KR101137382B1 - 평판 디스플레이 장치 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N perylene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- -1 polyparaphenylenevinylene Polymers 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 7,18-bis[2,6-di(propan-2-yl)phenyl]-7,18-diazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1(23),2,4,9,11,13,15,20(24),21,25-decaene-6,8,17,19-tetrone Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1N(C(=O)C=1C2=C3C4=CC=1)C(=O)C2=CC=C3C(C=C1)=C2C4=CC=C3C(=O)N(C=4C(=CC=CC=4C(C)C)C(C)C)C(=O)C1=C23 NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000006160 pyromellitic dianhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
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Abstract
본 발명은 유기 절연막을 이용하면서도 커패시터의 커패시턴스가 높은 평판 디스플레이 장치를 위하여, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 층 상에 배치되며 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극보다 더 두껍게 형성된 제 1 커패시터 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
Description
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치용 박막 트랜지스터 기판을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 기판에 화소 전극이 더 구비된 것을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치용 박막 트랜지스터 기판을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 20: 박막 트랜지스터
21: 소스 전극 23: 드레인 전극
25: 게이트 전극 27: 반도체층
30: 커패시터 31: 제 1 커패시터 전극
32: 제 2 커패시터 전극 40: 게이트 절연막
본 발명은 평판 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 유기 절연막을 이용하면서도 커패시터의 커패시턴스가 높은 평판 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근의 평판 디스플레이 장치가 박형화 및 대형화됨에 따라 유기 발광 디스플레이 장치 또는 액정 디스플레이 장치 등이 각광을 받고 있다. 이러한 유기 발광 디스플레이 장치 또는 액정 디스플레이 장치와 같은 평판 디스플레이 장치의 특징은, 각 부화소별로 그 부화소의 작동을 제어하는 화소회로(부화소회로)가 구비되어 있다는 것인데, 이 화소회로는 박막 트랜지스터 및 커패시터 등을 구비하고 있다.
이러한 평판 디스플레이 장치의 박형화 및 대형화와 더불어 최근 플렉서블 평판 디스플레이 장치의 연구 및 개발이 활발히 이루어지고 있다. 이러한 플렉서블 평판 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는 디스플레이 패널 내부에 구비되는 각종 요소들이 플렉서블한 재료로 형성될 필요가 있는데, 그 대표적인 물질이 유기물질이다. 이에 따라 유기물질을 이용하여 제조되는 유기 박막 트랜지스터에 대한 연구도 활발히 진행되고 있다.
전술한 바와 같이 유기 발광 디스플레이 장치 또는 액정 디스플레이 장치의 경우 각 부화소의 작동을 제어하는 화소회로는 박막 트랜지스터 및 커패시터 등을 구비하는데, 제조 공정 상 박막 트랜지스터의 게이트 절연막이 커패시터의 두 전극 사이에 개재되어 유전체 역할을 하게 된다. 이때 유기물질로 형성된 유기 박막 트랜지스터의 경우 그 게이트 절연막 역시 유기물로 형성되는데, 이 유기물로 형성된 게이트 절연막은 비유전율(relative dielectric constant)이 낮은 경향이 있다. 커패시터의 전극의 넓이를 A, 커패시터의 전극 사이의 거리를 d, 커패시터의 전극 사이에 개재된 유전체의 비유전율을 k라 하면 커패시터의 커패시턴스 C는 C=k(Aε0/d)로 주어진다. 따라서 유기물로 형성된 게이트 절연막을 사용하면 커패시터의 커패시턴스가 낮아지게 된다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 유기 절연막을 이용하면서도 커패시터의 커패시턴스가 높은 평판 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 층 상에 배치되며 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극보다 더 두껍게 형성된 제 1 커패시터 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상부에 배치된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 동일 층 상에 배치된 제 2 커패시터 전극을 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 기판과, 상기 기판 상 에 배치된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 동일 층 상에 배치되며 상기 게이트 전극보다 더 두껍게 형성된 제 1 커패시터 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극의 상부에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 층 상에 배치된 제 2 커패시터 전극을 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극을 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극으로부터 절연시키는 게이트 절연막을 더 구비하며, 상기 게이트 절연막은 상기 제 1 커패시터 전극과 상기 제 2 커패시터 전극 사이까지 연장되도록 구비되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 절연막은 유기물로 형성된 게이트 절연막인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 한 전극에 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자를 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유기 발광 소자는 화소 전극과, 상기 화소 전극에 대향하는 대향 전극과, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 구비하며, 상기 화소 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 한 전극과 일체로 형성된 것으로 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명 하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치용 박막 트랜지스터 기판을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 박막 트랜지스터(20) 및 커패시터(30)가 구비되어 있다. 이 기판(10)은 다양한 재료로 이루어진 기판일 수 있는데, 예컨대 글라스재 기판일 수 있다. 물론 전술한 바와 같이 플렉서블 특성을 위해 플라스틱재일 수도 있으며, 더 나아가 금속재로 형성된 기판일 수도 있음은 물론이다.
이 기판(10) 상에는 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)이 배치되어 있다. 그리고 이 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)과 동일 층 상에 제 1 커패시터 전극(31)이 배치되어 있는데, 이 제 1 커패시터 전극(31)은 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)보다 더 두껍게 형성되어 있다.
제 1 커패시터 전극(31)을 동일 층 상에 구비된 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)보다 더 두껍게 형성하기 위해 다양한 방법을 이용할 수 있다.
예컨대 제 1 커패시터 전극(31), 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)을 마스크를 이용한 증착법을 통해 형성할 경우, 제 1 커패시터 전극(31)을 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)과 별도의 증착 공정을 통해 형성할 수도 있다. 물론 제 1 커패시터 전극(31)과 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)을 동일한 두께로 1차적으로 형성하고 제 1 커패시터 전극(31) 부분에는 추가적으로 도전성 물질을 다시 증착하여, 결과적으로 제 1 커패시터 전극(31)이 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)보다 더 두껍게 형성할 수도 있다. 그리고 하프톤 마스크를 이용하여 제 1 커패시터 전 극(31)을 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)과 동시에 형성하면서도 제 1 커패시터 전극(31)의 두께를 더 두껍게 할 수도 있다.
또한 잉크젯 프린팅법을 이용하여 이들 전극을 형성할 경우에는, 제 1 커패시터 전극(31)을 형성하기 위해 프린팅할 시 사용하는 잉크의 양을 늘릴 수도 있고 또는 제 1 커패시터 전극(31)이 형성될 위치에만 프린팅을 복수회 실시할 수도 있다.
이와 같은 다양한 방법으로 제 1 커패시터 전극(31)을 동일 층 상에 구비된 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)보다 더 두껍게 형성한 후, 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)에 각각 접하는 반도체층(27)을 형성한다.
이러한 반도체층(27)으로는 다양한 물질을 이용할 수 있다. 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 이용할 수도 있는데, 전술한 바와 같이 플렉서블 특성을 위해 유기물을 이용하여 반도체층(27)을 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
이 경우 사용 가능한 유기반도체 물질로는, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합 체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체, 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체 등이 있다. 이러한 유기물로 반도체층(27)을 형성할 시 스핀 코팅 또는 디핑법 등을 이용할 수 있다.
그 후, 반도체층(27) 상에 게이트 절연막(40)을 형성한다. 이 게이트 절연막(40)으로는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물이 이용될 수도 있는데, 전술한 바와 같이 플렉서블 특성을 위해 파릴렌 또는 에폭시 등과 같은 유기물을 이용하는 것이 바람직하다. 이때, 도 1에 도시된 바와 같이 게이트 절연막(40)은 제 1 커패시터 전극(31)의 상부에까지 연장되어 있다.
게이트 절연막(40) 상에는 제 2 커패시터 전극(32)과 게이트 전극(25)이 구비되어 있다. 결과적으로 제 1 커패시터 전극(31)과 제 2 커패시터 전극(32) 사이에는 게이트 절연막(40)이 연장되어 구비된 구조가 되며, 이에 따라 게이트 절연막(40)이 커패시터(30)의 전극들 사이에 개재된 유전체 역할을 하게 된다.
전술한 바와 같이 이 게이트 절연막(40)이 유기물로 구비될 경우에는 특히 게이트 절연막(40)의 비유전율이 낮아 커패시터(30)의 커패시턴스가 낮게 된다. 따라서 본 발명은 도 1에 도시된 바와 같이 제 1 커패시터 전극(31)의 두께를 두껍게 하여 제 1 커패시터 전극(31)과 제 2 커패시터 전극(32) 사이의 거리(df)를 좁힘으 로써, 게이트 절연막(40)을 유기물로 형성하면서도 커패시터(30)의 커패시턴스가 높게 할 수 있다.
즉, 제 1 커패시터 전극(31)의 두께를 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)의 두께와 동일하게 형성하였다면 커패시터(30)의 전극들 사이의 거리가 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)과 게이트 전극(25) 사이의 거리(di)와 같게 되어 커패시턴스가 저하될 것이나, 제 1 커패시터 전극(31)의 두께를 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)의 두께보다 크게 함으로써 커패시터(30)의 전극들 사이의 거리(df)를 상대적으로 단축시켜 커패시터(30)의 커패시턴스를 높일 수 있다. 물론 본 발명이 게이트 절연막(40)이 유기물로 형성된 경우에 한정되는 것은 아니며, 무기물로 형성된 경우에도 커패시턴스의 향상을 위해 본 발명과 같은 구조를 채용할 수도 있다.
이와 같은 구조의 커패시터(30)와 박막 트랜지스터(20)를 구비한 기판 상에는 디스플레이 소자가 구비되는데, 예컨대 유기 발광 소자가 구비될 수 있다. 이 유기 발광 소자는 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23) 중 어느 한 전극에 전기적으로 연결된다. 즉, 유기 발광 소자는 화소 전극과, 화소 전극에 대향하는 대향 전극과, 화소 전극과 대향 전극 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 구비하는데, 이 화소 전극은 박막 트랜지스터(20)의 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23) 중 어느 한 전극에 전기적으로 연결된다. 도 2는 드레인 전극(23)에 화소 전극(51)이 연결된 구조를 보여주고 있다. 이러한 화소 전극(51)은 게이트 전극(25)의 형성 시 동시에 형성될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치, 특히 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치 역시 기판(10) 상에 소스 전극(21), 드레인 전극(23), 게이트 전극(25) 및 반도체층(27)을 갖는 박막 트랜지스터(20)와, 제 1 커패시터 전극(31) 및 제 2 커패시터 전극(32)을 갖는 커패시터(30)를 구비하고 있으며, 또한 박막 트랜지스터(20)의 소스 전극(21)과 드레인 전극(23) 중 어느 한 전극(도 3에서는 드레인 전극(23))에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자(50)를 구비한다.
본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 경우에도 제 1 커패시터 전극(31)이 동일 층 상의 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)보다 더 두껍게 형성되어, 커패시터(30)의 전극들 사이의 거리를 단축시킴으로써 커패시턴스를 높이고 있다. 물론 게이트 절연막(40)이 무기물로 형성된 경우에도 본 발명은 적용될 수 있으나, 특히 유기물로 형성된 경우에 그 효과가 현저하다.
도 3에 도시된 것과 같은 본 실시예에 다른 평판 디스플레이 장치가 도 2에 도시된 전술한 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치와 다른 점은, 화소 전극(51)이 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23) 중 어느 한 전극(도 3에서는 드레인 전극(23))과 일체로 형성되어 있다는 것이다. 이를 통해 화소 전극(51)을 박막 트랜지스터(20)에 전기적으로 연결하기 위해 컨택홀 등을 형성할 필요가 없어 공정이 단순화되며 수율을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있게 된다.
이 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 박막 트랜지스터(20)를 보호하고 그 상면 을 평탄화하기 위한 보호막(60)이 더 구비될 수 있는데, 이 보호막의 일부에 개구부가 형성되도록 하여 이 개구부에 유기 발광 소자(50)가 구비되도록 할 수 있다. 즉, 이 보호막(60)이 화소 정의막의 역할까지 하도록 할 수도 있다. 물론 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다양한 변형이 가능하다.
본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치에 구비된 유기 발광 소자(50)에 대해 간략히 설명하자면 다음과 같다.
유기 발광 소자는 화소 전극(51)과 이에 대향하는 대향 전극(53), 그리고 이 전극들 사이에 개재되는 적어도 발광층을 포함하는 중간층(55)을 구비한다. 도 3에는 중간층(55)이 부화소에만 대응되도록 패터닝된 것으로 도시되어 있으나 이는 각 부화소의 구성을 설명하기 위해 편의상 그와 같이 도시한 것이며, 중간층(55)은 인접한 부화소의 중간층과 일체로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한 중간층(55) 중 일부의 층은 각 부화소별로 형성되고, 다른 층은 인접한 부화소의 중간층과 일체로 형성될 수도 있는 등 그 다양한 변형이 가능하다. 또한 대향 전극(53) 역시 복수개의 화소들에 있어서 공통으로 형성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
화소 전극(51)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(53)은 캐소드 전극의 기능을 한다. 물론, 이들 화소 전극(51)과 대향 전극(53)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
화소 전극(51)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3를 형성할 수 있다.
대향 전극(53)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 투명 전극으로 사용될 때는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물이 중간층(55)을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다.
화소 전극(51)과 대향 전극(53) 사이에 구비되는 중간층(55)은 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: hole injection layer), 홀 수송층(HTL: hole transport layer), 유기 발광층(EML: emission layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다.
이들 저분자 유기물은 전술한 바와 같은 패터닝으로 구비되며, 마스크를 이용하여 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
고분자 유기물의 경우에는 중간층은 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용한다.
기판(10) 상에 형성된 유기 발광 소자는, 대향 부재(미도시)에 의해 밀봉된다. 대향부재는 기판(10)과 동일하게 글라스 또는 플라스틱재로 구비될 수 있는 데, 이 외에도, 메탈 캡(metal cap) 등으로 형성될 수도 있다.
상기와 같은 유기 발광 디스플레이 장치의 각 부화소에 구비된 유기 발광 소자의 구동을 제어하고 유지시키는 박막 트랜지스터(20) 및 커패시터(30)에 있어서, 제 1 커패시터 전극(31)의 두께를 더 두껍게 하여 커패시터(30)의 전극들 사이의 거리를 좁힘으로써 커패시턴스를 증가시킬 수 있다. 이를 통해 한 프레임 동안 유기 발광 소자가 충분히 발광할 수 있게 할 수 있게 되어, 보다 고화질의 이미지를 재현할 수 있는 유기 발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
한편, 상기 실시예들에 있어서는 게이트 전극이 소스 전극과 드레인 전극의 상부에 구비되는 소위 스태거드(staggered)형 박막 트랜지스터가 구비된 경우에 대해 설명했으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치용 박막 트랜지스터 기판을 개략적으로 도시하는 단면도로서, 본 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치가 전술한 실시예들에 따른 평판 디스플레이 장치들과 다른 점은, 스태거드형 박막 트랜지스터가 아닌 인버티드 코플래나(inverted coplanar)형 박막 트랜지스터가 구비되었다는 점이다.
이 경우, 게이트 전극(25)과 제 1 커패시터 전극(31)이 동일 층(도 4에서는 기판(10)) 상에 형성되어 있는데, 이때 제 1 커패시터 전극(31)이 게이트 전극(25)보다 더 두껍게 형성되어 있다. 그리고 게이트 절연막(40)이 제 1 커패시터 전극(31)과 게이트 전극(25)을 덮도록 구비되어 있고, 그 상부에 제 2 커패시터 전극(32), 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)이 구비되어 있다. 물론 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23)에는 반도체층(27)이 접하고 있다.
이와 같은 경우에도 제 1 커패시터 전극(31)이 동일 층 상의 게이트 전극(25)보다 더 두껍게 구비되도록 함으로써, 커패시터(30)의 전극들 사이의 거리(df)가 게이트 전극(25)과 소스 전극(21) 및 드레인 전극(23) 사이의 거리(di)보다 작게 할 수 있으며, 이를 통해 커패시터(30)의 커패시턴스를 증가시킬 수 있다.
상술한 실시예에 있어서 유기 발광 디스플레이 장치의 구조를 기준으로 본 발명을 설명하였으나, 박막 트랜지스터 및 커패시터가 각 부화소에 구비되는 디스플레이 장치들이라면 어떠한 디스플레이 장치들에도 본 발명이 적용될 수 있음은 물론이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 평판 디스플레이 장치에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 커패시터의 일 전극이 동일 층 상에 구비된 박막 트랜지스터의 다른 전극보다 더 두껍게 구비되도록 함으로써, 커패시터의 전극들 사이의 거리를 좁혀 커패시터의 커패시턴스가 높아지도록 할 수 있다.
둘째, 커패시터의 일 전극이 동일 층 상에 구비된 박막 트랜지스터의 다른 전극보다 더 두껍게 구비되도록 함으로써, 커패시터의 전극들 사이의 거리를 좁혀 커패시터의 커패시턴스가 높아지도록 할 수 있으며, 이러한 높은 커패시턴스를 갖는 커패시터를 구비한 평판 디스플레이 장치를 통해 종래의 평판 디스플레이 장치보다 고화질인 평판 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
Claims (8)
- 기판;상기 기판 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 층 상에 배치되며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극보다 더 두껍게 형성된 제 1 커패시터 전극;을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상부에 배치된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 동일 층 상에 배치된 제 2 커패시터 전극;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 기판;상기 기판 상에 배치된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 동일 층 상에 배치되며, 상기 게이트 전극보다 더 두껍게 형성된 제 1 커패시터 전극;을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 3항에 있어서,상기 게이트 전극의 상부에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 층 상에 배치된 제 2 커패시터 전극;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 2항 또는 제 4항에 있어서,상기 게이트 전극을 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극으로부터 절연시키는 게이트 절연막을 더 구비하며, 상기 게이트 절연막은 상기 제 1 커패시터 전극과 상기 제 2 커패시터 전극 사이까지 연장되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 5항에 있어서,상기 게이트 절연막은 유기물로 형성된 게이트 절연막인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 1항, 제 2항 및 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 한 전극에 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 유기 발광 소자는 화소 전극과, 상기 화소 전극에 대향하는 대향 전극 과, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 구비하며, 상기 화소 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 한 전극과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050078828A KR101137382B1 (ko) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | 평판 디스플레이 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020050078828A KR101137382B1 (ko) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | 평판 디스플레이 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20070024171A KR20070024171A (ko) | 2007-03-02 |
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Family
ID=38098931
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050078828A KR101137382B1 (ko) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | 평판 디스플레이 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101137382B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103488A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Pioneer Electronic Corp | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP2005135978A (ja) | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機半導体回路基板及びその製造方法 |
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