JP2006148097A - 有機発光素子及び前記有機発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機発光素子及び前記有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】相互対向した第１ソース電極及び第１ドレイン電極の間に備えられた少なくとも発光層を備える第１中間層と、第１ソース電極、第１ドレイン電極及び第１中間層と絶縁され、第１中間層を覆い包む第１ゲート電極とを備える第１有機発光トランジスタと、相互対向した第２ソース電極及び第２ドレイン電極の間に備えられた少なくとも発光層を備える第２中間層と、第２ソース電極、第２ドレイン電極及び第２中間層と絶縁され、第２中間層を覆い包む第２ゲート電極とを備える第２有機発光トランジスタと、を備え、第１ドレイン電極は、第２ゲート電極に連結された有機発光素子及びその製造方法である。これにより、有機発光トランジスタを利用して構造及び生産工程を単純化することによって、生産コストを低減し、かつ収率を向上させうる。
【選択図】図１
【解決手段】相互対向した第１ソース電極及び第１ドレイン電極の間に備えられた少なくとも発光層を備える第１中間層と、第１ソース電極、第１ドレイン電極及び第１中間層と絶縁され、第１中間層を覆い包む第１ゲート電極とを備える第１有機発光トランジスタと、相互対向した第２ソース電極及び第２ドレイン電極の間に備えられた少なくとも発光層を備える第２中間層と、第２ソース電極、第２ドレイン電極及び第２中間層と絶縁され、第２中間層を覆い包む第２ゲート電極とを備える第２有機発光トランジスタと、を備え、第１ドレイン電極は、第２ゲート電極に連結された有機発光素子及びその製造方法である。これにより、有機発光トランジスタを利用して構造及び生産工程を単純化することによって、生産コストを低減し、かつ収率を向上させうる。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機発光素子及び前記有機発光素子の製造方法に係り、さらに詳細には、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を利用して構造及び生産工程を単純化することによって、生産コストを低減し、かつ収率が向上した有機発光素子及び前記有機発光素子の製造方法に関する。
液晶素子や有機電界発光素子または無機電界発光素子を備えた平板ディスプレイ装置は、その駆動方式によって、受動駆動方式のパッシブマトリックス（ＰＭ：Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）型と、能動駆動方式のアクティブマトリックス（ＡＭ：Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）型とに区分される。
ＰＭ型は、単純に陽極と陰極とがそれぞれカラムとローとで配列され、陰極には、ロー駆動回路からスキャニング信号が供給され、このとき、複数のローのうち、一つのローのみが選択される。また、カラム駆動回路には、各画素にデータ信号が入力される。
一方、ＡＭ型は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を利用して、各画素当たり入力される信号を制御するものであって、膨大な量の信号を処理するのに適して、動画を具現するためのディスプレイ装置として多く使われている。
このように、ＡＭ型の平板ディスプレイ装置のＴＦＴは、高濃度の不純物でドーピングされたソース／ドレイン領域と、このソース／ドレイン領域の間に形成されたチャンネル領域とを有する半導体層を有し、この半導体層と絶縁されて前記チャンネル領域に対応する領域に位置するゲート電極と、前記ソース／ドレイン領域にそれぞれ接触されるソース／ドレイン電極とを有する。
前記半導体層としては、非晶質シリコンまたは多結晶質シリコンが多く使われるが、非晶質シリコンは、低温蒸着が可能であるという長所がある反面、電気的特性と信頼性とが低下して平板ディスプレイ装置の大面積化が難しく、最近では、多結晶質シリコンが多く使われている。多結晶質シリコンは、数十ないし数百ｃｍ2／Ｖ・ｓの高い電流移動度を有し、高周波動作特性及び漏れ電流値が低くて、高精細及び大面積の平板ディスプレイ装置に使用するのに非常に適している。
しかし、多結晶質シリコンで半導体層を製造する場合には、非晶質シリコンを多結晶質シリコンに結晶化する結晶化工程が必要であるが、この結晶化には、通常、３００℃以上の高温工程が存在する。この場合、最近要求されているフレキシブルディスプレイの具現のためのプラスチック材などの基板の使用が難しく、したがって、このような工程が不要な有機ＴＦＴの研究が進められつつある。
一方、最近の平板ディスプレイ装置は、動画などの処理のために非常に速い動作速度と均一な画質とが要求されている。特に、有機電界発光素子の場合、きれいな画質の動画処理のためには、既存の液晶素子よりさらに高い特性の回路が具現されねばならない。すなわち、有機電界発光素子の場合には、画素のスイッチングのためのスイッチング素子以外にも、各画素の駆動素子も別途に備えられねばならず、それ以外にも、各種の補償回路のために複数個のＴＦＴがさらに備えられることもある。
このような複雑な回路に連結された表示部を有する有機電界発光素子の場合、複雑な構成によって工程が複雑になり、これにより、収率が低下し、かつ製造コストが上昇するという問題点があった。
本発明は、前記問題点を含んだ色々な問題点を解決するためのものであって、有機発光トランジスタを利用して構造及び生産工程を単純化することによって、生産コストを低減し、かつ収率が向上した有機発光素子及び前記有機発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
前記目的及びその他の色々な目的を達成するために、本発明は、相互対向した第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、前記第１ソース電極と前記第１ドレイン電極との間に備えられた少なくとも発光層を備える第１中間層と、前記第１ソース電極、前記第１ドレイン電極及び前記第１中間層と絶縁され、前記第１中間層の全部または一部を覆い包む第１ゲート電極と、を備える第１有機発光トランジスタと、相互対向した第２ソース電極及び第２ドレイン電極と、前記第２ソース電極と前記第２ドレイン電極との間に備えられた少なくとも発光層を備える第２中間層と、前記第２ソース電極、前記第２ドレイン電極及び前記第２中間層と絶縁され、前記第２中間層を覆い包む第２ゲート電極と、を備える第２有機発光トランジスタと、を備え、前記第１ドレイン電極は、前記第２ゲート電極に連結されたことを特徴とする有機発光素子を提供する。
このような本発明の他の特徴によれば、前記第１ソース電極と前記第２ソース電極、前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極、そして前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極とは、それぞれ同一層に備えられうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２ゲート電極に連結される第１キャパシタ電極及び前記第２ソース電極に連結される第２キャパシタ電極を備えたキャパシタをさらに備えうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１キャパシタ電極は、前記第２ゲート電極と一体に備えられうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２キャパシタ電極は、前記第２ソース電極と一体に備えられうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極が備えられた層と、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極が備えられた層の間には、キャパシタ絶縁層がさらに備えられうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャパシタ絶縁層は、無機物または有機物で備えられうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部には、平坦化膜がさらに備えられうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１ドレイン電極及び前記第２ドレイン電極は、前記平坦化膜の上部の層に備えられうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記平坦化膜には、コンタクトホールが形成され、前記第１ドレイン電極と前記第２ゲート電極とは、前記コンタクトホールを通じて連結されうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１中間層は、前記第１ソース電極から前記第１ドレイン電極方向への中心軸を有する円柱状の中間層であり、前記第２中間層は、前記第２ソース電極から前記第２ドレイン電極方向への中心軸を有する円柱状の中間層でありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１中間層と前記第１ゲート電極、そして前記第２中間層と前記第２ゲート電極との間には、それぞれゲート絶縁膜がさらに備えられうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１中間層は、前記第１ソース電極から前記第１ドレイン電極方向への中心軸を有する円柱状の中間層であり、前記第２中間層は、前記第２ソース電極から前記第２ドレイン電極方向への中心軸を有する円柱状の中間層でありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記ゲート絶縁膜は、円柱状の前記第１中間層及び第２中間層の側面を覆い包む形態のゲート絶縁膜でありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記各中間層は、低分子有機物または高分子有機物から形成されうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記各中間層は、少なくともホール注入層を備え、前記第１ゲート電極は、前記第１中間層のホール注入層を、前記第２ゲート電極は、前記第２中間層のホール注入層を覆い包みうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記各中間層は、少なくともホール輸送層を備え、前記第１ゲート電極は、前記第１中間層のホール輸送層を、前記第２ゲート電極は、前記第２中間層のホール輸送層を覆い包みうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記各中間層は、少なくともホール抑制層を備え、前記第１ゲート電極は前、記第１中間層のホール抑制層を、前記第２ゲート電極は、前記第２中間層のホール抑制層を覆い包みうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記各中間層は、少なくとも電子輸送層を備え、前記第１ゲート電極は、前記第１中間層の電子輸送層を、前記第２ゲート電極は、前記第２中間層の電子輸送層を覆い包みうる。
本発明はまた、前記目的を達成するために、基板上に第１ソース電極及び第２ソース電極を形成する工程と、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極を覆うように前記基板の全面にキャパシタ絶縁層を形成する工程と、前記キャパシタ絶縁層の上部に前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極にそれぞれ対応するようにドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する工程と、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極を覆うように前記基板の全面に平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜の上部に高分子マスクを付着する工程と、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極の上面のうち、前記ドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極に対応する部分の内部が露出されるように、前記高分子マスク、前記平坦化膜及び前記キャパシタ絶縁層に貫通ホールを形成する工程と、前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、前記貫通ホールの内部に少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程と、前記高分子マスクを除去する工程と、前記第２ゲート電極の一部が露出されるように前記平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記中間層の上部に、前記第１ソース電極に対応して前記コンタクトホールを通じて前記第２ゲート電極に連結される第１ドレイン電極と、前記第２ソース電極に対応する第２ドレイン電極とを形成する工程と、を備えることを特徴とする有機発光素子の製造方法を提供する。
このような本発明の他の特徴によれば、前記貫通ホールの内部に少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程は、低分子有機物を蒸着する工程でありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャパシタ絶縁層は、有機物または無機物で形成されうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極の上面のうち、前記ドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極に対応する部分の内部が露出されるように、前記高分子マスク、前記平坦化膜及び前記キャパシタ絶縁層に貫通ホールを形成する工程は、レーザエッチング法（ＬＡＴ：Ｌａｓｅｒ Ａｂｌａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）を利用しうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程は、前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を酸化させる工程でありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を酸化させることは、Ｏ２プラズマ処理またはＨ２Ｏ２処理による。
本発明はまた、前記目的を達成するために、基板上に第１ソース電極及び第２ソース電極を形成する工程と、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極を覆うように前記基板の全面にキャパシタ絶縁層を形成する工程と、前記キャパシタ絶縁層の上部に前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極にそれぞれ対応するようにドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する工程と、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極を覆うように前記基板の全面に平坦化膜を形成する工程と、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極の上面のうち、前記ドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極に対応する部分の内部が露出されるように、前記平坦化膜及び前記キャパシタ絶縁層に貫通ホールを形成する工程と、前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、前記貫通ホールの内部に少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程と、前記第２ゲート電極の一部が露出されるように前記平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記中間層の上部に、前記第１ソース電極に対応して前記コンタクトホールを通じて前記第２ゲート電極に連結される第１ドレイン電極と、前記第２ソース電極に対応する第２ドレイン電極とを形成する工程と、を備えることを特徴とする有機発光素子の製造方法を提供する。
このような本発明の他の特徴によれば、前記貫通ホールの内部に少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程は、高分子有機物をインクジェットプリンティング法で前記貫通ホールの内部に供給する工程でありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャパシタ絶縁層は、有機物または無機物で形成されうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極の上面のうち、前記ドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極に対応する部分の内部が露出されるように、前記平坦化膜及び前記キャパシタ絶縁層に貫通ホールを形成する工程は、ＬＡＴを利用しうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程は、前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を酸化させる工程でありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を酸化させることは、Ｏ２プラズマ処理またはＨ２Ｏ２処理による。
本発明の有機発光素子及び前記有機発光素子の製造方法によれば、次のような効果が得られる。
第一に、別途のＴＦＴが備えられずとも、有機発光トランジスタを使用して有機発光素子を具現できる。
第二に、有機発光トランジスタを使用して有機発光素子の構造及び生産工程を単純化することによって、生産コストを低減し、かつ収率を向上させうる。
以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。
図１は、本発明の望ましい第１実施形態による有機発光素子を概略的に示す断面図であり、図２は、前記実施形態による有機発光素子を利用した発光ディスプレイ装置の回路を概略的に示す回路図であり、図３は、前記回路図のＡ部分を示す回路図であり、図４は、前記実施形態による有機発光素子に備えられた有機発光トランジスタを概念的に示す斜視図である。図４では、後述するゲート絶縁膜１１５を便宜上省略した。
前記図面を参照して、本実施形態による有機発光素子の構造を説明すれば、次の通りである。
まず、第１有機発光トランジスタ１１０及び第２有機発光トランジスタ１２０が相互電気的に連結されるように備えられている。前記第１有機発光トランジスタ１１０には、相互対向した第１ソース電極１１１及び第１ドレイン電極１１２と、前記第１ソース電極１１１と前記第１ドレイン電極１１２との間に備えられた少なくとも発光層１１３３を備える第１中間層１１３と、が備えられている。そして、前記第１ソース電極１１１、前記第１ドレイン電極１１２及び前記第１中間層１１３と絶縁され、前記第１中間層１１３を覆い包む第１ゲート電極１１４が備えられている。
第２有機発光トランジスタ１２０にも、相互対向した第２ソース電極１２１及び第２ドレイン電極１２２と、前記第２ソース電極１２１と前記第２ドレイン電極１２２との間に備えられた少なくとも発光層１２３３を備える第２中間層１２３と、前記第２ソース電極１２１、前記第２ドレイン電極１２２及び前記第２中間層１２３と絶縁されて前記第２中間層１２３を覆い包む第２ゲート電極１２４と、が備えられている。
そして、前記第１ドレイン電極１１２は、前記第２ゲート電極１２４に連結されている。
このとき、図１に示したように、前記第１ソース電極１１１と前記第２ソース電極１２１とは、同じ層に備えられうる。また、前記第１ドレイン電極１１２と前記第２ドレイン電極１２２、そして前記第１ゲート電極１１４と前記第２ゲート電極１２４も、それぞれ同一層に備えられうる。
前記ソース電極１１１，１２１が透明な素材から形成されるときには、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で備えられうる。反射型電極として使われるときには、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物で反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で備えられうる。
前記ドレイン電極１１２，１２２が透明素材から形成されるときには、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇまたはこれらの化合物を前記中間層１１３，１２３に向かうように蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用物質で補助電極やバス電極ラインを備えうる。そして、反射型電極として使われるときには、前記Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇまたはこれらの化合物を全面蒸着して形成する。しかし、必ずしもこれに限定されず、前記ソース電極１１１，１２１及び前記ドレイン電極１１２，１２２として伝導性ポリマーなどの有機物を使用してもよい。
そして、前記のような有機発光素子には、キャパシタ１３０がさらに備えられるが、この場合、前記キャパシタ１３０の第１キャパシタ電極１３１は、前記第２ゲート電極１２４に連結され、前記キャパシタ１３０の第２キャパシタ電極１３２は、前記第２ソース電極１２１に連結される。この場合、前記第１キャパシタ電極１３１は、前記第２ゲート電極１２４と一体に備えられ、前記第２キャパシタ電極１３２は、前記第２ソース電極１２１と一体に備えられうる。
したがって、このような構造の前記第１キャパシタ電極１３１と前記第２キャパシタ電極１３２との間には、キャパシタ絶縁層１４０が備えられるが、図１に示したように、前記第１ゲート電極１１４及び前記第２ゲート電極１２４が備えられた層と、前記第１ソース電極１１１及び前記第２ソース電極１２１が備えられた層との間には、キャパシタ絶縁層１４０が備えられる。このとき、前記キャパシタ絶縁層１４０は、無機物または有機物から形成されうる。
前記のように、キャパシタ絶縁層１４０の上部に備えられた前記第１ゲート電極１１４及び前記第２ゲート電極１２４の上部には、平坦化膜１５０がさらに備えられうる。そして、前記第１ドレイン電極１１２及び前記第２ドレイン電極１２２は、前記平坦化膜１５０の上部の層に備えられうる。このとき、前述したように、前記第１ドレイン電極１１２が前記第２ゲート電極１２４に連結されるところ、このために前記平坦化膜１５０には、コンタクトホール１５０ａが形成され、前記第１ドレイン電極１１２と前記第２ゲート電極１２４とは、前記コンタクトホール１５０ａを通じて連結されている。
前記のように、キャパシタ絶縁層１４０の上部に備えられた前記第１ゲート電極１１４及び前記第２ゲート電極１２４の上部には、平坦化膜１５０がさらに備えられうる。そして、前記第１ドレイン電極１１２及び前記第２ドレイン電極１２２は、前記平坦化膜１５０の上部の層に備えられうる。このとき、前述したように、前記第１ドレイン電極１１２が前記第２ゲート電極１２４に連結されるところ、このために前記平坦化膜１５０には、コンタクトホール１５０ａが形成され、前記第１ドレイン電極１１２と前記第２ゲート電極１２４とは、前記コンタクトホール１５０ａを通じて連結されている。
このとき、前記第１中間層１１３は、多様な形態で備えられるが、前記第１ソース電極１１１から前記第１ドレイン電極１１２方向への中心軸を有する円柱状の中間層となってもよい。もちろん、前記第２中間層１２３も多様な形態で備えられるが、前記第２ソース電極１２１から前記第２ドレイン電極１２２方向への中心軸を有する円柱状の中間層となってもよい。以下の実施形態では、便宜上、このような円柱状の中間層である場合について説明する。
一方、前述したように、前記第１ゲート電極１１４は、前記第１ソース電極１１１、前記第１ドレイン電極１１２及び前記第１中間層１１３と絶縁され、前記第１中間層１１３を覆い包むドーナッツ状であるところ、このために前記第１中間層１１３と前記第１ゲート電極１１４との間にゲート絶縁膜１１５をさらに備えうる。もちろん、前記第２中間層１２３と前記第２ゲート電極１２４との間にもゲート絶縁膜１２５がさらに備えられうる。
このとき、前記第１中間層１１３及び前記第２中間層１２３は、前述したように、円柱状の中間層となるところ、このような場合、前記ゲート絶縁膜１１５，１２５は、円柱状の前記第１中間層１１３及び第２中間層１２３の側面を覆い包む形態のゲート絶縁膜でありうる。
一方、前記各中間層１１３，１２３は、低分子有機物から形成されるところ、この場合、前記中間層１１３，１２３は、図１に示したように、前記ソース電極１１１，１２１から前記ドレイン電極１１２，１２２方向へ、ホール注入層１１３１，１２３１（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層１１３２，１２３２（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、発光層１１３３，１２３３（ＥＭＬ：ＥＭｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール抑制層１１３４，１２３４（ＨＢＬ：Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）及び電子輸送層１１３５，１２３５（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）を備え、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ,Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ,Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）をはじめとして多様に適用可能である。もちろん、これと相異なる構造の中間層からなることもでき、これは、後述する実施形態においても同様である。
このとき、前記各中間層１１３，１２３は、図１に示したように、少なくともＨＴＬ １１３２，１２３２を備え、前記第１ゲート電極１１４は、前記第１中間層１１３のＨＴＬ １１３２を、前記第２ゲート電極１２４は、前記第２中間層１２３のＨＴＬ １２３２を覆い包みうる。この場合、前記ＨＴＬ １２３２を完全に覆い包んでもよく、一部のみ覆い包んでもよい。これは、後述する実施形態においても同様である。この場合には、前記ＨＴＬ １１３２，１２３２が半導体層の役割を行う。もちろん、これ以外にも、前記各中間層１１３，１２３は、少なくともＨＩＬ １１３１，１２３１を備え、前記第１ゲート電極１１４は、前記第１中間層１１３のＨＩＬ １１３１を、前記第２ゲート電極１２４は、前記第２中間層１２３のＨＩＬ １２３１を覆い包んでもよく、前記各中間層１１３，１２３が少なくともＨＢＬ １１３４，１２３４を備え、前記第１ゲート電極１１４は、前記第１中間層１１３のＨＢＬ １１３４を、前記第２ゲート電極１２４は、前記第２中間層１２３のＨＢＬ １２３４を覆い包んでもよく、前記各中間層１１３，１２３が少なくともＥＴＬ １１３５，１２３５を備え、前記第１ゲート電極１１４は、前記第１中間層１１３のＥＴＬ １１３５を、前記第２ゲート電極１２４は、前記第２中間層１２３のＥＴＬ １２３５を覆い包んでもよい。これ以外にも、いかなる中間層の変形及びゲート電極の位置の変化も可能である。これは、後述する実施形態においても同様である。
前記のような構造の有機発光素子の動作原理を、図３を参照して説明すれば、次の通りである。
駆動回路によって、第１導線１７０に連結された、第１有機発光トランジスタ１１０の第１ゲート電極１１４にスキャン信号が印加されれば、前記第１ゲート電極１１４が覆い包んでいる前記中間層１１３のＨＴＬ １１３２に導電チャンネルが形成される。このとき、第２導線１８０からデータ信号が前記第１有機発光トランジスタ１１０の第１ソース電極１１１に印加されれば、このデータ信号が前記第１有機発光トランジスタ１１０の第１ドレイン電極１１２を経て前記キャパシタ１３０及び第２有機発光トランジスタ１２０の第２ゲート電極２５４に印加される。そして、これにより、前記第２有機発光トランジスタ１２０の中間層１２３のＨＴＬ １２３２に導電チャンネルが形成され、これにより、前記第３導線１９０からの電気信号が調節されて前記第２有機発光トランジスタ１２０のＥＭＬ １２３３を備える中間層１２３で発生する光量を調節する。
前記のような駆動において、前記第１導線１７０はスキャンライン、前記第２導線１８０はデータライン、そして前記第３導線１９０は電源ライン（Ｖｄｄライン）となりうる。
前記のように、別途のＴＦＴが備えられずとも、有機発光トランジスタを使用して有機発光素子を具現でき、これを通じて有機発光素子の構造及び生産工程を単純化することによって、生産コストを低減し、かつ収率を向上させうる。
図５は、本発明の望ましい第２実施形態による有機発光素子を概略的に示す断面図であり、図６は、前記実施形態による有機発光素子に備えられた有機発光トランジスタの一部分を概念的に示す斜視図である。図６では、後述するゲート絶縁膜２１５を便宜上省略した。
本実施形態による有機発光素子と前述した実施形態による有機発光素子との構造上の差異点は、中間層２１３，２２３の構造である。
前述した有機発光素子の場合、有機発光トランジスタに備えられる中間層が低分子有機物から形成されるが、本実施形態による有機発光素子の場合には、有機発光トランジスタ２１０，２２０に備えられる中間層２１３，２２３が高分子有機物から形成される。この場合には、前記中間層２１３，２２３は、大体、ＨＴＬ ２１３２，２２３２及びＥＭＬ ２１３３，２２３３が備えられた構造を有し、このとき、前記ＨＴＬとしてＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙ）ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）が、ＥＭＬとしてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系の高分子有機物質が使用されうる。もちろん、前記層以外の他の層も備えられ、色々な他の物質が使われてもよい。
高分子有機物を使用して中間層を形成する場合にも、別途のＴＦＴが備えられずとも、有機発光トランジスタを使用して有機発光素子を具現でき、これを通じて有機発光素子の構造及び生産工程を単純化することによって、生産コストを低減し、かつ収率を向上させうる。
図７ないし図１３は、本発明の望ましい第１実施形態による有機発光素子の製造工程を概略的に示す断面図である。
まず、図７に示したように、ガラス材またはプラスチック材などの基板１００の上部に第１ソース電極１１１及び第２ソース電極１２１を形成する。このとき、フォトリソグラフィ法を利用して、所定のパターニングが可能である。その後、前記第１ソース電極１１１及び前記第２ソース電極１２１を覆うように前記基板１００の全面にキャパシタ絶縁層１４０を形成する。このとき、前記キャパシタ絶縁層１４０の材料としては、有機物または無機物が使用されうる。そして、前記キャパシタ絶縁層１４０の上部に、前記第１ソース電極１１１及び前記第２ソース電極１２１にそれぞれ対応するようにドーナッツ状の第１ゲート電極１１４及び第２ゲート電極１２４を形成する。この場合にも、ファインメタルマスクを利用して蒸着し、フォトリソグラフィ法で所定のパターニングが可能である。前記のように、第１ゲート電極１１４及び第２ゲート電極１２４を形成した後、前記第１ゲート電極１１４及び第２ゲート電極１２４を覆うように前記基板１００の全面に平坦化膜１５０を形成し、前記平坦化膜１５０の上部に高分子マスク１６０を付着する。
その後、図８に示したように、前記第１ソース電極１１１及び前記第２ソース電極１２１の上面のうち、前記ドーナッツ状の第１ゲート電極１１４及び第２ゲート電極１２４に対応する部分の内部が露出されるように、前記高分子マスク１６０、前記平坦化膜１５０及び前記キャパシタ絶縁層１４０に貫通ホール１５０ｂ，１５０ｃを形成する。前記貫通ホール１５０ｂ，１５０ｃを形成するためにＬＡＴを利用できる。
前記のような工程を経た後、図９に示したように、前記貫通ホール１５０ｂ，１５０ｃの内部に露出された前記平坦化膜１５０、前記第１ゲート電極１１４と前記第２ゲート電極１２４及び前記キャパシタ絶縁層１４０の表面を覆うようにゲート絶縁膜１１５，１２５を形成する。このとき、前記ゲート絶縁膜１１５，１２５は、前記貫通ホール１５０ｂ，１５０ｃの内部に露出された前記平坦化膜１５０、前記第１ゲート電極１１４と前記第２ゲート電極１２４及び前記キャパシタ絶縁層１４０の表面を酸化させることによって形成でき、この場合、Ｏ２プラズマ処理、Ｈ２Ｏ２処理を行うことによって、前記ゲート絶縁膜１１５，１２５を形成できる。もちろん、これ以外の方法を利用することもできる。
その後、図１０に示したように、前記高分子マスク１６０を利用して、低分子有機物を蒸着することによって、前記貫通ホール１５０ｂ，１５０ｃの内部に少なくともＥＭＬを備える中間層１１３，１２３を形成する。前記中間層の形状及び種類は、図１０ないし図１３に示したところに限らない。
そして、図１１に示したように、前記高分子マスク１６０を除去し、図１２に示したように、前記第２ゲート電極１２４の一部が露出されるように、前記平坦化膜１５０にコンタクトホール１５０ａを形成する。そして、最後に、前記中間層１１３，１２３の上部に、前記第１ソース電極１１１に対応して前記コンタクトホール１５０ａを通じて前記第２ゲート電極１２４に連結される第１ドレイン電極１１２と、前記第２ソース電極１２１に対応する第２ドレイン電極１２２とを形成することによって、図１３に示したような有機発光素子を製造できる。
前述したような工程を経ることによって、別途のＴＦＴが備えられずとも有機発光トランジスタを使用して有機発光素子を具現でき、これを通じて有機発光素子の構造及び生産工程を単純化することによって、生産費用を低減し、かつ収率を向上させうる。
図１４ないし図１９は、本発明の望ましい第２実施形態による有機発光素子の製造工程を概略的に示す断面図である。
まず、図１４に示したように、ガラス材またはプラスチック材などの基板２００の上部に第１ソース電極２１１及び第２ソース電極２２１を形成する。このとき、フォトリソグラフィ法を利用して、所定のパターニングが可能である。その後、前記第１ソース電極２１１及び前記第２ソース電極２２１を覆うように前記基板２００の全面にキャパシタ絶縁層２４０を形成する。このとき、前記キャパシタ絶縁層２４０の材料としては、有機物または無機物が使用されうる。そして、前記キャパシタ絶縁層２４０の上部に、前記第１ソース電極２１１及び前記第２ソース電極２２１にそれぞれ対応するようにドーナッツ状の第１ゲート電極２１４及び第２ゲート電極２２４を形成する。この場合にもファインメタルマスクを利用して蒸着し、フォトリソグラフィ法で所定のパターニングが可能である。前記のように、第１ゲート電極２１４及び第２ゲート電極２２４を形成した後、前記第１ゲート電極２１４及び第２ゲート電極２２４を覆うように前記基板２００の全面に平坦化膜２５０を形成する。
その後、図１５に示したように、前記第１ソース電極２１１及び前記第２ソース電極２２１の上面のうち、前記ドーナッツ状の第１ゲート電極２１４及び第２ゲート電極２２４に対応する部分の内部が露出されるように、前記平坦化膜２５０及び前記キャパシタ絶縁層２４０に貫通ホール２５０ｂ，２５０ｃを形成する。前記貫通ホール２５０ｂ，２５０ｃを形成するためにＬＡＴを利用できる。
前記のような工程を経た後、図１６に示したように、前記貫通ホール２５０ｂ，２５０ｃの内部に露出された前記平坦化膜２５０、前記第１ゲート電極２１４と前記第２ゲート電極２２４及び前記キャパシタ絶縁層２４０の表面を覆うようにゲート絶縁膜２１５，２２５を形成する。このとき、前記ゲート絶縁膜２１５，２２５は、前記貫通ホール２５０ｂ，２５０ｃの内部に露出された前記平坦化膜２５０、前記第１ゲート電極２１４と前記第２ゲート電極２２４及び前記キャパシタ絶縁層２４０の表面を酸化させることによって形成でき、この場合、Ｏ２プラズマ処理、Ｈ２Ｏ２処理を行うことによって前記ゲート絶縁膜２１５，２２５を形成できる。もちろん、これ以外の方法を利用することもできる。
その後、図１７に示したように、インクジェットプリンティング法で高分子有機物を利用して、前記貫通ホール２５０ｂ，２５０ｃの内部に少なくともＥＭＬを備える中間層２１３，２２３を形成する。前記中間層の形状及び種類は、図１７ないし図１９に示したところに限らない。
そして、図１８に示したように、前記第２ゲート電極２２４の一部が露出されるように、前記平坦化膜２５０にコンタクトホール２５０ａを形成する。そして、最後に、前記中間層２１３，２２３の上部に、前記第１ソース電極２１１に対応して前記コンタクトホール２５０ａを通じて前記第２ゲート電極２２４に連結される第１ドレイン電極２１２と、前記第２ソース電極２２１に対応する第２ドレイン電極２２２とを形成することによって、図１９に示したような有機発光素子を製造できる。
前述したような工程を経ることによって、別途のＴＦＴが備えられずとも有機発光トランジスタを使用して有機発光素子を具現でき、これを通じて有機発光素子の構造及び生産工程を単純化することによって、生産コストを低減し、かつ収率を向上させうる。
本発明は、図面に示した実施形態を参考として説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であることが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
本発明は、有機発光素子に関連した技術分野に適用可能である。
１００ 基板
１１０ 第１有機発光トランジスタ
１１１ 第１ソース電極
１１２ 第１ドレイン電極
１１３ 第１中間層
１１４ 第１ゲート電極
１１５，１２５ ゲート絶縁膜
１２０ 第２有機発光トランジスタ
１２１ 第２ソース電極
１２２ 第２ドレイン電極
１２３ 第２中間層
１２４ 第２ゲート電極
１３０ キャパシタ
１３１ 第１キャパシタ電極
１３２ 第２キャパシタ電極
１４０ キャパシタ絶縁層
１５０ 平坦化膜
１５０ａ コンタクトホール
１１３１，１２３１ ＨＩＬ
１１３２，１２３２ ＨＴＬ
１１３３，１２３３ ＥＭＬ
１１３４，１２３４ ＨＢＬ
１１３５，１２３５ ＥＴＬ
１１０ 第１有機発光トランジスタ
１１１ 第１ソース電極
１１２ 第１ドレイン電極
１１３ 第１中間層
１１４ 第１ゲート電極
１１５，１２５ ゲート絶縁膜
１２０ 第２有機発光トランジスタ
１２１ 第２ソース電極
１２２ 第２ドレイン電極
１２３ 第２中間層
１２４ 第２ゲート電極
１３０ キャパシタ
１３１ 第１キャパシタ電極
１３２ 第２キャパシタ電極
１４０ キャパシタ絶縁層
１５０ 平坦化膜
１５０ａ コンタクトホール
１１３１，１２３１ ＨＩＬ
１１３２，１２３２ ＨＴＬ
１１３３，１２３３ ＥＭＬ
１１３４，１２３４ ＨＢＬ
１１３５，１２３５ ＥＴＬ
Claims (31)
- 相互対向した第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、前記第１ソース電極と前記第１ドレイン電極との間に備えられた少なくとも発光層を備える第１中間層と、前記第１ソース電極、前記第１ドレイン電極及び前記第１中間層と絶縁され、前記第１中間層を覆い包む第１ゲート電極と、を備える第１有機発光トランジスタと、
相互対向した第２ソース電極及び第２ドレイン電極と、前記第２ソース電極と前記第２ドレイン電極との間に備えられた少なくとも発光層を備える第２中間層と、前記第２ソース電極、前記第２ドレイン電極及び前記第２中間層と絶縁され、前記第２中間層を覆い包む第２ゲート電極と、を備える第２有機発光トランジスタと、を備え、
前記第１ドレイン電極は、前記第２ゲート電極に連結されたことを特徴とする有機発光素子。 - 前記第１ソース電極と前記第２ソース電極、前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極、そして前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極は、それぞれ同一層に備えられることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記第２ゲート電極に連結される第１キャパシタ電極及び前記第２ソース電極に連結される第２キャパシタ電極を備えたキャパシタをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記第１キャパシタ電極は、前記第２ゲート電極と一体に備えられることを特徴とする請求項３に記載の有機発光素子。
- 前記第２キャパシタ電極は、前記第２ソース電極と一体に備えられることを特徴とする請求項３に記載の有機発光素子。
- 前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極が備えられた層と、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極が備えられた層との間には、キャパシタ絶縁層がさらに備えられることを特徴とする請求項３に記載の有機発光素子。
- 前記キャパシタ絶縁層は、無機物または有機物で備えられることを特徴とする請求項６に記載の有機発光素子。
- 前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部には、平坦化膜がさらに備えられることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記第１ドレイン電極及び前記第２ドレイン電極は、前記平坦化膜の上部の層に備えられることを特徴とする請求項８に記載の有機発光素子。
- 前記平坦化膜にはコンタクトホールが形成され、前記第１ドレイン電極と前記第２ゲート電極とは、前記コンタクトホールを通じて連結されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光素子。
- 前記第１中間層は、前記第１ソース電極から前記第１ドレイン電極方向への中心軸を有する円柱状の中間層であり、前記第２中間層は、前記第２ソース電極から前記第２ドレイン電極方向への中心軸を有する円柱状の中間層であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記第１中間層と前記第１ゲート電極、そして前記第２中間層と前記第２ゲート電極との間には、それぞれゲート絶縁膜がさらに備えられることを特徴とする請求項１に記載の有機前ことが発光素子。
- 前記第１中間層は、前記第１ソース電極から前記第１ドレイン電極方向への中心軸を有する円柱状の中間層であり、前記第２中間層は、前記第２ソース電極から前記第２ドレイン電極方向への中心軸を有する円柱状の中間層であることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子。
- 前記ゲート絶縁膜は、円柱状の前記第１中間層及び第２中間層の側面を覆い包む形態のゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項１３に記載の有機発光素子。
- 前記各中間層は、低分子有機物または高分子有機物から形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
- 前記各中間層は、少なくともホール注入層を備え、前記第１ゲート電極は、前記第１中間層のホール注入層を、前記第２ゲート電極は、前記第２中間層のホール注入層を覆い包むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光素子。
- 前記各中間層は、少なくともホール輸送層を備え、前記第１ゲート電極は、前記第１中間層のホール輸送層を、前記第２ゲート電極は、前記第２中間層のホール輸送層を覆い包むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光素子。
- 前記各中間層は、少なくともホール抑制層を備え、前記第１ゲート電極は、前記第１中間層のホール抑制層を、前記第２ゲート電極は、前記第２中間層のホール抑制層を覆い包むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光素子。
- 前記各中間層は、少なくとも電子輸送層を備え、前記第１ゲート電極は、前記第１中間層の電子輸送層を、前記第２ゲート電極は、前記第２中間層の電子輸送層を覆い包むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光素子。
- 基板上に第１ソース電極及び第２ソース電極を形成する工程と、
前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極を覆うように前記基板の全面にキャパシタ絶縁層を形成する工程と、
前記キャパシタ絶縁層の上部に、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極にそれぞれ対応するようにドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する工程と、
前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極を覆うように前記基板の全面に平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜の上部に高分子マスクを付着する工程と、
前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極の上面のうち、前記ドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極に対応する部分の内部が露出されるように、前記高分子マスク、前記平坦化膜及び前記キャパシタ絶縁層に貫通ホールを形成する工程と、
前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記貫通ホールの内部に少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程と、
前記高分子マスクを除去する工程と、
前記第２ゲート電極の一部が露出されるように、前記平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記中間層の上部に、前記第１ソース電極に対応し、前記コンタクトホールを通じて前記第２ゲート電極に連結される第１ドレイン電極と、前記第２ソース電極に対応する第２ドレイン電極と、を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 前記貫通ホールの内部に少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程は、低分子有機物を蒸着する工程であることを特徴とする請求項２０に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記キャパシタ絶縁層は、有機物または無機物から形成されることを特徴とする請求項２０に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極の上面のうち、前記ドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極に対応する部分の内部が露出されるように、前記高分子マスク、前記平坦化膜及び前記キャパシタ絶縁層に貫通ホールを形成する工程は、レーザエッチング法を利用することを特徴とする請求項２０に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程は、前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を酸化させる工程であることを特徴とする請求項２０に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を酸化させることは、Ｏ２プラズマ処理またはＨ２Ｏ２処理によることを特徴とする請求項２４に記載の有機発光素子の製造方法。
- 基板上に第１ソース電極及び第２ソース電極を形成する工程と、
前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極を覆うように前記基板の全面にキャパシタ絶縁層を形成する工程と、
前記キャパシタ絶縁層の上部に、前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極にそれぞれ対応するようにドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する工程と、
前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極を覆うように前記基板の全面に平坦化膜を形成する工程と、
前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極の上面のうち、前記ドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極に対応する部分の内部が露出されるように、前記平坦化膜及び前記キャパシタ絶縁層に貫通ホールを形成する工程と、
前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記貫通ホールの内部に少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程と、
前記第２ゲート電極の一部が露出されるように、前記平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記中間層の上部に、前記第１ソース電極に対応して前記コンタクトホールを通じて前記第２ゲート電極に連結される第１ドレイン電極と、前記第２ソース電極に対応する第２ドレイン電極とを形成する工程と、を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 前記貫通ホールの内部に少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程は、高分子有機物をインクジェットプリンティング法で前記貫通ホールの内部に供給する工程であることを特徴とする請求項２６に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記キャパシタ絶縁層は、有機物または無機物から形成されることを特徴とする請求項２６に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記第１ソース電極及び前記第２ソース電極の上面のうち、前記ドーナッツ状の第１ゲート電極及び第２ゲート電極に対応する部分の内部が露出されるように、前記平坦化膜及び前記キャパシタ絶縁層に貫通ホールを形成する工程は、レーザエッチング法を利用することを特徴とする請求項２６に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程は、前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を酸化させる工程であることを特徴とする請求項２６に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記貫通ホールの内部に露出された前記平坦化膜、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極及び前記キャパシタ絶縁層の表面を酸化させることは、Ｏ２プラズマ処理またはＨ２Ｏ２処理によることを特徴とする請求項３０に記載の有機発光素子の製造方法。
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