|---|
| JP4136581A JP3070252B2 (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 空間光変調素子および表示装置 |
| US07/994,127 US5384649A (en) | 1991-12-26 | 1992-12-21 | Liquid crystal spatial light modulator with electrically isolated reflecting films connected to electrically isolated pixel portions of photo conductor |
| DE69224468T DE69224468T2 (de) | 1991-12-26 | 1992-12-23 | Räumlicher Lichtmodulator und Herstellungsverfahren |
| EP92121953A EP0552492B1 (en) | 1991-12-26 | 1992-12-23 | A spatial light modulator and a method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136581A JP3070252B2 (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 空間光変調素子および表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05333367A JPH05333367A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3070252B2 true JP3070252B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=15178628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4136581A Expired - Fee Related JP3070252B2 (ja) | 1991-12-26 | 1992-05-28 | 空間光変調素子および表示装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3663741B2 (ja) * | 1996-05-22 | 2005-06-22 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP4136581A patent/JP3070252B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH05333367A (ja) | 1993-12-17 |
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