JP3071650B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プロジェクション液晶
ディスプレイや直視型液晶ディスプレイなどに用いられ
る液晶表示装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、衛星放送やレーザーディスク又は
高品位テレビ（ＨＤＴＶ）などにより高画質な映像が提
供されるとともに、これらの映像をより一層楽しむた
め、大画面かつ高精細なディスプレイの開発が望まれて
いる。例えば、大画面を呈するディスプレイとして、Ｔ
ＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）など
を用いたアクティブマトリクス液晶表示パネルに投写用
光源を用いて、拡大投写する方式のものがよく知られて
いる。

【０００３】また、光書き込み型液晶ライトバルブの開
発が行われている。この光書き込み型液晶ライトバルブ
は、画像を書き込む光源と上記光書き込み型液晶ライト
バルブから再生された画像を読み出す読み出し光源とが
異なっている。この光書き込み型液晶ライトバルブによ
り再生される画像密度は、光書き込み手段および光書き
込み型液晶ライトバルブの性能にのみ依存する。したが
って、書き込む画像を高精細化し、画像を読み出す読み
出し光源を高輝度化することにより、拡大投写型ディス
プレイとして必須条件である表示画像の高輝度、高精細
化を実現することが可能である。

【０００４】上記アクティブマトリクス液晶表示パネル
や光書き込み型液晶ライトバルブなどの液晶表示装置の
配向膜の形成方法として、例えば、スピンナーによる配
向膜材料の塗布が行われてきた。

【０００５】図９は、透光性基板６３上に透明電極６２
を形成し、透明電極６２上に配向膜６１をスピンナー塗
布方法により形成した基板６６について、配向膜６１の
形状を表した説明図である。上記スピンナー塗布方法に
おいては、配向膜６１の中央部が盛り上がった状態に配
向膜６１が塗布される。また透光性基板６３上の全面に
わたって配向膜６１が塗布されるために多量の配向膜６
１を必要とする。

【０００６】また、図１０は、上記スピンナー塗布によ
り形成した基板６６を対向するように貼り合わせ、液晶
６５を封止して形成した液晶表示パネル６７の構成を示
している。同図に示すようにパネル化した場合、配向膜
６１の上にシール樹脂６４が乗ることになるため、配向
膜６１の吸湿作用により液晶表示パネル６７内に配向膜
６１の端面から水分が侵入し、信頼性が低下するという
問題がある。この問題を解決するためには、表示部分以
外の配向膜６１を除去する余分な工程が必要となる。

【０００７】一方、配向膜材料を任意の部分にのみ塗布
する印刷塗布方法が広く用いられてきている。図１１
は、透光性基板７３上に透明電極７２を形成し、配向膜
７１を印刷塗布方法により形成した基板７６について、
配向膜７１の形状を表した説明図である。この印刷塗布
方法は、同図に示すように、表面に透明電極７２が形成
された透光性基板７３上の任意の部分にのみ配向膜７１
を塗布することができるため、使用する配向膜材料が少
量で済み低コスト化が可能である。

【０００８】また図１２は、上記印刷塗布方法により形
成した基板７６を互いに対向して貼り合わせ、シール樹
脂７４により液晶７５を封止することによって作成した
液晶表示パネル７７の構成を示している。同図に示すよ
うに、この液晶表示パネル７７においては、配向膜７１
の端面が液晶表示パネル７７の外部に露出していない。
したがって、前記スピンナー塗布方法の場合に問題にさ
れた配向膜の吸湿作用による信頼性の低下という問題を
回避することができる。

【０００９】従来の液晶表示装置における配向膜の印刷
塗布方法は、図１３に示すような印刷機を使用し、オフ
セット印刷を行なうものである。同図において、配向膜
材料８２をディスペンサー８５によりローラー８１上に
滴下し、ブレード８３によりローラー８１上の配向膜材
料８２を均一にする。次に、ローラー８１と印刷版８６
を取り付けた版胴８４との距離を縮めることにより、ロ
ーラー８１から印刷版８６に配向膜材料８２を転写し、
これを基板８７に塗布する。

【００１０】また、図１３に示した上記ブレード８３に
代えて、ローラー８８を用いた図１４に示すような印刷
機も使用されている。

【００１１】上記印刷塗布方法により基板上に任意のパ
ターン形状にて配向膜を塗布することが可能である。

【００１２】ところで、図１３あるいは図１４に示した
ローラー８１と印刷版８６には、所定のピッチの溝が刻
まれている。これらの溝はローラー８１と印刷版８６に
配向膜材料８２を均一に保持するために必要なものであ
る。

【００１３】このようなローラー８１と印刷版８６とに
より、配向膜材料８２を透光性基板９３上の透明電極９
２に転写すると、図１５に示すように、上記２つの溝が
交差する部分には、配向膜材料８２が多く付着し、上記
２つの溝が交差しない部分（同図において斜線部）に
は、配向膜材料８２の付着が少ないことになる。

【００１４】また、図１６は、図１５におけるＸ−Ｘ線
矢視断面を表したものである。同図に示すように、上記
２つの溝が交差する部分と上記２つの溝が交差しない部
分とでは、透光性基板９３上の透明電極９２に塗布され
る配向膜材料８２の量が異なるために、塗布後配向膜９
１の焼成を行うと配向膜９１の膜厚に差異が生じ、これ
がある一定の周期を持った膜厚うねりになる。

【００１５】従来、上記印刷塗布方法により中精細度の
直視型液晶表示装置を製造する場合、画素電極の一辺の
長さ（以下、画素サイズと称する）が大きいため画素間
のピッチ（以下、画素ピッチと称する）が大きくなり、
上記膜厚うねりはそれ程気にならず、そのため表示品位
が問題にされることはなかった。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高精細
な表示品位を得るために、例えば画素ピッチが１００μ
ｍ程度に微細に形成された高精細直視型液晶ディスプレ
イにおいては、従来の印刷塗布方法により配向膜を形成
した場合、図３（ｂ）に示すように、配向膜１０１の膜
厚うねりの周期Ｐ₃ が画素ピッチＰ₁ より大きいものに
なる。このため、各画素１０２上に位置する配向膜１０
１の平均膜厚が、各画素１０２ごとに、それぞれ異なる
ことになる。このため表示領域内で、液晶分子の最大プ
レチルト角と最小プレチルト角との差として定義される
プレチルト角のばらつき（以下、Δθｐと記述する）が
生じ、表示むらが生じる。

【００１７】また、プロジェクション液晶ディスプレイ
のように、スライドフィルムの代わりに液晶セルに投写
光源からの光を投射し、液晶セルの表示を拡大投写する
場合、配向膜の膜厚差が大きくなると、表示領域内にて
プレチルト角のばらつき（Δθｐ）が生じる。このプレ
チルト角のばらつき（Δθｐ）により配向膜の膜厚差
が、投写される光量の差となって現れ、その結果、投写
される表示画面に配向膜の膜厚うねりがそのまま表示さ
れることになる。上記光量の差は、液晶表示装置の特性
上、特に暗状態から明状態に移行する時点（液晶の閾値
付近：以下ＯＦＦレベルと呼ぶ）にて顕著に現れる。

【００１８】上記のように配向膜の膜厚差が大きい液晶
セルを、プロジェクション液晶ディスプレイに使用した
り、画素サイズの小さい高精細直視型液晶ディスプレイ
に使用したりする場合、表示品位が低下するという問題
を有している。

【００１９】上記配向膜の印刷塗布時における膜厚むら
による影響を回避する方法として、特開平６−１６０８
２７号公報に示されているように、各基板をパネル化し
た後、配向膜の膜厚うねりの著しいものには紫外線を照
射する方法がある。これにより、液晶分子の配向状態を
均一化することができる。しかしながら、この方法にお
いては、パネル化した後に紫外線を照射するため、パネ
ル内に注入された液晶にも紫外線が照射される。このた
め、液晶が劣化したり、液晶パネルの信頼性が低下した
りすることがあるという問題を有している。

【００２０】また、上記配向膜の印刷塗布時における膜
厚むらを均一化する他の方法として、特開平６−２１４
２３１号公報に示されているように、配向膜溶液転写版
の表面に格子状に配置された凸部の格子間隔を７５μｍ
以下にすることにより膜厚むらを均一化する方法が知ら
れている。しかしながら、画素サイズがさらに小さくな
った場合、凸部の格子間隔を画素サイズに合わせて小さ
く形成するには限界があるという問題を有している。ま
た、この配向膜溶液転写版を用いることによって、膜厚
むらをどの程度まで均一化できるのかという効果が、定
量的には何も開示されていない。

【００２１】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、高精細な表示を拡大投写するプロジェクシ
ョン液晶ディスプレイおよび画素サイズの小さい高精細
直視型液晶ディスプレイなどに用いられた場合、良好な
表示品位を呈する液晶表示装置の製造方法の提供を目的
としている。

【００２２】

【課題を解決するための手段】

【００２３】

【００２４】上記の課題を解決するために、請求項１の
発明の液晶表示装置の製造方法は、一対の対向する基板
の内側にそれぞれ少なくとも電極と配向膜とを形成し、
上記基板の間に液晶層を設ける液晶表示装置の製造方法
において、上記電極を表面に形成した上記基板に配向膜
材料を印刷法により塗布した後、上記配向膜材料の希釈
剤雰囲気にて上記基板の上記配向膜材料の流動性を増大
させる工程を設けることを特徴としている。

【００２５】請求項２の発明の液晶表示装置の製造方法
は、請求項１に記載の製造方法において、上記希釈剤雰
囲気に対し、上記配向膜材料を塗布した上記基板を相対
的に動かす工程を設けることを特徴としている。

【００２６】請求項３の発明の液晶表示装置の製造方法
は、請求項２に記載の製造方法において、上記基板を水
平方向に回転させることを特徴としている。

【００２７】

【００２８】

【作用】

【００２９】

【００３０】

【００３１】

【００３２】

【００３３】請求項１の構成によれば、印刷済み基板を
配向膜材料の希釈剤雰囲気中にて、印刷面を上にして希
釈剤の蒸気にさらすことにより、上記基板に印刷された
配向膜材料は希釈剤の蒸気により、わずかに希釈され流
動性が増した状態になる。これにより、上記配向膜材料
の粘度が小さくなり、配向膜の膜厚の厚い部分は膜厚を
減じる一方、膜厚の薄い部分は僅かに膜厚を増すことに
なる。

【００３４】これにより、配向膜の膜厚差を小さく形成
することができる。また、各画素上における配向膜の膜
厚差を小さくすることにより、上記膜厚差に起因する液
晶分子のプレチルト角のばらつきを小さくすることがで
き、この液晶分子のプレチルト角のばらつきに起因する
各画素ごとの明るさのばらつきを視認できない程度に小
さくすることができる。

【００３５】請求項２の構成によれば、希釈剤雰囲気に
対して相対的に基板を動かすことにより、希釈剤の蒸気
が基板上の配向膜材料に吸収され易くなる。すなわち、
基板上の配向膜材料の粘度を小さくし、流動性を増大さ
せることが容易になる。また、基板を希釈剤雰囲気に対
して相対的に基板を動かすことにより、塗布した配向膜
材料はさらに流動しやすくなる。

【００３６】これにより、配向膜の膜厚うねりの凹凸を
ならすことができ、さらに配向膜の膜厚差を小さくする
ことができる。

【００３７】請求項３の構成によれば、基板に印刷塗布
した配向膜材料の流動性が増した状態にて基板を回転す
ることにより、発生した遠心力が配向膜の膜厚差を小さ
くする方向に作用する。

【００３８】これにより、液晶分子のプレチルト角のば
らつきを１°以下にすることが容易である。

【００３９】

【００４０】

【００４１】

【実施例】〔実施例１〕 本発明の一実施例を図１ないし図６に基づいて説明すれ
ば以下のとおりである。本実施例の製造方法により得ら
れる液晶表示装置は、図１に示すように、一対の対向す
るＴＦＴ素子基板２１と対向基板２２との間に液晶２６
を挟持して形成されている反射型ＴＦＴ素子液晶表示装
置である。

【００４２】上記ＴＦＴ素子基板２１には、透光性基板
２７上に、ゲート電極２８、ゲート絶縁膜３４、半導体
層３５、絶縁膜３６、コンタクト層３７ａ・３７ｂ、ソ
ース電極２９ａ、ドレイン電極２９ｂが順次形成される
とともに、これらソース電極２９ａ、ドレイン電極２９
ｂ上に樹脂絶縁膜３８が形成され、この樹脂絶縁膜３８
上に画素電極３２が形成されている。この画素電極３２
上には、配向膜２５ａが形成されている。

【００４３】上記対向基板２２には、透光性基板２３上
に透明電極２４、配向膜２５ｂが順次形成されている。

【００４４】次に、本実施例の液晶表示装置の製造方法
について説明する。初めに、ＴＦＴ素子基板２１の作製
方法について説明する。

【００４５】まず、透光性基板２７上にタンタル金属層
を堆積し、次にフォトリソグラフィー法およびエッチン
グにより上記タンタル金属層をパターニングすることに
より、ゲート電極２８を形成する。

【００４６】次に、ゲート電極２８を覆うように全面に
Ｓｉ_x Ｎ_y （例えば、Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）からなるゲート絶縁
膜３４を形成する。

【００４７】次に、ゲート絶縁膜３４上に、ノンドープ
の非晶質水素化シリコン（以後ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）と略
称する）層を形成し、所定の形状にパターニングするこ
とにより、ゲート電極２８の上方に位置する部分のみを
残して半導体層３５を形成する。

【００４８】次に、Ｓｉ_x Ｎ_y （例えば、Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）
層を形成し、所定の形状にパターニングすることによ
り、ゲート電極２８の上方に位置する部分のみを残して
絶縁膜３６を形成する。

【００４９】次に、絶縁膜３６を覆うように、プラズマ
ＣＶＤ法によりＰ（リン）をドープした非晶質水素化シ
リコン（以後ａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ＋）と略称する）層を形
成し、このａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｎ＋）層を所定の形状にパタ
ーニングすることにより、コンタクト層３７を形成す
る。

【００５０】次に、コンタクト層３７上にスパッタリン
グ法によりＴｉ金属層を形成し、このＴｉ金属層をエッ
チングによりパターニングすることにより、ソース電極
２９ａおよびドレイン電極２９ｂを形成する。この場
合、絶縁膜層３６上のコンタクト層３７も同時にエッチ
ング除去し、コンタクト層３７ａとコンタクト層３７ｂ
とを形成する。

【００５１】次に、ソース電極２９ａとドレイン電極２
９ｂとを形成した上にゼラチンなどにより樹脂絶縁膜３
８を形成し、その後、ドレイン電極２９ｂ上の樹脂絶縁
膜３８をフォトリソグラフィー法により部分的に除去す
ることにより、コンタクトホール３１を形成する。

【００５２】次に、コンタクトホール３１を形成した樹
脂絶縁膜３８上に、Ａｌ金属層を蒸着させる。このＡｌ
金属層を所定の形状にパターニングし、マトリクス状に
配列された画素電極３２を形成する。上記Ａｌ金属層
は、コンタクトホール３１内にも蒸着するため、画素電
極３２とドレイン電極２９ｂとは電気的に接続されるこ
とになる。以上のようにしてＴＦＴ素子基板２１を得る
ことができる。

【００５３】次に透光性基板２３の内面上に透明電極２
４を形成することにより、対向基板２２を得ることがで
きる。その後、ＴＦＴ素子基板２１および対向基板２２
に、それぞれ配向膜２５ａ・２５ｂを印刷塗布方法によ
り塗布する。これら配向膜２５ａ・２５ｂの材料とし
て、例えば、ポリイミド（日本合成ゴム社製）を使用す
ることができる。また配向膜材料には透光性基板と配向
膜材料との密着性を高めるために界面活性剤としてＦＣ
４３１を適量加えてある。

【００５４】上記ＴＦＴ素子基板２１と対向基板２２と
に、それぞれ配向膜２５ａ・２５ｂを印刷塗布するため
には、図２に示す配向膜印刷機を用いる。以下同図を用
いて説明する。

【００５５】同図に示すように、まず印刷版６を版胴４
に取り付ける。ローラー１上に配向膜材料２をディスペ
ンサー５から滴下し、ブレード３により、ローラー１上
の配向膜材料２を均一にする。次にローラー１と印刷版
６を取り付けた版胴４との距離を縮めることにより、ロ
ーラー１から印刷版６に配向膜材料２を転写し、これを
透光性基板７に塗布する。

【００５６】上記ローラー１には、５００メッシュサイ
ズ（約５０μｍピッチ、直交率４５°）のものを使用
し、印刷版６には、５００メッシュサイズ（約５０μｍ
ピッチ、直交率７５°）のものを使用している。

【００５７】次に、この透光性基板７を配向膜材料２用
の希釈溶剤雰囲気８にて、例えば１２０秒間、希釈溶剤
の蒸気にさらす。上記希釈溶剤雰囲気８は、例えば２５
℃に保たれ、かつ密閉された恒温室１０中に配向膜材料
２用の希釈剤を放置し、配向膜材料２用の希釈剤を自然
蒸発させることにより得ることができる。また、必要に
応じて、例えば、１０℃程度温度を上げ、上記希釈剤の
蒸発を促進させることにより得ることができる。

【００５８】上記工程にしたがって、ＴＦＴ素子基板２
１と対向基板２２に配向膜２５ａ・２５ｂを印刷した
後、これらＴＦＴ素子基板２１と対向基板２２とを順次
恒温室１０の希釈溶剤雰囲気８内に設けられたテーブル
９上に置き、それぞれ１２０秒間、希釈溶剤の蒸気にさ
らす。

【００５９】次に、上記希釈溶剤雰囲気８にて処理を施
したＴＦＴ素子基板２１と対向基板２２に印刷した配向
膜２５ａ・２５ｂを９０℃にて仮硬化し、２００℃の高
温にて本硬化する。これにより得られる配向膜２５ａ・
２５ｂの平均膜厚は、およそ１５００オングストローム
である。

【００６０】次に、配向膜２５ａ・２５ｂを形成したＴ
ＦＴ素子基板２１と対向基板２２とに、それぞれラビン
グ処理を施す。

【００６１】最後に、ＴＦＴ素子基板２１と対向基板２
２とを対向して貼り合わせ、液晶２６を注入した後、シ
ール材により液晶２６を封止し、反射型ＴＦＴ液晶表示
装置を得ることができる。

【００６２】上記製造方法の配向膜印刷塗布方法によれ
ば、ローラー１と印刷版６とに、それぞれメッシュの細
かい、５００メッシュサイズ（約５０μｍピッチ、直交
率４５°）、５００メッシュサイズ（約５０μｍピッ
チ、直交率７５°）のものを使用している。これによ
り、図３（ａ）に示すように、画素３２と画素３２との
ピッチＰ₁ （本実施例においては、およそ１００μｍで
ある）に対し、印刷法による膜厚うねりの周期Ｐ₂ が約
８０μｍピッチの配向膜２５ａを得ることができる。こ
の場合、印刷塗布された配向膜２５ｂの膜厚うねりの周
期Ｐ₂ は画素ピッチＰ₁ よりも小さいため、各画素３２
上に位置する配向膜２５ｂの平均膜厚の差を約１００オ
ングストロームに形成することができる。

【００６３】また、上記の製造方法における配向膜印刷
塗布方法において、例えば印刷済みＴＦＴ素子基板２１
を２５℃に保った配向膜２５ａの希釈剤雰囲気中８にて
１２０秒間、印刷面を上にして希釈剤の蒸気にさらす工
程を設けている。これにより、ＴＦＴ素子基板２１に印
刷された配向膜２５ａは、希釈剤の蒸気により、わずか
に希釈された状態になる。結果、上記配向膜２５ａの粘
度が低下した状態、すなわち流動性が増した状態にて配
向膜２５ａの膜厚の厚い部分は重力により下方に引っ張
られ膜厚を減じることになる一方、膜厚の薄い部分は僅
かに膜厚を増すことになる。これにより、各画素３２上
の配向膜２５ａの平均膜厚差を１００オングストローム
以下、すなわち各画素３２上の配向膜２５ａの平均膜厚
差を、小さくすることができる。

【００６４】また、各画素３２上に位置する配向膜２５
ｂ・２５ａの平均膜厚の差を小さくすることにより、膜
厚差による液晶分子のプレチルト角のばらつき（Δθ
ｐ）を１°以下にすることができる。これにより、液晶
分子のプレチルト角により投写される光量を各画素３２
ごとに均一にすることができ、拡大投写して画像を評価
した場合、表示むらがなく表示品位を向上させることが
できる。

【００６５】図４は、画素ピッチ１００μｍにて画素を
配列し、かつ配向膜の膜厚差を１００オングストローム
に設定した基板について、膜厚うねりの周期を変化させ
たときの各画素間のＯＦＦレベルでの明るさの違いを調
査した結果を示したグラフである。

【００６６】同図において、縦軸には、各画素間のＯＦ
Ｆレベルでの明るさの違いをとってある。この各画素間
のＯＦＦレベルでの明るさの違いとは、フォトディテク
タにより各画素の明るさを測定し、最大輝度Ｉmax と最
小輝度Ｉmin とを計測し、 ΔＭ＝（Ｉmax −Ｉmin ）／（Ｉmax ＋Ｉmin ） なる計算式にて数値化したものである。

【００６７】また各サンプルを拡大投写したところ、上
記ΔＭの値が０.2以下であればＯＦＦレベルでの明るさ
のばらつきは視覚的には認めらず、均一な表示として視
認されることが確認された。

【００６８】同図から配向膜の膜厚うねりの周期を画素
ピッチ（１００μｍ）より小さく設定した場合、上記Δ
Ｍの値が０.2以下になり、均一な表示が得られることが
確認された。

【００６９】図５は、画素ピッチ１００μｍにて画素を
配列し、かつ膜厚うねりの周期を１００μｍに設定した
基板について、各画素間の配向膜の膜厚差と液晶分子の
プレチルト角のばらつきの関係を調査した結果を示した
グラフである。同図において、縦軸には、液晶分子のプ
レチルト角のばらつき（Δθｐ）をとってあり、横軸に
は、各画素間の配向膜の膜厚差をとってある。なお、プ
レチルト角の測定には、クリスタルローテーション法を
用い、レーザー光をおよそ４０μｍ径に絞り、測定用サ
ンプルのおよそ５０μｍ刻みで測定を行っている。

【００７０】同図より、配向膜の膜厚差が小さいほど、
プレチルト角ばらつき（Δθｐ）が小さいことが確認さ
れた。なお、各画素間の配向膜の膜厚差が１００オング
ストロームのとき、プレチルト角ばらつき（Δθｐ）
は、１°以下の値を示している。

【００７１】図６は、画素ピッチ１００μｍにて画素を
配列し、かつ配向膜の膜厚うねりの周期を１００μｍに
設定した基板について、液晶分子のプレチルト角のばら
つき（Δθｐ）と各画素間のＯＦＦレベルでの明るさの
違い（ΔＭ）との関係を調査した結果を示したグラフで
ある。同図において、縦軸には、ΔＭをとり、横軸に
は、Δθｐをとってある。

【００７２】同図より、液晶分子のプレチルト角のばら
つき（Δθｐ）が小さいほど、各画素間のＯＦＦレベル
での明るさの違い（ΔＭ）が小さいことが確認された。

【００７３】また、各画素が均一な表示として視認され
るΔＭの限界値である０.2に対応するプレチルト角ばら
つき（Δθｐ）は、およそ１°であることが確認され
た。

【００７４】本実施例の製造方法により得られた液晶表
示装置においては、画素ピッチＰ₁が約１００μｍであ
るのに対し、膜厚うねりの周期Ｐ₂ は約８０μｍであ
る。また、配向膜の膜厚差は約１００オングストローム
以下である。

【００７５】上記の構成により、本実施例の製造方法に
より得られる液晶表示装置は、液晶分子のプレチルト角
のばらつきが１°より小さく形成されている。これによ
り、液晶分子のプレチルト角により投射される光量を各
画素ごとに均一にすることができる。したがって、拡大
投写して画像を評価した場合においても表示むらが生じ
ることがなく、高精細な表示が可能である。

【００７６】それゆえ、良好な表示品位を呈する高精細
直視型液晶ディスプレイ液晶表示装置を提供することが
可能である。また、良好な表示品位を呈する拡大投写型
ディスプレイを提供することが可能である。

【００７７】〔実施例２〕 本発明の他の実施例を図７および図８に基づいて説明す
れば以下のとおりである。なお、上記実施例１と同様の
機能を有する部材には、同一の番号を付し、その説明を
省略する。本実施例の製造方法により得られる液晶表示
装置としての光書き込み型液晶ライトバルブ４０は、図
７に示すように、光書き込み手段５４と結像レンズ５５
とが組合わされて構成されている。

【００７８】上記光書き込み型液晶ライトバルブ４０
は、透光性基板４１上に、透明電極４２、光導電体層４
３、遮光層４４、誘電体ミラー４５、配向膜４６ａを順
次形成した積層基板５２と、透光性基板４９上に、透明
電極４８、配向膜４６ｂを順次形成し、透光性基板４９
の外側に反射防止膜５０を設けた対向基板５３と、上記
積層基板５２と対向基板５３との間にシール樹脂５１に
より封止された液晶４７層とからなっている。

【００７９】上記光導電体層４３は、光が入射しない場
合にインピーダンスが液晶４７に対し十分に大きいた
め、透明電極４２・４８によって電源５６から印加され
た電圧は液晶４７には、ほとんど印加されず、液晶４７
はオフ状態となる。

【００８０】一方、光が入射すると、光書き込み手段５
４により光照射を受けた部分は光導電体層４３のインピ
ーダンスが低下して液晶４７に電圧が加わり、光照射を
受けた部分の液晶４７はオン状態となる。

【００８１】光導電体層４３と液晶４７とは電源５６に
より直列に電圧が加わるようになっているので、光導電
体層４３に光学像が形成されると、その明暗に対応して
光導電体層４３の抵抗値が変わり、液晶４７に光学像が
形成される。

【００８２】光書き込み型液晶ライトバルブ４０で形成
された再生画像を読み出す読み出し光は、偏光ビームス
プリッターによりＳ波のみが光書き込み型液晶ライトバ
ルブ４０に入射し、光書き込み型液晶ライトバルブ４０
からの反射光はＰ波だけが偏光ビームスプリッター（図
示せず）を通過するため画像が再生される。この光学像
をスクリーンに投影して表示する。

【００８３】上記誘電体ミラー４５は、投影光の反射効
率を高めるためのものであり、上記遮光層４４は、投影
光が光導電体層４３に入ると光書き込み手段５５による
光書き込みができなくなるので、これを防止する目的で
設けられている。

【００８４】上記光書き込み手段５４として、例えばＥ
Ｌ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：電界発
光）パネルを使用し、このＥＬパネルと結像レンズ５５
とを組合わせることにより、光書き込み型液晶ライトバ
ルブ４０に画像の光書き込みを行っている。上記光書き
込み手段５４としてのＥＬパネルからの画像は、結像レ
ンズ５５により光書き込み型液晶ライトバルブ４０の光
導電体層４３に結像され、その強度分布に対応して液晶
４７に電圧が加わるようになっている。

【００８５】以下に、上記光書き込み型液晶ライトバル
ブ４０の製造方法について、図７および図８に基づいて
説明する。はじめに、積層基板５２の作製方法について
説明する。まず、図７に示すように、透光性基板４１上
にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ＴｉｎＯｘｉｄｅ）からなる
透明電極４２を形成し、光導電体層４３として非晶質水
素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）をプラズマＣＶＤ法（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：
化学的気相成長法）により膜厚約４μｍにて形成する。

【００８６】次に、光導電体層４３上に、ａ−ＳｉＳ
ｎ：ＨをプラズマＣＶＤ法にて約１μｍの膜厚に形成
し、遮光層４４を形成する。

【００８７】次に、遮光層４４の表面にＳｉＯ₂ ／Ｔｉ
Ｏ₂ の積層から成る誘電体ミラー４５を膜厚およそ１μ
ｍにて形成する。以上の手順により、積層基板５２を得
る。

【００８８】次に、対向基板５３の作成方法について説
明する。まず、透光性基板４９上にＩＴＯから成る透明
電極４８を形成し、透光性基板４９下面に反射防止膜５
０を形成する。上記透明電極４８上にポリイミドから成
る配向膜４６ｂを形成する。以上の手順により対向基板
５３を得る。

【００８９】次に、上記積層基板５２と対向基板５３と
に、それぞれ配向膜４６ａ・４６ｂを塗布するために、
図８に示す配向膜印刷機を用いる。本実施例にて用いら
れる配向膜印刷機においては、上記実施例１の図２に示
した配向膜印刷機のブレード３に代えて、ローラー１上
の配向膜材料２を均一にするためのローラー１１が設け
られている。

【００９０】さらに、本実施例においては、例えば２５
℃に保った恒温室１０の希釈溶剤雰囲気８中にて、透光
性基板７を希釈溶剤雰囲気８に対して相対的に動かす工
程が設けられている。その一例として、例えば透光性基
板７を回転ステージ１２上に吸着させて固定し、回転ス
テージ１２を、例えば１０００ｒｐｍ／ｍｉｎの回転数
にて２０秒間回転させる方法を用いることができる。

【００９１】上記方法により、積層基板５２と対向基板
５３とにそれぞれ配向膜４６ａ、４６ｂを塗布した後、
配向膜４６ａ・４６ｂを９０℃にて仮硬化させ、さらに
２００℃にて本硬化させる。本硬化させた積層基板５２
および対向基板５３に順次ラビング処理を施した後、こ
れらの基板５２・５３の間にシール材５１を挟みセル化
を行なう。

【００９２】次に、上記積層基板５２と対向基板５３と
の間に光変調層としてネマティック液晶４７を注入し封
止する。

【００９３】最後に、読み出し側の透光性基板４９の表
面にＭｇＦ₂ から成る反射防止膜５０を真空蒸着により
形成する。以上の製造方法により光書き込み型液晶ライ
トバルブ４０を形成することができる。

【００９４】上記製造方法における配向膜印刷塗布方法
によれば、配向膜４６ａを塗布した積層基板５２を２５
℃に保った配向膜４６ａの希釈剤雰囲気８中にて２０秒
間、印刷面を上にして水平方向に回転させる工程を設け
ている。これにより、上記積層基板５２上に塗布された
配向膜４６ａは、配向膜４６ａの希釈剤の蒸気によりわ
ずかに希釈され粘度が小さくなる。すなわち、流動性が
増した状態にて回転ステージ１２の回転による遠心力を
与えられる。これにより、配向膜４６ａの膜厚の厚い部
分は遠心力により膜厚を減じる一方、膜厚の薄い部分は
僅かに膜厚を増すことになる。

【００９５】このようにして、配向膜４６ａの膜厚うね
りの周期が約８０μｍピッチ、膜厚差が、約６０オング
ストローム以下のものを得ることができる。すなわち、
前記実施例１の製造方法により得られた配向膜の膜厚差
より、さらに膜厚差を小さくすることが可能である。

【００９６】また、上記製造方法により得られた光書き
込み型液晶ライトバルブ４０に形成した配向膜４６ａ・
４６ｂの膜厚うねりの周期（８０μｍ）は、光書き込み
型液晶ライトバルブ４０に画像を書き込む側のＥＬパネ
ルの画素ピッチよりも小さく形成されている。したがっ
て、ＥＬパネルの各画素により光導電体層４３に書き込
まれた光学画像の単位面積で考えると、上記各単位面積
における平均膜厚の差は小さいものになる。

【００９７】また、配向膜４６ａ・４６ｂ膜厚差を６０
オングストローム以下に形成することにより、膜厚差に
よる液晶分子のプレチルト角のばらつき（Δθｐ）を容
易に０.5°以下にすることができる。これにより、液晶
分子のプレチルト角により投写される光量はＥＬパネル
の各画素ごとに均一なものとなる。したがって、本実施
例の光書き込み型液晶ライトバルブ４０を拡大投写して
画像を評価した場合においても表示むらが生じることが
なく、高精細な表示画像を得ることが可能である。

【００９８】なお、光書き込み手段５４として、ＥＬパ
ネルの他に液晶表示パネルを使用することも可能であ
る。

【００９９】また、上記ａ−Ｓｉ：Ｈは高抵抗化を図る
ために少量のボロンをドーピングしている。また本実施
例では光導電体層４３にボロンを少量添加したイントリ
ンシックなａ−Ｓｉ：Ｈを用いているが、その他の材料
としてＣｄＳ、ＢＳＯ、ＯＰＣなども使用することがで
きる。

【０１００】また、実施例２に示した回転テーブルの回
転１２による遠心力を利用する代わりに例えば超音波振
動などの振動を利用し、配向膜の膜厚差を小さくする方
法も考えられる。

【０１０１】また、希釈雰囲気８の温度設定は、塗布し
た配向膜材料２中の溶剤成分が自然蒸発しない範囲の温
度域、すなわち、希釈雰囲気８内の希釈溶剤の蒸気が塗
布した配向膜材料２に適当に吸収され易い温度域に設定
することが望ましい。この温度域は、例えば１０℃ない
し５０℃である。

【０１０２】また、紫外線光を照射する必要がないこと
により、液晶２６・４７の信頼性を低下させることな
く、表示むらのない液晶表示装置を製造することができ
る。

【０１０３】また、配向膜の膜厚うねりの周期および、
単位画素面積における配向膜の平均膜厚差と画素ピッチ
との関係を定量化したことにより、画素ピッチに応じた
配向膜を設定することが可能である。

【０１０４】また、上記実施例に示した膜厚うねりの周
期８０μｍであれば、例えば画素サイズ５０μｍ以上、
画素間の間隔（ヌキ寸法と称する）３０μｍ以上の液晶
表示装置にて画素ピッチが８０μｍ以上になり、膜厚う
ねりの周期が画素ピッチより小さいという条件を満足す
ることができる。

【０１０５】また、従来、１００μｍ程度の微細な画素
ピッチで液晶表示装置を構成した場合に、配向膜の膜厚
うねりの周期を１画素ピッチよりも小さくした上で、配
向膜の膜厚差と液晶分子のプレチルト角のばらつきとの
関係を測定した例は無かったため、画素ピッチを微細に
したときに良好な表示品位を得るには、配向膜の膜厚差
をどの程度まで均一化すれば良いのかわからなかった。
これに対し、本願において配向膜の膜厚差とプレチルト
角のばらつきとの関係を定量化したことは、１００μｍ
程度の微細な画素ピッチで良好な表示品位を得ることが
できる液晶表示装置を作製する際の設計パラメータを提
供するという重要な意義を持っている。

【０１０６】〔実施例３〕 本発明のさらに他の実施例を図１７（ａ）（ｂ）および
図１８に基づいて説明すれば以下のとおりである。図１
７（ａ）は、本実施例の製造方法により得られる反射型
ＴＦＴ素子液晶表示装置における電極の配線状態を示
し、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）に示すＡ−Ａ線に沿
う縦断面の積層構造を示している。

【０１０７】この反射型ＴＦＴ素子液晶表示装置は、図
１７（ｂ）に示すように、一対のＴＦＴ素子基板１００
と対向基板１１１との間に液晶１１２が挟持されるよう
に形成されている。

【０１０８】本実施例では、ＴＦＴ素子基板１００の最
下層の基板として実施例１のように透光性基板２７を用
いるのではなく、Ｓｉ基板等の不透明基板１１０を用い
ている。本実施例では、不透明基板１１０をＰ型の単結
晶シリコンで形成し、その上にＮＭＯＳのスイッチング
回路を搭載している。初めに、ＮＭＯＳのスイッチング
回路の構成を説明する。なお、図１８は、このＮＭＯＳ
のスイッチング回路の等価回路を示している。

【０１０９】本装置の単位画素領域には、第１のトラン
ジスタＱ₁ 、第２のトランジスタＱ₂ および補助容量素
子Ｃ_s とが設けられている。トランジスタＱ₁ のソース
Ｑ_1s・ドレインＱ_1dおよびトランジスタＱ₂ のソースＱ
_2s・ドレインＱ_2dは、Ｐ型の単結晶シリコン層である不
透明基板１１０内に、Ｎ型拡散層１１３として形成され
ている。

【０１１０】また、トランジスタＱ₁ のゲートＱ_1gは、
ソースＱ_1sとドレインＱ_1dとの間にまたがって不透明基
板１１０上に形成され、ゲート絶縁膜１１４によって全
体が覆われている。トランジスタＱ₂ のゲートＱ_2gにつ
いても同様である。本実施例では、ゲートＱ_1g・Ｑ_2gに
ポリシリコン（多結晶シリコン）を用い、絶縁膜１１４
にはシリコン酸化膜を用いた。各ゲートＱ_1g・Ｑ_2gとフ
ィールドシリコン酸化膜１１５とは、それぞれアルミニ
ウム電極１１６ａ・１１６ｂによって隔てられている。

【０１１１】一方、上記補助容量素子Ｃ_s は、トランジ
スタＱ₂ に隣接するフィールドシリコン酸化膜１１５中
に形成されたアルミニウム電極１１６ｃと、アルミニウ
ム電極１１６ｃの位置に対応して不透明基板１１０内に
形成されたＮ型拡散層１１３と、アルミニウム電極１１
６ｃおよびＮ型拡散層１１３で挟まれたフィールドシリ
コン酸化膜１１５の部分とで構成されている。

【０１１２】以上で説明した内部に各ゲートＱ_1g・Ｑ_2g
を含むゲート絶縁膜１１４、フィールドシリコン酸化膜
１１５、アルミニウム電極１１６ａ・１１６ｂ・１１６
ｃおよびアルミニウム配線１１７（図１７（ｂ）参照）
等は、不透明基板１１０上に形成されたＮＭＯＳ回路を
保護するために、保護膜１１８で覆われている。次に、
ゲートＱ_1g・Ｑ_2g間に存在するフィールドシリコン酸化
膜１１５上にせりだして形成されると共に、トランジス
タＱ₂ のドレインＱ_2dに接続されたアルミニウム電極１
１６ｂに対応して、保護膜１１８には貫通孔１１９が形
成されている。保護膜１１８の上には、単位画素領域毎
にトランジスタＱ₁ 、トランジスタＱ₂および補助容量
素子Ｃ_s にわたる所定の領域に画素電極１２０が形成さ
れている。この画素電極１２０は、上記貫通孔１１９を
介して下層のアルミニウム電極１１６ｂに接続され、こ
のアルミニウム電極１１６ｂを介してドレインＱ_2dと電
気的に接続されている。

【０１１３】さらに、図１７（ｂ）および図１８に示す
ように、トランジスタＱ₁ のゲートＱ_1gは、走査線１２
１に接続され、ソースＱ_1sは、走査線１２１と交差する
信号線１２２に接続されている。トランジスタＱ₁ のド
レインＱ_1dとトランジスタＱ₂ のゲートＱ_2gおよび補助
容量素子Ｃ_s のアルミニウム電極１１６ｃとは、フィー
ルドシリコン酸化膜１１５上に形成された共通のアルミ
ニウム配線１１７に接続されている。また、トランジス
タＱ₂ のソースＱ_2sは、電源に接続されている。以上の
ようにしてＮＭＯＳのスイッチング回路を搭載したＴＦ
Ｔ素子基板１００を得ることができる。

【０１１４】ところで、第１のトランジスタＱ₁ は、ゲ
ートＱ_1gの電位とドレインＱ_1dの電位とがほぼ直線的な
関係を示す性能を有している。また、第１のトランジス
タＱ₁ は、データ信号を第２のトランジスタＱ₂ に供給
するので、ＯＦＦ時のリーク電流が少ないことが望まし
い。補助容量素子Ｃ_s はトランジスタＱ₁ のデータ信号
電圧を保持する働きを持ち、トランジスタＱ₂ によっ
て、液晶１１２に電圧が印加される。トランジスタＱ₂
は、液晶１１２に電圧を直接供給するので、液晶１１２
をＯＮまたはＯＦＦにスイッチングするのに必要な耐圧
を備えていなければならない。

【０１１５】このようなＮＭＯＳスイッチング回路は、
次のように駆動される。最初に信号線１２２にデータ信
号を入力し、走査線１２１に走査信号電圧が印加される
と、トランジスタＱ₁ がＯＮになり、データ信号電圧
は、トランジスタＱ₁ を介して補助容量素子Ｃ_s に保持
される。トランジスタＱ₁ は、上述のように、走査信号
電圧に対して直線的な関係で電源電圧を制御できる特性
を有しているので、その走査信号電圧に対応したデータ
信号電圧が、液晶１１２に印加される。

【０１１６】ここで、液晶１１２に印加される電圧は、
補助容量素子Ｃ_s に保持された電圧で制御されるが、こ
の電圧は次のフィールドまで維持されるので、液晶１１
２には常時一定の電圧が印加され続ける。トランジスタ
Ｑ₂ のＯＮ状態は、トランジスタＱ₁ がＯＦＦになって
も、トランジスタＱ₁ が再度ＯＮになるまで、そのまま
維持される。したがって、トランジスタＱ₂ はデータ信
号電圧に従った電圧を常に液晶１１２に供給し続けるこ
とになる。

【０１１７】次に、上記対向基板１１１は、透光性基板
１１１ａ上に透明電極１１１ｂを形成して得られる。こ
の後、前述のようにして得られたＴＦＴ素子基板１００
と、上記対向基板１１１とに、それぞれ配向膜１２５ａ
・１２５ｂを塗布するために、図８に示す配向膜印刷機
を用いる。同図に示すように、まず印刷版６を版胴４に
取り付ける。ローラー１上に配向膜材料２をディスペン
サー５から滴下し、ローラ１１により、ローラー１上の
配向膜材料２を均一にする。次にローラー１と印刷版６
を取り付けた版胴４との距離を縮めることにより、ロー
ラー１から印刷版６に配向膜材料２を転写し、これをＴ
ＦＴ素子基板１００および対向基板１１１に転写する。

【０１１８】上記ローラー１には、５００メッシュサイ
ズ（約５０μｍピッチ、直交率７５°）のものを使用
し、印刷版６には、５００メッシュサイズ（約５０μｍ
ピッチ、直交率４５°）のものを使用している。

【０１１９】さらに、本実施例においては、例えば３０
℃に保った恒温室１０の希釈溶剤雰囲気８中にて、配向
膜材料２を印刷塗布したＴＦＴ素子基板１００または対
向基板１１１を希釈溶剤雰囲気８に対して相対的に動か
す工程が設けられている。その一例として、例えば印刷
塗布済みのＴＦＴ素子基板１００または対向基板１１１
を回転ステージ１２上に吸着させて固定し、回転ステー
ジ１２を、例えば５００ｒｐｍ／ｍｉｎの回転数にて３
０秒間回転させる方法を用いる。

【０１２０】上記方法により、ＴＦＴ素子基板１００と
対向基板１１１とにそれぞれ配向膜１２５ａ・１２５ｂ
を塗布した後、配向膜１２５ａ・１２５ｂを９０℃にて
仮硬化させ、さらに２００℃にて本硬化させる。本硬化
させたＴＦＴ素子基板１００および対向基板１１１に順
次ラビング処理を施した後、これらの基板１００・１１
１の間にシール材を挟みセル化を行なう。続いて、上記
基板１００・１１１の間に光変調層として、本実施例で
は強誘電性液晶１１２を注入し封止する。

【０１２１】上記製造方法における配向膜印刷塗布方法
によれば、基板１００・１１１に印刷塗布された配向膜
１２５ａ・１２５ｂは、希釈剤の蒸気によりわずかに希
釈され粘度が小さくなる。この状態にて回転ステージ１
２の回転による遠心力を与えるため、印刷塗布された配
向膜１２５ａ・１２５ｂの膜厚は均一になる。この結
果、配向膜１２５ａ・１２５ｂの膜厚うねりの周期が約
８０μｍピッチ、膜厚差が、約６０オングストローム以
下のものを得ることができる。

【０１２２】このように、配向膜の膜厚うねりの周期が
約８０μｍピッチであれば、例えば画素サイズ８０μｍ
以上、画素間の間隔（ヌキ寸法）３０μｍ以上の液晶表
示装置に対して本発明に係る印刷塗布方法を適用するこ
とにより、各画素間のＯＦＦレベルでの明るさの違いΔ
Ｍ＝（Ｉmax −Ｉmin ）／（Ｉmax ＋Ｉmin ）の値が
０.2以下になり、ＯＦＦレベルでの明るさのばらつきは
視覚的に認められず、均一な表示として視認することが
できる。なお、液晶分子のプレチルト角のばらつきは、
各画素ごとのＯＦＦレベルでの明るさのばらつきの原因
となるが、配向膜の膜厚うねりの周期を１画素ピッチよ
りも小さくし、配向膜の膜厚差を１００オングストロー
ム以下、液晶分子のプレチルト角のばらつきを１°以下
とするように配向膜を形成すると、例えば１００μｍ程
度の微細な画素ピッチで液晶表示装置を構成しても、表
示むらのない良好な表示品位を得ることができる。 従
来、１００μｍ程度の微細な画素ピッチで液晶表示装置
を構成した場合に、配向膜の膜厚うねりの周期を１画素
ピッチよりも小さくした上で、配向膜の膜厚差と液晶分
子のプレチルト角のばらつきとの関係を測定した例は無
かったため、画素ピッチを微細にしたときに良好な表示
品位を得るには、配向膜の膜厚差をどの程度まで均一化
すれば良いのかわからなかった。 これに対し、本願にお
いて、配向膜の膜厚差とプレチルト角のばらつきとの関
係を定量化したことは、１００μｍ程度の微細な画素ピ
ッチで良好な表示品位を得ることができる液晶表示装置
を作製する際の設計パラメータを提供するという重要な
意義を持っている。 なお、上記の液晶表示装置は、液晶
層を間に挟む１対の対向する基板の一方およびその基板
側に設けられる画素電極が不透明材料で形成された反射
型の液晶表示装置や、対向する基板の双方および対向す
る電極の双方が透光性材料で形成された透過型の液晶表
示装置であってもよい。さらに、対向する基板の双方を
透光性材料で形成し、一方の基板側に光導電層および遮
光層を設けて書込み光により画素を駆動し、他方から読
み出し光を照射して画像を表示する書込み型の液晶表示
装置であってもよい。 上記液晶表示装置の構成におい
て、配向膜の膜厚差を６０オングストローム以下、液晶
分子のプレチルト角のばらつきを０.5°以下とするよう
に配向膜を形成すると、１００μｍ程度の微細な画素ピ
ッチで液晶表示装置を形成した場合に、さらに良好な表
示品位を得ることができる。したがって、これらの定量
化された数値は、１００μｍ程度の微細な画素ピッチで
良好な表示品位を得ることができる液晶表示装置を作製
する際の設計パラメータを提供するという重要な意義を
持っている。 一対の対向する基板の内側にそれぞれ少な
くとも電極と配向膜とを形成し、上記基板の間に液晶層
を設ける液晶表示装置の製造方法において、上記配向膜
の膜厚うねりの周期が画素ピッチよりも小さくなるよう
に、所定の溝ピッチの溝を有するローラーにより印刷版
に配向膜材料を転写した後、上記ローラーの上記溝と交
差する方向に所定の溝ピッチの溝を有する上記印刷版に
より上記基板に配向膜材料を塗布する液晶表示装置の製
造方法の構成によれば、例えば５００メッシュサイズ
（溝ピッチが約５０μｍピッチ、直交率４５°）のロー
ラーを用いて印刷版に配向膜材料を転写した後、例えば
５００メッシュサイズ（溝ピッチが約５０μｍピッチ、
直交率７５°）の印刷版を用いて基板に配向膜材料を塗
布することにより、配向膜の膜厚うねりの周期が、例え
ば画素ピッチ（１００μｍピッチ）よりも小さい配向膜
を得ることができる。 これにより、各画素上に形成され
る配向膜の平均膜厚の差を小さくすることができ、各画
素上における配向膜の膜厚うねりに起因する液晶分子の
プレチルト角のばらつきを小さくすることができる。

【０１２３】

【発明の効果】

【０１２４】

【０１２５】

【０１２６】

【０１２７】以上のように、請求項１の発明の液晶表示
装置の製造方法は、一対の対向する基板の内側にそれぞ
れ少なくとも電極と配向膜とを形成し、上記基板の間に
液晶層を設ける液晶表示装置の製造方法において、上記
電極を表面に形成した上記基板に配向膜材料を印刷法に
より塗布した後、上記配向膜材料の希釈剤雰囲気にて上
記基板の上記配向膜材料の流動性を増大させる工程を設
ける構成である。

【０１２８】これにより、希釈剤の蒸気が基板上の配向
膜材料に吸収される。したがって、基板上の配向膜材料
の粘度が小さくなり配向膜材料の流動性が増大すること
により、配向膜の膜厚差を小さくすることができるとい
う効果を奏する。

【０１２９】請求項２の発明の液晶表示装置の製造方法
は、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法において
上記希釈剤雰囲気に対し、上記配向膜材料を塗布した上
記基板を相対的に動かす工程を設ける構成である。

【０１３０】これにより、希釈剤の蒸気が基板上の配向
膜材料に吸収され易くなる。すなわち、基板上の配向膜
材料の粘度を小さくし、流動性を増大させることが容易
になるので、さらに配向膜の膜厚差を小さくすることが
できるという効果を奏する。

【０１３１】請求項３の発明の液晶表示装置の製造方法
は、請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法におい
て、上記基板を水平方向に回転させる構成である。

【０１３２】それゆえ、発生した遠心力により配向膜の
膜厚差をさらに小さくすることができ、これにより液晶
分子のプレチルト角のばらつきを容易に１°以下にする
ことができるという効果を奏する。

【０１３３】

【０１３４】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における液晶表示装置の一部
断面図である。

【図２】上記実施例における液晶表示装置の製造方法の
配向膜印刷塗布工程を示す模式図である。

【図３】（ａ）は、本発明の印刷塗布方法により形成さ
れた配向膜の膜厚うねりの周期と画素ピッチの関係を示
す説明図である。（ｂ）は、従来の印刷塗布方法により
形成された配向膜の膜厚うねりの周期と画素ピッチの関
係を示す説明図である。

【図４】配向膜の膜厚うねりの周期と画素間のＯＦＦレ
ベルでの明るさの違いを示すグラフである。

【図５】配向膜の膜厚差と液晶分子のプレチルト角のば
らつきの関係を示すグラフである。

【図６】液晶分子のプレチルト角のばらつきと画素間の
ＯＦＦレベルでの明るさの違いを示すグラフである。

【図７】本発明の他の実施例における液晶表示装置の説
明図である。

【図８】本発明の他の実施例における配向膜印刷塗布方
法の模式図である。

【図９】従来のスピンナー塗布方法時の配向膜表面を表
す説明図である。

【図１０】従来のスピンナー塗布方法により配向膜を形
成した基板を液晶表示パネルにした場合の説明図であ
る。

【図１１】従来の印刷塗布による配向膜表面の説明図で
ある。

【図１２】従来の印刷塗布により配向膜を形成した基板
を液晶表示パネルにした場合の説明図である。

【図１３】従来の配向膜の印刷塗布方法の説明図であ
る。

【図１４】従来の他の配向膜の印刷塗布方法の説明図で
ある。

【図１５】図１４に示すローラーから印刷版に転写され
る際の説明図である。

【図１６】図１５におけるＸ−Ｘ線矢視断面図である。

【図１７】（ａ）は、本発明により得られる反射型の液
晶表示装置に搭載されたＮＭＯＳスイッチング回路の電
極配線状態を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ
−Ａ線矢視断面図である。

【図１８】図１７に示すＮＭＯＳスイッチング回路の等
価回路を示す回路図である。

【符号の説明】

１ ローラー ２ 配向膜材料 ６ 印刷版 ７ 透光性基板 ８ 希釈溶剤雰囲気 ２３ 透光性基板 ２４ 透明電極 ２５ａ 配向膜 ２５ｂ 配向膜 ２６ 液晶（液晶層） ２７ 透光性基板 ２８ ゲート電極 ２９ａ ソース電極 ２９ｂ ドレイン電極 ３２ 画素電極 ４０ 光書き込み型液晶ライトバルブ（液晶表示装
置） ４１ 透光性基板 ４２ 透明電極 ４６ａ 配向膜 ４６ｂ 配向膜 ４７ 液晶（液晶層） ４８ 透明電極 ４９ 透光性基板 １１０ 不透明基板 １１１ａ 透光性基板 １１２ 液晶（液晶層） １１６ａ アルミニウム電極 １１６ｂ アルミニウム電極 １１６ｃ アルミニウム電極 １２０ 画素電極 １２５ａ 配向膜 １２５ｂ 配向膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1337

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の対向する基板の内側にそれぞれ少な
   くとも電極と配向膜とを形成し、上記基板の間に液晶層
   を設ける液晶表示装置の製造方法において、上記電極を表面に形成した上記基板に配向膜材料を印刷
   法により塗布した後、上記配向膜材料の希釈剤雰囲気に
   て上記基板上に塗布された配向膜材料の流動性を増大さ
   せる工程を設ける ことを特徴とする液晶表示装置の製造
   方法。
2. 【請求項２】上記希釈剤雰囲気に対し、上記配向膜材料
   を塗布した上記基板を相対的に動かす工程を設けること
   を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】上記基板を水平方向に回転させることを特
   徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。