JPH08171101A

JPH08171101A - 液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JPH08171101A
Application number: JP31506194A
Authority: JP
Inventors: Michiya Kobayashi; 道哉小林
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1994-12-19
Filing date: 1994-12-19
Publication date: 1996-07-02

Abstract

(57)【要約】【目的】ＴＦＴの光リーク電流の発生を抑え、液晶印
加電圧をＴＦＴのオフ時に確実に保持して表示画像のコ
ントラスト比の向上やクロストークの低減など表示性能
の向上を実現した液晶表示装置を簡易な製造プロセスに
よって製作する。【構成】遮光膜１１５の上に、ＳｉＯ₂からなる第１
の層間絶縁膜１１６が形成されている。この第１の層間
絶縁膜１１６の厚さは 1μｍとした。そしてこの第１の
層間絶縁膜１１６の上に前記の遮光膜１１５と同一の平
面形状の第１のｐ−Ｓｉが成膜され、これを遮光膜１１
５を用いた裏面露光でパターニングして、活性層１２１
が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の製造方
法に係り、特に高い画像表示品質の液晶表示装置を実現
する液晶表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の高速化・表示の高品位化
には、表示画素ごとにスイッチングトランジスタを設け
たアクティブマトリックス型が主流であり、スイッチン
グトランジスタには非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）、また
は多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）による薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を用いるのが一般的である。

【０００３】ａ−Ｓｉを活性層をはじめとして各部位の
材料として用いて作製されたＴＦＴは、安価なガラス基
板上に大面積にわたって比較的高歩留りで形成が可能な
ため、ＯＡ用ディスプレイや壁掛けテレビといった大型
の表示装置に好適であると言える。

【０００４】一方、ｐ−Ｓｉを用いたＴＦＴは、キャリ
アの移動度が数10〜 200ｃｍ²／Ｖｓと大きく、ＴＦＴ
の素子寸法が小さくとも液晶表示画素を十分実用的に駆
動することができ、かつ駆動回路も同一基板上にその周
辺部に一体で形成できるため、プロジェクションテレビ
やビデオカメラのビューファインダといった、小型・高
精細が要求される用途に適している。

【０００５】図３に、液晶表示パネルの概要構成を示
す。液晶表示パネルは、表示画素がマトリックス状に配
列されたアレイ基板３１０と、遮光膜（いわゆるブラッ
クマトリックス）３３０およびカラーフィルタ等が配設
された対向基板３２０と、それら両基板の間隙に周囲を
封止して液晶組成物を注入してなる液晶層とからその主
要部が構成されたものである。

【０００６】このような液晶表示パネルで画像を表示す
るには、液晶表示パネルの両面に偏光板３４１、３４２
を配置し、光源３５０を通常、対向基板３２０側に配置
して、光源３５０からの光の透過を液晶表示パネルによ
り変調することで行なう。

【０００７】ここで、画素のスイッチングトランジスタ
としてｐ−Ｓｉを用いた場合におけるＴＦＴの光リーク
電流の発生について説明する。

【０００８】ｐ−Ｓｉを用いたＴＦＴに光が入射する
と、そのＴＦＴのチャネル部で光励起に起因したキャリ
アが発生するため、ＴＦＴがオフとなるべき動作電圧条
件下でも電流が流れてしまう（以下、この電流を光リー
ク電流と呼ぶ）。

【０００９】このため、ＴＦＴのスイッチ動作で画像信
号電圧を所定の表示画素（画素セル）に書き込んだ後に
その電圧を正しくそのままには保持できなくなる。つま
り書き込まれた電圧は、ＴＦＴがオフの間はそのまま所
定の時間にわたって保持されていなければならないが、
ＴＦＴがオフであるにも関わらず上記の光リーク電流が
流れるので、これにより表示画素の電圧が変化してしま
う。

【００１０】そこで、この現象を防ぐために、光源を対
向基板側に置いた場合、対向基板にブラックマトリック
スと呼ばれる遮光膜を配設し、この遮光膜によってアレ
イ基板のＴＦＴに入射する光を防ぐことが従来一般に行
なわれてきた。このような従来の技術によれば、光がＴ
ＦＴの上方から（すなわちゲート電極側から）直接入射
することは防ぐことができる。

【００１１】しかしながら、間接光がＴＦＴに照射され
るのを防ぐことはできない。

【００１２】即ち、図４に示すように、液晶表示パネル
に一旦入射した光４００が、アレイ基板４０１の出射側
表面４０２で反射したり、また液晶表示パネルを透過し
て出た光がその外側に配置された偏光板４０３をはじめ
その他の構造物との境界面などで反射して、ＴＦＴ４０
４の下方、即ち活性層４０５の下面側からＴＦＴ４０４
の活性層４０５に入射する。そしてこの入射した光によ
って活性層４０５でキャリヤが励起されて光リーク電流
が発生する。

【００１３】上述のようなＴＦＴへの間接光の入射の問
題は、いわゆるプロジェクション方式の表示装置のよう
に光源の光量が大きい場合に、特に顕在化する。

【００１４】プロジェクション方式の表示装置における
光源の光量は、液晶表示パネルに入射する時点で通常 1
00万ルクス以上ある。

【００１５】ＴＦＴへの直接入射光はブラックマトリッ
クスによる遮光効果で 100ルクス未満に抑えることがで
きる。

【００１６】しかしながら、間接光については、アレイ
基板の出射側表面での光の反射率が4〜 5％であるため
（基板がガラス・周囲の環境が空気である場合）、数万
ルクスもの光がＴＦＴに照射されることになる。

【００１７】従って、ＴＦＴの光リーク電流は許容値以
上に大きくなり、各画素の液晶セルの電圧が一定には保
持できなくなる。その結果、表示画像のコントラスト低
下やクロストーク増大などの表示性能低下が生じる。

【００１８】このような問題を解決するために、図５
（ａ）、（ｂ）に示すような構造が考えられた。同図に
おいて、２００は信号線、２１０は絶縁性基板、２１５
は遮光膜、２２０はＴＦＴ、２３０はそのＴＦＴ２２０
の活性層、２４０は走査線、２５０は補助容量線であ
る。ＴＦＴ２２０とこのＴＦＴ２２０を形成する絶縁性
基板２１０との間に遮光膜２１５を形成し基板２１０の
光出射側表面での反射光を遮光膜２１５により遮断し
て、ＴＦＴ２２０に照射されることを防ぐことが考えら
れる。同図に示すように、遮光膜２１５はＩＴＯ画素電
極２６０以外の部分を覆うように形成されている。なお
図５（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ´断面図であ
る。

【００１９】しかしながら、単に遮光膜２１５をＴＦＴ
２２０の下層に形成するだけでは、前述の光リーク電流
に起因した表示性能低下を改善することは殆どできない
ことを、我々は上記のような構造の従来の液晶表示装置
の実験を実施した結果、確認した。

【００２０】これは、図５に示すように、液晶表示パネ
ルに入射しＴＦＴ２２０へは直接には入らなかった光が
ＴＦＴ２２０の下層の遮光膜２１５の表面で反射して、
ＴＦＴ２２０の活性層２３０に入射するからである。

【００２１】上記のような光リーク電流の問題を解消す
るために、ＴＦＴ２２０の下層の遮光膜２１５の形状を
スイッチング用薄膜トランジスタ素子の活性層２３０の
平面形状もしくはその活性層２３０の特にチャネル領域
の形状とほぼ同じ平面形状に形成することも考えられ
た。

【００２２】しかしながら、このような構造を採用して
も、実際には依然としてＴＦＴ２２０に光リーク電流の
発生が観測された。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題を解決するために成されたもので、その目的は、
ＴＦＴの光リーク電流の発生を抑え、液晶印加電圧をＴ
ＦＴのオフ時に確実に保持して表示画像のコントラスト
比の向上やクロストークの低減など表示性能の向上を実
現した液晶表示装置を簡易な製造プロセスによって製作
することができる液晶表示装置の製造方法を提供するこ
とにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製造方法は、基板上に互いに交差するように複数の走査
配線と複数の信号配線とを配設し、該走査配線および該
信号配線に接続するように該走査配線および該信号配線
の交差部ごとにスイッチング素子としてのコプラナ型の
薄膜トランジスタ素子を形成し、該薄膜トランジスタ素
子ごとに接続された画素電極を形成し前記薄膜トランジ
スタ素子への光入射を遮るための遮光膜を前記絶縁性基
板と前記薄膜トランジスタ素子との間に形成してスイッ
チング素子アレイ基板を作製する工程と、前記スイッチ
ング素子アレイ基板に間隙を有して対向配置される対向
電極を形成して対向基板を作製する工程と、前記スイッ
チング素子アレイ基板と前記対向基板との間に液晶組成
物を注入・挟持させて液晶層を作製する工程とを有する
液晶表示装置の製造方法において、前記遮光膜となる材
料を成層し該層状の材料をパターニングして前記遮光膜
を作製する工程と、前記遮光膜上に絶縁膜を成層する工
程と、前記絶縁膜上に前記薄膜トランジスタ素子の活性
層となる活性層材料を成層する工程と、前記活性層材料
を、前記遮光膜を露光マスクとしてパターニングして前
記活性層を作製する工程と、を含むことを特徴としてい
る。

【００２５】即ち、ＴＦＴの活性層とその下層の遮光膜
とをその形状がほぼ同じ（つまりフォトリソグラフィプ
ロセスにおける露光装置のレンズ系周差に起因した光の
若干のにじみやエッチングファクタによるテーパーやオ
ーバーエッチングなどの、誤差を除いては、形状がほと
んど同じ）であり、かつズレの無いようにする手段とし
て、活性層をパターニングする際に、下層の遮光膜パタ
ーンをフォトリソグラフィの露光マスクとして基板裏面
から露光を行なうことを骨子とする。このような本発明
に係るパターニング方法が、最も高精度かつ簡易な方法
でずれの僅少なパターニング方法であると言える。

【００２６】なお、上記の活性層材料は、例えば気相成
長法により直接ｐ−Ｓｉを成膜してもよく、あるいは気
相成長法等でａ−Ｓｉ膜を成長させ、その膜を固相成長
させるなどして成層してもよいことは言うまでもない。
いずれにせよその活性層を作製するために活性層材料を
パターニングする際に、裏面露光によってレジストを露
光しこのレジストパターンを用いたフォトリソグラフィ
法等により活性層材料をパターニングすることで本発明
は達成できる。

【００２７】

【作用】図６に示すように、遮光膜２１５とＴＦＴ２２
０の活性層２３０とが製造工程でずれており、遮光膜２
１５の活性層２３０に対して平面的な位置関係が重なら
ずにらはみ出した部分で光が反射することが原因である
ことを、本発明者は見出だした。そのようなずれは、フ
ォトリソグラフィ工程におけるマスク精度やマスクの合
わせ精度等に起因するものである。 1： 1の等倍露光を
行なう場合には通常、マスク精度は 0.3〜 0.5μｍ、合
わせ精度は 0.5〜 1μｍ程度であった。

【００２８】これに対して、本発明の作用は次の通りで
ある。即ち、遮光膜２１５をマスクとして用いて裏面露
光によりＴＦＴ２２０の活性層２３０をパターニングす
る。これにより、ＴＦＴ２２０の活性層２３０の平面形
状を、遮光膜２１５の平面形状とほぼ同じ形状で、かつ
位置ずれが無いように形成することができる。

【００２９】このため、ＴＦＴ直下で光が反射して、Ｔ
ＦＴに光が入るのを防ぐことができ、ＴＦＴの光リーク
電流を抑えることができる。その結果、表示画面におけ
るクロストークやコントラスト低下等の表示不良を解消
して、液晶表示装置の表示性能を向上することができ
る。

【００３０】（なお、図６においては、図５と同様の部
位には同一の符号を付して示している。）

【００３１】

【実施例】以下、本発明に係る液晶表示装置の製造方法
の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。

【００３２】図１は本発明に係る液晶表示装置の表示画
素部分を抜き出して示す図で、（ａ）はその平面図、
（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ´断面図である。

【００３３】図１において、１１０は絶縁性基板、１１
５は遮光膜、１１６は第１の層間絶縁膜、１２０はＴＦ
Ｔ、１２１は活性層、１２２はゲート絶縁膜、１２３は
ゲート電極、１２４はソース（ソース領域）、１２５は
ドレイン（ドレイン領域）、１３０は第２の層間絶縁
膜、１３１はドレイン上開口部、１３２はソース上開口
部、１４０は信号配線、１５０はゲート配線、１６０は
画素電極、１７０は蓄積容量、１７１は蓄積容量下部電
極、１７２は蓄積容量誘電体膜、１７３は蓄積容量上部
電極、１８０は蓄積容量配線、石英基板１１０の上に、
Ｃｒからなる厚さ 300ｎｍの遮光膜１１５が形成され
る。

【００３４】この遮光膜１１５の上に、ＳｉＯ₂からな
る第１の層間絶縁膜１１６が形成されている。この第１
の層間絶縁膜１１６の厚さは 1μｍとした。

【００３５】そしてこの第１の層間絶縁膜１１６の上に
前記の遮光膜１１５と同一の平面形状の第１のｐ−Ｓｉ
が成膜され、これを遮光膜１１５を用いた裏面露光でパ
ターニングして、活性層１２１が形成されている。

【００３６】この第１のｐ−Ｓｉはその一部分がＴＦＴ
１２０の活性層１２１として用いられる一方、これとは
別の一部分は蓄積容量１７０の蓄積容量下部電極１７１
として用いられる。

【００３７】ＴＦＴ１２０は、第１のｐ−Ｓｉによる活
性層１２１、熱酸化膜からなるゲート絶縁膜１２２、第
１のｐ−Ｓｉとは別層の第２のｐ−Ｓｉからなるゲート
電極１２３によってその主要部が形成されている。

【００３８】ゲート電極１２３は上記の第２のｐ−Ｓｉ
を用いて形成されたゲート配線１５０に連なる一体構造
となっている。このゲート電極１２３の両側にはＴＦＴ
１２０のソース１２４、ドレイン１２５があり、これら
はｎ型のドーパントであるＰ（燐）が打ち込まれ低抵抗
化されて形成されている。

【００３９】このＴＦＴ１２０は第２の層間絶縁膜１３
０によって覆われる。そしてＴＦＴ１２０のドレイン１
２５は、前記の第２の層間絶縁膜１３０に穿設されたド
レイン上開口部１３１を通って、Ｃｒ・Ａｌの 2層構造
からなる信号配線１４０に接続される。

【００４０】一方、ＴＦＴ１２０のソース１２４は、第
２の層間絶縁膜１３０に穿設されたソース上開口部１３
２を通って、ＩＴＯからなる画素電極１６０に接続され
る。また、ＴＦＴ１２０のソース１２４は第１のｐ−Ｓ
ｉを用いて形成された蓄積容量１７０の蓄積容量下部電
極１７１と連結している。

【００４１】その蓄積容量下部電極１７１上には、熱酸
化膜からなる蓄積容量誘電体膜１７２が形成され、さら
にその上には第２のｐｏｌｙ−Ｓｉからなる蓄積容量上
部電極１７３が形成されている。

【００４２】蓄積容量上部電極１７３は、蓄積容量配線
１８０と一体構造となっている。

【００４３】以上のような本実施例の液晶表示装置の画
素領域の構造を、フォトリソグラフィ工程を用いて形成
していく。下記にその製造方法を、図２を参照しつつ詳
述する。

【００４４】石英基板１１０上に、Ｃｒをスパッタ法に
より 300ｎｍ成膜した後、これをパターニングして、遮
光膜１１５を形成する（図２（ａ））。

【００４５】続いて、減圧ＣＶＤ法または常圧ＣＶＤ法
により、ＳｉＯ₂を全面に 1μｍ成膜し、第１の層間絶
縁膜１１６を形成する（ｂ）。

【００４６】引き続き、減圧ＣＶＤ法によりアンドープ
の第１のｐ−Ｓｉ１９０を 100ｎｍ成膜する（ｃ）。

【００４７】続いて、前記第１のｐ−Ｓｉ１９０の上に
フォトレジスト１９１を塗布し、これを石英基板側から
露光する（ｄ）。このとき、遮光膜１１５がマスクとし
て機能するので、露光の光学的周差や露光の波長に依存
した光のにじみなどの極微細な誤差を除いては遮光膜１
１５と殆ど同一形状のレジストパターンをセルフアライ
ンで得ることができる。

【００４８】その後、上記で成膜した第１のｐ−Ｓｉ１
９０をドライエッチングあるいはウェットエッチング等
によりパターニングして、ＴＦＴ１２０の活性層１２１
および蓄積容量１７０の蓄積容量下部電極１７１を得る
（ｅ）。

【００４９】そしてこれ以降は、一般的なＴＦＴ形成工
程と同様にＴＦＴ１２０のアレイを完成し配線等を完成
して、ＴＦＴアレイ基板１００を完成する（ｆ）。ＴＦ
Ｔアレイの形成工程を略述すると、以下の通りである。

【００５０】活性層１２１および蓄積容量下部電極１７
１として用いた第１のｐ−Ｓｉの表面を熱酸化して、Ｔ
ＦＴ１２０のゲート絶縁膜１２２および蓄積容量誘電体
１７２を活性層１２１および蓄積容量下部電極１７１の
上に形成する。ゲート絶縁膜１２２の厚さは 100ｎｍと
した。

【００５１】引き続き、Ｐ（燐）をドープした第２のｐ
−Ｓｉを減圧ＣＶＤ法で成膜した後、これをパターニン
グして、ＴＦＴ１２０のゲート電極１２３・ゲート配線
１５０および蓄積容量上部電極１７３・蓄積容量配線１
８０を形成する。

【００５２】続いて、イオン注入法によりｐＭＯＳ−Ｔ
ＦＴとすべき場合にはＢ（ホウ素）を、ｎＭＯＳ−ＴＦ
Ｔとすべき場合にはＰ（燐）を注入して、ＴＦＴ１２０
のソース１２４およびドレイン１２５とする。

【００５３】続いて、減圧ＣＶＤ法により、ＳｉＯ₂を
全面に成膜し、第２の層間絶縁膜１３０を形成する。こ
の工程は前記のソース１２４・ドレイン１２５にドープ
した不純物の活性化をも兼ねている。

【００５４】次に、スパッタ法によりＩＴＯを成膜しこ
れをパターニングして、画素電極１６０を形成する。

【００５５】そしてＴＦＴ１２０のソース１２４・ドレ
イン１２５それぞれの直上を覆っている第２の層間絶縁
膜１３０をそれぞれ部分的にエッチングして開口する。

【００５６】続いて、スパッタ法によりＣｒ、Ａｌの順
に成膜しこれをパターニングして、信号配線１４０を形
成する。

【００５７】ここで、本発明として特に重要なのは、図
２（ｄ）、（ｅ）に示した工程、すなわち第１のｐ−Ｓ
ｉ１９０を加工する工程であり、遮光膜１１５と第１の
ｐ−Ｓｉ１９０との形状の同一性および両者の位置合わ
せズレ量やハミダシ量（即ち第１のｐ−Ｓｉ１９０の端
部と遮光膜１１５の端部との位置関係のずれ）が評価の
ポイントとなる。

【００５８】本実施例では、前述の各層膜厚に対して露
光エネルギーを 100ｍＪ／ｃｍ²とした結果、第１のｐ
−Ｓｉ１９０の端部と遮光膜１１５の端部との位置関係
は、第１のｐ−Ｓｉ１９０が遮光膜１１５よりも 0.2μ
ｍ内側になり、従来のような両者の位置合わせズレによ
って第１のｐ−Ｓｉ１９０が遮光膜１１５よりも外側に
はみだすことはなくなった。

【００５９】上記の第１のｐ−Ｓｉ１９０が遮光膜１１
５よりも内側に内向する寸法は、露光エネルギーや、各
層膜厚や、フォトレジストの材質などの諸条件によって
左右されるが、いずれの場合でも遮光膜１１５を用いた
本発明の技術のセルフアラインによれば、従来のような
遮光膜１１５と第１のｐ−Ｓｉ１９０との位置的なズレ
を解消できる。

【００６０】ここで、比較のために、ＴＦＴアレイ基板
に本発明に係る遮光膜を形成しない、従来構造による液
晶表示装置では、これをプロジェクション方式の表示装
置に用いて、入射光に 100万ルクスの光源を使用して画
像を投影した場合に、表示画像のコントラスト比が20：
1となった。またＴＦＴアレイ基板の上でかつＴＦＴの
下にＩＴＯ画素電極部分を除く全ての領域に遮光膜を形
成した図５のような従来構造の場合、表示画像のコント
ラスト比は40： 1程度であった。

【００６１】一方、本発明を用いた液晶表示パネルの場
合には、表示画像のコントラスト比は 150： 1までも向
上した。さらに、本発明を用いた液晶表示パネルでは、
クロストークも見受けられなくなった。これらの実験結
果は、本発明の技術によってＴＦＴの光リーク電流が減
少・解消されたことを意味している。

【００６２】このように、本発明によれば基板界面等で
の反射光がＴＦＴへ間接的に入射することを抑えてＴＦ
Ｔの光リーク電流を解消できることが確認できた。

【００６３】なお、上述の実施例においては、ＴＦＴ１
２０の下の遮光膜１１５とＴＦＴ１２０との距離すなわ
ち第１の層間絶縁膜１１６の厚さを 1μｍとし、このと
き遮光膜１１５の形状をＴＦＴ１２０のチャネルの平面
的サイズよりも前後左右それぞれ 0.2μｍ程度大きいも
のに形成できた。換言すれば、ＴＦＴ１２０のチャネル
サイズは、遮光膜１１５の平面形状の外形寸法よりも周
囲 0.2μｍずつ内向きに小さく形成できた。これは、Ｔ
ＦＴ１２０の活性層１２１のエッチングの際に、エッチ
ングファクタ等によりその断面がややテーパ状になるた
めと考えられるが、このようにＴＦＴ１２０のチャネル
サイズが遮光膜１１５よりも少し内向きに小さくなるこ
とにより、直接光や反射光の活性層１２１への入射をさ
らに効果的に防ぐことができるという利点があって、好
ましい。

【００６４】このような遮光膜１１５の寸法を決定する
には、ＴＦＴ１２０の下の遮光膜１１５とＴＦＴ１２０
との距離、および液晶表示パネル内を通過する光の伝播
方向を考慮するのがよい。

【００６５】たとえば、光源光の出射主方向と液晶表示
パネルとが垂直に配置される場合、液晶表示パネル内を
通過する光の伝播方向は、反射等を経た間接入射光も含
めてそのほとんどがＴＦＴアレイ基板の法線方向とのな
す角度は30°以内の伝播方向の光である。

【００６６】従って、前記のチャネルの内向寸法は、Ｔ
ＦＴ１２０とその下の遮光膜１１５との距離、即ち第１
の層間絶縁膜の厚さｗのｔａｎ30°倍程度（ｗ×ｔａｎ
30°）とするのが好ましい。

【００６７】ただし、光源の光出射の主方向と液晶表示
パネルとが垂直でない場合には、上記の限りではなく、
その傾き角をも考慮にいれる必要があることは言うまで
もない。以上の関係を把握した上で、本発明の骨子であ
る遮光膜１１５をレジスト露光時のマスクとして用いた
セルフアラインによるフォトリソグラフィの諸条件を決
定することが望ましい。

【００６８】以上の実施例においては、ｐ−ＳｉＴＦＴ
を用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置に本発
明を適用した場合の一実施例について述べたが、本発明
の適用は上記の一実施例のみには限定されないことは言
うまでもない。

【００６９】また、ブラックマトリックスの材料をはも
ちろん、各種薄膜の材料・製造方法を様々に変形して実
施することができることは言うまでもない。

【００７０】

【発明の効果】以上、詳細な説明で明示したように、本
発明によれば、液晶表示パネルへ入射した光が直接・間
接にＴＦＴに照射されることを防いで、ＴＦＴの光リー
ク電流の発生を抑え、液晶印加電圧をＴＦＴのオフ時に
確実に保持することが可能となる。これにより表示画像
のコントラスト比の向上・クロストークの低減など表示
性能を向上するという効果を得ることができる。

【００７１】さらには、ＴＦＴアレイ基板上でかつＴＦ
Ｔの下層にＩＴＯ画素電極部分を除くほぼ全領域に遮光
膜を形成した場合などにはゲート配線等の容量が寄生的
に増大して走査電圧パルスの遅延や鈍りなどの波形歪み
に起因した表示性能の低下が発生していたが、本発明に
よればそのようなではこのようなゲート配線容量等の寄
生的な増大もなく、それに起因した表示性能の低下もな
い。

【００７２】すなわち、本発明によれば、ＴＦＴの光リ
ーク電流の発生を抑え、液晶印加電圧をＴＦＴのオフ時
に確実に保持して表示画像のコントラスト比の向上やク
ロストークの低減など表示性能の向上を実現した液晶表
示装置を簡易な製造プロセスによって製作することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るｐ−ＳｉＴＦＴを用いた液晶表示
装置の表示画素部分を示す図である。

【図２】本発明に係るｐ−ＳｉＴＦＴを用いた液晶表示
装置の製造プロセスを示す図である。

【図３】従来の液晶表示パネルの概要構造を示す図であ
る。

【図４】従来の液晶表示パネルと入射光との関係を示す
概念図である。

【図５】従来のｐ−ＳｉＴＦＴを用いた液晶表示装置に
従来の技術に係る改良を施した場合の表示画素部分を示
す図である。

【図６】従来のｐ−ＳｉＴＦＴを用いた液晶表示装置に
従来の技術に係るさらなる改良を施した場合の表示画素
部分を示す図である。

【符号の説明】

１１０………絶縁性基板１１５………遮光膜１２０………ＴＦＴ１２１………活性層１２２………ゲート絶縁膜１２３………ゲート電極１２４………ソース１２５………ドレイン１６０………画素電極１７０………蓄積容量１７１………蓄積容量下部電極１８０………蓄積容量配線１９０………第１のｐｏｌｙ−Ｓｉ１９１………フォトレジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に互いに交差するように複数の走
査配線と複数の信号配線とを配設し、該走査配線および
該信号配線に接続するように該走査配線および該信号配
線の交差部ごとにスイッチング素子としてのコプラナ型
の薄膜トランジスタ素子を形成し、該薄膜トランジスタ
素子ごとに接続された画素電極を形成し前記薄膜トラン
ジスタ素子への光入射を遮るための遮光膜を前記絶縁性
基板と前記薄膜トランジスタ素子との間に形成してスイ
ッチング素子アレイ基板を作製する工程と、前記スイッ
チング素子アレイ基板に間隙を有して対向配置される対
向電極を形成して対向基板を作製する工程と、前記スイ
ッチング素子アレイ基板と前記対向基板との間に液晶組
成物を注入・挟持させて液晶層を作製する工程とを有す
る液晶表示装置の製造方法において、前記遮光膜となる材料を成層し該層状の材料をパターニ
ングして前記遮光膜を作製する工程と、前記遮光膜上に絶縁膜を成層する工程と、前記絶縁膜上に前記薄膜トランジスタ素子の活性層とな
る活性層材料を成層する工程と、前記活性層材料を、前記遮光膜を露光マスクとしてパタ
ーニングして前記活性層を作製する工程と、を含むこと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。