CN1802054A - 有机电致发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种EL装置及其制造方法。EL装置包括：第一有机发光晶体管和第二有机发光晶体管，其中第一有机发光晶体管包括：第一源电极；与第一源电极面对的第一漏电极；包括至少一层发射层的第一中间层，该发射层位于第一源电极和第一漏电极之间；和与第一源电极、第一漏电极、和第一中间层绝缘的第一栅电极，第一栅电极包围第一中间层；并且第二有机发光晶体管包括：第二源电极；与第二源电极面对的第二漏电极；包括至少一层发射层的第二中间层，该发射层位于第二源电极和第二漏电极之间；和与第二源电极、第二漏电极、和第二中间层绝缘的第二栅电极，第二栅电极包围第二中间层并连接到第一漏电极。

Description

有机电致发光装置及其制造方法
相关申请的交叉参考
本申请要求享有于2004年11月17日在韩国知识产权局提出申请的，韩国专利申请号为NO.10-2004-0094179的优先权和权利，该文件在此全文引用作为参考。
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光(EL)装置及其制造方法，并且尤其涉及由于结构简单并且利用了有机发光晶体管(OLET)而使制造成本低且产量高的EL装置及其制造方法。
背景技术
根据驱动方法，平板显示装置如液晶装置、EL装置、或EL装置可以分为无源矩阵型(PM)和有源矩阵型(AM)。在无源矩阵平板显示装置中，分别将阳极和阴极排列成行和列。行驱动电路提供扫描信号到一个阴极中以选择一行，列驱动电路提供数据信号到被选择行的每个像素。因为像素中没有晶体管电容器电路，图像不能在刷新周期之间存储并且图像亮度和锐度都比有源矩阵显示器差。
另一方面，有源矩阵平板显示装置利用薄膜晶体管控制输入到每个像素的信号并且适用于显示多个图像。因此，有源矩阵显示装置广泛用作显示移动画面的显示装置。
有源矩阵平板显示装置的薄膜晶体管中的每一个都具有掺入了很多杂质的源区和漏区、具有位于源区和漏区之间的沟道区的半导体层、与半导体层绝缘并且位于沟道区上的栅电极、以及分别与源区和漏区接触的源电极和漏电极。
半导体层通常由非晶硅或多晶硅构成。非晶硅可以在低温下沉积，但是电特性差，因而不可靠而且还不容易实现大尺寸的平板显示装置。因此，广泛使用多晶硅。因为多晶硅具有几十到几百cm2/V·s的高电流迁移率、好的高频操作特性、以及低泄漏电流，所以其适用于高精度以及大尺寸的平板显示装置。
然而，如果半导体层由多晶硅构成，就需要用于结晶非晶硅的过程。结晶过程通常必须在300℃的高温下执行。在这种情况下，将不能使用为了实现柔韧的显示装置由例如塑料材料构成的基板。因此，已经加大了对不需要结晶过程的有机薄膜晶体管的研究。
为了处理高质量移动画面，平板显示装置需要高操作速度和均匀的质量。特别是，在EL装置的情况下，为了以高质量显示移动画面必须实现具有优秀特性的电路。即，在EL装置中，除了用于开关每个像素的开关元件(晶体管)之外，还将驱动元件(晶体管)单独地提供到每个像素内。同样，多个薄膜晶体管也可以进一步包括在各种与显示器有关的补偿电路内。
如果EL装置包括连接到具有上述复杂结构的电路的显示单元，则制造过程就变得复杂，因此降低了产量，并且还提高了制造成本。
发明内容
本发明提供了一种由于结构简单并且使用了有机发光晶体管(OLET)而使制造成本低并且产量高的EL装置及其制造方法。
本发明的一个实施例包括有机电致发光装置，该装置包括第一有机发光晶体管，该第一有机发光晶体管包括：第一源电极；第一漏电极；形成在第一源电极和第一漏电极之间并包括至少一层发射层的第一中间层；以及与第一源电极、第一漏电极、和第一中间层绝缘的第一栅电极，第一栅电极包围第一中间层。本实施例还包括第二有机发光晶体管，该第二有机发光晶体管包括：第二源电极；第二漏电极；形成在第二源电极和第二漏电极之间并且包括至少一层发射层的第二中间层；以及与第二源电极、第二漏电极、和第二中间层绝缘的第二栅电极，第二栅电极包围第二中间层并连接到第一漏电极。
另一实施例包括一种制造有机电致发光装置的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成第一源电极和第二源电极；在基板上形成电容器绝缘层以覆盖第一源电极和第二源电极中的至少一个；在电容器绝缘层上形成第一和第二栅电极，每个栅电极都是环形，其中第一和第二栅电极的位置分别与第一源电极和第二源电极的位置对应。本方法还包括以下步骤：在基板上形成平面化膜以覆盖第一栅电极和第二栅电极中的至少一个；在平面化膜上形成高分子量材料的掩模；在掩模、平面化膜、和电容器绝缘层内形成通孔，以暴露第一源电极和第二源电极的上表面以及平面化膜、第一栅电极、第二栅电极、和电容器绝缘层的侧表面；形成栅绝缘膜以覆盖通过通孔暴露的平面化膜、第一栅电极、第二栅电极、和电容器绝缘层的侧表面；在每个通孔内形成中间层，该中间层至少包括一层发射层；移除掩模；在平面化膜内形成接触孔以暴露第二栅电极的一部分；以及在中间层上与第一源电极的位置对应的位置中形成第一漏电极，并且在中间层上与第二源电极的位置对应的位置中形成第二漏电极，其中第一漏电极通过接触孔连接到第二栅电极。
另一个实施例包括一种制造有机电致发光装置的方法，该方法包括以下步骤：在基板上形成第一源电极和第二源电极；在基板上形成电容器绝缘层以覆盖第一源电极和第二源电极中的至少一个；在电容器绝缘层上形成第一和第二栅电极，每个栅电极都是环形，其中第一和第二栅电极的位置分别与第一源电极和第二源电极的位置对应；在基板上形成平面化膜以覆盖第一栅电极和第二栅电极中的至少一个；在平面化膜和电容器绝缘层内形成通孔，以暴露第一源电极和第二源电极的上表面以及平面化膜、第一栅电极、第二栅电极、和电容器绝缘层的侧表面。本方法还包括以下步骤：形成栅绝缘膜，以覆盖通过通孔暴露的平面化膜、第一栅电极、第二栅电极、和电容器绝缘层的侧表面；在每个通孔内形成中间层，该中间层至少包括一层发射层；在平面化膜内形成接触孔来暴露部分第二栅电极；以及在中间层上与第一源电极的位置对应的位置中形成第一漏电极，并且在中间层上与第二源电极的位置对应的位置中形成第二漏电极，其中第一漏电极通过接触孔连接到第二栅电极。
另一实施例包括一种有机电致发光装置，该有机电致发光装置包括第一有机电致发光晶体管和第二有机电致发光晶体管，其中使第一有机电致发光晶体管的漏电极连接到第二有机电致发光晶体管的栅电极。
另一实施例包括一种有机电致发光装置，该有机电致发光装置包括配置为根据第一信号选择性地发光的第一有机电致发光晶体管，和配置为选择性地将第一有机电致发光晶体管连接到第一信号的第二有机电致发光晶体管，其中所述连接是基于第二信号。
另一实施例包括一种制造电致发光装置的方法，该方法包括形成第一有机电致发光晶体管和第二有机电致发光晶体管的步骤，其中第一有机电致发光晶体管配置为根据第一信号选择性地发光，并且第二有机电致发光晶体管配置为选择性地将第一有机电致发光晶体管连接到第一信号，其中所述连接是基于第二信号。
另一实施例公开了一种电致发光装置的使用方法。该方法包括驱动数据信号到第一有机电致发光晶体管，并且驱动控制信号到第一有机电致发光晶体管，其中第一有机电致发光晶体管的状态发生变化从而将数据信号连接到第二有机电致发光晶体管，并且其中第二有机电致发光晶体管的发光发生相当大的变化。
附图说明
下面将参考附图与详细的示例性实施例一起讨论某些有创造性方面的上述或其它特点和优点。
图1是根据一个实施例的EL装置的截面图；
图2是利用图1中EL装置的显示装置的电路图；
图3是图2中部分“A”的电路图；
图4是包括在图1中EL装置内的有机发光晶体管的透视图；
图5是根据另一实施例的EL装置的截面图；
图6是包括在图5中EL装置的有机发光晶体管的部分透视图；
图7到13是根据一个实施例的EL装置制造方法的图解截面图；
图14到19是根据另一实施例的EL装置制造方法的图解截面图；
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例性实施例。
图1是根据一个实施例的有机电致发光EL装置的截面图，图2是利用图1中EL装置的显示装置的电路图，图3是图2中部分“A”的电路图，并且图4是包括在图1中EL装置内的有机发光晶体管的透视图。
下文中，将参考附图详细描述本实施例的EL装置的结构。
将第一有机发光晶体管110和第二有机发光晶体管120互相电连接到公共基板100上。基板可以例如由塑料或玻璃形成。第一有机发光晶体管110包括第一源电极111、第一漏电极112、第一中间层113、和第一栅电极114。第一源电极111和第一漏电极112位于中间层113的相对侧上。第一中间层113位于第一源电极111和第一漏电极112之间并且具有至少一层发射层1133。第一栅电极114与第一源电极111、第一漏电极112和第一中间层113绝缘并包围第一中间层113。
第二有机发光晶体管120包括第二源电极121、第二漏电极122、第二中间层123、和第二栅电极124。第二源电极121和第二漏电极122互相面对。第二中间层123位于第二源电极121和第二漏电极122之间并且具有至少一层发射层1233。第二栅电极124与第二源电极121、第二漏电极122、和第二中间层123绝缘并且包围第二中间层123。第一漏电极112连接到第二栅电极124上。
参考图1，第一源电极111和第二源电极121可以形成在同一层上，第一漏电极112和第二漏电极122可以形成在同一层上，并且第一栅电极114和第二栅电极124可以形成在同一层上。
源电极111和121可以包括透明材料如ITO、IZO、ZnO、或In2O3。如果源电极111和121用作反射电极，它们可以包括反射膜如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、或形成在其上的透明材料如ITO、IZO、ZnO、或In2O3的组合物。
漏电极112和122可以包括具有低功函数的材料如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag或Mg或其组合物构成的薄金属层，该薄金属层朝着中间层113和123的方向沉积。可以将其它的由形成透明电极的材料如ITO、IZO、ZnO、或In2O3制成的电极层或总线电极线形成在金属上。当将漏电极112和122用作反射电极时，它们可以由金属如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、或Mg或其组合物构成。电极并不限于上述材料，并且源电极111、121和漏电极112、122也可以由有机材料如导电聚合物制成。
电容器130可以进一步包括在EL装置内。电容器130包括第一电容器电极131和第二电容器电极132。第一电容器电极131连接到第二栅电极124上，并且第二电容器电极132连接到第二源电极121上。第一电容器电极131可以与第二栅电极124整体形成，并且第二电容器电极132可以与第二源电极121整体形成。
电容器绝缘层140形成在第一电容器电极131和第二电容器电极132之间。因此，电容器绝缘层140形成在包括第一栅电极114和第二栅电极124的层以及包括第一源电极111和第二源电极121的层之间，参考图1。电容器绝缘层140可以由无机材料或有机材料制成。
可以将平面化膜150进一步形成在第一栅电极114和第二栅电极124上，该第一栅电极和第二栅电极形成在电容器绝缘层140上。可以将第一漏电极112和第二漏电极122形成在平面化膜150上。为了将第一漏电极112与第二栅电极124连接，在平面化膜150内形成一个接触孔150a。即，将第一漏电极112通过接触孔150a与第二栅电极124连接。
第一中间层113可以具有各种形状，例如，它可以具有中心轴是从第一源电极111延伸到第一漏电极112的圆柱形形状。同样，第二中间层123也可以形成为各种形状，例如，它可以具有中心轴从第二源电极121延伸到第二漏电极122的圆柱形形状。中间层113和123也可以具有其它形状如平行六面体或不规则形状。在下面描述的实施例中，为了方便起见，假定中间层123具有圆柱形形状。
如上所述，第一栅电极114与第一源电极111、第一漏电极112、和第一中间层113绝缘，并且具有包围第一中间层113的环形。因此，为了使第一栅电极114与第一源电极111、第一漏电极112、和第一中间层113绝缘，可以将栅绝缘膜115进一步形成在第一中间层113和第一栅电极114之间。相似的是，可以将栅绝缘膜125进一步形成在第二中间层123和第二栅电极124之间。
如果第一中间层113和第二中间层123具有前面所述的圆柱形形状，则栅绝缘膜115和125具有环形以包围第一中间层113和第二中间层123的侧表面。
中间层113和123可以由低分子量材料制成。在图1中，中间层113和123分别包括形成在源电极111和121以及漏电极112和122之间的空穴注入层(HIL)1131和1231、空穴传输层(HTL)1132和1232、发射层(EML)1133和1233、空穴阻挡层(HBL)1134和1234、和电子传输层(ETL)1135和1235。中间层113或123的有机材料可以包括铜酞菁(CuPc)、N-N’-二(萘基-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)或相似物。中间层113和123也可以具有其它结构。在后面描述的实施例中也是如此。
参考图1，中间层113和123分别包括至少一层空穴传输层1132和1232。第一栅电极114可以包围第一中间层113的空穴传输层1132，并且第二栅电极124可以包围第二中间层123的空穴传输层1232。在这种情况下，第二栅电极124可以完全或部分包围空穴传输层1232。在后面描述的实施例中也是如此。在这种情况下，空穴传输层1132和1232起到半导体层的功能。可以选择的是，中间层113和123可以包括至少一层空穴注入层1131和1231，第一栅电极114可以包围第一中间层113的空穴注入层1131，第二栅电极124可以包围第二中间层123的空穴注入层1231。可以选择的是，中间层113和123可以包括至少一层空穴阻挡层1134和1234，第一栅电极114可以包围第一中间层113的空穴阻挡层1134，第二栅电极124可以包围第二中间层123的空穴阻挡层1234。可以选择的是，中间层113和123可以包括至少一层电子传输层1135和1235，第一栅电极114可以包围第一中间层113的电子传输层1135，第二栅电极124可以包围第二中间层123的电子传输层1235。中间层的位置或栅电极的位置可以改变。在后面描述的实施例中也是如此。
现在将参考图3描述具有上述结构的EL装置的操作原理。
如果通过驱动电路将扫描信号施加到连接在第一配线170上的第一有机发光晶体管110的第一栅电极114上，则导电沟道形成在由第一栅电极114包围的中间层113的空穴传输层1132内。在这种情况下，如果通过第二配线180将数据信号施加到第一有机发光晶体管110的第一源电极111上，则数据信号就通过第一有机发光晶体管110的第一漏电极112被施加到电容器130和第二有机发光晶体管120的第二栅电极124上。因而，导电沟道就形成在第二有机发光晶体管120的中间层123的空穴传输层1232内。通过调整来自于第三配线190的电信号来调整在包含第二有机发光晶体管120的发射层1233的中间层123中产生的光的数量。因而，第一有机发光晶体管110起到将位于第二配线180上的数据信号连接到第二有机发光晶体管120的作用，该第二有机发光晶体管起到电致发光显示元件的作用。
在上面描述的驱动方法中，第一配线170是扫描线，第二配线180是数据线，第三配线190是电源线(Vdd线)。
如上所述，不需要利用单独的薄膜晶体管，也就是，仅需利用有机发光晶体管就能实现EL装置，因而简化了EL装置的结构及其制造过程。因此，降低了制造成本并提高了产量。
图5是根据另一实施例的EL装置的截面图，图6是包括在图5所示的EL装置中的一部分有机发光晶体管的透视图。
本实施例与前面描述的实施例的不同之处在于中间层213和223的结构。
当在前面描述的实施例中包含在EL装置110和120内的中间层113和123由低分子量有机材料形成的时候，在本实施例中包含在EL装置210和220内的中间层213和223由高分子量有机材料形成。在本实施例中，中间层213和223可以包括空穴传输层2132、2232和发射层2133、2233。空穴传输层由PEDOT形成，发射层由高分子量有机材料如聚苯撑1，2亚乙烯基或聚芴形成。其它层可以进一步包括在中间层213和223内，并且可以使用其它材料。
在一些实施例中，可以在不使用单独的薄膜晶体管的情况下实现EL装置，也就是，仅需利用有机发光晶体管就能实现EL装置，因而简化了EL装置的结构及其制造过程。因此，降低了制造成本并提高了产量。
图7到13是根据一个实施例的EL装置示例性制造方法的图解截面图。对该示例的修改可以作为将产生EL装置的各种实施例的可替换的方法实施例。
参考图7，将第一源电极111和第二源电极121形成在由玻璃或塑料形成的基板100上。然后利用光刻使其形成预定图形。接下来，将电容器绝缘层140形成在基板100的整个表面上从而覆盖第一源电极111和第二源电极121。电容器绝缘层140可以由有机材料或无机材料形成。将环形的第一栅电极114和第二栅电极124分别形成在第一源电极111和第二源电极121上面的电容器绝缘层140上。利用纯金属掩模执行沉积并且利用光刻使其形成预定图形。在形成了第一栅电极114和第二栅电极124后，将平面化膜150形成在基板100的整个表面上从而覆盖第一栅电极114和第二栅电极124，并且在平面化膜150上形成高分子量材料的掩模160。
接下来，参考图8，在高分子量材料的掩模160、平面化膜150、和电容器绝缘层140内形成通孔150b和150c以暴露第一源电极111和第二源电极121的上表面以及第一栅电极114和第二栅电极124的侧表面。为了形成通孔150b和150c，可利用激光烧蚀技术(LAT)。
接下来，参考图9，形成栅绝缘膜115和125以覆盖通过通孔150b和150c暴露的平面化膜150、第一栅电极114、第二栅电极124、和电容器绝缘层140的侧表面。可以氧化通过通孔150b和150c暴露的平面化膜150、第一栅电极114、第二栅电极124、和电容器绝缘层140的表面来形成栅绝缘膜115和125。在这种情况下，例如通过执行O2等离子体处理或H2O2处理形成栅绝缘膜115和125。也可以使用其它方法。
接下来，参考图10，利用高分子量材料掩模160沉积低分子量材料以分别在通孔150b和150c内形成中间层113和123，该中间层至少包括一层发射层。中间层的形状和种类并不局限于图11到13中描述的情况。
参考图11，移除高分子量材料掩模160，并且参考图12，在平面化膜150内形成接触孔150a以暴露第二栅电极124的一部分。最后，将与第一源电极111对应的第一漏电极112和与第二源电极121对应的第二漏电极122形成在中间层113和123上，从而使第一漏电极112通过接触孔150a连接到栅电极124。参考图13，这样就完成了EL装置。
通过上面的过程，不需要利用单独的薄膜晶体管，也就是，仅使用有机发光晶体管就能实现EL装置，因而简化了EL装置的结构及其制造过程。因此，降低了制造成本并提高了产量。
图14到19是根据另一实施例的另一EL装置制造方法的图解截面图；
参考图14，将第一源电极211和第二源电极221形成在由玻璃或塑料形成的基板200上。然后利用光刻使其形成预定图形。接下来，将电容器绝缘层240形成在基板200的整个表面上从而覆盖第一源电极211和第二源电极221。电容器绝缘层240可以由有机材料或无机材料形成。将环形的第一栅电极214和第二栅电极224分别形成在第一源电极211和第二源电极221上面的电容器绝缘层240上。利用纯金属掩模执行沉积并且利用光刻形成预定图形。在形成了第一栅电极214和第二栅电极224后，将平面化膜250形成在基板200的整个表面上从而覆盖第一栅电极214和第二栅电极224。
接下来，参考图15，在平面化膜250和电容器绝缘层240内形成通孔250b和250c，以暴露第一源电极211和第二源电极221的上表面以及第一栅电极214和第二栅电极224的侧表面。为了形成通孔250b和250c，可以利用激光烧蚀技术(LAT)。
接下来，参考图16，形成栅绝缘膜215和225以覆盖通过通孔250b和250c暴露的平面化膜250、第一栅电极214、第二栅电极224、和电容器绝缘层240的侧表面。可以氧化通过通孔250b和250c暴露的平面化膜250、第一栅电极214、第二栅电极224、和电容器绝缘层240的表面来形成栅绝缘膜215和225。在这种情况下，可以通过执行O2等离子体处理或H2O2处理来形成栅绝缘膜215和225，但是也可以使用其它方法。
接下来，参考图17，利用喷墨印刷法来沉积高分子量材料以分别在通孔250b和250c内形成中间层213和223，该中间层包括至少一层发射层。中间层的形状和种类并不局限于图17到19中所描述的情况。
参考图18，在平面化膜250内形成接触孔250a以暴露第二栅电极224的一部分。最后，将与第一源电极211对应的第一漏电极212和与第二源电极221对应的第二漏电极222形成在中间层213和223上，从而使第一漏电极212通过接触孔250a连接到第二栅电极224上。参考图19，这样就完成了EL装置。
通过上面的过程，不需要利用单独的薄膜晶体管，也就是，仅使用有机发光晶体管就能实现EL装置，因而简化了EL装置的结构及其制造过程。因此，降低了制造成本并提高了产量。
虽然上面的说明书已经指出了本发明如各种实施例的新颖性特征，但对于本领域的普通技术人员来说，可以理解的是，可以在不背离本发明范围的情况下对上面描述的装置或方法进行各种形式上和细节上的省略、替代和变化。因此，本发明的范围是由附属权利要求书而不是前面的说明书来定义。所有在权利要求书等效表述的含义和范围内的各种变化也属于本发明的范围。

Claims (31)

1、一种有机电致发光装置，包括：
第一有机发光晶体管，该第一有机发光晶体管包括：
第一源电极；
与第一源电极面对的第一漏电极；
形成在第一源电极和第一漏电极之间并包括至少一层发射层的第一中间层；和
与第一源电极、第一漏电极、和第一中间层绝缘的第一栅电
极，第一栅电极包围第一中间层；和
第二有机发光晶体管，该第二有机发光晶体管包括：
第二源电极；
与第二源电极面对的第二漏电极；
形成在第二源电极和第二漏电极之间并包括至少一层发射层的第二中间层；和
与第二源电极、第二漏电极、和第二中间层绝缘的第二栅电极，第二栅电极包围第二中间层并连接到第一漏电极上。
2、根据权利要求1所述的装置，其中第一源电极和第二源电极基本上在相同的第一平面内，第一漏电极和第二漏电极基本上在相同的第二平面内，并且第一栅电极和第二栅电极基本上在相同的第三平面内。
3、根据权利要求1所述的装置，进一步包括一电容器，该电容器包括连接到第二栅电极的第一电容器电极和连接到第二源电极的第二电容器电极。
4、根据权利要求3所述的装置，其中第一电容器电极与第二栅电极整体形成。
5、根据权利要求3所述的装置，其中第二电容器电极与第二源电极整体形成。
6、根据权利要求3所述的装置，进一步包括形成在第一平面和第二平面之间的电容器绝缘层，其中第一平面包括第一栅电极和第二栅电极，第二平面包括第一源电极和第二源电极。
7、根据权利要求6所述的装置，其中电容器绝缘层包括有机材料或无机材料。
8、根据权利要求1所述的装置，进一步包括形成在第一栅电极和第二栅电极上面的平面化膜。
9、根据权利要求8所述的装置，其中第一漏电极和第二漏电极形成在平面化膜的上面。
10、根据权利要求8所述的装置，其中在平面化膜内形成一接触孔，并且第一漏电极与第二栅电极通过接触孔互相连接。
11、根据权利要求1所述的装置，其中第一中间层具有基本上中心轴从第一源电极延伸到第一漏电极的圆柱形形状，第二中间层具有基本上中心轴从第二源电极延伸到第二漏电极的圆柱形形状。
12、根据权利要求1所述的装置，进一步包括栅绝缘膜，该栅绝缘膜分别形成在第一中间层和第一栅电极之间以及第二中间层和第二栅电极之间。
13、根据权利要求12所述的装置，其中第一中间层具有中心轴从第一源电极延伸到第一漏电极的圆柱形形状，第二中间层具有中心轴从第二源电极延伸到第二漏电极的圆柱形形状。
14、根据权利要求13所述的装置，其中栅绝缘膜分别包围第一中间层和第二中间层的侧表面。
15、根据权利要求1所述的装置，其中中间层由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。
16、根据权利要求15所述的装置，其中每个中间层都包括至少一层空穴注入层，第一栅电极包围第一中间层的空穴注入层，第二栅电极包围第二中间层的空穴注入层。
17、根据权利要求15所述的装置，其中每个中间层都包括至少一层空穴传输层，第一栅电极包围第一中间层的空穴传输层，第二栅电极包围第二中间层的空穴传输层。
18、根据权利要求15所述的装置，其中每个中间层都包括至少一层空穴阻挡层，第一栅电极包围第一中间层的空穴阻挡层，第二栅电极包围第二中间层的空穴阻挡层。
19、根据权利要求15所述的装置，其中每个中间层都包括至少一层电子传输层，第一栅电极包围第一中间层的电子传输层，第二栅电极包围第二中间层的电子传输层。
20、一种制造有机电致发光装置的方法，该方法包括步骤：
在基板上形成第一源电极和第二源电极；
在基板上形成电容器绝缘层以覆盖第一源电极和第二源电极中的至少一个；
在电容器绝缘层上形成第一和第二栅电极，每个栅电极都是环形，其中第一和第二栅电极的位置分别与第一源电极和第二源电极的位置对应；
在基板上形成平面化膜以覆盖第一栅电极和第二栅电极中的至少一个；
在平面化膜上形成高分子量材料的掩模；
在掩模、平面化膜、和电容器绝缘层内形成通孔，以暴露第一源电极和第二源电极的上表面以及平面化膜、第一栅电极、第二栅电极、和电容器绝缘层的侧表面；
形成栅绝缘膜，以覆盖通过通孔暴露的平面化膜、第一栅电极、第二栅电极、和电容器绝缘层的侧表面；
在每个通孔内形成中间层，该中间层包括至少一层发射层；
移除掩模；
在平面化膜内形成接触孔来暴露部分第二栅电极；以及
在中间层上与第一源电极的位置对应的位置中形成第一漏电极，并且在中间层上与第二源电极的位置对应的位置中形成第二漏电极，其中第一漏电极通过接触孔连接到第二栅电极。
21、根据权利要求20所述的方法，其中形成中间层包括沉积低分子量有机材料。
22、根据权利要求20所述的方法，其中电容器绝缘层包括有机材料或无机材料。
23、根据权利要求20所述的方法，其中利用激光烧蚀法形成所述通孔。
24、根据权利要求20所述的方法，其中形成栅绝缘膜包括氧化通过通孔暴露的平面化膜、第一栅电极、第二栅电极、和电容器绝缘层的侧表面。
25、根据权利要求24所述的方法，其中对所述表面的氧化包括利用O2等离子体处理和H2O2处理中的至少一种。
26、一种制造有机电致发光装置的方法，包括如下步骤：
在基板上形成第一源电极和第二源电极；
在基板上形成电容器绝缘层以覆盖第一源电极和第二源电极中的至少一个；
在电容器绝缘层上形成第一和第二栅电极，每个栅电极都是环形，其中第一和第二栅电极的位置分别与第一源电极和第二源电极的位置对应；
在基板上形成平面化膜以覆盖第一栅电极和第二栅电极中的至少一个；
在平面化膜和电容器绝缘层内形成通孔，以暴露第一源电极和第二源电极的上表面以及平面化膜、第一栅电极、第二栅电极、和电容器绝缘层的侧表面；
形成栅绝缘膜，以覆盖通过通孔暴露的平面化膜、第一栅电极、第二栅电极、和电容器绝缘层的侧表面；
在每个通孔内形成中间层，该中间层包括至少一层发射层；
在平面化膜内形成接触孔来暴露部分第二栅电极；以及
在中间层上与第一源电极的位置对应的位置中形成第一漏电极，并且在中间层上与第二源电极的位置对应的位置中形成第二漏电极，其中第一漏电极通过接触孔连接到第二栅电极。
27、根据权利要求26所述的方法，其中形成中间层包括利用喷墨印刷法在通孔内形成包括高或低分子量有机材料的层。
28、根据权利要求26所述的方法，其中电容器绝缘层包括有机材料或无机材料。
29、根据权利要求26所述的方法，其中利用激光烧蚀法形成所述通孔。
30、根据权利要求26所述的方法，其中形成栅绝缘膜包括氧化通过通孔暴露的平面化膜、第一栅电极、第二栅电极、和电容器绝缘层的侧表面。
31、根据权利要求30所述的方法，其中对所述表面的氧化是利用O2等离子体处理或H2O2处理实现的。
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